JP2000117749A - 樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリーニング方法 - Google Patents
樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリーニング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金型の成型面、殊に金型の孔部の縁部に付着
した樹脂をきれいにクリーニングできる樹脂成型用金型
のクリーニング装置およびクリーニング方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 上金型２と下金型５の間にケース１１を
はさみ、ケース１１内にＨｅと酸素を供給する。ケース
１１内の電極１２に高周波の電圧を印加するとＨｅと酸
素はＨｅ-や酸素ラジカルとなる。電気的に中性な酸素
ラジカルはメッシュ１６を通過し、下金型５表面の有機
物を酸化分解する。ケース１１内のガス圧は大気圧より
も大きい正圧に保たれており、したがってケース１１内
のガスは下金型５の孔部７，１０から外部へわずかづつ
流出する。酸素ラジカルは孔部７，１０の縁部に衝突
し、そこに付着する有機物を効果的に酸化分解する。
した樹脂をきれいにクリーニングできる樹脂成型用金型
のクリーニング装置およびクリーニング方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 上金型２と下金型５の間にケース１１を
はさみ、ケース１１内にＨｅと酸素を供給する。ケース
１１内の電極１２に高周波の電圧を印加するとＨｅと酸
素はＨｅ-や酸素ラジカルとなる。電気的に中性な酸素
ラジカルはメッシュ１６を通過し、下金型５表面の有機
物を酸化分解する。ケース１１内のガス圧は大気圧より
も大きい正圧に保たれており、したがってケース１１内
のガスは下金型５の孔部７，１０から外部へわずかづつ
流出する。酸素ラジカルは孔部７，１０の縁部に衝突
し、そこに付着する有機物を効果的に酸化分解する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂成型用金型の
クリーニング装置およびクリーニング方法に関するもの
である。
クリーニング装置およびクリーニング方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】電子部品は、ウェハから切り出された半
導体チップ（以下、単に「チップ」という）を樹脂でモ
ールドして製造される。樹脂モールドを形成する樹脂成
型装置は、上金型と下金型の間にチップをはさみ、チッ
プを包囲するキャビティ内に溶融樹脂を圧入して樹脂モ
ールドを形成するようになっている。そして樹脂を硬化
させた後、上金型と下金型を分離して成型品を取り出す
ようになっている。
導体チップ（以下、単に「チップ」という）を樹脂でモ
ールドして製造される。樹脂モールドを形成する樹脂成
型装置は、上金型と下金型の間にチップをはさみ、チッ
プを包囲するキャビティ内に溶融樹脂を圧入して樹脂モ
ールドを形成するようになっている。そして樹脂を硬化
させた後、上金型と下金型を分離して成型品を取り出す
ようになっている。
【０００３】金型の表面（成型面）には樹脂が付着しや
すい。付着した樹脂は成型品の形状に悪影響を与える。
そこで従来は、作業者がブラシなどの清掃具でブラッシ
ングするなどして金型の表面を手作業で適宜クリーニン
グしていた。
すい。付着した樹脂は成型品の形状に悪影響を与える。
そこで従来は、作業者がブラシなどの清掃具でブラッシ
ングするなどして金型の表面を手作業で適宜クリーニン
グしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の金
型のクリーニング方法では重量のある金型を樹脂成型装
置から取りはずして入念にクリーニングしなければなら
ないため作業者の労働負担が大きく多大な時間を要する
ものであった。またクリーニング作業中に金型を落下さ
せて傷つけやすく、更には使用直後の金型は一般に高温
（１８０°Ｃ程度）であるため手作業によるクリーニン
グは危険であるなどの問題点があった。
型のクリーニング方法では重量のある金型を樹脂成型装
置から取りはずして入念にクリーニングしなければなら
ないため作業者の労働負担が大きく多大な時間を要する
ものであった。またクリーニング作業中に金型を落下さ
せて傷つけやすく、更には使用直後の金型は一般に高温
（１８０°Ｃ程度）であるため手作業によるクリーニン
グは危険であるなどの問題点があった。
【０００５】また金型には、樹脂をキャビティに圧入す
るための湯道に通じる孔部や、成型品を金型から取り出
すためのエジェクタピンを挿入する孔部などが形成され
ており、これらの孔部の縁部や内部に樹脂がこびり付き
やすいものであるが、従来の手作業によるクリーニング
方法では、このような縁部や内部にこびり付いた樹脂を
きれいに除去しにくいものであった。このような問題
は、電子部品の樹脂モールドの成型に限らず、殊に精密
な成型精度が要求される樹脂成型装置一般に見られるも
のであった。
るための湯道に通じる孔部や、成型品を金型から取り出
すためのエジェクタピンを挿入する孔部などが形成され
ており、これらの孔部の縁部や内部に樹脂がこびり付き
やすいものであるが、従来の手作業によるクリーニング
方法では、このような縁部や内部にこびり付いた樹脂を
きれいに除去しにくいものであった。このような問題
は、電子部品の樹脂モールドの成型に限らず、殊に精密
な成型精度が要求される樹脂成型装置一般に見られるも
のであった。
【０００６】したがって本発明は、金型の成型面、殊に
金型の孔部の縁部に付着した樹脂をきれいにクリーニン
グできる樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリ
ーニング方法を提供することを目的とする。
金型の孔部の縁部に付着した樹脂をきれいにクリーニン
グできる樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリ
ーニング方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂成型用金
型の成型面を覆うカバー手段と、このカバー手段の内部
に有機物分解ガスを供給するガス供給手段と、前記カバ
ー手段内に供給された有機物分解ガスを大気圧と同等も
しくは大気圧よりも高いガス圧に保たれた条件下で活性
化する有機物分解ガス活性化手段とを備えたことを特徴
とする樹脂成型用金型のクリーニング装置である。
型の成型面を覆うカバー手段と、このカバー手段の内部
に有機物分解ガスを供給するガス供給手段と、前記カバ
ー手段内に供給された有機物分解ガスを大気圧と同等も
しくは大気圧よりも高いガス圧に保たれた条件下で活性
化する有機物分解ガス活性化手段とを備えたことを特徴
とする樹脂成型用金型のクリーニング装置である。
【０００８】また本発明は、金型の成型面をカバー手段
で覆い、このカバー手段内に有機物分解ガスをガスボン
ベから供給して前記成型面を有機物分解ガスにさらし、
金型の孔部からガスを外部へ流出させながら有機物分解
ガスで前記成型面に付着する有機物を分解することを特
徴とする樹脂成型用金型のクリーニング方法である。
で覆い、このカバー手段内に有機物分解ガスをガスボン
ベから供給して前記成型面を有機物分解ガスにさらし、
金型の孔部からガスを外部へ流出させながら有機物分解
ガスで前記成型面に付着する有機物を分解することを特
徴とする樹脂成型用金型のクリーニング方法である。
【０００９】上記構成によれば、金型の成型面をカバー
手段内の有機物分解ガスや活性化された有機物分解ガス
にさらし、ガスを金型の孔部から外部へ流出させなが
ら、孔部の縁部などに付着する有機物を効果的に分解し
てクリーニングすることができる。
手段内の有機物分解ガスや活性化された有機物分解ガス
にさらし、ガスを金型の孔部から外部へ流出させなが
ら、孔部の縁部などに付着する有機物を効果的に分解し
てクリーニングすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
実施の形態１の樹脂成型装置の開放状態の断面図、図２
は同樹脂成型装置の閉鎖状態の断面図、図３は同樹脂成
型装置のクリーニング装置の断面図、図４は同樹脂成型
装置のクリーニング状態の説明図である。
実施の形態１の樹脂成型装置の開放状態の断面図、図２
は同樹脂成型装置の閉鎖状態の断面図、図３は同樹脂成
型装置のクリーニング装置の断面図、図４は同樹脂成型
装置のクリーニング状態の説明図である。
【００１１】まず図１を参照して樹脂成型装置の全体構
造を説明する。図１において、１は上型本体であり、そ
の下面には上金型２が装着されている。上金型２の下面
にはキャビティ３が形成されている。上型本体１は、図
外の上下動手段により上下動する。
造を説明する。図１において、１は上型本体であり、そ
の下面には上金型２が装着されている。上金型２の下面
にはキャビティ３が形成されている。上型本体１は、図
外の上下動手段により上下動する。
【００１２】４は下型本体であり、その上面には下金型
５が装着されている。下金型５の上面にはキャビティ６
が形成されている。下金型５の中央には孔部７が形成さ
れており、孔部７には樹脂を押し上げるためのプランジ
ャ８が収納されている。また下金型５の孔部１０（図４
も参照）にはエジェクタピン９が挿入されている。
５が装着されている。下金型５の上面にはキャビティ６
が形成されている。下金型５の中央には孔部７が形成さ
れており、孔部７には樹脂を押し上げるためのプランジ
ャ８が収納されている。また下金型５の孔部１０（図４
も参照）にはエジェクタピン９が挿入されている。
【００１３】モールド樹脂の成型は次のようにして行わ
れる。チップを搭載した基板を下型上にセットして上型
本体１を下降させて上金型２と下金型５を接合する。こ
の状態で、上金型２のキャビティ３と下金型５のキャビ
ティ６を接合し、その内部にチップが配置される。そこ
でプランジャ８を上昇させて溶融樹脂をキャビティ３，
６内に圧入する。プランジャ８が挿入された孔部７は湯
道（図外）でキャビティ３，６と通じており、溶融樹脂
はこの湯道を通ってキャビティ３，６に圧入される。
れる。チップを搭載した基板を下型上にセットして上型
本体１を下降させて上金型２と下金型５を接合する。こ
の状態で、上金型２のキャビティ３と下金型５のキャビ
ティ６を接合し、その内部にチップが配置される。そこ
でプランジャ８を上昇させて溶融樹脂をキャビティ３，
６内に圧入する。プランジャ８が挿入された孔部７は湯
道（図外）でキャビティ３，６と通じており、溶融樹脂
はこの湯道を通ってキャビティ３，６に圧入される。
【００１４】キャビティ３，６内の溶融樹脂が硬化した
ならば、上型本体１と下型本体４を分離し、エジェクタ
ピン９を上昇させる。すると下金型５上の成型品はエジ
ェクタピン９で突き上げられて下金型５から取り出され
る。
ならば、上型本体１と下型本体４を分離し、エジェクタ
ピン９を上昇させる。すると下金型５上の成型品はエジ
ェクタピン９で突き上げられて下金型５から取り出され
る。
【００１５】以上のようにして成型品は形成されるが、
上記成型作業を繰り返す間に、金型の成型面（上金型２
の下面、下金型５の上面）には有機物である樹脂が付着
する。殊にエジェクタピン９が挿入された孔部１０の縁
部、湯道の縁部、プランジャ８の孔部７の縁部には樹脂
がこびり付きやすい。こびり付いた樹脂は成型品の形状
に悪影響を及ぼすのでクリーニングして除去する必要が
ある。そこで次に、上金型２と下金型５の成型面をクリ
ーニングするクリーニング装置について説明する。
上記成型作業を繰り返す間に、金型の成型面（上金型２
の下面、下金型５の上面）には有機物である樹脂が付着
する。殊にエジェクタピン９が挿入された孔部１０の縁
部、湯道の縁部、プランジャ８の孔部７の縁部には樹脂
がこびり付きやすい。こびり付いた樹脂は成型品の形状
に悪影響を及ぼすのでクリーニングして除去する必要が
ある。そこで次に、上金型２と下金型５の成型面をクリ
ーニングするクリーニング装置について説明する。
【００１６】図１において、１１は筒形のケースであ
り、その内部には放電用の電極１２，１３が設けられて
いる。ケース１１は上金型２と下金型５の成型面を覆っ
て処理空間を確保するためのカバー手段となるものであ
る。一方の電極１２は高周波電源１４に接続されてお
り、他方の電極１３は接地部１５に接地されている。電
極１２，１３、高周波電源１４などは放電手段であり、
ケース１１内の有機物分解ガスを活性化する有機物活性
化手段を構成する。ケース１１の上部と下部には金属性
のメッシュ１６が設けられている。このメッシュ１６は
イオンシールド手段となるものである。
り、その内部には放電用の電極１２，１３が設けられて
いる。ケース１１は上金型２と下金型５の成型面を覆っ
て処理空間を確保するためのカバー手段となるものであ
る。一方の電極１２は高周波電源１４に接続されてお
り、他方の電極１３は接地部１５に接地されている。電
極１２，１３、高周波電源１４などは放電手段であり、
ケース１１内の有機物分解ガスを活性化する有機物活性
化手段を構成する。ケース１１の上部と下部には金属性
のメッシュ１６が設けられている。このメッシュ１６は
イオンシールド手段となるものである。
【００１７】ケース１１にはガス供給手段としてガスボ
ンベ２０がパイプ１９によって接続されている。ガスボ
ンベ２０とケース１１の間のパイプ１９には、減圧器２
１、流量計２２、ガスバルブ２３が接続されている。流
量計２２はガスボンベ２０からケース１１内へ送られる
ガスの流量を調整するものであり、流量によってケース
１１内の圧力を設定するものである。したがって流量計
２２がガス圧制御手段となっている。ガスボンベ２０は
有機物分解ガスであるプラズマ発生用ガスをケース１１
に供給する。本形態では、ガスボンベ２０にはヘリウム
Ｈｅと酸素Ｏ2が体積比で９：１の比率で収納されてお
り、ヘリウムＨｅをベースガスにしている。
ンベ２０がパイプ１９によって接続されている。ガスボ
ンベ２０とケース１１の間のパイプ１９には、減圧器２
１、流量計２２、ガスバルブ２３が接続されている。流
量計２２はガスボンベ２０からケース１１内へ送られる
ガスの流量を調整するものであり、流量によってケース
１１内の圧力を設定するものである。したがって流量計
２２がガス圧制御手段となっている。ガスボンベ２０は
有機物分解ガスであるプラズマ発生用ガスをケース１１
に供給する。本形態では、ガスボンベ２０にはヘリウム
Ｈｅと酸素Ｏ2が体積比で９：１の比率で収納されてお
り、ヘリウムＨｅをベースガスにしている。
【００１８】ケース１１には、排気バルブ２４を介して
真空ポンプ２５が接続されている。またケース１１に
は、大気開放バルブ２６および圧力計２７が接続されて
いる。圧力計２７は制御部２８を介して流量計２２に接
続されている。圧力計２７はケース１１内のガス圧を測
定する。制御部２８は圧力計２７の測定結果にしたが
い、ケース１１内のガス圧がケース１１外の圧力（大気
圧）と同等もしくはこれよりもわずかに高い圧力となる
ように流量計２２を制御する。２９はケース１１の端面
に装着されたシール用のパッキンである。
真空ポンプ２５が接続されている。またケース１１に
は、大気開放バルブ２６および圧力計２７が接続されて
いる。圧力計２７は制御部２８を介して流量計２２に接
続されている。圧力計２７はケース１１内のガス圧を測
定する。制御部２８は圧力計２７の測定結果にしたが
い、ケース１１内のガス圧がケース１１外の圧力（大気
圧）と同等もしくはこれよりもわずかに高い圧力となる
ように流量計２２を制御する。２９はケース１１の端面
に装着されたシール用のパッキンである。
【００１９】次に上金型２と下金型５の成型面のクリー
ニング動作を説明する。図２および図３に示すように、
ケース１１を上型本体１と下型本体４の間に配置し、上
型本体１と下型本体４を相対的に上下動作をさせてケー
ス１１を両者の間にはさみ込む。これにより、上金型２
と下金型５の成型面はケース１１で完全に覆われる。
ニング動作を説明する。図２および図３に示すように、
ケース１１を上型本体１と下型本体４の間に配置し、上
型本体１と下型本体４を相対的に上下動作をさせてケー
ス１１を両者の間にはさみ込む。これにより、上金型２
と下金型５の成型面はケース１１で完全に覆われる。
【００２０】次に真空ポンプ２５を駆動してケース１１
内を真空引きして内部の空気を排気した後、ガスボンベ
２０からケース１１内にガス（ヘリウムと酸素）を供給
する。また圧力計２７でケース１１内のガス圧を測定
し、測定結果に基づいて、望ましくはケース１１内のガ
ス圧がケース１１外のガス圧よりもやや高い圧力になる
ように制御部２８で流量計２２を制御する。例えばケー
ス１１外の圧力を１気圧とすれば、ケース１１内の圧力
は１．０１気圧程度である。ここで、下金型５には、プ
ランジャ８を挿入する孔部７やエジェクタピン９を挿入
する孔部１０が形成されており、これらの孔部７，１０
は下金型５を貫通して外部に連通している。したがって
ケース１１内のガス圧が外部の大気圧と同等もしくはこ
れよりも高くなるように制御部２８で流量計２２を制御
すれば、ケース１１内のガスは孔部７，１０を通り、外
部へわずかづつ吹き出して流出する（図３の矢印Ａ，Ｂ
を参照）。この場合、ガスの流出量が大きくなるとガス
ボンベ２０内のガスを必要以上に消費し、経済的に損で
あるから、上述したようにケース１１内のガス圧が大気
圧と同等もしくはこれよりもわずかに高くなる程度にコ
ントロールし、ガスの流出量をできるだけ少なくするこ
とが望ましい。
内を真空引きして内部の空気を排気した後、ガスボンベ
２０からケース１１内にガス（ヘリウムと酸素）を供給
する。また圧力計２７でケース１１内のガス圧を測定
し、測定結果に基づいて、望ましくはケース１１内のガ
ス圧がケース１１外のガス圧よりもやや高い圧力になる
ように制御部２８で流量計２２を制御する。例えばケー
ス１１外の圧力を１気圧とすれば、ケース１１内の圧力
は１．０１気圧程度である。ここで、下金型５には、プ
ランジャ８を挿入する孔部７やエジェクタピン９を挿入
する孔部１０が形成されており、これらの孔部７，１０
は下金型５を貫通して外部に連通している。したがって
ケース１１内のガス圧が外部の大気圧と同等もしくはこ
れよりも高くなるように制御部２８で流量計２２を制御
すれば、ケース１１内のガスは孔部７，１０を通り、外
部へわずかづつ吹き出して流出する（図３の矢印Ａ，Ｂ
を参照）。この場合、ガスの流出量が大きくなるとガス
ボンベ２０内のガスを必要以上に消費し、経済的に損で
あるから、上述したようにケース１１内のガス圧が大気
圧と同等もしくはこれよりもわずかに高くなる程度にコ
ントロールし、ガスの流出量をできるだけ少なくするこ
とが望ましい。
【００２１】さて、ケース１１内にガスを供給しなが
ら、電極１２に高圧高周波の電圧を印加する。するとケ
ース１１内のガスは電離してイオンとなる。図３および
図４はこのようなプラズマ状態を示している。ガスボン
ベ２０から供給されたヘリウムＨｅと酸素Ｏ2は電離
し、ヘリウムイオンＨｅ+、活性酸素（酸素ラジカル）
Ｏ*、電子ｅ-が生じている。ここで、ヘリウムＨｅは大
気圧付近でもプラズマ化しやすいという特性を有し、か
つ安全・安価であるという利点を有しているので、ヘリ
ウムＨｅをベースガスとして使用している。また酸素ラ
ジカルＯ*は有機物の酸化分解力が大きいという特性を
有している。有機物の酸化分解力の大きいガスとして
は、酸素以外にもフッ素や塩素などもあり、これらも使
用することができる。図３および図４において、Ｋは下
金型５の孔部１０の縁部（入口部）や内部に付着した有
機物（樹脂）である。
ら、電極１２に高圧高周波の電圧を印加する。するとケ
ース１１内のガスは電離してイオンとなる。図３および
図４はこのようなプラズマ状態を示している。ガスボン
ベ２０から供給されたヘリウムＨｅと酸素Ｏ2は電離
し、ヘリウムイオンＨｅ+、活性酸素（酸素ラジカル）
Ｏ*、電子ｅ-が生じている。ここで、ヘリウムＨｅは大
気圧付近でもプラズマ化しやすいという特性を有し、か
つ安全・安価であるという利点を有しているので、ヘリ
ウムＨｅをベースガスとして使用している。また酸素ラ
ジカルＯ*は有機物の酸化分解力が大きいという特性を
有している。有機物の酸化分解力の大きいガスとして
は、酸素以外にもフッ素や塩素などもあり、これらも使
用することができる。図３および図４において、Ｋは下
金型５の孔部１０の縁部（入口部）や内部に付着した有
機物（樹脂）である。
【００２２】図４において、下金型５の上面（成型面）
はメッシュ１６でイオンシールドされているので、イオ
ンであるＨｅ+、Ｏ-、ｅ-はこの上面に到達しない。こ
れに対し酸素ラジカルＯ*は電気的に中性であるからメ
ッシュ１６を通過し、ケース１１内にさらされた成型面
の有機物Ｋに衝突してこれを酸化分解させる。
はメッシュ１６でイオンシールドされているので、イオ
ンであるＨｅ+、Ｏ-、ｅ-はこの上面に到達しない。こ
れに対し酸素ラジカルＯ*は電気的に中性であるからメ
ッシュ１６を通過し、ケース１１内にさらされた成型面
の有機物Ｋに衝突してこれを酸化分解させる。
【００２３】ここで、ケース１１内のガス圧を外部の大
気圧と同等もしくはこれよりもわずかに高くしておく
と、ケース１１内のガスは図４において矢印Ｃで示すよ
うに孔部１０に流入し、孔部１０内を通って外部に流出
する（図３の矢印Ｂ）。したがってこのようなガス圧に
保たれた条件下でケース１１内に供給されたガスを放電
手段でプラズマを発生させて活性化すると、このガスに
含まれる酸素ラジカルは孔部１０の縁部や内部に付着す
る有機物Ｋに接触し、これらを酸化分解させてクリーニ
ングする。孔部７についても孔部１０と同様にクリーニ
ングが行われる。孔部７，１０の縁部（入口部）付近に
は有機物Ｋが付着しやすいが、本方法によればこれらの
有機物Ｋを効果的にクリーニングできる。
気圧と同等もしくはこれよりもわずかに高くしておく
と、ケース１１内のガスは図４において矢印Ｃで示すよ
うに孔部１０に流入し、孔部１０内を通って外部に流出
する（図３の矢印Ｂ）。したがってこのようなガス圧に
保たれた条件下でケース１１内に供給されたガスを放電
手段でプラズマを発生させて活性化すると、このガスに
含まれる酸素ラジカルは孔部１０の縁部や内部に付着す
る有機物Ｋに接触し、これらを酸化分解させてクリーニ
ングする。孔部７についても孔部１０と同様にクリーニ
ングが行われる。孔部７，１０の縁部（入口部）付近に
は有機物Ｋが付着しやすいが、本方法によればこれらの
有機物Ｋを効果的にクリーニングできる。
【００２４】クリーニングが終了したならば、ガスボン
ベ２０からケース１１へのガスの供給を停止し、大気開
放バルブ２６を開く。するとケース１１内は大気圧とな
り、そこで上型本体１を上昇させてケース１１から分離
し、ケース１１を上型本体１と下型本体４の間から取り
出す。以上によりクリーニング作業は終了し、樹脂成型
作業を再開する。
ベ２０からケース１１へのガスの供給を停止し、大気開
放バルブ２６を開く。するとケース１１内は大気圧とな
り、そこで上型本体１を上昇させてケース１１から分離
し、ケース１１を上型本体１と下型本体４の間から取り
出す。以上によりクリーニング作業は終了し、樹脂成型
作業を再開する。
【００２５】なお本形態では、有機物分解ガスとしてヘ
リウムと酸素を使用しているが、使用する有機物分解ガ
スの種類はこれらに限定されない。しかしながら上述し
たように、有機物分解ガスとしてはヘリウムと酸素の混
合ガスを用いることが望ましい。
リウムと酸素を使用しているが、使用する有機物分解ガ
スの種類はこれらに限定されない。しかしながら上述し
たように、有機物分解ガスとしてはヘリウムと酸素の混
合ガスを用いることが望ましい。
【００２６】（実施の形態２）図５は本発明の実施の形
態２の樹脂成型用金型のクリーニング装置の断面図であ
る。実施の形態１の要素と同一要素には同一符号を付し
ている。ケース１１の内部には筒状の絶縁体３０が設け
られており、絶縁体３０の上部と下部には多孔状の電極
３１，３２が設けられている。ケース１１は接地部１５
に接地されており、また電極３１，３２は高周波電源１
４に接続されている。またケース１１の上部と下部には
イオンシールド手段として金属製の多孔板３３が装着さ
れている。
態２の樹脂成型用金型のクリーニング装置の断面図であ
る。実施の形態１の要素と同一要素には同一符号を付し
ている。ケース１１の内部には筒状の絶縁体３０が設け
られており、絶縁体３０の上部と下部には多孔状の電極
３１，３２が設けられている。ケース１１は接地部１５
に接地されており、また電極３１，３２は高周波電源１
４に接続されている。またケース１１の上部と下部には
イオンシールド手段として金属製の多孔板３３が装着さ
れている。
【００２７】本形態の動作は実施の形態１と同様であっ
て、ガスボンベ２０からガス（ヘリウムと酸素）を供給
し、かつケース１１内を外部の圧力と同等もしくはこれ
よりもやや高い正圧に保ってガスをプラズマ化し、上金
型２と下金型５の表面をクリーニングする。
て、ガスボンベ２０からガス（ヘリウムと酸素）を供給
し、かつケース１１内を外部の圧力と同等もしくはこれ
よりもやや高い正圧に保ってガスをプラズマ化し、上金
型２と下金型５の表面をクリーニングする。
【００２８】（実施の形態３）図６は本発明の実施の形
態３の樹脂成型装置の開放状態の断面図、図７および図
８は同樹脂成型装置のクリーニング中の断面図である。
実施の形態１，２の要素と同一要素には同一符号を付し
ている。
態３の樹脂成型装置の開放状態の断面図、図７および図
８は同樹脂成型装置のクリーニング中の断面図である。
実施の形態１，２の要素と同一要素には同一符号を付し
ている。
【００２９】図６において、ケース１１Ａは有蓋無底で
あり、その内部に電極３１，３２が設けられている。一
方の電極３１はノズル３４の下部に装着されており、ノ
ズル３４内にガスボンベ２０からガスが供給される。こ
のケース１１Ａは上下反転手段（図外）により上下反転
自在である。
あり、その内部に電極３１，３２が設けられている。一
方の電極３１はノズル３４の下部に装着されており、ノ
ズル３４内にガスボンベ２０からガスが供給される。こ
のケース１１Ａは上下反転手段（図外）により上下反転
自在である。
【００３０】図７は、下金型５の表面をクリーニングし
ている状態を示している。この場合、ケース１１Ａの開
放された無底面を下金型５上に接地させて下金型５の上
面を覆う。そしてガスボンベ２０から供給されたガスを
イオン化し、ケース１１Ａ内にさらされた下金型５の上
面をクリーニングする。勿論この場合も、ケース１１Ａ
内は外部の圧力と同等もしくはこれよりもやや高い正圧
に保たれる。
ている状態を示している。この場合、ケース１１Ａの開
放された無底面を下金型５上に接地させて下金型５の上
面を覆う。そしてガスボンベ２０から供給されたガスを
イオン化し、ケース１１Ａ内にさらされた下金型５の上
面をクリーニングする。勿論この場合も、ケース１１Ａ
内は外部の圧力と同等もしくはこれよりもやや高い正圧
に保たれる。
【００３１】図８はケース１１Ａを上下反転させ、上金
型２の表面に接地させてこの表面をクリーニングしてい
る状態を示している。したがって本形態によれば、上金
型２と下金型５の一方のみを選択的にクリーニングする
ことができる。
型２の表面に接地させてこの表面をクリーニングしてい
る状態を示している。したがって本形態によれば、上金
型２と下金型５の一方のみを選択的にクリーニングする
ことができる。
【００３２】（実施の形態４）図９は本発明の実施の形
態４の樹脂成型用金型のクリーニング装置の断面図であ
る。本形態のクリーニング装置の構造は実施の形態３と
同じであるが、ケース１１Ｂはケース１１Ａよりも小型
であり、移動手段（図外）により水平方向に移動自在と
なっている。したがってケース１１Ｂを上金型２や下金
型５の任意の位置に接地させて任意のエリアを覆い、そ
れらの表面を局所的にクリーニングすることができる。
勿論この場合も、ケース１１Ｂ内は外部の圧力と同等も
しくはこれよりもやや高い正圧に保たれる。
態４の樹脂成型用金型のクリーニング装置の断面図であ
る。本形態のクリーニング装置の構造は実施の形態３と
同じであるが、ケース１１Ｂはケース１１Ａよりも小型
であり、移動手段（図外）により水平方向に移動自在と
なっている。したがってケース１１Ｂを上金型２や下金
型５の任意の位置に接地させて任意のエリアを覆い、そ
れらの表面を局所的にクリーニングすることができる。
勿論この場合も、ケース１１Ｂ内は外部の圧力と同等も
しくはこれよりもやや高い正圧に保たれる。
【００３３】（実施の形態５）図１０は本発明の実施の
形態５の樹脂成型用金型のクリーニング装置の断面図で
ある。４０はケースであり、接地４１されている。ケー
ス４０の内部には有機物分解ガス活性化手段としてＵＶ
（紫外線）ランプ４２が設けられている。４３はその電
源である。ガスボンベ２０には有機物分解ガスとしての
酸素もしくは酸素とオゾンの混合ガスが収納されてい
る。ケース４０内はこれらのガスで外部の圧力と同等も
しくはこれよりもやや高い正圧に保たれる。
形態５の樹脂成型用金型のクリーニング装置の断面図で
ある。４０はケースであり、接地４１されている。ケー
ス４０の内部には有機物分解ガス活性化手段としてＵＶ
（紫外線）ランプ４２が設けられている。４３はその電
源である。ガスボンベ２０には有機物分解ガスとしての
酸素もしくは酸素とオゾンの混合ガスが収納されてい
る。ケース４０内はこれらのガスで外部の圧力と同等も
しくはこれよりもやや高い正圧に保たれる。
【００３４】ガスボンベ２０からケース４０内に酸素を
供給し、ＵＶランプ４２を点灯する。すると酸素ラジカ
ルが生成され、上金型２や下金型５の表面はクリーニン
グされる。この場合、オゾンも有機物の酸化力が大きい
ので、酸素とオゾンをケース４０内に供給することが望
ましい。勿論この場合もケース４０内は外部の圧力と同
等もしくはこれよりもやや高い正圧に保たれる。
供給し、ＵＶランプ４２を点灯する。すると酸素ラジカ
ルが生成され、上金型２や下金型５の表面はクリーニン
グされる。この場合、オゾンも有機物の酸化力が大きい
ので、酸素とオゾンをケース４０内に供給することが望
ましい。勿論この場合もケース４０内は外部の圧力と同
等もしくはこれよりもやや高い正圧に保たれる。
【００３５】（実施の形態６）図１１は本発明の実施の
形態６の樹脂成型用金型のクリーニング装置の断面図で
ある。ガスボンベ２０には有機物分解ガスとしてのオゾ
ンを含む酸素が収納されており、またガスバルブ２３に
はオゾン発生器４４が接続されている。したがってケー
ス４０内に供給されたオゾンにより上金型２や下金型５
の表面の有機物は酸化分解される。勿論この場合も、ケ
ース４０内は外部の圧力と同等もしくはこれよりもやや
高い正圧に保たれる。
形態６の樹脂成型用金型のクリーニング装置の断面図で
ある。ガスボンベ２０には有機物分解ガスとしてのオゾ
ンを含む酸素が収納されており、またガスバルブ２３に
はオゾン発生器４４が接続されている。したがってケー
ス４０内に供給されたオゾンにより上金型２や下金型５
の表面の有機物は酸化分解される。勿論この場合も、ケ
ース４０内は外部の圧力と同等もしくはこれよりもやや
高い正圧に保たれる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ケース内
の有機物分解ガスを金型の孔部から外部へわずかづつ流
出させながら金型の成型面をクリーニングするようにし
ているので、孔部の縁部（入口部）や内部などの有機物
の付着しやすい箇所や従来方法ではクリーニングしにく
い箇所を効果的にクリーニングすることができる。
の有機物分解ガスを金型の孔部から外部へわずかづつ流
出させながら金型の成型面をクリーニングするようにし
ているので、孔部の縁部（入口部）や内部などの有機物
の付着しやすい箇所や従来方法ではクリーニングしにく
い箇所を効果的にクリーニングすることができる。
【図１】本発明の実施の形態１の樹脂成型装置の開放状
態の断面図
態の断面図
【図２】本発明の実施の形態１の樹脂成型装置の閉鎖状
態の断面図
態の断面図
【図３】本発明の実施の形態１の樹脂成型装置のクリー
ニング装置の断面図
ニング装置の断面図
【図４】本発明の実施の形態１の樹脂成型装置のクリー
ニング状態の説明図
ニング状態の説明図
【図５】本発明の実施の形態２の樹脂成型用金型のクリ
ーニング装置の断面図
ーニング装置の断面図
【図６】本発明の実施の形態３の樹脂成型装置の開放状
態の断面図
態の断面図
【図７】本発明の実施の形態３の樹脂成型装置のクリー
ニング中の断面図
ニング中の断面図
【図８】本発明の実施の形態３の樹脂成型装置のクリー
ニング中の断面図
ニング中の断面図
【図９】本発明の実施の形態４の樹脂成型用金型のクリ
ーニング装置の断面図
ーニング装置の断面図
【図１０】本発明の実施の形態５の樹脂成型用金型のク
リーニング装置の断面図
リーニング装置の断面図
【図１１】本発明の実施の形態６の樹脂成型用金型のク
リーニング装置の断面図
リーニング装置の断面図
２ 上金型 ５ 下金型 ７，１０ 孔部 １１，１１Ａ，１１Ｂ，４０ ケース ２０ ガスボンベ ２２ 流量計 ２７ 圧力計 ２８ 制御部 ４２ ＵＶランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩井 哲博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 有田 潔 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA46 AB51 BC01 CD11 CD31 CD42 CD43 3B201 AA46 AB51 BC01 CB12 CD11 CD36 CD42 CD43 4F202 AH33 AM10 CA30 CS02 CS04 5F061 AA01 BA01 CA21 DA01 DC01
Claims (12)
- 【請求項１】樹脂成型用金型の成型面を覆うカバー手段
と、このカバー手段の内部に有機物分解ガスを供給する
ガス供給手段と、前記カバー手段内に供給された有機物
分解ガスを大気圧と同等もしくは大気圧よりも高いガス
圧に保たれた条件下で活性化する有機物分解ガス活性化
手段とを備えたことを特徴とする樹脂成型用金型のクリ
ーニング装置。 - 【請求項２】前記有機物分解ガス活性化手段が高周波の
電圧を電極に印加することにより有機物分解ガスをプラ
ズマ化する放電手段であることを特徴とする請求項１記
載の樹脂成型用金型のクリーニング装置。 - 【請求項３】前記有機物分解ガスが酸素、フッ素、塩素
のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項
１または２記載の樹脂成型用金型のクリーニング装置。 - 【請求項４】前記有機物分解ガスがベースガスとしてヘ
リウムを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか
に記載の樹脂成型用金型のクリーニング装置。 - 【請求項５】前記有機物分解ガス活性化手段が酸素を活
性化するＵＶランプであり、かつ前記ガス供給手段が前
記カバー手段内に酸素を供給することを特徴とする請求
項１記載の樹脂成型用金型のクリーニング装置。 - 【請求項６】樹脂成型用金型の成型面を覆うカバー手段
と、このカバー手段の内部に有機物分解ガスを供給する
ガス供給手段とを備えたことを特徴とする樹脂成型用金
型のクリーニング装置。 - 【請求項７】前記ガス供給手段が前記カバー手段内にオ
ゾンを供給することを特徴とする請求項６記載の樹脂成
型用金型のクリーニング装置。 - 【請求項８】金型の成型面をカバー手段で覆い、このカ
バー手段内に有機物分解ガスを供給して前記成型面を有
機物分解ガスにさらし、金型の孔部からガスを外部へ流
出させながら有機物分解ガスで前記成型面に付着する有
機物を分解することを特徴とする樹脂成型用金型のクリ
ーニング方法。 - 【請求項９】前記カバー手段内に供給された有機物分解
ガスを有機物分解ガス活性化手段により活性化させるこ
とを特徴とする請求項８記載の樹脂成型用金型のクリー
ニング方法。 - 【請求項１０】前記有機物分解ガス活性化手段が高周波
の電圧を電極に印加することにより有機物分解ガスをプ
ラズマ化する放電手段であることを特徴とする請求項９
記載の樹脂成型用金型のクリーニング方法。 - 【請求項１１】前記有機物分解ガスが酸素、フッ素、塩
素のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求
項１０記載の樹脂成型用金型のクリーニング方法。 - 【請求項１２】前記有機物分解ガスがベースガスとして
ヘリウムを含むことを特徴とする請求項１０記載の樹脂
成型用金型のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28910398A JP3674339B2 (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28910398A JP3674339B2 (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000117749A true JP2000117749A (ja) | 2000-04-25 |
| JP3674339B2 JP3674339B2 (ja) | 2005-07-20 |
Family
ID=17738840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28910398A Expired - Fee Related JP3674339B2 (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 樹脂成型用金型のクリーニング装置およびクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3674339B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005303302A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Headway Technologies Inc | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 |
| WO2007029949A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Psm Inc. | Portable die cleaning apparatus and method thereof |
| KR100907700B1 (ko) * | 2008-05-21 | 2009-07-14 | 주식회사 피에스엠 | 플라즈마를 이용하는 양방향 세정모듈 및 양방향 금형세정방법 |
| WO2009142400A2 (ko) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | 주식회사 피에스엠 | 플라즈마를 이용하는 인라인 금형 세정장치 및 세정방법 |
| KR100984842B1 (ko) | 2008-05-13 | 2010-10-01 | 미크론정공 주식회사 | 자동 몰딩 및 세정 장치 |
| CN103909615A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-07-09 | 昆山市大久电子有限公司 | 改性注塑模具 |
-
1998
- 1998-10-12 JP JP28910398A patent/JP3674339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005303302A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Headway Technologies Inc | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 |
| JP4732781B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2011-07-27 | ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 |
| WO2007029949A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Psm Inc. | Portable die cleaning apparatus and method thereof |
| KR100729464B1 (ko) | 2005-09-06 | 2007-06-15 | 주식회사 피에스엠 | 이동식 금형 세정장치 및 금형 세정방법 |
| JP2009506915A (ja) * | 2005-09-06 | 2009-02-19 | ピーエスエム インコーポレイティド | 移動式金型洗浄装置及び金型洗浄方法 |
| KR100984842B1 (ko) | 2008-05-13 | 2010-10-01 | 미크론정공 주식회사 | 자동 몰딩 및 세정 장치 |
| KR100907700B1 (ko) * | 2008-05-21 | 2009-07-14 | 주식회사 피에스엠 | 플라즈마를 이용하는 양방향 세정모듈 및 양방향 금형세정방법 |
| WO2009142400A2 (ko) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | 주식회사 피에스엠 | 플라즈마를 이용하는 인라인 금형 세정장치 및 세정방법 |
| WO2009142400A3 (ko) * | 2008-05-21 | 2010-02-25 | 주식회사 피에스엠 | 플라즈마를 이용하는 인라인 금형 세정장치 및 세정방법 |
| KR100980027B1 (ko) * | 2008-05-21 | 2010-09-06 | 주식회사 피에스엠 | 플라즈마를 이용하는 인라인 금형 세정장치 및 세정방법 |
| CN103909615A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-07-09 | 昆山市大久电子有限公司 | 改性注塑模具 |
| CN103909615B (zh) * | 2014-04-16 | 2016-04-27 | 昆山市大久电子有限公司 | 改性注塑模具 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3674339B2 (ja) | 2005-07-20 |
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