JP2004186678A5 - - Google Patents
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- 少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有するバンドギャップが２．６ｅＶ以上の窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有するバンドギャップが２．６ｅＶ以上の窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ少なくとも５ｍＷ以上の光出力範囲で自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されているとともに、自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有するバンドギャップが２．６ｅＶ以上の窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されているとともに、自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有するバンドギャップが２．６ｅＶ以上の窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されているとともに、少なくとも５ｍＷ以上の光出力範囲で自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 前記電気的に２領域以上に分離された電極の１つが共振器を形成する２つの端面の１つに接触しているとともに該端面は導電性材料を含有する反射膜を備えており、かつ該反射膜により前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記電気的に２領域以上に分離された電極の１つが共振器を形成する２つの端面の出射面と反対側の端面に接触しているとともに、該端面は導電性材料を含有する反射膜を備えており、かつ該反射膜により前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記導電性材料はＡｌを含有することを特徴とする請求項９または１０に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記電気的に２領域以上に分離された電極の１つ以上の領域において、前記ｐ電極と前記ｎ電極の間に抵抗が設けられていることを特徴とする請求項１〜４、９〜１１のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記ｐ電極と前記ｎ電極の間に設けられた抵抗によって自励発振特性を調整することを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記活性層にはｎ型不純物としてＳｉを添加しているとともに、そのＳｉの濃度が１×１０17／ｃｍ3〜５×１０18／ｃｍ3であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- ｐ−ｎジャンクションから前記活性層までを含む領域において、ｎ型不純物としてＳｉが添加されているとともに、そのＳｉの平均濃度が１×１０17／ｃｍ3〜５×１０18／ｃｍ3であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されているとともに、その領域分離された電極のうち、前記ｐ電極と前記ｎ電極とが短絡されている領域の合計長さＬ１が、短絡されていない領域の合計長さＬ２に対して０．０２≦Ｌ１／Ｌ２≦０．３０の範囲にあることを特徴とする請求項５〜１５のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記少なくとも２領域以上に分離された電極の少なくとも一つは、前記活性層に逆バイアスがかけられ、他方は前記活性層に順バイアスがかけられるように配線されていることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記少なくとも２領域以上に分離された電極の少なくとも一つは、前記活性層に逆バイアスと順バイアスとを切り替えてかけられるように配線されていることを特徴とする請求項１７に記載の窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003376144A JP4526260B2 (ja) | 2002-11-20 | 2003-11-05 | 窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002336660 | 2002-11-20 | ||
| JP2003376144A JP4526260B2 (ja) | 2002-11-20 | 2003-11-05 | 窒化物半導体発光素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010040469A Division JP2010118702A (ja) | 2002-11-20 | 2010-02-25 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004186678A JP2004186678A (ja) | 2004-07-02 |
| JP2004186678A5 true JP2004186678A5 (ja) | 2006-03-30 |
| JP4526260B2 JP4526260B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=32774640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003376144A Expired - Fee Related JP4526260B2 (ja) | 2002-11-20 | 2003-11-05 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4526260B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7187813B2 (en) * | 2005-01-20 | 2007-03-06 | Intel Corporation | Optical transistor |
| JP2010027935A (ja) | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sony Corp | 半導体レーザ、光ディスク装置および光ピックアップ |
| JP2010251712A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-11-04 | Sony Corp | バイ・セクション型半導体レーザ素子及びその製造方法、並びに、バイ・セクション型半導体レーザ素子の駆動方法 |
| JP2011023406A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2011029381A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JP2011044648A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2011054834A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2011187580A (ja) | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Sony Corp | 自励発振型半導体レーザ素子及びその駆動方法 |
| JP2011187579A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Sony Corp | モードロック半導体レーザ素子及びその駆動方法 |
| JP5633289B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2014-12-03 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子の駆動方法及び半導体レーザ装置 |
| JP5536132B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2014-07-02 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2014007434A (ja) * | 2013-10-18 | 2014-01-16 | Sony Corp | モードロック半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置組立体 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6239087A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JP2516953B2 (ja) * | 1987-02-17 | 1996-07-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レ―ザ装置の製造方法 |
| JPH01251775A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその駆動方法 |
| JP2877063B2 (ja) * | 1995-11-06 | 1999-03-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4245691B2 (ja) * | 1998-08-04 | 2009-03-25 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置 |
-
2003
- 2003-11-05 JP JP2003376144A patent/JP4526260B2/ja not_active Expired - Fee Related
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