JP2004181300A - 酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤並びに該処理剤を用いた無害化方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出される酸化性ガス及び酸性ガスを、安全に且つ高効率で無害化できる処理剤並びに該処理剤を用いた無害化方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料からなる、酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。該処理剤に、酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを接触させることにより、酸化性ガス及び酸性ガスを無害化する。
【選択図】 なし
【解決手段】アルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料からなる、酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。該処理剤に、酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを接触させることにより、酸化性ガス及び酸性ガスを無害化する。
【選択図】 なし
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出されるガス、具体的には、ハロゲン、フッ化ハロゲン、フッ化酸素、硝酸ガス、オゾン、ハロゲン化水素、ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化珪素、ハロゲン化ホウ素、ハロゲン化タングステン、ハロゲン化レニウム、ハロゲン化ルテニウム、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化硫黄、二酸化硫黄、蟻酸ガス及び酢酸ガスなどの酸化性ガス及び酸性ガスを含有する排ガスを、無害化するのに好適な処理剤、並びに、該処理剤を用いた該排ガスの無害化方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出される前記の酸化性ガス及び酸性ガスを含有する排ガスの無害化方法として、湿式法及び乾式法が知られている。
湿式法は、前記排ガスを苛性ソーダ水溶液や水などの処理液で処理するものである。前記排ガスを苛性ソーダ水溶液で処理する場合、ナトリウムによるウエハーの汚染などの問題があるため、水による処理(洗浄)が主として行われている。水による処理の場合、新しい水を多量に使用することにより、毒性の高い酸化性ガス及び酸性ガスを高効率で無害化できる。
しかし、排水量との絡みで、処理(洗浄)水を循環使用しているため、毒性の高いガスが十分に洗浄されずに排出されているのが現状である。
【0003】
一方、乾式法は、前記排ガスを固体処理剤に接触させて処理するものである。該処理剤としては、種々の処理剤が提案されている。例えば、硫酸カルシウム、水酸化カルシウム、活性炭、不定形炭素及びアルカリ金属化合物を含有する窒素酸化物及び硫黄酸化物の吸収剤が提案されている(特許文献1を参照)。また、酸化鉄、アルカリ土類金属化合物及び活性炭を含有する除害剤と接触させる工程と、該工程に次いでゼオライトからなる除害剤と接触させる工程と、を含むハロゲン系ガスの除害方法が提案されている(特許文献2を参照)。
しかし、これらの吸収剤や除害剤は、酸化性ガス及び酸性ガスとの接触効果を高めるため、比表面積の大きな活性炭を多量に使用している。その結果、活性炭に多量の酸化性ガス及び酸性ガスが吸着されるが、活性炭は還元力が高いため、活性炭と、処理剤に吸着された酸化性ガスとが急激に反応し、爆発などが発生する危険性がある。
【0004】
従って、本発明の目的は、酸化性ガス及び酸性ガスを、安全に且つ高効率で無害化できる処理剤並びに該処理剤を用いた無害化方法を提供することにある。
【0005】
【特許文献1】
特許第2778031号明細書
【特許文献2】
特開2001−338910号公報
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成すべく種々検討した結果、不燃性のゼオライトを配合することにより、可燃性の活性炭の配合割合を少なくしても比較的大きな比表面積を有する処理剤を得ることができ、酸化性ガス及び酸性ガスを安全に且つ高効率で無害化できることを知見した。
本発明は、前記知見に基づいてなされたもので、アルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料からなる、酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤を提供するものである。
また、本発明は、酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを、前記の本発明の処理剤と接触させることを特徴とする酸化性ガス及び酸性ガスの無害化方法を提供するものである。
【0007】
【作用】
本発明の処理剤は、活性炭の配合割合を少なくすることができるため、爆発などの発生する危険性がなく、且つ活性炭の配合割合を少なくしても比較的大きな比表面積を確保することができるため、酸化性ガス及び酸性ガスとの接触効果が高い。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤並びに該処理剤を用いた無害化方法について詳しく説明する。
【0009】
本発明で用いられるアルカリ土類金属化合物としては、例えば、カルシウム、マグネシウム、バリウム及びストロンチウムの酸化物、水酸化物及び炭酸塩などが挙げられ、これら中でも、カルシウムの酸化物及び水酸化物が特に好ましい。これらのアルカリ土類金属化合物は、単独使用又は2種以上併用することができる。
前記アルカリ土類金属化合物としては、粒径が500μm以下、特に200〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が1〜10m2 /g、特に2〜3m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0010】
また、本発明で用いられるアルカリ金属化合物としては、例えば、ナトリウム、カリウム及びセシウムの酸化物、水酸化物及び炭酸塩などが挙げられ、これら中でも、ナトリウムの酸化物及び水酸化物、カリウムの酸化物及び水酸化物が特に好ましい。これらのアルカリ金属化合物は、単独使用又は2種以上併用することができる。
前記アルカリ金属化合物としては、粒径が500μm以下、特に200〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が1〜10m2 /g、特に2〜3m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0011】
また、前記アルカリ土類金属化合物及び前記アルカリ金属化合物として、ソーダライムを用いることもできる。該ソーダライムとしては、粒径が500μm以下、特に200〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が1〜100m2 /g、特に2〜30m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0012】
また、本発明で用いられるゼオライトとしては、3オングストローム以上、特に8〜10オングストロームの細孔径を持つものが好ましい。特に構造上、X型やホージャサイト型のゼオライトが空洞容積が大きく好ましく、X型のゼオライトが特に好ましい。ホージャサイト型のゼオライトは、ゼオライトを構成している二酸化珪素の割合が比較的高く、フッ化水素と反応し、ゼオライトの構造が破壊され、フッ化水素の処理量が減少することがある。
また、前記ゼオライトとしては、粒径が500μm以下、特に100〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が100〜500m2 /g、特に200〜400m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0013】
また、本発明で用いられる炭素質材料としては、コークス及び/又は活性炭が好ましく、特に石炭の高温乾留により得られる多孔質のコークスが好ましい。
前記炭素質材料としては、粒径が500μm以下、特に200〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が1000〜1500m2 /g、特に1100〜1200m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0014】
前記のアルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料からなる本発明の処理剤は、好ましくは、前記アルカリ土類金属化合物60質量%以上、前記アルカリ金属化合物1〜3質量%、前記ゼオライト5〜37質量%及び前記炭素質材料5質量%以下からなり、より好ましくは、前記アルカリ土類金属化合物70〜87質量%、前記アルカリ金属化合物2〜3質量%、前記ゼオライト5〜10質量%及び前記炭素質材料5〜0.5質量%からなり、特に好ましくは、前記アルカリ土類金属化合物80〜87質量%、前記アルカリ金属化合物2〜3質量%、前記ゼオライト5〜7質量%及び前記炭素質材料5〜2質量%からなる。
【0015】
本発明の処理剤は、前記のアルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料の各粉末を前記の割合で混合したものでもよいが、これらの各粉末、好ましくは粒径が500μm以下の各粉末を前記の割合で配合し、水などを添加して練合せた後、造粒した粒状品が好ましい。
前記粒状品とした場合の本発明の処理剤は、粒径が好ましくは1〜5mm、より好ましくは2〜4mmであり、多孔質であるのが好ましく、またその比表面積が10〜40m2 /g、特に20〜30m2 /gであることが好ましい。
【0016】
前記の各粉末の練合せ及び造粒は、例えば、次のようにして行えばよい。
前記の各粉末を前記の割合で配合し、水を加えてヘンシェルミキサーなどにより混練し、粒状品とする。混合及び混練に使用する機械は一般的なものでよく、その際、バインダーを加えても構わない。
【0017】
本発明の処理剤により無害化される酸化性ガス及び酸性ガスとしては、例えば、ハロゲン、フッ化ハロゲン、フッ化酸素、硝酸ガス、オゾン、ハロゲン化水素、ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化珪素、ハロゲン化ホウ素、ハロゲン化タングステン、ハロゲン化レニウム、ハロゲン化ルテニウム、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化硫黄、二酸化硫黄、蟻酸ガス、酢酸ガスなどが挙げられ、本発明の処理剤は、半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出される、これらの酸化性ガス及び酸性ガスを含有する排ガスの無害化などに好適に用いることができる。
本発明の処理剤は、前記の酸化性ガス及び酸性ガスを含有する排ガスに対して、乾式法による排ガスの無害化に用いられている従来の処理剤と同様にして使用することができる。
【0018】
次に、前述の本発明の処理剤を用いた本発明の酸化性ガス及び酸性ガスの無害化方法について説明する。
本発明の無害化方法は、前記の酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスに接触させる処理剤として、前述の本発明の処理剤を用いる以外は、従来の乾式法による排ガスの無害化方法と同様に実施される。
例えば、一端にガス入口及び他端にガス出口を有する吸着筒に、本発明の処理剤を充填し、該ガス入口より酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを供給すると、該吸着筒内の本発明の処理剤に酸化性ガス及び酸性ガスが吸着され、該ガス出口より、酸化性ガス及び酸性ガスの濃度が許容濃度以下となったガスが放出される。
【0019】
本発明の処理剤の充填量、吸着筒の大きさ(容積及び断面積)、処理対象ガスの流量、処理対象ガスの酸化性ガス及び酸性ガス濃度、線速度、処理対象ガスの滞留時間、処理温度、処理圧力などの処理条件は、処理対象ガスの種類に応じて適宜決定され、通常、処理対象ガスの酸化性ガス及び酸性ガス濃度は0.1〜10.0%、好ましくは0.1〜1.0%、線速度は10m/sec以下、好ましくは1〜5m/sec、処理対象ガスの滞留時間は1〜100秒、好ましくは10〜50秒とするとよく、処理温度は常温(20〜30℃)、処理圧力は大気圧でよい。
【0020】
【実施例】
以下に本発明の実施例を比較例とともに挙げるが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。
【0021】
実施例1
下記表1に示す配合物100重量部に水100重量部を加えて練合せた後、造粒し、平均粒径が2mm、平均長が4mm及び比表面積が30m2 /gの粒状の本発明の処理剤を得た。
得られた本発明の処理剤を用い、次のようにして、下記表2に示す各種の酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを処理した。
吸着筒としては、50mmの間隔にサンプリングボード及び温度センサーを備え、上端にガス入口及び下端にガス出口を有する、寸法が55mm径×300mm高のSUS製吸着筒を用いた。該吸着筒を垂直に設置し、筒内に本発明の処理剤を充填した。酸化性ガス及び酸性ガスを窒素で希釈して0.1〜10.0%の濃度とし、大気圧下、常温(20℃)で処理を行った。このとき、線速度は10m/sec以下、ガスの滞留時間は1〜100秒の範囲となるように実施した。分析は、吸着筒のガス入口部、中間部及びガス出口部からサンプリングを行い、ガスクロマトグラフィー、FT−IR、ガス検知管、イオンクロマトグラフィー、ICPなどを使用した。処理剤の処理能力は、ガス出口部からサンプリングしたガス中の各種ガス濃度がTLV値(許容濃度)に達した時点で破過とした。尚、イオンクロマトグラフィー及びICP分析は、サンプリングガスをアルカリ水溶液に溶解した溶液について行った。
処理剤の処理能力の結果を下記表2に示す。
【0022】
比較例1〜7
下記表1に示す配合物をそれぞれ処理剤として用いた以外は、実施例1と同様にして、下記表2に示す各種の酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを処理した。各処理剤の処理能力の結果を下記表2に示す。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】
【発明の効果】
本発明の処理剤によれば、半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出される酸化性ガス及び酸性ガスを、安全に且つ高効率で無害化することができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出されるガス、具体的には、ハロゲン、フッ化ハロゲン、フッ化酸素、硝酸ガス、オゾン、ハロゲン化水素、ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化珪素、ハロゲン化ホウ素、ハロゲン化タングステン、ハロゲン化レニウム、ハロゲン化ルテニウム、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化硫黄、二酸化硫黄、蟻酸ガス及び酢酸ガスなどの酸化性ガス及び酸性ガスを含有する排ガスを、無害化するのに好適な処理剤、並びに、該処理剤を用いた該排ガスの無害化方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出される前記の酸化性ガス及び酸性ガスを含有する排ガスの無害化方法として、湿式法及び乾式法が知られている。
湿式法は、前記排ガスを苛性ソーダ水溶液や水などの処理液で処理するものである。前記排ガスを苛性ソーダ水溶液で処理する場合、ナトリウムによるウエハーの汚染などの問題があるため、水による処理(洗浄)が主として行われている。水による処理の場合、新しい水を多量に使用することにより、毒性の高い酸化性ガス及び酸性ガスを高効率で無害化できる。
しかし、排水量との絡みで、処理(洗浄)水を循環使用しているため、毒性の高いガスが十分に洗浄されずに排出されているのが現状である。
【0003】
一方、乾式法は、前記排ガスを固体処理剤に接触させて処理するものである。該処理剤としては、種々の処理剤が提案されている。例えば、硫酸カルシウム、水酸化カルシウム、活性炭、不定形炭素及びアルカリ金属化合物を含有する窒素酸化物及び硫黄酸化物の吸収剤が提案されている(特許文献1を参照)。また、酸化鉄、アルカリ土類金属化合物及び活性炭を含有する除害剤と接触させる工程と、該工程に次いでゼオライトからなる除害剤と接触させる工程と、を含むハロゲン系ガスの除害方法が提案されている(特許文献2を参照)。
しかし、これらの吸収剤や除害剤は、酸化性ガス及び酸性ガスとの接触効果を高めるため、比表面積の大きな活性炭を多量に使用している。その結果、活性炭に多量の酸化性ガス及び酸性ガスが吸着されるが、活性炭は還元力が高いため、活性炭と、処理剤に吸着された酸化性ガスとが急激に反応し、爆発などが発生する危険性がある。
【0004】
従って、本発明の目的は、酸化性ガス及び酸性ガスを、安全に且つ高効率で無害化できる処理剤並びに該処理剤を用いた無害化方法を提供することにある。
【0005】
【特許文献1】
特許第2778031号明細書
【特許文献2】
特開2001−338910号公報
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成すべく種々検討した結果、不燃性のゼオライトを配合することにより、可燃性の活性炭の配合割合を少なくしても比較的大きな比表面積を有する処理剤を得ることができ、酸化性ガス及び酸性ガスを安全に且つ高効率で無害化できることを知見した。
本発明は、前記知見に基づいてなされたもので、アルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料からなる、酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤を提供するものである。
また、本発明は、酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを、前記の本発明の処理剤と接触させることを特徴とする酸化性ガス及び酸性ガスの無害化方法を提供するものである。
【0007】
【作用】
本発明の処理剤は、活性炭の配合割合を少なくすることができるため、爆発などの発生する危険性がなく、且つ活性炭の配合割合を少なくしても比較的大きな比表面積を確保することができるため、酸化性ガス及び酸性ガスとの接触効果が高い。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤並びに該処理剤を用いた無害化方法について詳しく説明する。
【0009】
本発明で用いられるアルカリ土類金属化合物としては、例えば、カルシウム、マグネシウム、バリウム及びストロンチウムの酸化物、水酸化物及び炭酸塩などが挙げられ、これら中でも、カルシウムの酸化物及び水酸化物が特に好ましい。これらのアルカリ土類金属化合物は、単独使用又は2種以上併用することができる。
前記アルカリ土類金属化合物としては、粒径が500μm以下、特に200〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が1〜10m2 /g、特に2〜3m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0010】
また、本発明で用いられるアルカリ金属化合物としては、例えば、ナトリウム、カリウム及びセシウムの酸化物、水酸化物及び炭酸塩などが挙げられ、これら中でも、ナトリウムの酸化物及び水酸化物、カリウムの酸化物及び水酸化物が特に好ましい。これらのアルカリ金属化合物は、単独使用又は2種以上併用することができる。
前記アルカリ金属化合物としては、粒径が500μm以下、特に200〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が1〜10m2 /g、特に2〜3m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0011】
また、前記アルカリ土類金属化合物及び前記アルカリ金属化合物として、ソーダライムを用いることもできる。該ソーダライムとしては、粒径が500μm以下、特に200〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が1〜100m2 /g、特に2〜30m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0012】
また、本発明で用いられるゼオライトとしては、3オングストローム以上、特に8〜10オングストロームの細孔径を持つものが好ましい。特に構造上、X型やホージャサイト型のゼオライトが空洞容積が大きく好ましく、X型のゼオライトが特に好ましい。ホージャサイト型のゼオライトは、ゼオライトを構成している二酸化珪素の割合が比較的高く、フッ化水素と反応し、ゼオライトの構造が破壊され、フッ化水素の処理量が減少することがある。
また、前記ゼオライトとしては、粒径が500μm以下、特に100〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が100〜500m2 /g、特に200〜400m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0013】
また、本発明で用いられる炭素質材料としては、コークス及び/又は活性炭が好ましく、特に石炭の高温乾留により得られる多孔質のコークスが好ましい。
前記炭素質材料としては、粒径が500μm以下、特に200〜300μmの粉末を用いることが好ましく、またその比表面積が1000〜1500m2 /g、特に1100〜1200m2 /gのものを用いることが好ましい。
【0014】
前記のアルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料からなる本発明の処理剤は、好ましくは、前記アルカリ土類金属化合物60質量%以上、前記アルカリ金属化合物1〜3質量%、前記ゼオライト5〜37質量%及び前記炭素質材料5質量%以下からなり、より好ましくは、前記アルカリ土類金属化合物70〜87質量%、前記アルカリ金属化合物2〜3質量%、前記ゼオライト5〜10質量%及び前記炭素質材料5〜0.5質量%からなり、特に好ましくは、前記アルカリ土類金属化合物80〜87質量%、前記アルカリ金属化合物2〜3質量%、前記ゼオライト5〜7質量%及び前記炭素質材料5〜2質量%からなる。
【0015】
本発明の処理剤は、前記のアルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料の各粉末を前記の割合で混合したものでもよいが、これらの各粉末、好ましくは粒径が500μm以下の各粉末を前記の割合で配合し、水などを添加して練合せた後、造粒した粒状品が好ましい。
前記粒状品とした場合の本発明の処理剤は、粒径が好ましくは1〜5mm、より好ましくは2〜4mmであり、多孔質であるのが好ましく、またその比表面積が10〜40m2 /g、特に20〜30m2 /gであることが好ましい。
【0016】
前記の各粉末の練合せ及び造粒は、例えば、次のようにして行えばよい。
前記の各粉末を前記の割合で配合し、水を加えてヘンシェルミキサーなどにより混練し、粒状品とする。混合及び混練に使用する機械は一般的なものでよく、その際、バインダーを加えても構わない。
【0017】
本発明の処理剤により無害化される酸化性ガス及び酸性ガスとしては、例えば、ハロゲン、フッ化ハロゲン、フッ化酸素、硝酸ガス、オゾン、ハロゲン化水素、ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化珪素、ハロゲン化ホウ素、ハロゲン化タングステン、ハロゲン化レニウム、ハロゲン化ルテニウム、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化硫黄、二酸化硫黄、蟻酸ガス、酢酸ガスなどが挙げられ、本発明の処理剤は、半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出される、これらの酸化性ガス及び酸性ガスを含有する排ガスの無害化などに好適に用いることができる。
本発明の処理剤は、前記の酸化性ガス及び酸性ガスを含有する排ガスに対して、乾式法による排ガスの無害化に用いられている従来の処理剤と同様にして使用することができる。
【0018】
次に、前述の本発明の処理剤を用いた本発明の酸化性ガス及び酸性ガスの無害化方法について説明する。
本発明の無害化方法は、前記の酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスに接触させる処理剤として、前述の本発明の処理剤を用いる以外は、従来の乾式法による排ガスの無害化方法と同様に実施される。
例えば、一端にガス入口及び他端にガス出口を有する吸着筒に、本発明の処理剤を充填し、該ガス入口より酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを供給すると、該吸着筒内の本発明の処理剤に酸化性ガス及び酸性ガスが吸着され、該ガス出口より、酸化性ガス及び酸性ガスの濃度が許容濃度以下となったガスが放出される。
【0019】
本発明の処理剤の充填量、吸着筒の大きさ(容積及び断面積)、処理対象ガスの流量、処理対象ガスの酸化性ガス及び酸性ガス濃度、線速度、処理対象ガスの滞留時間、処理温度、処理圧力などの処理条件は、処理対象ガスの種類に応じて適宜決定され、通常、処理対象ガスの酸化性ガス及び酸性ガス濃度は0.1〜10.0%、好ましくは0.1〜1.0%、線速度は10m/sec以下、好ましくは1〜5m/sec、処理対象ガスの滞留時間は1〜100秒、好ましくは10〜50秒とするとよく、処理温度は常温(20〜30℃)、処理圧力は大気圧でよい。
【0020】
【実施例】
以下に本発明の実施例を比較例とともに挙げるが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。
【0021】
実施例1
下記表1に示す配合物100重量部に水100重量部を加えて練合せた後、造粒し、平均粒径が2mm、平均長が4mm及び比表面積が30m2 /gの粒状の本発明の処理剤を得た。
得られた本発明の処理剤を用い、次のようにして、下記表2に示す各種の酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを処理した。
吸着筒としては、50mmの間隔にサンプリングボード及び温度センサーを備え、上端にガス入口及び下端にガス出口を有する、寸法が55mm径×300mm高のSUS製吸着筒を用いた。該吸着筒を垂直に設置し、筒内に本発明の処理剤を充填した。酸化性ガス及び酸性ガスを窒素で希釈して0.1〜10.0%の濃度とし、大気圧下、常温(20℃)で処理を行った。このとき、線速度は10m/sec以下、ガスの滞留時間は1〜100秒の範囲となるように実施した。分析は、吸着筒のガス入口部、中間部及びガス出口部からサンプリングを行い、ガスクロマトグラフィー、FT−IR、ガス検知管、イオンクロマトグラフィー、ICPなどを使用した。処理剤の処理能力は、ガス出口部からサンプリングしたガス中の各種ガス濃度がTLV値(許容濃度)に達した時点で破過とした。尚、イオンクロマトグラフィー及びICP分析は、サンプリングガスをアルカリ水溶液に溶解した溶液について行った。
処理剤の処理能力の結果を下記表2に示す。
【0022】
比較例1〜7
下記表1に示す配合物をそれぞれ処理剤として用いた以外は、実施例1と同様にして、下記表2に示す各種の酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを処理した。各処理剤の処理能力の結果を下記表2に示す。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】
【発明の効果】
本発明の処理剤によれば、半導体・液晶製造におけるエッチング工程やCVDプロセスなどから排出される酸化性ガス及び酸性ガスを、安全に且つ高効率で無害化することができる。
Claims (10)
- アルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料からなる、酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- 前記アルカリ土類金属化合物が、カルシウム、マグネシウム、バリウム及びストロンチウムの酸化物、水酸化物及び炭酸塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1記載の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- 前記アルカリ金属化合物が、ナトリウム、カリウム及びセシウムの酸化物、水酸化物及び炭酸塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1又は2記載の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- 前記ゼオライトが、3オングストローム以上の細孔径を持つものである、請求項1〜3の何れかに記載の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- 前記炭素質材料が、コークス及び/又は活性炭である、請求項1〜4の何れかに記載の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- アルカリ土類金属化合物60質量%以上、アルカリ金属化合物1〜3質量%、ゼオライト5〜37質量%及び炭素質材料5質量%以下からなる、請求項1〜5の何れかに記載の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- 前記のアルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料が、何れも、粒径が500μm以下の粉末である、請求項1〜6の何れかに記載の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- 前記処理剤が、前記のアルカリ土類金属化合物、アルカリ金属化合物、ゼオライト及び炭素質材料の各粉末を配合し練合せた後、造粒した粒状品である、請求項1〜7の何れかに記載の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- 前記の酸化性ガス及び酸性ガスが、ハロゲン、フッ化ハロゲン、フッ化酸素、硝酸ガス、オゾン、ハロゲン化水素、ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化珪素、ハロゲン化ホウ素、ハロゲン化タングステン、ハロゲン化レニウム、ハロゲン化ルテニウム、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化硫黄、二酸化硫黄、蟻酸ガス及び酢酸ガスからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1〜8の何れかに記載の酸化性ガス及び酸性ガスの処理剤。
- 前記の酸化性ガス及び酸性ガスを含有するガスを、請求項1〜9の何れかに記載の処理剤と接触させることを特徴とする酸化性ガス及び酸性ガスの無害化方法。
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JP2010064040A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Asahi Glass Co Ltd | ハロゲン系ガスの除去剤およびハロゲン系ガスの除去方法 |
JP2011005477A (ja) * | 2009-02-09 | 2011-01-13 | Central Glass Co Ltd | フッ化ヨウ素の除害方法 |
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JP2019197076A (ja) * | 2019-08-22 | 2019-11-14 | 株式会社島津製作所 | 酸素濃度測定装置 |
-
2002
- 2002-11-29 JP JP2002348744A patent/JP2004181300A/ja active Pending
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