JP4086612B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェハなどの被処理基板の表面をエッチングしたり、薄膜を形成したりする処理装置、特にバッファ室内にプラズマ発生源を有し、プラズマにより活性種を生成して処理空間の被処理基板に供給する基板処理装置のプラズマ発生源の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来技術について図4にて説明する。
【0003】
図4は従来の基板処理装置の処理室構造である。
【0004】
従来の反応室(反応管)1は、逆U字形の石英アウターチューブ2と石英インナーチューブ3で二重に構成され、下部に処理ガス導入ポート6、7及び処理ガス排気ポート8が溶接された金属インレット9を具備している。この反応室1の下方の開放口を、エレベータ機構により昇降可能なシールフランジ1aで封止し得るようになっている。
【0005】
被処理基板4は処理基板保持ボート5に載せられ、シールフランジ1aの昇降動作により反応室1内に挿入される。第一の処理ガスA及び第二の処理ガスBが、金属インレット9を介し、処理ガス導入ポート6、7より反応室1に下方より導入される。導入されたガスは反応室1下方から上部へ供給される。基板保持ボート5に配列された被処理基板4を通過した混合ガスは、石英アウターチューブ2と石英インナーチューブ3の間を通り、金属インレット9に設けた排気ポート8より図示しないポンプによって排気される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記反応室構造において、被処理基板を装填する反応室中に形成したバッファ室内にプラズマ発生源を設け、該バッファ室で発生させたプラズマによって導入ガスを励起して電気的に中性の活性種を生成し、これを処理空間に送り込み被処理基板を処理する基板処理装置構成をする場合、次のような課題がある。
【0007】
プラズマによって励起させた活性種を従来の反応室構造にて被処理基板4へ均等にガスを供給するには、処理基板保持ボート5に一定の間隔で平行に配列させた被処理基板4に水平な位置からのガス供給が必要となる。また、被処理基板4までのガス供給ルートにおいて接ガス部分に腐蝕処理を施さない金属材料があると、接金属ダメージを受けてプラズマ励起活性種のライフタイムが大幅に低減してしまうことの他に、被処理基板へ金属汚染物質を誘導してしまう。さらに処理後のガス排気ルートにおいては副生成物の付着や逆拡散によるパーティクル発生要因等が挙げられる。そこで、従来の反応室構造における上記諸問題を解決し、プラズマ励起活性種を効率良く被処理基板に均等に供給できる反応室構造の提供が望まれ、既に幾つかの提案がなされている。
【0008】
また上記とは別の課題として、被処理基板を装填する反応室中に形成したバッファ室内にプラズマ発生源として、例えば2つの電極を設けた場合、電極が酸化して寿命を縮める、という問題がある。
【0009】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、バッファ室内にプラズマ発生源として電極を配置する基板処理装置において、その電極の酸化を防止し、長寿命にすることにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、被処理基板を装填する反応室中に形成したバッファ室内にプラズマ発生源を設け、該バッファ室で発生させたプラズマによって導入ガスを励起して電気的に中性の活性種を生成し、これを処理空間に送り込み被処理基板を処理する基板処理装置において、前記プラズマ発生源として、2つの電極を誘電体管の中に配置し、該電極間に高周波電力を印加して、電極に挟まれた空間にプラズマを生成する構造とし、かつ前記電極を入れた誘電体管の内部を不活性ガスにて充填する構造とした電極管ユニットを設けことを特徴とする基板処理装置である。
【0011】
電極は、その鞘としての誘電体管の内部に充填した不活性ガスにより覆われるため、酸化が防止され長寿命となる。充填した不活性ガスの充填は、誘電体管の内部を流下する形で環流させることが好ましいが、流下しない形で封止してもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【0013】
図2に本発明の基板処理装置の処理室構造を示す。
【0014】
この基板処理装置は、基板処理に必要なガス種供給口ポートと該反応処理されたガスの排気口ポートを同一反応管に配列させた構造となっている。すなわち、反応室たる石英反応管10は逆U字形に形成され、その下部に処理ガス導入ポートであるガス供給ノズル11、14及び処理ガス排気ポート18が溶接により設けられている。この反応室1の下方の開放口を、図示しないエレベータ機構で昇降可能な金属シールキャップ19で封止し得るようになっている。石英反応管10の外周囲には加熱手段たるヒータが配設される。
【0015】
なお、処理ガス導入部から処理室、排気口までの経路は、全て石英あるいは耐腐蝕処理を施した金属部品によって構成する。
【0016】
図2(a)から判るように、石英反応管10内には、その一部に、処理ガスを導入するためのバッファ室12とバッファ室15が形成され、後者のバッファ室15により、反応室の中にプラズマを発生させる空間が区画されている。すなわち、このバッファ室15内には、プラズマ発生源として、2つの電極を誘電体管(電極ノズル16)内に不活性ガスで封止した電極管ユニット22が設けられている。この電極管ユニット22の電極21(図1参照)は、図示してない整合器を介して高周波電源と接続されており、その高周波電力を受けてプラズマを発生するようになっている。
【0017】
被処理基板4は処理基板保持ボート5に載せられ、金属シールキャップ19の上昇動作により反応室たる石英反応管10内に挿入される。第一の処理ガスAは、石英反応管10に設けられた供給ノズル11より導入され、バッファ室12を経由して、同バッファ室12内側に設けられたバッファスリット13より被処理基板4に水平に供給される。また第二の処理ガスBは、石英反応管10に設けられたガス供給ノズル14より導入され、バッファ室15内に配置された2本の電極ノズル16間で発生させるプラズマ領域を経由し、同バッファ室15内側に設けられたバッファスリット17より被処理基板4に水平に供給される。被処理基板4までのガスA、ガスBの供給経路には金属接触面が無いことが特徴である。
【0018】
バッファ室15の中にはプラズマ8を生成するための一対の電極が電極ユニット22の形で設けてあり、ガス導入口たるガス供給ノズル14から導入した第二の処理ガスBをバッファ室15内でプラズマ化し、バッファ室15の小孔つまりバッファスリット17から被処理基板4に向けて活性な粒子を吹き出す構造となっている。第二の処理ガスBにおいては、被処理基板4に近い位置でのプラズマ放電によって励起させており、このためダメージを受けない活性種が効率よく被処理基板4へ供給される。
【0019】
処理後の混合ガスは石英反応管10に設けられた排気ポート18より図示しないポンプによって排気される。その際、処理室下部のシール部材には、腐蝕処理を施した金属シールキャップ19(耐腐蝕性の高い金属材料の場合もある)を採用している。さらに同金属シールキャップ19自体の内部には加熱ヒータ20を備えており、ガスAとガスBによる副生成物の付着を抑制する加熱機構を構成している。
【0020】
図1に上記プラズマ発生源として働く電極管ユニット22の詳細を示す。電極管ユニット22は、誘電体管たる電極ノズル16と、その内部に挿入し配設した導電性の2つの電極21と、この電極ノズル16内に充填される不活性ガス23と、この電極ノズル16内に不活性ガス23を封止しつつ、電極ノズル16から電極21を引き出すための密封ターミナルブロック24とから構成されている。
【0021】
誘電体管たる電極ノズル16は、L字状のノズル部分16aとその左右を逆にした横L字状のノズル部分16bとを、上端のブリッジ部16cで連結した形状を有し、そのL字状ノズル部分16aと横L字状ノズル部分16bに、それぞれ円形断面の棒状体から成る電極21が挿入されている。
【0022】
左右一対の電極21は、上記L字状ノズル部分16aと横L字状ノズル部分16bに倣ってL字状及び横L字状に湾曲しており、電極の後端は密封ターミナルブロック24を貫通して外部に引き出されている。
【0023】
密封ターミナルブロック24は、テフロン(登録商標)製の円筒ブロックから成り、通しの抜き穴(通し穴)が形成されている。上記電極21の後端は、この通し穴を介して密封ターミナルブロック24を貫通し外部に引き出される。その際、密封ターミナルブロック24の通し穴の前縁に設けたOリングにより、電極ノズル16の支持及び通し穴との気密性が確保される。
【0024】
一方、上記電極21の気密性を確保するため、密封ターミナルブロック24にテフロン(登録商標)熱収縮チューブ25を被せ、熱を加えて収縮固着することにより、上記通し穴の後縁において、密封ターミナルブロック24より突出する電極21を支持し且つ電極21の通し穴に対する気密性保持部を形成している。
【0025】
上記のようにして、電極ノズル16及びこれに連通された2つの電極21が密封ターミナルブロック24より気密に支持されるが、密封ターミナルブロック24の構成としては、電極ノズル16内に電極21を無接触で保持することまでは必要でない。後述するように、電極21が存在していても、電極ノズル16の一端から他端へと不活性ガスを流すことができる連通した空間が、電極ノズル16内に確保されていれば十分である。
【0026】
上記密封ターミナルブロック24の一方には不活性ガス導入口26が、また他方には不活性ガス排出口27が形成されている。一方の不活性ガス導入口25には、図示してない不活性ガス源から、レギュレータ28、圧力スイッチPS、フローメータFL、フィルタFを介して不活性ガス、ここではN2ガスが、例えば200cc〜500cc導入される。導入されたN2ガスは、電極ノズル16内を通過し、電極周囲を被って酸化防止作用と熱の汲み上げ作用を営んだ後、他方の不活性ガス導入口26から排出される。この不活性ガスの循環により電極21の冷却と酸化防止が行われる。すなわち、この構成によれば、プラズマ放電を行うための電極21が不活性ガスで被われるため、電極21がプラズマ放電によって酸化してしまう不都合が防止され、電極21が高寿命となり生産性が高まる。
【0027】
上記構成の電極管ユニット22は、図2以外の他の基板処理装置にも適用し得るものである。
【0028】
図3に他の基板処理装置に適用した実施形態を示す。これは、プラズマで励起させた活性種を処理空間に配列された被処理基板へ均等に送り込む為に、被処理基板と横長平行に加工されたバッファスリットより供給する構造としたものである。
【0029】
図3の基板処理装置は、基板処理に必要な各ガス種を別々のバッファ空間より処理空間へ供給する構造とした点は同じであるが、バッファ室12、15の内壁に施されたバッファスリット13、17の形状が横長形状となっている点で、図2の形態と異なっている。本スリットのガス噴出しの開口面積は、反応管10内部に均等な間隔に水平に配列された被処理基板に関し、下部の被処理基板と上部の被処理基板に一定の流量比を確保して供給するようにするために、下部はスリット幅が小さく、上部はスリット幅が大きくなっている。
【0030】
このバッファスリット13、17の形状を丸穴形状にした場合、上部に行くに従って穴径が大きくなることから、被処理基板の間隔はおのずと広くなってしまい、被処理基板の間隔に制限が生ずる。縦型バッチ処理装置においてこの被処理基板間隔を狭くすることは、一度の成膜で数多くの被処理基板を処理できることからメリットがある。
【0031】
上記した実施形態によれば、 導電性電極の酸化を防止することができる。さらに次のような利点も得られる。(1) 被処理基板の処理枚数を大幅に向上することができる。(2) 処理ガスの水平導入により被処理基板上、さらには被処理基板間の膜厚均一性が図れる。(3) 被処理基板までの金属汚染源を抑えることができる。(4) 副生成物の付着とパーティクルの抑制が可能となる。(5) プラズマ活性状態のガスが活性状態を維持したまま被処理基板に供給できる。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、プラズマ発生源として、2つの電極を誘電体管の中に配置し、かつその誘電体管の内部を不活性ガスにて充填する構造とした電極管ユニットを設けたので、電極が不活性ガスにより覆われることから、電極の酸化が防止され長寿命となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の石英反応管の電極酸化防止構造を説明する概略図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る基板処理装置(反応室構造)を示したもので、(a)は(b)のB−B断面図、(b)は概略縦断面図である。
【図3】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置(石英反応管)を示したもので、(a)は横断面図、(b)は縦断面図、(c)はスリット13の部分の拡大詳細図、(d)はスリット17の部分の拡大詳細図である。
【図4】従来の基板処理装置を示したもので、(a)は(b)のA−A断面図、(b)は概略縦断面図である。
【符号の説明】
10 石英反応管
11 ガス供給ノズル
12 バッファ室
14 ガス供給ノズル
15 バッファ室
16 電極ノズル(誘電体管)
18 排気ポート21 電極
22 電極管ユニット
23 不活性ガス
24 密封ターミナルブロック
25 テフロン(登録商標)熱収縮チューブ
26 不活性ガス導入口
27 不活性ガス排出口
Claims (1)
- 被処理基板を装填する反応管内にプラズマ発生源を設け、該プラズマ発生源にて発生させたプラズマによって導入ガスを励起して電気的に中性の活性種を生成し、被処理基板を処理する基板処理装置であって、
前記プラズマ発生源として、2つの電極を2つの誘電体管の中にそれぞれ配置し、前記それぞれの誘電体管は上端側でそれぞれの内部が連結され、該電極間に高周波電力を印加して、電極に挟まれた空間にプラズマを生成する構造とし、かつ前記電極の酸化を防止するため前記電極を入れた誘電体管の内部を不活性ガスにて充填し、前記不活性ガスが一方の誘電体管から他方の誘電体管へ流通する構造とした電極管ユニットを設けたことを特徴とする基板処理装置。
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- 2002-10-08 JP JP2002295321A patent/JP4086612B2/ja not_active Expired - Lifetime
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