CN106098103B - 一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种非易失性存储器的坏点单元的替换方法，该替换方法包括：在检测到完成待擦除块的擦除操作后，确定非易失存储器中其他未进行擦除操作的存储块；如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测；如果所述存储块中存在坏点单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。利用该替换方法，能够在对待擦除块进行擦除操作后检测非易失性存储器其他存储块中是否存在坏点单元，并在检测出坏点单元后进行坏点单元替换，由此避免坏点单元对非易失性存储器工作性能的影响，提高产品性能的同时还延长了非易失性存储器的使用寿命。

Description

一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法

技术领域

本发明实施例涉及存储设备技术领域，尤其涉及一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法。

背景技术

非易失性存储器(Non-volatile Memory)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。广泛应用于嵌入式产品中，如数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。一般地，一个非易失性存储器由若干个存储块(block)叠加组成，每个块中由若干个存储页(page)叠加组成，每个页由多个存储单元行列排布组成，同时，每个页中还存在由多个冗余单元组成的空闲区域，通常作为对存储单元的检测和纠错机制，其中，一个存储单元可看作为一个金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。图1是一种常见的MOSFET结构图，包括栅极10、源极11、漏极12、P型硅半导体衬底13、P-阱14以及隧穿氧化层15。

对于非易失性存储器而言，通常以存储块为单位对非易失性存储器进行擦除操作，以存储页为单位进行编程操作。具体的，进行擦除操作时，在存储单元的P-阱14端施加高压和在栅极10端施加低压，由此使得栅极10端的阈值电压低于设定读电压，此时存储单元的状态值为1，处于擦除状态，称为擦除单元；进行编程操作时，在存储单元的栅极10端施加高压并在漏级12端施加低压，由此使得栅极10端的阈值电压高于设定读电压，此时存储单元的状态值为0处于编程状态，称为编程单元。

在非易失性存储器产品实际使用过程中，由于工艺均匀性或其他缺陷的存在，会导致非易失性存储器中少量的存储单元受到相邻存储单元的编程或擦除影响，从而使这些存储单元的阈值电压发生漂移。称阈值电压产生漂移的存储单元为坏点单元，则对这些坏点单元进行读操作时，会出现数据读取错误的情况，由此影响非易失性存储器的产品性能；此外，所产生的坏点单元还会降低非易失性存储器的使用寿命。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，以提高非易失性存储器的产品性能，并延长非易失性存储器的使用寿命。

本发明实施例提供了一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，包括：

在检测到完成待擦除块的擦除操作后，确定非易失存储器中其他未进行擦除操作的存储块；

如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测；

如果所述存储块中存在坏点单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。

进一步的，所述对所述存储块中的存储单元进行坏点检测，具体包括：

基于设定的第一读电压对所述存储块中的存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述的存储单元的存储状态；

如果所述存储单元的存储状态为擦除状态，则对所述存储单元进行第一坏点检测操作；

如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则对所述存储单元进行第二坏点检测操作。

进一步的，对所述存储单元进行第一坏点检测操作，包括：

基于设定的第二读电压对所述存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述存储单元的存储状态，其中，所述第二读电压小于所述第一读电压；

如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则确定所述存储单元发生阈值电压漂移，记所述存储单元为坏点单元且记所述坏点单元的存储状态为编程状态。

进一步的，对所述存储单元进行第二坏点检测，包括：

基于设定的第三读电压对所述存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述存储单元的存储状态，其中，所述第三读电压大于所述第二读电压；

如果所述存储单元的存储状态为擦除状态，则确定所述存储单元发生阈值电压漂移，记所述存储单元为坏点单元且记所述坏点单元的存储状态为擦除状态。

如果所述坏点单元的当前状态为擦除状态，则在将所述坏点单元替换为所述可替换单元之后，还包括：

对所述可替换单元进行编程操作，以使所述可替换单元的存储状态为编程状态。

进一步的，在所述如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测之前，还包括：

检测所述非易失性存储器的空闲区域中冗余单元的使能标记位；

确定是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，若存在，则确定所述非易失性存储器中存在可替换单元；若不存在，则确定所述非易失性存储器不存在可替换单元。

进一步的，所述将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息，具体包括：

确定所述空闲区域中一个使能标记位为0的冗余单元，并获取所述冗余单元的位置信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息；

根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元建立映射关系；

根据所述映射关系将所述坏点单元替换为所述冗余单元，并形成替换信息；

将所述冗余单元的使能标记位设置为1；

其中，所述替换信息包括：所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元的位置信息的映射信息。

进一步的，在所述形成替换信息之后，还包括：将所述存储块中坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

本发明实施例提供的一种非易失性存储器的坏点单元的替换方法，首先在完成待擦除块的擦除操作后，确定其他未进行擦除操作的存储块；然后确定存在可替换单元后对存储块中的存储单元进行坏点检测；最终将检测出的坏点单元替换为可替换单元，并形成替换信息。利用该替换方法，能够在对待擦除块进行擦除操作后检测非易失性存储器的其他存储块中是否存在坏点单元，并在检测出坏点单元后进行坏点单元替换，由此避免坏点单元对非易失性存储器工作性能的影响，提高产品性能的同时还延长了非易失性存储器的使用寿命。

附图说明

图1为非易失性存储器中作为存储单元的一种金属氧化物半导体场效晶体管的结构图；

图2为本发明实施例一提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图；

图3a是本发明实施例二提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图；

图3b是本发明实施例二基于非易失性存储器中坏点单元的替换方法进行坏点单元检测后的效果图；

图4是本发明实施例三提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明实施例作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明实施例，而非对本发明实施例的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明实施例相关的部分而非全部内容。

需要说明的是，本发明实施例提供的非易失性存储器中坏点单元的替换方法主要由非易失性存储器的控制器执行，一般地，可以在制造所述非易失性存储器时，将所述替换方法烧录至所述非易失性存储器的控制器中。

实施例一

图2为本发明实施例一提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图，如图2所示，本发明实施例一提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体包括如下操作：

需要说明的是，由于编程操作以存储页为单位进行，且在完成当前编程页的编程操作之后，会对下一待编程页进行编程操作，而相邻两次编程操作之间所设定的时间间隔很短。如果在每次编程操作之后都对其他未进行编程操作的存储页进行坏点单元的检测及替换操作，然后再开始对下一待编程页进行编程操作，就会增加相邻两次编程操作之间时间间隔。尤其在待编程的编程页较多时，如果期间还要对其他存储页进行坏点单元检测及替换操作，则会大大增加非易失性存储器的工作消耗时间，这样反而降低非易失性存储器的工作性能。对于擦除操作而言，因为擦除操作以存储块为单位进行，且所设定的相邻两次擦除操作之间的时间间隔较长，在完成当前擦除操作后还会剩余一些时间才达到设定的时间间隔，所以在进行下一次擦除操作前，还可以对非易失存储器的存储单元进行一些其他操作，且不会影响非易失存储器的整体工作时间，因此，本发明实施例提供的替换方法主要在对待擦除块进行擦除操作之后实施。

S101、在检测到完成待擦除块的擦除操作后，确定非易失存储器中其他未进行擦除操作的存储块。

在本实施例中，非易失性存储器的存储区域由至少两个存储块的叠加组成。一般地，阈值电压的漂移发生在对所选的存储块进行擦除操作或者对相邻存储页进行编程操作之后，所以在对待擦除块或者待编程页进行擦除或者编程操作后，需要对其余未进行擦除或编程操作的存储单元进行阈值电压漂移的检测。

在本实施例中，为了不影响非易失性存储器的工作时间，选择在完成待擦除块的擦除操作后实施本发明实施例所提供的替换方法。需要说明的是，基于擦除指令的不同，所设定的两次擦除操作间的时间间隔也不同，存在间隔长短。本发明的替换方法可以基于对应的时间间隔选择适当数量或适当大小未进行擦除操作的存储块，对这些存储块进行坏点单元的检测及替换操作。示例性的，当擦除指令对应的时间间隔较短时，可以仅对与待擦除块上下相邻的存储块进行坏点单元的检测及替换操作；又如，当擦除指令对应的时间间隔较长时，可以对非易失性存储块中未进行非擦除操作的多个存储块都进行坏点单元的检测及替换操作。

S102、如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测。

在本实施例中，对所述存储块中存储单元进行坏点检测的条件是非易失性存储单元中存在可替换单元，如果不存在所述可替换单元，就没有进行继续进行坏点单元检测及替换的必要，此时可以直接结束本发明实施例所提供的坏点单元的替换方法。

在本实施例中，所述可替换单元具体可理解为能够代替坏点单元继续进行数据存储工作的存储单元。一般地，由于非易失性存储器中的空闲区域主要用于作为检测和纠错机制，因此，通常用非易失性存储器空闲区域中具有的冗余单元来作为可替换单元。在本实施例中，可以通过判断所述空闲区域中是否还存在未使用的冗余单元来确定是否存在可替换单元。

S103、如果所述存储块中存在坏点单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。

在本实施例中，基于步骤S101和步骤S102确定出存在可替换单元以及坏点单元之后，就可基于步骤S103将坏点单元替换成可替换单元，并形成替换信息。

在本实施例中，可以通过建立所述坏点单元与所述可替换单元之间的映射关系来实现所述坏点单元到所述可替换单元的替换。此外，所形成的替换信息可以保证非易失性存储器在下次工作时能够基于替换信息确定替换后的可替换单元并直接对所述可替换单元进行操作，一般地，步骤S103所形成的替换信息暂时记录于非易失性存储器的寄存器中。

本发明实施例一提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，利用该替换方法，利用该替换方法，能够在对待擦除块进行擦除操作后检测非易失性存储器其他存储块中是否存在坏点单元，并在检测出坏点单元后进行坏点单元替换，由此避免坏点单元对非易失性存储器工作性能的影响，提高产品性能的同时还延长了非易失性存储器的使用寿命。

实施例二

图3a是本发明实施例二提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图。本发明实施例二以上述实施例为基础进行优化，在本实施例中，将“对所述存储块中的存储单元进行坏点检测”具体优化为：基于设定的第一读电压对所述存储块中的存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述的存储单元的存储状态；如果所述存储单元的存储状态为擦除状态，则对所述存储单元进行第一坏点检测操作；如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则对所述存储单元进行第二坏点检测操作。

进一步的，本发明实施例二在所述形成替换信息之后，还优化增加了：将所述存储块中坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

如图3a所示，本发明实施例二提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体包括如下操作：

S201、在检测到完成待擦除块的擦除操作后，确定非易失存储器中其他未进行擦除操作的存储块。

示例性的，一般可通过确定待擦除块的地址信息来确定其他未进行擦除操作的存储块的所在位置。

S202、如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则执行步骤S203～步骤S205。

示例性的，如果确定出所述非易失性存储器中存在可替换单元，则表明符合对所述存储块中存储单元进行坏点检测的条件，由此就可以通过执行步骤S203～步骤S205来实现对存储块中的存储单元进行坏点检测。

S203、基于设定的第一读电压对所述存储块中的存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述的存储单元的存储状态。

在本实施例中，所述第一读电压为对非易失性存储器进行读操作时采用的正常读电压。一般情况下，基于所述第一读电压对存储单元进行读操作后，如果所读取到的存储单元的状态值为1，则认为所述存储单元的阈值电压低于所述第一读电压，此时所述存储单元处于擦除状态；所读取到的存储单元的状态值为0，则认为所述存储单元的阈值电压高于所述第一读电压，此时所述存储单元处于编程状态。

S204、如果所述存储单元的存储状态为擦除状态，则对所述存储单元进行第一坏点检测操作。

在本实施例中，当基于所述第一读电压进行读操作所读取的存储单元的状态值为1时，即可认为所述存储单元处于擦除状态，此时需要对所述存储单元进行第一坏点检测操作。

进一步的，所述对所述存储单元进行第一坏点检测操作，包括：

基于设定的第二读电压对所述存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述存储单元的存储状态，其中，所述第二读电压小于所述第一读电压；如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则确定所述存储单元发生阈值电压漂移，记所述存储单元为坏点单元且记所述坏点单元的存储状态为编程状态。

在本实施例中，所述第二读电压为预先设定的低于正常读电压(第一读电压)的用于坏点单元检测的检测电压，所述检测电压主要用于检测已确定处于擦除状态的存储单元。

在本实施例中，所述第一坏点检测操作可表述为：先基于设定的第二读电压对已确定处于擦除状态的存储单元再次进行读操作，在完成所述读操作之后，获取所述存储单元的状态值，如果此时所读取的状态值为0，则认为所述存储单元的阈值电压大于所述第二读电压，即确定所述存储单元此时处于编程状态。

在本实施例中，当所述存储单元基于正常的读电压以及检测电压分别进行读操作后，所获取的存储单元的存储状态发生改变时，就可认为所述存储单元发生了阈值电压的漂移，同时可以认为所发生的阈值电压漂移是因为对相邻的存储块进行擦除操作造成的。因此认为所述存储单元为坏点单元，此时，所述坏点单元的存储状态为编程状态。

S205、如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则对所述存储单元进行第二坏点检测操作。

在本实施例中，当基于所述第一读电压进行读操作所读取的存储单元的状态值为0时，即可认为所述存储单元处于编程状态，此时需要对所述存储单元进行第二坏点检测操作。

进一步的，所述对所述存储单元进行第二坏点检测操作，包括：

基于设定的第三读电压对所述存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述存储单元的存储状态，其中，所述第三读电压大于所述第二读电压；如果所述存储单元的存储状态为擦除状态，则确定所述存储单元发生阈值电压漂移，记所述存储单元为坏点单元且记所述坏点单元的存储状态为擦除状态。

在本实施例中，所述第三读电压为预先设定的高于正常读电压(第一读电压)的用于坏点单元检测的检测电压，所述检测电压主要用于检测已确定处于编程状态的存储单元。

在本实施例中，所述第二坏点检测操作可表述为：先基于设定的第三读电压对已确定处于编程状态的存储单元再次进行读操作，在完成所述读操作之后，获取所述存储单元的状态值，如果此时所读取的状态值为1，则认为所述存储单元的阈值电压低于所述第三读电压，即确定所述存储单元此时处于擦除状态。

在本实施例中，当所述存储单元基于正常的读电压以及检测电压分别进行读操作后，所获取的存储单元的存储状态发生改变时，就可认为所述存储单元发生了阈值电压的漂移，同时可以认为造成阈值电压漂移的原因是对相邻的存储块进行了擦除操作。因此认为所述存储单元为坏点单元，此时，所述坏点单元的存储状态为擦除状态。

示例性的，图3b是本发明实施例二基于非易失性存储器中坏点单元的替换方法进行坏点单元检测后的效果图，即，图3b为基于步骤S203～步骤S205进行坏点检测之后所产生的效果图。如图3b所示，x轴表示存储单元所具有的阈值电压Vt，y轴表示存储块中处于不同阈值电压Vt的存储单元的个数，由此可以发现，阈值电压分别处于2V～4V和7V～9V的存储单元个数较多，此外，图3b中给出的第一读电压V1大于第二读电压V2，且第一读电压V1小于第三读电压V3。

在本实施例中，如图3b所示，基于基于步骤S203～步骤S205进行坏点检测之后，所形成的第一填充区域21以及第二填充区域22就可认为是对待擦除块进行擦除操作后，所述待擦除块的相邻存储块中发生阈值电压漂移的存储单元的个数，这些存储单元就可以记作坏点单元。需要说明的是，所述第一填充区域21中的坏点单元处于编程状态，所述第二填充区域22中的坏点单元处于擦除状态。

S206、如果所述存储块中存在坏点单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。

示例性的，在确定所述存储块中存在坏点单元后，可以基于S206进行坏点单元的替换操作。

S207、将所述存储块中坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

在本实施例中，在形成替换信息后，因为所形成的替换信息暂时存放于非易失性存储器的寄存器中，而存放于所述寄存器中的信息一般会随着所述非易失性存储器的断电而消除。为了保证所形成的坏点单元的替换信息在后续对非易失性存储的使用过程中继续有效，就需要在非易失性存储器断电前对所形成坏点单元的替换信息进行永久存储，即，将坏点单元的替换信息通过编程操作写入所述非易失性存储器的指定区域中。

本发明实施例二提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体化了坏点单元的检测过程，从而确定出对待擦除块擦除操作后相邻存储块中发生阈值电压漂移的存储单元，并将这些存储单元记为坏点单元。利用该替换方法，使得非易失性存储器能够在使用过程中动态的替换坏点单元，进而保证替换后的可替换单元能够代替坏点单元正常工作，由此提高非易失性存储器的功能性能，同时延长非易失性存储器的使用寿命。

在上述实施例的基础上，如果所述坏点单元的当前状态为擦除状态，则在将所述坏点单元替换为所述可替换单元之后，还包括：对所述可替换单元进行编程操作，以使所述可替换单元的存储状态为编程状态。

在本实施例中，如果基于上述坏点检测操作确定存储块中存在坏点单元，且所述坏点单元的存储状态为擦除状态，则需要在对所述坏点单元进行替换操作之后，对替换所述坏点单元的可替换单元进行编程操作。

具体的，对所述可替换单元进行编程操作的原因在于：所述可替换单元实则为非易失性存储器空闲区域中的冗余单元，一般地，所述冗余单元的状态值初始化为1，即所述冗余单元初始处于擦除状态；当所述坏点单元处于擦除状态时，可认为所述坏点单元的正确存储状态为编程状态，在用所述冗余单元代替所述坏点单元后，所述冗余单元的正确存储状态也应该为编程状态，由此需要对所述冗余单元进行编程操作，使所述冗余单元的存储状态由初始的擦除状态变为正确的编程状态。

实施例三

图4是本发明实施例三提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法的流程示意图。本发明实施例三以上述实施例为基础进行优化，在本实施例中，在所述如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测之前，还优化包括：检测所述非易失性存储器的空闲区域中冗余单元的使能标记位；确定是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，若存在，则确定所述非易失性存储器中存在可替换单元；若不存在，则确定所述非易失性存储器不存在可替换单元。

在上述优化的基础上，所述将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息，具体优化为：确定所述空闲区域中一个使能标记位为0的冗余单元，并获取所述冗余单元的位置信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息；根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元建立映射关系；根据所述映射关系将所述坏点单元替换为所述冗余单元，并形成替换信息；将所述冗余单元的使能标记位设置为1；其中，所述替换信息包括：所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元的位置信息的映射信息。

如图4所示，本发明实施例三提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体包括如下操作：

S301、在检测到完成待擦除块的擦除操作后，确定非易失存储器中其他未进行擦除操作的存储块。

S302、检测所述非易失性存储器的空闲区域中冗余单元的使能标记位。

在本实施例中，通常考虑将非易失性存储器中空闲区域的冗余单元作为可替换单元。由此基于步骤S302检测所述空闲区域中冗余单元的使能标记位。在本实施例中，所述使能标记位具体用于标记冗余单元的使用状态，同冗余单元一起设置于所述空闲区域中。一般地，一个冗余单元对应一个使能标记位，且所述使能标记位的值初始化为0，以此表示所对应的冗余单元还没有被使用。如果所述冗余单元未被使用，则表明所述冗余单元可以作为可替换单元。

S303、确定是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，若存在，则确定所述非易失性存储器中存在可替换单元；若不存在，则确定所述非易失性存储器不存在可替换单元。

在本实施例中，可以通过检测空闲区域中是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，来确定是否存在可替换单元。具体的，如果存在使能标记位为0的冗余单元，则可认为非易失性存储器中存在可替换单元。

S304、如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测。

S305、如果所述存储块中存在坏点单元，则执行步骤S306～步骤S309。

在本实施例中，如果存在所述坏点单元，则可基于所述可替换单元替换所述坏点单元，步骤S306～步骤S309给出了具体操作。

S306、确定所述空闲区域中一个使能标记位为0的冗余单元，并获取所述冗余单元的位置信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息。

在本实施例中，如果存在所述坏点单元，则可在空闲区域中确定任一个使能标记位为0的冗余单元作为可替换单元。一般地，可以在空闲区域中顺序选取符合条件的冗余单元，示例性的，假设空闲区域中存在32个冗余单元，且前10个冗余单元的使能标记位为非0，而其余冗余单元的使能标记位为0，则可以顺序选取第11个冗余单元作为可替换单元。

所述位置信息可理解为表示冗余单元在非易失性存储器中具体位置的信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息，所述地址信息具体可以通过冗余单元对应的位线信息获取，所述比特信息具体可以通过冗余单元对应的字线信息获取，其中，所述位线信息和字线信息分别来自于非易失性存储器的位线单元和字线单元。

S307、根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元建立映射关系。

在本实施例中，为了实现冗余单元对所述坏点单元的替换，通常将所述冗余单元与所述坏点单元建立映射关系，具体的，可以根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元的位置信息建立映射关系，其中，所述坏点单元的位置信息具体包括所述坏点单元的地址信息和比特信息，所述地址信息记录了所述坏点单元在非易失性存储器中的具体位置，所述比特信息记录了所述坏点单元中出现坏点的具体比特位。

在本实施例中，所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元位置信息所建立映射关系的形式有多种，示例性的，可以将所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元的位置信息组成二元信息组记录在非易失性存储器的寄存器中，以基于非易失性存储器下次工作时能够基于二元组信息确定替代坏点单元的冗余单元；也可以直接将所述坏点单元的位置信息记录至所述冗余单元所对应的寄存器里，以使非易失性存储器下次工作时能够基于所记录的坏点单元位置信息直接确定替代坏点单元的冗余单元。

S308、根据所述映射关系将所述坏点单元替换为所述冗余单元，并形成替换信息。

在本实施例中，在所述冗余单元替换所述坏点单元后，会形成对应的替换信息，所形成的替换信息会暂时记录于非易失性存储器的寄存器中。其中，所述替换信息包括：所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元的位置信息的映射信息。

S309、将所述冗余单元的使能标记位设置为1。

在本实施例中，在所述冗余单元替换所述坏点单元后，表明所述冗余单元已经被使用，此时需要更改所述冗余单元所对应使能标记位的值，以表示所述冗余单元被使用，具体的，将所述冗余单元的使能标记位设置为1。

S310、将所述存储块中坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

示例性的，为了保证所形成坏点单元的替换信息在后续擦写操作中能够继续使用，需要在形成替换信息后对所形成坏点单元的替换信息进行永久存储，即，将坏点单元的替换信息通过编程操作写入所述非易失性存储器的指定区域中。

本发明实施例三提供的一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，具体化了确定是否存在可替换单元的操作，此外，还具体化了基于可替换单元替换的坏点单元的操作。利用该替换方法，能够在对待擦除块进行擦除操作后检测非易失性存储器的其他存储块中是否存在坏点单元，并在检测出坏点单元后进行坏点单元替换，由此避免坏点单元对非易失性存储器工作性能的影响，提高产品性能的同时还延长了非易失性存储器的使用寿命。

注意，上述仅为本发明实施例的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明实施例不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明实施例的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明实施例进行了较为详细的说明，但是本发明实施例不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明实施例构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明实施例的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (5)

1.一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，其特征在于，包括：

在检测到完成待擦除块的擦除操作后，确定非易失性存储器中其他未进行擦除操作的存储块；

如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测；

所述对所述存储块中的存储单元进行坏点检测，具体包括：

基于设定的第一读电压对所述存储块中的存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述的存储单元的存储状态；

如果所述存储单元的存储状态为擦除状态，则对所述存储单元进行第一坏点检测操作；

如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则对所述存储单元进行第二坏点检测操作；

对所述存储单元进行第一坏点检测操作，包括：

基于设定的第二读电压对所述存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述存储单元的存储状态，其中，所述第二读电压小于所述第一读电压；

如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则确定所述存储单元发生阈值电压漂移，记所述存储单元为坏点单元且记所述坏点单元的存储状态为编程状态；

如果所述存储块中存在坏点单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息；

形成替换信息之后，还包括：

将所述存储块中坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述存储单元进行第二坏点检测，包括：

基于设定的第三读电压对所述存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述存储单元的存储状态，其中，所述第三读电压大于所述第二读电压；

如果所述存储单元的存储状态为擦除状态，则确定所述存储单元发生阈值电压漂移，记所述存储单元为坏点单元且记所述坏点单元的存储状态为擦除状态。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，如果所述坏点单元的当前状态为擦除状态，则在将所述坏点单元替换为所述可替换单元之后，还包括：

对所述可替换单元进行编程操作，以使所述可替换单元的存储状态为编程状态。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测之前，还包括：

检测所述非易失性存储器的空闲区域中冗余单元的使能标记位；

确定是否存在所述使能标记位为0的冗余单元，若存在，则确定所述非易失性存储器中存在可替换单元；若不存在，则确定所述非易失性存储器不存在可替换单元。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息，具体包括：

确定所述空闲区域中一个使能标记位为0的冗余单元，并获取所述冗余单元的位置信息，其中，所述位置信息包括地址信息和比特信息；

根据所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元建立映射关系；

根据所述映射关系将所述坏点单元替换为所述冗余单元，并形成替换信息；

将所述冗余单元的使能标记位设置为1；

其中，所述替换信息包括：所述冗余单元的位置信息与所述坏点单元的位置信息的映射信息。