JP2004177838A - パターン欠陥修正装置およびパターン欠陥修正方法 - Google Patents
パターン欠陥修正装置およびパターン欠陥修正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004177838A JP2004177838A JP2002346723A JP2002346723A JP2004177838A JP 2004177838 A JP2004177838 A JP 2004177838A JP 2002346723 A JP2002346723 A JP 2002346723A JP 2002346723 A JP2002346723 A JP 2002346723A JP 2004177838 A JP2004177838 A JP 2004177838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- needle
- defect
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【課題】フォトマスク上の欠陥にパターン修正材料を適切な大きさにて付与して欠陥を修正するパターン欠陥修正装置を提供する。
【解決手段】パターン欠陥修正装置１は、サブステージ４２上にパターン修正材料を供給する材料供給部４３、針４４１を有するヘッド部４４、および、変換テーブル５２１が記憶された記憶部５２を有する制御部５を備える。パターン欠陥修正装置１では、フォトマスク９上の欠陥の大きさに基づいて変換テーブル５２１から材料付与距離が求められる。サブステージ４２上にはパターン修正材料が供給され、パターン修正材料が外気に触れる状態で一時的に保持された後、針４４１の先端にパターン修正材料が付着される。制御部５は材料付与距離に従って針４４１をフォトマスク９に対して近接させ、フォトマスク９上の欠陥に適切な大きさにてパターン修正材料が付与される。
【選択図】 図１
【解決手段】パターン欠陥修正装置１は、サブステージ４２上にパターン修正材料を供給する材料供給部４３、針４４１を有するヘッド部４４、および、変換テーブル５２１が記憶された記憶部５２を有する制御部５を備える。パターン欠陥修正装置１では、フォトマスク９上の欠陥の大きさに基づいて変換テーブル５２１から材料付与距離が求められる。サブステージ４２上にはパターン修正材料が供給され、パターン修正材料が外気に触れる状態で一時的に保持された後、針４４１の先端にパターン修正材料が付着される。制御部５は材料付与距離に従って針４４１をフォトマスク９に対して近接させ、フォトマスク９上の欠陥に適切な大きさにてパターン修正材料が付与される。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ表示装置や液晶表示装置等の平面表示装置（フラットパネルディスプレイ）あるいはＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）等の製作には、多くの工程においてフォトマスクが使用される。このフォトマスクの製作において、表面に形成されたパターン（例えば、クロムにより形成されるパターン）の一部が欠落する欠陥（いわゆる、オープン欠陥等）が生じた場合には、レーザＣＶＤやＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）を利用して欠陥を修正する手法が、従来より提案されている。
【０００３】
ところが、上記手法では大型かつ高価な装置が必要であるとともに、工程が煩雑となってしまう。そこで、特許文献１のようにパターン修正材料が貯留された容器に針部材の先端を浸漬した後、引き上げ、先端に残留させたパターン修正材料をフォトマスク上の欠陥に滴下させる手法が提案されている。滴下されたパターン修正材料は焼成され、不要部分はレーザ光が照射されることにより除去される。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−７２４５０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、針部材に残留させたパターン修正材料を滴下する手法では、フォトマスク上に滴下されるパターン修正材料の量が不必要に多くなってしまう。そのため、不要部分が大きくなってしまいレーザ光による除去に長時間を要してしまう。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、フォトマスク上の欠陥にパターン修正材料を適切な量だけ付与して、欠陥を迅速に修正することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正装置であって、フォトマスクを保持するマスク保持部と、所定の容器から供給されたパターン修正材料を外気に触れる状態で一時的に保持する材料保持部と、前記材料保持部上のパターン修正材料が先端に付着される針を有するヘッド部と、前記マスク保持部と前記ヘッド部とを相対的に移動する移動機構とを備える。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のパターン欠陥修正装置であって、前記材料保持部上のパターン修正材料に熱を付与する機構をさらに備える。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載のパターン欠陥修正装置であって、パターン修正材料が前記材料保持部上に供給されてから前記針に付着されるまでの時間を変更する制御部をさらに備える。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正装置であって、フォトマスクを保持するマスク保持部と、パターン修正材料が先端に付着される針を有するヘッド部と、前記マスク保持部に対して前記針を相対的に進退させる進退機構と、前記マスク保持部に保持されたフォトマスクと前記針の先端との間の距離と、フォトマスク上に付与されるパターン修正材料の径との関係を実質的に示すテーブルを記憶する記憶部と、フォトマスク上のパターンの欠陥の大きさに関する情報と前記テーブルとに基づいて前記進退機構を制御する制御部とを備える。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のパターン欠陥修正装置であって、前記針を用いて所定の場所に付与されたパターン修正材料の画像を取得する撮像部と、付与時の前記進退機構の状態と前記画像とに基づいて前記テーブルを更新する演算部とをさらに備える。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載のパターン欠陥修正装置であって、前記ヘッド部が、前記針を、先端形状の異なる他の針に交換する機構を有する。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正方法であって、所定の容器から供給されたパターン修正材料を材料保持部により外気に触れる状態で一時的に保持する工程と、前記材料保持部上の前記パターン修正材料を針の先端に付着させる工程と、前記針の先端をフォトマスクに近接させてパターン修正材料を前記フォトマスク上に付与する工程とを有する。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正方法であって、パターン修正材料を針の先端に付着させる工程と、フォトマスク上のパターンの欠陥の大きさに関する情報に基づいて前記フォトマスクにパターン修正材料を付与する際の前記フォトマスクと前記針の先端との間の距離を求める工程と、前記距離に従って前記針を前記フォトマスクに対して相対的に進退させる工程とを有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１の概略構成を示す図である。パターン欠陥修正装置１では、フォトマスク９上のパターンのオープンやくびれ等の欠陥にパターン修正材料（フォトマスク９との密着性がよく、遮光性が高いものであり、例えば、金ペーストや銀ペースト等の超微粒子金属を溶剤を含む液中に分散させた有機金属溶液）が付与され、パターンの欠陥が修正される。
【００１６】
パターン欠陥修正装置１は、基台１１上にステージ移動機構２が設けられ、ステージ移動機構２によりフォトマスク９を保持するステージ３が図１中に示すＸ，Ｙ方向に移動可能とされる。基台１１にはステージ３を跨ぐようにしてフレーム１２が固定され、フレーム１２にはヘッドユニット４が取り付けられる。
【００１７】
ステージ移動機構２はステージ３を図１中のＸ方向に移動するＸ方向移動機構２１、および、Ｙ方向に移動するＹ方向移動機構２２を有する。Ｘ方向移動機構２１はモータ２１１にボールねじ（図示省略）が接続され、モータ２１１が回転することにより、Ｙ方向移動機構２２がガイドレール２１２に沿って図１中のＸ方向に移動する。Ｙ方向移動機構２２もＸ方向移動機構２１と同様の構成となっており、モータ２２１が回転するとボールねじ（図示省略）によりステージ３がガイドレール２２２に沿ってＹ方向に移動する。
【００１８】
ステージ３上には、後述するキャリブレーションに利用されるキャリブレーション用ステージ３１および撮像部３２が設けられ、撮像部３２によりキャリブレーション用ステージ３１の表面近傍の状態を示す画像が取得される。キャリブレーション用ステージ３１はフォトマスク９を形成する材料（または、パターン修正材料に対するぬれ性がフォトマスク９を形成する材料と近似する材料）により形成され、フォトマスク９と同一の厚みとされる。また、ステージ３は、後述する針の洗浄に利用される洗浄部３３を有し、洗浄部３３はアルコール等の有機溶剤が満たされた容器３３１、および、回転する一対のローラで針を挟んで有機溶剤を拭き取る拭取部３３２を有する。
【００１９】
ヘッドユニット４は、フレーム１２に固定された支持板４１１、および、補助支持板４１２を有し、補助支持板４１２は支持板４１１とステージ３との間に設けられる。補助支持板４１２上にはサブステージ４２を図１中のＸ方向に移動するサブステージ移動機構４２１が設けられる。
【００２０】
また、ヘッドユニット４は、サブステージ４２上にパターン修正材料を供給する材料供給部４３、フォトマスク９上にパターン修正材料を付与するヘッド部４４、フォトマスク９上のパターン修正材料を焼成する焼成レーザ部４５、および、フォトマスク９上の不要なパターン修正材料を除去する除去レーザ部４６を有し、これらの構成は支持板４１１の下面に固定される。
【００２１】
材料供給部４３は、パターン修正材料を貯留するタンク４３１、および、タンク４３１に接続されたマイクロピペット４３２を有し、マイクロピペット４３２によりタンク４３１内のパターン修正材料が一定量だけサブステージ４２上に吐出される。なお、サブステージ４２近傍にパターン修正材料を貯留する容器を配置し、マイクロピペット４３２が容器からパターン修正材料を吸引してサブステージ４２上に吐出するようにしてもよい。
【００２２】
ヘッド部４４は、針４４１、針４４１を着脱可能に支持する針支持部４４２、および、マイクロメータを有するヘッド部昇降機構４４３を有し、ヘッド部昇降機構４４３により針支持部４４２が図１中のＺ方向に昇降して、針４４１がステージ３に対して進退可能とされる。また、支持板４１１の下面にはヘッド部移動機構４４４が設けられ、ヘッド部移動機構４４４によりヘッド部昇降機構４４３がＸ方向に移動する。
【００２３】
除去レーザ部４６は、赤外波長域のレーザ光を出射する半導体レーザ４６１、および、半導体レーザ４６１からのレーザ光をステージ３上へと導く光学系４６２を有する。また、除去レーザ部４６にはステージ３上の画像を取得する撮像部４７が設けられ、光学系４６２によりフォトマスク９上の像が撮像部４７に結像される。焼成レーザ部４５は除去レーザ部４６とヘッド部４４との間に設けられ、ステージ３に向けて焼成用のレーザ光を出射する。
【００２４】
パターン欠陥修正装置１は、ステージ移動機構２、撮像部３２、洗浄部３３およびヘッドユニット４に接続された制御部５をさらに有し、制御部５は、各種演算を行う演算部５１、および、各種情報を記憶する記憶部５２を有する。記憶部５２には、後述する変換テーブル５２１が予め記憶されている。パターン欠陥修正装置１では、制御部５が各構成を制御することによりフォトマスク９上のパターンの欠陥が修正される。
【００２５】
パターン欠陥修正装置１では、フォトマスク９上の欠陥を修正する処理の前に、欠陥修正処理を精度よく行うためにキャリブレーションが行われる。以下、最初に欠陥修正処理について説明を行い、その後にキャリブレーションについて説明する。
【００２６】
図２は、パターン欠陥修正装置１がフォトマスク９上の欠陥を修正する処理の流れを示す図である。パターン欠陥修正装置１では、まず、フォトマスク９がステージ３に載置されるとともに、フォトマスク９に関する欠陥情報が制御部５に入力され、準備される（ステップＳ１１）。制御部５では、欠陥情報が記憶部５２にて記憶され、修正対象の欠陥（以下、「対象欠陥」という。）が特定される（ステップＳ１２）。
【００２７】
ここで、欠陥情報とは、フォトマスク９上に存在する欠陥に関する大きさやフォトマスク９上での位置等の情報であり、他のパターン検査装置等により取得され、パターン欠陥修正装置１へと入力される。制御部５は欠陥情報に基づいて、後述する材料付与時にパターン修正材料が付与される位置（以下、「材料付与位置」という。）に対象欠陥が位置するようにステージ３を移動する。
【００２８】
図３はフォトマスク９上の一部のパターン９２を例示する図である。図３に示すように、フォトマスク９上のパターン９２には一部が欠落した欠陥９３が生じており、欠陥９３が対象欠陥として特定されたものとすると、対象欠陥９３が材料付与位置に位置するように欠陥情報に基づいてフォトマスク９が移動する。このとき、撮像部４７によりフォトマスク９上のパターンの画像が取得され、取得された画像に基づいて対象欠陥９３が材料付与位置に精度よく移動してもよい。
【００２９】
続いて、制御部５では対象欠陥９３の大きさが欠陥情報から読み出され、材料付与時の針４４１とフォトマスク９との間の距離（以下、「材料付与距離」という。）が、対象欠陥９３の大きさに基づいて変換テーブル５２１を参照して求められる（ステップＳ１３）。
【００３０】
材料付与距離が求められると、制御部５の制御によりサブステージ４２が材料供給部４３に対向する位置へと移動し、図４に示すように、マイクロピペット４３２からパターン修正材料９１が０．５マイクロリットルだけサブステージ４２（平行斜線を付して図示）上に吐出される（ステップＳ１４）。吐出されたパターン修正材料９１はサブステージ４２上にて一定時間（例えば、１分間）保持される（ステップＳ１５）。この間、パターン修正材料９１は自然乾燥し（すなわち、風乾し）、粘度が高い状態となる。
【００３１】
続いて、サブステージ４２がヘッド部４４側（図１中の（＋Ｘ）方向）へと移動するとともに、針４４１がサブステージ４２より上方に待避した状態で、ヘッド部昇降機構４４３がヘッド部移動機構４４４により材料供給部４３側（（−Ｘ）方向）へと移動する。そして、ヘッド部昇降機構４４３により針４４１が下降し、サブステージ４２上のパターン修正材料９１が針４４１の先端に付着される（ステップＳ１６）。
【００３２】
図５および図６は、パターン修正材料９１を針４４１の先端に付着させる様子を説明するための図である。図５に示すように、針４４１の先端をサブステージ４２の表面に近接させ、その後、針４４１を上昇させることにより、図６に示すように、針４４１の先端にパターン修正材料９１が付着される。その際、サブステージ４２上のパターン修正材料９１は再現性のある一定の状態とされるとともに（すなわち、一定量のパターン修正材料９１が一定の粘度で一定の形状とされた状態）、針４４１の先端がサブステージ４２の表面に対して一定距離（例えば、１０マイクロメートル）まで近接する。これにより、針４４１の先端に一定量のパターン修正材料９１が確実に付着される。
【００３３】
針４４１にパターン修正材料９１が付着されると、針４４１を待避させた状態でヘッド部昇降機構４４３が焼成レーザ部４５側（（＋Ｘ）方向）へと移動し、前述の材料付与位置の上方で停止する。その後、図７に示すように、針４４１の先端がヘッド部昇降機構４４３によりフォトマスク９（平行斜線を付して図示）上の対象欠陥９３に近接する。なお、パターン修正材料９１を針４４１の先端に付着させてからフォトマスク９上に付与するまでの時間はおよそ一定とされる。
【００３４】
図８は、針４４１がフォトマスク９の表面に対して近接した状態を示す図であり、図８ではパターン９２およびパターン修正材料９１の図示を省略している。制御部５はヘッド部昇降機構４４３を制御して、図８に示すように、針４４１の先端とフォトマスク９の表面との間の距離が材料付与距離Ｌとなるまで針４４１を下降させ、その後、針４４１を上昇させる。これにより、図９および図１０に示すように、フォトマスク９上にパターン修正材料９１が付与される（ステップＳ１７）。付与されたパターン修正材料９１は略円形となる（直径Ｄとして図１０中に図示）。なお、針４４１の先端はフォトマスク９とは接触しないため、フォトマスク９および針４４１の先端が損傷することが防止される。
【００３５】
ここで、変換テーブル５２１と材料付与距離Ｌとの関係について説明を行う。まず、変換テーブル５２１は、フォトマスク９上に付与されるパターン修正材料の直径Ｄと（すなわち、付与されたパターン修正材料がフォトマスク９と接触する円形領域の直径Ｄ）、材料付与時におけるステージ３に保持されたフォトマスク９の表面と針４４１の先端との間の距離Ｌ（すなわち、材料付与距離Ｌ）との関係を示すテーブルとなっている。図１１は、変換テーブル５２１をグラフ化して連続的に示したものであり、縦軸はフォトマスク９に付与されるパターン修正材料の直径Ｄを示し、横軸は材料付与距離Ｌを示す。ステップＳ１３では、制御部５により、対象欠陥９３の大きさに対して必要最小限の大きさとなるパターン修正材料の直径Ｄが特定され、対応する材料付与距離Ｌが変換テーブル５２１を参照して求められる。なお、付与されるパターン修正材料の最小直径Ｄ１として、２０マイクロメートルが実現可能であることが確認されている。
【００３６】
パターン修正材料９１がフォトマスク９上に付与されると、制御部５はステージ移動機構２を制御し、付与されたパターン修正材料９１が焼成レーザ部４５の下方に位置するようにフォトマスク９を移動する。焼成レーザ部４５からは、焼成用のレーザ光がフォトマスク９上に照射され、パターン修正材料９１が焼成される（ステップＳ１８）。このとき、レーザ光の出力と照射時間とが適切に制御されることにより、パターン修正材料９１がフォトマスク９との密着性に優れた遮光膜とされる。
【００３７】
フォトマスク９は除去レーザ部４６の下方へとさらに移動し、除去レーザ部４６から除去用のレーザ光がフォトマスク９上に照射され、フォトマスク９上の不要なパターン修正材料９１が除去される（ステップＳ１９）。具体的には、図１２において符号９１ａを付して示す部分が、所定のパターンに対して不要な部分として除去される。
【００３８】
制御部５は針４４１を待避させた状態でステージ移動機構２を制御し、洗浄部３３を材料付与位置に位置させる。針４４１はヘッド部昇降機構４４３により下降し、先端が洗浄部３３の容器３３１内へと移動する。そして、針４４１の先端が容器３３１から出されて拭取部３３２へと移動し、先端に付着した溶剤が拭き取られる（ステップＳ２０）。なお、針４４１の洗浄は、例えば、操作者が針４４１の先端をアルコール等の溶剤を浸したガーゼ等で拭き取ることにより行われてもよい。
【００３９】
続いて、パターン欠陥修正装置１ではフォトマスク９上の次の欠陥に対してステップＳ１２〜Ｓ２０が繰り返される（ステップＳ２１）。以上のようにして、パターン欠陥修正装置１では、フォトマスク９上にパターン修正材料９１が欠陥の大きさに合わせて適切に付与され、効率よく欠陥が修正される。なお、次の欠陥が処理される際には、サブステージ４２上において、直前にパターン修正材料９１が吐出された位置とは異なる位置にパターン修正材料９１が吐出される。また、ステップＳ１７〜Ｓ２０に並行して次のステップＳ１２〜Ｓ１５の一部が行われてもよい。
【００４０】
次に、キャリブレーションについて説明を行う。パターン欠陥修正装置１におけるキャリブレーションでは、針４４１の先端の位置の検出、および、変換テーブル５２１の更新が行われる。
【００４１】
まず、ステージ３上のキャリブレーション用ステージ３１を材料付与位置へと移動し、針４４１の先端をキャリブレーション用ステージ３１の表面に近接させる。撮像部３２では、針４４１の先端とキャリブレーション用ステージ３１の表面とを示す画像が取得され、画像データが演算部５１へと出力される。演算部５１において、画像データから針４４１の先端とキャリブレーション用ステージ３１の表面との間の実際の距離が算出され、キャリブレーション用ステージ３１に対する針４４１の先端の正確な位置が検出される。そして、針４４１の先端の位置がヘッド部昇降機構４４３の昇降量に対応づけられる。
【００４２】
針４４１の位置が検出されると、欠陥修正処理のステップＳ１４〜Ｓ１６と同様に針４４１の先端にパターン修正材料が付着される。ヘッド部昇降機構４４３は焼成レーザ部４５側へと移動し、針４４１を所定の材料付与距離まで下降させてパターン修正材料をキャリブレーション用ステージ３１上に付与する。続いて、キャリブレーション用ステージ３１が除去レーザ部４６の下方へと移動し、付与されたパターン修正材料の画像が撮像部４７により取得される。パターン修正材料の画像データは演算部５１へと出力され、パターン修正材料の直径が算出される。そして、演算部５１において、付与時のヘッド部昇降機構４４３の状態（すなわち、材料付与距離）と算出されたパターン修正材料の直径とに基づいて変換テーブル５２１が必要に応じて更新される。パターン欠陥修正装置１ではパターン修正材料や針４４１の交換時にキャリブレーションが行われ、欠陥の修正が常に精度よく行われる。
【００４３】
以上のように、パターン欠陥修正装置１では、パターン修正材料がサブステージ４２上にて外気に触れる状態で一時的に保持されて一定の粘度となった後、針４４１の先端に付着される。これにより、パターン修正材料を針４４１の先端に容易に付着させることができる。また、制御部５が変換テーブル５２１と欠陥の大きさに関する情報とに基づいてヘッド部昇降機構４４３を制御することにより、フォトマスク９上にパターン修正材料を適切な大きさにて（または、適切な量だけ（以下同様））付与することができる。これにより、付与されたパターン修正材料の除去レーザ部４６による除去部分が必要以上に増大することが防止される。その結果、パターン欠陥修正装置１では、欠陥修正処理を簡便かつ迅速に行うことができ、高スループット化を図ることができる。
【００４４】
なお、キャリブレーションは、必ずしも欠陥修正処理の直前に行われる必要はなく、必要に応じて随時行われてもよい。さらに、針４４１の先端の位置の検出は他の手法により行われてもよく、例えば、針４４１に対して固定されるとともにフォトマスク９の表面に対して傾斜してレーザ光を出射するレーザ、および、フォトマスク９の表面からのレーザ光の反射光を受光する受光部が設けられ、受光部が反射光を受光する位置により針４４１に対するフォトマスク９の表面の位置が検出されてもよい。
【００４５】
また、パターン欠陥修正装置１では、制御部５がサブステージ４２上に供給されたパターン修正材料の風乾時間を変更することにより、針４４１に付着するパターン修正材料の量を変更することも可能である。すなわち、図２の欠陥修正処理の流れにおいて、制御部５がステップＳ１５におけるパターン修正材料を保持する時間を対象欠陥の大きさに基づいて変更することで、パターン修正材料の粘度が調整され、針４４１に付着するパターン修正材料の量が調整される。この場合、材料付与距離が一定であっても、パターン修正材料をフォトマスク９上に適切な大きさにて付与することができる。
【００４６】
なお、針４４１に付着されるパターン修正材料の量は、材料供給部４３からサブステージ４２上に吐出されるパターン修正材料の量を変更したり、針４４１にパターン修正材料を付着させる際の針４４１の先端とサブステージ４２の表面との間の距離を変更することにより、調整することも可能である。
【００４７】
図１３は本発明の第２の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１ａを示す図であり、材料供給部４３ａ近傍のみを示している。材料供給部４３ａは、サブステージ４２に向けて温風を供給する熱付与部４３３を有する。他の構成は、図１に示すパターン欠陥修正装置１と同様であり同符号を付している。
【００４８】
パターン欠陥修正装置１ａでは、図２の欠陥修正処理の流れにおいて、ステップＳ１５のみが第１の実施の形態と異なる。すなわち、パターン修正材料がサブステージ４２上に吐出されると（ステップＳ１４）、サブステージ４２が熱付与部４３３の下方へと移動する。熱付与部４３３によりパターン修正材料に向かって温風が浴びせられ（ステップＳ１５）、パターン修正材料がある程度乾燥して粘度が高い状態とされる。そして、ステップＳ１６においてパターン修正材料が針４４１の先端に付着され（ステップＳ１６）、ステップＳ１７〜ステップＳ２０が第１の実施の形態と同様に行われることにより、フォトマスク９上にパターン修正材料が適切な大きさにて付与され、欠陥を修正することができる。
【００４９】
以上のように、第２の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１ａでは、サブステージ４２上のパターン修正材料の粘度が短時間で高められ、パターン修正材料を容易に針４４１の先端に付着させることができる。その結果、フォトマスク９上の欠陥の修正を適切かつ迅速に行うことができる。なお、パターン修正材料に熱を付与する手法としては、必ずしも温風を供給する必要はなく、例えば、サブステージ４２にヒータが設けられ、サブステージ４２上のパターン修正材料に熱が付与されてもよい。
【００５０】
図１４は本発明の第３の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１ｂを示す図であり、ヘッド部４４ａ近傍のみを示している。ヘッド部４４ａは、先端形状（例えば、先端の曲率半径）がそれぞれ異なる複数の針４４１を支持するレボルバ４４５を有し、レボルバ４４５は回転駆動部４４６により支持される。回転駆動部４４６は、ヘッド部昇降機構４４３により支持される。他の構成は、図１または図１３に示すパターン欠陥修正装置１，１ａと同様であり同符号を付している。
【００５１】
パターン欠陥修正装置１ｂのヘッド部４４ａでは、複数の針４４１のうち１つの針が選択され（図１４中の符号４４１ａを付す針が選択されたものであり、以下、「対象針」という。）、レボルバ４４５によりＺ方向を向くようにして支持される。ヘッド部４４ａでは、回転駆動部４４６がレボルバ４４５を所定の回転角だけ回動することにより、他の針４４１がＺ方向を向く状態（すなわち、対象針４４１ａ）とされる。
【００５２】
パターン欠陥修正装置１ｂでは、図２の欠陥修正処理の流れにおいて、ステップＳ１３のみが第１の実施の形態と異なる。すなわち、対象欠陥が特定されると（ステップＳ１２）、対象欠陥の大きさが欠陥情報から読み出される。そして、対象欠陥の大きさに基づいて複数の針４４１から１つの針が選択され、対象針４４１ａとしてレボルバ４４５によりＺ方向を向く状態に支持される。また、対象針４４１ａに対応する変換テーブルと対象欠陥の大きさとから材料付与距離が取得される（ステップＳ１３）。パターン欠陥修正装置１ｂでは、対象針４４１ａにより第１の実施の形態と同様にフォトマスク９上の対象欠陥に対してパターン修正材料が適切な大きさにて付与され、欠陥修正処理が行われる。
【００５３】
以上のように、第３の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１ｂでは、レボルバ４４５および回転駆動部４４６によりフォトマスク９上の対象欠陥の大きさに従って、先端形状の異なる複数の針４４１から適切な針が選択される。その結果、対象欠陥の大きさに適した大きさにてパターン修正材料がフォトマスク９上に付与され、欠陥を適切に修正することができる。
【００５４】
なお、針４４１を先端形状の異なる他の針に交換する機構は、必ずしもレボルバ４４５および回転駆動部４４６により構成される機構である必要はなく、例えば、針支持部に支持された針を着脱して他の針に交換する機構が設けられてもよい。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態について説明を行ってきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００５６】
サブステージ４２上のパターン修正材料は、必ずしも材料供給部４３から吐出される必要はなく、例えば、操作者により供給されてもよい。すなわち、所定の容器に貯留されたパターン修正材料がサブステージ４２上に供給され、外気に触れる状態で一時的に保持されるのであれば、いかなる態様にて供給されてもよい。
【００５７】
また、材料供給部４３からサブステージ４２上に吐出されるパターン修正材料９１の量は、必ずしも０．５マイクロリットルである必要はなく、一定量であればよい。なお、実験においては１．０マイクロリットルまでは欠陥の修正が適切に行われることが確認されている。
【００５８】
上記実施の形態では、サブステージ４２の平らな表面上に材料供給部よりパターン修正材料が吐出されるが、例えば、サブステージ上に凹部が形成され、凹部にパターン修正材料が供給されて保持されてもよい。また、サブステージは必ずしもヘッドユニット４に設けられる必要はない。
【００５９】
変換テーブルは、例えば、欠陥の面積と材料付与距離との関係を示すテーブルであってもよく、材料付与距離とフォトマスク９上に付与されるパターン修正材料の径との関係を実質的に示すテーブルであればいかなるものであってもよい。
【００６０】
上記実施の形態では、フォトマスク９に関する欠陥情報は他のパターン検査装置等により取得され入力されるが、欠陥情報はパターン欠陥修正装置の撮像部４７により取得されてもよく、また、作業者により入力されてもよい。
【００６１】
フォトマスク９は必ずしもステージ３に載置される必要はなく、例えば、複数のピンの先端によりフォトマスク９が保持されてもよい。
【００６２】
キャリブレーション用ステージ３１は必ずしもフォトマスク９と同一の材料により形成される必要はなく、また、フォトマスク９と同一の厚みである必要もない。
【００６３】
キャリブレーション用ステージ３１は必ずしも設けられる必要はなく、例えば、ステージ３上にキャリブレーション用フォトマスクが載置され、キャリブレーション用フォトマスク上にてキャリブレーションが行われてもよい。
【００６４】
ヘッドユニット４とステージ３とは相対的に移動すればよく、例えば、ステージ３が固定され、ヘッドユニット４に移動機構が設けられてもよい。
【００６５】
また、針４４１とステージ３とは相対的に進退すればよく、例えば、ステージ３に昇降機構が設けられ、ステージ３が針４４１に対して昇降してもよい。
【００６６】
図２に示す欠陥修正処理の流れは、可能な範囲内で適宜変更されてもよい。例えば、パターン修正材料を針４４１の先端に付着させるステップＳ１６の後に、ステップＳ１３の材料付与距離を求める処理が行われてもよい。
【００６７】
さらに、複数のヘッド部４４を設け、パターン修正材料の付与が複数の欠陥に対してほぼ並行して行われてもよい。
【００６８】
【発明の効果】
請求項１ないし３の発明では、針の先端にパターン修正材料を容易に付着させることができる。
【００６９】
また、請求項２の発明では、パターン修正材料の粘度を短時間で高めることができる。
【００７０】
また、請求項３の発明では、パターン修正材料の粘度を調整することができる。
【００７１】
また、請求項４ないし６の発明では、パターン修正材料をフォトマスク上に適切な大きさにて（または、適切な量だけ）付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】パターン欠陥修正装置の概略構成を示す図である。
【図２】欠陥を修正する処理の流れを示す図である。
【図３】フォトマスク上のパターンを示す図である。
【図４】サブステージ上にパターン修正材料を吐出する様子を示す図である。
【図５】パターン修正材料を針の先端に付着させる様子を説明するための図である。
【図６】パターン修正材料を針の先端に付着させる様子を説明するための図である。
【図７】パターン修正材料をフォトマスク上に付与する様子を説明するための図である。
【図８】
針がフォトマスクの表面に近接した状態を示す図である。
【図９】パターン修正材料をフォトマスク上に付与する様子を説明するための図である。
【図１０】パターン修正材料が付与されたパターンを示す図である。
【図１１】パターン修正材料の直径と材料付与距離との関係を示す図である。
【図１２】パターン修正材料の不要部分が除去されたパターンを示す図である。
【図１３】第２の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置を示す図である。
【図１４】第３の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置を示す図である。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ パターン欠陥修正装置
２ ステージ移動機構
３ ステージ
５ 制御部
９ フォトマスク
３１ キャリブレーション用ステージ
４２ サブステージ
４４，４４ａ ヘッド部
４７ 撮像部
５１ 演算部
５２ 記憶部
９１ パターン修正材料
９２ パターン
９３ 欠陥
４３１ タンク
４３３ 熱付与部
４４１，４４１ａ 針
４４３ ヘッド部昇降機構
４４５ レボルバ
４４６ 回転駆動部
５２１ 変換テーブル
Ｄ 直径
Ｌ 材料付与距離
Ｓ１１〜Ｓ２１ ステップ
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ表示装置や液晶表示装置等の平面表示装置（フラットパネルディスプレイ）あるいはＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）等の製作には、多くの工程においてフォトマスクが使用される。このフォトマスクの製作において、表面に形成されたパターン（例えば、クロムにより形成されるパターン）の一部が欠落する欠陥（いわゆる、オープン欠陥等）が生じた場合には、レーザＣＶＤやＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）を利用して欠陥を修正する手法が、従来より提案されている。
【０００３】
ところが、上記手法では大型かつ高価な装置が必要であるとともに、工程が煩雑となってしまう。そこで、特許文献１のようにパターン修正材料が貯留された容器に針部材の先端を浸漬した後、引き上げ、先端に残留させたパターン修正材料をフォトマスク上の欠陥に滴下させる手法が提案されている。滴下されたパターン修正材料は焼成され、不要部分はレーザ光が照射されることにより除去される。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−７２４５０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、針部材に残留させたパターン修正材料を滴下する手法では、フォトマスク上に滴下されるパターン修正材料の量が不必要に多くなってしまう。そのため、不要部分が大きくなってしまいレーザ光による除去に長時間を要してしまう。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、フォトマスク上の欠陥にパターン修正材料を適切な量だけ付与して、欠陥を迅速に修正することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正装置であって、フォトマスクを保持するマスク保持部と、所定の容器から供給されたパターン修正材料を外気に触れる状態で一時的に保持する材料保持部と、前記材料保持部上のパターン修正材料が先端に付着される針を有するヘッド部と、前記マスク保持部と前記ヘッド部とを相対的に移動する移動機構とを備える。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のパターン欠陥修正装置であって、前記材料保持部上のパターン修正材料に熱を付与する機構をさらに備える。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載のパターン欠陥修正装置であって、パターン修正材料が前記材料保持部上に供給されてから前記針に付着されるまでの時間を変更する制御部をさらに備える。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正装置であって、フォトマスクを保持するマスク保持部と、パターン修正材料が先端に付着される針を有するヘッド部と、前記マスク保持部に対して前記針を相対的に進退させる進退機構と、前記マスク保持部に保持されたフォトマスクと前記針の先端との間の距離と、フォトマスク上に付与されるパターン修正材料の径との関係を実質的に示すテーブルを記憶する記憶部と、フォトマスク上のパターンの欠陥の大きさに関する情報と前記テーブルとに基づいて前記進退機構を制御する制御部とを備える。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のパターン欠陥修正装置であって、前記針を用いて所定の場所に付与されたパターン修正材料の画像を取得する撮像部と、付与時の前記進退機構の状態と前記画像とに基づいて前記テーブルを更新する演算部とをさらに備える。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載のパターン欠陥修正装置であって、前記ヘッド部が、前記針を、先端形状の異なる他の針に交換する機構を有する。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正方法であって、所定の容器から供給されたパターン修正材料を材料保持部により外気に触れる状態で一時的に保持する工程と、前記材料保持部上の前記パターン修正材料を針の先端に付着させる工程と、前記針の先端をフォトマスクに近接させてパターン修正材料を前記フォトマスク上に付与する工程とを有する。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正方法であって、パターン修正材料を針の先端に付着させる工程と、フォトマスク上のパターンの欠陥の大きさに関する情報に基づいて前記フォトマスクにパターン修正材料を付与する際の前記フォトマスクと前記針の先端との間の距離を求める工程と、前記距離に従って前記針を前記フォトマスクに対して相対的に進退させる工程とを有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１の概略構成を示す図である。パターン欠陥修正装置１では、フォトマスク９上のパターンのオープンやくびれ等の欠陥にパターン修正材料（フォトマスク９との密着性がよく、遮光性が高いものであり、例えば、金ペーストや銀ペースト等の超微粒子金属を溶剤を含む液中に分散させた有機金属溶液）が付与され、パターンの欠陥が修正される。
【００１６】
パターン欠陥修正装置１は、基台１１上にステージ移動機構２が設けられ、ステージ移動機構２によりフォトマスク９を保持するステージ３が図１中に示すＸ，Ｙ方向に移動可能とされる。基台１１にはステージ３を跨ぐようにしてフレーム１２が固定され、フレーム１２にはヘッドユニット４が取り付けられる。
【００１７】
ステージ移動機構２はステージ３を図１中のＸ方向に移動するＸ方向移動機構２１、および、Ｙ方向に移動するＹ方向移動機構２２を有する。Ｘ方向移動機構２１はモータ２１１にボールねじ（図示省略）が接続され、モータ２１１が回転することにより、Ｙ方向移動機構２２がガイドレール２１２に沿って図１中のＸ方向に移動する。Ｙ方向移動機構２２もＸ方向移動機構２１と同様の構成となっており、モータ２２１が回転するとボールねじ（図示省略）によりステージ３がガイドレール２２２に沿ってＹ方向に移動する。
【００１８】
ステージ３上には、後述するキャリブレーションに利用されるキャリブレーション用ステージ３１および撮像部３２が設けられ、撮像部３２によりキャリブレーション用ステージ３１の表面近傍の状態を示す画像が取得される。キャリブレーション用ステージ３１はフォトマスク９を形成する材料（または、パターン修正材料に対するぬれ性がフォトマスク９を形成する材料と近似する材料）により形成され、フォトマスク９と同一の厚みとされる。また、ステージ３は、後述する針の洗浄に利用される洗浄部３３を有し、洗浄部３３はアルコール等の有機溶剤が満たされた容器３３１、および、回転する一対のローラで針を挟んで有機溶剤を拭き取る拭取部３３２を有する。
【００１９】
ヘッドユニット４は、フレーム１２に固定された支持板４１１、および、補助支持板４１２を有し、補助支持板４１２は支持板４１１とステージ３との間に設けられる。補助支持板４１２上にはサブステージ４２を図１中のＸ方向に移動するサブステージ移動機構４２１が設けられる。
【００２０】
また、ヘッドユニット４は、サブステージ４２上にパターン修正材料を供給する材料供給部４３、フォトマスク９上にパターン修正材料を付与するヘッド部４４、フォトマスク９上のパターン修正材料を焼成する焼成レーザ部４５、および、フォトマスク９上の不要なパターン修正材料を除去する除去レーザ部４６を有し、これらの構成は支持板４１１の下面に固定される。
【００２１】
材料供給部４３は、パターン修正材料を貯留するタンク４３１、および、タンク４３１に接続されたマイクロピペット４３２を有し、マイクロピペット４３２によりタンク４３１内のパターン修正材料が一定量だけサブステージ４２上に吐出される。なお、サブステージ４２近傍にパターン修正材料を貯留する容器を配置し、マイクロピペット４３２が容器からパターン修正材料を吸引してサブステージ４２上に吐出するようにしてもよい。
【００２２】
ヘッド部４４は、針４４１、針４４１を着脱可能に支持する針支持部４４２、および、マイクロメータを有するヘッド部昇降機構４４３を有し、ヘッド部昇降機構４４３により針支持部４４２が図１中のＺ方向に昇降して、針４４１がステージ３に対して進退可能とされる。また、支持板４１１の下面にはヘッド部移動機構４４４が設けられ、ヘッド部移動機構４４４によりヘッド部昇降機構４４３がＸ方向に移動する。
【００２３】
除去レーザ部４６は、赤外波長域のレーザ光を出射する半導体レーザ４６１、および、半導体レーザ４６１からのレーザ光をステージ３上へと導く光学系４６２を有する。また、除去レーザ部４６にはステージ３上の画像を取得する撮像部４７が設けられ、光学系４６２によりフォトマスク９上の像が撮像部４７に結像される。焼成レーザ部４５は除去レーザ部４６とヘッド部４４との間に設けられ、ステージ３に向けて焼成用のレーザ光を出射する。
【００２４】
パターン欠陥修正装置１は、ステージ移動機構２、撮像部３２、洗浄部３３およびヘッドユニット４に接続された制御部５をさらに有し、制御部５は、各種演算を行う演算部５１、および、各種情報を記憶する記憶部５２を有する。記憶部５２には、後述する変換テーブル５２１が予め記憶されている。パターン欠陥修正装置１では、制御部５が各構成を制御することによりフォトマスク９上のパターンの欠陥が修正される。
【００２５】
パターン欠陥修正装置１では、フォトマスク９上の欠陥を修正する処理の前に、欠陥修正処理を精度よく行うためにキャリブレーションが行われる。以下、最初に欠陥修正処理について説明を行い、その後にキャリブレーションについて説明する。
【００２６】
図２は、パターン欠陥修正装置１がフォトマスク９上の欠陥を修正する処理の流れを示す図である。パターン欠陥修正装置１では、まず、フォトマスク９がステージ３に載置されるとともに、フォトマスク９に関する欠陥情報が制御部５に入力され、準備される（ステップＳ１１）。制御部５では、欠陥情報が記憶部５２にて記憶され、修正対象の欠陥（以下、「対象欠陥」という。）が特定される（ステップＳ１２）。
【００２７】
ここで、欠陥情報とは、フォトマスク９上に存在する欠陥に関する大きさやフォトマスク９上での位置等の情報であり、他のパターン検査装置等により取得され、パターン欠陥修正装置１へと入力される。制御部５は欠陥情報に基づいて、後述する材料付与時にパターン修正材料が付与される位置（以下、「材料付与位置」という。）に対象欠陥が位置するようにステージ３を移動する。
【００２８】
図３はフォトマスク９上の一部のパターン９２を例示する図である。図３に示すように、フォトマスク９上のパターン９２には一部が欠落した欠陥９３が生じており、欠陥９３が対象欠陥として特定されたものとすると、対象欠陥９３が材料付与位置に位置するように欠陥情報に基づいてフォトマスク９が移動する。このとき、撮像部４７によりフォトマスク９上のパターンの画像が取得され、取得された画像に基づいて対象欠陥９３が材料付与位置に精度よく移動してもよい。
【００２９】
続いて、制御部５では対象欠陥９３の大きさが欠陥情報から読み出され、材料付与時の針４４１とフォトマスク９との間の距離（以下、「材料付与距離」という。）が、対象欠陥９３の大きさに基づいて変換テーブル５２１を参照して求められる（ステップＳ１３）。
【００３０】
材料付与距離が求められると、制御部５の制御によりサブステージ４２が材料供給部４３に対向する位置へと移動し、図４に示すように、マイクロピペット４３２からパターン修正材料９１が０．５マイクロリットルだけサブステージ４２（平行斜線を付して図示）上に吐出される（ステップＳ１４）。吐出されたパターン修正材料９１はサブステージ４２上にて一定時間（例えば、１分間）保持される（ステップＳ１５）。この間、パターン修正材料９１は自然乾燥し（すなわち、風乾し）、粘度が高い状態となる。
【００３１】
続いて、サブステージ４２がヘッド部４４側（図１中の（＋Ｘ）方向）へと移動するとともに、針４４１がサブステージ４２より上方に待避した状態で、ヘッド部昇降機構４４３がヘッド部移動機構４４４により材料供給部４３側（（−Ｘ）方向）へと移動する。そして、ヘッド部昇降機構４４３により針４４１が下降し、サブステージ４２上のパターン修正材料９１が針４４１の先端に付着される（ステップＳ１６）。
【００３２】
図５および図６は、パターン修正材料９１を針４４１の先端に付着させる様子を説明するための図である。図５に示すように、針４４１の先端をサブステージ４２の表面に近接させ、その後、針４４１を上昇させることにより、図６に示すように、針４４１の先端にパターン修正材料９１が付着される。その際、サブステージ４２上のパターン修正材料９１は再現性のある一定の状態とされるとともに（すなわち、一定量のパターン修正材料９１が一定の粘度で一定の形状とされた状態）、針４４１の先端がサブステージ４２の表面に対して一定距離（例えば、１０マイクロメートル）まで近接する。これにより、針４４１の先端に一定量のパターン修正材料９１が確実に付着される。
【００３３】
針４４１にパターン修正材料９１が付着されると、針４４１を待避させた状態でヘッド部昇降機構４４３が焼成レーザ部４５側（（＋Ｘ）方向）へと移動し、前述の材料付与位置の上方で停止する。その後、図７に示すように、針４４１の先端がヘッド部昇降機構４４３によりフォトマスク９（平行斜線を付して図示）上の対象欠陥９３に近接する。なお、パターン修正材料９１を針４４１の先端に付着させてからフォトマスク９上に付与するまでの時間はおよそ一定とされる。
【００３４】
図８は、針４４１がフォトマスク９の表面に対して近接した状態を示す図であり、図８ではパターン９２およびパターン修正材料９１の図示を省略している。制御部５はヘッド部昇降機構４４３を制御して、図８に示すように、針４４１の先端とフォトマスク９の表面との間の距離が材料付与距離Ｌとなるまで針４４１を下降させ、その後、針４４１を上昇させる。これにより、図９および図１０に示すように、フォトマスク９上にパターン修正材料９１が付与される（ステップＳ１７）。付与されたパターン修正材料９１は略円形となる（直径Ｄとして図１０中に図示）。なお、針４４１の先端はフォトマスク９とは接触しないため、フォトマスク９および針４４１の先端が損傷することが防止される。
【００３５】
ここで、変換テーブル５２１と材料付与距離Ｌとの関係について説明を行う。まず、変換テーブル５２１は、フォトマスク９上に付与されるパターン修正材料の直径Ｄと（すなわち、付与されたパターン修正材料がフォトマスク９と接触する円形領域の直径Ｄ）、材料付与時におけるステージ３に保持されたフォトマスク９の表面と針４４１の先端との間の距離Ｌ（すなわち、材料付与距離Ｌ）との関係を示すテーブルとなっている。図１１は、変換テーブル５２１をグラフ化して連続的に示したものであり、縦軸はフォトマスク９に付与されるパターン修正材料の直径Ｄを示し、横軸は材料付与距離Ｌを示す。ステップＳ１３では、制御部５により、対象欠陥９３の大きさに対して必要最小限の大きさとなるパターン修正材料の直径Ｄが特定され、対応する材料付与距離Ｌが変換テーブル５２１を参照して求められる。なお、付与されるパターン修正材料の最小直径Ｄ１として、２０マイクロメートルが実現可能であることが確認されている。
【００３６】
パターン修正材料９１がフォトマスク９上に付与されると、制御部５はステージ移動機構２を制御し、付与されたパターン修正材料９１が焼成レーザ部４５の下方に位置するようにフォトマスク９を移動する。焼成レーザ部４５からは、焼成用のレーザ光がフォトマスク９上に照射され、パターン修正材料９１が焼成される（ステップＳ１８）。このとき、レーザ光の出力と照射時間とが適切に制御されることにより、パターン修正材料９１がフォトマスク９との密着性に優れた遮光膜とされる。
【００３７】
フォトマスク９は除去レーザ部４６の下方へとさらに移動し、除去レーザ部４６から除去用のレーザ光がフォトマスク９上に照射され、フォトマスク９上の不要なパターン修正材料９１が除去される（ステップＳ１９）。具体的には、図１２において符号９１ａを付して示す部分が、所定のパターンに対して不要な部分として除去される。
【００３８】
制御部５は針４４１を待避させた状態でステージ移動機構２を制御し、洗浄部３３を材料付与位置に位置させる。針４４１はヘッド部昇降機構４４３により下降し、先端が洗浄部３３の容器３３１内へと移動する。そして、針４４１の先端が容器３３１から出されて拭取部３３２へと移動し、先端に付着した溶剤が拭き取られる（ステップＳ２０）。なお、針４４１の洗浄は、例えば、操作者が針４４１の先端をアルコール等の溶剤を浸したガーゼ等で拭き取ることにより行われてもよい。
【００３９】
続いて、パターン欠陥修正装置１ではフォトマスク９上の次の欠陥に対してステップＳ１２〜Ｓ２０が繰り返される（ステップＳ２１）。以上のようにして、パターン欠陥修正装置１では、フォトマスク９上にパターン修正材料９１が欠陥の大きさに合わせて適切に付与され、効率よく欠陥が修正される。なお、次の欠陥が処理される際には、サブステージ４２上において、直前にパターン修正材料９１が吐出された位置とは異なる位置にパターン修正材料９１が吐出される。また、ステップＳ１７〜Ｓ２０に並行して次のステップＳ１２〜Ｓ１５の一部が行われてもよい。
【００４０】
次に、キャリブレーションについて説明を行う。パターン欠陥修正装置１におけるキャリブレーションでは、針４４１の先端の位置の検出、および、変換テーブル５２１の更新が行われる。
【００４１】
まず、ステージ３上のキャリブレーション用ステージ３１を材料付与位置へと移動し、針４４１の先端をキャリブレーション用ステージ３１の表面に近接させる。撮像部３２では、針４４１の先端とキャリブレーション用ステージ３１の表面とを示す画像が取得され、画像データが演算部５１へと出力される。演算部５１において、画像データから針４４１の先端とキャリブレーション用ステージ３１の表面との間の実際の距離が算出され、キャリブレーション用ステージ３１に対する針４４１の先端の正確な位置が検出される。そして、針４４１の先端の位置がヘッド部昇降機構４４３の昇降量に対応づけられる。
【００４２】
針４４１の位置が検出されると、欠陥修正処理のステップＳ１４〜Ｓ１６と同様に針４４１の先端にパターン修正材料が付着される。ヘッド部昇降機構４４３は焼成レーザ部４５側へと移動し、針４４１を所定の材料付与距離まで下降させてパターン修正材料をキャリブレーション用ステージ３１上に付与する。続いて、キャリブレーション用ステージ３１が除去レーザ部４６の下方へと移動し、付与されたパターン修正材料の画像が撮像部４７により取得される。パターン修正材料の画像データは演算部５１へと出力され、パターン修正材料の直径が算出される。そして、演算部５１において、付与時のヘッド部昇降機構４４３の状態（すなわち、材料付与距離）と算出されたパターン修正材料の直径とに基づいて変換テーブル５２１が必要に応じて更新される。パターン欠陥修正装置１ではパターン修正材料や針４４１の交換時にキャリブレーションが行われ、欠陥の修正が常に精度よく行われる。
【００４３】
以上のように、パターン欠陥修正装置１では、パターン修正材料がサブステージ４２上にて外気に触れる状態で一時的に保持されて一定の粘度となった後、針４４１の先端に付着される。これにより、パターン修正材料を針４４１の先端に容易に付着させることができる。また、制御部５が変換テーブル５２１と欠陥の大きさに関する情報とに基づいてヘッド部昇降機構４４３を制御することにより、フォトマスク９上にパターン修正材料を適切な大きさにて（または、適切な量だけ（以下同様））付与することができる。これにより、付与されたパターン修正材料の除去レーザ部４６による除去部分が必要以上に増大することが防止される。その結果、パターン欠陥修正装置１では、欠陥修正処理を簡便かつ迅速に行うことができ、高スループット化を図ることができる。
【００４４】
なお、キャリブレーションは、必ずしも欠陥修正処理の直前に行われる必要はなく、必要に応じて随時行われてもよい。さらに、針４４１の先端の位置の検出は他の手法により行われてもよく、例えば、針４４１に対して固定されるとともにフォトマスク９の表面に対して傾斜してレーザ光を出射するレーザ、および、フォトマスク９の表面からのレーザ光の反射光を受光する受光部が設けられ、受光部が反射光を受光する位置により針４４１に対するフォトマスク９の表面の位置が検出されてもよい。
【００４５】
また、パターン欠陥修正装置１では、制御部５がサブステージ４２上に供給されたパターン修正材料の風乾時間を変更することにより、針４４１に付着するパターン修正材料の量を変更することも可能である。すなわち、図２の欠陥修正処理の流れにおいて、制御部５がステップＳ１５におけるパターン修正材料を保持する時間を対象欠陥の大きさに基づいて変更することで、パターン修正材料の粘度が調整され、針４４１に付着するパターン修正材料の量が調整される。この場合、材料付与距離が一定であっても、パターン修正材料をフォトマスク９上に適切な大きさにて付与することができる。
【００４６】
なお、針４４１に付着されるパターン修正材料の量は、材料供給部４３からサブステージ４２上に吐出されるパターン修正材料の量を変更したり、針４４１にパターン修正材料を付着させる際の針４４１の先端とサブステージ４２の表面との間の距離を変更することにより、調整することも可能である。
【００４７】
図１３は本発明の第２の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１ａを示す図であり、材料供給部４３ａ近傍のみを示している。材料供給部４３ａは、サブステージ４２に向けて温風を供給する熱付与部４３３を有する。他の構成は、図１に示すパターン欠陥修正装置１と同様であり同符号を付している。
【００４８】
パターン欠陥修正装置１ａでは、図２の欠陥修正処理の流れにおいて、ステップＳ１５のみが第１の実施の形態と異なる。すなわち、パターン修正材料がサブステージ４２上に吐出されると（ステップＳ１４）、サブステージ４２が熱付与部４３３の下方へと移動する。熱付与部４３３によりパターン修正材料に向かって温風が浴びせられ（ステップＳ１５）、パターン修正材料がある程度乾燥して粘度が高い状態とされる。そして、ステップＳ１６においてパターン修正材料が針４４１の先端に付着され（ステップＳ１６）、ステップＳ１７〜ステップＳ２０が第１の実施の形態と同様に行われることにより、フォトマスク９上にパターン修正材料が適切な大きさにて付与され、欠陥を修正することができる。
【００４９】
以上のように、第２の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１ａでは、サブステージ４２上のパターン修正材料の粘度が短時間で高められ、パターン修正材料を容易に針４４１の先端に付着させることができる。その結果、フォトマスク９上の欠陥の修正を適切かつ迅速に行うことができる。なお、パターン修正材料に熱を付与する手法としては、必ずしも温風を供給する必要はなく、例えば、サブステージ４２にヒータが設けられ、サブステージ４２上のパターン修正材料に熱が付与されてもよい。
【００５０】
図１４は本発明の第３の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１ｂを示す図であり、ヘッド部４４ａ近傍のみを示している。ヘッド部４４ａは、先端形状（例えば、先端の曲率半径）がそれぞれ異なる複数の針４４１を支持するレボルバ４４５を有し、レボルバ４４５は回転駆動部４４６により支持される。回転駆動部４４６は、ヘッド部昇降機構４４３により支持される。他の構成は、図１または図１３に示すパターン欠陥修正装置１，１ａと同様であり同符号を付している。
【００５１】
パターン欠陥修正装置１ｂのヘッド部４４ａでは、複数の針４４１のうち１つの針が選択され（図１４中の符号４４１ａを付す針が選択されたものであり、以下、「対象針」という。）、レボルバ４４５によりＺ方向を向くようにして支持される。ヘッド部４４ａでは、回転駆動部４４６がレボルバ４４５を所定の回転角だけ回動することにより、他の針４４１がＺ方向を向く状態（すなわち、対象針４４１ａ）とされる。
【００５２】
パターン欠陥修正装置１ｂでは、図２の欠陥修正処理の流れにおいて、ステップＳ１３のみが第１の実施の形態と異なる。すなわち、対象欠陥が特定されると（ステップＳ１２）、対象欠陥の大きさが欠陥情報から読み出される。そして、対象欠陥の大きさに基づいて複数の針４４１から１つの針が選択され、対象針４４１ａとしてレボルバ４４５によりＺ方向を向く状態に支持される。また、対象針４４１ａに対応する変換テーブルと対象欠陥の大きさとから材料付与距離が取得される（ステップＳ１３）。パターン欠陥修正装置１ｂでは、対象針４４１ａにより第１の実施の形態と同様にフォトマスク９上の対象欠陥に対してパターン修正材料が適切な大きさにて付与され、欠陥修正処理が行われる。
【００５３】
以上のように、第３の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置１ｂでは、レボルバ４４５および回転駆動部４４６によりフォトマスク９上の対象欠陥の大きさに従って、先端形状の異なる複数の針４４１から適切な針が選択される。その結果、対象欠陥の大きさに適した大きさにてパターン修正材料がフォトマスク９上に付与され、欠陥を適切に修正することができる。
【００５４】
なお、針４４１を先端形状の異なる他の針に交換する機構は、必ずしもレボルバ４４５および回転駆動部４４６により構成される機構である必要はなく、例えば、針支持部に支持された針を着脱して他の針に交換する機構が設けられてもよい。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態について説明を行ってきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００５６】
サブステージ４２上のパターン修正材料は、必ずしも材料供給部４３から吐出される必要はなく、例えば、操作者により供給されてもよい。すなわち、所定の容器に貯留されたパターン修正材料がサブステージ４２上に供給され、外気に触れる状態で一時的に保持されるのであれば、いかなる態様にて供給されてもよい。
【００５７】
また、材料供給部４３からサブステージ４２上に吐出されるパターン修正材料９１の量は、必ずしも０．５マイクロリットルである必要はなく、一定量であればよい。なお、実験においては１．０マイクロリットルまでは欠陥の修正が適切に行われることが確認されている。
【００５８】
上記実施の形態では、サブステージ４２の平らな表面上に材料供給部よりパターン修正材料が吐出されるが、例えば、サブステージ上に凹部が形成され、凹部にパターン修正材料が供給されて保持されてもよい。また、サブステージは必ずしもヘッドユニット４に設けられる必要はない。
【００５９】
変換テーブルは、例えば、欠陥の面積と材料付与距離との関係を示すテーブルであってもよく、材料付与距離とフォトマスク９上に付与されるパターン修正材料の径との関係を実質的に示すテーブルであればいかなるものであってもよい。
【００６０】
上記実施の形態では、フォトマスク９に関する欠陥情報は他のパターン検査装置等により取得され入力されるが、欠陥情報はパターン欠陥修正装置の撮像部４７により取得されてもよく、また、作業者により入力されてもよい。
【００６１】
フォトマスク９は必ずしもステージ３に載置される必要はなく、例えば、複数のピンの先端によりフォトマスク９が保持されてもよい。
【００６２】
キャリブレーション用ステージ３１は必ずしもフォトマスク９と同一の材料により形成される必要はなく、また、フォトマスク９と同一の厚みである必要もない。
【００６３】
キャリブレーション用ステージ３１は必ずしも設けられる必要はなく、例えば、ステージ３上にキャリブレーション用フォトマスクが載置され、キャリブレーション用フォトマスク上にてキャリブレーションが行われてもよい。
【００６４】
ヘッドユニット４とステージ３とは相対的に移動すればよく、例えば、ステージ３が固定され、ヘッドユニット４に移動機構が設けられてもよい。
【００６５】
また、針４４１とステージ３とは相対的に進退すればよく、例えば、ステージ３に昇降機構が設けられ、ステージ３が針４４１に対して昇降してもよい。
【００６６】
図２に示す欠陥修正処理の流れは、可能な範囲内で適宜変更されてもよい。例えば、パターン修正材料を針４４１の先端に付着させるステップＳ１６の後に、ステップＳ１３の材料付与距離を求める処理が行われてもよい。
【００６７】
さらに、複数のヘッド部４４を設け、パターン修正材料の付与が複数の欠陥に対してほぼ並行して行われてもよい。
【００６８】
【発明の効果】
請求項１ないし３の発明では、針の先端にパターン修正材料を容易に付着させることができる。
【００６９】
また、請求項２の発明では、パターン修正材料の粘度を短時間で高めることができる。
【００７０】
また、請求項３の発明では、パターン修正材料の粘度を調整することができる。
【００７１】
また、請求項４ないし６の発明では、パターン修正材料をフォトマスク上に適切な大きさにて（または、適切な量だけ）付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】パターン欠陥修正装置の概略構成を示す図である。
【図２】欠陥を修正する処理の流れを示す図である。
【図３】フォトマスク上のパターンを示す図である。
【図４】サブステージ上にパターン修正材料を吐出する様子を示す図である。
【図５】パターン修正材料を針の先端に付着させる様子を説明するための図である。
【図６】パターン修正材料を針の先端に付着させる様子を説明するための図である。
【図７】パターン修正材料をフォトマスク上に付与する様子を説明するための図である。
【図８】
針がフォトマスクの表面に近接した状態を示す図である。
【図９】パターン修正材料をフォトマスク上に付与する様子を説明するための図である。
【図１０】パターン修正材料が付与されたパターンを示す図である。
【図１１】パターン修正材料の直径と材料付与距離との関係を示す図である。
【図１２】パターン修正材料の不要部分が除去されたパターンを示す図である。
【図１３】第２の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置を示す図である。
【図１４】第３の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置を示す図である。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ パターン欠陥修正装置
２ ステージ移動機構
３ ステージ
５ 制御部
９ フォトマスク
３１ キャリブレーション用ステージ
４２ サブステージ
４４，４４ａ ヘッド部
４７ 撮像部
５１ 演算部
５２ 記憶部
９１ パターン修正材料
９２ パターン
９３ 欠陥
４３１ タンク
４３３ 熱付与部
４４１，４４１ａ 針
４４３ ヘッド部昇降機構
４４５ レボルバ
４４６ 回転駆動部
５２１ 変換テーブル
Ｄ 直径
Ｌ 材料付与距離
Ｓ１１〜Ｓ２１ ステップ
Claims (8)
- フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正装置であって、
フォトマスクを保持するマスク保持部と、
所定の容器から供給されたパターン修正材料を外気に触れる状態で一時的に保持する材料保持部と、
前記材料保持部上のパターン修正材料が先端に付着される針を有するヘッド部と、
前記マスク保持部と前記ヘッド部とを相対的に移動する移動機構と、
を備えることを特徴とするパターン欠陥修正装置。 - 請求項１に記載のパターン欠陥修正装置であって、
前記材料保持部上のパターン修正材料に熱を付与する機構をさらに備えることを特徴とするパターン欠陥修正装置。 - 請求項１に記載のパターン欠陥修正装置であって、
パターン修正材料が前記材料保持部上に供給されてから前記針に付着されるまでの時間を変更する制御部をさらに備えることを特徴とするパターン欠陥修正装置。 - フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正装置であって、
フォトマスクを保持するマスク保持部と、
パターン修正材料が先端に付着される針を有するヘッド部と、
前記マスク保持部に対して前記針を相対的に進退させる進退機構と、
前記マスク保持部に保持されたフォトマスクと前記針の先端との間の距離と、フォトマスク上に付与されるパターン修正材料の径との関係を実質的に示すテーブルを記憶する記憶部と、
フォトマスク上のパターンの欠陥の大きさに関する情報と前記テーブルとに基づいて前記進退機構を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするパターン欠陥修正装置。 - 請求項４に記載のパターン欠陥修正装置であって、
前記針を用いて所定の場所に付与されたパターン修正材料の画像を取得する撮像部と、
付与時の前記進退機構の状態と前記画像とに基づいて前記テーブルを更新する演算部と、
をさらに備えることを特徴とするパターン欠陥修正装置。 - 請求項１ないし５のいずれかに記載のパターン欠陥修正装置であって、
前記ヘッド部が、前記針を、先端形状の異なる他の針に交換する機構を有することを特徴とするパターン欠陥修正装置。 - フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正方法であって、
所定の容器から供給されたパターン修正材料を材料保持部により外気に触れる状態で一時的に保持する工程と、
前記材料保持部上の前記パターン修正材料を針の先端に付着させる工程と、
前記針の先端をフォトマスクに近接させてパターン修正材料を前記フォトマスク上に付与する工程と、
を有することを特徴とするパターン欠陥修正方法。 - フォトマスク上のパターンの欠陥を修正するパターン欠陥修正方法であって、
パターン修正材料を針の先端に付着させる工程と、
フォトマスク上のパターンの欠陥の大きさに関する情報に基づいて前記フォトマスクにパターン修正材料を付与する際の前記フォトマスクと前記針の先端との間の距離を求める工程と、
前記距離に従って前記針を前記フォトマスクに対して相対的に進退させる工程と、
を有することを特徴とするパターン欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002346723A JP2004177838A (ja) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | パターン欠陥修正装置およびパターン欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002346723A JP2004177838A (ja) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | パターン欠陥修正装置およびパターン欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004177838A true JP2004177838A (ja) | 2004-06-24 |
Family
ID=32707522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002346723A Pending JP2004177838A (ja) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | パターン欠陥修正装置およびパターン欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004177838A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006285130A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Olympus Corp | 欠陥修正装置 |
| WO2007091489A1 (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Toray Engineering Co., Ltd. | 積層型マイクロカプセルシート製造装置 |
-
2002
- 2002-11-29 JP JP2002346723A patent/JP2004177838A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006285130A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Olympus Corp | 欠陥修正装置 |
| JP4729328B2 (ja) * | 2005-04-05 | 2011-07-20 | オリンパス株式会社 | 欠陥修正装置 |
| WO2007091489A1 (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Toray Engineering Co., Ltd. | 積層型マイクロカプセルシート製造装置 |
| JPWO2007091489A1 (ja) * | 2006-02-06 | 2009-07-02 | ▲高▼田 ▲寛▼治 | 積層型マイクロカプセルシート製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101118848B1 (ko) | 미세 패턴의 결함 수정 방법 | |
| TWI394989B (zh) | 塗佈針，使用此塗佈針之塗佈機構，缺陷修正裝置，塗佈方法以及液晶顯示面板用彩色過濾器之缺陷修正方法 | |
| KR100579322B1 (ko) | 유리기판의 커팅면 검사장치 | |
| JP2011257303A (ja) | 画像取得装置、欠陥修正装置および画像取得方法 | |
| KR101525621B1 (ko) | 액상 재료 도포 장치 및 그것을 이용한 결함 수정 장치 | |
| JPH08292442A (ja) | 液晶基板の欠陥修正方法および欠陥修正装置 | |
| JPH0961296A (ja) | カラーフィルタの欠陥修正方法および欠陥修正装置 | |
| JP2004177838A (ja) | パターン欠陥修正装置およびパターン欠陥修正方法 | |
| JP2002071939A (ja) | カラーフィルタの欠陥修正方法 | |
| TWI392595B (zh) | Pattern correction device | |
| JP4953187B2 (ja) | パターン基板の欠陥修正装置及び欠陥修正方法並びにパターン基板製造方法 | |
| CN110400762B (zh) | 异物修补方法、装置及存储介质 | |
| JP4464747B2 (ja) | カラーフィルタの欠陥修正方法 | |
| JPH10282322A (ja) | 基板の部分欠陥修正方法およびその装置並びにカラーフィルターの製造方法および製造装置 | |
| JPH06109919A (ja) | Ｌｃｄ用カラーフィルタの欠陥修正法および欠陥修正装置 | |
| KR100960302B1 (ko) | 레이저를 이용한 필름 절단 장치 및 방법 | |
| JP7361622B2 (ja) | フォトマスクの修正方法、フォトマスクの修正装置、ペリクル付きフォトマスクの製造方法および表示装置の製造方法 | |
| JP4414659B2 (ja) | カラーフィルタの欠陥修正方法および欠陥修正装置 | |
| JP2011191411A (ja) | 欠陥修正装置および方法 | |
| JP3758887B2 (ja) | パターン修正装置 | |
| JP5556001B2 (ja) | カラーフィルタ基板の修正方法およびカラーフィルタ | |
| JP4729328B2 (ja) | 欠陥修正装置 | |
| JP7219999B1 (ja) | フレキソ版とその製造方法とヒートカット装置 | |
| KR20130023910A (ko) | 금속전극패턴 제조방법 및 제조장치 | |
| JP2009258229A (ja) | 欠陥修正装置、欠陥修正方法、及びパターン基板の製造方法 |