JP2004154898A - マイクロチップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と対面部材とを貼り合わせることにより、チャネル及びポートからなる流路構造を有するマイクロチップを製造する方法において、基板の貼り合わせ面又は基板と対面部材の両方の貼り合わせ面に、大気圧下でプラズマ又はUV光を照射して表面改質処理してから前記基板と対面部材を貼り合わせることを特徴とするマイクロチップの製造方法。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は基板内に微細な流路などのチャネル構造を有するマイクロチップの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、μTAS(the microscale total analysis system)やLab−on−Chipの用語で代表されるように、数十μmオーダーの微細なチャネルを基板内に設け、該チャネル内に流体を流すことにより微量分析を行うことが提案され、一部実用化されている。このような目的のために作製された、基板内に微細なチャネル構造を有する構造物は総称として“マイクロチップ”と呼ばれる。
【0003】
このようなマイクロチップは例えば、特許文献1に記載されている。このマイクロチップは、極微量のタンパク質やDNAサンプルなどの塩基配列を決定するゲル電気泳動分析などに利用されている。
【0004】
図2(a)は前記特許文献1に記載されたマイクロチップの平面図である。図示されているように、従来のマイクロチップ100は、透明基板102に分離用チャネル104と、この分離用チャネル104と直交する導入用チャネル106を有する。分離用チャネル104の両端にはグランド側泳動媒体用ポート108と高電圧側泳動媒体用ポート110が配設されている。また、導入用チャネル106の一方の端部にはグランド側のDNAサンプル用ポート112と高電圧側泳動媒体用ポート114が配設されている。
【0005】
図2(b)は図2(a)におけるB−B線に沿った断面図である。図示されているように、透明基板100を貫通するように泳動媒体用ポート110及び108が設けられ、この基板100の下面側に、泳動媒体用ポート110及び108に連通する分離用チャネル104が配設されている。基板100の下面側に透明又は不透明な素材からなる対面部材116が接着されている。この対面部材116の存在により、ポート及びチャネルが封止され、ポート及びチャネル内に泳動媒体及びDNAサンプルなどを注入することができる。チャネル104及び106を基板102内に配設し、ポート108〜114を対面部材内に配設することもできる。逆に、チャネル104及び106を対面部材116内に配設し、ポート108〜114を基板102内に配設することもできる。
【0006】
マイクロチップ100における透明基板102に用いる素材は各種試みられているが、特に、ポリジメチルシロキサン(PDMS)と呼ばれるエラストマータイプのシリコン樹脂が有望視されている。この種のシリコン樹脂として具体的には、米国のダウコーニング社製のSYLGARD184という商品名のシリコンエラストマーがある。このシリコンエラストマーは、微細構造型に対する良好なモールド転写性や透明性、耐薬品性、生体との相互作用の少なさなどの点でマイクロチップ用基板として優れた特徴を有する。遮蔽用対面部材116としてはポリジメチルシロキサン、ガラス、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、石英、ポリエチレン、ポリスチレン又はガラス状カーボンなどが使用される。
【0007】
ポリジメチルシロキサン基板102を用いてマイクロチップ100を製造する際の特徴の一つは、接着剤や溶剤を使用することなく、ポリジメチルシロキサン基板102と対面部材116とを比較的容易に貼り合わせられることである。その貼り合わせを行う為には、前処理として、貼り合わせの直前に、ポリジメチルシロキサン基板102の貼り合わせ面若しくはポリジメチルシロキサン基板102及び対面部材116の両方の部材の貼り合わせ面に対して、酸化処理などのような所定の表面改質処理を施す必要がある。その処理後、直ちに両方の部材の貼り合わせ面を合わせて適度に押し付け、一定時間放置する。このようにして得られた貼り合わせの強度は、外部から力を加えて無理に剥がそうとすると、貼り合わせ面が剥がれるのではなく、基板102及び/又は対面部材116が千切れてしまう程の十分な強度を有している。
【0008】
ポリジメチルシロキサン基板102と貼り合わせることができるのは、対面部材116が、ポリジメチルシロキサン、ガラス、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、ポリエチレン、ポリスチレン又はガラス状カーボンなどの特定の素材から形成されている場合に限られる。対面部材116が樹脂の場合、ポリジメチルシロキサン基板102と対面部材116の両方の貼り合わせ面を処理する必要があるが、対面部材116がガラスの場合、ポリジメチルシロキサン基板102のみの処理でも貼り合わせが可能な場合がある。
【0009】
表面改質処理の具体的な方法として、従来は真空(減圧)プラズマ処理装置又は反応性イオンエッチング装置と呼ばれる装置を用いて行っていた。これらは、真空雰囲気中で酸素などの処理用途に合わせた適切なガスを流し、プラズマを発生させ、処理対象物の表面の濡れ性を改善したり、有機物の除去等を行う装置である。これらの装置の処理工程は大まかに、処理対象物を真空雰囲気とするチャンバーに収納し、真空引きし、ガス(例えば、酸素)を流し、高周波電源装置により高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、その後、窒素などによりチャンバー内をパージし、大気圧に戻し、処理対象物を取り出すという工程を経る。このような真空(減圧)プラズマによる表面改質処理は、特許文献2、非特許文献1及び非特許文献2に記載されている。
【0010】
基板及び対面部材の貼り合わせの用途としては、実際にプラズマを発生させてプラズマに曝露する処理時間自体は数秒間〜1分間程度でよいが、その前後の工程に時間を要し、一度の処理に合計で10分間〜20分間程度の時間が必要になる。また、チャンバーの内容積には限りがあり、一度に処理できる基板及び対面部材の枚数も自ずから制限される。更に、被処理基板及び対面部材をチャンバ内にロードしたり、また、処理後にチャンバからアンロードするすることが必要であり、表面改質処理全体を自動化することが困難であり、仮に自動化しても装置が高価となる。従って、マイクロチップの大量生産を想定した場合、このような真空(減圧)プラズマによる表面改質処理方法及び装置は決して好ましい手段ではない。
【0011】
【特許文献1】
特開平11−183437号公報
【特許文献2】
特開2000−157855号公報
【非特許文献1】
アナリィティカル・ケミストリー(Anal. Chem.),1998,70,p.4974−4984
【非特許文献2】
百瀬義弘、「プラズマを利用した材料表面改質」,色材,71[3],(1998),p.186−193
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、上記のような問題点に鑑み、マイクロチップを量産する上で有効な、貼り合わせ前の基板及び対面部材の表面改質処理方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
前記課題は、基板及び対面部材の各貼り合わせ面を大気圧(常圧)プラズマ放射を用いて処理するか、又はエキシマUV照射を用いて処理することにより解決される。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の方法を実施するのに使用される処理システム1の概要構成図である。図1に示されるように、ストッカー3から基板102及び対面部材116が搬送コンベヤ5に送り出される。基板102及び対面部材116はコンベヤ5により搬送され、照射装置7の下を通過し、基板102及び対面部材116の貼り合わせ面にプラズマ及び/又はUV光が照射され表面改質処理される。表面改質処理された基板102及び対面部材116はハンドリングロボット9により貼り合わせ装置11に移送され、ここで貼り合わされてマイクロチップ100が完成される。完成されたマイクロチップ100は別のハンドリングロボット(図示されていない)によりストッカー(図示されていない)に収納される。これら一連の作業は全て大気圧下で行われる。処理システム1はクリーンルーム(図示されていない)内で稼働されることが好ましい。照射装置7は大気圧プラズマ照射装置又はエキシマUV照射装置の何れかである。しかし、必要に応じて大気圧プラズマ照射装置とエキシマUV照射装置を併用することもできる。コンベヤ5は連続駆動タイプであることもできるし、あるいは照射時に停止される間歇駆動タイプであることもできる。基板102の表面改質処理は必ず行わなければならないが、使用する素材に依っては、対面部材116の表面改質処理は省略することもできる。
本発明のマイクロチップは図2に示されるような一枚の基板102と一枚の対面部材116が貼り合わされた形状をとることもできるが、複数枚のPDMS基板と対面部材とを多層構造に重ねて貼り合わせ、各層のチャネル及び/又はポートを、上下方向に連通するバーチカルチャネルを介して連結させた多層マイクロチップとすることもできる。
【0015】
本発明の表面改質処理方法で使用する大気圧(常圧)プラズマ照射装置自体は公知の装置である。大気圧(常圧)プラズマ放射には幾つかの異なる方式があるが、概ねプラズマ発生室内で生成されたプラズマをノズルを通して被処理対象物の表面に照射する方式が一般的である。このような大気圧(常圧)プラズマ照射装置は例えば、ATMP−600の商品名でアリオス(株)から一般に市販されている。この装置のマイクロ波電力は0〜600Wの範囲内で調整可能であり、マイクロ波の周波数は2.45GHz±50MHzの範囲内である。プラズマ発生用ガス種は窒素、アルゴン、ヘリウム又は酸素などであり、ガス流量は〜20L/分である。プラズマ発生室は例えば、直径10mmの石英ガラスから構成されている。大気圧(常圧)プラズマ照射装置によれば、被処理対象物(基板及び対面部材)はチャンバーに入れて密封する必要が無く、大気圧(常圧)のままでプラズマ照射ができ、これが、大気圧プラズマと従来の真空プラズマ処理装置と大きく異なる点である。プラズマの照射により、被処理対象物の表面に付着している有機汚染物“C”の分子を切り離し、二酸化炭素CO2の状態で除去し、表面を清浄化する。
【0016】
大気圧プラズマ照射を貼り合わせの前処理として用いた場合、例えば、100mm程度の長さの基板及び対面部材であれば、放射ノズル下の通過時間は僅か数秒(例えば、5秒)程度であり、搬送用コンベアなどにより基板及び対面部材を連続的に放射ノズル下を通過させれば、極めて効率的に基板及び対面部材の貼り合わせ面を表面改質処理することができる。また、基板及び対面部材は常に大気圧下に置かれるため、ハンドリングが容易であり、大気圧プラズマ放射とその前後の製造工程(例えば、貼り合わせ工程)との間の搬送自動化が行い易いという利点がある。大気圧プラズマ照射の場合、照射範囲が狭いので、基板102及び対面部材116のそれぞれを処理する場合、大気圧プラズマ照射装置を複数台設置する必要性が生じることもある。
【0017】
本発明の表面改質処理方法で使用するエキシマUV照射装置自体は公知の装置である。このような照射装置は例えば、誘電体バリヤ放電ランプを使用する。誘電体バリヤ放電ランプについては、例えば、特開平2−7353号公報又は米国特許第4837484号明細書などに開示されている。この誘電体バリヤ放電ランプは例えば、放電容器内に放電ガスとして、キセノン含有ガス、特にキセノンガス又はキセノンを主成分とするガスが封入されている。誘電体バリヤ放電ランプはキセノン原子が励起されてエキシマ状態となり(Xe2*)、このエキシマ状態から再びキセノン原子に解離するときに波長約172nmの光を発生する。この波長172nmの光を酸素に照射すると、従来の低圧水銀ランプから放射される波長185nmの光を酸素に照射する場合よりも高濃度のオゾンが得られ、更に、この高濃度のオゾンから活性酸化性分解物も得られる。この原理を化学反応式で示すと次のようになる。先ず、酸素からオゾンを生成する反応は、
O2+hγ1→O3
となる。そして、このオゾンO3から活性酸化性分解物O、O*を生成する反応は、
O3+hν1→O*+2O
O3+hν2→O*+O2
となる。いずれも、1個のフォトンで1個の反応が生ずる。この式におけるhν1、hν2はいずれも特定波長の光を意味し、この場合は酸素又はオゾンが特定波長の光を吸収するという意味である。オゾンO3の生成反応は、波長200nmよりも短い真空紫外域の光を酸素O2が吸収して起こるものである。この吸収の度合いは吸収係数と呼ばれ、波長172nmの光に対する吸収係数は他の波長の光よりも一桁以上大きい。従って、波長172nmの紫外(UV)光を放射する誘電体バリヤ放電ランプを使用するエキシマUV照射装置が好ましい。言うまでもなく、その他の波長(例えば、254nm)のUV光を放射するランプを併用することもできる。
【0018】
エキシマUV照射を貼り合わせの前処理として用いた場合、誘電体バリヤ放電ランプ下の基板102及び対面部材116の通過速度は、前記の大気圧プラズマ照射に比べて遅くする必要がある。しかし、誘電体バリヤ放電ランプの照射幅が広く、同時に並列して複数個の各部材を処理することができ、従来の真空プラズマに比べると依然として高い生産性を有する。エキシマUV照射も大気圧下で実施できるので、前記の大気圧プラズマ照射と同様に、大きな利点となる。また、エキシマUV照射装置は大気圧プラズマ照射装置よりも安価である。従って、エキシマUV照射を貼り合わせの前処理として用いることは、マイクロチップを量産する上で極めて有効な製造方法である。
【0019】
本発明の大気圧表面改質処理方法で処理できる基板及び対面部材の素材は従来の真空プラズマ照射表面改質処理で処理される基板及び対面部材の素材と同じである。従って、基板102はポリジメチルシロキサン(PDMS)であり、対面部材116はポリジメチルシロキサン、ガラス、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、石英、ポリエチレン、ポリスチレン又はガラス状カーボンなどである。
【0020】
【実施例】
以下、実施例により本発明の表面改質処理方法を具体的に例証する。
【0021】
実施例1
大気圧プラズマ照射装置を用い、ヘリウムとアルゴン、酸素を反応ガスとして流し、高周波電力700W、プラズマ照射ノズル先端から被処理対象物表面までの距離5mm、ノズル下の被処理対象物の通過速度20mm/秒の条件で、ポリジメチルシロキサン(PDMS)基板とガラス対面部材をほぼ同時に処理し、その直後に両者を貼り合わせた。その結果、従来の真空プラズマ照射装置で処理した場合と同程度の貼り合わせ強度が得られることが確認された。従来の真空プラズマ照射装置による単位時間当たりの処理枚数に比べて、大気圧プラズマ照射装置による単位時間当たりの処理枚数は4倍に増大した。前記の処理条件以外でも貼り合わせが行える場合もあるが、前記処理条件を大きく逸脱すると、処理の程度が不足したり、逆に強すぎたりして、貼り合わせが行えなくなる。
【0022】
実施例2
波長172nmの光を放射する誘電体バリヤ放電ランプを有するエキシマUV照射装置を用い、空気雰囲気において、照射出力14.5mW/cm2、ランプから被処理対象物表面までの距離2mm、ランプ下の被処理対象物の通過速度5mm/秒の条件で、ポリジメチルシロキサン(PDMS)基板を処理し、その直後に未処理のガラス対面部材と貼り合わせた。その結果、従来の真空プラズマ照射装置で処理した場合と同程度の貼り合わせ強度が得られることが確認された。前記の処理条件以外でも貼り合わせが行える場合もあるが、前記処理条件を大きく逸脱すると、処理の程度が不足したり、逆に強すぎたりして、貼り合わせ行えなくなる。
【0023】
実施例3
波長172nmの光を放射する誘電体バリヤ放電ランプを有するエキシマUV照射装置を用い、空気雰囲気において、照射出力14.5mW/cm2、ランプから被処理対象物表面までの距離2mm、ランプ下の被処理対象物の通過速度5mm/秒の条件で、ポリジメチルシロキサン(PDMS)基板及びガラス対面部材を処理し、その直後に両者を貼り合わせた。その結果、前記実施例2におけるポリジメチルシロキサン(PDMS)基板だけを処理して貼り合わせた場合よりも、強い貼り合わせ強度が得られることが確認された。
【0024】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、大気圧下でプラズマ又はUV光により基板及び対面部材の表面改質処理を行い、両者を貼り合わせて極めて効率的にマイクロチップを量産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の表面改質処理方法を実施するのに使用される処理システムの一例の概要構成図である。
【図2】(a)は従来のマイクロチップの一例の上面図であり、(b)は(a)におけるB−B線に沿った断面図である。
【符号の説明】
1 処理システム
3 ストッカー
5 搬送用コンベヤ
7 照射装置
9 ハンドリングロボット
11 貼り合わせ装置
100 マイクロチップ
102 基板
104,106 チャネル
108,110,112,114 ポート
116 対面部材
Claims (4)
- 少なくとも一枚の基板と少なくとも一枚の対面部材とを貼り合わせることにより、チャネル及びポートからなる流路構造を有するマイクロチップを製造する方法において、
前記基板の貼り合わせ面又は前記基板と前記対面部材の両方の貼り合わせ面に、大気圧下で、プラズマ及びUV光からなる群から選択される少なくとも一つを照射して表面改質処理してから前記基板と対面部材を貼り合わせることを特徴とするマイクロチップの製造方法。 - 前記プラズマは大気圧プラズマ照射装置により照射されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記UV光は波長172nmの波長を有し、誘電体バリヤ放電ランプを備えるエキシマUV照射装置により照射されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板はポリジメチルシロキサン(PDMS)から形成されており、前記対面部材はポリジメチルシロキサン(PDMS)、ガラス、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、石英、ポリエチレン、ポリスチレン又はガラス状カーボンから形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002323585A JP2004154898A (ja) | 2002-11-07 | 2002-11-07 | マイクロチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002323585A JP2004154898A (ja) | 2002-11-07 | 2002-11-07 | マイクロチップの製造方法 |
Publications (1)
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---|---|
JP2004154898A true JP2004154898A (ja) | 2004-06-03 |
Family
ID=32803414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002323585A Pending JP2004154898A (ja) | 2002-11-07 | 2002-11-07 | マイクロチップの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004154898A (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060920 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060920 |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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