JP2004165336A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004165336A JP2004165336A JP2002328046A JP2002328046A JP2004165336A JP 2004165336 A JP2004165336 A JP 2004165336A JP 2002328046 A JP2002328046 A JP 2002328046A JP 2002328046 A JP2002328046 A JP 2002328046A JP 2004165336 A JP2004165336 A JP 2004165336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier film
- connection hole
- wiring
- wiring groove
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】エレクトロマイグレーション(EM)耐性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第1配線102に接続するように形成された接続孔108と配線溝110の内部に、タンタル(Ta)からなるバリア膜114をスパッタ法で堆積する。そして、接続孔底部108aのバリア膜114をエッチングで除去する。このときに、同時に配線溝底部110a及び開口部112のバリア膜114がエッチングされる。このエッチングにより薄くなったバリア膜114を等方性スパッタリングにより堆積させる。このとき、アスペクト比が大きい接続孔底部108aに堆積させることなく、配線溝底部110a及び開口部112上にバリア膜を堆積させる。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板上に第1配線102に接続するように形成された接続孔108と配線溝110の内部に、タンタル(Ta)からなるバリア膜114をスパッタ法で堆積する。そして、接続孔底部108aのバリア膜114をエッチングで除去する。このときに、同時に配線溝底部110a及び開口部112のバリア膜114がエッチングされる。このエッチングにより薄くなったバリア膜114を等方性スパッタリングにより堆積させる。このとき、アスペクト比が大きい接続孔底部108aに堆積させることなく、配線溝底部110a及び開口部112上にバリア膜を堆積させる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関するものであり、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコンよりなる半導体基板上に形成されたLSIの配線材料としてはアルミニウム合金が主に使用されてきたが、近年、半導体集積回路の高集積化及び高速化に伴い、配線遅延が顕在化し、デバイス性能の律速要因となりつつある。その問題の解決策の一つとして、アルミニウムよりも低抵抗であると共に、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性を有する銅が配線材料として注目されている。また、その成膜方法としては、溝やホールの埋め込み性能に優れている電解メッキ法が使用されている。
【0003】
ここで、図2を用いて、従来の銅配線の形成方法について説明する。
【0004】
図2(a)に示すように、半導体基板上に形成された銅からなる第1配線202の表面の酸化を防止するためのキャップ層204を形成する。さらに、このキャップ層204上に、層間絶縁膜206を形成する。その後、リソグラフィーとドライエッチング技術を用いて、接続孔208と配線溝210を形成する。このとき、接続孔208の底部でのカバレージをよくするために開口部212はテーパー形状になっている。
【0005】
次に、図2(b)に示すように、タンタル(Ta)からなるバリア膜214をスパッタ法で堆積する。
【0006】
次に、図2(c)に示すように、接続孔底部208aのバリア膜214を除去する。このようにすると、接続孔底部208aのバリア膜214のタンタルはスパッタされ、接続孔側壁部208bに再堆積し厚くすることができる。しかし、ここで、配線溝210の配線溝底部210aや開口部212のバリア膜214は、接続孔底部208aと同様にエッチングされ、薄くなる。
【0007】
次に、図2(d)に示すように、銅216からなるシード膜をスパッタ法で堆積し、シード膜を電極とし、メッキ膜を電界メッキ法で形成する。シード膜は、バリア膜214と良好な密着性が要求されており、バリア膜214との大気中に開放することなく連続的にシード膜を形成することが望ましい。
【0008】
次に、図2(e)に示すように、化学的機械研磨(Chemical−Mechanical−Polish、以下CMPと省略)を用いて、層間絶縁膜206が露出するまで銅216とバリア膜214を研磨し、第2配線218を形成する(例えば、特許文献1参照)。
【0009】
【特許文献1】
特開2001−284449号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法では、図2(c)で示しているように、開口部212のテーパー部や配線溝底部210aもスパッタエッチングされ、バリア膜が薄くなる。また、最悪の場合、無くなる可能性もある。この場合、銅が酸化膜中を拡散し、配線間リークなどの信頼性不良を引き起こす要因となる。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1配線を形成する工程(a)と、前記第1配線上に絶縁膜を形成する工程(b)と、前記絶縁膜に前記第1配線への接続孔及び配線溝を形成する工程(c)と、前記接続孔及び前記配線溝の内側表面にバリア膜を堆積する工程(d)と、前記接続孔の底部のバリア膜をエッチングする工程(e)と、前記接続孔の底部を除く前記接続孔及び前記配線溝の内側表面にバリア膜を堆積する工程(f)と、前記接続孔及び前記配線溝に銅を埋め込む工程(g)とを有する半導体装置の製造方法である。
【0012】
この半導体装置の製造方法によれば、工程(e)で接続孔の底部のバリア膜をエッチングにより除去する際に同時にエッチングされる接続孔の底部を除く接続孔及び配線溝のバリア膜を再度堆積させることで、バリア膜と銅との密着性を向上させることができ、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性に優れる銅配線を形成することができる。
【0013】
また、前記接続孔はアスペクト比が3以上4以下であることを特徴とする。
【0014】
これによれば、アスペクト比が3以上4以下であることで工程(f)におけるスパッタにおいて、接続孔の底部にバリア膜を堆積させることなく配線溝の底部にバリア膜を堆積させることが出来る。
【0015】
また、前記接続孔の底部を除く前記接続孔及び配線溝の内側表面に形成されたバリア膜の膜厚が5nm以上20nm以下であり、前記接続孔の底部のバリア膜は除去されていることを特徴とする。
【0016】
これによれば、銅との良好な密着性を持ちつつ配線抵抗の低い銅配線を形成することができる。
【0017】
また、前記工程(f)で堆積するバリア膜はβ構造のタンタルであることを特徴とする。
【0018】
これによれば、銅との密着性がα構造のタンタルよりも良好にすることができる。
【0019】
また、前記工程(d)におけるバリア膜は指向性スパッタリングで、高密度プラズマ及びチャンバー内圧力が5mmTorr近傍のイオン化スパッタリングであり、前記工程(f)におけるバリア膜は等方性スパッタリングで、低密度プラズマ及びチャンバー内の圧力は5mmTorr近傍で行うことを特徴とする。
【0020】
これによれば、指向性スパッタリングでは主に接続孔内部にバリア膜を形成し、等方性スパッタリングでは主に配線溝内部にバリア膜を選択的に形成することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【0022】
図1は本発明の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【0023】
図1(a)に示すように、半導体基板上に形成された銅からなる第1配線102の表面の酸化を防止するためのキャップ層104を形成する。このキャップ層104は、プラズマCVD法で160nm堆積させたシリコン窒化膜である。さらに、このキャップ層104上に、層間絶縁膜106を形成する。この層間絶縁膜106は、高密度プラズマ(High−Density−Plasma)中でCVD法を用いてフッ素(F)をドーピングした700nmの厚さのシリコン酸化膜(以下、FSG膜)である。その後、リソグラフィーとドライエッチング技術を用いて、接続孔108と配線溝110を形成する。このとき、接続孔108の底部でのカバレージをよくするために開口部112はテーパー形状になっている。また、このデュアルダマシン構造において、接続孔底部から配線溝上部までのアスペクト比は3以上4以下であることが望ましい。
【0024】
次に、図1(b)に示すように、接続孔108及び配線溝110の内側表面に、タンタル(Ta)からなるバリア膜114をスパッタ法で堆積する。このときのバリア膜114の膜厚は30nmである。このスパッタでは、ターゲットからスパッタリングされた粒子をプラズマによってイオン化することで、ウエハ表面への指向性を強めたイオン化スパッタリング装置を用いる。さらに、このイオン化スパッタリング装置には、ターゲットと基板の間に設けた高周波発振器によって高密度プラズマを発生させ、高いイオン化率の領域にスパッタリング粒子を通過させることができるものを用いる。例えばDCパワーは15kWに設定し、半導体基板にはバイアスをかけない。そして、このプラズマ領域とウエハ間に高い電圧差を生じさせて、イオン化されたスパッタリング粒子を、基板に対して垂直方向に加速させる。この方法を用いることにより、接続孔108のアスペクト比が3〜4程度でも、接続孔底部に対して、十分にバリア膜114を堆積することができる。
【0025】
次に、図1(c)に示すように、接続孔底部108aのバリア膜114を除去または薄くする。エッチング条件として、DCパワーを3kW、基板のRFバイアスを350WにしたRFバイアスエッチングで行う。このようにすると、接続孔底部108aのバリア膜114のタンタルはスパッタされ、接続孔側壁部108bに再堆積し厚くすることができる。しかし、ここで、配線溝110の配線溝底部110aや開口部112のバリア膜114は、接続孔底部108aと同様に薄くなる。
【0026】
次に、図1(d)に示すように、等方性のスパッタリング条件で、配線溝底部110aや開口部112にタンタルを10nm程度堆積する。このスパッタリングでは、スパッタリング粒子のイオン化率を下げるためにも、高周波コイルにはパワーをかけずに、プラズマ密度は低い状態にしておく。また、イオンの平均自由工程を下げるため、チャンバー内の雰囲気を20mmTorr程度の高圧状態にしておくことが望ましい。このような条件では、アスペクト比の大きい接続孔底部108aに堆積することなく、接続孔108の開口部112や配線溝底部110aにバリア膜を堆積させることができる。
【0027】
次に、銅116からなるシード膜をスパッタ法で堆積し、シード膜を電極とし、メッキ膜を電界メッキ法で形成する。このとき、シード膜は150nm程度、銅116からなるメッキ膜は550nm程度積層する。シード膜は、バリア膜114と良好な密着性が要求されており、バリア膜114を大気中に開放することなく連続的にシード膜を形成する(いわゆるin−situ)することが望ましい。
【0028】
次に、図1(e)に示すように、化学的機械研磨(Chemical−Mechanical−Polish、以下CMPと省略)を用いて、絶縁層106が露出するまで銅116とバリア膜114を研磨し、第2配線118を形成する。
【0029】
なお、一般的に、Ta膜には、α−Ta(体心立法構造)とβ−Ta(β−ウラニウム構造)という2種類の結晶構造があり、β−Ta上にCu膜を堆積した場合、界面に合金層を形成し、Cuのエピタキシャル成長を促進する。エピタキシャル成長によって、Cu(111)面の配向強度が強くなり、Cuの粒界拡散が抑制され、EM耐性が向上することが報告されていることから、配線溝側壁部110b及び接続孔側壁部108bと比較して薄くなる配線溝底部110a及び開口部112へのスパッタリングではβ−Taを堆積するとさらに密着性が向上する。
【0030】
なお、バリア膜114のTaの膜厚は厚いほうがCuとの密着性が向上するが、TaはCuと比較して高抵抗な材料であるため、Taの膜厚が厚ければ、配線抵抗が上昇する。これらのことを考慮して、タンタル(Ta)からなるバリア膜114の膜厚は5nm以上20nm以下とすることが望ましい。
【0031】
【発明の効果】
以上のように本発明は、接続孔及び配線溝に形成されるバリア膜と銅との密着性を向上させることで、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性に優れる銅配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法の工程断面図
【図2】従来の半導体装置の製造方法の工程断面図
【符号の説明】
102 第1配線
104 キャップ層
106 層間絶縁膜
108 接続孔
108a 接続孔底部
108b 接続孔側壁部
110 配線溝
110a 配線溝底部
110b 配線溝側壁部
112 開口部
114 バリア膜
116 銅
118 第2配線
202 第1配線
204 キャップ層
206 層間絶縁膜
208 接続孔
208a 接続孔底部
210 配線溝
210a 配線溝底部
212 開口部
214 バリア膜
216 銅
218 第2配線
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関するものであり、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコンよりなる半導体基板上に形成されたLSIの配線材料としてはアルミニウム合金が主に使用されてきたが、近年、半導体集積回路の高集積化及び高速化に伴い、配線遅延が顕在化し、デバイス性能の律速要因となりつつある。その問題の解決策の一つとして、アルミニウムよりも低抵抗であると共に、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性を有する銅が配線材料として注目されている。また、その成膜方法としては、溝やホールの埋め込み性能に優れている電解メッキ法が使用されている。
【0003】
ここで、図2を用いて、従来の銅配線の形成方法について説明する。
【0004】
図2(a)に示すように、半導体基板上に形成された銅からなる第1配線202の表面の酸化を防止するためのキャップ層204を形成する。さらに、このキャップ層204上に、層間絶縁膜206を形成する。その後、リソグラフィーとドライエッチング技術を用いて、接続孔208と配線溝210を形成する。このとき、接続孔208の底部でのカバレージをよくするために開口部212はテーパー形状になっている。
【0005】
次に、図2(b)に示すように、タンタル(Ta)からなるバリア膜214をスパッタ法で堆積する。
【0006】
次に、図2(c)に示すように、接続孔底部208aのバリア膜214を除去する。このようにすると、接続孔底部208aのバリア膜214のタンタルはスパッタされ、接続孔側壁部208bに再堆積し厚くすることができる。しかし、ここで、配線溝210の配線溝底部210aや開口部212のバリア膜214は、接続孔底部208aと同様にエッチングされ、薄くなる。
【0007】
次に、図2(d)に示すように、銅216からなるシード膜をスパッタ法で堆積し、シード膜を電極とし、メッキ膜を電界メッキ法で形成する。シード膜は、バリア膜214と良好な密着性が要求されており、バリア膜214との大気中に開放することなく連続的にシード膜を形成することが望ましい。
【0008】
次に、図2(e)に示すように、化学的機械研磨(Chemical−Mechanical−Polish、以下CMPと省略)を用いて、層間絶縁膜206が露出するまで銅216とバリア膜214を研磨し、第2配線218を形成する(例えば、特許文献1参照)。
【0009】
【特許文献1】
特開2001−284449号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法では、図2(c)で示しているように、開口部212のテーパー部や配線溝底部210aもスパッタエッチングされ、バリア膜が薄くなる。また、最悪の場合、無くなる可能性もある。この場合、銅が酸化膜中を拡散し、配線間リークなどの信頼性不良を引き起こす要因となる。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1配線を形成する工程(a)と、前記第1配線上に絶縁膜を形成する工程(b)と、前記絶縁膜に前記第1配線への接続孔及び配線溝を形成する工程(c)と、前記接続孔及び前記配線溝の内側表面にバリア膜を堆積する工程(d)と、前記接続孔の底部のバリア膜をエッチングする工程(e)と、前記接続孔の底部を除く前記接続孔及び前記配線溝の内側表面にバリア膜を堆積する工程(f)と、前記接続孔及び前記配線溝に銅を埋め込む工程(g)とを有する半導体装置の製造方法である。
【0012】
この半導体装置の製造方法によれば、工程(e)で接続孔の底部のバリア膜をエッチングにより除去する際に同時にエッチングされる接続孔の底部を除く接続孔及び配線溝のバリア膜を再度堆積させることで、バリア膜と銅との密着性を向上させることができ、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性に優れる銅配線を形成することができる。
【0013】
また、前記接続孔はアスペクト比が3以上4以下であることを特徴とする。
【0014】
これによれば、アスペクト比が3以上4以下であることで工程(f)におけるスパッタにおいて、接続孔の底部にバリア膜を堆積させることなく配線溝の底部にバリア膜を堆積させることが出来る。
【0015】
また、前記接続孔の底部を除く前記接続孔及び配線溝の内側表面に形成されたバリア膜の膜厚が5nm以上20nm以下であり、前記接続孔の底部のバリア膜は除去されていることを特徴とする。
【0016】
これによれば、銅との良好な密着性を持ちつつ配線抵抗の低い銅配線を形成することができる。
【0017】
また、前記工程(f)で堆積するバリア膜はβ構造のタンタルであることを特徴とする。
【0018】
これによれば、銅との密着性がα構造のタンタルよりも良好にすることができる。
【0019】
また、前記工程(d)におけるバリア膜は指向性スパッタリングで、高密度プラズマ及びチャンバー内圧力が5mmTorr近傍のイオン化スパッタリングであり、前記工程(f)におけるバリア膜は等方性スパッタリングで、低密度プラズマ及びチャンバー内の圧力は5mmTorr近傍で行うことを特徴とする。
【0020】
これによれば、指向性スパッタリングでは主に接続孔内部にバリア膜を形成し、等方性スパッタリングでは主に配線溝内部にバリア膜を選択的に形成することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【0022】
図1は本発明の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【0023】
図1(a)に示すように、半導体基板上に形成された銅からなる第1配線102の表面の酸化を防止するためのキャップ層104を形成する。このキャップ層104は、プラズマCVD法で160nm堆積させたシリコン窒化膜である。さらに、このキャップ層104上に、層間絶縁膜106を形成する。この層間絶縁膜106は、高密度プラズマ(High−Density−Plasma)中でCVD法を用いてフッ素(F)をドーピングした700nmの厚さのシリコン酸化膜(以下、FSG膜)である。その後、リソグラフィーとドライエッチング技術を用いて、接続孔108と配線溝110を形成する。このとき、接続孔108の底部でのカバレージをよくするために開口部112はテーパー形状になっている。また、このデュアルダマシン構造において、接続孔底部から配線溝上部までのアスペクト比は3以上4以下であることが望ましい。
【0024】
次に、図1(b)に示すように、接続孔108及び配線溝110の内側表面に、タンタル(Ta)からなるバリア膜114をスパッタ法で堆積する。このときのバリア膜114の膜厚は30nmである。このスパッタでは、ターゲットからスパッタリングされた粒子をプラズマによってイオン化することで、ウエハ表面への指向性を強めたイオン化スパッタリング装置を用いる。さらに、このイオン化スパッタリング装置には、ターゲットと基板の間に設けた高周波発振器によって高密度プラズマを発生させ、高いイオン化率の領域にスパッタリング粒子を通過させることができるものを用いる。例えばDCパワーは15kWに設定し、半導体基板にはバイアスをかけない。そして、このプラズマ領域とウエハ間に高い電圧差を生じさせて、イオン化されたスパッタリング粒子を、基板に対して垂直方向に加速させる。この方法を用いることにより、接続孔108のアスペクト比が3〜4程度でも、接続孔底部に対して、十分にバリア膜114を堆積することができる。
【0025】
次に、図1(c)に示すように、接続孔底部108aのバリア膜114を除去または薄くする。エッチング条件として、DCパワーを3kW、基板のRFバイアスを350WにしたRFバイアスエッチングで行う。このようにすると、接続孔底部108aのバリア膜114のタンタルはスパッタされ、接続孔側壁部108bに再堆積し厚くすることができる。しかし、ここで、配線溝110の配線溝底部110aや開口部112のバリア膜114は、接続孔底部108aと同様に薄くなる。
【0026】
次に、図1(d)に示すように、等方性のスパッタリング条件で、配線溝底部110aや開口部112にタンタルを10nm程度堆積する。このスパッタリングでは、スパッタリング粒子のイオン化率を下げるためにも、高周波コイルにはパワーをかけずに、プラズマ密度は低い状態にしておく。また、イオンの平均自由工程を下げるため、チャンバー内の雰囲気を20mmTorr程度の高圧状態にしておくことが望ましい。このような条件では、アスペクト比の大きい接続孔底部108aに堆積することなく、接続孔108の開口部112や配線溝底部110aにバリア膜を堆積させることができる。
【0027】
次に、銅116からなるシード膜をスパッタ法で堆積し、シード膜を電極とし、メッキ膜を電界メッキ法で形成する。このとき、シード膜は150nm程度、銅116からなるメッキ膜は550nm程度積層する。シード膜は、バリア膜114と良好な密着性が要求されており、バリア膜114を大気中に開放することなく連続的にシード膜を形成する(いわゆるin−situ)することが望ましい。
【0028】
次に、図1(e)に示すように、化学的機械研磨(Chemical−Mechanical−Polish、以下CMPと省略)を用いて、絶縁層106が露出するまで銅116とバリア膜114を研磨し、第2配線118を形成する。
【0029】
なお、一般的に、Ta膜には、α−Ta(体心立法構造)とβ−Ta(β−ウラニウム構造)という2種類の結晶構造があり、β−Ta上にCu膜を堆積した場合、界面に合金層を形成し、Cuのエピタキシャル成長を促進する。エピタキシャル成長によって、Cu(111)面の配向強度が強くなり、Cuの粒界拡散が抑制され、EM耐性が向上することが報告されていることから、配線溝側壁部110b及び接続孔側壁部108bと比較して薄くなる配線溝底部110a及び開口部112へのスパッタリングではβ−Taを堆積するとさらに密着性が向上する。
【0030】
なお、バリア膜114のTaの膜厚は厚いほうがCuとの密着性が向上するが、TaはCuと比較して高抵抗な材料であるため、Taの膜厚が厚ければ、配線抵抗が上昇する。これらのことを考慮して、タンタル(Ta)からなるバリア膜114の膜厚は5nm以上20nm以下とすることが望ましい。
【0031】
【発明の効果】
以上のように本発明は、接続孔及び配線溝に形成されるバリア膜と銅との密着性を向上させることで、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性に優れる銅配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法の工程断面図
【図2】従来の半導体装置の製造方法の工程断面図
【符号の説明】
102 第1配線
104 キャップ層
106 層間絶縁膜
108 接続孔
108a 接続孔底部
108b 接続孔側壁部
110 配線溝
110a 配線溝底部
110b 配線溝側壁部
112 開口部
114 バリア膜
116 銅
118 第2配線
202 第1配線
204 キャップ層
206 層間絶縁膜
208 接続孔
208a 接続孔底部
210 配線溝
210a 配線溝底部
212 開口部
214 バリア膜
216 銅
218 第2配線
Claims (5)
- 半導体基板上に第1配線を形成する工程(a)と、
前記第1配線上に絶縁膜を形成する工程(b)と、
前記絶縁膜に前記第1配線への接続孔及び配線溝を形成する工程(c)と、
前記接続孔及び前記配線溝の内側表面にバリア膜を堆積する工程(d)と、
前記接続孔の底部のバリア膜をエッチングする工程(e)と、
前記接続孔の底部を除く前記接続孔及び前記配線溝の内側表面にバリア膜を堆積する工程(f)と、
前記接続孔及び前記配線溝に銅を埋め込む工程(g)とを有する半導体装置の製造方法。 - 前記接続孔はアスペクト比が3以上4以下である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接続孔の底部を除く前記接続孔及び配線溝の内側表面に形成されたバリア膜の膜厚が5nm以上20nm以下であり、前記接続孔の底部のバリア膜は除去されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(f)で堆積するバリア膜はβ構造のタンタルであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(d)におけるバリア膜は指向性スパッタリングで、高密度プラズマ及びチャンバー内圧力が5mmTorr近傍のイオン化スパッタリングであり、前記工程(f)におけるバリア膜は等方性スパッタリングで、低密度プラズマ及びチャンバー内の圧力は5mmTorr近傍で行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002328046A JP2004165336A (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002328046A JP2004165336A (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004165336A true JP2004165336A (ja) | 2004-06-10 |
Family
ID=32806463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002328046A Pending JP2004165336A (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004165336A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006024754A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 配線層の形成方法、配線層および薄膜トランジスタ |
JP2006518927A (ja) * | 2002-12-11 | 2006-08-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体相互接続構造上に金属層を堆積するための方法 |
JP2006287086A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007300113A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 100%又はそれより大きい段差被覆性を有する相互接続部金属化プロセス |
US7906433B2 (en) | 2006-03-20 | 2011-03-15 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device having wirings formed by damascene and its manufacture method |
-
2002
- 2002-11-12 JP JP2002328046A patent/JP2004165336A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006518927A (ja) * | 2002-12-11 | 2006-08-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体相互接続構造上に金属層を堆積するための方法 |
JP4767541B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2011-09-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体相互接続構造上に金属層を堆積するための方法 |
JP2006024754A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 配線層の形成方法、配線層および薄膜トランジスタ |
JP2006287086A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4589787B2 (ja) * | 2005-04-04 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US7906433B2 (en) | 2006-03-20 | 2011-03-15 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device having wirings formed by damascene and its manufacture method |
US8546949B2 (en) | 2006-03-20 | 2013-10-01 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device having wirings formed by damascene |
JP2007300113A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 100%又はそれより大きい段差被覆性を有する相互接続部金属化プロセス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7645696B1 (en) | Deposition of thin continuous PVD seed layers having improved adhesion to the barrier layer | |
US6306732B1 (en) | Method and apparatus for simultaneously improving the electromigration reliability and resistance of damascene vias using a controlled diffusivity barrier | |
JP2005203476A (ja) | 半導体装置の配線構造及びその製造方法 | |
US6841468B2 (en) | Method of forming a conductive barrier layer having improve adhesion and resistivity characteristics | |
US8039390B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JPH0936230A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20060108696A1 (en) | Structure for reducing stress-induced voiding in an interconnect of integrated circuits | |
JP4169950B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09213794A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3816091B1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004165336A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000332106A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2001053026A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20090236744A1 (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
JP4081751B2 (ja) | 配線構造の製造方法 | |
JP4540504B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000269325A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010040771A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4447433B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
US20050087872A1 (en) | Wiring structure of semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2010165760A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR101090372B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
JP2005203568A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2004356315A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3269490B2 (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |