JP2004146815A - Light emitting device - Google Patents

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Akihisa Matsumoto
松本　章寿
Tatsuya Motoike
本池　達也
Toshinori Nakahara
中原　利典
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a high-output light-emitting chip by improving the radiation efficiency using a lead frame. <P>SOLUTION: The light emitting device has a box-type frame 1 that is made of an insulating material and has a space inside the frame, a lead frame fixed to the frame, and a light emitting chip 11 fixed to the lead frame. A rising portion 9 is formed on the lead frame, which is located within a sidewall of the frame or along an inner-wall surface of the sidewall. The lead frame includes a first lead frame for fixing the light emitting chip and a second lead frame connected to the chip by wire bonding, and the rising portion is formed at least on the first lead frame. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

　本発明は発光チップとリードフレームとを組み合わせた発光素子に関する。 (4) The present invention relates to a light emitting element in which a light emitting chip and a lead frame are combined.

　発光素子の中に、フレームタイプと呼ばれるものがある。フレームタイプは、絶縁材料製の枠体内に導電材料製の１対のリードフレームを固定し、一方のリードフレームに半導体素子を固定し、この半導体素子をワイヤボンディングによって他方のリードフレームに接続したものである。特許文献１にリードフレームに半導体レーザ素子を固定した発光素子の例を見ることができる。特許文献２にはリードフレームに発光ダイオードを固定した発光素子の例を見ることができる。 Some light-emitting elements are called frame types. In the frame type, a pair of lead frames made of a conductive material is fixed in a frame made of an insulating material, a semiconductor element is fixed to one of the lead frames, and the semiconductor element is connected to the other lead frame by wire bonding. It is. An example of a light emitting device in which a semiconductor laser device is fixed to a lead frame can be seen in Patent Document 1. Patent Literature 2 discloses an example of a light emitting element in which a light emitting diode is fixed to a lead frame.

　半導体レーザは、光学的記録媒体への情報の書き込み、あるいはそこからの情報の読み出しに広く用いられている。最近では光ディスクの大容量化によって読み書きの情報量が急激に増大し、半導体レーザも高出力化の要請を受けるようになった。 Semiconductor lasers are widely used for writing information on or reading information from optical recording media. Recently, the amount of read / write information has increased rapidly due to the increase in the capacity of optical discs, and semiconductor lasers have also been required to have higher output.

　半導体レーザの出力を高めると、発熱量も増す。発光素子が高温になると、半導体レーザを囲む枠体が変形したり、変色したりするという不都合が生じる。そのため、熱対策の強化が求められる。発光素子として発光ダイオードを用いる場合も高出力化に伴って同様の問題がある。 (4) Increasing the output of a semiconductor laser increases the amount of heat generated. When the temperature of the light emitting element becomes high, there is an inconvenience that the frame surrounding the semiconductor laser is deformed or discolored. Therefore, it is necessary to strengthen measures against heat. When a light emitting diode is used as a light emitting element, there is a similar problem with an increase in output.

　熱対策として一般的に考えられるのは、リードフレームの面積を増大して放熱を良くすることである。しかしながらリードフレームの面積を単純に増大すると、増大部分が枠体からはみ出すことがある。枠体からはみ出した部分には絶縁処置を施さねばならず、工程が増えてコストアップ要因になる。絶縁処置を回避するため、増大部分まで含めてリードフレーム全体を枠体で囲むこととすると、全体が大型化する。これは部品の小型化に逆行するものである。
特開平３−１８８６９２号公報 特開２００３−１５２２２８号公報 As a measure against heat, it is generally considered to increase the area of the lead frame to improve heat dissipation. However, if the area of the lead frame is simply increased, the increased portion may protrude from the frame. The portion protruding from the frame must be subjected to insulation treatment, which increases the number of processes and increases the cost. If the entire lead frame including the enlarged portion is surrounded by a frame in order to avoid the insulation treatment, the whole becomes large. This goes against miniaturization of parts.
JP-A-3-188692 JP 2003-152228 A

　本発明は上記の問題に鑑みなされたものであり、発光チップをリードフレームで覆う形にして枠体の変形や変色を防止するとともに、リードフレームによって放熱効率を向上させ、発光チップの高出力化を可能とすることを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has a light-emitting chip covered with a lead frame to prevent deformation and discoloration of a frame, improve heat dissipation efficiency with the lead frame, and increase the output of the light-emitting chip. The purpose is to enable.

　本発明の発光素子は、請求項１に記載のように、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、前記リードフレームは、前記発光チップを固定する第１リードフレームと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第２リードフレームとを含み、前記第１リードフレームには、その両側辺を折り曲げることにより前記枠体の側壁内部に位置する立ち上がり部が形成されていることを特徴とする。 A light emitting device according to the present invention, as set forth in claim 1, is a box-shaped frame formed of an insulating material and having a space inside, and a lead frame formed of a conductive material and fixed to the frame. And a light emitting chip fixed to the lead frame, wherein the lead frame includes a first lead frame for fixing the light emitting chip, and a second lead frame for connecting the light emitting chip by wire bonding, The first lead frame is characterized in that a rising portion located inside the side wall of the frame is formed by bending both sides thereof.

　この構成によれば、第１リードフレームに固定した発光チップの発する熱をリードフレームの立ち上がり部から放熱し、枠体の温度上昇を抑えることができる。これにより、枠体の変形や変色が防止されるので、これらを気にかけることなく発光チップの高出力化を図ることができる。 According to this configuration, the heat generated by the light emitting chip fixed to the first lead frame is radiated from the rising portion of the lead frame, and the temperature rise of the frame can be suppressed. Thus, deformation and discoloration of the frame are prevented, so that the output of the light emitting chip can be increased without worrying about them.

　本発明の発光素子は、請求項２に記載のように、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有し、その空間部を四方の側壁によって囲む箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、リードフレームは、前記発光チップを固定する第１リードフレームと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第２リードフレームとを含み、前記第１リードフレームには、前記枠体の少なくとも三方の側壁の内壁面に沿った立ち上がり部が形成され、前記第２リードフレームには、前記第１リードフレームの立ち上がり部によって覆われた側壁以外の側壁を覆う立ち上がり部が形成されたことを特徴とする。 The light emitting device of the present invention is formed of a box-shaped frame body formed of an insulating material, having a space inside, and surrounding the space by four side walls, and a conductive material. And a lead frame fixed to the frame, and a light emitting chip fixed to the lead frame, wherein the lead frame connects the light emitting chip to the first lead frame fixing the light emitting chip by wire bonding. A rising portion is formed on the first lead frame along an inner wall surface of at least three side walls of the frame, and the first lead frame is formed on the second lead frame. A rising portion that covers a side wall other than the side wall covered by the rising portion.

　この構成によれば、前記枠体の少なくとも三方の側壁の内壁面に沿った立ち上がり部が形成されているので、発光チップの発する熱をより速やかに放熱することができる。 According to this configuration, since the rising portion is formed along the inner wall surface of at least three side walls of the frame, the heat generated by the light emitting chip can be radiated more quickly.

　本発明の発光素子は、請求項３に記載のように、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されて前記空間部に臨む第１リードフレーム及び第２リードフレームと、前記第１リードフレームに固定される発光チップとを備え、前記第１リードフレームには、前記空間部を囲む四方の側壁のうち、対向する２側壁にわたって延在する立ち上がり部を形成するとともに、前記第２リードフレームは前記第１リードフレームと上下方向に間隔を置いて重なるものとし、この第２リードフレームに前記発光チップをワイヤボンディングで接続したことを特徴とする。 The light-emitting device of the present invention is formed by an insulating material, a box-shaped frame having a space inside, and a conductive material, and fixed to the frame to form the space. A first lead frame and a second lead frame facing a portion, and a light-emitting chip fixed to the first lead frame, wherein the first lead frame faces one of four side walls surrounding the space. A rising portion extending over two side walls is formed, and the second lead frame is overlapped with the first lead frame at an interval in the vertical direction, and the light emitting chip is connected to the second lead frame by wire bonding. It is characterized by having done.

　この構成によれば、何らかの理由により立ち上がり部の数を少なくせざるを得なくなったとしても、第１リードフレームの立ち上がり部が長いので必要な放熱面積を確保することができる。

　本発明の発光素子は、請求項４に記載のように、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、前記リードフレームは、前記発光チップを固定する第１リードと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第２リードとを含み、前記空間部の内周面に、前記第１リード及び第２リードから小間隔を置いて、第１リード及び第２リードを短絡することのないように固定された金属製反射枠とを備えたことを特徴とする。 According to this configuration, even if the number of rising portions has to be reduced for some reason, a necessary heat radiation area can be secured because the rising portion of the first lead frame is long.

The light emitting device according to the present invention is, as described in claim 4, a box-shaped frame body formed of an insulating material and having a space inside, and a lead frame formed of a conductive material and fixed to the frame body. And a light emitting chip fixed to the lead frame, wherein the lead frame includes a first lead for fixing the light emitting chip, and a second lead for connecting the light emitting chip by wire bonding. A metal reflection frame fixed at a small distance from the first lead and the second lead so as not to short-circuit the first lead and the second lead. And

　この構成によれば、発光チップの発する熱をリードや反射枠を通じて効率的に放熱することができる。 According to this configuration, heat generated by the light emitting chip can be efficiently radiated through the leads and the reflection frame.

　本発明によれば、放熱性が改善され、発光チップの高出力化を図ることができる。 According to the present invention, the heat dissipation can be improved, and the output of the light emitting chip can be increased.

　以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

　図１、２に本発明の第１実施形態を示す。図１は発光素子の断面図、図２は図１の発光素子に用いられたリードフレームの斜視図である。 FIGS. 1 and 2 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of a light emitting device, and FIG. 2 is a perspective view of a lead frame used in the light emitting device of FIG.

　発光素子はエポキシ樹脂などの絶縁材料からなる箱形の枠体１を備える。枠体１は、四方（前後左右方向）の側壁２、３、４、５により、上部が開放した空間部６をその内側に形成している。枠体１には第１リードフレーム７と第２リードフレーム８を固定する。第１、第２リードフレーム７、８は銅、鉄、アルミニウムなどの導電材料からなり、枠体１の成型時に一体に組み合わされる。 The light emitting element has a box-shaped frame 1 made of an insulating material such as epoxy resin. The frame 1 has a space portion 6 having an open upper portion formed by four sides (front, rear, left and right directions) of side walls 2, 3, 4, 5. The first lead frame 7 and the second lead frame 8 are fixed to the frame 1. The first and second lead frames 7 and 8 are made of a conductive material such as copper, iron, and aluminum, and are combined together when the frame 1 is molded.

　図２に見られるとおり、第１リードフレーム７と第２リードフレーム８は互いにほぼ対称形状であり、各々両側辺を上方に折り曲げて、第１リードフレーム７にあっては立ち上がり部９、９を、第２リードフレーム８にあっては立ち上がり部１０、１０を、それぞれ形成している。立ち上がり部９、９及び１０、１０は、枠体１の成型時、側壁２、３の内部に位置するように埋め込まれ、これによって第１、第２リードフレーム７、８は枠体１に固定される。 As shown in FIG. 2, the first lead frame 7 and the second lead frame 8 are substantially symmetrical to each other, and both sides are bent upward to form the rising portions 9, 9 in the first lead frame 7. In the second lead frame 8, rising portions 10, 10 are formed, respectively. The rising portions 9, 9, 10, and 10 are embedded so as to be located inside the side walls 2 and 3 when the frame 1 is molded, so that the first and second lead frames 7 and 8 are fixed to the frame 1. Is done.

　第１リードフレーム７の底面部１２に発光チップ１１が固定される。発光チップ１１はワイヤボンディング１３によって第２リードフレーム８に接続されている。 (4) The light emitting chip 11 is fixed to the bottom portion 12 of the first lead frame 7. The light emitting chip 11 is connected to the second lead frame 8 by wire bonding 13.

　発光チップ１１の発生する熱は第１リードフレーム７に伝わる。高温になった第１リードフレーム７は立ち上がり部９、９を通じて枠体１の外部の空間に放熱を行う。すなわち第１リードフレーム７に伝わった熱は外部空間に強制的に放熱される。また第２リードフレーム８は空間部６から熱を受け取り、立ち上がり部１０、１０を通じて枠体１の外部の空間に放熱する。上記の放熱作用により、枠体１の温度上昇が抑えられ、枠体１の変形や変色を防止することができる。従って、枠体１の変形や変色を気にかけることなく、発光チップ１１の高出力化を図ることができる。 熱 The heat generated by the light emitting chip 11 is transmitted to the first lead frame 7. The heated first lead frame 7 radiates heat to the space outside the frame 1 through the rising portions 9, 9. That is, the heat transmitted to the first lead frame 7 is forcibly radiated to the external space. The second lead frame 8 receives heat from the space 6 and radiates heat to the space outside the frame 1 through the rising portions 10 and 10. Due to the above-described heat radiation action, the temperature rise of the frame 1 is suppressed, and deformation and discoloration of the frame 1 can be prevented. Therefore, high output of the light emitting chip 11 can be achieved without worrying about deformation or discoloration of the frame 1.

　立ち上がり部９、９、１０、１０を成形するについては、第１、第２リードフレーム７、８の成形工程に折り曲げ工程を追加するだけでよく、製作容易である。 For forming the rising portions 9, 9, 10 and 10, it is only necessary to add a bending process to the forming process of the first and second lead frames 7 and 8, and it is easy to manufacture.

　図２の構成では、第１リードフレーム７、第２リードフレーム８ともに立ち上がり部を設けている。この構成に代え、立ち上がり部を設けるのは一方のリードフレームのみにとどめ、ただしその立ち上がり部には延長部を設けて全長を長くすることもできる。かかるリードフレームの変形例を図３に示す。 で は In the configuration of FIG. 2, both the first lead frame 7 and the second lead frame 8 are provided with rising portions. Instead of this configuration, only one of the lead frames is provided with the rising portion. However, the rising portion may be provided with an extension to increase the overall length. FIG. 3 shows a modified example of such a lead frame.

　図３の構成においては、第２リードフレーム８は立ち上がり部を有しない。その代わり第１リードフレーム７の立ち上がり部９、９には、図２における第２リードフレーム８の立ち上がり部１０、１０をも含むように延びる延長部１４、１４が形成されている。すなわち立ち上がり部９、９は側壁２、３とほぼ同じ長さを有し、対向する２側壁４、５にわたって延在している。このように大面積となった立ち上がり部９、９から放熱が行われるので、第２リードフレーム８から立ち上がり部が削除された分を補って余りある放熱効率を得ることができる。 (3) In the configuration of FIG. 3, the second lead frame 8 has no rising portion. Instead, extension portions 14, 14 extending to include the rising portions 10, 10 of the second lead frame 8 in FIG. 2 are formed in the rising portions 9, 9 of the first lead frame 7. That is, the rising portions 9, 9 have substantially the same length as the side walls 2, 3, and extend over the two opposing side walls 4, 5. Since the heat is radiated from the rising portions 9 having a large area in this manner, a sufficient heat radiation efficiency can be obtained by compensating for the removal of the rising portion from the second lead frame 8.

　図４に本発明の第２実施形態を示す。図４は発光素子の断面図である。 FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device.

　第２実施形態においては、発光素子は図２又は図３と同様形状の第１リードフレーム７と第２リードフレーム８を備える。ただし第１、第２リードフレーム７、８の立ち上がり部９、９、１０、１０は、側壁２、３の内部にではなく、側壁２、３の内壁面に沿い、内壁面に密着する形で設けられている。立ち上がり部９、９、１０、１０は発光チップ１１と直接向かい合うことになり、発光チップ１１の発する熱をより速やかに放熱することができる。 In the second embodiment, the light emitting device includes a first lead frame 7 and a second lead frame 8 having the same shape as that of FIG. 2 or FIG. However, the rising portions 9, 9, 10, 10 of the first and second lead frames 7, 8 are not provided inside the side walls 2, 3, but along the inner wall surfaces of the side walls 2, 3, and are in close contact with the inner wall surfaces. Is provided. The rising portions 9, 9, 10, and 10 face the light emitting chip 11 directly, so that the heat generated by the light emitting chip 11 can be radiated more quickly.

　図５、６に本発明の第３実施形態を示す。図５は発光素子の断面図、図６は図５の発光素子に用いられたリードフレームの斜視図である。 5 and 6 show a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a sectional view of the light emitting device, and FIG. 6 is a perspective view of a lead frame used in the light emitting device of FIG.

　第３実施形態においては、発光素子の第１リードフレーム７と第２リードフレーム８は互いにほぼ対称形状であって、次のように構成されている。すなわち第１リードフレーム７は、底面部１２と、その両側辺を上方に折り曲げた立ち上がり部９、９と、両側辺と直交する端辺１８を上方に折り曲げた立ち上がり部２０と、立ち上がり部２０から突出するリード部１６を備える。第２リードフレーム８は、底面部１５と、その両側辺を上方に折り曲げた立ち上がり部１０、１０と、両側辺と直交する端辺１９を上方に折り曲げた立ち上がり部２１と、立ち上がり部２１から突出するリード部１７を備える。 In the third embodiment, the first lead frame 7 and the second lead frame 8 of the light emitting element are substantially symmetrical to each other, and are configured as follows. That is, the first lead frame 7 includes a bottom portion 12, rising portions 9, 9 having both sides bent upward, rising portions 20 having end edges 18 orthogonal to both sides bent upward, and a rising portion 20. A protruding lead portion 16 is provided. The second lead frame 8 has a bottom portion 15, rising portions 10, 10 having both sides bent upward, rising portions 21 having end edges 19 orthogonal to both sides bent upward, and protruding from the rising portions 21. And a lead portion 17 to be provided.

　第１リードフレーム７の立ち上がり部９、９、２０は、側壁２、３、４の内壁面に沿い、内壁面に密着する形で設けられている。第２リードフレーム８の立ち上がり部１０、１０、２１は、側壁２、３、５の内壁面に沿い、内壁面に密着する形で設けられている。このようにして、四方の側壁２、３、４、５はすべて内壁面を立ち上がり部で覆われる。 (4) The rising portions 9, 9, and 20 of the first lead frame 7 are provided along the inner wall surfaces of the side walls 2, 3, and 4 so as to be in close contact with the inner wall surfaces. The rising portions 10, 10, 21 of the second lead frame 8 are provided along the inner wall surfaces of the side walls 2, 3, 5 so as to be in close contact with the inner wall surfaces. In this manner, the four side walls 2, 3, 4, 5 are all covered with the inner wall surface by the rising portions.

　リード部１６、１７は、図５に示すように、側壁４、５の比較的上方の位置にあり、側壁４、５を貫通して枠体１の外側に引き出される。 (5) The lead portions 16 and 17 are located relatively above the side walls 4 and 5, as shown in FIG. 5, and are drawn out of the frame 1 through the side walls 4 and 5.

　枠体１の四方の側壁２、３、４、５の内壁面に沿って立ち上がり部９、９、１０、１０、２０、２１が形成されているので、これらの立ち上がり部により、発光チップ１１の発する熱は四方への輻射を阻止される。これにより熱の拡散が防止される。 Since the rising portions 9, 9, 10, 10, 20, 21 are formed along the inner wall surfaces of the four side walls 2, 3, 4, 5 of the frame 1, the rising portions of the light emitting chip 11 are formed by these rising portions. The generated heat is blocked from radiating in all directions. This prevents the diffusion of heat.

　上記のように枠体１の四方の側壁に沿って立ち上がり部を形成するのでなく、四方の内の三方の側壁に沿って立ち上がり部を形成することとしてもよい。そのようにすれば、発光チップ１１の発する熱は三方の立ち上がり部によりその三方への輻射を阻止される。これにより熱の拡散が防止される。 で Instead of forming the rising portions along the four side walls of the frame 1 as described above, the rising portions may be formed along the three side walls of the four sides. By doing so, the heat generated by the light emitting chip 11 is prevented from being radiated to the three directions by the three rising portions. This prevents the diffusion of heat.

　発光チップ１１を固定する第１リードフレーム７に、三方の側壁２、３、４に沿う立ち上がり部９、９、２０が形成されているので、少なくともこれら三方の立ち上がり部により、高温となる第１リードフレーム７から強制的に放熱が行われ、枠体１の温度上昇を効果的に抑えることができる。 Since the first lead frame 7 for fixing the light emitting chip 11 is provided with the rising portions 9, 9, 20 along the three side walls 2, 3, 4, at least the first rising portion is heated by these three rising portions. The heat is forcibly dissipated from the lead frame 7, and the temperature rise of the frame 1 can be effectively suppressed.

　立ち上がり部９、９、１０、１０、２０、２１を成形するについては、第１、第２リードフレーム７、８の成形工程に折り曲げ工程を追加するだけでよく、製作容易である。 (4) For forming the rising portions 9, 9, 10, 10, 20, 21 only by adding a bending process to the forming process of the first and second lead frames 7, 8, it is easy to manufacture.

　図６の構成では、第１リードフレーム７、第２リードフレーム８ともに両側辺を上方に折り曲げて立ち上がり部を形成している。この構成に代え、両側辺に立ち上がり部を設けるのは一方のリードフレームのみにとどめ、ただしその立ち上がり部には延長部を設けて全長を長くすることもできる。かかるリードフレームの変形例を図７に示す。 In the configuration of FIG. 6, both the first lead frame 7 and the second lead frame 8 have both sides bent upward to form a rising portion. Instead of this configuration, only one of the lead frames is provided with the rising portions on both sides. However, the rising portions may be provided with extension portions to increase the overall length. FIG. 7 shows a modified example of such a lead frame.

　図７の構成においては、第２リードフレーム８は両側辺には立ち上がり部を有さず、端辺側に立ち上がり部２１を残すのみである。その代わり第１リードフレーム７の立ち上がり部９、９には、図６における第２リードフレーム８の立ち上がり部１０、１０をも含むように延びる延長部２２、２３が形成されている。すなわち立ち上がり部９、９は側壁２、３とほぼ同じ長さを有し、対向する２側壁４、５にわたって延在している。これにより側壁２、３、４、５はすべて、立ち上がり部９、９、２０、２１によって内壁面を覆われることになる。 In the configuration of FIG. 7, the second lead frame 8 does not have the rising portions on both sides, but only leaves the rising portions 21 on the end sides. Instead, extension portions 22 and 23 are formed on the rising portions 9 and 9 of the first lead frame 7 so as to include the rising portions 10 and 10 of the second lead frame 8 in FIG. That is, the rising portions 9, 9 have substantially the same length as the side walls 2, 3, and extend over the two opposing side walls 4, 5. As a result, all the side walls 2, 3, 4, 5 are covered with the inner wall surfaces by the rising portions 9, 9, 20, 21.

　第２リードフレーム８の立ち上がり部２１は、第１リードフレーム７の立ち上がり部９、９、２０によって覆われた側壁（側壁２、３、４）以外の側壁（側壁５）を覆う。このように、第１リードフレーム７と第２リードフレーム８が側壁２、３、４、５の内壁面を覆う役割を分担するものとすれば、リードフレームの寸法的制限や枠体１の外形寸法などの要因に応じる形で第１、第２リードフレーム７、８に配分する立ち上がり部の数を設定し、放熱の最適化を図ることができる。 (4) The rising portion 21 of the second lead frame 8 covers the side wall (side wall 5) other than the side wall (side wall 2, 3, 4) covered by the rising portions 9, 9, 20 of the first lead frame 7. As described above, if the first lead frame 7 and the second lead frame 8 share the role of covering the inner wall surfaces of the side walls 2, 3, 4, and 5, the dimensional limitation of the lead frame and the outer shape of the frame 1 are provided. The number of rising portions to be distributed to the first and second lead frames 7 and 8 can be set in accordance with factors such as dimensions, so that heat radiation can be optimized.

　図８に本発明の第４実施形態を示す。図８は発光素子の断面図である。 FIG. 8 shows a fourth embodiment of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view of the light emitting device.

　第４実施形態においては、第１リードフレーム７の底面部に延長部２４が形成されている。延長部２４は側壁２、３、４、５で囲まれた空間部６を通り、対向する側壁である側壁５の内壁面に達する。第２リードフレーム８は、第１リードフレーム７の上方に重なる形で側壁５に固定され、そのリード部１７は側壁５を貫通している。第１リードフレーム７と第２リードフレーム８の間には上下方向に間隔Ｗが置かれている。 In the fourth embodiment, the extension 24 is formed on the bottom surface of the first lead frame 7. The extension portion 24 passes through the space portion 6 surrounded by the side walls 2, 3, 4, and 5, and reaches the inner wall surface of the side wall 5, which is the opposite side wall. The second lead frame 8 is fixed to the side wall 5 so as to overlap the first lead frame 7, and the lead portion 17 penetrates the side wall 5. An interval W is provided between the first lead frame 7 and the second lead frame 8 in the vertical direction.

　第１リードフレーム７の両側辺には、図７の第１リードフレーム７と同様、側壁２、３とほぼ同じ長さを有し、対向する２側壁４、５にわたって延在する立ち上がり部９、９（図示せず）が形成されている。 As in the first lead frame 7 of FIG. 7, on both sides of the first lead frame 7, rising portions 9 having substantially the same length as the side walls 2, 3 and extending over the opposing two side walls 4, 5. 9 (not shown) are formed.

　第４実施形態の構成によれば、枠体１の寸法を大きくすることなしに第１リードフレーム７の面積を大きく設定することができる。何らかの理由により、立ち上がり部の数を少なくせざるを得なくなったとしても、第１リードフレーム７に設けた延長部により放熱領域を増やし、放熱量を確保することができる。また、第２リードフレーム８が第１リードフレーム７の上方に配置されているので、発光チップ１１のワイヤボンディングが容易である。 According to the configuration of the fourth embodiment, the area of the first lead frame 7 can be set large without increasing the size of the frame 1. Even if the number of rising portions has to be reduced for some reason, the heat radiation area can be increased by the extension portions provided on the first lead frame 7, and the heat radiation amount can be secured. Further, since the second lead frame 8 is arranged above the first lead frame 7, wire bonding of the light emitting chip 11 is easy.

　上記第１〜第４のいずれの実施形態においても、第１リードフレーム７の底面部上に発光チップ１１を固定したものであり、第１リードフレーム７単独で、あるいは第１リードフレーム７と第２リードフレーム８が協働して、発光チップ１１を囲んでいる。 In any of the first to fourth embodiments, the light emitting chip 11 is fixed on the bottom surface of the first lead frame 7, and the first lead frame 7 alone or the first lead frame 7 and the first The two lead frames 8 cooperate to surround the light emitting chip 11.

　上記第１〜第４の実施形態において、空間部６は空気で満たされた状態とすることもできるし、後述するように光透過性の樹脂によって満たされた状態とすることもできる。 In the first to fourth embodiments, the space 6 may be filled with air, or may be filled with a light-transmitting resin as described later.

　図９〜１６に本発明の第５実施形態を示す。図９は発光素子の断面図、図１０はリードフレームの平面図、図１１は発光素子の製造過程中の一段階を示す平面図、図１２は図１１のＡ−Ａ線を切断ラインとした断面図、図１３は同じくＢ−Ｂ線を切断ラインとした断面図、図１４は発光素子の製造過程中の一段階を示す平面図で、図１１よりさらに進んだ段階におけるもの、図１５は図１４のＣ−Ｃ線を切断ラインとした断面図、図１６は同じくＤ−Ｄ線を切断ラインとした断面図である。 FIGS. 9 to 16 show a fifth embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view of the light-emitting element, FIG. 10 is a plan view of the lead frame, FIG. 11 is a plan view showing one stage in the manufacturing process of the light-emitting element, and FIG. 12 is a sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 13, FIG. 14 is a plan view showing one stage in the manufacturing process of the light emitting element, and FIG. FIG. 16 is a sectional view taken along line CC of FIG. 14 as a cutting line, and FIG. 16 is a sectional view taken along line DD of FIG.

　第５実施形態の発光素子は、合成樹脂（絶縁材料）により形成された箱形の枠体に金属製リードを組み合わせたパッケージ１００を備える。パッケージ１００の製作にあたっては、まず図１０に示すようなリードフレーム１０１を用意する。リードフレーム１０１は帯状の金属板をプレス加工して穴を打ち抜き、一定ピッチで繰り返されるリードパターンを形成したものである。リードフレーム１０１を折り曲げることなくフラットな状態に保ち、その状態で所定箇所に合成樹脂の枠体１０２を射出成型する。いわゆるインサート成型を行うことになる。このようにして図１１〜１３に示すパッケージ１００を形成した後、パッケージ１００にチップボンディング及びワイヤボンディングを行い、最終段階でリードを切り離して発光素子を完成させる。なおリードの切り離しはプレスで行うこともできるし、他の手法で行うこともできる。 The light emitting device of the fifth embodiment includes a package 100 in which metal leads are combined with a box-shaped frame formed of a synthetic resin (insulating material). In manufacturing the package 100, first, a lead frame 101 as shown in FIG. 10 is prepared. The lead frame 101 is formed by punching holes by pressing a strip-shaped metal plate to form a lead pattern that is repeated at a constant pitch. The lead frame 101 is kept flat without being bent, and in that state, a synthetic resin frame 102 is injection molded at a predetermined position. So-called insert molding is performed. After forming the package 100 shown in FIGS. 11 to 13 in this manner, chip bonding and wire bonding are performed on the package 100, and the leads are separated at the final stage to complete the light emitting device. Note that the lead can be separated by a press or by another method.

　枠体１０２の材料としては明度の高い（例えば白色の）合成樹脂を用いる。枠体１０２の角の一つには図１１に見られるような平面形状三角形の凹部１０３を形成する。凹部１０３は極性の識別のためのものである。 A high-brightness (eg, white) synthetic resin is used as the material of the frame 102. At one of the corners of the frame 102, a recess 103 having a triangular shape as shown in FIG. 11 is formed. The recess 103 is for identifying the polarity.

　最終段階で切り離された後に枠体１０２に残るリードは計６個である。３個は第１リード１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃであり、残る３個は第２リード１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃである。第１リード１０４ａは第２リード１０５ａと向き合い、第１リード１０４ｂは第２リード１０５ｂと向き合い、第１リード１０４ｃは第２リード１０５ｃと向き合う。リード相互の間には絶縁のためのギャップが設けられる。 (4) A total of six leads remain on the frame 102 after being separated in the final stage. Three are first leads 104a, 104b, and 104c, and the remaining three are second leads 105a, 105b, and 105c. The first lead 104a faces the second lead 105a, the first lead 104b faces the second lead 105b, and the first lead 104c faces the second lead 105c. A gap is provided between the leads for insulation.

　枠体１０２には空間部１０６が設けられる。空間部１０６は、平面形状は四角形であるが、その断面は上方に向かって開くテーパ状を呈しており、全体として四角錐台を倒立させた形状になっている。第１リード１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ及び第２リード１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃは、それぞれ一端を空間部１０６の底面上に置き、他端を枠体１０２の外に突き出す形で、枠体１０２に固定されている。 空間 A space portion 106 is provided in the frame body 102. The space 106 has a square planar shape, but its cross section has a tapered shape that opens upward, and has a shape in which a truncated square pyramid is inverted as a whole. The first leads 104a, 104b, 104c and the second leads 105a, 105b, 105c are fixed to the frame 102 with one end placed on the bottom surface of the space 106 and the other end protruding out of the frame 102. ing.

　空間部１０６の底には、側面をなす斜面が底面と交わる箇所に、内フランジ部１０７が形設されている。内フランジ部１０７は第１リード１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ及び第２リード１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃの上にかぶさるものであり、その厚さはリードよりも薄い。 内 An inner flange portion 107 is formed at the bottom of the space portion 106 at a location where the slope forming the side surface intersects the bottom surface. The inner flange portion 107 covers the first leads 104a, 104b, 104c and the second leads 105a, 105b, 105c, and has a smaller thickness than the leads.

　発光チップから発せられる光を効率良く出射するため、空間部１０６の内周面に金属製の反射枠１０８を固定する。反射枠１０８は空間部１０６と同じく上方に向かって開くテーパ状断面を有し、空間部１０６の内周面に密着する形で固定されている。反射枠１０８の固定は、例えば枠体１０２との間に凹凸係合部を設けることにより行うことができる。接着剤を使用してもよい。あるいは、何らかの手段により仮止めしておき、後述するモールド樹脂によって本固定してもよい。内フランジ部１０７は、反射枠１０８の下端の位置決め、及び反射枠１０８によりリード間が短絡されるのを防止する役割を果たす。 (4) In order to efficiently emit light emitted from the light emitting chip, a metal reflection frame 108 is fixed to the inner peripheral surface of the space 106. The reflection frame 108 has a tapered cross section that opens upward like the space 106, and is fixed in close contact with the inner peripheral surface of the space 106. The fixing of the reflection frame 108 can be performed, for example, by providing an uneven engagement portion between the reflection frame 108 and the frame body 102. An adhesive may be used. Alternatively, it may be temporarily fixed by some means and permanently fixed by a mold resin described later. The inner flange 107 plays a role in positioning the lower end of the reflection frame 108 and preventing a short circuit between the leads due to the reflection frame 108.

　反射枠１０８の素材は、リードと同じでもよく、異なっていてもよい。いずれにせよ、内面には光の反射率を高める表面処理を施すのが望ましい。また反射枠１０８の厚さはリードの厚さの半分以上とするのが望ましい。これは放熱性を確保するためである。 素材 The material of the reflection frame 108 may be the same as or different from that of the lead. In any case, it is desirable to perform a surface treatment on the inner surface to increase the light reflectance. Further, it is desirable that the thickness of the reflection frame 108 be at least half the thickness of the lead. This is to ensure heat dissipation.

　上記のように構成されたリードフレームタイプのパッケージ１００に３個の発光チップ１１０をチップボンディングで固定する。発光チップ１１０は第１リード１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃに１個ずつ固定されたうえ、第２リード１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃにそれぞれ配線用ワイヤ１１１でワイヤボンディングされる。発光チップ１１０は光の３原色（ＲＧＢ）の１原色ずつを放つものであり、３個１組でフルカラー表示が可能である。 (4) The three light emitting chips 110 are fixed to the lead frame type package 100 configured as described above by chip bonding. The light emitting chips 110 are fixed one by one to the first leads 104a, 104b, 104c, and are wire-bonded to the second leads 105a, 105b, 105c with wiring wires 111, respectively. The light emitting chip 110 emits one primary color of each of the three primary colors (RGB) of light, and a full color display is possible by a set of three light emitting chips.

　チップボンディング及びワイヤボンディングを終えた状態を図１４〜１６に示す。この後、空間部１０６に光透過性を有するモールド樹脂１１２を流し込み（図９参照）、硬化させる。そしてリードの切り離しを行い、発光素子が完成する。 FIGS. 14 to 16 show the state after the completion of the chip bonding and the wire bonding. Thereafter, a mold resin 112 having light transmittance is poured into the space 106 (see FIG. 9) and cured. Then, the lead is separated, and the light emitting element is completed.

　枠体１０２の外底面にはリード受け入れ用の凹部１０９を形成し、この凹部１０８の中に、第１リード１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ及び第２リード１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃの枠体外突き出し部分を曲げ込んで、枠体１０２の外底面とリードの折り曲げ部とをほぼ面一にする。これにより、発光素子の占有面積が小さくなるとともに、表面実装が可能になる。 A recess 109 for receiving a lead is formed on the outer bottom surface of the frame 102, and the protruding portions of the first leads 104a, 104b, 104c and the second leads 105a, 105b, 105c outside the frame are bent into the recess 108. Thus, the outer bottom surface of the frame 102 and the bent portion of the lead are made substantially flush. This reduces the area occupied by the light emitting elements and enables surface mounting.

　この発光素子は、発光チップ１１０の放つ光を反射枠１０８で反射し、効率良く外部に取り出すことができる。また、複数の発光色を効果的に混合することができる。発光チップ１１０の発する熱はリードを通じて外部に放熱されるとともに、金属製の反射枠１０８の端が短い距離（すなわち内フランジ部１０７の厚さ）を隔ててリードに向き合っているので、反射枠１０８にもリードから熱が伝わる。そのため反射枠１０８を通じての放熱も生じ、全体としての放熱効率が良い。 This light-emitting element reflects light emitted from the light-emitting chip 110 on the reflection frame 108, and can efficiently extract the light to the outside. Further, a plurality of emission colors can be effectively mixed. The heat generated by the light emitting chip 110 is radiated to the outside through the lead, and the edge of the metal reflection frame 108 faces the lead with a short distance (that is, the thickness of the inner flange 107). Heat is also transmitted from the reed. Therefore, heat is also radiated through the reflection frame 108, and the heat radiation efficiency as a whole is good.

　またパッケージ１００の製作にあたり、折り曲げ部のないフラットなリードフレーム１０１に枠体１０２を射出成型するので、予め折り曲げてあるリードをインサート成型する場合に比べ、樹脂漏れが少なく、製造がしやすい。 (4) In manufacturing the package 100, the frame body 102 is injection-molded on a flat lead frame 101 having no bent portion, so that resin leakage is less and manufacturing is easier than in a case where a lead that has been bent in advance is insert-molded.

　第５実施形態では枠体の平面形状が四角形になっているが、これに限定されるものではない。四角形以外の多角形であってもよく、円や楕円であってもよい。また発光チップの数を３個としたが、１個、２個、４個、あるいはそれ以上と、どのような数でもよい。この他、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えて実施することができる。 で は In the fifth embodiment, the plane shape of the frame is quadrangular, but is not limited to this. It may be a polygon other than a rectangle, a circle or an ellipse. Also, the number of light emitting chips is three, but any number, such as one, two, four, or more, may be used. In addition, various changes can be made without departing from the spirit of the invention.

　本発明は、絶縁材料製の枠体内に導電材料製の１対のリードフレームを固定し、一方のリードフレームに発光チップを固定する型式の発光素子に広く利用可能である。 The present invention is widely applicable to a light emitting device of a type in which a pair of lead frames made of a conductive material is fixed in a frame made of an insulating material, and a light emitting chip is fixed to one of the lead frames.

本発明の第１実施形態に係る発光素子の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention. 第１実施形態に係る発光素子のリードフレームの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a lead frame of the light emitting device according to the first embodiment. 第１実施形態に係る発光素子のリードフレームの変形例を示す斜視図である。It is a perspective view showing a modification of the lead frame of the light emitting element concerning a 1st embodiment. 本発明の第２実施形態に係る発光素子の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a light emitting device according to a second embodiment of the invention. 本発明の第３実施形態に係る発光素子の断面図である。It is a sectional view of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention. 第３実施形態に係る発光素子のリードフレームの斜視図である。It is a perspective view of the lead frame of the light emitting element concerning 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る発光素子のリードフレームの変形例を示す斜視図である。It is a perspective view showing the modification of the lead frame of the light emitting element concerning a 3rd embodiment. 本発明の第４実施形態に係る発光素子の断面図である。It is a sectional view of a light emitting element according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第５実施形態に係る発光素子の断面図である。It is a sectional view of a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention. 第５実施形態に係る発光素子で用いられるリードフレームの平面図である。FIG. 15 is a plan view of a lead frame used in a light emitting device according to a fifth embodiment. 第５実施形態に係る発光素子の製造過程中の一段階を示す平面図である。It is a top view showing one step in the manufacturing process of the light emitting element concerning a 5th embodiment. 第５実施形態に係る発光素子の断面図で、図１１のＡ−Ａ線を切断ラインとしたときのものである。FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth embodiment, taken along line AA of FIG. 11 as a cutting line. 第５実施形態に係る発光素子の断面図で、図１１のＢ−Ｂ線を切断ラインとしたときのものである。FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth embodiment, taken along line BB of FIG. 11 as a cutting line. 第５実施形態に係る発光素子の製造過程中の一段階を示す平面図で、図１１よりさらに進んだ段階におけるものである。FIG. 13 is a plan view illustrating a step in the process of manufacturing the light-emitting element according to the fifth embodiment, which is a step further advanced than FIG. 11. 第５実施形態に係る発光素子の断面図で、図１４のＣ−Ｃ線を切断ラインとしたときのものである。FIG. 14 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth embodiment, taken along line CC of FIG. 14 as a cutting line. 第５実施形態に係る発光素子の断面図で、図１４のＤ−Ｄ線を切断ラインとしたときのものである。FIG. 14 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth embodiment, taken along line DD in FIG. 14 as a cutting line.

符号の説明Explanation of reference numerals

　１　枠体
　・　側壁
　６　空間部
　７　第１リードフレーム
　８　第２リードフレーム
　９、１０　立ち上がり部
　１１　発光チップ REFERENCE SIGNS LIST 1 frame body / side wall 6 space portion 7 first lead frame 8 second lead frame 9, 10 rising portion 11 light emitting chip

Claims (6)

　絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、前記リードフレームは、前記発光チップを固定する第１リードフレームと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第２リードフレームとを含み、前記第１リードフレームには、その両側辺を折り曲げることにより前記枠体の側壁内部に位置する立ち上がり部が形成されていることを特徴とする発光素子。 A box-shaped frame body formed of an insulating material and having a space inside, a lead frame formed of a conductive material and fixed to the frame body, and a light emitting chip fixed to the lead frame, The lead frame includes a first lead frame for fixing the light emitting chip, and a second lead frame for connecting the light emitting chip by wire bonding. The first lead frame is formed by bending both sides thereof. A light emitting device, wherein a rising portion located inside a side wall of a body is formed. 　絶縁材料により形成され、内側に空間部を有し、その空間部を四方の側壁によって囲む箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、リードフレームは、前記発光チップを固定する第１リードフレームと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第２リードフレームとを含み、前記第１リードフレームには、前記枠体の少なくとも三方の側壁の内壁面に沿った立ち上がり部が形成され、前記第２リードフレームには、前記第１リードフレームの立ち上がり部によって覆われた側壁以外の側壁を覆う立ち上がり部が形成されたことを特徴とする発光素子。 A box-shaped frame body formed of an insulating material, having a space inside, and surrounding the space with four side walls; a lead frame formed of a conductive material and fixed to the frame; A light emitting chip fixed to the light emitting chip, the lead frame includes a first lead frame for fixing the light emitting chip, and a second lead frame for connecting the light emitting chip by wire bonding, wherein the first lead frame includes A rising portion is formed along the inner wall surfaces of at least three side walls of the frame, and the second lead frame has a rising portion covering a side wall other than the side wall covered by the rising portion of the first lead frame. A light emitting element formed. 　絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されて前記空間部に臨む第１リードフレーム及び第２リードフレームと、前記第１リードフレームに固定される発光チップとを備え、前記第１リードフレームには、前記空間部を囲む四方の側壁のうち、対向する２側壁にわたって延在する立ち上がり部を形成するとともに、前記第２リードフレームは前記第１リードフレームと上下方向に間隔を置いて重なるものとし、この第２リードフレームに前記発光チップをワイヤボンディングで接続したことを特徴とする発光素子。 A box-shaped frame formed of an insulating material and having a space inside, a first lead frame and a second lead frame formed of a conductive material and fixed to the frame and facing the space; A light-emitting chip fixed to one lead frame, wherein the first lead frame has a rising portion extending over two opposing side walls among four side walls surrounding the space, and A light emitting device, wherein a lead frame overlaps the first lead frame at an interval in a vertical direction, and the light emitting chip is connected to the second lead frame by wire bonding. 　絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、前記リードフレームは、前記発光チップを固定する第１リードと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第２リードとを含み、前記空間部の内周面に、前記第１リード及び第２リードから小間隔を置いて、第１リード及び第２リードを短絡することのないように固定された金属製反射枠とを備えたことを特徴とする発光素子。 A box-shaped frame body formed of an insulating material and having a space inside, a lead frame formed of a conductive material and fixed to the frame body, and a light emitting chip fixed to the lead frame, The lead frame includes a first lead for fixing the light emitting chip, and a second lead for connecting the light emitting chip by wire bonding, and a small lead from the first lead and the second lead on the inner peripheral surface of the space. A light-emitting device comprising: a metal reflection frame fixed at intervals so as not to short-circuit the first lead and the second lead. 　前記空間部の中に複数の発光チップを配置し、前記第１リードと第２リードも発光チップと同数ずつ配置するものとしたことを特徴とする請求項４に記載の発光素子。 5. The light emitting device according to claim 4, wherein a plurality of light emitting chips are arranged in the space, and the first leads and the second leads are arranged by the same number as the light emitting chips. 　前記枠体の外底面にリード受け入れ用の凹部を形成し、この凹部の中に、前記第１リードと第２リードの枠体外突き出し部分を曲げ込むものとした請求項４又は５に記載の発光素子。 The light emitting device according to claim 4, wherein a recess for receiving a lead is formed on an outer bottom surface of the frame, and the protruding portions of the first lead and the second lead outside the frame are bent into the recess. element.
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Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006134992A (en) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd Light source unit, lighting system using it and display device using lighting system
JP2008053726A (en) * 2006-08-23 2008-03-06 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting diode package
JP2008140792A (en) * 2006-11-29 2008-06-19 Fujitsu Ltd Electronic component and its manufacturing process, electronic component assembly and electronic device
JP2008166332A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Hitachi Cable Precision Co Ltd Lead frame for light-emitting element mounting package and its manufacturing method
JP2009176962A (en) * 2008-01-24 2009-08-06 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting device
JP2010021259A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp Optical semiconductor device
KR20100063591A (en) * 2008-12-03 2010-06-11 서울반도체 주식회사 Light emitting diode and backlight unit having the same
JP2010525569A (en) * 2007-04-19 2010-07-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting device package and light unit including the same
JP2012049348A (en) * 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp Light emitting device
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
KR20140074367A (en) * 2011-09-29 2014-06-17 오스람 게엠베하 Optoelectronic semiconductor component
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
JP2014533886A (en) * 2011-11-21 2014-12-15 李栄宝 Line type LED
US9035439B2 (en) 2006-03-28 2015-05-19 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
EP2372794A3 (en) * 2010-04-01 2015-12-23 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device, display device and lighting system having the same
KR101670968B1 (en) * 2010-01-07 2016-10-31 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9722158B2 (en) 2009-01-14 2017-08-01 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Aligned multiple emitter package
JP2018056535A (en) * 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JP2018093197A (en) * 2016-12-01 2018-06-14 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Light emitting device
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP2019079937A (en) * 2017-10-25 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 Light emitting device, package, and method for manufacturing them
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677604A (en) * 1992-08-26 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor laser device
JPH1070306A (en) * 1996-08-27 1998-03-10 Sharp Corp Optically coupled relay device
JP2000174350A (en) * 1998-12-10 2000-06-23 Toshiba Corp Optical semiconductor module
JP2002252373A (en) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd Surface-mounted type light-emitting element and light emission device using the same
JP2003152228A (en) * 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Led case and led light emitting body
JP2004063494A (en) * 2002-07-24 2004-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd Light emitting device and its manufacturing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677604A (en) * 1992-08-26 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor laser device
JPH1070306A (en) * 1996-08-27 1998-03-10 Sharp Corp Optically coupled relay device
JP2000174350A (en) * 1998-12-10 2000-06-23 Toshiba Corp Optical semiconductor module
JP2002252373A (en) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd Surface-mounted type light-emitting element and light emission device using the same
JP2003152228A (en) * 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Led case and led light emitting body
JP2004063494A (en) * 2002-07-24 2004-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd Light emitting device and its manufacturing method

Cited By (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006134992A (en) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd Light source unit, lighting system using it and display device using lighting system
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US9035439B2 (en) 2006-03-28 2015-05-19 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
JP2008053726A (en) * 2006-08-23 2008-03-06 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting diode package
US7999280B2 (en) 2006-08-23 2011-08-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface
JP2008140792A (en) * 2006-11-29 2008-06-19 Fujitsu Ltd Electronic component and its manufacturing process, electronic component assembly and electronic device
JP2008166332A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Hitachi Cable Precision Co Ltd Lead frame for light-emitting element mounting package and its manufacturing method
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9018644B2 (en) 2007-04-19 2015-04-28 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US8994038B2 (en) 2007-04-19 2015-03-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US8299474B2 (en) 2007-04-19 2012-10-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US8536586B2 (en) 2007-04-19 2013-09-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US9666775B2 (en) 2007-04-19 2017-05-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
JP2012109612A (en) * 2007-04-19 2012-06-07 Lg Innotek Co Ltd Semiconductor diode package and method for manufacturing the same
US8692262B2 (en) 2007-04-19 2014-04-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US9559275B2 (en) 2007-04-19 2017-01-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
JP2010525569A (en) * 2007-04-19 2010-07-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting device package and light unit including the same
JP2017011307A (en) * 2007-04-19 2017-01-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting device package
US9252347B2 (en) 2007-04-19 2016-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
JP2012109611A (en) * 2007-04-19 2012-06-07 Lg Innotek Co Ltd Semiconductor diode package and method for manufacturing the same
US8890176B2 (en) 2007-04-19 2014-11-18 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US11791442B2 (en) 2007-10-31 2023-10-17 Creeled, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US10892383B2 (en) 2007-10-31 2021-01-12 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP2009176962A (en) * 2008-01-24 2009-08-06 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting device
JP2010021259A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp Optical semiconductor device
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
KR20100063591A (en) * 2008-12-03 2010-06-11 서울반도체 주식회사 Light emitting diode and backlight unit having the same
KR101586023B1 (en) 2008-12-03 2016-01-18 서울반도체 주식회사 Light emitting diode and backlight unit having the same
US9722158B2 (en) 2009-01-14 2017-08-01 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Aligned multiple emitter package
KR101670968B1 (en) * 2010-01-07 2016-10-31 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package
EP2372794A3 (en) * 2010-04-01 2015-12-23 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device, display device and lighting system having the same
JP2012049348A (en) * 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp Light emitting device
US9437792B2 (en) 2011-09-29 2016-09-06 Osram Gmbh Optoelectronic semiconductor component
KR20140074367A (en) * 2011-09-29 2014-06-17 오스람 게엠베하 Optoelectronic semiconductor component
KR101588617B1 (en) 2011-09-29 2016-01-26 오스람 게엠베하 Optoelectronic semiconductor component
JP2014533886A (en) * 2011-11-21 2014-12-15 李栄宝 Line type LED
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US10121949B2 (en) 2016-09-30 2018-11-06 Nichia Corporation Light emitting device
JP2018056535A (en) * 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JP2018093197A (en) * 2016-12-01 2018-06-14 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Light emitting device
KR20200067977A (en) * 2016-12-01 2020-06-15 에피스타 코포레이션 Light-emitting device
JP7079599B2 (en) 2016-12-01 2022-06-02 晶元光電股▲ふん▼有限公司 Light emitting device
KR102506250B1 (en) 2016-12-01 2023-03-03 에피스타 코포레이션 Light-emitting device
JP7140956B2 (en) 2017-10-25 2022-09-22 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device, package and manufacturing method thereof
JP2019079937A (en) * 2017-10-25 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 Light emitting device, package, and method for manufacturing them

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