JP2004170616A - 放射線像読取装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記放射線像変換パネル10に対し、励起光の波長変動に対するこの放射線像変換パネル10から発生する輝尽発光光の光強度の変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上である波長範囲の励起光を照射する励起光照射部20を用意し、この励起光照射部20から励起光の照射を受けて放射線像変換パネル10から発生した輝尽発光光を検出部30で検出して放射線像変換パネル10が担持する放射線像を読み取る。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、励起光の照射により放射線像変換パネルから発生した輝尽発光光を検出してこの放射線像変換パネルが担持する放射線像を読み取る放射線像読取装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、X線等の放射線を照射するとこの放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光を照射するとこの蓄積された放射線エネルギに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体(輝尽性蛍光体ともいう)を利用して、人体等の被写体の放射線像を蓄積性蛍光体層に一旦潜像として記録し、この蓄積性蛍光体層にレーザ光等の一定の強度を持つ励起光を照射して輝尽発光光を生じせしめ、この輝尽発光光を光電的に検出して被写体の放射線像を表す画像信号を取得する放射線像記録装置および放射線像読取装置等からなる放射線像記録再生システムがCR(Computed Radiography)としてが知られている。また、この放射線像記録再生システムに使用される記録媒体としては、基板上に蓄積性蛍光体層を積層して作成した放射線像変換パネルが知られている。
【0003】
上記蓄積性蛍光体としては様々な種類のものが使用されており、放射線像変換パネルにおける上記輝尽発光光を発生する特性も上記蓄積性蛍光体の種類によりそれぞれ異なる(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開昭55−012429号公報
【0005】
【特許文献2】
特開昭55−012145号公報
【0006】
【特許文献3】
特開昭61−236889号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記放射線像変換パネルから放射線像をより正確に読み取るための取り組みが要請されており、その取り組みの中の1つとして、放射線像変換パネルから放射線像を読み取る際に、励起光の波長変動によって生じる放射線像の画質のムラを抑制したいという要請がある。すなわち、放射線像変換パネルに照射される励起光の光強度が一定であっても、照射される励起光の波長に応じてこの放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度が変化するので(輝尽発光光の光強度のスペクトルが変化するので)、放射線像変換パネルから放射線像を読み取っている途中で温度変化等によって励起光の波長が変動すると、この放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度が変化して読み取られる放射線像に画質のムラが生じる。特に半導体レーザでは上記波長変動が大きいことが知られており、半導体レーザを用いた装置に関し上記問題を解決したいという強い要請がある。なお、励起光の波長変動に対して上記輝尽発光光の光強度の変化率が大きくなる波長範囲の励起光を用いて放射線像を読み取る際には放射線像の画質ムラが大きくなる。
【0008】
このような観点から、従来の出願人の放射線像読取装置を検討してみると、励起光照射手段が、励起光の波長変動に対する放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の変化率が2.0%/nm以下、−2.0%/nm以上である波長範囲の励起光をこの放射線像変換パネルに照射していることがわかった。これだと放射線像変換パネルに記録された放射線像の高精度の読取りが難しくなるおそれがある。
【0009】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、放射線像変換パネルから読み取られる放射線像の画質ムラを抑制することができる放射線像読取装置を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の放射線像読取装置は、放射線像変換パネルと、この放射線像変換パネルに対して励起光を照射する励起光照射手段と、励起光の照射を受けて放射線像変換パネルから発生した輝尽発光光を検出する検出手段とを備え、励起光の照射を受けて放射線像変換パネルから発生した輝尽発光光を検出手段で検出して放射線像変換パネルが担持する放射線像を読み取る放射線像読取装置であって、励起光照射手段が、前記放射線像変換パネルに対し、前記励起光の波長変動に対する該放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上、より好ましくは0.5%/nm以下、−0.5%/nm以上である波長範囲の励起光を照射することを特徴とするものである。
【0011】
前記照射手段は、互いに異なる波長の励起光を射出する複数の励起光光源を備え、複数の励起光光源から射出された互いに異なる波長の励起光を合成してこれらの互いに異なる波長の励起光を、放射線像変換パネル上の同一位置に同時に照射するものとすることができる。
【0012】
前記変化率は、励起光の波長λに対する、この励起光の照射を受けて一定量の放射線が爆射された放射線像変換パネルから発生した輝尽発光光の光強度Gの変化の関係を示す曲線を曲線Fとし、特定波長λoにおける前記変化率をδoとしたときに、特定波長λoにおける曲線Fの接線の傾きαoを、特定波長λoにおける輝尽発光光の光強度Goで除算して求められる値である(図3参照)。すなわち、前記変化率δoはδo=αo/Goの式で示される。
【0013】
前記放射線像変換パネルは、アルカリハライド系の蓄積性蛍光体からなる蓄積性蛍光体層を有するものとすることができる。
【0014】
なお、アルカリハライド系の蓄積性蛍光体としては、例えば、MX:A(MはK、Rb、Csのうちの少なくとも1つ、XはCl、Br、Iのうちの少なくとも1つ、AはEu2+またはTl+のような化学式で表される蓄積性蛍光体が挙げられる。
【0015】
【発明の効果】
本発明の放射線像読取装置は、励起光照射手段が、放射線像変換パネルに対し、励起光の波長変動に対するこの放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上である波長範囲の励起光を照射するようにしたので、例えば、放射線像変換パネルから放射線像を読み取っている途中で励起光の波長が変動しても、放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の変化を小さく抑えることができ、放射線像変換パネルから読み取られる放射線像の画質ムラを抑制することができる。
【0016】
また、励起光照射手段を、互いに異なる波長の励起光を射出する複数の励起光光源を備え、これらの励起光光源から射出された互いに異なる波長の励起光を、放射線像変換パネル上の同一位置に同時に照射するものとすれば、上記放射線像を表す輝尽発光光の光強度を、互いに異なる波長の励起光の照射によって放射線像変換パネルからそれぞれ発生した輝尽発光光を合成した光強度とすることができ、励起光の波長変動による上記放射線像を表す輝尽発光光の光強度の変化を上記合成によって平均化することができるので、上記輝尽発光光の光強度の変動を全体としてより小さく抑えることができる。これにより、放射線像変換パネルから読み取られる放射線像の画質ムラを抑制することができる。
【0017】
また、放射線像変換パネルを、アルカリハライド系の蓄積性蛍光体からなる蓄積性蛍光体層を有するものとすれば、このアルカリハライド系の蓄積性蛍光体からなる蓄積性蛍光体層は、励起光の波長変動に対する放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の変化が特に大きいので、放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上となる波長範囲の励起光をこの放射線像変換パネルに照射することにより上記放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の変化を小さく抑える顕著な効果を期待することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。図1は本発明の実施の形態による放射線像読取装置の概略構成を示す斜視図、図2は励起光照射部と検出部を示す拡大側面図である。
【0019】
本発明の実施の形態による放射線像読取方法装置100は、放射線像変換パネル10と、放射線像変換パネル10に対して励起光を照射する励起光照射手段である励起光照射部20と、励起光の照射を受けて放射線像変換パネル10から発生した輝尽発光光を検出する検出手段である検出部30とを備えている。
【0020】
この放射線像読取装置100は、励起光の照射を受けて放射線像変換パネル10から発生した輝尽発光光を検出部30で検出して放射線像変換パネル10が担持する放射線像を読み取るものであって、励起光照射部20は、放射線像変換パネル10に対し、励起光の波長変動に対する放射線像変換パネル10から発生する輝尽発光光の光強度の変化率(以後、輝尽光強度変化率という)が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上である波長範囲の励起光を照射する。
【0021】
放射線像変換パネル10は、支持体12とこの支持体上に形成されたアルカリハライド系の蓄積性蛍光体からなる蓄積性蛍光体層11からなるものであり、例えば、この蓄積性蛍光体としてE2+u付き活性で主成分がアルカリハライド系の蓄積性蛍光体を用いることができ、より具体的には主成分がCsX;Eu2+(XはCl、Br、あるいはI)のアルカリハライド蛍光体を用いることができる。
【0022】
励起光照射部20は、互いに異なる波長の励起光を射出する複数の半導体レーザが主走査方向(図中矢印X方向、以後、主走査X方向という)が並べられた励起光光源21と、励起光光源21から射出された互いに異なる波長の励起光La、Lbそれぞれを放射線像変換パネル10上の線状領域Sに集光させる主走査X方向に延びるシリンドリカルレンズ等からなる集光光学系22からなり、励起光La、Lbそれぞれを同時に上記線状領域S上の同一位置に照射する。なお、励起光光源21は励起光Laを射出する複数の半導体レーザと励起光Lbを射出する複数の半導体レーザとからなるものである。
【0023】
検出部30は、主走査X方向に並べられた多数のレンズ、例えば屈折率分布型レンズ等からなる結像レンズ31、輝尽発光光を透過させ励起光を遮断する励起光カットフィルタ33、および主走査X方向に並べられた多数の受光素子(例えばCCD素子)からなるラインセンサ32を備え、上記各要素が、放射線像変換パネル10に向けてこの順に並べられている。
【0024】
次に上記実施の形態における作用について説明する。
【0025】
励起光照射部20から射出された励起光Laおよび励起光Lbは放射線像変換パネル10上の線状領域Sに集光される。励起光La、Lbの照射によって線状領域Sから発生した輝尽発光光は結像レンズ31および励起光カットフィルタ33通してラインセンサ32上に結像され光電変換された後、電気的な画像信号として出力される。上記励起光La、Lbの照射と輝尽発光光の検出を実行しながら、放射線像変換パネル10が搬送手段40によって副走査Y方向へ搬送され、放射線像変換パネル10に記録された放射線像が読み取られる。
【0026】
ここで、励起光照射部20から射出される励起光の波長の変動と、この励起光の照射によって放射線像変換パネル10から発生する輝尽発光光の光強度との関係について説明する。図3は励起光の波長と輝尽発光光の光強度との関係および輝尽光強度変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上である波長範囲を示す図、図4および図5は互いに異なる波長の励起光を照射したときのこの励起光の波長変動と輝尽発光光の光強度の変化を示す図である。
【0027】
一定の光強度の励起光の照射によって放射線像変換パネル10から発生する輝尽発光光の光強度は、励起光の波長の変動に応じて変化し、励起光の波長とこの励起光の照射により放射線像変換パネル10から発生する輝尽発光光の光強度との関係は、図3に示すように、励起光の波長λが655nmのときに、輝尽発光光の光強度Gが最大値(ピーク強度)を示し、波長λが655nmから離れるにしたがって光強度Gの値が小さくなるとともに、励起光の波長変動に対する輝尽発光光の光強度の変化の割合が大きくなる曲線Fで示される。ここで、曲線Fは、波長λが655nmから離れるにしたがって勾配が増大する。
【0028】
このような特性を有する放射線像変換パネル10を用いて放射線像の読み取りを行なう際に、励起光の波長が変動すると、例えば、励起光の波長λが630nmから5nmシフトして、635nmになると、輝尽発光光の光強度は約7.5%増大する。すなわち、波長635nmの励起光の照射により発生した輝尽発光光の光強度は、波長630nmの励起光の照射により発生した輝尽発光光の光強度に対して約7.5%大きくなる(約+7.5%の光強度変化が生じる)。
【0029】
一方、励起光の波長が660nmから5nmシフトして、665nmになった場合の輝尽発光光の光強度変化は約−1.0%程度であり、放射線像変換パネル10を用いて放射線像の読み取りを行なう際には、曲線Fのピーク位置、すなわち、波長λが655nm近傍の励起光を使用すると、励起光の波長変動による輝尽発光光の光強度変化が少なくなることがわかる。
【0030】
ここで、輝尽光強度変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上である波長範囲W1は、およそ波長645nmから波長705nmの範囲であり、この範囲内において励起光の波長が5nm変動しても励起光の強度変化は5%以下にすることができる。
【0031】
また、輝尽光強度変化率が0.5%/nm以下、−0.5%/nm以上である波長範囲W2は、およそ波長650nmから波長695nmの範囲であり、この範囲内において励起光の波長が5nm変動しても励起光の強度変化を2.5%以下に抑えることができる。
【0032】
なお、上記輝尽光強度変化率は、特定波長λoにおける輝尽光強度変化率をδoとしたときに、特定波長λoにおける曲線Fの接線の傾きαoを、特定波長λoにおける輝尽発光光の光強度Goで除算して求められる値である。すなわち、輝尽光強度変化率δoはδo=αo/Goの式で求められる。表1に、励起光の波長λとこの波長λにおける輝尽光強度変化率δとの関係を数値で示す。
【0033】
次に、複数の励起光光源から射出された互いに異なる波長の励起光La、Lbを、放射線像変換パネル上の同一位置に同時に照射する場合について詳しく説明する。
【0034】
【表1】
図4に示すように、互いに異なる波長λa、λbを持つ励起光La、Lbによって発生した輝尽発光光の光強度Gaと光強度Gbとを合成して放射線像変換パネルを励起するようにすると、一方の波長λaにおける輝尽光強度変化率δa(δa=αa/Ga)が大きくても、この波長λaとは異なる他方の波長λbにおける輝尽光強度変化率δb(δb=αb/Gb)が輝尽光強度変化率δaより小さくなって、すなわち、輝尽光強度変化率δaと輝尽光強度変化率δbが平均化される効果により、励起光の波長変動による放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光全体の光強度の急激な変化を防止することができる。なお、光強度Gaと光強度Gbとを加算した光強度が輝尽発光光全体の光強度となる。
【0035】
さらに、図5に示すように、上記互いに異なる波長を持つ励起光La、Lbの波長λ1、λ2が、例えば、曲線Fのピーク位置の波長655nmを挟んだ両側の波長640nmと波長700nmであり、温度変化等によってこれらの波長λ1、λ2が、波長が長くなる方に共に5nmシフトしたときには、励起光Laの波長変動による輝尽発光光の光強度の増大が、励起光Lbの波長変動による輝尽発光光の光強度の減少で相殺されて、上励起光の波長変動による輝尽発光光の光強度変化をさらに小さくすることができる。すなわち、励起光Laの波長が波長640nmから波長645nmにシフトすると輝尽発光光の光強度変化は約+5%となり、励起光Lbの波長が波長700nmから波長705nmにシフトすると輝尽発光光の光強度変化は約―4%となるので、励起光La,Lbの波長変動による輝尽発光光全体としての光強度変化を約+1%と小さくすることができる。
【0036】
なお、輝尽光強度変化率が2.0%/nm以下、−2.0%/nm以上の範囲を越えた波長範囲の励起光を照射する際に、この励起光の波長が5nmシフトしたときの輝尽発光光の光強度変化の絶対値は10%より大きくなり、読み取られた放射線像を表す画像に無視できない濃度変化が生じる。ここで、一般の使用状態において半導体レーザから射出される励起光は5nm程度の波長変動が起きることが考えられる。また、輝尽光強度変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上の範囲を越えた波長範囲の励起光を照射する際に、この励起光の波長が0.2nmシフトしたときの輝尽発光光の光強度変化の絶対値は0.2%より大きくなり、読み取られた放射線像を表す画像に画質ムラが視認される。
【0037】
一般に、半導体レーザは同じ型式の素子でも射出されるレーザ光の波長が正確に一致しない場合があり、また、温度等の影響による波長の変動量も異なるので、複数の同じ型式の半導体レーザから射出されたレーザ光を合成した光を励起光として射出する励起光照射手段は、実質的に互いに異なる波長の光を射出する複数の光源を備えたものとなる。このような場合には、上記のようにして定められる波長範囲の光を射出する半導体レーザを用いることにより画質ムラを防止する顕著な効果を奏することができる。
【0038】
なお、励起光照射手段は、放射線像変換パネルに対して、放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の励起光の波長に対する光強度変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上である波長範囲の励起光を照射するものであれば、同じ波長の励起光を射出する複数の励起光光源、あるいは、励起光を射出する1つの励起光光源を有するものであっても、上記輝尽発光光の光強度の変化を小さく抑えて放射線像の画質ムラを抑制する効果を得ることができる。
【0039】
また放射線像変換パネルは、必ずしもアルカリハライド系の蓄積性蛍光体からなる蓄積性蛍光体層を有するものでなくても、上記と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による放射線像読取装置の概略構成を示す斜視図
【図2】励起光照射部と検出部を示す拡大側面図
【図3】励起光の波長と輝尽発光光の光強度との関係および輝尽光強度変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上である波長範囲を示す図
【図4】異なる波長を持つ励起光を照射したときの輝尽発光光の強度変化を示す図
【図5】異なる波長を持つ励起光を照射したときの輝尽発光光の強度変化を示す図
【符号の説明】
10 放射線像変換パネル
20 励起光照射部
21A 励起光光源
21B 励起光光源
30 検出部
100 放射線像読取方法装置
Claims (3)
- 放射線像変換パネルと、前記放射線像変換パネルに対して励起光を照射する励起光照射手段と、前記励起光の照射を受けて前記放射線像変換パネルから発生した輝尽発光光を検出する検出手段とを備え、前記励起光の照射を受けて前記放射線像変換パネルから発生した輝尽発光光を前記検出手段で検出して前記放射線像変換パネルが担持する放射線像を読み取る放射線像読取装置であって、
前記励起光照射手段が、前記放射線像変換パネルに対し、前記励起光の波長変動に対する該放射線像変換パネルから発生する輝尽発光光の光強度の変化率が1.0%/nm以下、−1.0%/nm以上である波長範囲の励起光を照射するものであることを特徴とする放射線像読取方法装置。 - 前記照射手段が、互いに異なる波長の励起光を射出する複数の励起光光源を備えたものであることを特徴とする請求項1記載の放射線像読取装置。
- 前記放射線像変換パネルが、アルカリハライド系の蓄積性蛍光体からなる蓄積性蛍光体層を有するものであることを特徴とする請求項1または2記載の放射線像読取装置。
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