JP2004152299A5 - - Google Patents
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- 不揮発性メモリ内の予備ブロックを識別する方法であって、
該不揮発性メモリ内で欠陥があるとして識別された少なくとも1つの物理ブロックに試験を受けさせる工程であって、該試験は、欠陥がある物理ブロックが使用可能であるか否かを判定するように構成される、工程と、
欠陥があるとして識別された該物理ブロックが該試験に合格したか否かを判定する工程と、
欠陥があるとして識別された該物理ブロックが該試験に合格したという判定に応答して、欠陥があるとして識別された該物理ブロックを使用可能な物理ブロックとして識別する工程と
を包含する、方法。 - 欠陥があるとして識別された前記少なくとも1つの物理ブロックに前記試験を受けさせる工程は、欠陥があるとして識別された該少なくとも1つの物理ブロックに、欠陥があるとして識別された該物理ブロックにビットを書き込む書き込みプロセス、欠陥があるとして識別された該物理ブロックから該ビットを読み出す読み出しプロセス、および、欠陥があるとして識別された該物理ブロックから該ビットを消去する消去プロセスのうちの少なくとも1つを受けさせる工程を包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記物理ブロックを使用可能な物理ブロックとして識別する工程は、
欠陥があるとして識別された該物理ブロックを第1の予備ブロックとして識別する工程と、
該第1の予備ブロックを前記不揮発性メモリと関連する予備ブロックのプールに追加する工程であって、該第1の予備ブロックは、ビットを格納する際に用いるための該予備ブロックのプールから取得されるように構成される、工程と
を包含する、請求項1に記載の方法。 - 前記不揮発性メモリ内で少なくとも1つのさらなる予備ブロックが必要とされるか否かを判定する工程と、
該少なくとも1つのさらなる予備ブロックが必要とされるという判定に応答して、欠陥があるとして識別された前記物理ブロックを識別する工程と
をさらに包含する、請求項1に記載の方法。 - 欠陥があるとして識別された前記物理ブロックを識別する工程は、
前記不揮発性メモリと関連するデータ構造を走査する工程であって、該データ構造は、欠陥があるとして識別された該物理ブロックに欠陥があることを示すように構成されたビットを含むように構成される、工程を包含する、請求項4に記載の方法。 - 前記データ構造は、欠陥があるとして識別された前記物理ブロックが工場欠陥を有する場合を識別するためのビットの第1のセット、および、欠陥があるとして識別された該物理ブロックが成長欠陥を有する場合を識別するためのビットの第2のセットの1つを含むようにさらに構成される、請求項5に記載の方法。
- 前記データ構造は、消去カウントブロックである、請求項4に記載の方法。
- 欠陥があるとして識別された前記物理ブロックは、成長欠陥を含む、請求項1に記載の方法。
- 不揮発性メモリ内の使用不能物理格納素子を管理する方法であって、
第1の物理格納素子が欠陥があるとして識別されるか否かを判定する工程と、
該第1の物理格納素子に欠陥があるという判定に応答して、使用可能な物理格納素子のプールから該第1の物理格納素子を除去する工程と、
該不揮発性メモリにおけるデータ構造に第1の署名を格納する工程であって、該第1の署名は、該第1の物理格納素子に欠陥があるとして識別するように構成される、工程と
を包含する、方法。 - 前記第1の物理格納素子に欠陥があるか否かを判定する工程は、該第1の物理格納素子が首尾よく読み出されない可能性があるか否かを判定する工程、該第1の物理格納素子が首尾よく書き込まれない可能性があるか否かを判定する工程、および、該第1の物理格納素子が首尾よく消去されない可能性があるか否かを判定する工程のうちの少なくとも1つを包含する、請求項9に記載の方法。
- 前記第1の物理格納素子に欠陥があるという判定に応答して、該第1の物理格納素子は成長欠陥を含み、前記第1の署名は、該第1の物理格納素子が該成長欠陥を有するとして識別するように構成される、請求項10に記載の方法。
- 前記第1の物理格納素子に欠陥があるか否かを判定する工程は、該第1の物理格納に欠陥があることを示すように前記ビットが構成されるか否かを判定するために、該第1の物理格納素子に含まれるビットを読み出す工程を包含する、請求項9に記載の方法。
- 前記第1の物理格納素子に欠陥があるという判定に応答して、該第1の物理格納素子は工場欠陥を含み、前記第1の署名は、該第1の物理格納素子が該工場欠陥を有するとして識別するように構成される、請求項12に記載の方法。
- 前記データ構造は、前記使用可能格納素子に関連するビットを含むようにさらに構成される、請求項9に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリ内の実質的にすべての物理素子を走査して、前記第1の物理素子を識別する工程をさらに包含する、請求項9に記載の方法。
- 前記第1の物理素子は、第1の物理ブロックであり、前記使用可能物理素子は使用可能物理ブロックである、請求項9に記載の方法。
- 不揮発性メモリと、
該不揮発性メモリと関連する少なくとも1つの欠陥がある物理ブロックに試験を受けさせる手段であって、該試験は、欠陥がある物理ブロックが使用可能であるか否かを判定するように構成される、手段と、
該欠陥がある物理ブロックが該試験に合格したか否かを判定する手段と、
該欠陥がある物理ブロックが該試験に合格したという判定に応答して、該欠陥がある物理ブロックを使用可能な物理ブロックとして識別する手段と
を備える、不揮発性メモリシステム。 - 前記欠陥がある物理ブロックは、成長欠陥を含む、請求項17に記載の不揮発性メモリシステム。
- 不揮発性メモリと、
第1の物理格納素子に欠陥があるか否かを判定する手段と、
該第1の物理格納素子に欠陥があるという判定に応答して、使用可能な物理格納素子のプールから該第1の物理格納素子を除去する手段と、
該不揮発性メモリ内のデータ構造に第1の署名を格納する手段であって、該第1の署名は、該第1の物理格納素子を欠陥があるとして識別するように構成される、手段と、
を備える、不揮発性メモリシステム。 - 前記第1の物理格納素子に欠陥があるか否かを判定する前記手段は、該第1の物理格納素子が首尾よく読み出されない可能性があるか否かを判定する手段、該第1の物理格納素子が首尾よく書き込まれない可能性があるか否かを判定する手段、および、該第1の物理格納素子が首尾よく消去されない可能性があるか否かを判定する手段のうちの少なくとも1つを備える、請求項19に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記第1の物理格納素子に欠陥があるという判定に応答して、該第1の物理格納素子は成長欠陥を含み、前記第1の署名は、該第1の物理格納素子を該成長欠陥を有するとして識別するように構成される、請求項20に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記第1の物理格納素子に欠陥があるか否かを判定する手段は、該第1の物理格納素子内に含まれるビットを読み出す手段を含み、該第1の物理格納に欠陥があることを示すように該ビットが構成されるか否かを判定する、請求項19に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記第1の物理格納素子に欠陥があるという判定に応答して、該第1の物理格納素子は工場欠陥を含み、前記第1の署名は、該第1の物理格納素子を該工場欠陥を有するとして識別するように構成される、請求項22に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記第1の物理素子は、第1の物理ブロックであり、前記使用可能な物理素子は、使用可能な物理ブロックである、請求項19に記載の不揮発性メモリシステム。
- 不揮発性メモリシステム内のブロックを管理する方法であって、
該不揮発性メモリシステムの不揮発性メモリ内の第1の物理ブロックが工場欠陥を有するか否かを判定する工程と、
該第1の物理ブロックが該工場欠陥を有するという判定に応答して、該第1の物理ブロックを該工場欠陥を有するとして識別する第1の署名を該不揮発性メモリと関連するデータ構造に格納する工程と、
該第1の物理ブロックが該工場欠陥を有するという判定に応答して、該第1の物理ブロックが情報を格納するために用いられることを防止する工程と、
該不揮発性メモリ内の第2の物理ブロックが成長欠陥を有するか否かを判定する工程と、
該第2の物理ブロックが該成長欠陥を有するという判定に応答して、該第2の物理ブロックを該成長欠陥を有するとして識別する第2の署名を該データ構造に格納する工程と、
該第1の物理ブロックが該成長欠陥を有するという判定に応答して、該第2の物理ブロックが情報を格納するために用いられることを防止する工程と
を包含する、方法。 - 前記不揮発性メモリ内で予備ブロックが必要とされるか否かを判定する工程と、
該第2の物理ブロックを試験して、該第2の物理ブロックが使用可能であるか否かを判定する工程と、
該第2の物理ブロックが使用可能であるという判定に応答して、該第2の物理ブロックを該予備ブロックとして指定する工程と
をさらに包含する、請求項25に記載の方法。 - 前記第2の署名を配置することによって前記第2の物理ブロックを識別するために、前記データ構造を走査する工程をさらに包含する、請求項26に記載の方法。
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