CN100549818C - 用于特殊微型光刻的基片 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种特别用于EUV-微型光刻的基片、这种基片的生产方法以及该基片特别是在EUV-微型光刻中作为镜面和/或掩模或掩模坯的基片的应用。
Description
发明领域
本发明涉及用于EUV微型光刻和精密部件的基片、涉及用于EUV微型光刻的构件如镜面和/或掩膜或掩模坯件以及涉及这类基片或构件的制备。
背景技术
在集成电路的生产中，芯片的结构总是趋向于越来越小。因此为了生产这样的芯片，就需要可以以越来越小的照射光波长工作的光刻系统。现在使用和研究的波长是248、193或157nm。而未来则会在这样的光刻系统中建议使用在所谓远紫外区域的电磁射线，特别是在11到14nm区域内的。在该区域内，需从至今通常的透射系统过渡到具有反射光学元件和掩模的反射系统。迄今为止，对于这种反射系统，仅很少描述用于掩模及有关光学镜面的、能满足很苛刻技术要求的基片。
DE 19830449A1描述了一种镜面基片，其中，给具有高热传导能力的基片体涂覆有一层薄的、无定形的石英玻璃、无定形二氧化硅或氧化铝的膜。
US 6159643描述了一种反射掩模，其包括图形形成层和基片。其中基片具有四分之一波长的光学平面的或更好的表面层，和具有热膨胀系数α(或CTE)小于1.0ppm/℃的底层。特别的，使用硅作为覆盖层。
这两篇文献描述硅在EUV-光刻基片中作为其中一层的应用。但是硅具有高的热传导性和热膨胀，这对于EUV-光刻来说是不利的。
WO 01/07967和WO 01/08163A1描述了用于EUV-光刻的掩模或镜面，其中将钛掺杂的高纯二氧化硅玻璃作为基片。但是，该材料由于其特殊的生产过程，通常在用于EUV-光刻时不能提供足够的均匀性。
玻璃陶瓷，如Zerodur
，由于其极小的热膨胀性和很好的均匀性，很适于用作EUV-光刻的掩模和/或镜面。
由于这些原因，初始的光学系统就是基于Zerodur
-基片而生产制得的。其中可肯定的是，该系统尽管可以用传统的方法抛光至特别适合的0.1nm的表面粗糙度，但是该粗糙度在接着进行常规的离子束蚀刻时就失去了。表面粗糙度在这样的处理后会升高2到5个因子。但是因为用于EUV-光刻的基片的表面粗糙度要求为0.1nm rms，所以就限制了这种基片在适于生产的光学系统中的应用。
发明内容
因此，本发明的任务在于制备用于镜面和/或掩模的新型基片，其可以应用于EUV-光刻中，并且不会具有现有技术所有的那些缺点。
上述该任务可以通过在权利要求中描述的本发明的实施方案来解决。
本发明的第一方面涉及一种用于EUV-微型光刻(EUV“远紫外”)的基片，它包括至少一层覆盖层和至少一层基质层，其中的基质层具有最高为0.1ppm/℃的热膨胀系数，且覆盖层具有最高1.0ppm/℃的热膨胀系数。
本发明的第二方面涉及含一层基质层和至少一层覆盖层的用于EUV微型光刻的基片，其中基质层包括陶瓷和/或玻璃陶瓷，覆盖层包括二氧化硅。
本发明的第三方面涉及一种制备用于EUV微型光刻的基片的方法，其中该基片包含至少一层覆盖层和至少一层基质层，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1.0ppm/℃，其中该方法包括下列步骤：
(a)提供一层其热膨胀系数最高为0.1ppm/℃的基质层，
(b)涂布热膨胀系数最高为1.0ppm/℃的覆盖层，
(c)如需要，对覆盖层进行抛光。
本发明的第四方面涉及一种用于EUV微型光刻的构件(如掩膜或镜面)，该构件包含基片和反射层；其中该基片包括至少一层覆盖层和至少一层基质层，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1.0ppm/℃。
本发明的第五方面涉及一种制备用于EUV微型光刻的构件的方法，其中该构件包含基片和反射涂层；其中基片包含至少一层覆盖层和至少一层基质层，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系最高为1.0ppm/℃；该方法包括下列步骤：
(A)提供至少一层热膨胀系数最高为0.1ppm/℃的基质层，
(B)涂布至少一层热膨胀系数最高为1.0ppm/℃的覆盖层，
(C)如需要对覆盖层进行抛光，和
(D)在基片的覆盖层上提供反射涂层。
本发明的第六方面涉及一种用于精密部件的基片，它包含基质层和至少一层覆盖层，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1ppm/℃，其中覆盖层的表面粗糙度最高为1nm rms。
本发明的其它特征和优点将在下面的详细描述中给出，通过实施这里描述的本发明，包括下面的详细描述、权利要求以及附图，其中部分对本专业技术人员来说是显而易见的。
应理解，前面的概述和下面的详述均仅为本发明的示范性的说明，是打算提供用于理解本发明要求保护的性质和特征的综述和范围。
附图简述
图1示出作为用于EUV微型光刻的镜面的本发明的基片的截面图。
图2示出用于EUV微型光刻的掩模坯件中的本发明的基片的截面图。
图3示出用于EUV微型光刻的掩模中的本发明的基片的截面图。
发明详述
在第一和第二方面，本发明涉及用于EUV微型光刻(EUV意指“远紫外”)的基片，它包含至少一层覆盖层和至少一层基质层。
根据本发明，“远紫外”区特别包括波长在11到14nm范围内的电磁辐射。
本发明中发现，通过将具有低热膨胀性且包含如二氧化硅的层覆盖到包含具有非常低热膨胀材料如玻璃陶瓷的底层上去就可以令人惊奇的消除材料如玻璃陶瓷和陶瓷的上述缺点。特别是该基质层可以具有较差的表面粗糙度，并尽管如此还可以通过覆盖层得到适于微型光刻要求的表面粗糙度。
因此，本发明的基片具有至少一种两层结构，即至少一层所谓的基质层和至少一层所谓的覆盖层。
本发明的由至少一层基质层和至少一层覆盖层构成的基片作为基片材料，与金属或半金属如硅(CTE＞2ppm/℃)相比，优选具有低的热膨胀性(CTE≤1ppm/℃)。
按照一种实施方案，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1.0ppm/℃。
特别优选基质层或多个基质层具有所谓的如后面定义的“近乎零膨胀性”。覆盖层(或多个覆盖层)和/或优选的其他存在的层也可具有≤1.0ppm/℃的小的热膨胀性，优选≤0.5ppm/℃。
所谓基质层或下面的层是指背向以后的基片表面，例如用于EUV-光刻的掩模或镜面的反射表面的一层或多层。
按本发明至少一个基质层优选包含一种具有很低热膨胀系数α(或CTE)的材料。该层或者该层的材料的热膨胀系数优选最高0.1ppm/℃，更优选的是至多10ppb/℃。特别优选的是所谓的“近乎零膨胀的材料”，其在温度-40℃到+400℃的范围内，优选0℃到50℃时，基本上不会经历尺寸的变化，即具有最高10ppb/℃的CTE。
优选本发明基片的基质层包含陶瓷材料和/或玻璃陶瓷。作为玻璃陶瓷的有比如可商购的产品Zerodur
(SCHOTT Glas，Hattenbergstraβe10，Maiz，Germany)，Zerodur
M(SCHOTT GlasHattenbergstraβe 10，Maiz，Germany)，Clearceram(OharaKanagawa，Japan)或Clearceram
Z(Ohara，Kanagawa，Japan)或具有低热膨胀的其他的玻璃陶瓷。一类包括Clearceram
的适用的玻璃陶瓷描述于US 5591682中，将其引入本文作为参考。作为陶瓷材料合适的有比如这样一些热膨胀系数≤0.1ppm的材料，比如含堇青石的陶瓷，也可以是复合材料和材料复合物(如具有小热膨胀的纤维增强材料)。SiC、氧化铝和/或它们的混合物也可以用作基片材料。
玻璃陶瓷材料是具有晶体相和玻璃相的无机非孔材料。
根据发明，优选作为基质层的是Zerodur
和它的变体(比如Zerodur
M)。
在DE 1902432中第一次描述了Zerodur
。而Zerodur
M涉及的是一种基本上不含氧化镁的Zerodur组合物，比如在US 4851372中所描述的。Zerodur
和ZerodurM的特性和组成在现有技术中已是公知的，并且例如描述于“Low Expansion Glass Ceramics(低膨胀的玻璃陶瓷)”，H.Bach(编辑)，Schott Series on Glass and GlassCeramics，Sience，Technology，and Applications，SpringerVerlag中，将所引的关于Zerodur
和类似玻璃陶瓷的出版物引入本文作为参考。
Zerodur
含有70到80重量百分比的具有所谓的“高石英(Hoch-Quarz)”结构的晶体相或结晶相。它具有负的线性热膨胀，而玻璃化相或玻璃相的热膨胀则为正。玻璃陶瓷Zerodur
的基质玻璃的特殊组成和确定的晶核形成和结晶条件产生一种具有极低热膨胀的材料，且其可以在一定的温度范围内热膨胀是零或略呈负数。
基质层的厚度优选至少5mm，使其物理性能，特别是它的热膨胀性能确定了由基质层和覆盖层组成的整个系统的性能。在涂布覆盖层之前的基质层的表面粗糙度优选至多1nm rms，更优选的是不超过0.5nmrms。
该基质层可由一层或多层的二层或多层组成，如果需要可有不同的成分和/或不同的物理特性。但是，优选是，该基质层仅由一层组成。
本发明在基质层上设置至少一层覆盖层，从而形成用于EUV光刻的一种至少两层的基片。
覆盖层如需要可以由具有不同成分和/或不同物理性能的多层单层组成。例如，在位于靠近基质层那一面上覆盖层的掺杂，与背向基质层的那一面相比，可以跳跃式或逐渐地变化。倘若以下再使用覆盖层这一术语，就指的是全部的，如需要可由多层单层组成的覆盖层。
覆盖层或覆盖层材料具有最高1.0ppm/℃，优选最高0.5ppm/℃的热膨胀系数。
覆盖层的厚度优选0.01到100μm，较优选是0.01-50μm，更优选的是0.1到50μm，最优选的为0.1到10μm。此外，覆盖层的表面粗糙度优选最高0.5nm rms，更优选的是最高0.2nm rms以及最优选的是最高0.1nm rms。
该覆盖层优选包含二氧化硅，必要时可以向其中掺杂以氧化钛和/或其他金属氧化物和/或氟和/或这些成分的混合物。借助掺杂氧化钛，二氧化硅覆盖层的热膨胀系数就能和基质层的热膨胀系数相配。优选二氧化硅覆盖层中掺杂以氧化钛的量为5到10重量％。
本发明的基片，如需要可以包含位于基质层和覆盖层之间的粘合层。但是更优选的方案是直接将覆盖层涂在基质层上。现已发现，很可能是因为覆盖层的小厚度，以及覆盖层和基质层间极其微小的热膨胀系数差别，使得覆盖层在温度变化时也不会产生裂缝，而且在经历加热和降温循环之后不会受损且保持牢固的贴附在基质层上。
根据优选的实施方案，覆盖层是完全覆盖基质层表面的。但是根据本发明，覆盖层也可以不覆盖例如基质层的周边区域。
本发明的另一方面涉及按本发制备用于EUV微型光刻的基片的方法，其中该基片包含至少一层覆盖层和至少一层基质层，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1.0ppm/℃，其中该方法包括下列步骤：
(a)提供具有热膨胀系数最高为0.1ppm/℃的基质层，
(b)涂上具有热膨胀系数最高为1.0ppm/℃的覆盖层，并且
(c)如需要对覆盖层进行抛光。
优选将制备得到的基质层抛光到粗糙度为至多1nm rms，优选至多约0.5nm rms。
在基质层上涂覆覆盖层的方法优选是CVD法(CVD，“化学气相沉积”)，特别如PICVD法(PICVD，“等离子体脉冲CVD”)、PACVD法(PACVD，“等离子体辅助CVD”)或PECVD法(PECVD，“等离子增强CVD”)。但是，也可以使用别的现有技术已知的方法，例如溶胶-凝胶法，PVD法(PVD，“物理气相沉积”)和/或喷涂，必要的话还可借助离子轰击。
在CVD法中，通过无机或有机前体材料的反应以及反应产物在表面上的沉积作用而制得表面上的涂层。
PECVD法生产时，在气相中，即所谓的“等离子体”中，通过辉光放电使存在着的有机或无机的待形成涂层的前体物料发生活化。然后反应产物以薄层形式沉积在待涂表面上。这样制得的层具有较高的堆积密度(＞98％)，并且对环境影响很稳定。
在PICVD法中，将待形成的介电材料的前体物料以气态和氧气以及需要时的载流气一起，直接引入微波释放室中，并且通过微波释放触发该混合物，即等离子体。将等离子体引入涂层室以及通过微波脉冲触发的步骤经多次进行，由此产生“脉冲”过程。该方法特征在于具有很高的沉积率(典型的为5到15nm/s)以及较好的均匀度(比如，超过约90mm半径的偏差≤1.5％)。
在喷涂法中，除了纯物质(元素及简单化合物)外，玻璃材料，玻璃陶瓷和陶瓷材料也可作为喷涂的靶子。以这种方式也可以实现将复杂组合物作为覆盖层。
优选涂覆含有二氧化硅的覆盖层。这种覆盖层必要时候可以用上述掺杂剂掺杂。使用这种掺杂方式，可以使覆盖层和基质层的热膨胀系数相配。通常这种相互匹配并不是必需的，因为，例如，石英玻璃就已经具有较低的膨胀系数了，并且根据优选实施方案，该覆盖层相对于基质层来说是较薄的。
涂覆的覆盖层厚度优选0.01到100μm，较优选0.01-50μm，更优选0.1到50μm，最优选是0.1到10μm。如果需要对覆盖层抛光，并因此通过抛光工序会去掉部分覆盖层，则所涂的覆盖层厚度应该相应于所预期的覆盖层厚度与通过抛光去掉的层的厚度之和。
在涂覆了覆盖层之后，必要时便可对其抛光。但是，按照优选的实施方案，覆盖层通过涂覆过程已经具有了所需的至多0.5nm rms，更优选至多0.2nm rms，特别优选至多0.1nm rms的表面粗糙度。倘若该覆盖层的表面粗糙度还高于所需值，就要优选对该层进行抛光。
必要的话，也可以对覆盖层通过离子束法(即所谓的“离子束修整(IBF)”)或是通过磁流变抛光技术来进行后处理。
在IBF法中，可以使用离子束作为工具从表面材料上除去预期的厚度。由于离子束的蚀刻率低(一般为100nm/min)，所以该方法只适于对材料去除小的厚度(最大几μm)。在离子束修整法中，通过离子轰击去掉的实际是单原子层。
本发明的基片可用于EUV微型光刻的构件如微型光刻掩模、掩模坯和/或镜面。
因此，本发明的另一方面涉及用于EUV微型光刻的构件(例如掩模和镜面)，它包含基片和反射涂层，其中该基片含至少一层覆盖层和至少一层基质层，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1.0ppm/℃。
在基片的覆盖层和反射层之间可提供粘合层。但优选是将反射层直接涂布在基片的覆盖层上。
该反射层可优选是多层涂层，甚至更优选是Mo和Si的交替层，其中Mo的厚度约为2.8nm，Si的厚度约为5.0nm。在反射的MoSi多层上可提供约4nm厚的Si顶盖层，以防止在正常大气下的Mo氧化。
当用于微型光刻的构件是镜面时，该构件或至少该构件的表面可以是平面的或曲面的。在赋予镜面的曲表面时，可能的是使基质层呈所需的最后形状。然后涂的覆盖层、需要时的粘合层和反射层。
图1示出本发明的平面镜面10的一个实施方案的截面图。基片11由基质层12和覆盖层13组成。在覆盖层13上提供反射层14，该反射层可由多层组成。
当用于EUV微型光刻的构件是掩模或掩模坯件时，这种构件包括本发明的基片、在基片上提供的对EUV辐射的反射层和在反射层上的吸收层。
该吸收层包括至少一种吸收EUV辐射的元素如Cr、Al、Ti、Ta等或其混合物。
图2示出本发明的掩模坯件20的一个实施方案的截面图。该基片21由基质层22和覆盖层23组成。在覆盖层23上提供反射层24，反射层可由多层涂层组成。在反射层24上提供吸收层25。
图3示出本发明的制作布线图案的掩模30的一个实施方案的截面图。该基片31由基质层32和覆盖层33组成。在覆盖层33上提供可以由多层涂层组成的反射层34。在反射层34上提供的吸收层35已制成布线图案，以形成用于微型光刻的掩模。
本发明的另一方面涉及制备用于EUV微型光刻的构件的方法，其中该构件包含基片和反射层，其中基片包含至少一层覆盖层和至少一层基质层，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1.0ppm/℃，该方法包括下列步骤：
(A)提供至少一层热膨胀系数最高为0.1ppm/℃的基质层，
(B)涂布至少一层热膨胀系数最高为1.0ppm/℃的覆盖层，
(C)如需要对覆盖层进行抛光。
(D)在基片的覆盖层上提供反射涂层。
在必须提供用于EUV微型光刻的掩模或掩模坯件时，该方法还包括提供吸收层的另一步骤，如上面对反射层所描述的。
优选的是采用PVD或喷涂方法在基片上提供其它层，如反射层和在掩模坯件情况下的吸收EUV辐射的吸收层。
本发明的基片也可用于不同于EUV微型光刻的其它技术领域。特别是本发明的基片可用于要求基片具有低的表面粗糙度和部件的低热膨胀的各领域。
所以，本发明的第六方面涉及用于精密部件的基片，该基片包含基质层和至少一层覆盖层，该基质层的热膨胀系数最高为0.1ppm/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1ppm/℃，其中覆盖层的表面粗糙度最高为1nm rms。按照本发明的第六方面，术语“精密部件”也包括光学构件，如镜面等。
对于精密部件，其基片的覆盖层的表面粗糙度优选最大为0.5nmrms，更优选最大0.2nm rms，特别优选最大0.1nm rms。本发明的第六方面对用IBF或类似方法处理的精密部件特别有用。
按照本发明的第六方面，至少一层基质层优选包含具有很低热膨胀系数α(或CTE)的材料。该层或者该层的材料的热膨胀系数优选最高0.1ppm/℃，更优选的是至多10ppb/℃。特别优选的是所谓的“近乎零膨胀的材料”，其在温度-40℃到+400℃的范围内，优选0℃到50℃范围内，基本上不会经历尺寸的变化，即具有最高100ppb/℃的CTE。
优选本发明基片的基质层包含陶瓷材料和/或玻璃陶瓷。作为玻璃陶瓷的有比如可商购的产品Zerodur
(SCHOTT Glas，Hattenbergstraβe 10，Maiz，Germany)，Zerodur
M(SCHOTT GlasHattenbergstraβe 10，Maiz，Germany)，Clearceram(Ohara Kanagawa，Japan)或Clearceram
Z(Ohara，Kanagawa，Japan)或具有低热膨胀的其他的玻璃陶瓷。一类包括Clearceram
的适用的玻璃陶瓷描述于US5591682中，将其引入本文作为参考。作为陶瓷材料合适的有比如这样一些热膨胀系数≤0.1ppm的材料，比如含堇青石的陶瓷，也可以是复合材料和材料复合物(如具有小热膨胀的纤维增强材料)。SiC、氧化铝和/或它们的混合物也可以用作基片材料。
根据发明，优选作为基质层的是Zerodur
和它的变体(比如ZerodurM)。在DE 1902432中第一次描述了Zerodur
。而Zerodur
M涉及的是一种基本上不含氧化镁的Zerodur
组合物，比如在US4851372中所描述的。Zerodur
和Zerodur
M的特性和组成在现有技术中已是公知的，并且例如描述于“Low Expansion Glass Ceramics(低膨胀的玻璃陶瓷)”H.Bach(编辑)，Schott Series on Glass andGlass Ceramics，Sience，Technology，and Applications，Springer Verlag，Germany中，所引证的有关Zerodur和类似玻璃陶瓷的出版物引入本文作为参考。
Zerodur
含有70到80重量百分比的具有所谓的“高石英”结构的晶体相或结晶相。它具有负的线性热膨胀，而玻璃化相或玻璃相的热膨胀则为正。玻璃陶瓷Zerodur
的基质玻璃的特殊组成和确定的晶核形成和结晶条件产生一种具有极低热膨胀的材料，且其可以在一定的温度范围内是零或略呈负数。
根据本发明的第六方面的基质层可由一层或多层的2或3层组成，如需要可具有不同的成分和/或不同的物理特性。但是该基质层优选仅由一层组成。
在基质层上设置至少一层覆盖层，以得到用于精密部件的至少两层的基片。
覆盖层如需要可以由具有不同成分和/或不同物理性能的多层单层组成。例如，在位于靠近基质层那一面上覆盖层的掺杂，与背向基质层的那一面相比，可以跳跃式或逐渐地变化。
覆盖层或覆盖层材料具有最高1.0ppm/℃，优选最高0.5ppm/℃的热膨胀系数。
覆盖层的厚度优选0.01到100μm，优选的是0.01-50μm，更优选的是0.1到50μm，最优选的为0.1到10μm。
该覆盖层优选包含二氧化硅，必要时可以向其中掺杂以氧化钛和/或其他金属氧化物和/或氟和/或这些成分的混合物。借助掺杂氧化钛，二氧化硅覆盖层的热膨胀系数就能和基质层的热膨胀系数相配。优选二氧化硅覆盖层中掺杂以氧化钛的量为5到10重量％。
本发明的基片，如需要可以包含位于基质层和覆盖层之间的粘合层。但是更优选的方案是直接将覆盖层涂在基质层上。
根据优选的实施方案，覆盖层是完全覆盖基质层表面的。但是根据本发明，覆盖层也可以不覆盖例如基质层的周边区域，而仅覆盖其表面粗糙度要求精密的区域。
用于制备精密部件用的基片的方法与上述制备用于微型光刻的基片的方法相同。
实施例
实施例1
应用PICVD方法将厚度为1.5μm的SiO2面层涂布在厚度为5mm和表面粗糙度为0.1nm rms的Zerodur(膨胀级为0，购自SCHOTTGlas公司，Hattenbergstraβe 10，Mainz，Germany)的基质层上。该覆盖层经抛光到表面粗糙度为0.5nm rms。
该覆盖层紧密地附着在基质层上，在经加热到高温并再冷却到室温的循环后未产生裂纹。该基片的表面粗糙度在IBF过程中未有增加。
实施例2
应用溅射方法(用7.5重量％的TiO2掺杂的SiO2靶)将厚度为1.5μm的Ti掺杂的SiO2面层涂布在厚度5mm和表面粗糙度为0.1nm rms的Zerodur
(膨胀级为0，购自SCHOTT Clas公司，Hattenbergstraβe10，Mainz，Germany)的基质层上。该覆盖层经抛光到表面粗糙度为0.5nm rms。
该覆盖层紧密地附着在基质层上，在经加热到高温并再冷却到室温的循环后来产生裂纹。该基片的表面粗糙度在IBF过程中未有增加。
Claims (18)
1.一种适用于EUV微型光刻的基片，它包括基质层和至少一层覆盖层，该基质层的热膨胀系数最高为10ppb/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1ppm/℃；其中覆盖层包含掺杂有TiO2的二氧化硅，覆盖层的厚度为0.01-100μm，覆盖层的表面粗糙度至多为0.5nm rms，且TiO2的含量为5到10重量％。
2.根据权利要求1的基片，其中基质层包含陶瓷和/或玻璃陶瓷。
3.根据权利要求2的基片，其中的基质层包含
或者含有堇青石的陶瓷。
4.一种制备根据权利要求1或2的基片的方法，其中该方法包括下列步骤：
(a)提供一层热膨胀系数最高为10ppb/℃的基质层，
(b)涂布热膨胀系数最高为1.0ppm/℃的覆盖层，
(c)如需要，对覆盖层进行抛光。
5.根据权利要求4的方法，其中的覆盖层通过CVD法涂覆。
6.根据权利要求5的方法，其中所述CVD法是PECVD法、PACVD法或PICVD法。
7.根据权利要求4或5的方法，其中的覆盖层通过IBF法进行后处理。
8.根据权利要求4或5的方法，其中覆盖层厚度为0.01到100μm。
9.一种用于EUV微型光刻的构件，它包括根据权利要求1-3任一项的基片和在基片上提供的反射层。
10.根据权利要求9的构件，其中反射层是多层的。
11.根据权利要求9的构件，其中反射层包括Mo和Si的交替层。
12.根据权利要求9的构件，其中该构件是用于EUV微型光刻的镜面。
13.根据权利要求9的构件，其中该构件是用于EUV微型光刻的掩模或掩模坯件。
14.根据权利要求13的构件，它还包含在反射层上提供的吸收层。
15.一种制备根据权利要求9-14任一项的用于EUV微型光刻的构件的方法，该方法包括下列步骤：
(A)提供至少一层热膨胀系数最高为10ppb/℃的基质层，
(B)涂布至少一层热膨胀系数最高为1.0ppm/℃的覆盖层，
(C)如需要对覆盖层进行抛光，
(D)在基片的覆盖层上提供反射涂层。
16.一种用于不同于EUV光刻的精密部件技术领域的基片，该基片包含基质层和至少一层覆盖层，该基质层的热膨胀系数最高为10ppb/℃，该覆盖层的热膨胀系数最高为1ppm/℃，其中覆盖层的表面粗糙度最高为1nm rms。
17.根据权利要求16的基片，其中基片是用于光学元件的基片。
18.根据权利要求17的基片，其中所述光学元件是镜面。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835503B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks |
| DE10302342A1 (de) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Schott Glas | Substrat für die EUV-Mikrolithographie und Herstellverfahren hierfür |
| JP4792706B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2011-10-12 | 旭硝子株式会社 | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびその製造方法 |
| US7193228B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-03-20 | Cymer, Inc. | EUV light source optical elements |
| DE102004015580B3 (de) * | 2004-03-30 | 2005-07-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Strahlformung und/oder Strahlumlenkung von EUV-Strahlung |
| SG124407A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus |
| DE102005027697A1 (de) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | EUV-Reflexionsmaske und Verfahren zu deren Herstellung |
| FR2894691B1 (fr) * | 2005-12-13 | 2008-01-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de masque lithographique en reflexion et masque issu du procede |
| JP4826742B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2011-11-30 | 旭硝子株式会社 | 薄膜デバイスの成膜方法 |
| US7678511B2 (en) * | 2006-01-12 | 2010-03-16 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective-type mask blank for EUV lithography |
| US7712333B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-05-11 | Asahi Glass Company, Limited | Method for smoothing a surface of a glass substrate for a reflective mask blank used in EUV lithography |
| US20080266651A1 (en) * | 2007-04-24 | 2008-10-30 | Katsuhiko Murakami | Optical apparatus, multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, and device |
| WO2009024181A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Optosic Ag | Method of manufacturing and processing silicon carbide scanning mirrors |
| DE102008040964B4 (de) * | 2008-08-04 | 2010-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Entfernen reflektierender Schichten von EUV-Spiegeln |
| CN102132209B (zh) * | 2008-08-21 | 2014-07-16 | Asml控股股份有限公司 | 具有高热传导率的euv掩模版基底 |
| WO2011073157A1 (en) | 2009-12-15 | 2011-06-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflective optical element for euv lithography |
| DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
| DE102010029570A1 (de) * | 2010-06-01 | 2011-12-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Substrat für optische Elemente |
| DE102010039927A1 (de) | 2010-08-30 | 2012-03-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Substrat für Spiegel für die EUV-Lithographie |
| DE102011015141A1 (de) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Bauelements für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage und derartiges Bauelement |
| DE102011080635A1 (de) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Verbinden von Komponenten und Verbundstruktur |
| DE102011083464A1 (de) * | 2011-09-27 | 2012-08-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für euv-mikrolithographie und verfahren zu seiner herstellung |
| KR101993322B1 (ko) | 2011-09-28 | 2019-06-26 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크블랭크용 유리기판, 다층 반사막 부착 기판, 마스크블랭크 및 마스크, 그리고 그것들의 제조방법 |
| DE102011085358B3 (de) * | 2011-10-28 | 2012-07-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung für die EUV-Lithographie und Verfahren zum Konfigurieren einer solchen optischen Anordnung |
| DE102012201075A1 (de) * | 2012-01-25 | 2013-07-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung, EUV-Lithographieanlage und Verfahren zum Konfigurieren einer optischen Anordnung |
| JP2014093385A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Fujifilm Corp | インプリント用密着膜の製造方法およびパターン形成方法 |
| US20140272684A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
| US9411222B2 (en) * | 2014-04-02 | 2016-08-09 | Zygo Corporation | Photo-masks for lithography |
| DE102016207307A1 (de) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element und optische Anordnung damit |
| DE102016210794A1 (de) | 2016-06-16 | 2017-04-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung, EUV-Lithographieanlage und Verfahren zum Betrieb der optischen Anordnung |
| DE102018111144A1 (de) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | Schott Ag | Präzisionskomponente |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001007967A1 (en) * | 1999-07-22 | 2001-02-01 | Corning Incorporated | Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method and mask devices |
| US6352803B1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-03-05 | The Regents Of The University Of California | Coatings on reflective mask substrates |
| US6387572B1 (en) * | 1999-09-13 | 2002-05-14 | Intel Corporation | Low CTE substrate for reflective EUV lithography |
| US6453005B2 (en) * | 1998-07-08 | 2002-09-17 | Carl-Zeïss-Stiftung | SiO2-coated mirror substrate for EUV |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6808826A (zh) * | 1967-07-01 | 1969-01-03 | ||
| DE1902432B2 (de) | 1967-07-01 | 1976-10-14 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz | Transparente glaskeramiken mit einem thermischen ausdehnungskoeffizienten von 0 + 1,5 mal 10 hoch -7 /grad c der im bereich von -30 bis + 70 grad c wenig temperaturabhaengig ist |
| FR1559810A (zh) | 1968-01-19 | 1969-03-14 | ||
| FR2564823B1 (fr) * | 1984-05-23 | 1991-08-23 | Schott Glaswerke | Materiau vitroceramique ayant un comportement specifique en dilatation thermique |
| US4865451A (en) * | 1986-12-22 | 1989-09-12 | Ahonen Robert G | Silicon substrate mirror assembly for lasers |
| US4904083A (en) * | 1987-09-11 | 1990-02-27 | Litton Systems, Inc. | Partially transparent mirror for a ring laser |
| JP2668057B2 (ja) * | 1994-09-13 | 1997-10-27 | 株式会社オハラ | 低膨張透明ガラスセラミックス |
| US5673571A (en) | 1996-03-06 | 1997-10-07 | Manley; David B. | Deethanizer/depropanizer sequences with thermal and thermo-mechanical coupling and component distribution |
| US6159643A (en) * | 1999-03-01 | 2000-12-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Extreme ultraviolet lithography reflective mask |
| US6931097B1 (en) | 1999-07-22 | 2005-08-16 | Corning Incorporated | Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method system and lithographic elements |
| DE10127086A1 (de) | 2001-06-02 | 2002-12-05 | Zeiss Carl | Vorrichtung zur Reflexion von elektromagnetischen Wellen |
| US6835503B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks |
-
2003
- 2003-07-25 US US10/628,059 patent/US7129010B2/en not_active Expired - Lifetime
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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