JP2004165316A

JP2004165316A - 多層プリント配線板

Info

Publication number: JP2004165316A
Application number: JP2002327741A
Authority: JP
Inventors: Kiyotaka Tsukada; 輝代隆塚田
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2002-11-12
Filing date: 2002-11-12
Publication date: 2004-06-10

Abstract

【課題】パッドにおける導電性及び接着性を向上した多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】絶縁層４０，６０に穿設された開口部に金属が充填されて形成されたパッド５１，７１を備える多層プリント配線板１０において、パッド５１，７１を、径がバイアパッド５１，７１の径の３０〜６０％であり、深さがバイアパッド５１，７１の厚さの２０〜６０％である凹部５５，７５を有する構造とする。これにより、凹部５１，７１におけるシームやエアボイドを発生させることなく、パッド５１，７１とその凹部５５，７５上に形成される導電構造体との接着面積を大きくすることができるので、パッドにおける導電性及び接着性を向上することができる。
【選択図】図２

Description

【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板に係り、より詳しくは、絶縁層に穿設された開口部に金属が充填されて形成されたパッドを備える多層プリント配線板に関する。
【０００１】
【従来の技術】
近年、パッケージ基板等の絶縁層と導体パターンとが交互に積層された多層プリント配線板が広く利用されている。かかる多層プリント配線板には、層間配線のためにバイアホールが多数形成されている。かかるバイアホールのうち、基板表面部に形成されるバイアホールの一部の基板表面側端部には、基板表面に載置されるＩＣチップ等の電子部品と導体パターンとの電気的な接続を図るための半田バンプと呼ばれる半田の球状突起（半田ボール）が形成されようになっている。
【０００２】
こうしたバイアホールには、バイアホールを介した電気的な導通を達成するために、その内部にパッドが形成される。かかるパッドとしては、大別して、図８（Ａ）に示される第１のタイプ（以下、「従来技術１」と呼ぶ）のパッド９１、又は図８（Ｂ）に示される第２のタイプ（以下、「従来技術２」と呼ぶ）のパッド９２が従来から採用されてきた。
【０００３】
従来技術１のパッド９１は、図９（Ａ）に示されるように、内部にバイアホール自体の形状と相似状の中空部９６を有している。パッド９１は、バイアホールの底面（内層導体パターンの表面）、内側面及び開口部周辺に所定の厚さの金属メッキを施すことにより形成される。そして、半田で中空部９６を充填するとともに、パッド９１の外側において球状となるように溶融された半田を供給することにより、パッド９１上に球状の半田バンプ９３が形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、従来技術２のパッド９２は、図９（Ｂ）に示されるように、バイアホール内部を完全に満たすとともに、その表面が平面状とされたものである。パッド９２は、バイアホール内部を完全に満たし、その表面が平面状となるような金属メッキ（いわゆるバイアフィルメッキ）を施すことにより形成される。そして、平面状のパッド９２表面に球状の半田バンプ９３が形成される（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３３２３９５号公報
【特許文献２】
特開２００１−１５６４６２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術１のパッド９１では、バイアホールの底面と内側面との交差が緩やかではないため、図９（Ａ）に示されるように、パッド９１の底面部と内側面部との間にいわゆるシーム９５が発生しやすい。また、半田バンプ９３の形成時にパッド９１の開口部から溶融状態の半田が中空部９６に流れ込むが、溶融状態の半田は粘性が高いことから、図９（Ａ）に示されるように、中空部９６内の半田において気泡（エアボイド）９４が発生しやすかった。こうしたシーム９５やエアボイド９４は、内層パターンと電子部品との電気的な導通の信頼性低下の原因となる。
【０００７】
従来技術２のパッド９２では、バイアフィルメッキによりバイアホールを完全に満たすように形成されているので、従来技術１の場合のようなシーム９５やボイド９４は発生しない。しかし、パッド９２と半田バンプ９３との接着面積が小さい。この結果、パッド９２による半田バンプ９３のシェア強度が高いとはいえず、電子部品等の取り付け等の際に半田バンプ９３に外部から大きな力が加わるとはずれることがあった。
【０００８】
本発明は、上記の事情を鑑みてなされたものであり、パッド部における導電性及び接着性を向上することができる多層プリント配線板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層プリント配線板は、絶縁層に穿設された開口部に金属が充填されて形成されたパッドを備える多層プリント配線板において、前記パッドの少なくとも一部は、その形成後に導電構造体が形成される端部に、径が前記パッドの径の３０〜６０％であり、深さが前記パッドの厚さの２０〜６０％である凹部を有する、ことを特徴とする多層プリント配線板である。
【００１０】
この多層プリント配線板においては、パッドの一部が、径が当該パッドの径の３０〜６０％であり、深さが当該パッドの厚さの２０〜６０％である凹部を有している。かかる大きさの凹部が形成されていても、従来技術１の場合のように、パッドの底面部と側面部の間にシームが形成されることはない。また、こうした凹部上に半田バンプ等の導電構造体を形成した場合には、従来技術２の場合と比べて、パッドとこうした導電構造体との接着面積が増大する。したがって、本発明の多層プリント配線板によれば、パッド部における導通性及び接着性を向上することができる。
【００１１】
本発明の多層プリント配線板では、前記凹部の形状を球冠状とすることができる。かかる場合には、凹部の形状を円筒状等にした場合における、パッドの角部において発生するストレスの集中を防止することができ、パッドの変形や破壊を防止することができる。
【００１２】
また、本発明の多層プリント配線板では、前記パッドには、前記凹部上に半田バンプが形成された半田バンプ用パッドが含まれる構成とすることができる。このように、半田バンプを形成する半田バンプ用パッドに上述したような凹部を形成すると、半田バンプ用パッドの底面部と側面部の間にシームが形成されることはないこと、及び、半田バンプ用パッドによる半田バンプのシェア強度が増大することに加え、半田バンプを凹部に形成した場合に、パッドの凹部の半田部分におけるエアボイドの発生も防止される。
【００１３】
ここで、前記半田バンプ用パッドが、部材装着用の半田バンプの形成領域における外周付近に優先的に配置される構成とすることができる。かかる場合には、部材装着時における半田パッドの多層プリント配線板からの剥れの発生を低減することができる。これは、半田バンプを利用して部材を装着する際に大きな力が加わりやすい半田バンプの形成領域における外周付近の半田バンプの多くを、表面が平面状の導体パターンよりも良い接着性を有する上述した半田バンプ用パッド上に配置することができるからである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を、図１から図８を参照しつつ説明する。
図１には、一実施形態に係る多層プリント配線板１０の外観構成が斜視図にて示されている。この多層プリント配線板１０は、図１における＋Ｚ方向側の表面にＩＣチップ等の電子部品が搭載されるとともに、−Ｚ方向側で不図示のマザーボードと接続され、電子部品とマザーボードとの間において授受される電気信号等の伝達経路の役割を果たすパッケージ基板として構成されている。
【００１５】
図１に示されるように、多層プリント配線板１０では、配線板本体２０の＋Ｚ方向側の表面に電子部品取り付け用の多数の半田バンプ（半田ボール）８１がマトリクス状に配列されるように形成されている。また、配線板本体２０の−Ｚ方向側表面には、マザーボードとの接続に用いられる複数の半田バンプ（半田ボール）８２（図１では不図示：図２参照）が形成されている。
【００１６】
配線板本体２０では、図２（Ａ）において断面図にて示されるように、両表面にグランド層となる内層銅パターン３４が形成されたコア基板３０の＋Ｚ方向側に、下層層間樹脂絶縁層４０、信号線を形成する導体パターン５２、最外層層間樹脂絶縁層６０、及び最外層の導体パターン７２が順次積層されている。そして、更に＋Ｚ方向側には、半田バンプ８１の形成位置を除いて、ソルダーレジスト８０が形成されている。
【００１７】
また、配線板本体２０では、コア基板３０の−Ｚ方向側に、＋Ｚ方向側と同様に下層層間樹脂絶縁層４０、信号線を形成する導体パターン５２、最外層層間樹脂絶縁層６０、及び最外層の導体パターン７２が順次積層されている。そして、更に−Ｚ方向側には、半田バンプ８１の形成位置を除いて、ソルダーレジスト８０が形成されている。
【００１８】
ここで、下層層間樹脂絶縁層４０には、内層銅パターン３４と導体パターン５２とを導通配線するために、バイアホール５０を充填するように銅メッキされて形成されたパッド５１が形成されている。また、最外層層間樹脂絶縁層６０には、導体パターン５２と導体パターン７２を導通配線するために、バイアホール７０を充填するように銅メッキされて形成されたパッド７１が形成されている。
【００１９】
図２（Ｂ）においては、コア基板３０から＋Ｚ方向側に形成されたパッド５１が、代表的に断面図で示されている。図２（Ｂ）に示されるように、このパッド５１には、そのコア基板３０から遠い端部（図２（Ｂ）では＋Ｚ方向側端部）に凹部５５が形成されている。この凹部５５は、その径（直径）がパッド５１の径の３０〜６０％、かつその深さがパッド５１のＺ方向厚さの２０〜６０％である球冠状とされている。これは、凹部５５が上記の範囲外の径の値又は深さの値を有すると、上述したシームやボイドが発生したり、パッド５１の凹部５５における接着性が十分に向上しなかったりするためである。
【００２０】
そして、図２（Ｂ）に示されるように、下層層間樹脂絶縁層４０におけるパッド５１と最外層層間樹脂絶縁層６０におけるパッド７１とを連結させるいわゆるスタックトアップバイア構造を形成させるときには、パッド５１の凹部５５上にパッド７１が形成されるようになっている。
【００２１】
また、図２（Ｂ）においては、コア基板３０から＋Ｚ方向側に形成されたパッド７１が、代表的に断面図で示されている。この図２（Ｂ）に示されるように、パッド７１には、コア基板３０から遠い端部（図２（Ｂ）では＋Ｚ方向側端部）に凹部７５が形成されている。この凹部７５は、上述した凹部５５の場合と同様の理由から、その径がパッド７１の径の３０〜６０％であり、その深さがパッド７１のＺ方向厚さの２０〜６０％である球冠状の形状とされている。
【００２２】
そして、こうしたパッド７１の凹部７５上に半田バンプ８１，８２（図２（Ｂ）では半田バンプ８１のみを図示）が形成されている。なお、導体パターン７２のコア基板３０から遠い側の表面上の所定位置にも半田バンプ８１，８２が形成されている。
【００２３】
このようして形成され、マトリクス状に配列された電子部品装着用の半田バンプのうち、それらの形成領域の外周付近に配置された半田バンプについては、上記のように凹部７５を形成したパッド７１の上に形成された半田バンプ８１が優先的に配置されている。また、マザーボードへの装着用の半田バンプについても、それらの形成領域の外周付近にパッド７１の凹部７５上に形成された半田バンプ８２が優先的に配置されている。すなわち、導体パターン７２上に形成された場合よりも接触面積よりも大きく、接着信頼性が高い態様でパッド７１上に形成された半田バンプ８１，８２が、電子部品装着用の半田バンプ８１の形成領域における周辺部及びマザーボードへの装着用の半田バンプ８２の形成領域における周辺部に優先的に配置されている。
【００２４】
次に、上述した多層プリント配線板１０の製造工程について、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂又はガラスエポキシ樹脂製のコア基板３０の両面に銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを使用する場合を例に挙げて、図３〜図６を参照して説明する。
【００２５】
かかる多層プリント配線板１０の作成にあたっては、図３（Ａ）に示されるような銅張積層板３０Ａを出発材料とする。そして、出発材料である銅張積層板３０Ａを常法に従ってパターンエッチングすることにより、コア基板３０の両面に内層銅パターン３４が形成される（図３（Ｂ）参照）。
【００２６】
次に、内層銅パターン３４を形成したコア基板３０を、水洗いして乾燥した後、無電解メッキ液に浸漬することにより、内層銅パターン３４の表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層（図示せず）を形成する。ここで、無電解メッキ液としては、例えば、硫酸銅、硫酸ニッケル、クエン酸、次亜リン酸ナトリウム、ホウ酸、界面活性剤を後述するような割合で含有するもの（ｐＨは約９）を使用することができる。
【００２７】
引き続き、得られた、コア基板３０を水洗いし、後述するようなホウふっ化スズとチオ尿素液とを含む無電解スズ置換メッキ浴を調製して、浸漬し、粗化層表面に所望の厚みのスズ層（図示せず）を設ける。
ここで、層間樹脂絶縁層を形成する下記のような成分を含む、無電解メッキ用接着剤を用意する。こうした接着剤としては、市販のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を主成分として含有する（ａ）、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含有する（ｂ）、硬化剤等を含有する（ｃ）とを別々に調製し、（ａ）〜（ｃ）を混合攪拌して製造したものを使用することができる。
【００２８】
例えば、（ａ）は、市販のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の２５％アクリル化物、感光性モノマー、消泡剤、及びＮ−メチル−２‐ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」と略す。）とを混合攪拌して調製することができる。
【００２９】
（ｂ）は、熱可塑性樹脂であるポリエーテルスルホン（以下、「ＰＥＳ」と略す。）、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂、ＮＭＰを混合攪拌して調製することができる。
（ｃ）は、硬化剤、光開始剤、光増感剤、及びＮＭＰを示す成分を混合攪拌して調製することができる。
【００３０】
上記の（ａ）〜（ｃ）を混合攪拌して製造した無電解メッキ用接着剤を、ロールコータ等によりコア基板３０に塗布し、水平状態で所定時間静置した後、所定の温度で所定の時間、加熱処理（プリベーク）を行うことにより、層間樹脂絶縁層４０を形成する（図３（Ｃ）参照）。
【００３１】
次いで、以上のようにして下層層間樹脂絶縁層４０を形成した基板の両面に、所定径の黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させる。ついで、超高圧水銀灯等により、所定の積算光量で露光し、トリエチレングリコールジメチルエーテル溶液でスプレー現像し、さらに超高圧水銀灯等により、所定の積算光量で再度露光する。この後、加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口部４２を有する層間樹脂絶縁層４０を形成する（図３（Ｄ）参照）。このように処理することにより、例えば、図３（Ｄ）に示すような形状の開口部を有する所望の厚みの層間樹脂絶縁層を形成することができる。
【００３２】
ついで、上記のような開口部４２を形成した基板を、例えば、所定の濃度のクロム酸溶液に所定の時間、浸漬させて、層間樹脂絶縁層４０の表面のエポキシ樹脂粒子を溶解除去し、該層間樹脂絶縁層４０の表面を粗面化する。こうしたの粗面化処理は、開口部４２内部の側面にも施される。この後、中和溶液に浸漬させてから水洗し、さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面及びバイアホール用開口部４２の内壁面に触媒核を付着させる。こうした中和溶液やパラジウム触媒は、市販のものを使用することができる。
【００３３】
次に、無電解銅メッキ浴中に基板を浸漬させることにより、粗面全体に無電解銅メッキ膜（図示せず）を形成する。この段階における無電解銅メッキ浴としては、例えば、ＥＤＴＡ、硫酸銅、ＨＣＨＯ、ＮａＯＨ、α，α’−ビピリジル、ＰＥＧを含むものを使用することができ、所定の温度で所定の時間浸漬することにより、所望の厚みの無電解銅メッキ膜を形成することができる。
【００３４】
このように形成した無電解銅メッキ膜上に市販の感光性ドライフィルムを張り付けた後、マスクを載置して、所定の積算光量で露光する。この後、現像処理を行うことにより、メッキレジスト４６が設けられる。ここで、現像処理に、所定の濃度の炭酸ナトリウム溶液を使用すると、例えば、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍのメッキレジスト４６を設けることができる（図４（Ａ）参照）。
【００３５】
次いで、メッキレジスト４６が形成されていない部分に、所定の条件で電解銅メッキを施し、開口部４２内に電解銅メッキ膜を析出させることにより、パッド５１を形成する（図４（Ｂ）参照）。この段階における電解銅メッキは、例えば、硫酸銅・５水和物、硫酸、塩素イオン、レベリング剤、光沢剤を含む溶液を使用し、バブリングしながら、所定の電流密度で通電することにより行う。なお、メッキ時間としては、上述した形状の凹部５５を有する形状のパッド５１が形成される値が採用される。こうした値は、予め経験的に求められたものが採用されている。
【００３６】
引き続き、めっきレジスト４６を、例えば、所定の濃度のＫＯＨで剥離除去する。この後、表面に残存している無電解めっき膜を、例えば、硫酸と過酸化水素との混合液を用いてエッチング処理することにより溶解除去する。こうして、無電解めっき膜と電解銅めっき膜とからなる導体パターン５２及びパッド５１が電気的に分離される（図４（Ｃ）参照）。
そして、導体パターン５２及びパッド５１に対して、上記の内層銅パターン３４の場合と同様にして、粗化層（図示せず）が形成される。
【００３７】
次に、上述した下層層間樹脂絶縁層４０、導体パターン５２及びパッド５１の形成工程と同様の工程を繰り返し、最外層層間樹脂絶縁層６０、導体パターン７２及びパッド７１を形成する。すなわち、層間樹脂絶縁層６０を形成する無電解めっき用接着剤を上記と同様に用意して、この無電解めっき用接着剤を現段階における基板表面にロールコータ等により塗布し、水平状態で所定時間放置した後、プリベークを行い、最外層層間樹脂絶縁層６０を形成する。引き続き、最外層層間樹脂絶縁層６０を形成した基板の両面に、上述したフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯等により露光し、現像し、さらに露光した後、ポストベークを行うことにより、開口部６２を有する最外層層間樹脂絶縁層６０を形成する（図４（Ｄ）参照）。
【００３８】
次いで、最外層層間樹脂絶縁層６０の表面及び開口部６２の側面を粗面化させた後、粗面化処理が施された表面に、無電解銅めっき膜（図示せず）を形成する。引き続き、この無電解銅めっき膜上にめっきレジスト６６を設けた後に、パッド５１の場合と同様にして、レジスト非形成部分に電解銅めっき膜を形成し、パッド７１を形成する（図５（Ａ）参照）。ここで、電解銅めっき膜の形成におけるめっき時間は、上述した凹部７５を有する形状のパッド７１が形成されるような値が採用される。なお、こうした値は、上記のパッド５１の場合と同様に、予め経験的に求められたものが採用されている。
【００３９】
引き続き、めっきレジスト６６を剥離除去させた後、そのめっきレジスト６６下の無電解めっき膜を溶解除去して、パッド７１と導体パターン７２とを電気的に分離する（図５（Ｂ）参照）。
【００４０】
次いで、パッド７１及び導体パターン７２の表面に粗化層（図示せず）を形成した後、この段階における基板表面にソルダーレジスト組成物を所定の厚さで塗布し、所定の温度で所定の時間、乾燥処理を行う。この後、半田バンプ８１，８２を形成すべき領域を、所定の積算光量で露光し、上記同様に現像処理することにより、半田バンプ８１，８２を形成すべき領域に開口部８５が形成されたソルダーレジスト層８０が形成される（図５（Ｃ）参照）。そして、以上のように処理された基板の表面に形成した開口部８５底部の導体上に所定の金属めっきを施す。かかる金属めっきとしては、例えば、ニッケルめっきと金めっきとを順次施したものとすることができる。こうして配線板本体２０が完成する。
【００４１】
ここで基板表面に塗布するソルダーレジスト組成物は、感光性を付与するオリゴマー、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、イミダゾール硬化剤、２種類の多価アクリルモノマー、及び分散系消泡剤を混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤と光増感剤とを加えて、所定の粘度に調整することにより、得ることができる。
【００４２】
次に、配線板本体２０の表面に形成された開口部８５を除く表面領域にメタルマスクを載置したのち、適当な温度に加熱して半田リフローを行うことにより、配線板本体２０の表面に形成された開口部８５に半田バンプ８１，８２を形成する（図６参照）。その後、多層プリント配線板１０の表面を、界面活性剤溶液にて洗浄し、上記の半田リフローの際に半田ペーストから染み出たフラックスを洗い流す。こうして、多層プリント配線板１０の製造が終了する。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態に係る多層プリント配線板１０では、パッド５１，７１が、径がパッド５１，７１の径の３０〜６０％であり、深さがパッド５１，７１の厚さの２０〜６０％である凹部５５，７５を有している。このため、パッド５１，７１の底面部と側面部の間にシームが形成されることがない。加えて、凹部５５，７５上に導電部材を形成した場合には、凹部５５，７５を設けず平坦とした場合と比べて、パッド５１，７１と導電部材との接着面積が増大している。したがって、本実施形態の多層プリント配線板１０によれば、パッド５１，７１における導通性及び接着性を向上することができる。
【００４４】
また、本実施形態では、パッド５１，７１に形成された凹部５５，７５の形状を球冠状としている。このため、凹部５５，７５の形状を円筒状等にすると、それらの角部において発生するストレスの集中を防止することができる。
さらに、本実施形態では、パッド７１の凹部７５の形状を上述した形状としたので、半田バンプ８１，８２の形成に際して、エアボイドの発生を防止することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、電子部品やマザーボードといった部材の装着用に使用される半田バンプの形成領域における外周付近の半田バンプとして、接着力が大きなパッド７１に形成された半田バンプを優先的に配置することとしたので、部材装着時における半田パッドの基板からの剥れの発生を低減することができる。
【００４６】
なお、上記の実施形態では、電子部品装着側の半田バンプ８１とマザーボード装着側の半田バンプ８２とをほぼ同一の大きさとし、半田バンプ８１がその凹部上に形成されるパッド７１と、半田バンプ８２がその凹部上に形成されるパッド７１と同様の形状に形成することとした。これに対して、半田バンプ８１と半田バンプ８２とを異なる大きさとする場合には、凹部の形状が上述した条件を満たすことを条件として、半田バンプ８１がその凹部上に形成されるパッドと半田バンプ８２がその凹部上に形成されるパッドとを異なる形状とすることができる。
【００４７】
また、上記の実施形態では、本発明をパッケージ基板に適用した例を説明したが、パッドが形成される多層プリント配線板であれば、上記の実施形態と同様に、本発明を適用することができる。
【００４８】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例の記載に何等限定されるものではない。
【００４９】
（配線基板の製造）
（１）両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされた、厚さ０．６ｍｍのＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂又はガラスエポキシ樹脂製のコア基板３０Ａを常法に従ってパターンエッチングし、基板の両面に内層銅パターン３４を形成した。
次に、このコア基板３０を水洗いして乾燥し、無電解メッキ液（硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌを含む、ｐＨ＝９）に浸漬して銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成した。
次いでコア基板を水洗いし、０．１ｍｏｌ／ｌのホウふっ化スズと１．０ｍｏｌ／ｌのチオ尿素液とを含む５０℃の無電解スズ置換メッキ浴に１時間浸漬して、粗化層表面に０．３μｍスズ層を設けた。
【００５０】
（２）層間樹脂絶縁層を形成する無電解メッキ用接着剤を用意し、コア基板に塗布して水平状態で２０分程度静置した後に、６０℃で３０分、プリベークを行い、層間樹脂絶縁層４０を形成させた。使用した接着剤は、下記の処方（ａ）〜（ｃ）を混合攪拌して製造した。
【００５１】
【表１】

【００５２】
（３）次いで、以上のようにして下層層間樹脂絶縁層４０を形成した基板の両面に、所定径の黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯等により、積算光量５００ｍＪ／ｃｍ^２で露光した。その後、ＤＭＴＧ（トリエチレングリコールジメチルエーテル）溶液（商品名：ジメチルトリグリコール、昭和化学（株）製）でスプレー現像し、さらに超高圧水銀灯等により、積算光量３，０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光した。この後、１００℃で１時間、次いで１５０℃で５時間、加熱処理することにより、開口部４２が形成された厚さ２０μｍの層間樹脂絶縁層を形成した。
【００５３】
（４）ついで、開口部４２を形成した基板を、８００ｇ／ｌ濃度のクロム酸溶液に２分間浸漬させて、層間樹脂絶縁層４０の表面のエポキシ樹脂粒子を溶解除去し、層間樹脂絶縁層４０の表面を粗面化した。開口部４２内部の側面も粗面化処理した。中和溶液（商品名：ソービス、シプレイ（株）製）に浸漬させた後に水洗し、上記のように粗面化処理した基板の表面及び開口部内部の側面にパラジウム触媒（商品名：アクチベーターネオガント、アトテック（株）製）を付着させた。
【００５４】
（５）次に、無電解銅メッキ浴（ＥＤＴＡ１５０ｇ／ｌ、硫酸銅２０ｇ／ｌ、ＨＣＨＯ３０ｍｌ／ｌ、ＮａＯＨ４０ｇ／ｌ、α，α’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌ、ＰＥＧ０．１ｇ／ｌを含む）中に基板を浸漬させ、厚さが約０．６μｍの無電解銅メッキ膜を形成させた。
このように形成した無電解銅メッキ膜上に市販の感光性ドライフィルムを張り付けた後、マスクを載置して、積算光量１００ｍＪ／ｃｍ^２で露光し、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理して、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍメッキレジスト４６を設けた。
【００５５】
（６）次いで、硫酸銅・５水和物６０ｇ／ｌ、硫酸１９０ｇ／ｌ、塩素イオン４０ｐｐｍ、レベリング剤（アトテック（株）製、ＨＬ）４０ｍｌ／ｌ、光沢剤（アトテック（株）製、ＵＶ）０．５ｍｌ／ｌからなる溶液を用いて、３．００Ｌ／分でバブリングしながら、０．５Ａ／ｄｍ^２の電流密度（設定電流０．１８Ａ）で通電することによって電解銅メッキを施し、メッキレジスト４６が形成されていない部分に電解銅メッキ膜を析出させて、パッド５１を形成させた。
【００５６】
（７）引き続き、めっきレジスト４６を５％ＫＯＨで剥離除去し、その後、表面に残存している無電解めっき膜を、硫酸と過酸化水素との混合液を用いてエッチング処理することにより溶解除去した。そして、導体パターン５２とパッド５１とに対して、上記の内層銅パターンの場合と同様にして、粗化層を形成させた。（８）次に、上述した下層層間樹脂絶縁層４０、導体パターン５２及びパッド５１の形成工程と同様の工程を繰り返し、最外層層間樹脂絶縁層６０、導体パターン７２及びパッド７１を形成した。
【００５７】
（９）次いで、パッド７１及び導体パターン７２の表面に粗化層を形成した後、この段階における基板表面にソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚みとなるように塗布し、７０℃で３０分、乾燥処理した。この後、半田バンプ８１，８２を形成すべき領域を、積算光量１，０００Ｊ／ｃｍ^２で露光し、ＤＭＴＧを用いて現像処理することにより、開口部が形成されたソルダーレジスト層を形成した。
以上のように処理した基板の表面に形成した開口部の底部の導体上、ニッケルめっきと金めっきとを順次施し、配線板本体を完成させた。
【００５８】
ここで基板表面に塗布するソルダーレジスト組成物は、例えば、４６．６７ｇのＤＭＴＧに溶解させた８０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４，０００）、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、商品名：エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成（株）製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬（株）製、商品名：Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学（株）製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ（株）製、商品名：Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学（株）製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学（株）製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整した。
【００５９】
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ−Ｂ型）を用い、６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によって測定した。
【００６０】
（１０）次に、配線板本体２０の表面に形成された開口部８５を除く表面領域にメタルマスクを載置したのち、例えば、２００℃で加熱して半田リフローを行うことにより、配線板本体２０の表面に形成された開口部８５に半田バンプ８１，８２を形成した。その後、多層プリント配線板の表面を、界面活性剤溶液にて洗浄し、上記の半田リフローの際に半田ペーストから染み出たフラックスを洗い流して、多層プリント配線板を製造した。
【００６１】
（凹部の直径、深さとボールシェア強度との関係の測定）
以上の工程の中で、下記の実施例１〜９及び比較例１〜２７のような直径と深さとを備える凹部７５を有する、直径０．５ｍｍのパッド７１を形成させた。なお、上述したパッド７１の形成工程における電解銅メッキ膜を析出させるための条件を変化させることにより、これらの凹部７５における直径と深さを変化させた。そして、凹部７５の直径及び深さと、パッド７１のボールシェア強度との関係、シーム及びボイドの発生との関係を測定した。この測定結果を、表２並びに図７及び図８に示す。ここで、ボールシェア強度は、ＥＩＡＪ−ＥＤ−４７０３に従って測定した。また、シーム及びボイドの発生の有無は、パッド断面を顕微鏡観察することにより確認した。
【００６２】
なお、表２、図７及び図８中においては、凹部直径はパッド直径を１００としたときの比率で表されており、凹部深さはパッド厚さを１００としたときの比率で表されている。また、表２中における「○」はシームやボイドが発生していないことを意味し、「×」はこれらが発生したことを意味している。また、図７及び図８中においては、シーム又はボイドの発生を、棒部にハッチを付して表している。
【００６３】
【表２】

【００６４】
表２、図７及び図８に示されるように、凹部深さが一定の場合には、凹部直径がパッド直径の４５％に達するまでは、ボールシェア強度は増加した（比較例１〜１５、実施例１〜６）。そして、凹部直径がパッド直径の４５〜６０％の範囲では、ボールシェア強度は同等であった（比較例１４〜１６、実施例４〜９）。しかし、凹部直径がパッド直径の７０％となると、６０％の場合と比べて概ねボールシェア強度が低下した（比較例１８〜２２）。そして、凹部直径がパッド直径の７０〜８０％の範囲では、ボールシェア強度は同等であった（比較例１８〜２７）。
【００６５】
一方、凹部直径の値にもよるが、凹部深さがある程度の大きな値となると、シームやボイドが発生したケースも認められた（比較例３〜６、９〜１１、１３、１５、１７、２１，２２）。
【００６６】
以上を総合してみると、凹部直径がパッド径の３０〜６０％であり、凹部深さがパッド厚の２０〜６０％の範囲である場合である実施例１〜９においては、シームやボイドの発生もなく、ボールシェア強度も各実施例において十分な強度と考えられる９５０ｇ／ｂａｌｌを超えた。
【００６７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の多層プリント配線板によれば、パッドにおける導通性及び接着性を従来と比べて向上することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る多層プリント配線板の外観構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る多層プリント配線板の断面構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を説明するための図（その１）である。
【図４】本発明の一実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を説明するための図（その２）である。
【図５】本発明の一実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を説明するための図（その３）である。
【図６】本発明の一実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を説明するための図（その４）である。
【図７】パッド上の凹部の直径、深さとボールシェア強度との関係を示す図（その１）である。
【図８】パッド上の凹部の直径、深さとボールシェア強度との関係を示す図（その２）である。
【図９】従来技術を説明するための図である。
【符号の説明】
１０…多層プリント配線板、２０…配線板本体、３０…コア基板、３４…内層銅パターン、４０…下層層間樹脂絶縁層、５１…パッド，５２…導体パターン、５５…凹部、６０…最外層層間樹脂絶縁層、７１…パッド（半田バンプ用パッド）、７２…導体パターン、７５…凹部、８１，８２…半田バンプ。

Claims

絶縁層に穿設された開口部に金属が充填されて形成されたパッドを備える多層プリント配線板において、
前記パッドの少なくとも一部は、その形成後に導電構造体が形成される端部に、径が前記パッドの径の３０〜６０％であり、深さが前記パッドの厚さの２０〜６０％である凹部を有する、ことを特徴とする多層プリント配線板。
前記凹部は球冠状の形状を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板。
前記パッドには、前記凹部上に半田バンプが形成された半田バンプ用パッドが含まれる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層プリント配線板。
前記半田バンプ用パッドが、部材装着用の半田バンプの形成領域における外周付近に優先的に配置される、ことを特徴とする請求項３に記載の多層プリント配線板。