JP2004165629A - 特にマイクロリソグラフィのための基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】EUVマイクロリソグラフィのための基板を、基層および少なくとも1層の被覆層を備え、前記基層の熱膨張係数が最大で0.1ppm/℃であり、前記被覆層の熱膨張係数が最大で1ppm/℃であるように構成する。
【選択図】図3
Description
本発明の第二の態様は、セラミックス及び/またはガラスセラミックスから成る基層と二酸化ケイ素から成る少なくとも1層の被覆層で構成されるEUVマイクロリソグラフィ用基板に関する。
本発明の第三の態様は、最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の被覆層と最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の基層から成るEUVマイクロリソグラフィ用基板の製造方法に関し、
本製造方法は、
(a)最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ基層を供するステップと、
(b)最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数をもつ被覆層を適用するステップと、
(c)必要である場合、前記被覆層を研磨するステップから構成される。
本発明の第四の態様は、基板及び反射層から成るEUVマイクロリソグラフィ用素子(マスク、ミラー等)に関し、ここで前記基板は最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の被覆層と最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の基層から成っている。
本発明の第五の態様は、EUVマイクロリソグラフィ用素子の製造方法に関し、ここで前記素子は基板と反射性コーティングから構成され、前記基板は最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の被覆層と最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の基層から成り、
本製造方法は、
(A)最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の基層を供するステップと、
(B)最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の被覆層を適用するステップと、
(C)必要である場合、前記被覆層を研磨するステップと、
(D)前記基板の前記被覆層上へ反射性コーティングを設けるステップから構成される。
本発明の第六の態様は、最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ基層と最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の被覆層から成る精密部品用基板に関し、ここで前記被覆層の表面粗さは最大で1nm(rms)である。
本発明のさらなる特徴及び利点については以下の詳細な説明において述べられているが、一部については以下の詳細な説明から当業者に明らかとなるものであり、又は、クレーム、さらに添付図面を含めて本明細書に記載された通りに本発明を実施することによって理解されるものである。
上記の概略的説明及び以下の詳細な説明は単に本発明の例示であり、クレームされた本発明の性質及び特徴を理解するための概略あるいは基礎構成を提供することを意図したものであることが理解されるべきである。
本発明においては「極端UV」領域には、具体的には、11〜14nmの領域の波長による電磁照射を含めるものとする。
この基層は具体的には、以下で定義するような「実質ゼロ膨張係数」として知られる性質を有しているのが好ましい。この被覆層、および/または他の層が存在していれば好ましくはその層の熱膨張係数も1.0ppm/℃以下であり、0.5ppm/℃以下であればより好ましい。
(a)熱膨張係数が最大でも0.1ppm/℃の基層を提供する工程と、
(b)熱膨張係数が最大でも1.0ppm/℃の被覆層を適用させる工程と、
(c)必要であれば、被覆層を研磨する工程。
従って本発明の別の態様は、最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の被覆層と最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の基層から成る基板と反射性コーティングから構成されるEUVマイクロリソグラフィ用素子(マスク、ミラー等)に関する。
前記反射層は好ましくは多層コーティングとすることができ、厚さ約2.8nmのMoと厚さ約5.0nmのSiとの交互層にすればさらに好ましい。かかる反射性のMoSi多層へは通常空気への露出によるMoの酸化を防止するため厚さ約4nmのSiキャップ形成層を設けることも可能である。
EUVマイクロリソグラフィ用素子がマスクあるいはマスクブランクである場合、かかる素子は本発明に係る基板、該基板上へ設けられたEUV放射線反射層、及び該記反射層上へ設けられた吸収層から構成される。
上記吸収層はCr、Al、Ti、Ta等の少なくとも1種のEUV放射線吸収性元素あるいはそれらの混合物を含む。
(A)最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の基層を供するステップと、
(B)最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数をもつ少なくとも1層の被覆層を処理するステップと、
(C)適当である場合、前記被覆層を研磨するステップと、
(D)前記基板の被覆層上へ反射層を設けるステップから構成される。
EUVマイクロリソグラフィへマスクあるいはマスクブランクが供される場合、前記方法にはさらに前記反射層上へ前述した吸収層を設けるステップが加えられる。基板上へ反射層等の層をさらに設ける場合及びマスクブランクの場合、PVD法あるいはスパッタリング法によって基板上へEUV放射線吸収層が設けられる。
それゆえ、本発明の第六の態様は、最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつ基層と最大で1ppm/℃の熱膨張係数をもちかつ表面粗さが最大で1nm(rms)である少なくとも1層の被覆層から構成される精密部品用基板に関するものである。本発明の第六の態様における表現「精密部品」にはミラー等の光学素子も含まれる。
前記した精密部品用基板の被覆層の表面粗さは好ましくは最大で0.5nm(rms)であり、より好ましくは最大で0.2nm(rms)、特に好ましくは最大で0.1nm(rms)である。本発明の第六の態様はIBF法等によって処理された精密部品に特に有用である。
本発明の第六の態様においては、前記少なくとも1層の基層は極めて低い熱膨張係数(CTE)αをもつ物質から成ることが好ましい。この層あるいはこの層に用いられる物質は最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数をもつことが好ましいが、最大で10ppb/℃の熱膨張係数をもつことがさらに好ましい。−40℃〜+400℃の温度範囲において、好ましくは0〜50℃の温度範囲において本質的にディメンションに何ら変化を受けない、つまり好ましくは最大で10ppb/℃のCTEをもつ「ゼロ近似あるいは仮想ゼロ膨張物質」として知られる物質が好ましい。
基層の上部には少なくとも1層の被覆層が配置されるので精密部品の基板は少なくとも2層になる。
被覆層及び/または被覆層材料は最大で1.0ppm/℃、好ましくは最大で0.5ppm/℃の熱膨張係数をもつ。
被覆層の厚さは0.01〜100μmの範囲内、より好ましくは0.01〜50μmの範囲内、さらに好ましくは0.1〜50μmの範囲内であり、0.1〜10μmの範囲内であることが最も好ましい。
被覆層は、適当な場合酸化チタン及び/または他の金属酸化物及び/またはフッ素及び/またはこれら成分の混合物でドーピングされた二酸化ケイ素から成ることが好ましい。酸化チタンでドーピングすることにより、二酸化ケイ素被覆層の熱膨張係数を基層の熱膨張係数へ合わせることが可能である。二酸化ケイ素被覆層は5〜10重量%の酸化チタン含量でドーピングされていることが好ましい。
好ましい実施態様においては、前記被覆層は前記基層の表面を完全に覆っている。しかしながら、本発明では、被覆層は基層の例えば端部を覆っていなくても表面粗さの観点から精度が要求される部位のみ覆っていればよい。
精密部品用基板の製造方法は上述したEUVマイクロリソグラフィ用基板の製造方法と同様である。
前記基層へぴったりと付着させた被覆層は高温への加熱と室温までの冷却のサイクル暴露後であってもクラッキングを起こさなかった。IBP法実施中に基板の表面粗さの増加は認められなかった。
前記基層へぴったりと付着させた被覆層は高温への加熱と室温までの冷却のサイクル暴露後であってもクラッキングを起こさなかった。IBP法実施中に基板の表面粗さの増加は認められなかった。
Claims (20)
- 基層および少なくとも1層の被覆層を備え、前記基層の熱膨張係数が最大で0.1ppm/℃であり、前記被覆層の熱膨張係数が最大で1ppm/℃である、EUVマイクロリソグラフィのための基板。
- 前記被覆層が、0.01〜100μmである、請求項1に記載の基板。
- 前記被覆層が、最大で0.5nm(rms)の表面粗さである、請求項1に記載の基板。
- 基層および少なくとも1層の被覆層を備え、前記基層がセラミックスおよび/またはガラスセラミックを含み、前記被覆層が二酸化珪素を含む、EUVマイクロリソグラフィのための基板。
- 前記基層が、ゼロデュール(Zerodur)(登録商標)、ゼロデュールM(Zerodur M)(登録商標)、クリアセラム(ClearCeram)(登録商標)または、コーディエライト含有セラミックスを含む、請求項4に記載の基板。
- 前記被覆層がドーピングした二酸化ケイ素を含む、請求項5に記載の基板。
- 前記被覆層が、TiO2、他の金属酸化物、Fおよび/またはこれらの成分の混合物をドーパントとして含む、請求項6に記載の基板。
- 前記被覆層の厚さが、0.01〜100μmである、請求項4に記載の基板。
- 少なくとも1層の被覆層と少なくとも1層の基層を備え、前記基層は最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数を有し、前記被覆層は最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数を有する基板を製造するための方法であって、
(a)熱膨張係数が最大でも0.1ppm/℃の基層を提供する工程と、
(b)熱膨張係数が最大でも1.0ppm/℃の被覆層を付着させる工程と、
(c)必要であれば、前記被覆層を研磨する工程と、
を含む方法。 - 前記被覆層を、CVD法、特にPECVD法、PACVD法またはPICVD法により付着させる、請求項9に記載の方法。
- 前記被覆層をIBF法により後処理する、請求項9に記載の方法。
- 前記被覆層を0.01μm〜100μmの厚さで付着させる、請求項9に記載の方法。
- 基板と、基板上に用意された1層の反射層とを含むEUVマイクロリソグラフィのための要素であって、
前記基板は少なくとも1層の基層と少なくとも1層の被覆層を含み、前記基層は最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数と、前記被覆層は最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数を有する要素。 - 前記反射層は多層からなる、請求項13に記載の要素。
- 前記反射層は、MoとSiの交互層である、請求項14に記載の要素。
- 前記要素は、EUVマイクロリソグラフィのためのミラーである、請求項13記載の要素。
- 前記要素は、EUVマイクロリソグラフィのためのマスクまたはマスクブランクである、請求項13記載の要素。
- 前記反射層上に更に吸収層を備えている、請求項17記載の要素。
- EUVマイクロリソグラフィのための要素を製作する方法であって、前記要素は基板と、基板上に用意された反射層を含み、前記基板は少なくとも1層の被覆層と少なくとも1層の基層を含み、前記基層は最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数を有し、前記被覆層は最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数を有し、
(A)最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数を有する少なくとも一つの基層を用意し、
(B)最大で1.0ppm/℃の熱膨張係数を有する少なくとも一つの被覆層を適用し、
(C)必要であれば、前記被覆層を研磨し、
(D)前記基板の前記被覆層上に反射層を用意する、
ステップからなる方法。 - 基層と少なくとも1層の被覆層を含む精密部材のための基板であって、前記基層は最大で0.1ppm/℃の熱膨張係数を有し、前記被覆層は最大で1ppm/℃の熱膨張係数を有し、前記被覆層の表面粗さは最大で1nm(rms)である基板。
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