JP2004170304A - トルクセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ブリッジ回路24の第2ハーフブリッジ回路28は、トルク伝達軸の外周面にトルク作用状態で透磁率が互いに異なる方向へ変化するように配置された第1及び第2磁歪材の透磁率変化に応じてインダクタンスが変化する第1及び第2検出コイル18及び19の直列回路により構成される。ブリッジ回路24の第1ハーフブリッジ回路25は、第1及び第2抵抗器26及び27の直列回路により構成される。第1及び第2抵抗器26及び27の抵抗値は、ブリッジ回路24の不平衡状態が拡大する方向となるように互いに異なる値に設定される。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、トルク伝達軸の外周面にトルク作用状態で透磁率が異なる方向へ変化するように配置された第1及び第2磁歪材を利用してトルク検出を行う磁歪式のトルクセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的な磁歪式トルクセンサは、トルク伝達軸の外周面にトルク作用状態で一方が圧縮され且つ他方が引張られる状態で第1及び第2磁歪材を配置すると共に、これら磁歪材の透磁率変化に応じてインダクタンスが変化する第1及び第2検出コイルと抵抗値が同一の2つの抵抗器とによりブリッジ回路を構成するという基本構造を備えている。従来では、トルク伝達軸に加わるトルクを計測するために、ブリッジ回路に交流電圧を印加し、この印加状態でブリッジ回路から差動増幅器を通じて出力される不平衡電圧を当該交流電圧に同期して検波することにより直流電圧に変換し、その変換出力をトルクに対応した検出電圧として得る構成としている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
実用新案登録第2545762号公報(図1、図4)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のトルクセンサでは以下に述べるような欠点があった。 即ち、図9には従来のトルクセンサの基本回路構成例が示されている。この図9において、ブリッジ回路1は、等価回路で示した第1検出コイル2及び第2検出コイル3を直列接続したハーフブリッジ回路と、同一の抵抗値に設定された第1抵抗器4及び第2抵抗器5を直列接続したハーフブリッジ回路とを並列に接続して構成される。交流電源回路6は、上記両ハーフブリッジ回路の各両端に所定周波数の交流電圧を印加する。差動増幅器7は、両ハーフブリッジ回路の各中点間に発生するブリッジ回路1の出力を差動増幅した交流電圧信号Vsub を発生する。同期検波回路8は、交流電圧信号Vsub を交流電源回路6の出力電圧に同期して検波することによりトルクに応じたレベルの検出電圧Vdを発生する。
【0005】
この回路構成では、印加トルクが零の状態において、第1検出コイル2のインダクタンスL1 及び内部抵抗値r1 と第2検出コイル3のインダクタンスL2 及び内部抵抗値r2 が互いに等しくなるように設定されると共に、第1抵抗器4及び第2抵抗器5の各抵抗値R3 及びR4 が互いに等しくなるように設定される。これにより、理論的には印加トルクが零の状態ではブリッジ回路1が平衡状態に保たれるため、交流電圧信号Vsub が零レベルに保持される。また、トルクが印加されたときには、ブリッジ回路1の平衡状態が崩れて不平衡電圧が出力されるため、差動増幅器7から不平衡電圧に応じた交流電圧信号Vsub が出力されることになる。この交流電圧信号Vsub の振幅は、印加トルクにほぼ比例して変化するから、同期検波回路8において、交流電圧信号Vsub を交流電源回路6の出力電圧に対して所定の同期位相角で検波することにより、印加トルクに応じた電圧レベルの直流信号であるトルク信号を得ることができる。
【0006】
しかしながら、上記のような検波を行う同期検波回路8は、図9では詳細に示さなかったが複雑な回路構成が必要となるものであるため、コストが高騰すると共にその占有スペースが大きくなるという欠点があった。
また、上述した同期位相角は、これを最適に求めることが困難であるため、同期検波回路8において最適同期位相角からずれた位相角で検波した状態に陥る可能性が高いという事情があり、このような状態で同期検波が行われた場合には、検出電圧Vdのレベルが小さくなり、検出感度が低くなるという問題点が出てくる。
【0007】
さらに、ブリッジ回路1は、印加トルクが零の状態で平衡することがトルクセンサとして理想的であり、その平衡条件は、
R4 ・(r1 +jωL1 )=R3 ・(r2 +jωL2 )
である。このため、上記平衡条件式の実数部及び虚数部について、次式(1)、(2)が同時に成り立つ必要がある。
R4 ・r1 =R3 ・r2 ……(1)
R4 ・L1 =R3 ・L2 ……(2)
【0008】
このような平衡条件に基づいて、従来では、R3 =R4 に設定すると共に、L1 及びL2 、r1 及びr2 については、それらをトルクセンサ毎に厳密に一致するように製造することが困難であるので、極力同一値に近づくように設定している。しかし、実際には、これらの回路定数を全て一致させることは非常に難しく、印加トルクが零のときにブリッジ回路1を完全な平衡状態に設定することはほとんど不可能である。従って、印加トルクが零の状態時でも所定レベルの検出電圧Vdがオフセット電圧として出力されることになる。このようなオフセット電圧の出現を解消するためには、トルクの非印加状態において同期位相角を種々変更して検出電圧Vdが零レベルとなる条件を探り出すという面倒な操作が必要となり、実用性に劣るという問題点が出てくる。
【0009】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡単且つ安価な回路構成によりトルク検出精度を向上可能になるなどの効果を奏するトルクセンサを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、上記目的を達成するために、トルク伝達軸の外周面にトルク作用状態で透磁率が互いに異なる方向へ変化するように配置された第1及び第2磁歪材と、これら第1及び第2磁歪材の透磁率変化に応じてインダクタンスが変化するように配置された第1及び第2検出コイルと、第1及び第2抵抗器回路を直列接続した第1ハーフブリッジ回路並びに前記第1及び第2検出コイルを直列接続した第2ハーフブリッジ回路を並列に接続して形成されたブリッジ回路と、前記第1及び第2ハーフブリッジ回路の各両端に交流電圧を印加する交流電源回路と、前記第1及び第2ハーフブリッジ回路の各中点間に発生する前記ブリッジ回路の不平衡電圧出力を差動増幅する差動増幅器と、この差動増幅器の出力をそのピーク値に応じたレベルの直流電圧に変換するDC変換回路とを備えた上で、前記第1抵抗器回路の抵抗値及び第2抵抗器回路の抵抗値を前記ブリッジ回路の不平衡状態が拡大する方向となるように異ならせる構成としたものである。
【0011】
この構成によれば、ブリッジ回路を構成する第1及び第2ハーフブリッジ回路の各両端に交流電圧が印加された状態では、そのブリッジ回路の不平衡状態に応じたレベルの交流電圧信号が当該第1及び第2ハーフブリッジ回路の各中点間から出力される。この場合、第1ハーフブリッジ回路を構成するために直列接続された第1抵抗器回路の抵抗値及び第2抵抗器回路の抵抗値が、ブリッジ回路の不平衡状態が拡大する方向となるように互いに異なっているから、そのブリッジ回路からは、トルク伝達軸にトルクが印加されていない状態でも所定レベル以上の交流電圧信号が出力される。このように出力された交流電圧信号は、差動増幅器により増幅された後に、DC変換回路において、上記増幅出力のピーク値に応じたレベルの直流電圧に変換される。
【0012】
このようにDC変換回路から所定レベルの直流電圧が出力された状態から、トルク伝達軸にトルクが印加されたときには第1及び第2磁歪材の透磁率が互いに異なる方向へ変化し、これに応じて第1及び第2検出コイルのインダクタンスも変化する。上記第1及び第2検出コイルは、互いに直列接続されて前記第2ハーフブリッジ回路を構成している。このため、DC変換回路から出力される直流電圧のレベルは、正方向のトルクが印加されるのに応じて上昇或いは低下し、逆方向のトルクが印加されるに応じて低下或いは上昇するようになり、その変化はほぼ直線的な特性を示すようになる。従って、DC変換回路からは、トルク伝達軸に対する印加トルクにほぼ比例した状態の直流電圧が得られるようになり、この直流電圧を印加トルクを示す検出電圧として利用できる。このため、忠実なトルク検出が可能になると共に、従来構成のように同期検波時の同期位相角のずれに起因した検出感度の低下を招くことがなくなるから、その検出精度が向上するようになる。また、ブリッジ回路の出力を印加トルクに応じた検出電圧として取り出すための手段として、簡単な構成で済むDC変換回路を用いれば良いから、従来構成のように複雑な回路構成が必要となる同期検波回路が不要になり、従って簡単且つ安価な回路構成とすることができる。
【0013】
この場合、請求項2記載の発明のように、前記第1ハーフブリッジ回路を構成する第1抵抗器回路は、前記第2抵抗器回路と同一抵抗値の抵抗器と所定抵抗値の補助抵抗器とを直列接続して構成することができる。
この構成によれば、第1抵抗器回路を構成する抵抗器と第2抵抗器回路と同一特性・同一抵抗値のものであるから、これらについては温度変化に対する抵抗値変化が同等に現れるようになる。従って、第1抵抗器回路と第2抵抗器回路との関係を厳密に設定するに当たって、第1抵抗器回路を構成する補助抵抗器のみを高精度なものにすれば良く、第1抵抗器回路を構成する抵抗器及び第2抵抗器回路を安価なものにより構成することが可能になる。
【0014】
また、請求項3記載の発明のように、前記第1ハーフブリッジ回路を構成する第1抵抗器回路は、前記第2抵抗器回路と同一抵抗値の抵抗器と可変抵抗器とを直列接続して構成することもできる。
この構成によれば、可変抵抗器の抵抗値を変えることによって、印加トルクが零のときの不平衡電圧のレベル(ひいてはDC変換回路から出力される検出電圧のレベル)を所定の値に簡単に設定できるようになる。例えば、トルクが印加されていない状態における検出電圧を容易に零レベルに設定可能となる。
【0015】
請求項4記載の発明のように、前記DC変換回路は、前記差動増幅器からの出力電圧の一方の極性側ピークをホールドするピークホールド回路と、このピークホールド回路の出力電圧と所定の直流基準電圧との差電圧を増幅する補助差動増幅器とにより構成することができる。この構成によれば、DC変換回路の回路構成を確実に簡略化できる。
【0016】
また、請求項5記載の発明のように、前記DC変換回路は、前記差動増幅器からの出力電圧を整流・平滑する第1ダイオード及びコンデンサから成る整流回路と、所定の直流基準電圧を第2ダイオードを通じて出力する基準電圧供給回路と、前記整流回路の出力電圧と前記基準電圧供給回路の出力電圧との差電圧を増幅する補助差動増幅器とにより構成することもできる。
この構成によれば、DC変換回路の構成を一段と簡略化できる。また、整流回路内の第1ダイオードの順方向電圧降下が周囲温度の上昇により変動したとしても、その変動分が、第2ダイオードの順方向電圧降下の変動に応じて相殺されるようになるから、周囲温度が変動した場合でも安定したトルク検出特性が得られることになる。
【0017】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1実施例について図1ないし図5を参照しながら説明する。図3にはトルクセンサの機械的構造が示されている。この図3において、磁歪材料で形成されたトルク伝達軸11は、ブラケット12に軸受13及び14を介して支持されており、両端の入力側連結部11a及び出力側連結部11bがブラケット12から突出された構造となっている。トルク伝達軸11は、ステンレス鋼などの金属により円柱状に形成されたもので、その中央部部分の外周面には、短冊形状とされた複数本の第1磁歪材15が平行配列状に形成されている共に、同じく短冊形状とされた複数本の第2磁歪材16が平行配列状に形成されており、各磁歪材15及び16は、トルク伝達軸11の軸方向に対して互いに異なる方向へ45°だけ傾斜した状態となるように配置されている。このような配置とされた結果、トルク伝達軸11にトルクが作用した状態では、第1磁歪材15及び第2磁歪材16の一方に圧縮応力、他方に引張応力が働くようになり、その結果、逆磁歪効果により磁歪材15及び16の一方の透磁率が増加し、他方の透磁率が低下するようになる。
【0018】
尚、上記各磁歪材15及び16は、種々の方法で形成可能であるが、例えば、トルク伝達軸11の表面に各磁歪材15及び16に沿った複数本のスリットを形成し、それらスリット間に挟まれた凸状部の頂部に磁歪合金材料をメッキなどにより設けるという方法が可能である。
【0019】
ブラケット12内には、プラスチック製のボビン17がトルク伝達軸11を包囲した状態で収納されており、このボビン17には、第1磁歪材15及び第2磁歪材16の周囲にそれぞれ所定ギャップを存して位置された状態の第1検出コイル18及び第2検出コイル19が巻装されている。つまり、各検出コイル18及び19は、対応する磁歪材15及び16の透磁率変化に応じてインダクタンスが変化するように配置されている。
【0020】
第1検出コイル18の両端は、ボビン17及びブラケット12を貫通した状態で設けられた2本の第1接続ピン20(1本のみ図示)の一端側に半田付けなどにより接続されている。また、第2検出コイル19の両端は、同じくボビン17及びブラケット12を貫通した状態で設けられた2本の第2接続ピン21(1本のみ図示)の一端側に半田付けなどにより接続されている。各接続ピン20及び21の他端側は、ブラケット1の外側端面に固定されたプリント配線基板22の配線パターンに対し半田付けなどにより接続されている。このプリント配線基板22上には、センサ出力を得るための信号処理回路を構成する電子部品23群が実装されている。
【0021】
図1にはトルクセンサの電気的構成が示されている。この図1において、ブリッジ回路24は、第1抵抗器26及び第2抵抗器27(それぞれ第1抵抗器回路及び第2抵抗器回路に相当)を直列接続した第1ハーフブリッジ回路25と、前記第1検出コイル18及び第2検出コイル19を直列接続した第2ハーフブリッジ回路28とを並列に接続して形成されている。
【0022】
交流電源回路29は、ブリッジ回路24の入力端子(ハーフブリッジ回路25及び28の各両端)間に交流電圧を印加するために設けられている。この交流電源回路29は、CR時定数を利用したリング発振回路30と、このリング発振回路30の発振出力によりスイッチングされる電圧印加回路31とを組み合わせて構成されている。
【0023】
リング発振回路30は、シュミットトリガインバータ30a、30b、30c、抵抗30d、コンデンサ30eを組み合わせた周知構成のもので、その発振周波数は抵抗30d及びコンデンサ30eの時定数によって設定される。
【0024】
電圧印加回路31は、リング発振回路30の出力をシュミットトリガインバータ31a及び抵抗31bを通じて受けて周期的にオンオフされるトランジスタ31cと、このトランジスタ31cのオンオフに応じてこれと逆位相でオンオフされるトランジスタ31dとを備えており、それらトランジスタ31c、31dのオンオフによってコンデンサ31eの充放電動作を行う構成となっている。具体的には、トランジスタ31cがオフ・トランジスタ31dがオンの期間には、コンデンサ31eに電源端子+Vccからトランジスタ31dを通じて充電し、トランジスタ31cがオン・トランジスタ31dがオフの期間には、コンデンサ31eの充電電荷をダイオード31f及びトランジスタ31cを通じて放電するという動作を繰り返すものであり、このような充放電に応じてブリッジ回路24に所定周波数の交流電圧Vaが印加されるようになっている。
【0025】
一方、差動増幅器32は、オペアンプ32aを利用した周知構成のもので、ブリッジ回路24の電圧出力、つまり第1ハーフブリッジ回路25及び第2ハーフブリッジ回路28の各中点間に発生する不平衡電圧を増幅して交流電圧信号Vsub を出力する構成となっている。
【0026】
ピークホールド回路33は、ピークホールドのためのダイオード33a及びコンデンサ33bとオペアンプ33c、33dなどを組み合わせた周知構成のもので、差動増幅器32からの交流電圧信号Vsub の一方の極性側(正側)のピークをホールドし、以て当該交流電圧信号Vsub をそのピーク値に応じたレベルの直流電圧信号(以下、これを検出電圧Vdと呼ぶ)に変換するために設けられている。
【0027】
補助差動増幅器34は、オペアンプ34aなどを利用した周知構成のもので、ピークホールド回路33から出力される検出電圧Vdと基準電圧供給回路35からの直流基準電圧Vsとの差電圧を増幅する構成となっている。
尚、これらピークホールド回路33、補助差動増幅器34及び基準電圧供給回路35によって、本発明でいうDC変換回路36が構成されるものである。
【0028】
ゲイン調整用差動増幅器37は、オペアンプ37a及びその帰還抵抗回路中に設けられた可変抵抗器37bなどを備えた周知構成のもので、補助差動増幅器34の出力電圧と基準電圧供給回路38からの直流基準電圧との差電圧を可変抵抗器37bの設定抵抗値に応じたゲインで増幅して出力する構成となっている。
【0029】
図2には、ブリッジ回路24が等価回路により示されている。この図2において、ブリッジ回路24にあっては、第1検出コイル18のインダクタンスL1 及び内部抵抗値r1 と第2検出コイル19のインダクタンスL2 及び内部抵抗値r2 とがそれぞれ互いに等しくなるように設定される。但し、L1 及びL2 、r1 及びr2 は、それらをトルクセンサ毎に厳密に一致させて製造することが困難であるので、「ほぼ等しい」という設定状態になる。
【0030】
本実施例の最大の特徴は、以下のような構成にある。即ち、第1抵抗器26及び第2抵抗器27の抵抗値をそれぞれR3 及びR4 とした場合、従来では、次式のようなブリッジ回路24の平衡条件を満たすためにR3 =R4 の状態に設定することが通常になっていた。
R4 ・(r1 +jωL1 )=R3 ・(r2 +jωL2 )
【0031】
これに対して、本実施例では、ブリッジ回路24の不平衡状態が拡大する方向となるようにR3 ≠R4 に設定している。つまり、トルク伝達軸11にトルクが印加されていない状態においても、第1ハーフブリッジ回路25及び第2ハーフブリッジ回路28の各中点間から比較的高いレベルの不平衡電圧が出力される構成となっている。このように出力された不平衡電圧は、これを増幅する差動増幅器32から交流電圧信号Vsub として出力される。また、この交流電圧信号Vsub は、ピークホールド回路33によって正側ピーク値がホールドされるものであり、以て印加トルクの大きさに応じてレベルが変化する検出電圧Vdが得られることになる。
【0032】
上記交流電圧信号Vsub は、ブリッジ回路24に交流電圧Vaが供給されている状態でトルク伝達軸11にトルクが印加されるのに応じて図4に示すように変化する。この図4において、Vsub(0)は印加トルクが零の場合の波形、Vsub(+)は正方向に一定のトルクが印加された場合の波形、Vsub(−)は逆方向に一定のトルクが印加された場合の波形である。これら交流電圧信号Vsub(0)、Vsub(+)、Vsub(−)が各正側ピーク値に対応したレベルの検出電圧Vdに変換されて出力されるものであり、それぞれのピーク値をVd(0)、Vd(+)、Vd(−)とした場合、Vd(+)>Vd(0)>Vd(−)の関係になる。尚、この場合、各交流電圧信号Vsub(0)、Vsub(+)、Vsub(−)の正側ピーク値が出力されるときの同期位相角は、図4中にθで示すようにほぼ一定の状態になる。
【0033】
図5(a)、(b)には、トルク伝達軸11に印加されるトルクと検出電圧Vdとの関係、並びにその検出電圧Vd(交流電圧信号Vsub の正側ピーク値に対応)が出力されるときの同期位相角θ(相対的な角度)が、
(a)R3 =R4 の関係に設定した場合(従来構成に相当)、
(b)R3 ≠R4 の関係に設定した場合(本実施例に構成に相当)、
のそれぞれについて示されている。
【0034】
図5(a)に示すように、R3 =R4 の関係に設定された場合でも、ブリッジ回路24の平衡条件を完全に満たすことが事実上不可能であるため、印加トルクが零の状態でも、検出電圧Vdに所定レベルのオフセット電圧が現れる。また、検出電圧Vdのレベルは、正方向及び逆方向のトルクの何れが印加された場合でも次第に上昇することになるが、その印加トルクが比較的低い期間には、検出電圧Vdの変化割合がオフセット状態に依存した状態になるため、トルク検出精度が悪くなるという事情がある。
【0035】
これに対して、図5(b)に示すように、R3 ≠R4 の関係に設定された場合には、印加トルクが零の状態時には所定レベルの検出電圧Vd(=k・Vd(0)、kは定数)が出力される。また、検出電圧Vdのレベルは、正方向のトルクが印加されるのに応じて上昇すると共に、逆方向のトルクが印加されるのに応じて低下するようになり、ほぼ直線的な変化特性を示すようになる。
【0036】
従って、本実施例にように、ブリッジ回路24を構成する第1抵抗器26の抵抗値R3 及び第2抵抗器27の抵抗値R4 の関係を、当該ブリッジ回路24の不平衡状態が拡大する方向となるR3 ≠R4 の関係に設定した場合には、トルク伝達軸11に対する印加トルクにほぼ比例した状態の検出電圧Vdが得られるようになる。このため、忠実なトルク検出が可能になると共に、従来構成のように同期検波時の同期位相角のずれに起因した検出感度の低下を招くことがなくなるから、その検出精度が向上するようになる。
【0037】
また、本実施例では、従来構成のように複雑な回路構成が必要となる同期検波回路が不要であるから、簡単且つ安価な回路構成とすることができる。また、このように回路構成が簡単化する結果、センサ出力を得るための信号処理回路の占有スペースが小さくなってプリント配線基板22の小型化が可能になるから、トルクセンサ全体の小型化に寄与できるようになる。
【0038】
さらに、本実施例では、基準電圧供給回路35から出力される基準電圧Vsのレベルを調整するだけで、印加トルクが零の場合の検出電圧Vsのレベルを零に設定することが可能である。このため、同期検波を行う従来構成のように、印加トルクが零のときに発生するオフセット電圧の出現を解消するために、トルクの非印加状態において同期位相角を種々変更して検出電圧Vdが零レベルとなる条件を探り出すという面倒な操作が不要となる。しかも、基準電圧Vsのレベルを調整することによって、印加トルクが零の状態時の検出信号Vdのレベルを任意に設定できるから、例えば、後段の信号処理回路とのマッチングのために検出電圧Vdのレベルを適宜に変更するという用途にも簡単に対応できることになり、総じて、実用性に優れたものとなる。
【0039】
(第2の実施の形態)
図6には本発明の第2実施例が示されており、以下これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
本実施例では、第1実施例におけるDC変換回路36(ピークホールド回路33、補助差動増幅器34及び基準電圧供給回路35)に代えて、整流回路39と第1実施例と基本的に同一構成の補助差動増幅器34及び基準電圧供給回路35とを組み合わせたDC変換回路40を設けた点に特徴を有する。
【0040】
上記整流回路39は、差動増幅器32から出力される交流電圧信号Vsub を整流する第1ダイオード41及びその整流出力を平滑するコンデンサ42から成り、その整流・平滑した検出電圧Vdを補助差動増幅器34に与える。また、基準電圧供給回路35は、直流基準電圧Vsを第2ダイオード43を通じて補助差動増幅器34に与える構成とされている。この場合、第1ダイオード41及び第2ダイオード43は、同一特性のものが用いられる。
【0041】
このような構成とした本実施例においても第1実施例と同様の効果を奏するものである。特に、本実施例によれば、第1実施例におけるDC変換回路36に比べてさらに簡略な構成のDC変換回路40を設ければ良いから、一段と簡単且つ安価な回路構成とすることができる。
【0042】
また、本実施例によれば、整流回路39内の第1ダイオード41の順方向電圧降下が周囲温度の上昇に応じて変動するため、これに応じて補助差動増幅器34に与えられる検出電圧Vdのレベルも変動することになる。しかし、本実施例では、基準電圧供給回路35からの直流基準電圧Vsが上記第1ダイオード41と同一特性の第2ダイオード43を通じて補助差動増幅器34に与えられる構成となっているから、検出電圧Vdのレベル変動分が、第2ダイオード43の順方向電圧降下の変動に応じて相殺されるようになる。この結果、周囲温度が変動した場合でも、安定したトルク検出特性が得られることになる。
【0043】
(第3の実施の形態)
図7には本発明の第3実施例が示されており、以下これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
この図7は、ブリッジ回路24の等価回路を示すものであり、本実施例では、第1ハーフブリッジ回路25を、抵抗器44a(抵抗値R3 )及び補助抵抗器44b(抵抗値R0 )を直列接続した第1抵抗器回路44と、第2抵抗器回路に相当する抵抗器45(抵抗値R4 )とを直列に接続して構成している。この場合、抵抗器44a及び45としては、同一特性・同一抵抗値のものが用いられる。また、補助抵抗器44bとしては、抵抗温度係数が小さい高精度抵抗が用いられる。
【0044】
この実施例によれば、第1抵抗器回路44の抵抗値(R3 +R0 )と第2抵抗器回路を構成する抵抗器45の抵抗値R4 とが、R3 +R0 ≠R4 の関係になるから、前記第1実施例と同様の効果を奏することができる。特に本実施例によれば、抵抗器44a及び45は、同一特性・同一抵抗値のものであるから、これらについては温度変化に対する抵抗値変化が同等に現れるようになる。従って、R3 +R0 ≠R4 の関係を厳密に設定するに当たって、補助抵抗器44bのみを高精度なものにすれば良く、抵抗器44a及び45として安価なものを用いることが可能になる。
【0045】
(第4の実施の形態)
図8には本発明の第4実施例が示されており、以下これについて前記第1実施例と異なる部分のみ説明する。
図8は、ブリッジ回路24の等価回路を示すものであり、本実施例では、第1ハーフブリッジ回路25を、抵抗器46a(抵抗値R3 )及び可変抵抗器46b(抵抗値ΔR)を直列接続した第1抵抗器回路46と、第2抵抗器回路に相当する抵抗器47(抵抗値R4 )とを直列に接続して構成している。この場合、抵抗器46a及び47としては、同一特性・同一抵抗値のものが用いられる。
【0046】
この実施例によれば、第1抵抗器回路46の抵抗値(R3 +ΔR)と第2抵抗器回路を構成する抵抗器47の抵抗値R4 とを、R3 +ΔR≠R4 の関係にできるから、前記第1実施例と同様の効果を奏することができる。特に本実施例によれば、ブリッジ回路24側において可変抵抗器46bの抵抗値ΔRを変えることによって、印加トルクが零のときの不平衡電圧のレベル(ひいては検出電圧Vdのレベル)を所定の値に簡単に設定できるようになる。
【0047】
【発明の効果】
本発明は以上の説明によって明らかなように、トルク伝達軸の外周面にトルクが印加された状態で透磁率が互いに異なる方向へ変化するように配置された第1及び第2磁歪材の透磁率変化に基づいてトルクを検出するセンサ、特には、その第1及び第2磁歪材の透磁率変化に応じてインダクタンスが変化する第1及び第2検出コイルと第1及び第2抵抗器回路とを用いて、印加トルクに応じた不平衡電圧を発生するブリッジ回路を構成するようにしたトルクセンサにおいて、第1抵抗器回路の抵抗値及び第2抵抗器回路の抵抗値をブリッジ回路の不平衡状態が拡大する方向となるように異ならせる構成としたものであり、これにより、簡単且つ安価な回路構成によりトルク検出精度を向上できると共に、トルクが印加されていない状態における検出電圧を容易に零レベルに設定できるという有益な効果を奏するようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例における回路構成図
【図2】ブリッジ回路の等価回路図
【図3】機械的構造を示す縦断面図
【図4】差動増幅器からの出力電圧波形例を示す特性図
【図5】印加トルクと検出電圧との関係を示す特性図
【図6】本発明の第2実施例を示す図1相当図
【図7】本発明の第3実施例を示す図2相当図
【図8】本発明の第4実施例を示す図2相当図
【図9】従来例を説明するための電気的構成図
【符号の説明】
11はトルク伝達軸、15は第1磁歪材、16は第2磁歪材、18は第1検出コイル、19は第2検出コイル、24はブリッジ回路、25は第1ハーフブリッジ回路、26は第1抵抗器(第1抵抗器回路)、27は第2抵抗器(第2抵抗器回路)、28は第2ハーフブリッジ回路、29は交流電源回路、32は差動増幅器、33はピークホールド回路(電圧変換回路)、34は補助差動増幅器、35は基準電圧供給回路、36はDC変換回路、39は整流回路、40はDC変換回路、41は第1ダイオード、42はコンデンサ、43は第2ダイオード、44は第1抵抗器回路、44aは抵抗器、44bは補助抵抗器、45は抵抗器(第2抵抗器回路)、46は第1抵抗器回路、46aは抵抗器、46bは可変抵抗器、47は抵抗器(第2抵抗器回路)を示す。
Claims (5)
- トルク伝達軸の外周面にトルク作用状態で透磁率が互いに異なる方向へ変化するように配置された第1及び第2磁歪材と、
これら第1及び第2磁歪材の透磁率変化に応じてインダクタンスが変化するように配置された第1及び第2検出コイルと、
第1及び第2抵抗器回路を直列接続した第1ハーフブリッジ回路並びに前記第1及び第2検出コイルを直列接続した第2ハーフブリッジ回路を並列に接続して形成されたブリッジ回路と、
前記第1及び第2ハーフブリッジ回路の各両端に交流電圧を印加する交流電源回路と、
前記第1及び第2ハーフブリッジ回路の各中点間に発生する前記ブリッジ回路の不平衡電圧出力を差動増幅する差動増幅器と、
この差動増幅器の出力をそのピーク値に応じたレベルの直流電圧に変換するDC変換回路とを備え、
前記第1抵抗器回路の抵抗値及び第2抵抗器回路の抵抗値を前記ブリッジ回路の不平衡状態が拡大する方向となるように異ならせたことを特徴とするトルクセンサ。 - 前記第1ハーフブリッジ回路を構成する第1抵抗器回路は、
前記第2抵抗器回路と同一抵抗値の抵抗器と所定抵抗値の補助抵抗器とを直列接続して構成されたものであることを特徴とする請求項1記載のトルクセンサ。 - 前記第1ハーフブリッジ回路を構成する第1抵抗器回路は、
前記第2抵抗器回路と同一抵抗値の抵抗器と可変抵抗器とを直列接続して構成されたものであることを特徴とする請求項1記載のトルクセンサ。 - 前記DC変換回路は、
前記差動増幅器からの出力電圧の一方の極性側ピークをホールドするピークホールド回路と、
このピークホールド回路の出力電圧と所定の直流基準電圧との差電圧を増幅する補助差動増幅器とにより構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のトルクセンサ。 - 前記DC変換回路は、
前記差動増幅器からの出力電圧を整流・平滑する第1ダイオード及びコンデンサから成る整流回路と、
所定の直流基準電圧を第2ダイオードを通じて出力する基準電圧供給回路と、
前記整流回路の出力電圧と前記基準電圧供給回路の出力電圧との差電圧を増幅する補助差動増幅器とにより構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のトルクセンサ。
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