JPH01212425A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH01212425A JPH01212425A JP3813888A JP3813888A JPH01212425A JP H01212425 A JPH01212425 A JP H01212425A JP 3813888 A JP3813888 A JP 3813888A JP 3813888 A JP3813888 A JP 3813888A JP H01212425 A JPH01212425 A JP H01212425A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法に関
するものである。
するものである。
従来の技術
アルミ電解コンデンサ用電極箔（以下電極箔という）は
、コンデンサの小形化、低価格化を図るためにアルミニ
ウム箔を電気化学的あるいは化学的にエツチングして表
面積を拡大したものが使用されている。この表面積を拡
大するために種々のエツチング方法が研究されておシ、
従来よシこの目的のため、エツチングを２段に分割する
ことが行なわれてきた。すなわち第１段エツチングで塩
酸に多孔質皮膜生成酸を加えた水溶液を用いてエツチン
グビットを発生させ、続いて第２段エツチングでＣＩ−
を含む中性塩水溶液を用いてエツチングビットを生長さ
せることによシ表面積拡大を図ってきた。
、コンデンサの小形化、低価格化を図るためにアルミニ
ウム箔を電気化学的あるいは化学的にエツチングして表
面積を拡大したものが使用されている。この表面積を拡
大するために種々のエツチング方法が研究されておシ、
従来よシこの目的のため、エツチングを２段に分割する
ことが行なわれてきた。すなわち第１段エツチングで塩
酸に多孔質皮膜生成酸を加えた水溶液を用いてエツチン
グビットを発生させ、続いて第２段エツチングでＣＩ−
を含む中性塩水溶液を用いてエツチングビットを生長さ
せることによシ表面積拡大を図ってきた。
発明が解決しようとする課題
従来の方法では、エツチングによる表面積拡大効果とア
ルミ溶解減量との関係に問題点があった。
ルミ溶解減量との関係に問題点があった。
すなわちエツチングの進行によシアルミ溶解減量を増加
させてもエツチングビットが成長しないばかシか、表面
溶解が進行して表面積が比例的に拡大されず、静電容量
の増大に寄与しないだけでなく、電極箔の機械的強度も
損われてしまう欠点があった。それゆえ電極箔としては
アルミ電解コンデンサの小形化低コスト化を進める上で
表面積拡大効果が不足し、問題となっていた。
させてもエツチングビットが成長しないばかシか、表面
溶解が進行して表面積が比例的に拡大されず、静電容量
の増大に寄与しないだけでなく、電極箔の機械的強度も
損われてしまう欠点があった。それゆえ電極箔としては
アルミ電解コンデンサの小形化低コスト化を進める上で
表面積拡大効果が不足し、問題となっていた。
本発明は上記の問題点を解決するもので、電極箔の機械
的強度を保持しながら表面積拡大できるアルミ電解コン
デンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的とする
。
的強度を保持しながら表面積拡大できるアルミ電解コン
デンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的とする
。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明では、エツチングを第
１段、第２段の２段階に分けて行なうエツチング方法に
おいて、第１段エツチングを塩酸２〜１５％と硫酸、蓚
酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち少なくとも
１種０．０１〜６％含む水溶液中で直流エツチングを行
なった後、第２段エツチングを塩化ナトリウム、塩化ア
ンモニウム、塩化カリウム等のＣ「を含む中性塩のうち
少なくとも１種０．１〜１０％を含む水溶液中で直流エ
ツチングを行ない、この第２段エツチングの前および中
間にオイテ、ＮＨ４＋ 、 Ｎａ＋＋ｏ、ｏ １〜２０
９１５’を含む水溶液で表面酸化皮膜を電気化学的、化
学的に形成する中間処理を少なくとも１回以上行なうも
のである。
１段、第２段の２段階に分けて行なうエツチング方法に
おいて、第１段エツチングを塩酸２〜１５％と硫酸、蓚
酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち少なくとも
１種０．０１〜６％含む水溶液中で直流エツチングを行
なった後、第２段エツチングを塩化ナトリウム、塩化ア
ンモニウム、塩化カリウム等のＣ「を含む中性塩のうち
少なくとも１種０．１〜１０％を含む水溶液中で直流エ
ツチングを行ない、この第２段エツチングの前および中
間にオイテ、ＮＨ４＋ 、 Ｎａ＋＋ｏ、ｏ １〜２０
９１５’を含む水溶液で表面酸化皮膜を電気化学的、化
学的に形成する中間処理を少なくとも１回以上行なうも
のである。
作用
本発明によれば、エツチングの進行にょシ表面溶解と機
械的強度を損失させることなしくエツチングビットを成
長させ、アルミ溶解減量と比例的だ表面積を拡大するこ
とができる。
械的強度を損失させることなしくエツチングビットを成
長させ、アルミ溶解減量と比例的だ表面積を拡大するこ
とができる。
以下に各エツチング液徨の作用につ−て説明する。
（第１段エツチング）
エツチングビットを高密度かつ均一に生成させるために
適度な塩酸濃度と多孔質皮膜を生成し得る酸の適当な添
加が必要である。塩酸濃度は２％未満であるとエツチン
グ効果が小さく、１５％を越えると表面の全面溶解が起
こる。従って２〜１５！Ｘの範囲で、特に好適なのは３
〜８％である。
適度な塩酸濃度と多孔質皮膜を生成し得る酸の適当な添
加が必要である。塩酸濃度は２％未満であるとエツチン
グ効果が小さく、１５％を越えると表面の全面溶解が起
こる。従って２〜１５！Ｘの範囲で、特に好適なのは３
〜８％である。
多孔質皮膜を生成し得る酸の添加量は硫酸、蓚酸。
リン虚のいずれの場合も０．０１未満であると多孔質皮
膜の生成が不充分であり、６％を越えると皮膜形成反応
が強くなり、発生したエツチングビットの長さ方向への
成長が抑制されてしまう。従って０．０１〜６％の範囲
内で特に好適なのは０．０６〜１％である。この様な好
適範囲内では、高密度かつ均一な孔を持つ多孔質皮膜が
アルミ表面に生成し、その孔の部分をｒ４−が浸食して
エツチングビットが形成されるが、一方エッチングビッ
ト以外の部分は皮膜でおおわれているから表面溶解が抑
制され、結果的に高密度かつ均一なエツチングビットが
生成される。エツチング液温も重要な影響を及ぼし、５
０℃未満ではエツチング効果が小さく、１００℃を越え
ると表面の全面溶解が起こる。従って、６０〜１００℃
の範囲内で、特に好適なのは７０〜９０℃である。また
電流密度は３ム／ｄｎ？ 未満ではエツチング効果が
小さく、７ｏム／ｄｎ１１＋を越えると表面の全面溶解
が起こる。
膜の生成が不充分であり、６％を越えると皮膜形成反応
が強くなり、発生したエツチングビットの長さ方向への
成長が抑制されてしまう。従って０．０１〜６％の範囲
内で特に好適なのは０．０６〜１％である。この様な好
適範囲内では、高密度かつ均一な孔を持つ多孔質皮膜が
アルミ表面に生成し、その孔の部分をｒ４−が浸食して
エツチングビットが形成されるが、一方エッチングビッ
ト以外の部分は皮膜でおおわれているから表面溶解が抑
制され、結果的に高密度かつ均一なエツチングビットが
生成される。エツチング液温も重要な影響を及ぼし、５
０℃未満ではエツチング効果が小さく、１００℃を越え
ると表面の全面溶解が起こる。従って、６０〜１００℃
の範囲内で、特に好適なのは７０〜９０℃である。また
電流密度は３ム／ｄｎ？ 未満ではエツチング効果が
小さく、７ｏム／ｄｎ１１＋を越えると表面の全面溶解
が起こる。
従って３〜ＴＯム／ｄｒｒＩの範囲内で、特に１０〜４
゜ム／ａｄ が好ましい。
゜ム／ａｄ が好ましい。
（中間処理）
本発明では第１段エツチングの後の第２段エツチングの
前あるいは中間にお込て中間処理を行なう。この処理は
第１段エツチングで新しいエツチングビットの発生によ
り表面積拡大がアルミ溶解減量に比例的に行なわれてき
たものを受は継いで第２段エツチングにおいても表面積
拡大をアルミ溶解減量とともに飽和させることなく、更
に比例して増加させるため、第２段エツチングで、エツ
チングが集中してエツチングビットが必要以上に犬きく
なりすぎたシ、隣接するエツチングビットを破壊したシ
、あるいは表面溶解が起きないようにする作用をもつ。
前あるいは中間にお込て中間処理を行なう。この処理は
第１段エツチングで新しいエツチングビットの発生によ
り表面積拡大がアルミ溶解減量に比例的に行なわれてき
たものを受は継いで第２段エツチングにおいても表面積
拡大をアルミ溶解減量とともに飽和させることなく、更
に比例して増加させるため、第２段エツチングで、エツ
チングが集中してエツチングビットが必要以上に犬きく
なりすぎたシ、隣接するエツチングビットを破壊したシ
、あるいは表面溶解が起きないようにする作用をもつ。
すなわち第２段エツチングにおいても新しくエツチング
ピットを均−知発生させ成長できるように本発明では、
エツチングの中間にお＾てアルミニウム表面に電気化学
的、あるいは化学的表面酸化皮膜を形成させ、その酸化
皮膜によりすでに形成されたエツチングピットを保護し
つつ、再度エツチングを行なうことによシ新たにエツチ
ングピットを形成し、表面積を拡大するものである。こ
のためアルミニウム表面上へ表面酸化皮膜を形成し得る
ＮＨ４，Ｎａ＋ を含む水溶液中での電気化学的ある
いは化学的処理が必要であシ、その濃度は０．０１％未
満では表面酸化皮膜形成効果が小さく、２ｏにを越える
と表面）！ｌ化皮膜が形成されすぎて、エツチングした
時エツチングビットの発生が少なくて集中しやすくなっ
てしまう。従って０．０１〜２０′！Ｘの範囲内で、特
に好適なのは０．１〜１０％である。
ピットを均−知発生させ成長できるように本発明では、
エツチングの中間にお＾てアルミニウム表面に電気化学
的、あるいは化学的表面酸化皮膜を形成させ、その酸化
皮膜によりすでに形成されたエツチングピットを保護し
つつ、再度エツチングを行なうことによシ新たにエツチ
ングピットを形成し、表面積を拡大するものである。こ
のためアルミニウム表面上へ表面酸化皮膜を形成し得る
ＮＨ４，Ｎａ＋ を含む水溶液中での電気化学的ある
いは化学的処理が必要であシ、その濃度は０．０１％未
満では表面酸化皮膜形成効果が小さく、２ｏにを越える
と表面）！ｌ化皮膜が形成されすぎて、エツチングした
時エツチングビットの発生が少なくて集中しやすくなっ
てしまう。従って０．０１〜２０′！Ｘの範囲内で、特
に好適なのは０．１〜１０％である。
また液温は、４０℃以下では表面酸化皮膜の形成効果が
小さく、９０ ’Ｃを越えると表面酸化皮膜が形成され
すぎて、エツチングビット発生効果が小さくなる。従っ
て４０〜９０℃の範囲内で、特に好適なのは６０〜８０
℃である。ここで本発明【よる中間処理は第２（没エツ
チングの前あるいは中間において何回も実施することが
可能であシ、処理を操り返し実施することＫより処理回
数に比例して表面積拡大効果は増大する。
小さく、９０ ’Ｃを越えると表面酸化皮膜が形成され
すぎて、エツチングビット発生効果が小さくなる。従っ
て４０〜９０℃の範囲内で、特に好適なのは６０〜８０
℃である。ここで本発明【よる中間処理は第２（没エツ
チングの前あるいは中間において何回も実施することが
可能であシ、処理を操り返し実施することＫより処理回
数に比例して表面積拡大効果は増大する。
（第２段エツチング）
第２段エツチングは第１段エツチングの後を受けて、中
間処理と組み合わせて表面溶解を抑制しながら、更にエ
ツチングピットを発生させ、同時に第１段エツチングで
生成されたエツチングピットを成長させるために塩化ナ
トリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム等のｃ４−
を含む中性塩の水溶液中でのエツチングが必要である。
間処理と組み合わせて表面溶解を抑制しながら、更にエ
ツチングピットを発生させ、同時に第１段エツチングで
生成されたエツチングピットを成長させるために塩化ナ
トリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム等のｃ４−
を含む中性塩の水溶液中でのエツチングが必要である。
これらいずれの中性塩の水溶液の場合でも、そのａ度が
０．１に未満ではエツチング効果が小さく、１０％を越
えると表面の全面溶解が起こる。
０．１に未満ではエツチング効果が小さく、１０％を越
えると表面の全面溶解が起こる。
従って０．１〜１０にの範囲内で、特に好適なのは１〜
３％である。このような好適範囲内では表面溶解をほと
んど起こすことなくエツチングピットを新たに発生させ
ることができ、同時に第１段エツチングで生成したエツ
チングピットを成長させることが可能である。第２段エ
ツチングでは、第１段エツチング同様液温は５０〜１０
０℃の範囲内で特に好適なのは７０〜９０℃であり、電
流密度は３〜７０ム／ｄｒＩの範囲内で、特に好適なの
は４〜２０ム／ｄｒＩＩである。
３％である。このような好適範囲内では表面溶解をほと
んど起こすことなくエツチングピットを新たに発生させ
ることができ、同時に第１段エツチングで生成したエツ
チングピットを成長させることが可能である。第２段エ
ツチングでは、第１段エツチング同様液温は５０〜１０
０℃の範囲内で特に好適なのは７０〜９０℃であり、電
流密度は３〜７０ム／ｄｒＩの範囲内で、特に好適なの
は４〜２０ム／ｄｒＩＩである。
この発明のエツチングによれば、アルミ溶解減世に比例
して、高密度で適度なエツチングピット径を有した均一
なエツチングピットを生成させた表面積拡大効果の非常
に大きいアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造が可能で
ある。
して、高密度で適度なエツチングピット径を有した均一
なエツチングピットを生成させた表面積拡大効果の非常
に大きいアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造が可能で
ある。
実施例
以下本発明の実施例を比較例とともに示す。
なお試料として、純１Ｉｅｓｅ、ｅ９％、厚さ１００μ
Ｈの高純度焼鈍アルミニウムを用いた。
Ｈの高純度焼鈍アルミニウムを用いた。
く比較例〉
第１段エツチングを塩酸７％、硫虚を０．１％添加した
液温８０℃の水溶液で電流密度２０ム／ｄｒｒ！の直流
を９０秒印加して行なった後、第２投エツチングを塩化
ナトリウム６％、液温８０℃の水溶液で電流密度１０ム
／ｄ♂の直流を３２０秒印加して行なった。
液温８０℃の水溶液で電流密度２０ム／ｄｒｒ！の直流
を９０秒印加して行なった後、第２投エツチングを塩化
ナトリウム６％、液温８０℃の水溶液で電流密度１０ム
／ｄ♂の直流を３２０秒印加して行なった。
〈実施例〉
第１段エツチングを比較例と同様に行なった後、液＠９
０℃のギ酸アンモニウム０．１に水溶液中で４０秒浸漬
処理を行な−、更に第２役エツチングを比較例と同様に
行なう。
０℃のギ酸アンモニウム０．１に水溶液中で４０秒浸漬
処理を行な−、更に第２役エツチングを比較例と同様に
行なう。
上記２例のエツチング箔を硼酸水溶液中で３７０Ｖ化成
した後、各試料について静電容量と折曲げ強Ｉｎ（１，
ＯＲ，２００？荷重、折曲げ角９０°によシ１往直で１
回とする）を測定した結果を第１表３示す・ 第１表 発明の効果 以上のように本発明によれば、機：数的強度を保持しな
がら静電容量の大きなアルミ電解コンデンサ用電極箔を
得ることができる。
した後、各試料について静電容量と折曲げ強Ｉｎ（１，
ＯＲ，２００？荷重、折曲げ角９０°によシ１往直で１
回とする）を測定した結果を第１表３示す・ 第１表 発明の効果 以上のように本発明によれば、機：数的強度を保持しな
がら静電容量の大きなアルミ電解コンデンサ用電極箔を
得ることができる。
Claims (4)
- （１）エッチングを第１段，第２段の２段階に分けて行
なうエッチング方法において、第２段エッチングの前お
よび中間にＮＨ＿４＾＋またはＮａ＾＋を含む水溶液中
で表面酸化皮膜を電気化学的あるいは化学的に形成する
中間処理を少なくとも１回以上行なうことを特徴とする
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （２）第１段エッチングは、塩酸２〜１５％と硫酸，蓚
酸，リン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち少なくとも
１種０．０１〜５％含む水溶液中で直流エッチングを行
なうことを特徴とする請求項１記載のアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法。 - （３）中間処理はＮＨ＿４＾＋またはＮａ＾＋０．０１
〜２０％を含む水溶液中で処理を行なうことを特徴とす
る請求項１記載のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造
方法。 - （４）第２段エッチングは、塩化ナトリウム，塩化アン
モニウム，塩化カリウム等のＣｌ＾−を含む中性塩のう
ち、少なくとも１種０．１〜１０％を含む水溶液中で直
流エッチングを行なうことを特徴とする請求項１記載の
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63038138A JP2696882B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63038138A JP2696882B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212425A true JPH01212425A (ja) | 1989-08-25 |
| JP2696882B2 JP2696882B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=12517066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63038138A Expired - Fee Related JP2696882B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2696882B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004186696A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Acktar Ltd | 電解コンデンサ用電極およびその製造方法 |
| US8213159B2 (en) | 2007-04-20 | 2012-07-03 | Fujitsu Limited | Electrode foil, method of manufacturing electrode foil, and electrolytic capacitor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57131399A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-14 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
| JPS60169131A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63038138A patent/JP2696882B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57131399A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-14 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004186696A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Acktar Ltd | 電解コンデンサ用電極およびその製造方法 |
| US8213159B2 (en) | 2007-04-20 | 2012-07-03 | Fujitsu Limited | Electrode foil, method of manufacturing electrode foil, and electrolytic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2696882B2 (ja) | 1998-01-14 |
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