JP2001156033A - ドライ洗浄方法及び装置 - Google Patents
ドライ洗浄方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 円盤（ディスク）表面のパーティクル、有機
物の効率的な除去が可能なドライ洗浄方法及び装置を提
供する。 【解決手段】 円盤の表面に付着した異物を除去する方
法であって、円盤の表面に対してガスの吹き付け吸引を
行ってパーティクルを除去するパーティクル除去装置
と、円盤の表面に付着した有機物を酸化分解により除去
する有機物除去装置からなり、これらの除去装置は同一
チャンバ若しくは搬送システムにより結合されており、
始めにパーティクルを除去し、次に有機物除去を行うよ
うにした。
物の効率的な除去が可能なドライ洗浄方法及び装置を提
供する。 【解決手段】 円盤の表面に付着した異物を除去する方
法であって、円盤の表面に対してガスの吹き付け吸引を
行ってパーティクルを除去するパーティクル除去装置
と、円盤の表面に付着した有機物を酸化分解により除去
する有機物除去装置からなり、これらの除去装置は同一
チャンバ若しくは搬送システムにより結合されており、
始めにパーティクルを除去し、次に有機物除去を行うよ
うにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶、ハード
ディスク等の製造プロセス中で基板上に付着した微粒子
を除去する装置に関し、洗浄液を用いないドライ洗浄方
法及び装置に関する。
ディスク等の製造プロセス中で基板上に付着した微粒子
を除去する装置に関し、洗浄液を用いないドライ洗浄方
法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造プロセスでは、歩留まりを
向上させるために各工程の前段でウエハ表面の微粒子を
除去する工程がある。この微粒子の除去は一般的には薬
液や超純水によるウエット洗浄が用いられている。
向上させるために各工程の前段でウエハ表面の微粒子を
除去する工程がある。この微粒子の除去は一般的には薬
液や超純水によるウエット洗浄が用いられている。
【０００３】図６は米国のRCA社で開発された洗浄法の
シーケンスを示すものである。工程に従って説明する。
始めにパーティクルの除去を目的として、アンモニア
（ＮＨ4ＯＨ）水溶液と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合液
を８０℃程度に加熱して浸漬し、その後純水リンスし、
１％沸酸（ＨＦ）に浸漬し純水リンスを行う。
シーケンスを示すものである。工程に従って説明する。
始めにパーティクルの除去を目的として、アンモニア
（ＮＨ4ＯＨ）水溶液と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合液
を８０℃程度に加熱して浸漬し、その後純水リンスし、
１％沸酸（ＨＦ）に浸漬し純水リンスを行う。
【０００４】次に金属イオンの除去を目的として、塩酸
（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合液を８０℃程
度に加熱して浸漬する。その後純水リンスを行って乾燥
を行う。
（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合液を８０℃程
度に加熱して浸漬する。その後純水リンスを行って乾燥
を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなウエット洗浄では、 薬液や純水の管理、廃液の処理などにコストがかか
る。 乾燥工程で生じる残さ物を除去できない。 洗浄工程が長く時間がかかる。 装置が巨大で場所をとる。 という問題があった。本発明は薬液や、純水を使用する
ことなくパーティクル、有機物、酸化物を順次除去する
ための効果的なドライ洗浄方法及び装置を提供すること
を目的とする。
ようなウエット洗浄では、 薬液や純水の管理、廃液の処理などにコストがかか
る。 乾燥工程で生じる残さ物を除去できない。 洗浄工程が長く時間がかかる。 装置が巨大で場所をとる。 という問題があった。本発明は薬液や、純水を使用する
ことなくパーティクル、有機物、酸化物を順次除去する
ための効果的なドライ洗浄方法及び装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は，請求項１においては，円盤の表面に
付着した異物を除去するドライ洗浄方法であって、前記
円盤の表面に対してガスの吹き付け吸引を行ってパーテ
ィクルを除去するパーティクル除去装置と、前記円盤の
表面に付着した有機物を酸化分解により除去する有機物
除去装置からなり、これらの除去装置は同一チャンバ若
しくは搬送システムにより結合されており、始めにパー
ティクルを除去し、次に有機物除去を行うようにしたこ
とを特徴とする。
の本発明の構成は，請求項１においては，円盤の表面に
付着した異物を除去するドライ洗浄方法であって、前記
円盤の表面に対してガスの吹き付け吸引を行ってパーテ
ィクルを除去するパーティクル除去装置と、前記円盤の
表面に付着した有機物を酸化分解により除去する有機物
除去装置からなり、これらの除去装置は同一チャンバ若
しくは搬送システムにより結合されており、始めにパー
ティクルを除去し、次に有機物除去を行うようにしたこ
とを特徴とする。
【０００７】請求項２においては、円盤の表面に付着し
た異物を除去するドライ洗浄方法であって、前記円盤の
表面に対してガスの吹き付け吸引を行ってパーティクル
を除去するパーティクル除去装置と、前記円盤の表面に
付着した有機物を酸化分解により除去する有機物除去装
置と、酸化分解により変質した表面のエッチング若しく
は還元処理を行って酸化物を除去する酸化物除去装置か
らなり、これらの除去装置は同一チャンバ若しくは搬送
システムにより結合されており、始めにパーティクルを
除去し、次に有機物除去を行い、最後に酸化物の除去を
行うようにしたことを特徴とする。
た異物を除去するドライ洗浄方法であって、前記円盤の
表面に対してガスの吹き付け吸引を行ってパーティクル
を除去するパーティクル除去装置と、前記円盤の表面に
付着した有機物を酸化分解により除去する有機物除去装
置と、酸化分解により変質した表面のエッチング若しく
は還元処理を行って酸化物を除去する酸化物除去装置か
らなり、これらの除去装置は同一チャンバ若しくは搬送
システムにより結合されており、始めにパーティクルを
除去し、次に有機物除去を行い、最後に酸化物の除去を
行うようにしたことを特徴とする。
【０００８】請求項３においては、チャンバ内に配置さ
れた円盤の中心を回転軸として回転させる回転手段と、
円盤の表面を少なくともＸＹ方向のいずれかとＺ方向に
移動させる駆動手段と、チャンバー内の円盤表面を照射
する紫外線照射手段と、円盤の表面に酸素またはオゾン
ガスを吹き付けるノズル及び吸引手段を設けたことを特
徴とする。
れた円盤の中心を回転軸として回転させる回転手段と、
円盤の表面を少なくともＸＹ方向のいずれかとＺ方向に
移動させる駆動手段と、チャンバー内の円盤表面を照射
する紫外線照射手段と、円盤の表面に酸素またはオゾン
ガスを吹き付けるノズル及び吸引手段を設けたことを特
徴とする。
【０００９】請求項４においては、チャンバ内に配置さ
れた円盤の中心を回転軸として回転させる回転手段と、
円盤の表面を少なくともＸＹ方向のいずれかとＺ方向に
移動させる駆動手段と、円盤の表面に励起された酸素原
子を吹き付けるノズル及び吸引手段を設けたことを特徴
とする。
れた円盤の中心を回転軸として回転させる回転手段と、
円盤の表面を少なくともＸＹ方向のいずれかとＺ方向に
移動させる駆動手段と、円盤の表面に励起された酸素原
子を吹き付けるノズル及び吸引手段を設けたことを特徴
とする。
【００１０】請求項５においては、チャンバ内に配置さ
れた円盤の中心を回転軸として回転させる回転手段と、
円盤の表面を少なくともＸＹ方向のいずれかとＺ方向に
移動させる駆動手段と、円盤の表面に励起された水素原
子を吹き付けるノズル及び吸引手段を設けたことを特徴
とする。
れた円盤の中心を回転軸として回転させる回転手段と、
円盤の表面を少なくともＸＹ方向のいずれかとＺ方向に
移動させる駆動手段と、円盤の表面に励起された水素原
子を吹き付けるノズル及び吸引手段を設けたことを特徴
とする。
【００１１】
【００１２】図１は本発明の実施形態の一例を示すもの
で、有機物処理を酸素プラズマで行い、表面処理（還元
工程）を水素プラズマで行う場合の装置構成の流れ（工
程）を示すものである。ディスク（円盤）は大気圧下で
パーティクルを除去した後、真空中で酸素プラズマを用
いて有機膜を除去し、その後水素プラズマで円盤の表面
の酸化膜を還元する。
で、有機物処理を酸素プラズマで行い、表面処理（還元
工程）を水素プラズマで行う場合の装置構成の流れ（工
程）を示すものである。ディスク（円盤）は大気圧下で
パーティクルを除去した後、真空中で酸素プラズマを用
いて有機膜を除去し、その後水素プラズマで円盤の表面
の酸化膜を還元する。
【００１３】即ち、工程（ａ）でチャンバ４内にディス
クが配置され、工程（ｂ）でパーティクルの除去が行わ
れる。次に工程（ｃ）にてチャンバ４内が真空にされ、
工程（ｄ）において有機物のプラズマ処理が行われる。
続いて工程（ｅ）において酸化物の処理が行われる。
クが配置され、工程（ｂ）でパーティクルの除去が行わ
れる。次に工程（ｃ）にてチャンバ４内が真空にされ、
工程（ｄ）において有機物のプラズマ処理が行われる。
続いて工程（ｅ）において酸化物の処理が行われる。
【００１４】ここでは酸化物処理の後工程（ｆ）におい
てチャンバ４内が再び大気圧とされパーティクルの除去
を行ってディスクが取出されている。なお、各工程間は
同一装置を用いるかロードチャンバにより大気圧若しく
は真空用ロボットにより搬送される。
てチャンバ４内が再び大気圧とされパーティクルの除去
を行ってディスクが取出されている。なお、各工程間は
同一装置を用いるかロードチャンバにより大気圧若しく
は真空用ロボットにより搬送される。
【００１５】このような工程によれば、洗浄工程によら
ず、円盤（ディスク）表面のパーティクル、有機物、酸
化物を順次除去するので、前工程の残査が残っていても
次工程で除去することができ効率的な異物除去が可能で
ある。
ず、円盤（ディスク）表面のパーティクル、有機物、酸
化物を順次除去するので、前工程の残査が残っていても
次工程で除去することができ効率的な異物除去が可能で
ある。
【００１６】図２は本発明のパーティクル除去と有機物
除去を行う装置の他の実施例を示す概略構成図である。
図において、円盤（ディスク）１は回転手段２の先端に
載置されており、円盤の中心を回転軸として回転する。
この回転手段２は駆動手段３上に載置されており、駆動
手段３はＸ（又はＹ方向）及びＺ方向に移動可能に構成
されている。
除去を行う装置の他の実施例を示す概略構成図である。
図において、円盤（ディスク）１は回転手段２の先端に
載置されており、円盤の中心を回転軸として回転する。
この回転手段２は駆動手段３上に載置されており、駆動
手段３はＸ（又はＹ方向）及びＺ方向に移動可能に構成
されている。
【００１７】円盤１と回転手段２の先端部分はチャンバ
４に気密に収納されており、チャンバ４内は排気口５の
開閉により図示しない真空ポンプを用いて大気圧とした
り負圧にすることが可能である。
４に気密に収納されており、チャンバ４内は排気口５の
開閉により図示しない真空ポンプを用いて大気圧とした
り負圧にすることが可能である。
【００１８】チャンバ４の上方（天井）は透明部材（図
示せず）で形成されており、その透明部材を介してチャ
ンバ４外に配置された紫外線ランプ６により円盤１の表
面を照射するようになっている。
示せず）で形成されており、その透明部材を介してチャ
ンバ４外に配置された紫外線ランプ６により円盤１の表
面を照射するようになっている。
【００１９】７はノズルであって図３に示すように吹き
出しノズル７ａと吸引ノズル７ｂからなる２重管構造と
なっている。このノズル７の先端と円盤１の表面は駆動
手段３のＺ方向の駆動により所定の距離に維持されると
ともに、駆動手段のＸ方向への駆動及び回転手段の回転
により円盤の所定の範囲を走査できるようになってい
る。
出しノズル７ａと吸引ノズル７ｂからなる２重管構造と
なっている。このノズル７の先端と円盤１の表面は駆動
手段３のＺ方向の駆動により所定の距離に維持されると
ともに、駆動手段のＸ方向への駆動及び回転手段の回転
により円盤の所定の範囲を走査できるようになってい
る。
【００２０】なお、図では省略するが吹き出しノズルの
他端には清浄に管理されたＡｒ，Ｎ 2，ＣＯ2等の不活性
ガスまたはＯ2等のガスボンベが接続可能とされ、吸引
ノズル７ｂの他端には真空ポンプが接続されている。
他端には清浄に管理されたＡｒ，Ｎ 2，ＣＯ2等の不活性
ガスまたはＯ2等のガスボンベが接続可能とされ、吸引
ノズル７ｂの他端には真空ポンプが接続されている。
【００２１】このような構成において、はじめにチャン
バ４内を大気圧の状態とし、ノズル７と円盤１の間隔を
所定の状態とし、円盤を回転させて例えば円盤の中心部
から外周に向かってＸ方向に移動させる。
バ４内を大気圧の状態とし、ノズル７と円盤１の間隔を
所定の状態とし、円盤を回転させて例えば円盤の中心部
から外周に向かってＸ方向に移動させる。
【００２２】同時に吹き出しノズル７ａから円盤１の表
面にＡｒ，Ｎ2，ＣＯ2等の不活性ガスまたはＯ2等の何
れか若しくは混合ガスを噴出し吸引ノズル７ｂから吸引
を行う。その結果、円盤１の表面に付着したパーティク
ルが剥離して舞い上がるが、そのパーティクルは吸引ノ
ズル７ｂにより吸引されてチャンバ４の外部に排出され
る。このＸ方向への移動を少なくとも１回行って基盤１
上のパーティクルの除去を行う。
面にＡｒ，Ｎ2，ＣＯ2等の不活性ガスまたはＯ2等の何
れか若しくは混合ガスを噴出し吸引ノズル７ｂから吸引
を行う。その結果、円盤１の表面に付着したパーティク
ルが剥離して舞い上がるが、そのパーティクルは吸引ノ
ズル７ｂにより吸引されてチャンバ４の外部に排出され
る。このＸ方向への移動を少なくとも１回行って基盤１
上のパーティクルの除去を行う。
【００２３】次に、吹き出しノズル７ａから酸素若しく
はオゾンを吹き出してチャンバ４内を満たす。次に紫外
線ランプ６をオンとして紫外線を照射すると酸素ラジカ
ルが発生し円盤1上に付着した有機物が酸化分解され
る。酸化した有機物は吹き出しノズル７ａからのガスに
より剥離して吹き上げられ、吸引ノズル７ｂからチャン
バ４外に排出される。
はオゾンを吹き出してチャンバ４内を満たす。次に紫外
線ランプ６をオンとして紫外線を照射すると酸素ラジカ
ルが発生し円盤1上に付着した有機物が酸化分解され
る。酸化した有機物は吹き出しノズル７ａからのガスに
より剥離して吹き上げられ、吸引ノズル７ｂからチャン
バ４外に排出される。
【００２４】このような装置によれば、はじめにパーテ
ィクルの除去を行い、引き続き同じ装置を用いて効率よ
くパーティクルと有機物の除去を行うことができる。
ィクルの除去を行い、引き続き同じ装置を用いて効率よ
くパーティクルと有機物の除去を行うことができる。
【００２５】次に、図４を用いて他の実施例について説
明する。図４において、キャビティ８、ディスチャージ
管９、マイクロ波源１０を有する点と紫外線ランプを使
用しない他は図２に示す装置と同様である。このディス
チャージ管９内にＡｒとＯ2の混合ガスを流しマイクロ
波源１０から周波数が２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波
をキャビティ８内に導くと、ディスチャージ管９内にプ
ラズマが生成され、励起された酸素原子が発生する。な
お、混合ガスにＣＦ4を添加することもある。
明する。図４において、キャビティ８、ディスチャージ
管９、マイクロ波源１０を有する点と紫外線ランプを使
用しない他は図２に示す装置と同様である。このディス
チャージ管９内にＡｒとＯ2の混合ガスを流しマイクロ
波源１０から周波数が２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波
をキャビティ８内に導くと、ディスチャージ管９内にプ
ラズマが生成され、励起された酸素原子が発生する。な
お、混合ガスにＣＦ4を添加することもある。
【００２６】↑この酸素原子を吹き出しノズル７ａから
吹き出すと基盤表面の有機物が酸化され、 ＣxＨy＋Ｏ
*→ＣＯ2↑＋Ｈ2Ｏ↑の反応式により分解され、吸引ノ
ズル７ｂで吸引されてチャンバ４から排除される。
吹き出すと基盤表面の有機物が酸化され、 ＣxＨy＋Ｏ
*→ＣＯ2↑＋Ｈ2Ｏ↑の反応式により分解され、吸引ノ
ズル７ｂで吸引されてチャンバ４から排除される。
【００２７】次に同じ装置を用いてディスチャージ管９
内にＨ2ガスを導入して還元雰囲気とすると、前述の分
解工程で酸化した有機物を還元し、表面の酸化物を除去
することができる。
内にＨ2ガスを導入して還元雰囲気とすると、前述の分
解工程で酸化した有機物を還元し、表面の酸化物を除去
することができる。
【００２８】図５は有機物除去のための他の実施例を示
す概略構成図である。この実施例ではチャンバ４は石英
製とされ、チャンバ４の外側から天井と底面を加熱（１
００〜３００℃）する赤外線ランプ１１を設置する。
す概略構成図である。この実施例ではチャンバ４は石英
製とされ、チャンバ４の外側から天井と底面を加熱（１
００〜３００℃）する赤外線ランプ１１を設置する。
【００２９】この実施例においてもディスチャージ管９
内にＡｒとＯ2の混合ガスを流しマイクロ波源１０から
周波数が２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波をキャビティ
８内に導くと、ディスチャージ管９内にプラズマが生成
され、励起された酸素原子が発生する。
内にＡｒとＯ2の混合ガスを流しマイクロ波源１０から
周波数が２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波をキャビティ
８内に導くと、ディスチャージ管９内にプラズマが生成
され、励起された酸素原子が発生する。
【００３０】このようにして発生した酸素原子は比較的
長命なため円盤（ディスク）までガスの流れに沿って運
ばれる。円盤に到達した酸素原子は有機物と反応してこ
れを分解除去する。このような装置ではプラズマのガス
圧力が高いため酸素原子の濃度は高く、有機物除去速度
が速い。
長命なため円盤（ディスク）までガスの流れに沿って運
ばれる。円盤に到達した酸素原子は有機物と反応してこ
れを分解除去する。このような装置ではプラズマのガス
圧力が高いため酸素原子の濃度は高く、有機物除去速度
が速い。
【００３１】本発明の以上の説明は、説明および例示を
目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。し
たがって、本発明はその本質から逸脱せずに多くの変
更，変形をなし得ることは当業者に明らかである。例え
ば吹き出し吸引手段として２重管構造のノズルを示した
が、吸引手段は別の箇所に設けてもよい。特許請求の範
囲の欄の記載により定義される本発明の範囲は、その範
囲内の変更、変形を包含するものとする。
目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。し
たがって、本発明はその本質から逸脱せずに多くの変
更，変形をなし得ることは当業者に明らかである。例え
ば吹き出し吸引手段として２重管構造のノズルを示した
が、吸引手段は別の箇所に設けてもよい。特許請求の範
囲の欄の記載により定義される本発明の範囲は、その範
囲内の変更、変形を包含するものとする。
【００３２】
【発明の効果】以上詳しく説明したような本発明によれ
ば、円盤の表面に対してガスの吹き付け吸引を行ってパ
ーティクルを除去するパーティクル除去装置と、その円
盤の表面に付着した有機物を酸化分解により除去する有
機物除去装置からなり、これらの除去装置は同一チャン
バ若しくは搬送システムにより結合されており、始めに
パーティクルを除去し、次に有機物除去を行うようにし
たので、洗浄工程によらず、円盤（ディスク）表面のパ
ーティクル、有機物、酸化物の効率的な異物除去が可能
である。.
ば、円盤の表面に対してガスの吹き付け吸引を行ってパ
ーティクルを除去するパーティクル除去装置と、その円
盤の表面に付着した有機物を酸化分解により除去する有
機物除去装置からなり、これらの除去装置は同一チャン
バ若しくは搬送システムにより結合されており、始めに
パーティクルを除去し、次に有機物除去を行うようにし
たので、洗浄工程によらず、円盤（ディスク）表面のパ
ーティクル、有機物、酸化物の効率的な異物除去が可能
である。.
【図１】本発明のドライ洗浄方法の実施形態の作業工程
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】本発明のドライ洗浄装置の実施形態の一例を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明で使用するノズルの形状を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の酸化物のドライ洗浄装置の実施形態の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図５】本発明の有機物のドライ洗浄装置の実施形態の
他の一例を示す図である。
他の一例を示す図である。
【図６】液体による従来の洗浄例を示す工程説明図であ
る。
る。
１ 円盤（ディスク） ２ 回転手段 ３ 駆動手段 ４ チャンバ ５ 排気口 ６ 紫外線ランプ ７ ノズル ８ キャビティ ９ ディスチャージ管 １０ マイクロ波電源 １１ 赤外線ランプ
Claims (5)
- 【請求項１】円盤の表面に付着した異物を除去する方法
であって、 前記円盤の表面に対してガスの吹き付け吸引を行ってパ
ーティクルを除去するパーティクル除去装置と、 前記円盤の表面に付着した有機物を酸化分解により除去
する有機物除去装置からなり、これらの除去装置は同一
チャンバ若しくは搬送システムにより結合されており、
始めにパーティクルを除去し、次に有機物除去を行うよ
うにしたことを特徴とするドライ洗浄方法。 - 【請求項２】円盤の表面に付着した異物を除去する方法
であって、 前記円盤の表面に対してガスの吹き付け吸引を行ってパ
ーティクルを除去するパーティクル除去装置と、 前記円盤の表面に付着した有機物を酸化分解により除去
する有機物除去装置と、 酸化分解により変質した表面のエッチング若しくは還元
処理を行って酸化物を除去する酸化物除去装置からな
り、これらの除去装置は同一チャンバ若しくは搬送シス
テムにより結合されており、始めにパーティクルを除去
し、次に有機物除去を行い、最後に酸化物の除去を行う
ようにしたことを特徴とするドライ洗浄方法。 - 【請求項３】チャンバ内に配置された円盤の中心を回転
軸として回転させる回転手段と、 円盤の表面を少なくともＸＹ方向のいずれかとＺ方向に
移動させる駆動手段と、 チャンバー内の円盤表面を照射する紫外線照射手段と、
円盤の表面に酸素またはオゾンガスを吹き付けるノズル
及び吸引手段を設けたことを特徴とするドライ洗浄装
置。 - 【請求項４】チャンバ内に配置された円盤の中心を回転
軸として回転させる回転手段と、円盤の表面を少なくと
もＸＹ方向のいずれかとＺ方向に移動させる駆動手段
と、円盤の表面に励起された酸素原子を吹き付けるノズ
ル及び吸引手段を設けたことを特徴とするドライ洗浄装
置。 - 【請求項５】チャンバ内に配置された円盤の中心を回転
軸として回転させる回転手段と、円盤の表面を少なくと
もＸＹ方向のいずれかとＺ方向に移動させる駆動手段
と、円盤の表面に励起された水素原子を吹き付けるノズ
ル及び吸引手段を設けたことを特徴とするドライ洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33465299A JP2001156033A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | ドライ洗浄方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33465299A JP2001156033A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | ドライ洗浄方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156033A true JP2001156033A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18279762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33465299A Pending JP2001156033A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | ドライ洗浄方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001156033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012046364A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | パナソニック株式会社 | 光記録媒体の製造装置及び製造方法 |
| JP2018103153A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | ヒューグル開発株式会社 | 異物除去装置及び異物除去方法 |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33465299A patent/JP2001156033A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012046364A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | パナソニック株式会社 | 光記録媒体の製造装置及び製造方法 |
| US9324357B2 (en) | 2010-10-07 | 2016-04-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical recording medium production device and production method |
| US10049696B2 (en) | 2010-10-07 | 2018-08-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co. Ltd. | Optical recording medium production device and production method |
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