JP2004158812A - 半導体チップの製造方法及びダイシング用粘着テープ - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれが生じ難く、かつダイシング後に半導体チップを剥離するに際し、半導体チップの割れや欠けが生じ難い、半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１にダイシング用粘着テープ２を貼付するにあたり、ダイシング用粘着テープ２として、半導体ウェーハ１をダイシングすることにより得られる１つの半導体チップが貼付されるべき部分３において、粘着力が相対的に高い第１の領域３Ａと、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域３Ｂとを有するものを用い、ダイシング用粘着テープ２に貼付された半導体ウェーハ１をダイシングし、個々の半導体チップ１Ａに分割し、半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から剥離する、半導体チップの製造方法。
【選択図】 図４
【解決手段】半導体ウェーハ１にダイシング用粘着テープ２を貼付するにあたり、ダイシング用粘着テープ２として、半導体ウェーハ１をダイシングすることにより得られる１つの半導体チップが貼付されるべき部分３において、粘着力が相対的に高い第１の領域３Ａと、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域３Ｂとを有するものを用い、ダイシング用粘着テープ２に貼付された半導体ウェーハ１をダイシングし、個々の半導体チップ１Ａに分割し、半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から剥離する、半導体チップの製造方法。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハをダイシングすることにより多数の半導体チップを製造する方法に関し、より詳細には、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハが貼付された状態でダイシングが行われ、しかる後半導体チップが取り出される半導体チップの製造方法及び該ダイシング用粘着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップの製造に際しては、表面に多数の半導体チップ用回路が形成された半導体ウェーハが用意される。次に、半導体ウェーハの裏面が研磨されて所定の厚みとされた後に、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに貼付される。次に、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハが縦方向及び横方向にダイシングされ、多数の半導体チップに分割される。しかる後、ダイシング用粘着テープから半導体チップが剥離され、取り出される。
【０００３】
このような半導体チップ製造方法の一例は、例えば下記の文献１に開示されている。この先行技術に記載の製造方法では、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれを防止するために、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに粘着されており、かつダイシング後に光を照射することによりダイシング用粘着テープの粘着剤層の粘着力が低められ、それによって、半導体チップがダイシング用粘着テープから容易に剥離される。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−７８７９３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼付し、ダイシングを行う場合、ダイシング用粘着テープの粘着力がある程度高いことが必要である。粘着力が十分に高くなければ、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれが生じ、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることができなくなる。
【０００６】
しかしながら、光の照射により粘着力が低下する粘着剤を用いた上記先行技術に記載の方法では、上記粘着力を高めた場合、ダイシング後に光を照射しても、粘着力が十分低くならないことがあった。そのため、突き上げピンや吸着パッドを用いて半導体チップをダイシング用粘着テープから剥離し、取り出す際に、半導体チップの割れや欠けが生じることがあった。
【０００７】
そこで、従来は、ダイシング時のダイシング用粘着テープの半導体ウェーハに対する粘着力は高い方が好ましいにも関わらず、４０〜５０ｇ／１０ｍｍ程度とされていた。粘着力がこれよりも高くなると、光照射後の粘着力は十分に低くならなかったためである。
【０００８】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、ダイシングの際の半導体ウェーハの位置ずれが生じ難く、かつダイシング後に半導体チップを取り出すに際し、ダイシング用粘着テープによる粘着力が十分に低められており、従って半導体チップの割れや欠けが生じ難い半導体チップの製造方法、並びに該製造方法に用いられるダイシング用粘着テープを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造する方法であって、半導体ウェーハを用意する工程と、前記半導体ウェーハにダイシング用粘着テープを貼付する工程とを備え、該ダイシング用粘着テープが、半導体ウェーハをダイシングすることにより得られる１つの半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを有し、前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体チップの製造方法のある特定の局面では、上記第１の領域が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている。従って、光や熱などの刺激を与えることにより、第１の領域における粘着力が低下し、ダイシング用粘着テープから半導体チップをさらに容易に剥離することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体チップの製造方法の他の特定の局面では、第１の領域を構成している粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む。この場合には、光や熱などの刺激を与えた場合に、ガス発生剤がガスを発生し、従って、半導体チップとダイシング用粘着テープの第１の領域との間の界面にガスが存在することとなり、ダイシング用粘着テープから半導体チップを一層容易に剥離することができる。
【００１２】
本発明に係る半導体チップの製造方法のより限定的な局面では、上記刺激として光が用いられ、従って光の照射によりダイシング用粘着テープの第１の領域の半導体チップに対する粘着力を容易に低下させることができる。
【００１３】
本発明に係る半導体チップの製造方法のさらに他の特定の局面では、ダイシング前の第１の領域の粘着剤の粘着力は、半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力で１００ｇ／１０ｍｍ以上であり、従って、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれが生じ難い。
【００１４】
本発明に係るダイシング用粘着テープは、半導体ウェーハに貼付され、半導体ウェーハをダイシングにより個々の半導体チップに分割した後に各半導体チップが剥離されるダイシング用粘着テープであって、個々の半導体チップ部分が貼付される１つの部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係るダイシング用粘着テープのある特定の局面では、上記第１の領域が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている。従って、光や熱などの刺激を与えることにより、第１の領域の半導体チップに対する粘着力を効果的に低めることができる。
【００１６】
本発明に係るダイシング用粘着テープのさらに他の特定の局面では、第１の領域を構成している粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む。この場合には、ガスが半導体チップと第１の領域との界面に移行し、それによってダイシング用粘着テープから半導体チップをより一層容易に剥離することができる。
【００１７】
上記刺激として光が用いられる場合には、光を照射するだけで、容易に半導体チップのダイシング用粘着テープの第１の領域に対する粘着力が低下される。
第１の領域の半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力が１００ｇ／１０ｍｍ以上である場合には、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハが確実に粘着・固定されるため、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれを抑制することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１９】
本発明においては、図３に示す半導体ウェーハ１が用いられる。半導体ウェーハ１では、表面１ａ上に、ストリートによって区画された各領域に個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。なお、図３（ａ）では、具体的な回路の図示は省略していることを指摘しておく。
【００２０】
半導体ウェーハ１は、略円盤状の形状を有する。半導体ウェーハ１では、表面１ａに上記回路を構成した後に、裏面１ｂ側が研磨され、半導体ウェーハ１が所定の厚みとされる。
【００２１】
本実施形態では、このようにして所定の厚みとされた半導体ウェーハ１が先ず用意される。上記半導体ウェーハは、例えばシリコンなどの半導体材料により構成されており、厚みは、通常、研磨後の状態で数百μｍ程度である。次に、半導体ウェーハの裏面１ｂに、図３に示すようにダイシング用粘着テープ２が貼付される。
【００２２】
図１（ａ）に、ダイシング用粘着テープ２の表面を模式的平面図で示す。ダイシング用粘着テープ２は、基材上に粘着剤層を形成することにより構成されている。
【００２３】
基材としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリプロピレンなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられ、特に、後述する刺激が光の場合には、透光性の樹脂フィルムが基材として好ましく用いられる。
【００２４】
基材の上面に形成された粘着剤層３においては、半導体ウェーハ１が後の段階でダイシングされて得られる１つの半導体チップが貼付される各部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域３Ａと、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない残りの第２の領域３Ｂとを有するように構成されている。図１（ｂ）において、１つの半導体チップが貼付される部分を拡大して模式的平面図で示すように、１つの半導体チップが貼付される部分３において、中央に略円形の第１の領域３Ａが形成されており、その周囲に第２の領域３Ｂが形成されている。
【００２５】
第１の領域の平面形状は円形に限らず、矩形や×印などの様々な形状とすることができ、部分３の一部の領域に第１の領域３Ａが形成される限り、その平面形状は特に限定されない。
【００２６】
本実施形態では、ダイシング用粘着テープ２において、第１の領域３Ａの粘着力が、第２の領域３Ｂに比べて相対的に高くされている。この第１の領域３Ａの粘着力３Ａは、ダイシングに際しての半導体ウェーハ１の位置ずれを生じない程度高いことが望ましく、好ましくは半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力で１００ｇ／ｍｍ以上とされる。１００ｇ／ｍｍ以上の剥離粘着力を有する場合、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれが生じ難く、半導体ウェーハ１を高精度にダイシングすることができる。
【００２７】
本実施形態では、第１の領域３Ａを構成している粘着剤は、光の照射により粘着力が低下するように構成されている。よって、ダイシング後に光を照射することにより、第１の領域３Ａを構成している粘着剤の粘着力が低下し、他方、第２の領域の粘着力が相対的に低いため、ダイシング後に半導体チップをダイシング用粘着テープ２から容易に剥離することができる。
【００２８】
上記ダイシング用粘着テープ２において、第１の領域３Ａと第２の領域３Ｂを構成する方法の一例を図２を参照して説明する。
図２（ａ）に示すように、基材４上に、光の照射により粘着力が低下する粘着剤からなる粘着剤層５を全面に形成する。しかる後、図２（ｂ）に示すように、開口６ａを有するマスク６を粘着剤層５上に載置し、矢印Ａで示すようにマスク６側から光を照射する。マスク６の開口６ａは、図１（ｂ）に示した第２の領域３Ｂに相当する部分であり、第１の領域３Ａに相当する部分はマスク部材６により光が貼付されないように構成されている。従って、上記光の照射により、粘着剤層５において、第１の領域３Ａには光が照射されないため粘着力が低下せず、第２の領域３Ｂにおいて光の照射により粘着力が低下する。このようにして、第１，第２の領域３Ａ，３Ｂを形成することができる。なお、図２（ｂ）及び後述の図４（ａ）のＸ１，Ｘ１は、最終的に半導体ウェーハをダイシングする際の切断位置を示す。すなわち、Ｘ１，Ｘ１間が１つの半導体チップに貼付される部分３となる。
【００２９】
上記光の照射により粘着力が低下する粘着剤としては、光の照射により弾性率が上昇する様々な粘着剤を用いることができる。このよう粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤が挙げられる。
【００３０】
このような光硬化型粘着剤は、光の照射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。従って、第２の領域３Ｂの粘着力が第１の領域３Ａに比べて大幅に低下される。
【００３１】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）を予め合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物）と反応させることにより得ることができる。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリルまたはメタクリルを意味するものとする。
【００３２】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、さらに必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０〜２００万程度である。
【００３３】
官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００３４】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００３５】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、官能基含有（メタ）アクリルポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００３６】
上記多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱または光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下であり、かつ、その分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数の下限が２個、上限が２０個である。このようなより好ましい多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートまたは上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマーまたはモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３７】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、べンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３８】
上記硬化型粘着剤には、以上の成分の他、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑性、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を配合してもよい。
【００３９】
好ましくは、上記粘着剤層５を構成する粘着剤として、光の照射によりガスを発生させるガス発生剤が含有されているものが用いられる。この場合には、後述のようにダイシング後に半導体チップをダイシング用粘着テープ２から剥離する際に、第１の領域３Ａに光を照射することより、第１の領域３Ａ自体の粘着力が低下すると共に、発生したガスが半導体チップと第１の領域３Ａとの界面に移行し、より一層粘着力が低下し、半導体チップを無理なくダイシング用粘着テープの領域３Ａから剥離することができる。
【００４０】
上記ガス発生剤としては特に限定はされないが、例えばアゾ化合物、アジド化合物が好適に用いられる。アゾ化合物としては、例えば、２，２′−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２′−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２′−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２イミダゾイリン−２−イル］プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミダイン）ハイドロクロライド、２，２′−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオンアミダイン、２，２′−アゾビス［２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミダイン］プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２′−アゾビスイソブチレート、４，４′−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４′−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２′−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【００４１】
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
また、アジド化合物としては、例えば３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生する。
【００４２】
上記ガス発生剤のうち、アジド化合物は、衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素ガスを放出する。従って、取扱いが困難であるという難点がある。さらにアジド化合物は、一端分解が始まると連鎖反応を起こし、爆発的に窒素ガスを放出し、その制御が容易でない。従って、爆発的に発生した窒素ガスにより半導体ウェーハが損傷するおそれがある。従って、アジド化合物を用いる場合、その使用量を少なくすることが望ましい。
【００４３】
これに対して、アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり、衝撃によって気体を発生しない。従って、取扱いが極めて容易である。また、アゾ化合物は連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生することもない。従って、半導体ウェーハの損傷が生じ難い。加えて、光の照射を中断した場合には、気体の発生も中断させることがある。従って、アゾ化合物を用いた場合には、用途に応じて接着性の制御が容易に行われ得る。よって、ガス発生剤としては、アゾ化合物を用いることが好ましい。
【００４４】
なお、粘着剤層５を上記ガス発生剤を含む粘着剤で構成した場合には、図２（ｂ）に示したように、光を矢印Ａ方向に照射した際に、第２の領域３Ｂを構成している粘着剤層部分においてガスが発生するが、このガスは、第２の領域３Ｂの表面に移行し、飛散する。他方、第１の領域３Ａでは、光が照射されないため、ダイシング前に第１の領域３Ａの粘着剤の粘着力が低下するおそれはない。
【００４５】
粘着剤１００重量部当たり、気体発生剤は５重量部〜５０重量部の割合で含有されることが望ましい。５重量部を下回る場合には、ガス発生量が不足し、所望の剥離性が得られないことがある。
【００４６】
また、５０重量部を上回る場合には、溶解性が悪化し、ブリード等の不具合が発生することがある。
なお、ガス発生剤は、粘着剤層５に分散されるが、その場合には、粘着剤層５全体が発泡体となり、柔らかくなりすぎるおそれがある。従って、好ましくは、少なくとも第１の領域３Ａにおいて、半導体ウェーハに粘着される表層部分、すなわち、表面から１〜２０μｍ程度の厚みの部分にガス発生剤を偏在させておくことが望ましく、より望ましくは、半導体ウェーハに貼り合わされる部分のみにガス発生剤を含有させることが好ましい。
【００４７】
少なくとも第１の領域３Ａを構成している粘着剤の半導体ウェーハに粘着される表層部分にガス発生剤を偏在させておくことにより、ダイシング後に光を照射した場合、ガス発生剤から発生したガスが第１の領域３Ａの粘着剤と半導体チップとの接着界面に確実に移行する。従って、両者の接着面積が減少し、なおかつ気体が半導体チップを第１の領域３Ａにおいて粘着面から剥離するように作用し、それによって半導体チップと第１の領域３Ａを構成している粘着剤との粘着力が急激に低下する。
【００４８】
なお、上記表層部分にガス発生剤を含有させた態様とは、粘着剤の表面にガス発生剤が均一に付着している態様や、粘着剤の表面に付着したガス発生剤が粘着剤と相溶し、粘着剤に吸収されている態様も含むものとする。
【００４９】
表層部分にのみガス発生剤を含有させる方法としては、例えば、粘着剤層上に１〜２０μｍ程度の厚みでガス発生剤を含有する粘着剤を塗工する方法や、予め作製された粘着剤層表面にガス発生剤を含有する揮発性液体不透過性フィルムを塗布あるいはスプレーなどにより形成する方法などが挙げられる。
【００５０】
上記表層部分の厚みは、粘着剤層全体の厚みによっても異なるが、粘着剤の表面から２０μｍまでの深さ部分であることが好ましく、該表面部分において、粘着剤１００重量部当たり、気体発生剤は５重量部〜５０重量部の割合で含有されることが望ましい。
【００５１】
なお、粘着剤層５の表面に気体発生剤を付着させる場合には、粘着剤と相溶性に優れた気体発生剤を付着させることが好ましい。すなわち、粘着剤の表面に気体発生剤を多量に付着させると粘着力が低くなるが、気体発生剤が粘着剤と相溶する場合は、付着した気体発生剤は粘着剤層に吸収され粘着力が低下することがなく、気体発生剤が拡散することにより被着体との接触面全体に対してより均一に気体を発生させることができる。また、気体発生剤を含有する表面部分とそれ以外とは、異なる組成の樹脂成分からなることが好ましく、なかでも、異なる極性を有する樹脂成分からなることがより好ましい。これにより、表面部分の気体発生剤がそれ以外に移行することを防止するか、移行しにくくすることができる。
【００５２】
上記のようにして、図１及び図２（ｂ）に示した第１の領域３Ａ，３Ｂを有するダイシング用粘着テープ２が用意されるが、このダイシング用粘着テープ２を用いてダイシング及び半導体チップの剥離を行う工程を図４及び図５を参照して説明する。
【００５３】
図４（ａ）は、図示しないステージ上に、ダイシング用粘着テープ２を配置し、その上面に半導体ウェーハ１を貼り合わせた状態を示す部分切欠正面断面図である。
【００５４】
この状態において、半導体ウェーハ１は、ダイシング用粘着テープ２に対し、強固に貼り合わされている。すなわち、第１の領域３Ａが上記のように、高い粘着力を有し、半導体ウェーハ１が第１の領域３Ａを構成している粘着剤層部分によりダイシング用粘着テープ２に十分な接着強度で貼り合わされている。
【００５５】
次に、ステージ上において、半導体ウェーハ１を縦方向及び横方向にダイシングする。図４（ｂ）の切断線Ｘは、ダイシングにより形成された切断線を示し、半導体ウェーハ１が、多数の半導体チップ１Ａに分割される。
【００５６】
ダイシングの際に、半導体ウェーハ１が、ダイシング用粘着テープ２に強固に接着されており、ダイシング用粘着テープ２が図示しないステージに機械的に固定されているため、ダイシングに際しての半導体ウェーハ１の位置ずれが生じ難い。従って、ダイシングは高精度に行われる。
【００５７】
次に、図５に略図的部分切欠断面図で示すように、基材４の下面から光を矢印Ｚ方向で示すように照射する。基材４は透光性の材料であるため、基板４側から光を照射することにより、第１の領域３Ａを構成している粘着剤が光硬化型であるため、弾性率が高まり、第２の領域３Ｂと同様に粘着力が低減する。加えて、上述したガス発生剤がガスを発生させるため、発生したガスが矢印Ｙで示すように第１の領域３Ａにおいて粘着剤表面と半導体ウェーハ１との界面に移行し、両者の粘着力が大幅に低減される。すなわち、初期粘着力が１００ｇ／ｍｍ以上であったのに対し、上記光の照射により粘着力はほぼ０とされる。従って、半導体チップ１Ａを、吸着パッドなどを用いて、ダイシング用粘着テープ２から容易に剥離することができ、半導体チップ１Ａの取り出しに際し、半導体チップ１Ａの割れや欠けが生じ難い。
【００５８】
上記実施形態では、第１の領域３Ａを構成している粘着剤は、光の照射により弾性率が高まり、粘着力が低下する光硬化型の粘着剤により構成されていたが、加熱により弾性率が高まり、粘着力が低下する熱硬化型の粘着剤により構成されていてもよい。すなわち、第１の領域を構成している粘着剤の粘着力を低下させる刺激は、光に限らず、熱などの他の刺激であってもよい。
【００５９】
このような熱硬化型粘着剤としては、特に限定されないが、分子内にラジカル重合性の不飽和基を有しているアクリル酸アルキルエステル系及び／メタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマー等を主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤などを挙げることができる。この場合、重合性ポリマー及び多官能オリゴマーもしくはモノマーについては、上述した光硬化型の粘着剤の場合と同様の化合物を用いることができる。
【００６０】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、具体的には例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔブチルパーオキサイド等が挙げられる。中でも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６１】
なお、上述の実施形態では、光によりガスを発生させるガス発生剤を用いた例を示したが、熱などの他の刺激によりガスを発生させるガス発生剤を粘着剤に含有させておいてもよい。
【００６２】
また、上記実施形態では、ガス発生剤を含む粘着剤を用いていたが、本発明においては、必ずしも、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む粘着剤を用いる必要はない。すなわち、図１（ａ）及び（ｂ）に示したように、個々の半導体チップが貼付される部分において、第１の領域３Ａが、第２の領域３Ｂに比べて相対的に粘着力が高く、ダイシングに際して十分な接着強度を発現し、さらに、半導体チップをダイシング後に容易に剥離し得る限り、ガス発生剤を含む必要はない。
【００６３】
また、図１（ａ）及び（ｂ）に示したように、個々の半導体チップが貼付される部分３において、一部の領域である第１の領域３Ａのみが高い粘着力を有するように構成されておりされすればよい。従って、第１の領域３Ａを構成している粘着剤は、必ずしも、光や熱などの刺激により粘着力が低下する粘着剤で構成されずともよい。すなわち、半導体チップは第１の領域３Ａのみにおいて強固に粘着されているだけであるため、刺激により粘着力が低下しない粘着剤を用いた場合であっても、ダイシング用粘着テープからダイシング後に個々の半導体チップを容易に剥離することができるからである。
【００６４】
なお、半導体チップをダイシング用粘着テープから取り出す際の上記光の照射は、全ての半導体チップが貼付されている領域全体を一度に照射してもよく、あるいは個々の半導体チップを取り出す直前に、１つの半導体チップ毎の第１の領域３Ａに照射してもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、第１の領域３Ａと第２の領域３Ｂとは、マスク６を用いた光の照射により第２の領域３Ｂの粘着力を相対的に低下させることにより形成されていたが、第１の領域３Ａ，第２の領域３Ｂとして、粘着力が異なる別種類の粘着剤を塗工することにより形成してもよい。また、第２の領域に接着性を有しないフォトレジストなどの他の樹脂材料を配置して第２の領域を構成してもよい。さらに、第２の領域に粘着剤や樹脂が配置されずともよい。すなわち、第１の領域３Ａにのみ粘着剤が基材の上面に付与されて、ダイシング用粘着テープが形成されてもよい。もっとも、その場合には、半導体ウェーハの厚みが薄いため、半導体ウェーハが波うつおそれがある。
【００６６】
従って、好ましくは、上記実施形態のように、第１，第２の領域３Ａ，３Ｂの上面が平面性を有するように、第２の領域３Ｂに、粘着剤や樹脂等を配置することが望ましい。
【００６７】
さらに、ダイシング用粘着テープは、半導体ウェーハの回路形成面側の面に貼付されて、予めダイシング工程を行った後、研磨工程が行われてもよい。
【００６８】
【発明の効果】
本発明に係る半導体チップの製造方法によれば、ダイシング用粘着テープが、半導体ウェーハをダイシングすることにより得られる１つの半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを有するように構成されているため、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、半導体チップをダイシング用粘着テープから容易に剥離することができる。従って、剥離に際しての半導体チップの割れや欠けが生じ難い。また、半導体チップが、ダイシング用粘着テープに部分的に粘着されているだけであるため、上記のように、半導体チップのダイシング用粘着テープからの剥離が容易となるが、そのため、上記第１の領域の粘着力を従来のダイシング用粘着テープの半導体ウェーハに対する初期粘着力よりも高くすることができる。従って、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれも生じ難く、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることができる。
【００６９】
特に、第１の領域を構成している粘着剤が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている場合には、光や熱などの刺激を与えることにより、粘着力を低下させ、ダイシング用粘着テープから半導体チップをより一層容易に剥離することができる。この場合には、粘着力が刺激により低下するため、初期粘着力を十分に高めることができ、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれをより一層確実に抑制することができる。
【００７０】
さらに、刺激によりガスを発生するガス発生剤を上記粘着剤が含む場合には、光や熱などの刺激を与えることにより、半導体チップと第１の領域の粘着剤との界面にガスが移行する。従って、突き上げピンなどを用いることなく、半導体チップをダイシング用粘着テープからより一層容易に剥離し得る。
【００７１】
上記のように、本発明では、半導体チップが部分的に粘着テープに強粘着されることになるため剥離が容易になされ得る。従って、ダイシング前の第１の領域の粘着力を高く設定し得るので、半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力で１００ｇ／１０ｍｍ以上とすることができ、それによって、半導体ウェーハをダイシングする際の半導体ウェーハの位置ずれを確実に抑制することができ、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態において用意されるダイシング用粘着テープの平面図及びその一部であり、１つの半導体チップが貼付される部分を模式的に示す平面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１に示したダイシング用粘着テープを得る工程を説明するための各部分切欠正面断面図。
【図３】本発明の一実施形態で半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに貼付される工程を説明するための分解斜視図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態において、ダイシング用粘着テープ上に半導体ウェーハを貼付した状態を示す部分切欠断面図及びダイシングが行われた後の半導体ウェーハ及びダイシング用粘着テープを示す部分切欠正面断面図。
【図５】光の照射によりガス発生剤から発生したガスが粘着剤と半導体チップとの界面に移行する状態を説明するための模式的部分切欠断面図。
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ
２…ダイシング用粘着テープ
３Ａ…第１の領域
３Ｂ…第２の領域
４…基材
５…粘着剤層
６…マスク
６ａ…開口
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハをダイシングすることにより多数の半導体チップを製造する方法に関し、より詳細には、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハが貼付された状態でダイシングが行われ、しかる後半導体チップが取り出される半導体チップの製造方法及び該ダイシング用粘着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップの製造に際しては、表面に多数の半導体チップ用回路が形成された半導体ウェーハが用意される。次に、半導体ウェーハの裏面が研磨されて所定の厚みとされた後に、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに貼付される。次に、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハが縦方向及び横方向にダイシングされ、多数の半導体チップに分割される。しかる後、ダイシング用粘着テープから半導体チップが剥離され、取り出される。
【０００３】
このような半導体チップ製造方法の一例は、例えば下記の文献１に開示されている。この先行技術に記載の製造方法では、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれを防止するために、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに粘着されており、かつダイシング後に光を照射することによりダイシング用粘着テープの粘着剤層の粘着力が低められ、それによって、半導体チップがダイシング用粘着テープから容易に剥離される。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−７８７９３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼付し、ダイシングを行う場合、ダイシング用粘着テープの粘着力がある程度高いことが必要である。粘着力が十分に高くなければ、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれが生じ、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることができなくなる。
【０００６】
しかしながら、光の照射により粘着力が低下する粘着剤を用いた上記先行技術に記載の方法では、上記粘着力を高めた場合、ダイシング後に光を照射しても、粘着力が十分低くならないことがあった。そのため、突き上げピンや吸着パッドを用いて半導体チップをダイシング用粘着テープから剥離し、取り出す際に、半導体チップの割れや欠けが生じることがあった。
【０００７】
そこで、従来は、ダイシング時のダイシング用粘着テープの半導体ウェーハに対する粘着力は高い方が好ましいにも関わらず、４０〜５０ｇ／１０ｍｍ程度とされていた。粘着力がこれよりも高くなると、光照射後の粘着力は十分に低くならなかったためである。
【０００８】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、ダイシングの際の半導体ウェーハの位置ずれが生じ難く、かつダイシング後に半導体チップを取り出すに際し、ダイシング用粘着テープによる粘着力が十分に低められており、従って半導体チップの割れや欠けが生じ難い半導体チップの製造方法、並びに該製造方法に用いられるダイシング用粘着テープを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造する方法であって、半導体ウェーハを用意する工程と、前記半導体ウェーハにダイシング用粘着テープを貼付する工程とを備え、該ダイシング用粘着テープが、半導体ウェーハをダイシングすることにより得られる１つの半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを有し、前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体チップの製造方法のある特定の局面では、上記第１の領域が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている。従って、光や熱などの刺激を与えることにより、第１の領域における粘着力が低下し、ダイシング用粘着テープから半導体チップをさらに容易に剥離することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体チップの製造方法の他の特定の局面では、第１の領域を構成している粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む。この場合には、光や熱などの刺激を与えた場合に、ガス発生剤がガスを発生し、従って、半導体チップとダイシング用粘着テープの第１の領域との間の界面にガスが存在することとなり、ダイシング用粘着テープから半導体チップを一層容易に剥離することができる。
【００１２】
本発明に係る半導体チップの製造方法のより限定的な局面では、上記刺激として光が用いられ、従って光の照射によりダイシング用粘着テープの第１の領域の半導体チップに対する粘着力を容易に低下させることができる。
【００１３】
本発明に係る半導体チップの製造方法のさらに他の特定の局面では、ダイシング前の第１の領域の粘着剤の粘着力は、半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力で１００ｇ／１０ｍｍ以上であり、従って、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれが生じ難い。
【００１４】
本発明に係るダイシング用粘着テープは、半導体ウェーハに貼付され、半導体ウェーハをダイシングにより個々の半導体チップに分割した後に各半導体チップが剥離されるダイシング用粘着テープであって、個々の半導体チップ部分が貼付される１つの部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係るダイシング用粘着テープのある特定の局面では、上記第１の領域が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている。従って、光や熱などの刺激を与えることにより、第１の領域の半導体チップに対する粘着力を効果的に低めることができる。
【００１６】
本発明に係るダイシング用粘着テープのさらに他の特定の局面では、第１の領域を構成している粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む。この場合には、ガスが半導体チップと第１の領域との界面に移行し、それによってダイシング用粘着テープから半導体チップをより一層容易に剥離することができる。
【００１７】
上記刺激として光が用いられる場合には、光を照射するだけで、容易に半導体チップのダイシング用粘着テープの第１の領域に対する粘着力が低下される。
第１の領域の半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力が１００ｇ／１０ｍｍ以上である場合には、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハが確実に粘着・固定されるため、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれを抑制することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１９】
本発明においては、図３に示す半導体ウェーハ１が用いられる。半導体ウェーハ１では、表面１ａ上に、ストリートによって区画された各領域に個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。なお、図３（ａ）では、具体的な回路の図示は省略していることを指摘しておく。
【００２０】
半導体ウェーハ１は、略円盤状の形状を有する。半導体ウェーハ１では、表面１ａに上記回路を構成した後に、裏面１ｂ側が研磨され、半導体ウェーハ１が所定の厚みとされる。
【００２１】
本実施形態では、このようにして所定の厚みとされた半導体ウェーハ１が先ず用意される。上記半導体ウェーハは、例えばシリコンなどの半導体材料により構成されており、厚みは、通常、研磨後の状態で数百μｍ程度である。次に、半導体ウェーハの裏面１ｂに、図３に示すようにダイシング用粘着テープ２が貼付される。
【００２２】
図１（ａ）に、ダイシング用粘着テープ２の表面を模式的平面図で示す。ダイシング用粘着テープ２は、基材上に粘着剤層を形成することにより構成されている。
【００２３】
基材としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリプロピレンなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられ、特に、後述する刺激が光の場合には、透光性の樹脂フィルムが基材として好ましく用いられる。
【００２４】
基材の上面に形成された粘着剤層３においては、半導体ウェーハ１が後の段階でダイシングされて得られる１つの半導体チップが貼付される各部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域３Ａと、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない残りの第２の領域３Ｂとを有するように構成されている。図１（ｂ）において、１つの半導体チップが貼付される部分を拡大して模式的平面図で示すように、１つの半導体チップが貼付される部分３において、中央に略円形の第１の領域３Ａが形成されており、その周囲に第２の領域３Ｂが形成されている。
【００２５】
第１の領域の平面形状は円形に限らず、矩形や×印などの様々な形状とすることができ、部分３の一部の領域に第１の領域３Ａが形成される限り、その平面形状は特に限定されない。
【００２６】
本実施形態では、ダイシング用粘着テープ２において、第１の領域３Ａの粘着力が、第２の領域３Ｂに比べて相対的に高くされている。この第１の領域３Ａの粘着力３Ａは、ダイシングに際しての半導体ウェーハ１の位置ずれを生じない程度高いことが望ましく、好ましくは半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力で１００ｇ／ｍｍ以上とされる。１００ｇ／ｍｍ以上の剥離粘着力を有する場合、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれが生じ難く、半導体ウェーハ１を高精度にダイシングすることができる。
【００２７】
本実施形態では、第１の領域３Ａを構成している粘着剤は、光の照射により粘着力が低下するように構成されている。よって、ダイシング後に光を照射することにより、第１の領域３Ａを構成している粘着剤の粘着力が低下し、他方、第２の領域の粘着力が相対的に低いため、ダイシング後に半導体チップをダイシング用粘着テープ２から容易に剥離することができる。
【００２８】
上記ダイシング用粘着テープ２において、第１の領域３Ａと第２の領域３Ｂを構成する方法の一例を図２を参照して説明する。
図２（ａ）に示すように、基材４上に、光の照射により粘着力が低下する粘着剤からなる粘着剤層５を全面に形成する。しかる後、図２（ｂ）に示すように、開口６ａを有するマスク６を粘着剤層５上に載置し、矢印Ａで示すようにマスク６側から光を照射する。マスク６の開口６ａは、図１（ｂ）に示した第２の領域３Ｂに相当する部分であり、第１の領域３Ａに相当する部分はマスク部材６により光が貼付されないように構成されている。従って、上記光の照射により、粘着剤層５において、第１の領域３Ａには光が照射されないため粘着力が低下せず、第２の領域３Ｂにおいて光の照射により粘着力が低下する。このようにして、第１，第２の領域３Ａ，３Ｂを形成することができる。なお、図２（ｂ）及び後述の図４（ａ）のＸ１，Ｘ１は、最終的に半導体ウェーハをダイシングする際の切断位置を示す。すなわち、Ｘ１，Ｘ１間が１つの半導体チップに貼付される部分３となる。
【００２９】
上記光の照射により粘着力が低下する粘着剤としては、光の照射により弾性率が上昇する様々な粘着剤を用いることができる。このよう粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤が挙げられる。
【００３０】
このような光硬化型粘着剤は、光の照射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。従って、第２の領域３Ｂの粘着力が第１の領域３Ａに比べて大幅に低下される。
【００３１】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）を予め合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物）と反応させることにより得ることができる。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリルまたはメタクリルを意味するものとする。
【００３２】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、さらに必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０〜２００万程度である。
【００３３】
官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００３４】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００３５】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、官能基含有（メタ）アクリルポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００３６】
上記多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱または光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下であり、かつ、その分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数の下限が２個、上限が２０個である。このようなより好ましい多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートまたは上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマーまたはモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３７】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、べンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３８】
上記硬化型粘着剤には、以上の成分の他、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑性、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を配合してもよい。
【００３９】
好ましくは、上記粘着剤層５を構成する粘着剤として、光の照射によりガスを発生させるガス発生剤が含有されているものが用いられる。この場合には、後述のようにダイシング後に半導体チップをダイシング用粘着テープ２から剥離する際に、第１の領域３Ａに光を照射することより、第１の領域３Ａ自体の粘着力が低下すると共に、発生したガスが半導体チップと第１の領域３Ａとの界面に移行し、より一層粘着力が低下し、半導体チップを無理なくダイシング用粘着テープの領域３Ａから剥離することができる。
【００４０】
上記ガス発生剤としては特に限定はされないが、例えばアゾ化合物、アジド化合物が好適に用いられる。アゾ化合物としては、例えば、２，２′−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２′−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２′−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２イミダゾイリン−２−イル］プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミダイン）ハイドロクロライド、２，２′−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオンアミダイン、２，２′−アゾビス［２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミダイン］プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２′−アゾビスイソブチレート、４，４′−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４′−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２′−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【００４１】
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
また、アジド化合物としては、例えば３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生する。
【００４２】
上記ガス発生剤のうち、アジド化合物は、衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素ガスを放出する。従って、取扱いが困難であるという難点がある。さらにアジド化合物は、一端分解が始まると連鎖反応を起こし、爆発的に窒素ガスを放出し、その制御が容易でない。従って、爆発的に発生した窒素ガスにより半導体ウェーハが損傷するおそれがある。従って、アジド化合物を用いる場合、その使用量を少なくすることが望ましい。
【００４３】
これに対して、アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり、衝撃によって気体を発生しない。従って、取扱いが極めて容易である。また、アゾ化合物は連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生することもない。従って、半導体ウェーハの損傷が生じ難い。加えて、光の照射を中断した場合には、気体の発生も中断させることがある。従って、アゾ化合物を用いた場合には、用途に応じて接着性の制御が容易に行われ得る。よって、ガス発生剤としては、アゾ化合物を用いることが好ましい。
【００４４】
なお、粘着剤層５を上記ガス発生剤を含む粘着剤で構成した場合には、図２（ｂ）に示したように、光を矢印Ａ方向に照射した際に、第２の領域３Ｂを構成している粘着剤層部分においてガスが発生するが、このガスは、第２の領域３Ｂの表面に移行し、飛散する。他方、第１の領域３Ａでは、光が照射されないため、ダイシング前に第１の領域３Ａの粘着剤の粘着力が低下するおそれはない。
【００４５】
粘着剤１００重量部当たり、気体発生剤は５重量部〜５０重量部の割合で含有されることが望ましい。５重量部を下回る場合には、ガス発生量が不足し、所望の剥離性が得られないことがある。
【００４６】
また、５０重量部を上回る場合には、溶解性が悪化し、ブリード等の不具合が発生することがある。
なお、ガス発生剤は、粘着剤層５に分散されるが、その場合には、粘着剤層５全体が発泡体となり、柔らかくなりすぎるおそれがある。従って、好ましくは、少なくとも第１の領域３Ａにおいて、半導体ウェーハに粘着される表層部分、すなわち、表面から１〜２０μｍ程度の厚みの部分にガス発生剤を偏在させておくことが望ましく、より望ましくは、半導体ウェーハに貼り合わされる部分のみにガス発生剤を含有させることが好ましい。
【００４７】
少なくとも第１の領域３Ａを構成している粘着剤の半導体ウェーハに粘着される表層部分にガス発生剤を偏在させておくことにより、ダイシング後に光を照射した場合、ガス発生剤から発生したガスが第１の領域３Ａの粘着剤と半導体チップとの接着界面に確実に移行する。従って、両者の接着面積が減少し、なおかつ気体が半導体チップを第１の領域３Ａにおいて粘着面から剥離するように作用し、それによって半導体チップと第１の領域３Ａを構成している粘着剤との粘着力が急激に低下する。
【００４８】
なお、上記表層部分にガス発生剤を含有させた態様とは、粘着剤の表面にガス発生剤が均一に付着している態様や、粘着剤の表面に付着したガス発生剤が粘着剤と相溶し、粘着剤に吸収されている態様も含むものとする。
【００４９】
表層部分にのみガス発生剤を含有させる方法としては、例えば、粘着剤層上に１〜２０μｍ程度の厚みでガス発生剤を含有する粘着剤を塗工する方法や、予め作製された粘着剤層表面にガス発生剤を含有する揮発性液体不透過性フィルムを塗布あるいはスプレーなどにより形成する方法などが挙げられる。
【００５０】
上記表層部分の厚みは、粘着剤層全体の厚みによっても異なるが、粘着剤の表面から２０μｍまでの深さ部分であることが好ましく、該表面部分において、粘着剤１００重量部当たり、気体発生剤は５重量部〜５０重量部の割合で含有されることが望ましい。
【００５１】
なお、粘着剤層５の表面に気体発生剤を付着させる場合には、粘着剤と相溶性に優れた気体発生剤を付着させることが好ましい。すなわち、粘着剤の表面に気体発生剤を多量に付着させると粘着力が低くなるが、気体発生剤が粘着剤と相溶する場合は、付着した気体発生剤は粘着剤層に吸収され粘着力が低下することがなく、気体発生剤が拡散することにより被着体との接触面全体に対してより均一に気体を発生させることができる。また、気体発生剤を含有する表面部分とそれ以外とは、異なる組成の樹脂成分からなることが好ましく、なかでも、異なる極性を有する樹脂成分からなることがより好ましい。これにより、表面部分の気体発生剤がそれ以外に移行することを防止するか、移行しにくくすることができる。
【００５２】
上記のようにして、図１及び図２（ｂ）に示した第１の領域３Ａ，３Ｂを有するダイシング用粘着テープ２が用意されるが、このダイシング用粘着テープ２を用いてダイシング及び半導体チップの剥離を行う工程を図４及び図５を参照して説明する。
【００５３】
図４（ａ）は、図示しないステージ上に、ダイシング用粘着テープ２を配置し、その上面に半導体ウェーハ１を貼り合わせた状態を示す部分切欠正面断面図である。
【００５４】
この状態において、半導体ウェーハ１は、ダイシング用粘着テープ２に対し、強固に貼り合わされている。すなわち、第１の領域３Ａが上記のように、高い粘着力を有し、半導体ウェーハ１が第１の領域３Ａを構成している粘着剤層部分によりダイシング用粘着テープ２に十分な接着強度で貼り合わされている。
【００５５】
次に、ステージ上において、半導体ウェーハ１を縦方向及び横方向にダイシングする。図４（ｂ）の切断線Ｘは、ダイシングにより形成された切断線を示し、半導体ウェーハ１が、多数の半導体チップ１Ａに分割される。
【００５６】
ダイシングの際に、半導体ウェーハ１が、ダイシング用粘着テープ２に強固に接着されており、ダイシング用粘着テープ２が図示しないステージに機械的に固定されているため、ダイシングに際しての半導体ウェーハ１の位置ずれが生じ難い。従って、ダイシングは高精度に行われる。
【００５７】
次に、図５に略図的部分切欠断面図で示すように、基材４の下面から光を矢印Ｚ方向で示すように照射する。基材４は透光性の材料であるため、基板４側から光を照射することにより、第１の領域３Ａを構成している粘着剤が光硬化型であるため、弾性率が高まり、第２の領域３Ｂと同様に粘着力が低減する。加えて、上述したガス発生剤がガスを発生させるため、発生したガスが矢印Ｙで示すように第１の領域３Ａにおいて粘着剤表面と半導体ウェーハ１との界面に移行し、両者の粘着力が大幅に低減される。すなわち、初期粘着力が１００ｇ／ｍｍ以上であったのに対し、上記光の照射により粘着力はほぼ０とされる。従って、半導体チップ１Ａを、吸着パッドなどを用いて、ダイシング用粘着テープ２から容易に剥離することができ、半導体チップ１Ａの取り出しに際し、半導体チップ１Ａの割れや欠けが生じ難い。
【００５８】
上記実施形態では、第１の領域３Ａを構成している粘着剤は、光の照射により弾性率が高まり、粘着力が低下する光硬化型の粘着剤により構成されていたが、加熱により弾性率が高まり、粘着力が低下する熱硬化型の粘着剤により構成されていてもよい。すなわち、第１の領域を構成している粘着剤の粘着力を低下させる刺激は、光に限らず、熱などの他の刺激であってもよい。
【００５９】
このような熱硬化型粘着剤としては、特に限定されないが、分子内にラジカル重合性の不飽和基を有しているアクリル酸アルキルエステル系及び／メタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマー等を主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤などを挙げることができる。この場合、重合性ポリマー及び多官能オリゴマーもしくはモノマーについては、上述した光硬化型の粘着剤の場合と同様の化合物を用いることができる。
【００６０】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、具体的には例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔブチルパーオキサイド等が挙げられる。中でも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６１】
なお、上述の実施形態では、光によりガスを発生させるガス発生剤を用いた例を示したが、熱などの他の刺激によりガスを発生させるガス発生剤を粘着剤に含有させておいてもよい。
【００６２】
また、上記実施形態では、ガス発生剤を含む粘着剤を用いていたが、本発明においては、必ずしも、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む粘着剤を用いる必要はない。すなわち、図１（ａ）及び（ｂ）に示したように、個々の半導体チップが貼付される部分において、第１の領域３Ａが、第２の領域３Ｂに比べて相対的に粘着力が高く、ダイシングに際して十分な接着強度を発現し、さらに、半導体チップをダイシング後に容易に剥離し得る限り、ガス発生剤を含む必要はない。
【００６３】
また、図１（ａ）及び（ｂ）に示したように、個々の半導体チップが貼付される部分３において、一部の領域である第１の領域３Ａのみが高い粘着力を有するように構成されておりされすればよい。従って、第１の領域３Ａを構成している粘着剤は、必ずしも、光や熱などの刺激により粘着力が低下する粘着剤で構成されずともよい。すなわち、半導体チップは第１の領域３Ａのみにおいて強固に粘着されているだけであるため、刺激により粘着力が低下しない粘着剤を用いた場合であっても、ダイシング用粘着テープからダイシング後に個々の半導体チップを容易に剥離することができるからである。
【００６４】
なお、半導体チップをダイシング用粘着テープから取り出す際の上記光の照射は、全ての半導体チップが貼付されている領域全体を一度に照射してもよく、あるいは個々の半導体チップを取り出す直前に、１つの半導体チップ毎の第１の領域３Ａに照射してもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、第１の領域３Ａと第２の領域３Ｂとは、マスク６を用いた光の照射により第２の領域３Ｂの粘着力を相対的に低下させることにより形成されていたが、第１の領域３Ａ，第２の領域３Ｂとして、粘着力が異なる別種類の粘着剤を塗工することにより形成してもよい。また、第２の領域に接着性を有しないフォトレジストなどの他の樹脂材料を配置して第２の領域を構成してもよい。さらに、第２の領域に粘着剤や樹脂が配置されずともよい。すなわち、第１の領域３Ａにのみ粘着剤が基材の上面に付与されて、ダイシング用粘着テープが形成されてもよい。もっとも、その場合には、半導体ウェーハの厚みが薄いため、半導体ウェーハが波うつおそれがある。
【００６６】
従って、好ましくは、上記実施形態のように、第１，第２の領域３Ａ，３Ｂの上面が平面性を有するように、第２の領域３Ｂに、粘着剤や樹脂等を配置することが望ましい。
【００６７】
さらに、ダイシング用粘着テープは、半導体ウェーハの回路形成面側の面に貼付されて、予めダイシング工程を行った後、研磨工程が行われてもよい。
【００６８】
【発明の効果】
本発明に係る半導体チップの製造方法によれば、ダイシング用粘着テープが、半導体ウェーハをダイシングすることにより得られる１つの半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを有するように構成されているため、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、半導体チップをダイシング用粘着テープから容易に剥離することができる。従って、剥離に際しての半導体チップの割れや欠けが生じ難い。また、半導体チップが、ダイシング用粘着テープに部分的に粘着されているだけであるため、上記のように、半導体チップのダイシング用粘着テープからの剥離が容易となるが、そのため、上記第１の領域の粘着力を従来のダイシング用粘着テープの半導体ウェーハに対する初期粘着力よりも高くすることができる。従って、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれも生じ難く、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることができる。
【００６９】
特に、第１の領域を構成している粘着剤が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている場合には、光や熱などの刺激を与えることにより、粘着力を低下させ、ダイシング用粘着テープから半導体チップをより一層容易に剥離することができる。この場合には、粘着力が刺激により低下するため、初期粘着力を十分に高めることができ、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれをより一層確実に抑制することができる。
【００７０】
さらに、刺激によりガスを発生するガス発生剤を上記粘着剤が含む場合には、光や熱などの刺激を与えることにより、半導体チップと第１の領域の粘着剤との界面にガスが移行する。従って、突き上げピンなどを用いることなく、半導体チップをダイシング用粘着テープからより一層容易に剥離し得る。
【００７１】
上記のように、本発明では、半導体チップが部分的に粘着テープに強粘着されることになるため剥離が容易になされ得る。従って、ダイシング前の第１の領域の粘着力を高く設定し得るので、半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力で１００ｇ／１０ｍｍ以上とすることができ、それによって、半導体ウェーハをダイシングする際の半導体ウェーハの位置ずれを確実に抑制することができ、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態において用意されるダイシング用粘着テープの平面図及びその一部であり、１つの半導体チップが貼付される部分を模式的に示す平面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１に示したダイシング用粘着テープを得る工程を説明するための各部分切欠正面断面図。
【図３】本発明の一実施形態で半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに貼付される工程を説明するための分解斜視図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態において、ダイシング用粘着テープ上に半導体ウェーハを貼付した状態を示す部分切欠断面図及びダイシングが行われた後の半導体ウェーハ及びダイシング用粘着テープを示す部分切欠正面断面図。
【図５】光の照射によりガス発生剤から発生したガスが粘着剤と半導体チップとの界面に移行する状態を説明するための模式的部分切欠断面図。
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ
２…ダイシング用粘着テープ
３Ａ…第１の領域
３Ｂ…第２の領域
４…基材
５…粘着剤層
６…マスク
６ａ…開口
Claims (10)
- 半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造する方法であって、
半導体ウェーハを用意する工程と、
前記半導体ウェーハにダイシング用粘着テープを貼付する工程とを備え、該ダイシング用粘着テープが、半導体ウェーハをダイシングすることにより得られる１つの半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを有し、
前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備える半導体チップの製造方法。 - 前記第１の領域が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む請求項２に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記刺激が光である、請求項２または３に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記ダイシング前の第１の領域の粘着力が、半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力で１００ｇ／１０ｍｍ以上である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
- 半導体ウェーハに貼付され、半導体ウェーハをダイシングにより個々の半導体チップに分割した後に各半導体チップが剥離されるダイシング用粘着テープであって、個々の半導体チップ部分が貼付される１つの部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを有するダイシング用粘着テープ。
- 前記第１の領域が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている、請求項６に記載のダイシング用粘着テープ。
- 前記第１の領域を構成している粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む、請求項７に記載のダイシング用粘着テープ。
- 前記刺激が光である、請求項７または８に記載のダイシング用粘着テープ。
- 第１の領域の半導体ウェーハに対する１８０°剥離粘着力が１００ｇ／１０ｍｍ以上である、請求項６〜９のいずれかに記載のダイシング用粘着テープ。
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