JP2004186534A

JP2004186534A - 基板処理装置

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Publication number: JP2004186534A
Application number: JP2002353412A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Ishimaru; 信雄石丸; Tadashi Konya; 忠司紺谷
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2002-12-05
Filing date: 2002-12-05
Publication date: 2004-07-02

Abstract

【課題】活性種を利用してプラズマによるダメージの低減を図り、基板に対して効率的な活性種の供給を行う。
【解決手段】基板２を装填する反応室３４の中に活性種を生成して基板２に供給するバッファ室６を設ける。このバッファ室６の中に、活性種を生成するためのプラズマ放電を起こす一対の放電用電極５を設ける。遮蔽電極１９で各放電用電極５の一部を覆う。遮蔽電極１９を接地することにより、遮蔽された一部の放電用電極間をプラズマ非放電領域４２とし、遮蔽されていない残りの部分の放電用電極間をプラズマ放電領域３９として、遮蔽電極１９による遮蔽割り合いに応じてバッファ室６内のプラズマ放電領域３９を制御するように構成する。
【選択図】図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の表面をエッチングしたり基板の表面に薄膜を形成したりする基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５は従来の枚葉式基板処理装置を構成する処理炉の概略説明図である。処理炉は反応室２２を備える。反応室２２は真空容器２３で気密に構成される。ガス導入管２６から反応室２２へ各種ガスを導入し、排気管２８から反応室２２の気体を排気ポンプ２９で排気できる構造となっている。反応室２２内部には一対の上電極２１と下電極２５が設けられている。図示しない基板は下電極２５の上に載置されて処理される。上電極２１は絶縁ブロック２４で真空容器２３の壁と絶縁され、高周波電源３１の出力する高周波電力を整合器３０を介して印加できるようになっている。
【０００３】
このような構成において、減圧状態の反応室２２内の下電極２５上に図示しない搬送機構で基板を搬送し、ガス導入管２６から導入した各種ガスを、高周波電源３１の出力する高周波電力を整合器３０を介して上電極２１に印加する。この高周波電力の印加により上電極２１と下電極２５間で放電させてプラズマを発生する。このプラズマにより基板を処理する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の技術では、基板が直接プラズマにさらされることにより帯電して、基板上の半導体素子が破壊するなど、基板がダメージを受けるという欠点があった。また、一対の電極間に形成されるプラズマ放電領域が制御できないため、プラズマにより反応室構成部品がダメージを受けるという欠点もあった。また、プラズマ放電領域が制御できないため、基板に対して効率的なガスの供給もできないという問題もあった。
【０００５】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、プラズマによるダメージの低減を図り、基板に対して活性種の効率的なガス供給を行うことが可能な基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、電気的に中性な活性種を利用して基板を処理するための反応室と、前記反応室の中に設けられ、前記電気的な中性の活性種をプラズマで形成する空間と、前記空間にプラズマ放電を起こすプラズマ放電領域を形成し、このプラズマ放電領域で前記プラズマを生成する放電用電極と、前記放電用電極の一部を遮蔽して、前記放電用電極の一部に対応する前記空間の一部にプラズマ放電を起こさないプラズマ非放電領域を形成する遮蔽部材とを備え、前記遮蔽部材により遮蔽される前記放電用電極の一部の全体に対する遮蔽割り合いを変えて、前記空間に形成されるプラズマ放電領域を制御するように構成したことを特徴とする基板処理装置である。
【０００７】
放電用電極の一部が遮蔽部材により遮蔽されているので、遮蔽部材に遮蔽された放電用電極の一部に対応する空間内のプラズマ非放電領域では、プラズマ放電が生じないためプラズマは生成されない。プラズマ放電領域は、放電用電極が遮蔽部材に覆われていない残部に対応する空間内のプラズマ放電領域に限定される。したがって、遮蔽部材による放電用電極の遮蔽割り合いを変えると、空間に形成されるプラズマ放電領域を制御でき、制御されたプラズマ放電領域で形成されるプラズマによって電気的に中性な活性種を生成する。その結果、基板に対して効率的な活性種の供給ができる。また、プラズマ放電領域を制御するので、反応室構成部品のプラズマによるダメージを低減できる。また、基板を処理するのはプラズマではなく電気的に中性な活性種であるので、基板へのダメージを低減できる。
【０００８】
本発明において、遮蔽効果をより有効にするために、遮蔽部材を基準電位に保持することが好ましく、特に接地することがより好ましい。
【０００９】
また、基板処理装置が、複数の基板を積載した基板保持部材を反応室に装填し、反応室で複数の基板を一括処理する縦型のバッチ処理装置であって、放電用電極が反応室の下方の炉口から空間に挿入される基板処理装置においては、挿入された放電用電極の下方部分を遮蔽部材で遮蔽することが好ましい。基板保持部材は、その下部に基板を直接保持しない基板支持部を有し、基板を直接保持する基板保持部は基板支持部の上部に設けられる。したがって、基板保持部材を装填した反応室下部には基板は存在しない。このため、挿入された放電用電極の下方部分を遮蔽部材で遮蔽すると、プラズマ放電領域は基板と対向している空間部分に限定されて形成され、基板と対向していない空間部分はプラズマ非放電領域となる。その結果、基板に対してより効率的な活性種の供給ができ、反応室構成部品のプラズマによるダメージを一層低減できる。
【００１０】
また、前記放電用電極は直状に反応室内に挿入されていることが好ましい。放電用電極が直状であると、遮蔽部材による放電用電極の遮蔽の割り合いの調整が行い易い。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の基板処理装置を、複数の基板を一括して処理する縦型基板処理装置に適用した実施の形態を説明する。ここで基板処理装置は、処理炉、ウェハ移載装置、カセット載置台などを含んで構成されるものである。
【００１２】
図１は縦型基板処理装置を構成する処理炉の中間部の平断面図であって、反応管内に基板がロードされた状態を示す図、図２は処理炉のＡ−Ａ’線矢視断面図、図３は処理炉のＣ−Ｃ’線矢視断面図、図４は処理炉のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【００１３】
図２に示すように、処理炉は反応管１、ヒータ７、フランジ２７とから構成される。反応管１は例えば石英ガラスで構成され、略鉛直方向に沿って配設される。反応管１の上部は閉じ下部は開口され、内部に基板処理領域３２を形成する。反応管１の外周にヒータ７が設けられ、基板処理領域３２内に装填される基板２を加熱するようになっている。反応管１の下部開口に例えば金属製の炉口フランジ２７が接続され、ちょうど炉口フランジ２７上に反応管１が立設されるようになる。炉口フランジ２７の下部開口が炉口３３を構成する。互いに連通された反応管１及び炉口フランジ２７の内部が、反応室３４を構成する。炉口フランジ２７には、反応室３４内にガスを導入するガスノズル１５のノズル入口を炉口３３に臨ませるように取り付けられ、また炉口フランジ２７の側壁には反応室３４内の雰囲気を排気する排気口３５が設けられる。反応室３４内に、ガスノズル１５を収容する細長いバッファ室６が気密に設けられる。バッファ室６は、プラズマでガスを活性化して電気的に中性な活性種を形成し、この活性種を基板処理領域３２へ供給するように構成される。バッファ室６は反応管１及び炉口フランジ２７の一側内壁に沿って略鉛直方向に設けられる。このバッファ室６内に、前述したノズル入口を炉口３３に臨ませたガスノズル１５が略鉛直方向に設けられる。ガスノズル１５は、そのノズル入口部がバッファ室底部に溶着等により固定されることにより、バッファ室６に気密に取り付けられている。
【００１４】
このようにガスノズル１５から導入されたガスを、ガスノズル１５よりも容量の大きなバッファ室６内でプラズマにより活性化して活性種を生成しているので、バッファ室６内に均一に活性種を生成できる。また、バッファ室６に設けた複数のガス供給孔１０から反応室３４内の基板３に、プラズマではなく電気的に中性な活性種を供給するようにしているので、基板３にダメージを与えない。また、基板から遠い反応室３４の外ではなく、基板に近い反応室３４の中で活性種を生成するので、各基板に多量の活性種を供給することができる。
【００１５】
炉口フランジ２７の炉口３３の周囲は、中央が開口したリング状のベースプレート３によって塞がれる。ベースプレート３には、炉口フランジ当接面と反対側のキャップ裏面側からガス導入管１３が取り付けられ、ベースプレート３を通って、その導入管出口が炉口フランジ当接面に臨むように取り付けらる。そして、ベースプレート３によって炉口３３周囲を塞ぐと同時に、ノズル入口と導入管出口とが合致してガス導入管１３とガスノズル１５とが接続状態となり、ベースプレート３を貫通する形でガスの導入経路が構成され、その経路を介してガスをバッファ室６内に導入できるようになっている。
【００１６】
基板保持部材としてのボート１２は、シールキャップ４３、ボート支持部３６、ボート部３７から構成される。ボート支持部３６は、例えば基板の温度低下を防ぐための保温筒などで構成されることもある。シールキャップ４３はベースプレート３の開口に当接して炉口３３を塞ぎ、反応室３４を密閉する。シールキャップ４３上にボート支持部３６を介してボート部３７が立設される。ボート部３７は複数の基板２を同一間隔に積載できるように構成される。
【００１７】
ボート１２は昇降自在に設けられて、反応室３４内に対して出し入れできるようになっている。またボート１２は回転自在に設けられて、複数の基板２の処理の均一性を改善できるようになっている。基板２を反応室３４内にロードするときは、図示しないボートエレベータによってボート１２を上昇させて、ボート１２を炉口３３から反応室３４内に挿入し、シールキャップ４３によって炉口３３を密閉する。ボート１２を回転するときは、図示しない回転機構によって基板支持部３６及びボート部３７のみを回転させる。
【００１８】
図１に示すように、バッファ室６は平断面視で弧状をしている。バッファ室６は反応管１の内壁に沿って設けられ、バッファ室後壁となる反応管内壁、内壁の前方に位置する前壁、前壁両端と反応管内壁とを連結する両側壁によって区画形成される。基板２と対面するバッファ室前壁面の一端側にガス供給孔１０が設けられる。ガス供給孔１０は積載された複数の基板２のピッチに対応して複数個設けられ、この複数のガス供給孔１０から活性種が各基板上にそれぞれ均一に供給されるようになっている。バッファ室６内のガス供給孔１０が設けられたバッファ室前壁面と同じ面の他端側寄りに前述したガスノズル１５が配設され、ガスノズル１５に設けられた複数のノズル孔３８からバッファ室６内にガスを導入するように構成される。
【００１９】
バッファ室６内の供給孔１０側の他側寄りに一対の放電用電極５が設けられる。各放電用電極５は棒状をしている。棒状をした放電用電極５に沿ってプラズマ放電が起きる。各放電用電極５は、直管で構成された誘電体、例えば石英ガラスで形成された一対の円筒状の保護管１４の中にそれぞれ挿入されて、バッファ室６で形成されれるプラズマ１１から保護されるようになっている。放電用電極５は誘電体からなる保護管１４で覆うことにより、電極表面にプラズマ１１が接触するのを防止する。放電用電極５としては、例えばニッケル、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属を使用することが好ましい。高融点金属を使用することにより、基板２と同じ温度に加熱される保護管１４内部においても電極を変質させることなく使用できる。
【００２０】
各電極導入管４０から外に出ている放電用電極端部４間には、整合器９を介して高周波電源８が接続され、一対の放電用電極５間に高周波電力を印加する。この印加により放電用電極５間に沿って放電を行わせて、バッファ室６内に導入されたガスからプラズマ１１を生成し、このプラズマ１１でガスを活性化して電気的に中性な活性種を形成するようになっている。プラズマ１１が生成される放電用電極５間、より正しくは保護管１４間にプラズマ放電領域３９が形成される。
【００２１】
図４に示すように、一対の保護管１４は、前述したガスノズル１５と同様に、ベースプレート３に取り付けた一対の電極導入管４０と接続状態となり、シールキャップ３を貫通する形で電極経路が構成され、その経路を介して放電用電極５を保護管１４内に導入できるようになっている。また、ベースプレート３に鉛直に取り付けた電極導入管４０は、炉の外側の端部で水平方向に分岐され、その開口部が不活性ガス導入出口１７となり、鉛直方向の開口部が電極挿入口４１となる。不活性ガス導入出口１７には図示しない不活性ガス源が接続され、一対の保護管１４内に不活性ガスを循環供給できるようになっている。電極挿入口４１を鉛直方向に設けることにより、電極導入管４０及び保護管１４は、全長にわたって直管とすることができるようになっている。また、保護管１４の中は、保護管１４及び電極導入管４０が接続状態になったとき、バッファ室６内部とは独立した気密空間になるので、保護管１４の内部に別個にガスを供給可能である。不活性ガス導入出口１７からは、放電用電極５の変質を防止するための不活性ガスを保護管１４内に導入するようになっている。また、電極挿入口４１からは、放電用電極５が保護管１４内に鉛直方向上方に挿入されるようになっている。
【００２２】
また、保護管１４内には、これに挿入された棒状の放電用電極５の一部を、石英ガラスで形成した円筒状の絶縁体２０を介して覆う遮蔽部材としての管状の遮蔽電極１９が、電極挿入口４１から挿入されている。遮蔽電極１９としては、放電用電極５と同様に、ニッケルなどの高融点金属を使用することが好ましい。遮蔽電極１９は電極挿入口４１から外部に出ている遮蔽電極端部１８を接地することにより、遮蔽電極１９で覆われた放電用電極５の一部を放電用電極として機能しないようにしている。遮蔽電極１９の挿入区域は、放電用電極５に沿って調整できるようになっている。図示例では、電極挿入口４１から挿入された遮蔽電極１９は、ボート部３７上の複数の基板２のうち基板最下位置に対応する保護管１４内の位置まで挿入されている。これによりボート支持部３６を含む炉口３３から基板最下位置までの区間に対応するバッファ室６内をプラズマ非放電領域４２とし、それから上方の基板処理領域３２の区間に対応するバッファ室６内の放電用電極部間をプラズマ放電領域３９としている。
【００２３】
図３に示すように、一対の保護管１４は頂部にて石英ガラスで形成された連結管１６で連通され、不活性ガスの通り抜けが可能な構造となっている。このため不活性ガスを循環させることができる。保護管１４の内部に放電用電極５の変質を防止する不活性ガスを、一方の保護管端部の不活性ガス導入出口１７より一定量連続して導入し、他方の保護管端部の不活性ガス導入出口１７より排気することにより、２本の保護管１４の内部を不活性ガス雰囲気に維持する。不活性ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム等を使用することにより、放電用電極５及び遮蔽電極１９の酸化等の変質を有効に防ぎ、さらに保護管１４内を大気圧程度に維持することで、電極の酸化により形成される金属酸化物の蒸発を防ぎ、ガス化した金属酸化物の保護管１４を透過することによる基板２への金属汚染を防止している。
【００２４】
上述した構成による動作を説明する。まず、ベースプレート３によって炉口３３の周囲が塞がれ、電極導入管４０と保護管１４とが接続状態となり、またガス導入管１３とガスノズル１５とが接続状態となる。その状態で、電極導入管４０の電極挿入口４１から放電用電極５を上方に直線状に挿入し、その先端がボート部３７の複数の基板のうち基板最上位置に対応する保護管１４内の位置に届くようにする。ついで放電用電極５を挿入した後、同じ電極挿入口４１から遮蔽電極１９を絶縁体２０とともに挿入し、その先端がボート部３７の基板最下位置に対応する放電用電極部の位置に届くようにする。終了したら電極挿入口４１をＯリングなどの封止部材で塞ぐ。つぎに、図示しないボートエレベータでボート１２を下げて基板２をボート１２に載置した後、ボート１２を上昇させて反応室３４内部に挿入する。これにより、シールキャップ４３はベースプレート３の開口に当接して炉口３３を塞ぎ、反応室３４を密閉する。
【００２５】
ここで、不活性ガス導入出口１７から不活性ガスを保護管１４内に導入する。保護管１４内の不活性ガス置換を充分な時間をかけて行い、保護管１４内の酸素濃度を十分に下げてから、ヒータ７に電源を投入し、ヒータ７による加熱を開始する。ヒータ７の高温維持中や昇降温中は必ず連続的に保護管１４内の不活性ガス置換を行ない、保護管１４内の酸素濃度を低レベルに維持するようにする。
【００２６】
ヒータ７の加熱により反応管１及び内部のボート１２、基板２などを所定の温度に加熱する。同時に反応室３４内部を図示しないポンプで排気口３５から排気する。
【００２７】
反応室３４内部の各部の温度が所定の値になったら、図示しない回転機構によりボート１２を回転させながら基板２の処理に用いる処理ガスをガス導入管１３からガスノズル１５を介してバッファ室６に導入する。
【００２８】
このとき反応管１内部の圧力は排気口３５に接続される図示しない排気管に介設された圧力調整機構で調節し、所定の値になったら高周波電源８の出力する高周波電力を整合器９を介して放電用電極端部４に供給する。
【００２９】
これによってバッファ室６内の限定されたプラズマ放電領域３９でプラズマ放電が起きてプラズマ１１が発生し、このプラズマが処理ガスを活性化して活性種を生成する。処理ガス及び活性化した活性種がバッファ室６に設けた複数のガス供給孔１０から、回転している基板２に向けて噴出されて基板２の処理を行う。
【００３０】
ここで、基板処理に２種類のガスを交互に流してＡＬＤ成膜を行う場合についての成膜条件を例示すれば次の通りである。なお、ガスＡとガスＢを流すが、ガスＢは図示していないノズルから供給される。膜種は窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）である。ガスＡはアンモニア（ＮＨ_３）であり、２Ｌ／ＭＩＮを流す。炉の圧力は１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）、反応室温度は５００℃である。放電用電極に印加する高周波（ＲＦ）電力は２００Ｗである。これに対して、ガスＢはＤＣＳ（ジクロルシラン）であり、１Ｌ／ＭＩＮを流す。そのときの炉の圧力は６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）であり、反応室温度は５００℃である。アンモニアの活性種とＤＣＳとを交互に基板上に流すことにより、１原子層づつ膜を形成し、これを繰り返すことによって、所望のＳｉ_３Ｎ_４膜を基板上に形成する。
【００３１】
基板処理後、放電用電極５への高周波電力の供給を断ち、プラズマ放電を停止する。前記ガス導入管１３から不活性ガスを導入し、反応管１内を不活性ガスに置換して常圧に復帰させ、ボート１２を下降させ、ボート１２から処理完了後の基板２を払い出す。
【００３２】
実施の形態によれば、基板上にプラズマを発生するのではなく、基板から離れた場所でプラズマを生成するリモートプラズマ方式を採用しているので、基板へのダメージを低減できる。また、電気的に中性な活性種を利用して基板を処理しているので、プラズマにより基板が帯電して基板上に形成された素子を破壊する等のようなこともない。また、活性種を生成するバッファ室６を基板の載置された反応室３２の中に設けているので、失活前に活性種を有効に基板２に運ぶことができる。
【００３３】
また、バッファ室６内に形成されるプラズマ放電領域３９は、放電用電極５の一部が遮蔽電極１９により覆われているので、放電用電極５に沿う全域に形成されるのではなく、遮蔽電極１９に覆われていない放電用電極５の残部間の領域に限定される。このため放電用電極５の挿入長さ又は遮蔽電極１９の挿入長さでプラズマ放電領域３９を拡大制御したり縮小制御したりすることができる。これにより、プラズマ放電領域３９を基板が対面するバッファ室６内の区域に限定することができ、生成された活性種を、複数の基板３に対して効率的に供給することができる。また、プラズマ放電領域３９を限定することにより、有効な領域のみにプラズマ放電を起こさせるので、反応管１や保護管１４あるいはバッファ室３４を構成する壁面へのプラズマ１１によるダメージを低減でき、また導入ガス消費の効率化も図ることができる。
【００３４】
特に、実施の形態のような処理炉にあっては、放電用電極５を炉口３３側から挿入すると、ほぼ反応室３４の全長にわたって放電用電極５が挿入されることになる。このため、なんらかの手段を講じないとバッファ室６の全域がプラズマ放電領域となり、基板の存在しないボート支持部３６の近傍にもプラズマが発生してしまい、無駄なプラズマ放電領域が形成されることになる。この点で実施の形態のものでは、基板の存在しないボート支持部３６近傍の放電用電極部は、遮蔽電極１９により電極として機能しないよう覆われて、プラズマ放電領域３９が基板近傍のバッファ室内に限定されている。したがって、特にプラズマによるダメージの低減、及び導入ガス消費の効率化が大きく、活性種の効率的なガス供給が可能になる。
【００３５】
また、ベースプレート３を貫通する形となる保護管１４及び電極導入管４０で構成される電極経路を直管で構成しているので、棒状の放電用電極５、円筒状の絶縁体２０及び遮蔽電極１９を、電極導入管４０の電極挿入口４１から保護管１４内に容易に挿入できる。したがって、放電用電極５及び遮蔽電極１９の挿入長さの調整が容易で、プラズマ放電領域を基板載置位置等に合わせて最適に制御できる。
【００３６】
また、放電用電極は保護管１４で保護されているので、電極表面にプラズマが接触することを防止し、プラズマにより電極表面がスパッタされて金属汚染が基板に及ぶのを有効に防止でき、放電用電極からの金属汚染を防止できる。また、放電用電極に高融点金属を使用しているので、基板と同じ温度に加熱される保護管１４内部においても電極は変質することなく電極として使用できる。また、保護管１４内に不活性ガスを導入しているので、放電用電極５や遮蔽電極１９の変質を有効に防止することができる。したがって、放電用電極や遮蔽電極の酸化防止による長寿命化を図ることができる。
【００３７】
また、スループットについては、特に実施の形態によれば、１枚ないし数枚の基板を処理する枚葉式の処理炉ではなく、複数枚の基板を一括処理できるバッチ式の処理炉に適用しているので、枚葉式のもとに比べてスループットを格段に向上できる。例えば、一枚ずつ処理する枚葉式の場合、処理時間を１０分、搬送系の動作時間を２分とすると、１時間当たりの処理枚数は５枚である。これに対して実施の形態のバッチ式の場合、基板を１００枚一括処理すると、処理時間を３０分、搬送系の動作時間を６０分としても、１時間当たりの処理枚数は６６．７枚となる。したがって、基板の処理速度を大幅に向上できる。この処理速度向上に、基板に対する活性種の効率的なガス供給が有効に寄与することになる。
【００３８】
なお、上述した実施の形態では、遮蔽電極によってボート部の基板最下位置までの下方に在る放電用電極部分を覆うようにしたが、その覆う部分はこれに限定されない。基板装填位置や基板処理装置の機種に応じて変更可能である。例えば、遮蔽電極の保護管への挿入長さを変更するにより電極を覆う割り合を変えることで、所望のプラズマ反応領域を制御することができる。すなわち、プラズマ放電領域を基板装填位置に合わせて限定することにより、より効率的な活性種の供給が可能となる。また、遮蔽電極は管状である必要はない。例えば、電極表面を接地した金網状の導電体を用いて、絶縁体を介して放電用電極を覆う構造としてもよい。
【００３９】
また、実施の形態では、放電用電極を炉口側から炉内に挿入する場合について説明したが、電極挿入箇所はこれに限定されない。例えば、反応管の上部から下方に挿入する場合や、炉口フランジから斜め上方に入れ、その後バッファ室に鉛直方向に挿入する場合にも適用可能である。なお、炉口フランジから斜め上方に挿入する場合は、保護管は屈曲することになるので、挿入時、その屈曲角度に合わせてまがる柔軟性のある材料で放電用電極、絶縁体、遮蔽電極を構成することが必要である。
【００４０】
また、処理炉を構成する反応管と炉口フランジとは別体の場合について説明したが、炉口フランジを反応管と一体に構成したもの、あるいは炉口フランジを省略したものにも適用できる。また、本発明は、複数のガスを混合して流すＣＶＤ装置にも、複数のガスを交互に流すＡＬＤ装置のいずれにも適用できる。また、本発明をバッチ式基板処理装置に適用したが、枚葉式にも適用可能である。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、活性種を利用して基板を処理するので、基板へのダメージを回避できる。また、プラズマ放電領域を制御することにより、プラズマによる反応室などのダメージの低減を図ることができる。また、プラズマ放電領域を制御することにより、基板に対して効率的な活性種の供給を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による処理炉の中間部の平断面図である。
【図２】実施の形態による処理炉のＡ−Ａ’線矢視断面図である。
【図３】実施の形態による処理炉のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【図４】実施の形態による処理炉のＣ−Ｃ’線矢視断面図である。
【図５】従来例を説明する枚葉式処理炉の縦断面図である。
【符号の説明】
２基板
５放電用電極
６バッファ室（空間）
１１プラズマ
１９遮蔽電極（遮蔽部材）
３４反応室
３９プラズマ放電領域

Claims

電気的に中性な活性種を利用して基板を処理するための反応室と、
前記反応室の中に設けられ、前記電気的な中性の活性種をプラズマで形成する空間と、
前記空間にプラズマ放電を起こすプラズマ放電領域を形成し、このプラズマ放電領域で前記プラズマを生成する放電用電極と、
前記放電用電極の一部を遮蔽して、前記放電用電極の一部に対応する前記空間の一部にプラズマ放電を起こさないプラズマ非放電領域を形成する遮蔽部材と
を備え、
前記遮蔽部材により遮蔽される前記放電用電極の一部の全体に対する遮蔽割り合いを変えて、前記空間に形成されるプラズマ放電領域を制御するように構成したことを特徴とする基板処理装置。