JP2004153030A - 半導体膜形成用塗布液、それを用いた半導体膜の製造方法及びそれを用いて得られる太陽電池 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- -1 alkylene glycol Chemical compound 0.000 claims abstract description 11
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical class C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- WCYJXDMUQGVQQS-UHFFFAOYSA-N pyridine;ruthenium Chemical compound [Ru].C1=CC=NC=C1 WCYJXDMUQGVQQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
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- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02491—Conductive materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02601—Nanoparticles
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
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Abstract
【課題】ドクターブレード法やスクリーン印刷法などにより透明導電性基板上に半導体膜を形成させる場合、適切な粘性を維持することができ、焼成後に優れた均一性、接着性、多孔性、その他の物性を有する半導体膜を与える非水系の塗布液を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体粉末100質量部に対し、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテル30〜2000質量部を配合してなる半導体膜形成用塗布液とする。
【選択図】 なし
【解決手段】金属酸化物半導体粉末100質量部に対し、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテル30〜2000質量部を配合してなる半導体膜形成用塗布液とする。
【選択図】 なし
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、色素増感太陽電池やセンサーなどに用いる半導体膜を形成するための塗布液、それを用いた半導体膜の製造方法及びその半導体膜を用いた太陽電池に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
これまで、太陽電池としては、広い受光表面をもつ半導体結晶又はアモルファス材料の表面付近にpn接合を形成させ、可視光線を照射してp領域とn領域を連結する外部回路にpからnに向って電流を発生させるものが主流となっていた。そして、この際の半導体結晶としては、通常ケイ素が用いられているが、ケイ素の製造工程は、本質的にエネルギー多消費型であり、かつ有害なシランガスを用いるため、環境保全の面でも問題があった。
【0003】
しかるに、1991年にスイスのグレーツェル(Graetzel)らが、表面積の大きい多孔質二酸化チタン薄膜の表面にルテニウムビピリジンカルボン酸色素を吸収させた電極を用いて、色素増感太陽電池を発表して以来(非特許文献1参照)、製造コストが安い、環境汚染のおそれがない、高い光電変換効率を有するなどの長所があることから、この種の太陽電池が注目されるようになってきた。
この色素増感太陽電池としては、これまでビピリジンルテニウム錯体、クロロフィル誘導体及びポルフィリンの亜鉛錯体などを光励起中心としたものが多数提案されている。
【0004】
ところで、この色素増感太陽電池においては、透明導電性基板上に増感色素を担持した半導体多孔膜からなる半導体電極が用いられるが、この半導体多孔膜は、主に界面活性剤存在下、水溶液中に半導体粒子を分散させた塗布液を基板上に塗布又はスクリーン印刷して450℃又は500℃近辺で焼成することにより製造されている。
【0005】
この場合、使用される塗布液の粘性が非常に重要であり、粘性が低すぎると膜を作成するとき、たれや流れを生じて成膜が困難になるし、また粘性が高すぎると、生成した半導体膜の表面にクラックが発生し、このクラックを通って色素及び電解液が直接透明導電性基板と接触し、変換効率の低下をもたらしたり、クラックにより半導体膜が剥離し、太陽電池の寿命が短くなるなどのトラブルの原因になる。
【0006】
このような問題点を解決するために、これまで塗布液として半導体粉末と増粘剤とを混練して得られるペースト(特許文献1参照)や、水溶液に酸化物半導体、消泡剤、ヒドロキシプロピルセルロースなどを添加した印刷用ペースト(特許文献2参照)が提案されているが、これらは各成分を混合又は混練するのが必ずしも容易ではなく、均一に分散したペーストを得るのも困難であり、また塗布や印刷の際、ペーストの乾燥速度が速く、出力電流密度はあまり高くないため、実用に際しては解決しなければならない問題点が多々存在する。
【0007】
【特許文献1】
特開平7−221338号公報(特許請求の範囲等)
【特許文献2】
特開2002−222618号公報(特許請求の範囲等)
【非特許文献1】
「ネイチュア(Nature)」、第353巻、1991年、p737−740
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、従来の太陽電池半導体膜形成用塗布液のもつ欠点を克服し、ドクターブレード法やスクリーン印刷法などにより透明導電性基板上に半導体膜を形成させる場合、適切な粘性を維持することができ、焼成後に優れた均一性、接着性、多孔性、その他の物性を有する半導体膜を与える非水系の塗布液を提供することを目的としてなされたものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、太陽電池の半導体膜を形成するのに用いる塗布液について種々検討した結果、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテル、例えばエチレングリコールやジエチレングリコール及びそれらのモノエチルエーテルなどを用いれば、塗布や印刷の際に適切な粘性を示し、かつ焼成後に優れた物性の半導体膜が得られることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【0010】
すなわち、本発明は、金属酸化物半導体粉末100質量部に対し、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテル30〜2000質量部を配合してなる半導体膜形成用塗布液、この塗布液を透明導電性基板上に塗布又は印刷したのち、焼成することからなる半導体膜の製造方法及びその半導体膜を用いた太陽電池を提供するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明塗布液において用いられる金属酸化物半導体としては、これまで太陽電池の半導体多孔膜の形成に用いられてきた金属酸化物であればよく、特に制限はないが、特に、TiO2、SnO2、ZnO及びNb2O5などの中から選ばれた金属酸化物又はそれらの2種以上の組合せが好ましい。これらは平均粒径10nm〜100μm、好ましくは30nm〜1.0μmの市販品の微粒子やゾルゲル法により得られるコロイドの形で用いられる。
【0012】
本発明塗布液においては、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテルを用いることが必要である。このアルキレングリコールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコールがあり、ポリアルキレングリコールとしては、例えばジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコールなどがある。また、それらのアルキルエーテルとしては、例えばモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテルなどがある。これらは単独である必要はなく、これらを50質量%以上の割合で含まれるものである限り、他の溶媒との混合物であってもよい。
【0013】
ポリアルキレングリコールは低分子量のものから高分子量のものまで、求める粘度などに応じて種々のものを用いることができ、また異なる分子量のものを組み合わせて用いることができる。粉末状の高分子量のものは適切な有機溶媒で溶解して使用できる。これらの分散媒は、金属酸化物半導体粉末100質量部に対し、アルキレングリコール、ポリアルキレングリコール、それらのアルキルエーテルなどの分散媒30〜2000質量部、好ましくは150〜800質量部の割合で用いられる。本発明の塗布液には、上記の成分以外にも必要に応じてキレート剤、増粘剤などを添加することができる。
【0014】
本発明塗布液は、上記の範囲内において取り扱いやすい粘度のペーストが得られるように分散媒の配合量を調整するのが好ましい。これよりも粘度が小さいと、塗布の際、特に印刷法を適用する場合、たれや流れを生じて基板に均一に付着させることができないし、これよりも大きくなると粘稠になりすぎて、取り扱いにくくなる上に、焼成後の半導体多孔膜にクラックなどの欠陥を生じる。
【0015】
上記の塗布液を用いて半導体多孔膜を形成するには、例えば透明導電性基板の導電層上にこの塗布液をドクターブレード法やスクリーン印刷などの方法を適用して膜を形成させる。この透明導電性基板としては、透明基板の少なくとも一方の面に透明導電層が形成されたものが用いられ、この際用いる透明基板としては、光透過性の素材からなる板が用いられるが、ガラス、ポリエチレンテレフタレートなど、通常太陽電池の透明基板として用いられるものであればどのようなものも用いることができる。好ましい透明導電性基板として、例えば、フッ素ドープのSnO2、ITOなどを蒸着した導電性ガラスが挙げられる。
【0016】
この際の塗膜の厚みとしては、5〜100μmの範囲が適当である。このようにして得られた塗膜を、次いで180〜550℃の温度で焼成することにより、半導体多孔膜が形成される。
【0017】
図1は本発明塗布液を用いて形成された半導体多孔膜をもつ色素増感太陽電池の1例の断面図である。すなわち、この太陽電池は、増感色素を担持した半導体電極1と、この半導体電極と適当な間隔で対向配置された白金電極2と、これらの間に設けられた電解質層3とから構成されている。
【0018】
そして、上記の増感色素としては、これまで太陽電池の増感剤として慣用されている色素の中から任意に選んで用いることができる。このような増感色素としては、例えば、ビピリジンなどの構造を有する配位子やそれらのルテニウム錯体、ポルフィリン、フタロシアニンなどの配位子とそれらの金属錯体及びエオシンなどの有機色素を挙げることができる。色素増感半導体電極は、前記のようにして形成した半導体電極に、上記の色素を吸着法、キャスト法、ラングミェアー・プロジェット法、電着法、真空蒸着法、化学蒸着法などにより担持させることにより作製される。
【0019】
また、上記の白金電極2としては、導電膜4を設けた透明基板5の上に、蒸着、スパッタリングにより白金層を形成させたもの、又は塩化白金酸を塗布したのち加熱分解して白金層としたものが用いられるが、その他の導電性金属や炭素を用いてもよい。なお、6は白金電極2を支持している透明導電性基板である。
【0020】
他方、電解質層3としては、酸化・還元種を含む電解液や、この電解液を高分子マトリックスでゲル化させたものや、電解液の代りに導電性高分子やp型半導体によるホール輸送層を設けたものなどが用いられる。
【0021】
上記の酸化・還元種としては、例えばヨウ化リチウム、ヨウ化カリウムなど、この種の目的に慣用されているものの中から適宜選択して用いることができ、特に制限はない。
【0022】
【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
【0023】
実施例1
二酸化チタン粉末(平均粒径40nm)100質量部にエチレングリコール200質量部を加え、乳鉢で30分間混合することにより、半導体多孔膜形成用塗布液を調製した。
次に、このものを用いて、導電性膜(TCO)を設けたガラス基板(0.5cm2)上にドクターブレード法により膜厚約14μmの塗膜を形成させ、電気炉で段階的に徐々に450℃まで昇温させ、この温度で30分間焼成した。
次いでルテニウムピリジン錯体(N3)を3×10−4モル濃度でメチルアルコールに溶解した液に、上記の焼成物を浸漬し、室温において一夜放置したのち、メチルアルコールで洗浄後、乾燥することにより、第一パーツを作製した。
別にTCO導電性ガラス基板に、スパッタリングにより白金層を形成させ、第二パーツを作製した。上記の第一パーツと第二パーツとの間に0.1Mヨウ化リチウム、0.05Mヨウ素を含むメトキシアセトニトリルからなる電解液を注入し、太陽電池Aを製造した。
なお、上記の塗布液の調製に際し、乳鉢で混合する代りにペイントシェーカーで4時間振りまぜて分散させた場合、またドクターブレード法の代りにスクリーン印刷法を用いた場合も全く同じものが得られた。
【0024】
実施例2
実施例1におけるエチレングリコールの代りに、分子量600のポリエチレングリコールを用い、他は実施例1と同様して、太陽電池Bを製造した。
【0025】
比較例1
脱イオン蒸留水5mlに二酸化チタン粉末(平均粒径40nm)3gと、アセチルアセトン0.1mlを加え、乳鉢で30分間混合し、又はペイントシェーカーで4時間振りまぜることにより塗布液を調製した。
次にこの塗布液を用いて、実施例1と同様にして太陽電池Cを製造した。
【0026】
比較例2
α‐テルピネオールとエチルセルロースの混合溶媒(質量比1:7)1.3gに二酸化チタン粉末(平均粒径40nm)0.5gを加え、乳鉢で30分間混合し、又はペイントシェーカーで4時間振りまぜることにより塗布液を調製した。
次にこの塗布液を用いて実施例1と同様にして太陽電池Dを製造した。
【0027】
参考例
実施例及び比較例で得た太陽電池AないしDに対し、キセノン光源を用い、強度100W/m2の光を照射し、端子間短絡時の1cm2当りの光電流密度と開放電圧を測定した。その結果を表1に示す。
【0028】
【表1】
【0029】
この表から分るように、本発明塗布液を用いて製造した太陽電池は、他の塗布液を用いて製造した太陽電池に比べ、高い光電変換効率を示す。
【0030】
【発明の効果】
本発明によると、取り扱いやすく、調整された粘度をもつ塗布液を使用することができ、優れた物性及び出力を示す太陽電池が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明塗布液を用いて得られる太陽電池の1例の断面図。
【符号の説明】
1 半導体電極
2 白金電極
3 電解質層
4 導電膜
5 透明基板
6 透明導電性基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、色素増感太陽電池やセンサーなどに用いる半導体膜を形成するための塗布液、それを用いた半導体膜の製造方法及びその半導体膜を用いた太陽電池に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
これまで、太陽電池としては、広い受光表面をもつ半導体結晶又はアモルファス材料の表面付近にpn接合を形成させ、可視光線を照射してp領域とn領域を連結する外部回路にpからnに向って電流を発生させるものが主流となっていた。そして、この際の半導体結晶としては、通常ケイ素が用いられているが、ケイ素の製造工程は、本質的にエネルギー多消費型であり、かつ有害なシランガスを用いるため、環境保全の面でも問題があった。
【0003】
しかるに、1991年にスイスのグレーツェル(Graetzel)らが、表面積の大きい多孔質二酸化チタン薄膜の表面にルテニウムビピリジンカルボン酸色素を吸収させた電極を用いて、色素増感太陽電池を発表して以来(非特許文献1参照)、製造コストが安い、環境汚染のおそれがない、高い光電変換効率を有するなどの長所があることから、この種の太陽電池が注目されるようになってきた。
この色素増感太陽電池としては、これまでビピリジンルテニウム錯体、クロロフィル誘導体及びポルフィリンの亜鉛錯体などを光励起中心としたものが多数提案されている。
【0004】
ところで、この色素増感太陽電池においては、透明導電性基板上に増感色素を担持した半導体多孔膜からなる半導体電極が用いられるが、この半導体多孔膜は、主に界面活性剤存在下、水溶液中に半導体粒子を分散させた塗布液を基板上に塗布又はスクリーン印刷して450℃又は500℃近辺で焼成することにより製造されている。
【0005】
この場合、使用される塗布液の粘性が非常に重要であり、粘性が低すぎると膜を作成するとき、たれや流れを生じて成膜が困難になるし、また粘性が高すぎると、生成した半導体膜の表面にクラックが発生し、このクラックを通って色素及び電解液が直接透明導電性基板と接触し、変換効率の低下をもたらしたり、クラックにより半導体膜が剥離し、太陽電池の寿命が短くなるなどのトラブルの原因になる。
【0006】
このような問題点を解決するために、これまで塗布液として半導体粉末と増粘剤とを混練して得られるペースト(特許文献1参照)や、水溶液に酸化物半導体、消泡剤、ヒドロキシプロピルセルロースなどを添加した印刷用ペースト(特許文献2参照)が提案されているが、これらは各成分を混合又は混練するのが必ずしも容易ではなく、均一に分散したペーストを得るのも困難であり、また塗布や印刷の際、ペーストの乾燥速度が速く、出力電流密度はあまり高くないため、実用に際しては解決しなければならない問題点が多々存在する。
【0007】
【特許文献1】
特開平7−221338号公報(特許請求の範囲等)
【特許文献2】
特開2002−222618号公報(特許請求の範囲等)
【非特許文献1】
「ネイチュア(Nature)」、第353巻、1991年、p737−740
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、従来の太陽電池半導体膜形成用塗布液のもつ欠点を克服し、ドクターブレード法やスクリーン印刷法などにより透明導電性基板上に半導体膜を形成させる場合、適切な粘性を維持することができ、焼成後に優れた均一性、接着性、多孔性、その他の物性を有する半導体膜を与える非水系の塗布液を提供することを目的としてなされたものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、太陽電池の半導体膜を形成するのに用いる塗布液について種々検討した結果、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテル、例えばエチレングリコールやジエチレングリコール及びそれらのモノエチルエーテルなどを用いれば、塗布や印刷の際に適切な粘性を示し、かつ焼成後に優れた物性の半導体膜が得られることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【0010】
すなわち、本発明は、金属酸化物半導体粉末100質量部に対し、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテル30〜2000質量部を配合してなる半導体膜形成用塗布液、この塗布液を透明導電性基板上に塗布又は印刷したのち、焼成することからなる半導体膜の製造方法及びその半導体膜を用いた太陽電池を提供するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明塗布液において用いられる金属酸化物半導体としては、これまで太陽電池の半導体多孔膜の形成に用いられてきた金属酸化物であればよく、特に制限はないが、特に、TiO2、SnO2、ZnO及びNb2O5などの中から選ばれた金属酸化物又はそれらの2種以上の組合せが好ましい。これらは平均粒径10nm〜100μm、好ましくは30nm〜1.0μmの市販品の微粒子やゾルゲル法により得られるコロイドの形で用いられる。
【0012】
本発明塗布液においては、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテルを用いることが必要である。このアルキレングリコールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコールがあり、ポリアルキレングリコールとしては、例えばジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコールなどがある。また、それらのアルキルエーテルとしては、例えばモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテルなどがある。これらは単独である必要はなく、これらを50質量%以上の割合で含まれるものである限り、他の溶媒との混合物であってもよい。
【0013】
ポリアルキレングリコールは低分子量のものから高分子量のものまで、求める粘度などに応じて種々のものを用いることができ、また異なる分子量のものを組み合わせて用いることができる。粉末状の高分子量のものは適切な有機溶媒で溶解して使用できる。これらの分散媒は、金属酸化物半導体粉末100質量部に対し、アルキレングリコール、ポリアルキレングリコール、それらのアルキルエーテルなどの分散媒30〜2000質量部、好ましくは150〜800質量部の割合で用いられる。本発明の塗布液には、上記の成分以外にも必要に応じてキレート剤、増粘剤などを添加することができる。
【0014】
本発明塗布液は、上記の範囲内において取り扱いやすい粘度のペーストが得られるように分散媒の配合量を調整するのが好ましい。これよりも粘度が小さいと、塗布の際、特に印刷法を適用する場合、たれや流れを生じて基板に均一に付着させることができないし、これよりも大きくなると粘稠になりすぎて、取り扱いにくくなる上に、焼成後の半導体多孔膜にクラックなどの欠陥を生じる。
【0015】
上記の塗布液を用いて半導体多孔膜を形成するには、例えば透明導電性基板の導電層上にこの塗布液をドクターブレード法やスクリーン印刷などの方法を適用して膜を形成させる。この透明導電性基板としては、透明基板の少なくとも一方の面に透明導電層が形成されたものが用いられ、この際用いる透明基板としては、光透過性の素材からなる板が用いられるが、ガラス、ポリエチレンテレフタレートなど、通常太陽電池の透明基板として用いられるものであればどのようなものも用いることができる。好ましい透明導電性基板として、例えば、フッ素ドープのSnO2、ITOなどを蒸着した導電性ガラスが挙げられる。
【0016】
この際の塗膜の厚みとしては、5〜100μmの範囲が適当である。このようにして得られた塗膜を、次いで180〜550℃の温度で焼成することにより、半導体多孔膜が形成される。
【0017】
図1は本発明塗布液を用いて形成された半導体多孔膜をもつ色素増感太陽電池の1例の断面図である。すなわち、この太陽電池は、増感色素を担持した半導体電極1と、この半導体電極と適当な間隔で対向配置された白金電極2と、これらの間に設けられた電解質層3とから構成されている。
【0018】
そして、上記の増感色素としては、これまで太陽電池の増感剤として慣用されている色素の中から任意に選んで用いることができる。このような増感色素としては、例えば、ビピリジンなどの構造を有する配位子やそれらのルテニウム錯体、ポルフィリン、フタロシアニンなどの配位子とそれらの金属錯体及びエオシンなどの有機色素を挙げることができる。色素増感半導体電極は、前記のようにして形成した半導体電極に、上記の色素を吸着法、キャスト法、ラングミェアー・プロジェット法、電着法、真空蒸着法、化学蒸着法などにより担持させることにより作製される。
【0019】
また、上記の白金電極2としては、導電膜4を設けた透明基板5の上に、蒸着、スパッタリングにより白金層を形成させたもの、又は塩化白金酸を塗布したのち加熱分解して白金層としたものが用いられるが、その他の導電性金属や炭素を用いてもよい。なお、6は白金電極2を支持している透明導電性基板である。
【0020】
他方、電解質層3としては、酸化・還元種を含む電解液や、この電解液を高分子マトリックスでゲル化させたものや、電解液の代りに導電性高分子やp型半導体によるホール輸送層を設けたものなどが用いられる。
【0021】
上記の酸化・還元種としては、例えばヨウ化リチウム、ヨウ化カリウムなど、この種の目的に慣用されているものの中から適宜選択して用いることができ、特に制限はない。
【0022】
【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
【0023】
実施例1
二酸化チタン粉末(平均粒径40nm)100質量部にエチレングリコール200質量部を加え、乳鉢で30分間混合することにより、半導体多孔膜形成用塗布液を調製した。
次に、このものを用いて、導電性膜(TCO)を設けたガラス基板(0.5cm2)上にドクターブレード法により膜厚約14μmの塗膜を形成させ、電気炉で段階的に徐々に450℃まで昇温させ、この温度で30分間焼成した。
次いでルテニウムピリジン錯体(N3)を3×10−4モル濃度でメチルアルコールに溶解した液に、上記の焼成物を浸漬し、室温において一夜放置したのち、メチルアルコールで洗浄後、乾燥することにより、第一パーツを作製した。
別にTCO導電性ガラス基板に、スパッタリングにより白金層を形成させ、第二パーツを作製した。上記の第一パーツと第二パーツとの間に0.1Mヨウ化リチウム、0.05Mヨウ素を含むメトキシアセトニトリルからなる電解液を注入し、太陽電池Aを製造した。
なお、上記の塗布液の調製に際し、乳鉢で混合する代りにペイントシェーカーで4時間振りまぜて分散させた場合、またドクターブレード法の代りにスクリーン印刷法を用いた場合も全く同じものが得られた。
【0024】
実施例2
実施例1におけるエチレングリコールの代りに、分子量600のポリエチレングリコールを用い、他は実施例1と同様して、太陽電池Bを製造した。
【0025】
比較例1
脱イオン蒸留水5mlに二酸化チタン粉末(平均粒径40nm)3gと、アセチルアセトン0.1mlを加え、乳鉢で30分間混合し、又はペイントシェーカーで4時間振りまぜることにより塗布液を調製した。
次にこの塗布液を用いて、実施例1と同様にして太陽電池Cを製造した。
【0026】
比較例2
α‐テルピネオールとエチルセルロースの混合溶媒(質量比1:7)1.3gに二酸化チタン粉末(平均粒径40nm)0.5gを加え、乳鉢で30分間混合し、又はペイントシェーカーで4時間振りまぜることにより塗布液を調製した。
次にこの塗布液を用いて実施例1と同様にして太陽電池Dを製造した。
【0027】
参考例
実施例及び比較例で得た太陽電池AないしDに対し、キセノン光源を用い、強度100W/m2の光を照射し、端子間短絡時の1cm2当りの光電流密度と開放電圧を測定した。その結果を表1に示す。
【0028】
【表1】
【0029】
この表から分るように、本発明塗布液を用いて製造した太陽電池は、他の塗布液を用いて製造した太陽電池に比べ、高い光電変換効率を示す。
【0030】
【発明の効果】
本発明によると、取り扱いやすく、調整された粘度をもつ塗布液を使用することができ、優れた物性及び出力を示す太陽電池が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明塗布液を用いて得られる太陽電池の1例の断面図。
【符号の説明】
1 半導体電極
2 白金電極
3 電解質層
4 導電膜
5 透明基板
6 透明導電性基板
Claims (4)
- 金属酸化物半導体粉末100質量部に対し、分散媒としてアルキレングリコール、ポリアルキレングリコール又はそれらのアルキルエーテル30〜2000質量部を配合してなる半導体膜形成用塗布液。
- 金属酸化物半導体が、TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5の中から選ばれた少なくとも1種である請求項1記載の半導体膜形成用塗布液。
- 透明導電性基板上に請求項1記載の塗布液を塗布又は印刷したのち、焼成することからなる半導体膜の製造方法。
- 請求項3で得られる半導体膜を用いた太陽電池。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002316885A JP2004153030A (ja) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | 半導体膜形成用塗布液、それを用いた半導体膜の製造方法及びそれを用いて得られる太陽電池 |
AU2003275686A AU2003275686A1 (en) | 2002-10-30 | 2003-10-27 | Coating liquid for forming semiconductor film |
PCT/JP2003/013724 WO2004039546A1 (ja) | 2002-10-30 | 2003-10-27 | 半導体膜形成用塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002316885A JP2004153030A (ja) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | 半導体膜形成用塗布液、それを用いた半導体膜の製造方法及びそれを用いて得られる太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004153030A true JP2004153030A (ja) | 2004-05-27 |
Family
ID=32211700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002316885A Pending JP2004153030A (ja) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | 半導体膜形成用塗布液、それを用いた半導体膜の製造方法及びそれを用いて得られる太陽電池 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004153030A (ja) |
AU (1) | AU2003275686A1 (ja) |
WO (1) | WO2004039546A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007026994A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | スクリーン印刷用の酸化物光半導体ペースト、そのペーストを用いた酸化物光半導体多孔質薄膜電極及び光電変換素子、並びにスクリーン印刷用の酸化物光半導体ペーストの製造方法 |
WO2009019983A1 (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | 色素増感型太陽電池 |
JP2011008956A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光半導体多孔質膜形成用ペースト組成物、色素増感型太陽電池用光半導体多孔質膜及び色素増感型太陽電池 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2002-10-30 JP JP2002316885A patent/JP2004153030A/ja active Pending
-
2003
- 2003-10-27 WO PCT/JP2003/013724 patent/WO2004039546A1/ja active Application Filing
- 2003-10-27 AU AU2003275686A patent/AU2003275686A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2003275686A1 (en) | 2004-05-25 |
WO2004039546A1 (ja) | 2004-05-13 |
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