CN106057246A - 一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，该方法包括：在对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作过程中，确定所述存储单元是否为坏点单元；如果所述存储单元为坏点单元，则确定所述非易失性存储器中是否存在可替换单元；如果存在所述可替换单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。利用该方法，与现有的替换方法相比，能够在非易失性存储器的实际使用过程中动态的替换非易失性存储器中的坏点单元，由此使得替换后的可替换单元能够代替坏点单元正常进行数据存储，进而延长非易失性存储器的使用寿命。

Description

一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法

技术领域

本发明实施例涉及存储设备技术领域，尤其涉及一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法。

背景技术

非易失性存储器(Non-volatile Memory)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。目前，生产商制造出的非易失性存储器以芯片形式广泛应用于嵌入式产品中，如数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

对于非易失性存储器而言，主要基于其中的存储单元阵列实现数据的存储。一般地，非易失性存储器的存储单元阵列包括存储区域和空闲区域，存储区域由若干个用于数据存储的存储单元组成；空闲区域由若干个冗余单元组成，其空闲区域通常作为存储单元的检测和纠错机制。为了提高非易失性存储器产品的优良率，在非易失性存储器出厂之前通常进行产品测试，如果测试出非易失性存储器中存在坏点单元，则会利用现有的替换方法对非易失性存储器中的坏点单元进行替换。其中，坏点单元具体指不能正常进行读、写(编程)、擦操作的存储单元。

目前，现有的替换方法仅能在对非易失性存储器产品进行测试时使用，而在实际应用中，随着用户对非易失性存储器的不断使用，所产生的坏点单元越来越多，由于所产生的坏点单元不能继续使用，导致非易失性存储器的使用寿命大大降低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，以延长非易失性存储器的使用寿命。

本发明实施例提供了一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，包括：

在对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作过程中，确定所述存储单元是否为坏点单元；

如果所述存储单元为坏点单元，则确定所述非易失性存储器中是否存在可替换单元；

如果存在所述可替换单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。

进一步的，所述确定所述存储单元是否为坏点单元，具体包括：

判断所述存储单元的存储状态是否达到指定状态；

如果所述存储状态没有达到所述指定状态，则确定对所述存储单元进行擦写操作的操作次数是否达到设定上限值；

如果所述操作次数达到所述设定上限值，则确定所述存储单元为坏点单元。

进一步的，所述确定所述非易失性存储器中是否存在可替换单元，具体包括：

检测所述非易失性存储器的空闲区域中冗余单元的使能标记位；

确定是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，若存在，则确定所述非易失性存储器中存在可替换单元；若不存在，则确定所述非易失性存储器不存在可替换单元。

进一步的，将所述坏点单元替换为所述可替换单元，具体包括：

在所述空闲区域中确定一个使能标记位为0的冗余单元，并获取所述冗余单元的位置信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息；

根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元建立映射关系；

根据所述映射关系将所述坏点单元替换为所述冗余单元，并将所述冗余单元的使能标记位设置为1。

进一步的，所述形成替换信息，具体包括：

基于所述冗余单元与所述坏点单元建立的映射关系形成替换信息。

进一步的，在所述形成替换信息后，还包括：将所述非易失性存储器中所述坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

进一步的，所述对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作，包括：

对所述非易失性存储器中存储单元进行编程操作；或者，

对所述非易失性存储器中存储单元进行擦除操作。

本发明实施例提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，首先确定进行擦写操作后的存储单元是否是坏点单元，然后判断是否存在可替换单元，如果存在可替换单元，则将坏点单元替换为可替换单元，并形成替换信息。利用该替换方法，与现有的替换方法相比，能够在非易失性存储器的实际使用过程中动态的替换非易失性存储器中的坏点单元，由此使得替换后的可替换单元能够代替坏点单元正常进行数据存储，进而延长了非易失性存储器的使用寿命。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图；

图2是本发明实施例二提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图；

图3是本发明实施例三提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图；

图4是本发明实施例四提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的优选实施例。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明实施例作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明实施例，而非对本发明实施例的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明实施例相关的部分而非全部内容。

需要说明的是，本发明实施例提供的非易失性存储器中坏点单元的替换方法主要由非易失性存储器的控制器执行，一般地，可以在制造所述非易失性存储器时，将所述替换方法烧录至所述非易失性存储器的控制器中。

实施例一

图1是本发明实施例一提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图，该替换方法是对现有替换方法的一种改进。如图1所示，本发明实施例一提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体包括如下操作：

S101、在对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作过程中，确定所述存储单元是否为坏点单元。

在本实施例中，所述非易失性存储器具体可用于存储大量的数据，一般地，往往需要对非易失性存储器中的存储单元进行擦写操作，由此通过对存储单元的擦写操作来实现数据的存储。

一般地，对所述存储单元进行擦写操作后，所述存储单元的存储状态往往会发生改变。在本实施例中，所述存储单元的存储状态包括擦除状态和编程状态，所述擦除状态具体可理解为对所述存储单元进行擦写操作后，存储单元所具有的阈值电压低于设定读电压的状态，此时，存储单元的状态值显示为1；所述编程状态具体可理解为对所述存储单元进行擦写操作后，存储单元所具有的阈值电压高于设定读电压的状态，此时，存储单元的状态值显示为0，其中，所述设定读电压具体可理解为用户进行读操作时对所述非易失性存储器施加的电压。

在本实施例中，对所述存储单元进行擦写操作具体可理解为基于施加的电压向所述存储单元进行数据存储的操作，其中，所述擦写操作一般包括擦除操作或者编程操作。

在本实施例中，所述坏点单元具体可理解为对非易失性存储器进行擦写操作后，不能正常进行数据存储工作的存储单元。在本实施例中，可以通过所述存储单元进行擦写操作的操作次数以及擦写操作后的存储状态改变与否，来判定所述存储单元是否为坏点单元。

S102、如果所述存储单元为坏点单元，则确定所述非易失性存储器中是否存在可替换单元。

在本实施例中，基于本发明实施例提供的替换方法，如果确定出所述存储单元为坏点单元，还需要进一步确定所述非易失性存储器中是否存在可替换的替换单元。

在本实施例中，所述可替换单元具体可理解为能够代替坏点单元继续进行数据存储工作的存储单元。一般地，由于非易失性存储器中的空闲区域主要用于作为检测和纠错机制，因此，通常用非易失性存储器空闲区域中具有的冗余单元来作为可替换单元。在本实施例中，可以通过判断所述空闲区域中是否还存在未使用的冗余单元来确定是否存在可替换单元。

S103、如果存在所述可替换单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。

在本实施例中，基于步骤S101和步骤S102确定出坏点单元以及存在可替换单元后，就可基于步骤S103将坏点单元替换成可替换单元，并形成替换信息，在本实施例中，可以通过建立所述坏点单元与所述可替换单元之间的映射关系来实现所述坏点单元到所述可替换单元的替换。此外，所形成的替换信息可以保证非易失性存储器在下次进行擦写操作时能够基于替换信息确定替换后的可替换单元并直接对所述可替换单元进行擦写操作，一般地，步骤S103所形成的替换信息暂时记录于非易失性存储器的寄存器中。

本发明实施例一提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，利用该替换方法，不仅能在对非易失性存储器产品进行测试时替换坏点单元，还能够在实际使用过程中动态的替换非易失性存储器中的坏点单元，由此使得替换后的可替换单元能够代替坏点单元正常进行数据存储，进而延长了非易失性存储器的使用寿命。

实施例二

图2是本发明实施例二提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图，本发明实施例二以上述实施例为基础进行优化，在本实施例中，将“确定所述存储单元是否为坏点单元”进一步优化为：判断所述存储单元的存储状态是否达到指定状态；如果所述存储状态没有达到所述指定状态，则确定对所述存储单元进行擦写操作的操作次数是否达到设定上限值；如果所述操作次数达到所述设定上限值，则确定所述存储单元为坏点单元。

此外，本发明实施例二还优化增加了：在对所述非易失性存储器进行断电操作前，将所述非易失性存储器中各坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

如图2所示，本发明实施例二提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体包括如下操作：

S201、对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作。

在本实施例中，需要通过对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作，由此确定非易失性存储器中是否存在坏点单元。因此，步骤S201给出了对存储单元进行擦写操作的实现步骤。

进一步的，所述对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作，包括：对所述非易失性存储器中存储单元进行编程操作；或者，对所述非易失性存储器中存储单元进行擦除操作。

在本实施例中，所述对非易失性存储器中的存储单元进行擦写操作，可以达到向所述存储单元进行数据存储的目的。具体的，所进行的擦写操作可以是编程操作或者擦除操作，其中，所述编程操作通常以非易失存储器中的存储页为单位进行，所述编程操作具体可理解为通过施加指定的电压使所述存储页中指定存储单元的存储状态发生改变，最终处于编程状态，即，使指定存储单元的状态值由0变为1的操作。所述擦除操作通常以非易失存储器中的存储块为单位进行，所述擦除操作具体可理解为通过施加指定的电压使所述存储块中各存储单元的存储状态发生改变，最终处于擦除状态，即，使各存储单元的状态值由0变为1的操作。

S202、判断所述存储单元的存储状态是否达到指定状态。

在本实施例中，由于存储单元的存储状态是一个逐步改变的过程，在此过程中，需要对所述存储单元进行多次擦写操作来达到存储状态改变的目的，其中，在每次擦写操作后，会对所述存储单元的存储状态进行相应的检测验证，以确定是否达到擦写操作的结束条件。

在本实施例中，基于S201对所述存储单元进行一次擦写操作后，会通过步骤S202来判断所述存储单元的存储状态是否达到指定状态。所述指定状态具体可指所述存储单元需要达到的状态，示例性的，进行擦除操作时，所述指定状态为擦除状态，进行编程操作时，所述指定状态为编程状态。

S203、如果所述存储状态没有达到所述指定状态，则确定对所述存储单元进行擦写操作的操作次数是否达到设定上限值。

在本实施例中，基于S202的判定结果，如果所述存储状态没有达到所述指定状态，则需要基于S203进一步确定所述操作次数是否达到设定上限值。

在本实施例中，所述操作次数具体可理解为对存储单元进行擦写操作的次数，一般地，所述操作次数可通过一个计数器来累加统计。所述设定上限值具体可理解为接收到对非易失性存储器进行操作的操作指令后，对存储单元进行擦写操作时所允许的最大操作次数，所述设定上限值可以人为设定，也可以默认设定。

需要说明的是，如果对所述存储单元进行擦写操作后所述存储状态没有达到执行状态，且操作次数也没有达到所述设定上限值，则需要累加操作次数并返回S201重新执行擦写操作，直至达到指定状态或达到设定上限值。该操作步骤未在图2中示出，但不表明该操作步骤可以省略。

S204、如果所述操作次数达到所述设定上限值，则确定所述存储单元为坏点单元。

在本实施例中，当对所述存储单元进行擦写操作后所述存储状态没有达到执行状态，且操作次数达到所述设定上限值时，可认为所述存储单元不能正常的进行擦写操作，则可认为所述存储单元为坏点单元。

S205、如果所述存储单元为坏点单元，则确定所述非易失性存储器中是否存在可替换单元。

S206、如果存在所述可替换单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。

示例性的，本发明实施例二的步骤S205和步骤S206分别相当于实施例一中的步骤S102和步骤S103，这里不再详述。

S207、将所述非易失性存储器中所述坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

在本实施例中，在形成替换信息后，因为所形成的替换信息暂时存放于非易失性存储器的寄存器中，而存放于所述寄存器中的信息一般会随着所述非易失性存储器的断电而消除。为了保证所形成的坏点单元的替换信息在后续对非易失性存储的使用过程中继续有效，就需要在非易失性存储器断电前对所形成坏点单元的替换信息进行永久存储，即，将坏点单元的替换信息通过编程操作写入所述非易失性存储器的指定区域中。

本发明实施例二提供的一种非易失性存储中坏点单元的替换方法，具体化了坏点单元的判定操作，使得对坏点单元的判定能够在使用非易失性存储器的过程中进行，利用该替换方法，使得非易失性存储器能够在使用过程中动态的替换坏点单元，进而保证替换后的可替换单元能够代替坏点单元正常工作，由此延长了非易失性存储器的使用寿命。

实施例三

图3是本发明实施例三提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图。本发明实施例三以上述实施例为基础进行优化，在本实施例中，将“确定所述非易失性存储器中是否存在可替换单元”具体优化为：检测所述非易失性存储器的空闲区域中冗余单元的使能标记位；确定是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，若存在，则确定所述非易失性存储器中存在可替换单元；若不存在，则确定所述非易失性存储器不存在可替换单元。

在上述优化的基础上，还将“将所述坏点单元替换为所述可替换单元”具体优化为：在所述空闲区域中确定一个使能标记位为0的冗余单元，并获取所述冗余单元的位置信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息；根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元建立映射关系；根据所述映射关系将所述坏点单元替换为所述冗余单元，并将所述冗余单元的使能标记位设置为1。

此外，还将所述形成替换信息具体优化为：基于所述冗余单元与所述坏点单元建立的映射关系形成替换信息。

如图3所示，本发明实施例三提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体包括如下操作：

S301、在对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作过程中，确定所述存储单元是否为坏点单元。

示例性的，上述实施例二具体化了坏点单元的判定操作，这里不再赘述。

在本实施例中，在确定非易失性存储器中存在坏点单元后，需要进一步确定非易失性存储器中是否存在可替换的替换单元，具体的，步骤S302至步骤S303给出了可替换单元的确定步骤。

S302、如果所述存储单元为坏点单元，则检测所述非易失性存储器的空闲区域中冗余单元的使能标记位。

在本实施例中，通常考虑将非易失性存储器中空闲区域的冗余单元作为可替换单元。由此基于步骤S302检测所述空闲区域中冗余单元的使能标记位。在本实施例中，所述使能标记位具体用于标记冗余单元的使用状态，同冗余单元一起设置于所述空闲区域中。一般地，一个冗余单元对应一个使能标记位，且所述使能标记位的值初始化为0，以此表示所对应的冗余单元还没有被使用。如果所述冗余单元未被使用，则表明所述冗余单元可以作为可替换单元。

S303、确定是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，若存在，则确定所述非易失性存储器中存在可替换单元；若不存在，则确定所述非易失性存储器不存在可替换单元。

在本实施例中，可以通过检测空闲区域中是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，来确定是否存在可替换单元。具体的，如果存在使能标记位为0的冗余单元，则可认为非易失性存储器中存在可替换单元。

S304、如果存在所述可替换单元，则执行步骤S305～步骤S308。

在本实施例中，如果存在所述可替换单元，则可基于所述可替换单元替换所述坏点单元，步骤S305～步骤S308给出了具体操作。

S305、在所述空闲区域中确定一个使能标记位为0的冗余单元，并获取所述冗余单元的位置信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息。

在本实施例中，如果存在可替换单元，则可选取空闲区域中任一个使能标记位为0的冗余单元作为可替换单元。一般地，可以在空闲区域中顺序选取符合条件的冗余单元，示例性的，假设空闲区域中存在16个冗余单元，且前4个冗余单元的使能标记位为非0，而其余冗余单元的使能标记位为0，则可以顺序选取第5个冗余单元作为可替换单元。

在本实施例中，选取一个冗余单元后，可以获取所述冗余单元的位置信息，所述位置信息可理解为表示冗余单元在非易失性存储器中具体位置的信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息，所述地址信息具体可以通过冗余单元对应的位线信息获取，所述比特信息具体可以通过冗余单元对应的字线信息获取，其中，所述位线信息和字线信息分别来自于非易失性存储器的位线单元和字线单元。

S306、根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元建立映射关系。

在本实施例中，为了实现冗余单元对所述坏点单元的替换，通常将所述冗余单元与所述坏点单元建立映射关系，具体的，可以根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元位置信息建立映射关系，其中，所述坏点单元的位置信息具体包括所述坏点单元的地址信息和比特信息，所述地址信息记录了所述坏点单元在非易失性存储器中的具体位置，所述比特信息记录了所述坏点单元中出现坏点的具体比特位。

在本实施例中，所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元位置信息所建立映射关系的形式有多种，示例性的，可以将所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元的位置信息组成二元信息组记录在非易失性存储器的寄存器中，以基于非易失性存储器下次工作时能够基于二元组信息确定替代坏点单元的冗余单元；也可以直接将所述坏点单元的位置信息记录至所述冗余单元所对应的寄存器里，以使非易失性存储器下次工作时能够基于所记录的坏点单元位置信息直接确定替代坏点单元的冗余单元。

S307、根据所述映射关系将所述坏点单元替换为所述冗余单元，并将所述冗余单元的使能标记位设置为1。

在本实施例中，在所述冗余单元替换所述坏点单元后，表明所述冗余单元已经被使用，此时需要更改所述冗余单元所对应使能标记位的值，以表示所述冗余单元被使用，具体的，将所述冗余单元的使能标记位设置为1。

S308、基于所述冗余单元与所述坏点单元建立的映射关系形成替换信息。

在本实施例中，在所述冗余单元替换所述坏点单元后，还会形成对应的替换信息，所述替换信息具体可理解为记录于非易失性存储器的寄存器中的映射信息，所述映射信息主要基于所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元的位置信息所建立的映射关系形成。

S309、将所述非易失性存储器中坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

示例性的，为了保证所形成坏点单元的替换信息在后续擦写操作中能够继续使用，需要在形成替换信息后对所形成坏点单元的替换信息进行永久存储，即，将坏点单元的替换信息通过编程操作写入所述非易失性存储器的指定区域中。

本发明实施例三提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体化了确定是否存在可替换单元的操作，此外，还具体化了基于可替换单元替换的坏点单元的操作。上述操作均能够在使用非易失性存储器的过程中进行，利用该替换方法，使得非易失性存储器能够在使用过程中动态的替换坏点单元，进而保证替换后的可替换单元能够代替坏点单元正常工作，由此延长了非易失性存储器的使用寿命。

实施例四

图4是本发明实施例四提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的优选实施例。需要说明的是，本发明实施例四提供的优选实施例在上述实施例的基础上进行，并将应用场景优选为对非易失性存储器的存储块进行擦除操作。

如图4所示，非易失性存储器中坏点单元的替换方法的优选实施例，具体描述为：

S401、确定非易失性存储器中的待擦除块。

S402、对所述待擦除块中部分的存储单元进行预编程操作。

在本实施例中，对所述存储块进行擦除操作时，整个擦除操作分为两部分：先是对部分存储单元进行预编程操作，然后对所有存储单元进行擦除操作。所述预编程操作具体可理解为将存储块中未处于编程状态的部分存储单元通过预编程操作而处于编程状态，以使存储块中的存储单元均处于编程状态，后续能够对存储块中的所有存储单元进行擦除操作。

S403、如果所述存储单元在预编程次数达到设定编程上限值后仍没有达到编程状态，则确定所述存储单元为坏点单元。

S404、判定所述非易失性存储器中是否存在未使用冗余单元，若存在，则执行步骤S405；若不存在，则执行步骤S411。

示例性的，如果存在坏点单元，又没有未使用的冗余单元，则可直接执行S411结束对待擦除块的擦除操作。

S405、确定任一未使用的冗余单元，并将所述坏点单元替换为所述冗余单元。

S406、在完成对所述待擦除块中指定存储单元的预编程操作后，对所述待擦除块中的存储单元进行擦除操作。

S407、如果所述存储单元在擦除次数达到设定擦除上限值后仍没有达到编程状态，则确定所述存储单元为坏点单元。

S408、判定所述非易失性存储器中是否存在未使用冗余单元，若存在，则执行步骤S409；若不存在，则执行步骤S411。

示例性的，在所述擦除操作阶段再次进行坏点单元的判定以及替换操作

S409、确定任一未使用的冗余单元，并将所述坏点单元替换为所述冗余单元。

S410、在完成所述待擦除块中所有存储单元的擦除操作后，对所述待擦除块中各坏点单元的替换信息进行编程操作。

示例性的，将所述各坏点单元的替换信息永久的保存于所述非易失性存储器中。

S411、结束所述待擦除块的擦除操作。

注意，上述仅为本发明实施例的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明实施例不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明实施例的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明实施例进行了较为详细的说明，但是本发明实施例不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明实施例构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明实施例的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (7)

1.一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，其特征在于，包括：

在对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作过程中，确定所述存储单元是否为坏点单元；

如果所述存储单元为坏点单元，则确定所述非易失性存储器中是否存在可替换单元；

如果存在所述可替换单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述存储单元是否为坏点单元，具体包括：

判断所述存储单元的存储状态是否达到指定状态；

如果所述存储状态没有达到所述指定状态，则确定对所述存储单元进行擦写操作的操作次数是否达到设定上限值；

如果所述操作次数达到所述设定上限值，则确定所述存储单元为坏点单元。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述非易失性存储器中是否存在可替换单元，具体包括：

检测所述非易失性存储器的空闲区域中冗余单元的使能标记位；

确定是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，若存在，则确定所述非易失性存储器中存在可替换单元；若不存在，则确定所述非易失性存储器不存在可替换单元。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述坏点单元替换为所述可替换单元，具体包括：

在所述空闲区域中确定一个使能标记位为0的冗余单元，并获取所述冗余单元的位置信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息；

根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元建立映射关系；

根据所述映射关系将所述坏点单元替换为所述冗余单元，并将所述冗余单元的使能标记位设置为1。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成替换信息，具体包括：

基于所述冗余单元与所述坏点单元建立的映射关系形成替换信息。

6.根据权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，在所述形成替换信息后，还包括：

将所述非易失性存储器中所述坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

7.根据权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述对非易失性存储器中存储单元进行擦写操作，包括：

对所述非易失性存储器中存储单元进行编程操作；或者，

对所述非易失性存储器中存储单元进行擦除操作。