KR20100063591A - Light emitting diode and backlight unit having the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode and a backlight unit are provided to control a corrosion and discoloration with maintaining a high reflectivity by forming a protective layer with thing thickness formed into gold or a titanium on a reflective layer formed into a silver or an aluminum. CONSTITUTION: A lead frame(120) includes a base metal layer(120a), a reflective layer(120b) and a protective layer(120c). The reflective layer is formed on the surface of the base metal layer. The protective layer is formed into a metal on the surface of the reflecting layer. The lead frame includes a first lead terminal and a second lead terminal which electrically is separated each other. The reflecting layer includes one selected among a silver and an aluminum. The protective layer includes one selected among a gold and a titanium.

Description

발광 다이오드 및 이를 갖는 백라이트 유닛{LIGHT EMITTING DIODE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}LIGHT EMITTING DIODE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}

본 발명은 발광 다이오드 및 이를 갖는 백라이트 유닛에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고반사율 및 고신뢰성을 갖는 리드 프레임을 통해 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 이를 갖는 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode and a backlight unit having the same, and more particularly, to a light emitting diode and a backlight unit having the same can be improved through a lead frame having a high reflectance and high reliability.

일반적으로, 발광 다이오드(light emitting diode ; LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기 신호를 빛으로 변환시켜 출력하는데 사용되는 반도체 소자의 일종으로 발광 효율이 높고, 수명이 길고, 소비전력이 낮으며, 친환경적이라는 많은 장점들을 가지고 있어 발광 다이오드를 사용하는 기술 분야가 점점 증가하고 있는 추세이다.In general, a light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device used to convert an electrical signal into light by using the characteristics of a compound semiconductor, and has high luminous efficiency, long life, and low power consumption. In addition, the technology field using light emitting diodes is increasing due to many advantages of being environmentally friendly.

이러한 발광 다이오드는 통상 발광 칩이 리드 프레임에 탑재된 패키지의 구조로 제작되며, 리드 프레임을 통해 외부로부터 인가되는 전원에 반응하여 발광 칩이 발광 동작을 수행하도록 구성된다.Such a light emitting diode is typically manufactured in a package structure in which a light emitting chip is mounted on a lead frame, and is configured to perform the light emitting operation of the light emitting chip in response to power applied from the outside through the lead frame.

종래의 발광 다이오드는 반사율을 높이기 위하여 은 도금된 리드 프레임을 주로 사용하였으나, 은 도금된 리드 프레임은 습기나 열에 취약하여 장시간 구동시 부식이나 변색 등에 의한 광도 저하 및 수명 저하가 발생되는 문제가 있다. 또한, 부식 문제를 개선하기 위하여 은 도금 대신 금 도금한 리드 프레임이 개발되었으나, 금의 반사율이 매우 낮아 발광 다이오드의 광 효율을 떨어뜨리는 문제가 발생된다.Conventional light emitting diodes mainly use a silver plated lead frame to increase reflectance, but the silver plated lead frame is vulnerable to moisture or heat, which causes problems such as deterioration of brightness and lifespan due to corrosion or discoloration when driving for a long time. In addition, in order to improve the corrosion problem, a gold-plated lead frame has been developed in place of silver plating, but a low reflectance of gold causes a problem of lowering light efficiency of the light emitting diode.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 높은 반사율을 유지하면서 부식에 강한 리드 프레임을 제공한다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and the present invention provides a lead frame resistant to corrosion while maintaining a high reflectance.

또한, 본 발명은 상기한 리드 프레임을 사용하여 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공한다.In addition, the present invention provides a light emitting diode that can improve the light emitting efficiency by using the above-described lead frame.

또한, 본 발명은 상기한 발광 다이오드를 갖는 백라이트 유닛을 제공한다.In addition, the present invention provides a backlight unit having the light emitting diode described above.

본 발명의 일 특징에 따른 리드 프레임은 베이스 금속층, 상기 베이스 금속층의 표면 상에 형성된 반사층 및 상기 반사층의 표면 상에 금속으로 형성된 보호층을 포함한다. 상기 반사층은 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 어느 하나를 포함한다. 상기 보호층은 금(Au), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti) 중에서 선택된 어느 하나를 포함한다.A lead frame according to an aspect of the present invention includes a base metal layer, a reflective layer formed on the surface of the base metal layer, and a protective layer formed of metal on the surface of the reflective layer. The reflective layer includes any one selected from silver (Ag) and aluminum (Al). The protective layer includes any one selected from gold (Au), nickel (Ni), and titanium (Ti).

상기 보호층이 금으로 형성된 경우, 상기 보호층은 600㎚ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 보호층이 니켈 또는 티타늄으로 형성된 경우, 상기 보호층은 20㎚ 이하의 두께로 형성될 수 있다.When the protective layer is formed of gold, the protective layer may be formed to a thickness of 600 nm or less. When the protective layer is formed of nickel or titanium, the protective layer may be formed to a thickness of 20nm or less.

상기 리드 프레임은 상기 베이스 금속층과 상기 반사층 사이에 형성된 니켈층을 더 포함할 수 있다.The lead frame may further include a nickel layer formed between the base metal layer and the reflective layer.

본 발명의 일 특징에 따른 발광 다이오드는 광을 발생시키는 발광 칩, 상기 발광 칩이 실장되는 금속 부재 및 상기 금속 부재와 결합되어 상기 금속 부재를 고 정시키며, 상기 발광 칩 및 상기 금속 부재의 적어도 일부를 노출시키는 개구부가 형성된 하우징을 포함한다. 상기 금속 부재는 베이스 금속층, 상기 베이스 금속층의 표면 상에 형성된 반사층 및 상기 반사층의 표면 상에 금속으로 형성된 보호층을 포함한다. 상기 반사층은 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층은 금(Au), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti) 중에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층이 금으로 형성된 경우, 상기 보호층은 600㎚ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 보호층이 니켈 또는 티타늄으로 형성된 경우, 상기 보호층은 20㎚ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 금속 부재는 상기 베이스 금속층과 상기 반사층 사이에 형성된 니켈층을 더 포함할 수 있다.A light emitting diode according to an aspect of the present invention may be coupled to a light emitting chip that generates light, a metal member on which the light emitting chip is mounted, and the metal member to fix the metal member, and at least part of the light emitting chip and the metal member. It includes a housing formed with an opening to expose the. The metal member includes a base metal layer, a reflective layer formed on the surface of the base metal layer, and a protective layer formed of metal on the surface of the reflective layer. The reflective layer may include any one selected from silver (Ag) and aluminum (Al). The protective layer may include any one selected from gold (Au), nickel (Ni), and titanium (Ti). When the protective layer is formed of gold, the protective layer may be formed to a thickness of 600 nm or less. When the protective layer is formed of nickel or titanium, the protective layer may be formed to a thickness of 20nm or less. The metal member may further include a nickel layer formed between the base metal layer and the reflective layer.

일 실시예로, 상기 금속 부재는 상기 발광 칩에서 발생된 열을 방출하기 위한 슬러그로 이루어진다. 이때, 상기 발광 다이오드는 상기 발광 칩에 전원을 인가하기 위한 리드 프레임을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the metal member is composed of slugs for dissipating heat generated from the light emitting chip. In this case, the light emitting diode may further include a lead frame for applying power to the light emitting chip.

다른 실시예로, 상기 금속 부재는 상기 발광 칩에 전원을 인가하기 위한 리드 프레임로 이루어진다. In another embodiment, the metal member is formed of a lead frame for applying power to the light emitting chip.

일 예로, 상기 리드 프레임은, 상기 발광 칩이 실장되는 칩 실장부 및 상기 칩 실장부에서 절곡되어 형성된 적어도 하나의 반사면을 포함하는 제1 리드단자, 및 상기 제1 리드단자로부터 이격된 제2 리드단자를 포함한다. 상기 제1 리드단자는 상기 칩 실장부로부터 절곡되어 형성된 단차부 및 상기 칩 실장부와 상기 단차부 사이에서 상기 반사면을 형성하는 제1 경사면을 포함할 수 있다. 상기 제1 리드단자는 상기 칩 실장부로부터 절곡되어 형성되고, 상기 제1 경사면에 대향하여 위치하는 제2 경사면을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 리드단자는 상기 칩 실장부로부터 절곡되어 형성되고, 상기 제1 및 제2 경사면들과 인접하는 제3 및 제4 경사면을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 리드단자는 상기 칩 실장부에서 상측으로 대향되게 절곡되어 상기 반사면을 형성하는 제1 날개부들을 포함할 수 있다. 상기 제2 리드단자는 와이어 본딩부 및 상기 와이어 본딩부에서 상측으로 대향되게 절곡되어 상기 제1 날개부들과 나란하게 배치되는 제2 날개부들을 포함할 수 있다. 상기 제1 날개부들 및 상기 제2 날개부들 중 적어도 하나는 상기 칩 실장부 및 상기 와이어 본딩부로부터 멀어질수록 폭이 넓어지는 형성될 수 있다. 상기 하우징은 상기 제1 날개부들 및 상기 제2 날개부들의 바깥면을 덮도록 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1 날개부들 및 상기 제2 날개부들의 바깥면 중 적어도 일부는 외부에 노출될 수 있다.For example, the lead frame may include a first lead terminal including a chip mounting portion on which the light emitting chip is mounted and at least one reflective surface formed by bending the chip mounting portion, and a second spaced apart from the first lead terminal. It includes a lead terminal. The first lead terminal may include a stepped part bent from the chip mounting part and a first inclined surface forming the reflective surface between the chip mounting part and the stepped part. The first lead terminal may further include a second inclined surface that is bent from the chip mounting portion and positioned to face the first inclined surface. The first lead terminal may be bent from the chip mounting part, and further include third and fourth inclined surfaces adjacent to the first and second inclined surfaces. In addition, the first lead terminal may include first wing portions that are bent upward from the chip mounting portion to form the reflective surface. The second lead terminal may include a wire bonding part and second wing parts bent to face upward from the wire bonding part and disposed in parallel with the first wing parts. At least one of the first wing parts and the second wing parts may be formed to be wider as it moves away from the chip mounting part and the wire bonding part. The housing may be formed to cover outer surfaces of the first wings and the second wings. Meanwhile, at least some of the outer surfaces of the first wings and the second wings may be exposed to the outside.

다른 예로, 상기 리드 프레임은 상기 발광 칩이 실장되는 칩 실장부, 상기 칩 실장부로부터 상기 하우징의 외부로 연장되는 제1 외부 리드부 및 상기 칩 실장부에서 연장된 제1 날개부를 포함하는 제1 리드단자와, 상기 제1 리드단자와 이격되며, 와이어 본딩부, 상기 와이어 본딩부로부터 상기 하우징의 외부로 연장되는 제2 외부 리드부 및 상기 와이어 본딩부에서 연장된 제2 날개부를 포함하는 제2 리드단자를 포함할 수 있다. 상기 제1 날개부 및 상기 제2 날개부는 상기 칩 실장부 및 상기 와이어 본딩부로부터 각각 절곡되어 상기 칩 실장부의 양측에 각각 배치된다. 상기 제1 날개부는 상기 제2 리드단자의 상기 와이어 본딩부의 측면으로 연장되게 형성될 수 있다. 상기 제1 날개부 및 상기 제2 날개부 중 적어도 하나는 상 기 칩 실장부로부터 멀어질수록 폭이 넓어지게 형성될 수 있다. 상기 하우징은 상기 제1 날개부 및 상기 제2 날개부의 바깥면을 덮도록 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1 날개부 및 상기 제2 날개부의 바깥면 중 적어도 일부는 외부에 노출되게 형성될 수 있다.As another example, the lead frame may include a chip mounting part in which the light emitting chip is mounted, a first external lead part extending from the chip mounting part to the outside of the housing, and a first wing part extending from the chip mounting part. A second terminal including a lead terminal, spaced apart from the first lead terminal, a wire bonding portion, a second outer lead portion extending out of the housing from the wire bonding portion, and a second wing portion extending from the wire bonding portion; It may include a lead terminal. The first wing portion and the second wing portion are bent from the chip mounting portion and the wire bonding portion, respectively, and disposed on both sides of the chip mounting portion. The first wing portion may be formed to extend to the side of the wire bonding portion of the second lead terminal. At least one of the first wing portion and the second wing portion may be formed to be wider as it moves away from the chip mounting portion. The housing may be formed to cover outer surfaces of the first wing part and the second wing part. On the other hand, at least some of the outer surface of the first wing and the second wing may be formed to be exposed to the outside.

또 다른 예로, 상기 리드 프레임은 서로 이웃하는 함몰부들을 구비하되, 상기 함몰부들이 상기 발광 칩이 실장되는 하나의 컵을 형성하는 제1 리드단자 및 제2 리드단자를 포함한다. 상기 제1 리드단자 및 상기 제2 리드단자는 상기 함몰부들 각각으로부터 상기 하우징의 외측으로 연장된 날개부들을 포함한다. 상기 제1 리드단자 및 상기 제2 리드단자는 상기 함몰부의 바닥면으로부터 경사지게 연장되어 상기 날개부와 연결되는 경사면을 포함할 수 있다. As another example, the lead frame includes recesses adjacent to each other, and the recesses include a first lead terminal and a second lead terminal forming one cup on which the light emitting chip is mounted. The first lead terminal and the second lead terminal include wing portions extending from the recesses to the outside of the housing. The first lead terminal and the second lead terminal may include an inclined surface extending inclined from the bottom surface of the recessed portion and connected to the wing portion.

상기 발광 다이오드는 상기 하우징의 개구부의 내벽에 형성되는 리플렉터를 더 포함할 수 있다. 상기 리플렉터는 상기 금속 부재와 동일한 재질로 형성된다. 상기 리플렉터는 상기 하우징의 개구부의 내측면에 면하여 위치하는 중공형의 반사부 및 상기 반사부로부터 연장되어 상기 하우징의 외부에 노출되는 방열부를 포함할 수 있다.The light emitting diode may further include a reflector formed on an inner wall of the opening of the housing. The reflector is formed of the same material as the metal member. The reflector may include a hollow reflective part positioned to face an inner surface of the opening of the housing and a heat radiating part extending from the reflective part and exposed to the outside of the housing.

상기 하우징은 와이어 본딩 영역을 노출시키기 위하여 상기 개구부와 인접한 영역의 일부가 함입되도록 형성된 적어도 하나의 절개부를 포함할 수 있다.The housing may include at least one cutout formed to enclose a portion of the area adjacent to the opening to expose the wire bonding area.

상기 발광 다이오드는 상기 발광 칩을 덮도록 상기 하우징의 개구부 내에 채워지며, 상기 발광 칩에서 발생되는 광의 적어도 일부를 다른 파장의 광으로 변환시키기 위한 형광체를 포함하는 봉지제를 더 포함할 수 있다.The light emitting diode may further include an encapsulant filled in an opening of the housing to cover the light emitting chip, and including a phosphor for converting at least a portion of the light generated from the light emitting chip into light having a different wavelength.

백색 광을 구현하기 위하여, 상기 발광 칩은 청색 광을 발생시키는 청색 칩을 포함하며, 상기 형광체는 상기 청색 칩으로부터 발생된 청색 광의 적어도 일부를 황색 광으로 변환시키는 황색 형광체를 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 발광 칩은 청색 광을 발생시키는 청색 칩을 포함하며, 상기 형광체는 상기 청색 칩으로부터 발생된 청색 광의 적어도 일부를 적색 광 및 녹색 광으로 각각 변환시키는 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 발광 칩은 청색 광을 발생시키는 청색 칩 및 적색 광을 발생시키는 적색 칩을 포함하며, 상기 형광체는 상기 청색 칩 및 상기 적색 칩으로부터 발생된 청색 광 및 적색 광의 적어도 일부를 녹색 광으로 변환시키는 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 발광 칩은 청색 광을 발생시키는 청색 칩 및 녹색 광을 발생시키는 녹색 칩을 포함하며, 상기 형광체는 상기 청색 칩 및 상기 녹색 칩으로부터 발생된 청색 광 및 녹색 광의 적어도 일부를 적색 광으로 변환시키는 적색 형광체를 포함할 수 있다.In order to implement white light, the light emitting chip may include a blue chip that generates blue light, and the phosphor may include a yellow phosphor that converts at least a portion of the blue light generated from the blue chip into yellow light. Alternatively, the light emitting chip may include a blue chip generating blue light, and the phosphor may include a red phosphor and a green phosphor converting at least a portion of the blue light generated from the blue chip into red light and green light, respectively. have. The light emitting chip may include a blue chip for generating blue light and a red chip for generating red light, and the phosphor converts at least a portion of the blue light and the red light generated from the blue chip and the red chip into green light. It may include a green phosphor. Furthermore, the light emitting chip includes a blue chip for generating blue light and a green chip for generating green light, and the phosphor converts at least a portion of the blue and green light generated from the blue chip and the green chip into red light. It may comprise a red phosphor.

본 발명의 일 특징에 따른 백라이트 유닛은 도광판 및 상기 도광판의 측면에 배치되어 상기 도광판에 광을 공급하는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함한다. 상기 발광 다이오드는 리드 프레임 및 발광 칩을 포함한다. 상기 리드 프레임은 베이스 금속층, 상기 베이스 금속층의 표면 상에 형성된 반사층 및 상기 반사층의 표면 상에 금속으로 형성된 보호층을 포함한다. 상기 발광 칩은 상기 리드 프레임에 실장되며, 상기 리드 프레임을 통해 인가되는 전원에 반응하여 광을 발생시킨다. 상기 반사층은 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 어느 하나를 포함한다. 상기 보호층은 금(Au), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti) 중에서 선택된 어느 하나를 포함한 다. The backlight unit according to an aspect of the present invention includes a light guide plate and at least one light emitting diode disposed on a side of the light guide plate to supply light to the light guide plate. The light emitting diode includes a lead frame and a light emitting chip. The lead frame includes a base metal layer, a reflective layer formed on the surface of the base metal layer, and a protective layer formed of metal on the surface of the reflective layer. The light emitting chip is mounted on the lead frame, and generates light in response to a power applied through the lead frame. The reflective layer includes any one selected from silver (Ag) and aluminum (Al). The protective layer includes any one selected from gold (Au), nickel (Ni), and titanium (Ti).

이와 같은 리드 프레임, 발광 다이오드 및 이를 갖는 백라이트 유닛에 따르면, 발광 다이오드 패키지에 사용되는 금속 재질의 리드 프레임, 슬러그 또는 리플렉터 등을 사용함에 있어서, 은 또는 알루미늄으로 형성된 반사층 상에 금, 니켈 또는 티타늄으로 형성된 보호층을 얇은 두께로 형성함으로써, 반사율을 일정 수준 이상으로 유지하면서 부식 및 변색 등의 불량 발생을 억제할 수 있다.According to such a lead frame, a light emitting diode, and a backlight unit having the same, in using a lead frame, a slug or a reflector made of a metal used in a light emitting diode package, a gold, nickel or titanium is formed on a reflective layer formed of silver or aluminum. By forming the formed protective layer to a thin thickness, the occurrence of defects such as corrosion and discoloration can be suppressed while maintaining the reflectance at a predetermined level or more.

상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. The above-described features and effects of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, and thus, those skilled in the art to which the present invention pertains may easily implement the technical idea of the present invention. Could be. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and that one or more other features It should be understood that it does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시에에 따른 발광 다이오드를 나타낸 평면도이며, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 리드 프레임을 구체적으로 나타낸 확대도이다.1 is a plan view illustrating a light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1, and FIG. 3 specifically illustrates the lead frame illustrated in FIG. 2. It is an enlarged view.

도 1은 본 발명의 일 실시에에 따른 발광 다이오드를 나타낸 평면도이며, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 리드 프레임을 구체적으로 나타낸 확대도이다.1 is a plan view illustrating a light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1, and FIG. 3 specifically illustrates the lead frame illustrated in FIG. 2. It is an enlarged view.

도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(100)는 발광 칩(110), 발광 칩(110)이 실장되는 금속 부재(120) 및 금속 부재(120)와 결합되어 금속 부재(120)를 고정시키는 하우징(130)을 포함한다. 또한, 발광 다이오드(100)는 발광 칩(110)과 금속 부재(120)를 전기적으로 연결하기 위한 제1 및 제2 도전성 와이어(140, 150)와 하우징(130)의 개구부(132) 내에 채워지는 봉지제(160)를 더 포함할 수 있다.1, 2, and 3, the light emitting diode 100 according to an embodiment of the present invention includes a light emitting chip 110, a metal member 120 and a metal member 120 on which the light emitting chip 110 is mounted. ) Is coupled to the housing 130 to fix the metal member 120. In addition, the light emitting diode 100 is filled in the openings 132 of the first and second conductive wires 140 and 150 and the housing 130 for electrically connecting the light emitting chip 110 and the metal member 120. It may further include an encapsulant 160.

본 실시예에서, 발광 칩(110)이 실장되는 금속 부재(120)는 발광 칩(110)에 전원을 인가하기 위한 리드 프레임으로 구성된다. 설명의 편의를 위해, 리드 프레임에 금속 부재(120)와 동일한 도면 부호를 붙여 설명한다.In the present embodiment, the metal member 120 on which the light emitting chip 110 is mounted is configured as a lead frame for applying power to the light emitting chip 110. For convenience of description, the same reference numerals as the metal member 120 are attached to the lead frame.

리드 프레임(120)은 발광 칩(110)을 지지하며, 발광 칩(110)의 발광에 필요한 전원을 외부로부터 인가받아 발광 칩(110)에 공급한다. The lead frame 120 supports the light emitting chip 110, and receives power from the outside to supply the light emitting chip 110 to the light emitting chip 110.

리드 프레임(120)은 소정 간격으로 이격되어 전기적으로 서로 분리된 제1 리드단자(122) 및 제2 리드단자(124)를 포함할 수 있다. 발광 칩(110)은 예를 들어, 제1 리드단자(122)에 실장된다. The lead frame 120 may include a first lead terminal 122 and a second lead terminal 124 spaced apart at predetermined intervals and electrically separated from each other. The light emitting chip 110 is mounted on, for example, the first lead terminal 122.

제1 리드단자(122)는 제1 도전성 와이어(140)를 통하여 발광 칩(110)과 전기적으로 연결되며, 제2 리드단자(124)는 제2 도전성 와이어(150)를 통하여 발광 칩(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 한편, 제1 리드단자(122)는 도전성 접착제를 통하여 발광 칩(110)의 하부면과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 리드단자(210) 및 제2 리드단자(220)의 일부분은 외부의 회로기판과의 전기적 연결을 위하여 하우징(130)의 외부로 노출된다.The first lead terminal 122 is electrically connected to the light emitting chip 110 through the first conductive wire 140, and the second lead terminal 124 is electrically connected to the light emitting chip 110 through the second conductive wire 150. And can be electrically connected. Meanwhile, the first lead terminal 122 may be electrically connected to the lower surface of the light emitting chip 110 through the conductive adhesive. Portions of the first lead terminal 210 and the second lead terminal 220 are exposed to the outside of the housing 130 for electrical connection with an external circuit board.

리드 프레임(120)은 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 금속층(120a), 베이스 금속층(120a)의 표면 상에 형성된 반사층(120b) 및 반사층(120b)의 표면 상에 금속으로 형성된 보호층(120c)을 포함한다. As shown in FIG. 3, the lead frame 120 includes the base metal layer 120a, the reflective layer 120b formed on the surface of the base metal layer 120a, and the protective layer 120c formed of metal on the surface of the reflective layer 120b. ).

베이스 금속층(120a)은 전도성과 가공성이 우수한 금속으로 형성된다. 예를 들어, 베이스 금속층(120a)은 구리(Cu), 또는 구리에 아연(Zn) 또는 철(Fe) 등이 혼합된 구리 합금으로 형성된다. 베이스 금속층(120a)은 예를 들어, 약 0.1 ~ 1.0㎜의 두께로 형성된다.The base metal layer 120a is formed of a metal having excellent conductivity and workability. For example, the base metal layer 120a is formed of copper (Cu) or a copper alloy in which zinc (Zn) or iron (Fe) is mixed with copper. The base metal layer 120a is formed to have a thickness of, for example, about 0.1 to 1.0 mm.

반사층(120b)은 리드 프레임(120)의 반사율을 높이기 위하여, 베이스 금속층(120a)의 표면 상에 반사율이 높은 금속으로 형성된다. 예를 들어, 반사층(120b)은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 형성된다. 반사층(120b)은 도금 등의 방법을 통해 베이스 금속층(120a)의 표면 상에 형성될 수 있다. 반사층(120b)의 두께가 두꺼울수록 반사율은 높아지나 재료비가 증가될 수 있으므로, 반사율과 재료비를 고려하여 적정한 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 반사층(120b)은 베이스 금속층(120a)의 표면 상에 약 1 ~ 50㎛의 두께로 형성된다.The reflective layer 120b is formed of a metal having high reflectance on the surface of the base metal layer 120a in order to increase the reflectance of the lead frame 120. For example, the reflective layer 120b is formed of silver (Ag) or aluminum (Al). The reflective layer 120b may be formed on the surface of the base metal layer 120a through a plating method. As the thickness of the reflective layer 120b is thicker, the reflectance may be increased, but the material cost may be increased. For example, the reflective layer 120b is formed on the surface of the base metal layer 120a to a thickness of about 1 to 50 μm.

보호층(120c)은 리드 프레임(120)의 부식 방지를 위하여, 반사층(120b)의 표면 상에 형성된다. 베이스 금속층(120a)의 표면에 형성된 반사층(120b)은 반사율이 높은 대신 고온, 고습에 약하여 부식 및 변색이 잘 되므로, 부식 및 변색을 방지하기 위하여 반사층(120b)의 표면 상에 보호층(120c)을 형성한다. The protective layer 120c is formed on the surface of the reflective layer 120b to prevent corrosion of the lead frame 120. Since the reflective layer 120b formed on the surface of the base metal layer 120a has high reflectance but is weak against high temperature and high humidity, and thus is easily corroded and discolored, the protective layer 120c is disposed on the surface of the reflective layer 120b to prevent corrosion and discoloration. To form.

보호층(120c)은 반사층(120b)보다 반사율은 떨어지나 확산 방지(fiffusion barrier) 특성이 우수한 금속으로 형성된다. 예를 들어, 보호층(120c)은 금(Au), 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)으로 형성된다. 금(Au), 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)으로 이루어진 보호층(120c)은 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 도금 공정을 사용하는 경우 금속 이온을 제공하는 용액을 직접 전해 도금을 하거나, 금(Au), 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti) 이온을 제공하는 전해 용액을 디메틸아민보란(DMAB) 또는 EDTA 표 준용액과 같은 환원제와 부식 방지제를 적당히 혼합하여 무전해 도금을 실시하여 금, 니켈 또는 티타늄막을 얻을 수 있다. 이와 달리, 금(Au), 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)으로 이루어진 보호층(120c)은 스퍼터링을 통해 형성될 수 있다.The protective layer 120c is formed of a metal having a lower reflectance than the reflective layer 120b but excellent in a fiffusion barrier property. For example, the protective layer 120c is formed of gold (Au), nickel (Ni), or titanium (Ti). The protective layer 120c made of gold (Au), nickel (Ni), or titanium (Ti) may be formed through a plating process. When using the plating process, electrolytic plating of a solution that provides metal ions, or an electrolytic solution that provides gold (Au), nickel (Ni), or titanium (Ti) ions is performed using dimethylamine borane (DMAB) or EDTA standards. By appropriately mixing a reducing agent such as a solution and a corrosion inhibitor, electroless plating may be performed to obtain a gold, nickel or titanium film. In contrast, the protective layer 120c made of gold (Au), nickel (Ni), or titanium (Ti) may be formed through sputtering.

보호층(120c)의 두께가 너무 두꺼울수록 반사층(120b)을 화학적 공격으로부터 보호하는 기능이 강해지지만 발광 다이오드(100)의 광도가 떨어지게 되며, 보호층(120c)의 두께가 얇을수록 광도는 증가하지만 제조가 쉽지 않으며 보호막으로서의 기능이 약화될 수 있다. 따라서, 보호층(120c)은 고 반사율과 산화 방지막으로서의 기능을 동시에 갖출 수 있는 적절한 최적 두께가 선택되는 것이 바람직하다. As the thickness of the protective layer 120c is too thick, the function of protecting the reflective layer 120b from chemical attack becomes stronger, but the brightness of the light emitting diode 100 is lowered. As the thickness of the protective layer 120c is thinner, the brightness increases. Manufacturing is not easy and the function as a protective film may be weakened. Therefore, it is preferable that the protective layer 120c is selected to have a suitable optimum thickness capable of simultaneously serving as a high reflectance and an antioxidant film.

도 4는 금으로 형성된 반사층의 두께 변화에 따른 발광 다이오드 패키지의 광 효율을 나타낸 그래프이다. 도 4에서, y축인 패키지 광 효율은 은으로 형성된 반사층 상에 금으로 형성된 보호층을 형성하지 않은 리드 프레임을 사용한 패키지의 광 효율을 100%로 가정하였을 때, 은으로 형성된 반사층 상에 금으로 형성된 보호층이 형성된 리드 프레임을 사용한 패키지의 광 효율 비율을 나타낸다. 또한, 도 4에서, 반사층의 두께는 3㎛로 고정된 상태이다.4 is a graph showing the light efficiency of the LED package according to the change in the thickness of the reflective layer formed of gold. In FIG. 4, the y-axis package light efficiency is formed of gold on the reflective layer formed of silver, assuming that the light efficiency of the package using a lead frame that does not form a protective layer formed of gold on the reflective layer formed of silver is 100%. The light efficiency ratio of the package using the lead frame in which the protective layer was formed is shown. 4, the thickness of the reflective layer is fixed at 3 mu m.

도 3 및 도 4를 참조하면, 약 3㎛ 두께의 반사층(120b) 상에 금으로 형성된 보호층(120c)을 약 2㎚ 이하의 두께로 형성하면 약 90%의 광 효율이 나왔으며, 보호층(120c)을 약 200㎚의 두께로 형성하면 약 85%의 광 효율이 나왔으며, 보호층(120c)을 약 300㎚의 두께로 형성하면 약 83%의 광 효율이 나왔으며, 보호층(120c)을 약 600㎚의 두께로 형성하면 약 75%의 광 효율이 나오는 것을 확인할 수 있었다. 반면, 보호층(120c)의 두께가 약 640㎚에서는 약 70%의 광 효율이 나 오고, 보호층(120c)의 두께가 약 700㎚에서는 약 60%의 광 효율이 나와, 보호층(120c)을 약 600㎚ 이상의 두께로 형성하면, 리드 프레임(120)의 광 효율이 원래 금의 광 효율인 60%로 급격하게 떨어지는 것을 확인할 수 있었다. 3 and 4, when the protective layer 120c formed of gold on the reflective layer 120b having a thickness of about 3 μm has a thickness of about 2 nm or less, light efficiency of about 90% was obtained. Forming (120c) at a thickness of about 200 nm yields about 85% light efficiency, and forming a protective layer (120c) at a thickness of about 300 nm yields about 83% light efficiency and a protective layer (120c). ) Was formed to a thickness of about 600nm it was confirmed that the light efficiency of about 75%. On the other hand, when the thickness of the protective layer 120c is about 640 nm, the light efficiency is about 70%, and when the thickness of the protective layer 120c is about 700 nm, the light efficiency is about 60%, and the protective layer 120c is shown. When formed to a thickness of about 600nm or more, it was confirmed that the light efficiency of the lead frame 120 drops sharply to 60%, which is the original light efficiency of gold.

따라서, 반사층(120b) 상에 형성되는 금 보호층(120c)을, 반사층(120b)의 부식을 방지할 수 있는 최소 두께인 약 0.1㎚ 이상으로 형성하고, 광 효율을 일정 수준 이상으로 유지할 수 있는 최대 두께인 약 600㎚ 이하의 두께로 형성함으로써, 반사층(120b)의 부식을 방지함과 동시에, 발광 다이오드(100)의 패키지 광 효율을 약 75% 이상으로 유지시킬 수 있다.Therefore, the gold protective layer 120c formed on the reflective layer 120b is formed at about 0.1 nm or more, which is a minimum thickness capable of preventing corrosion of the reflective layer 120b, and the light efficiency can be maintained at a predetermined level or more. By forming a thickness of about 600 nm or less, which is the maximum thickness, corrosion of the reflective layer 120b can be prevented and the package light efficiency of the light emitting diode 100 can be maintained at about 75% or more.

도 5는 니켈 또는 티타늄으로 형성된 보호층의 두께에 따른 광투과율을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing the light transmittance according to the thickness of the protective layer formed of nickel or titanium.

도 3 및 도 5를 참조하면, 보호층(120c)을 투과한 광은 반사율이 높은 반사층(120b)에서 반사되므로, 보호층(120c)의 광투과율이 높을수록 리드 프레임(120)의 반사율은 높아지게 된다. 보호층(120c)으로 사용된 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)의 두께가 증가할수록 광투과율이 떨어지는 것을 볼 수 있으나, 약 20㎚의 두께에서도 약 10% 이상의 광투과율이 나오는 것을 확인할 수 있다. 보호층(120c)의 두께가 증가할수록 리드 프레임(120)의 반사율은 떨어지는 반면 보호막 기능은 좋아지므로, 반사층(120b)의 부식 및 변색을 통한 반사율 저하에 비해서는 향상된 광 효율을 얻을 수 있다. 3 and 5, since the light transmitted through the protective layer 120c is reflected by the reflective layer 120b having a high reflectance, the higher the light transmittance of the protective layer 120c, the higher the reflectance of the lead frame 120 is. do. As the thickness of the nickel (Ni) or titanium (Ti) used as the protective layer 120c increases, the light transmittance can be seen to decrease, but the light transmittance of about 10% or more can be obtained even at a thickness of about 20 nm. As the thickness of the protective layer 120c increases, the reflectance of the lead frame 120 decreases while the function of the protective film is improved. Accordingly, the light efficiency can be improved as compared with the decrease in reflectance due to corrosion and discoloration of the reflective layer 120b.

따라서, 반사층(120b) 상에 형성되는 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)의 보호층(120c)을, 반사층(120b)의 부식을 방지할 수 있는 최소 두께인 약 0.1㎚ 이상으 로 형성하고, 광 투과율을 일정 수준 이상으로 유지할 수 있는 최대 두께인 약 20㎚ 이하의 두께로 형성함으로써, 반사층(120b)의 부식을 방지함과 동시에, 리드 프레임(120)의 광 반사율 저하를 줄일 수 있다.Therefore, the protective layer 120c of nickel (Ni) or titanium (Ti) formed on the reflective layer 120b is formed to about 0.1 nm or more, which is a minimum thickness capable of preventing corrosion of the reflective layer 120b, By forming a thickness of about 20 nm or less, which is the maximum thickness that can maintain the light transmittance above a certain level, it is possible to prevent corrosion of the reflective layer 120b and to reduce a decrease in light reflectance of the lead frame 120.

반사층(120b) 및 보호층(120c)은 리드 프레임(120)의 양면 모두에 전체적으로 형성되거나, 또는 한쪽 면이나, 필요한 부분에만 형성될 수도 있다. The reflective layer 120b and the protective layer 120c may be formed on both surfaces of the lead frame 120 as a whole, or may be formed on one side or only a necessary portion.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리드 프레임을 나타낸 도면이다. 도 6에서, 니켈층이 추가되는 것을 제외한 나머지 구성은 도 3에 도시된 것과 동일하므로, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하며, 이와 관련된 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.6 is a view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention. In FIG. 6, except that the nickel layer is added, the remaining components are the same as those shown in FIG. 3, and the same reference numerals are used for the same components, and detailed description thereof will be omitted.

도 6을 참조하면, 리드 프레임(120)은 베이스 금속층(120a)과 반사층(120b) 사이에 형성된 니켈층(120d)을 더 포함할 수 있다. 이와 같이, 반사층(120b) 아래에 니켈층(120d)을 일차적으로 형성하고, 이어서 반사층(120b) 및 금속 보호층(120c)을 차례로 형성하여도 앞선 도 3과 유사한 반사율을 얻을 수 있다. 이와 같이, 은(Ag) 등의 반사층(120b)보다 재료비가 싼 니켈층(120d)을 일차적으로 형성함으로써, 반사층(120b)의 사용량을 줄여 제조 원가를 절감시킬 수 있다.Referring to FIG. 6, the lead frame 120 may further include a nickel layer 120d formed between the base metal layer 120a and the reflective layer 120b. As described above, the nickel layer 120d may be formed below the reflective layer 120b, and then the reflective layer 120b and the metal protective layer 120c may be sequentially formed to obtain a similar reflectance as in FIG. 3. As described above, by forming the nickel layer 120d which is cheaper than the reflective layer 120b such as silver (Ag), the manufacturing cost can be reduced by reducing the amount of the reflective layer 120b used.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 칩(110)은 리드 프레임(120)에 실장되며, 리드 프레임(120)을 통해 인가되는 전원에 반응하여 광을 발생시킨다. 예를 들어, 발광 칩(110)은 제1 리드단자(122)에 실장되며, 제1 도전성 와이어(140) 및 제2 도전성 와이어(150)를 통해 제1 리드단자(122) 및 제2 리드단자(124)와 각각 전기적으로 연결된다. 발광 칩(110)은 예를 들어, 질화갈륨, 질화비소 또는 질화 인 등과 같은 반도체 물질로 제조될 수 있다. 발광 칩(110)은 그 용도에 따라 다양한 파장대의 광을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 발광 칩(110)은 청색, 적색, 황색 또는 자외선 파장대의 광을 발생시킬 수 있다.Referring back to FIGS. 1 and 2, the light emitting chip 110 is mounted on the lead frame 120 and generates light in response to a power applied through the lead frame 120. For example, the light emitting chip 110 is mounted on the first lead terminal 122, and the first lead terminal 122 and the second lead terminal through the first conductive wire 140 and the second conductive wire 150. And electrically connected to 124, respectively. The light emitting chip 110 may be made of a semiconductor material such as, for example, gallium nitride, arsenic nitride, or phosphorus nitride. The light emitting chip 110 may generate light of various wavelength bands according to its use. For example, the light emitting chip 110 may generate light in a blue, red, yellow, or ultraviolet wavelength band.

하우징(130)은 리드 프레임(120)과 결합되어 리드 프레임(120)을 고정시킨다. 즉, 하우징(130)은 제1 리드단자(122) 및 제2 리드단자(124)의 적어도 일부분을 감싸도록 형성되어 제1 리드단자(122) 및 제2 리드단자(124)를 고정시킨다. 하우징(130)은 예를 들어, 폴리프탈아미드(Polyphthalamide : PPA) 수지 등으로 형성될 수 있다.The housing 130 is coupled to the lead frame 120 to fix the lead frame 120. That is, the housing 130 is formed to surround at least a portion of the first lead terminal 122 and the second lead terminal 124 to fix the first lead terminal 122 and the second lead terminal 124. The housing 130 may be formed of, for example, polyphthalamide (PPA) resin.

하우징(130)에는 발광 칩(110) 및 발광 칩(110)이 실장된 리드 프레임(120)의 일부 영역을 노출시키기 위한 개구부(132)가 형성된다. 개구부(132)는 리드 프레임(120)과 인접한 내측으로부터 외측으로 갈수록 개구면적이 넓어지는 깔대기 형상으로 형성될 수 있다. 따라서, 개구부(132)가 형성된 하우징(130)의 내면은 일정한 각도로 기울어진 경사면으로 형성되며, 상기 내면에는 반사 물질이 형성될 수 있다.An opening 132 is formed in the housing 130 to expose a light emitting chip 110 and a portion of the lead frame 120 on which the light emitting chip 110 is mounted. The opening 132 may be formed in a funnel shape in which the opening area becomes wider from the inner side adjacent to the lead frame 120 toward the outer side. Accordingly, the inner surface of the housing 130 in which the opening 132 is formed may be formed as an inclined surface inclined at a predetermined angle, and a reflective material may be formed on the inner surface.

봉지제(160)는 발광 칩(110)을 덮도록 하우징(130)의 개구부(132) 내부에 채워진다. 봉지제(160)는 발광 칩(110)을 외부로부터 보호하기 위한 것으로, 예를 들어, 투명한 에폭시 또는 실리콘 수지로 형성된다. 한편, 봉지제(160) 내에는 발광 칩(110)으로부터 발생된 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체(162)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 봉지제(160) 내에는 적색, 녹색 및 청색 형광체들 중 어느 하나 이상이 포함되어 백색 광 등의 원하는 색상의 광을 구현할 수 있다.The encapsulant 160 is filled in the opening 132 of the housing 130 to cover the light emitting chip 110. The encapsulant 160 is for protecting the light emitting chip 110 from the outside, and is formed of, for example, a transparent epoxy or silicone resin. In the encapsulant 160, a phosphor 162 for converting a wavelength of light generated from the light emitting chip 110 may be formed. For example, the encapsulant 160 may include any one or more of red, green, and blue phosphors to implement light of a desired color such as white light.

발광 다이오드(100)는 발광 칩(110)과 형광체(162)의 조합을 통해 백색 광을 구현할 수 있다. The light emitting diode 100 may implement white light through a combination of the light emitting chip 110 and the phosphor 162.

일 실시예로, 발광 칩(110)은 청색 광을 발생시키는 청색 칩으로 형성되고, 형광체(162)는 상기 청색 칩으로부터 발생된 청색 광의 적어도 일부를 황색 광으로 변환시키는 황색 형광체로 형성될 수 있다. 상기 청색 광은 약 430nm ~ 470nm의 최대 발광파장을 갖는 청색 광을 발생시키며, 예를 들어, InGaN계 발광다이오드 칩으로 형성된다. 상기 황색 형광체는 상기 청색 칩에서 발생된 청색 광의 일부에 의해 여기되어 황색 광을 방출한다. 상기 황색 형광체는 예를 들어, Yttrium Aluminum Garnet(Y3Al5O12; 이하 'YAG'라 칭함) 계열, 실리케이트 계열 또는 TAG 계열의 형광 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드(100)는 상기 청색 칩에서 방출된 청색 광과, 상기 황색 형광체에서 방출된 황색 광이 혼합되어 백색 광을 출사하게 된다.In an embodiment, the light emitting chip 110 may be formed of a blue chip that generates blue light, and the phosphor 162 may be formed of a yellow phosphor that converts at least a portion of the blue light generated from the blue chip into yellow light. . The blue light generates blue light having a maximum light emission wavelength of about 430 nm to 470 nm, and is formed of, for example, an InGaN-based light emitting diode chip. The yellow phosphor is excited by part of the blue light generated in the blue chip to emit yellow light. The yellow phosphor may include, for example, Yttrium Aluminum Garnet (Y 3 Al 5 O 12 ; hereinafter referred to as 'YAG') based, silicate based, or TAG based fluorescent materials. Therefore, the LED 100 emits white light by mixing blue light emitted from the blue chip and yellow light emitted from the yellow phosphor.

다른 실시예로, 발광 칩(110)은 청색 광을 발생시키는 청색 칩으로 형성되고, 형광체(162)는 상기 청색 칩으로부터 발생된 청색 광의 적어도 일부를 적색 광 및 녹색 광으로 각각 변환시키는 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 예를 들어, SrS:Eu, (Sr,Ca)S:Eu, CaS:Eu, (Sr,Ca)GeS:Eu 및 CaAlSiN3와 유사한 결정구조를 갖는 무기 화합물 또는 고용체 등으로 형성될 수 있다. 상기 녹색 형광체는 예를 들어, SrGa2S4:Eu 및 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu 등으로 형성될 수 있다. 따라서, 발광 다이오드(100)는 상기 청색 칩에서 방출된 청색 광과, 상기 적색 형광체에서 방출된 적색 광과, 상기 녹색 형광체에서 방출된 녹색 광이 혼합되어 백색 광을 출사하게 된다. 이와 같이, 청색 칩으로 이루어진 발광 칩(110)과 적색 형광체 및 녹색 형광체를 이용하여 백색 광을 구현할 경우, 약 85 이하의 색재현성을 갖는 청색 칩과 황색 형광체를 이용한 발광 다이오드에 비하여 최대 20% 정도 개선된 약 90 ~ 110 정도의 색재현성을 얻을 수 있다.In another embodiment, the light emitting chip 110 is formed of a blue chip for generating blue light, the phosphor 162 is a red phosphor for converting at least a portion of the blue light generated from the blue chip into red light and green light, respectively; Green phosphor. The red phosphor may be formed of, for example, an inorganic compound or a solid solution having a crystal structure similar to SrS: Eu, (Sr, Ca) S: Eu, CaS: Eu, (Sr, Ca) GeS: Eu, and CaAlSiN 3. Can be. The green phosphor may be formed of, for example, SrGa 2 S 4 : Eu and (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 : Eu. Accordingly, the light emitting diode 100 emits white light by mixing blue light emitted from the blue chip, red light emitted from the red phosphor, and green light emitted from the green phosphor. As such, when white light is realized using the light emitting chip 110 made of the blue chip, the red phosphor, and the green phosphor, up to 20% of the light emitting diode using the blue chip and the yellow phosphor having color reproducibility of about 85 or less is used. An improved color reproducibility of about 90 to 110 can be obtained.

또 다른 실시예로, 발광 다이오드(100)는 서로 다른 색의 광을 발생시키는 두 개의 발광 칩(110)과 한 종류의 형광체(162)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 칩(110)은 청색 광을 발생시키는 청색 칩 및 적색 광을 발생시키는 적색 칩을 포함하며, 형광체(162)는 상기 청색 칩 및 상기 적색 칩으로부터 발생된 청색 광 및 적색 광의 적어도 일부를 녹색 광으로 변환시키는 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 이와 달리, 발광 칩(110)은 청색 광을 발생시키는 청색 칩 및 녹색 광을 발생시키는 녹색 칩을 포함하며, 형광체(162)는 상기 청색 칩 및 상기 녹색 칩으로부터 발생된 청색 광 및 녹색 광의 적어도 일부를 적색 광으로 변환시키는 적색 형광체를 포함할 수 있다.In another embodiment, the light emitting diode 100 may include two light emitting chips 110 and one type of phosphor 162 for generating light of different colors. For example, the light emitting chip 110 may include a blue chip for generating blue light and a red chip for generating red light, and the phosphor 162 may include at least one of blue light and red light generated from the blue chip and the red chip. It may include a green phosphor for converting a part to green light. Alternatively, the light emitting chip 110 may include a blue chip for generating blue light and a green chip for generating green light, and the phosphor 162 may include at least a portion of the blue light and the green light generated from the blue chip and the green chip. It may include a red phosphor for converting to red light.

이러한 구성을 갖는 발광 다이오드(100)에 따르면, 발광 칩(110) 또는 형광체(162)로부터 발생되어 하부 방향으로 향하는 광은 리드 프레임(120)에 의해 반사되어 상부 방향으로 향하게 된다. 이때, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 형성된 반사층(120b) 상에 금(Au), 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)으로 형성된 보호층(120c)을 포함하는 리드 프레임(120)을 사용함으로써, 리드 프레임(120)의 반사율을 일정 수준 이상으로 유지하면서 부식 및 변색 등의 불량을 억제할 수 있다.According to the light emitting diode 100 having such a configuration, light generated from the light emitting chip 110 or the phosphor 162 and directed downward is reflected by the lead frame 120 and directed upward. In this case, the lead frame 120 including the protective layer 120c formed of gold (Au), nickel (Ni), or titanium (Ti) is used on the reflective layer 120b formed of silver (Ag) or aluminum (Al). As a result, defects such as corrosion and discoloration can be suppressed while maintaining the reflectance of the lead frame 120 at a predetermined level or more.

한편, 본 발명에 따른 리드 프레임(120)은 탑형(top view) 패키지, 측면 발광형(side view) 패키지, 램프형 패키지, 칩형 패키지 등의 다양한 모델에 적용될 수 있다.Meanwhile, the lead frame 120 according to the present invention may be applied to various models such as a top view package, a side view package, a lamp package, and a chip package.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드(200)는 발광 칩(110), 발광 칩(110)이 실장되는 금속 부재(220), 발광 칩(110)에 전원을 인가하기 위한 리드 프레임(120), 및 금속 부재(220)와 리드 프레임(120)를 고정시키는 하우징(130)을 포함한다. 또한, 발광 다이오드(200)는 발광 칩(110)과 리드 프레임(120)을 전기적으로 연결하기 위한 제1 및 제2 도전성 와이어(140, 150)와 발광 칩(110)을 덮도록 형성된 봉지제(160)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the light emitting diode 200 according to another embodiment of the present invention applies power to the light emitting chip 110, the metal member 220 on which the light emitting chip 110 is mounted, and the light emitting chip 110. The lead frame 120 and a housing 130 for fixing the metal member 220 and the lead frame 120. In addition, the light emitting diode 200 may include an encapsulant formed to cover the first and second conductive wires 140 and 150 and the light emitting chip 110 to electrically connect the light emitting chip 110 and the lead frame 120. 160) may be further included.

본 실시예에서, 발광 칩(110)이 실장되는 금속 부재(220)는 발광 칩(110)에서 발생된 열을 방출하기 위한 슬러그로 구성된다. 설명의 편의를 위해, 슬러그에 금속 부재(220)와 동일한 도면 부호를 붙여 설명한다. 또한, 슬러그(220)를 제외한 나머지 구성요소는 도 1 및 도 2에 도시된 것과 유사한 구성을 가지므로, 동일한 참조 부호를 사용하고, 이와 관련된 상세한 설명은 생략하기로 한다.In the present embodiment, the metal member 220 on which the light emitting chip 110 is mounted is composed of slugs for dissipating heat generated from the light emitting chip 110. For convenience of explanation, the same reference numerals as those of the metal member 220 are attached to the slug. In addition, since the other components except the slug 220 has a configuration similar to that shown in FIGS. 1 and 2, the same reference numerals are used, and detailed description thereof will be omitted.

슬러그(220)는 하우징(130)의 중앙 내부에 배치되며, 그 상부에는 발광 칩(110)이 실장되며, 하부는 열 방출 효율을 높이기 위하여 하우징(130)의 외부로 노출된다. Slug 220 is disposed inside the center of the housing 130, the upper portion of the light emitting chip 110 is mounted, the lower portion is exposed to the outside of the housing 130 to increase the heat dissipation efficiency.

슬러그(220)는 높은 반사율을 유지하면서 부식 및 변색을 방지하기 위하여, 도 3에 도시된 리드 프레임(120)과 마찬가지로, 베이스 금속층(120a), 베이스 금속 층(120a)의 표면 상에 형성된 반사층(120b) 및 반사층(120b)의 표면 상에 금속으로 형성된 보호층(120c)을 포함한다. 예를 들어, 반사층(120b)은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 형성되며, 보호층(120c)은 금(Au), 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)으로 형성된다. 이와 같이, 형상을 제외한 슬러그(220)의 실질적인 구성은 도 3에 도시된 리드 프레임(120)과 동일하므로, 이와 관련된 상세한 설명은 생략하기로 한다.In order to prevent corrosion and discoloration while maintaining the high reflectance, the slug 220, like the lead frame 120 shown in FIG. 3, has a reflective layer formed on the surface of the base metal layer 120a and the base metal layer 120a ( 120b) and a protective layer 120c formed of metal on the surface of the reflective layer 120b. For example, the reflective layer 120b is formed of silver (Ag) or aluminum (Al), and the protective layer 120c is formed of gold (Au), nickel (Ni), or titanium (Ti). As such, since the actual configuration of the slug 220 except for the shape is the same as that of the lead frame 120 illustrated in FIG. 3, detailed description thereof will be omitted.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 투시하여 나타낸 평면도이며, 도 9는 도 8의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 10은 도 8의 B-B'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 11은 도 8의 C-C'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 8 is a plan view illustrating a light emitting diode according to still another embodiment of the present invention, FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 8, and FIG. 10 is line B-B ′ of FIG. 8. 11 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 8.

도 8 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 제1 리드단자(21) 및 제2 리드단자(23)로 구성된 리드 프레임을 포함한다. 제1 리드단자(21) 및 제2 리드단자(23)은 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 금속층, 은 또는 알루미늄으로 이루어진 반사층, 및 금, 니켈 또는 티타늄으로 이루어진 보호층을 포함할 수 있다. 8 to 11, a light emitting diode according to another embodiment of the present invention includes a lead frame composed of a first lead terminal 21 and a second lead terminal 23. For example, as shown in FIG. 3, the first lead terminal 21 and the second lead terminal 23 include a base metal layer, a reflective layer made of silver or aluminum, and a protective layer made of gold, nickel, or titanium. can do.

제1 리드단자(21)는 발광 칩(27)이 실장되는 칩 실장부(21a), 칩 실장부(21a)로부터 하우징(25)의 외부로 연장되는 제1 외부 리드부(21b) 및 칩 실장부(21a)에서 연장된 제1 날개부(21c)를 포함한다. 제2 리드 단자(23)는 와이어 본딩부(23a), 와이어 본딩부(23a)로부터 하우징(25)의 외부로 연장되는 제2 외부 리드부(23b) 및 와이어 본딩부(23a)에서 연장된 제2 날개부(23c)를 포함한다. 제1 리드단자(21)와 제2 리드단자(23)는 서로 이격되어 전기적으로 분리된다. 제1 날 개부(21c) 및 제2 날개부(23c)는 칩 실장부(21a) 및 와이어 본딩부(23a)로부터 각각 절곡되어 칩 실장부(21a)의 양측에 각각 배치되어 양측 반사면을 형성한다. 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)는 칩 실장부(21a)를 중심으로 서로 대향하여 나란하게 배치된다.The first lead terminal 21 includes a chip mounting portion 21a on which the light emitting chip 27 is mounted, a first external lead portion 21b extending from the chip mounting portion 21a to the outside of the housing 25, and a chip mounting portion. And a first wing portion 21c extending from the portion 21a. The second lead terminal 23 extends from the wire bonding portion 23a, the second external lead portion 23b extending from the wire bonding portion 23a to the outside of the housing 25, and the wire bonding portion 23a. It includes two wings 23c. The first lead terminal 21 and the second lead terminal 23 are separated from each other and electrically separated from each other. The first blade opening portion 21c and the second wing portion 23c are bent from the chip mounting portion 21a and the wire bonding portion 23a, respectively, and disposed on both sides of the chip mounting portion 21a to form both reflection surfaces. do. The first wing portion 21c and the second wing portion 23c are arranged side by side to face each other with respect to the chip mounting portion 21a.

제1 날개부(21c)는 제2 리드단자(23)의 와이어 본딩부(23c)의 측면으로 연장될 수 있다. 또한, 도시된 바와 같이, 제1 날개부(21c)가 제2 날개부(23c)에 비해 더 넓은 폭을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 날개부(23c)는 제1 리드단자(21)의 칩 실장부(21a)와 제1 외부 리드부(21b)가 연결된 부분까지 연장될 수 있으며, 이에 따라 제2 날개부(23c)가 제1 날개부(21c)와 동일한 폭을 갖거나 그것에 비해 더 넓은 폭을 가질 수도 있다.The first wing portion 21c may extend to the side of the wire bonding portion 23c of the second lead terminal 23. In addition, as shown, the first wing portion 21c may have a wider width than the second wing portion 23c, but is not limited thereto. For example, the second wing portion 23c may extend to a portion where the chip mounting portion 21a and the first external lead portion 21b of the first lead terminal 21 are connected to each other. The 23c may have the same width as the first wing portion 21c or may have a wider width than that.

제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)은 칩 실장부(21a) 및 와이어 본딩부(23a)로부터 각각 절곡된 구조를 갖는다. 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)에 의해 형성된 반사면은 칩 실장부(21a)에 대해 일정한 경사각을 갖도록 형성되거나 수직하게 형성될 수 있다. 이러한 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)은 리드 프레임으로부터 절곡하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 절곡 이외의 프레스 가공 방법 또는 주소 나 용접 등의 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.The first wing portion 21c and the second wing portion 23c each have a structure bent from the chip mounting portion 21a and the wire bonding portion 23a. The reflective surface formed by the first wing portion 21c and the second wing portion 23c may be formed to have a predetermined inclination angle with respect to the chip mounting portion 21a or may be vertically formed. The first wing portion 21c and the second wing portion 23c may be formed by bending from the lead frame, but are not limited thereto, and may be formed through various methods such as pressing or welding or welding other than bending. Can be.

한편, 하우징(25)은 제1 리드단자(21) 및 제2 리드단자(23)와 결합되어 그들을 지지한다. 하우징(25)은 제1 리드단자(21) 및 제2 리드단자(23)을 삽입 몰딩하여 형성될 수 있다. 하우징(25)은 칩 실장부(21a) 및 와이어 본딩부(23a)의 하부면을 덮는다. 또한, 하우징(25)은 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)의 바깥면 을 덮을 수 있다. 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)의 바깥면은 하우징(25)에 의해 완전히 덮일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)의 바깥면 중 적어도 일부가 외부로 노출될 수도 있다.On the other hand, the housing 25 is coupled to and support the first lead terminal 21 and the second lead terminal 23. The housing 25 may be formed by insert molding the first lead terminal 21 and the second lead terminal 23. The housing 25 covers the lower surfaces of the chip mounting portion 21a and the wire bonding portion 23a. In addition, the housing 25 may cover the outer surfaces of the first wing portion 21c and the second wing portion 23c. The outer surfaces of the first wing portion 21c and the second wing portion 23c may be completely covered by the housing 25, but are not limited thereto, and the first wing portion 21c and the second wing portion 23c may not be limited thereto. At least a portion of the outer surface of the) may be exposed to the outside.

하우징(25)은 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)와 함께 개구부의 내벽을 형성한다. 특히, 하우징(25)은 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)에 의해 형성되는 양측 반사면들에 직교하는 양측면들의 내벽(25w)을 형성한다. 상기 내벽들(25w)은 도시된 바와 같이, 경사지게 형성될 수 있다. 한편, 칩 실장부(21a) 및 와이어 본딩부(23a)는 상기 개구부의 바닥면을 형성한다.The housing 25 forms an inner wall of the opening together with the first wing portion 21c and the second wing portion 23c. In particular, the housing 25 forms an inner wall 25w of both side surfaces orthogonal to both side reflective surfaces formed by the first wing portion 21c and the second wing portion 23c. The inner walls 25w may be formed to be inclined as shown. On the other hand, the chip mounting portion 21a and the wire bonding portion 23a form the bottom surface of the opening.

제1 리드단자(21) 및 제2 리드단자(23)는 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 하우징(25)의 외부로 돌출된 제1 외부 리드부(21b) 및 제2 외부 리드부(23b)를 포함한다. 제1 외부 리드부(21b) 및 제2 외부 리드부(23b)는 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다.The first lead terminal 21 and the second lead terminal 23 are each of the first external lead portion 21b and the second external lead portion 23b protruding out of the housing 25 to be electrically connected to an external power source. ). The first external lead portion 21b and the second external lead portion 23b may have various shapes and may be bent into various shapes.

발광 칩(27)은 제1 리드단자(21)의 칩 실장부(21a)에 실장되며, 제1 도전성 와이어(29a)에 의해 제2 리드단자(23)의 와이어 본딩부(23a)에 전기적으로 연결된다. 한편, 발광 칩(27)은 제2 도전성 와이어(29b)를 통해 제1 리드단자(21)와 전기적으로 연결되거나, 또는 도전성 접착제를 통해 제1 리드단자(21)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting chip 27 is mounted on the chip mounting portion 21a of the first lead terminal 21 and electrically connected to the wire bonding portion 23a of the second lead terminal 23 by the first conductive wire 29a. Connected. The light emitting chip 27 may be electrically connected to the first lead terminal 21 through the second conductive wire 29b or may be electrically connected to the first lead terminal 21 through the conductive adhesive.

한편, 형광체를 포함하는 봉지제(미도시)가 발광 칩(27)을 덮도록 하우징(25) 내부에 형성될 수 있다. 형광체를 포함하는 상기 봉지제는 도 2를 참조하여 설명한 바 있으므로, 이와 관련된 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, an encapsulant (not shown) including a phosphor may be formed inside the housing 25 to cover the light emitting chip 27. Since the encapsulant including the phosphor has been described with reference to FIG. 2, a detailed description thereof will be omitted.

본 실시예에 따르면, 제1 리드단자(21)의 제1 날개부(21c) 및 제2 리드단자(23)의 제2 날개부(23c)가 개구부의 양측 내벽면에 배치됨으로써, 개구부 내벽의 반사율을 향상시킬 수 있다. 특히, 기다란 형상의 개구부를 갖는 측면 발광 다이오드에 있어서, 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)는 장축 방향에 나란하게 형성되는 측면들에 위치함으로써, 넓은 면적에 걸쳐 반사면들을 형성할 수 있다. 한편, 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)는 하우징(25)으로 입사되는 광을 반사시킴으로써, 광에 의해 하우징(25)이 변색되는 것을 감소시킨다. 또한, 제2 날개부(23c)에서 흡수되어 변환된 열은 제2 리드단자(23)를 통해 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 제1 리다단자(21)에 더하여 제2 리드단자(23)를 통해 열을 방출할 수 있어 발광 다이오드의 열 방출 성능을 향상시킬 수 있다.According to this embodiment, the first wing portion 21c of the first lead terminal 21 and the second wing portion 23c of the second lead terminal 23 are disposed on both inner wall surfaces of the opening, thereby The reflectance can be improved. Particularly, in the side light emitting diode having an elongated opening, the first wing portion 21c and the second wing portion 23c are located on side surfaces formed side by side in the long axis direction, thereby forming reflective surfaces over a large area. Can be formed. On the other hand, the first wing portion 21c and the second wing portion 23c reflect the light incident on the housing 25, thereby reducing the discoloration of the housing 25 by the light. In addition, heat absorbed and converted by the second wing unit 23c may be discharged to the outside through the second lead terminal 23. Therefore, heat can be emitted through the second lead terminal 23 in addition to the first lead terminal 21, thereby improving the heat dissipation performance of the light emitting diode.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 리드단자 및 제2 리드단자의 제작 과정을 나타낸 도면이다. 12 is a view illustrating a manufacturing process of the first lead terminal and the second lead terminal according to an embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 평평한 금속판을 펀칭 가공하여 서로 이격된 제1 리드단자(21) 및 제2 리드단자(23)를 형성한다. 제1 리드단자(21)는 칩 실장부(21a), 제1 외부 리드부(21b) 및 제1 날개부(21c)를 포함하며, 제1 날개부(21c)는 절곡선(B)을 따라 위로 절곡되어 반사면을 형성한다. 제2 리드단자(23)는 와이어 본딩부(23a), 제2 외부 리드부(23b) 및 제2 날개부(23c)를 포함하며, 제2 날개부(23c)는 절곡선(B)을 따라 위로 절곡되어 반사면을 형성한다. 도시된 바와 같이, 제1 날개부(21c)는 제2 리드단자(23)의 와이어 본딩부(23a)의 측면으로 연장될 수 있다. 또한, 제2 날개부(23c)는 칩 실장부(21a) 근처에서 종단된 것으로 도시되었으 나, 제2 날개부(23c)는 칩 실장부(21a)와 제1 외부 리드부(21b)가 연결되는 부분까지 연장될 수도 있다.Referring to FIG. 12, the flat metal plate is punched to form first and second lead terminals 21 and 23 spaced apart from each other. The first lead terminal 21 includes a chip mounting portion 21a, a first external lead portion 21b, and a first wing portion 21c, and the first wing portion 21c is along the bend line B. FIG. It is bent upward to form a reflective surface. The second lead terminal 23 includes a wire bonding portion 23a, a second outer lead portion 23b, and a second wing portion 23c, and the second wing portion 23c is along the bend line B. FIG. It is bent upward to form a reflective surface. As shown, the first wing portion 21c may extend to the side of the wire bonding portion 23a of the second lead terminal 23. In addition, although the second wing portion 23c is shown as being terminated near the chip mounting portion 21a, the second wing portion 23c is connected to the chip mounting portion 21a and the first external lead portion 21b. It may extend to the part which becomes.

이와 달리, 제1 리드단자(21) 및 제2 리드단자(23)는 주조나 용접 기술을 이용하여 제조될 수 있다. 이 경우, 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)를 절곡하는 공정이 생략된다.Alternatively, the first lead terminal 21 and the second lead terminal 23 may be manufactured using a casting or welding technique. In this case, the process of bending the 1st wing part 21c and the 2nd wing part 23c is abbreviate | omitted.

본 실시예에서, 제1 리드단자(21) 및 제2 리드단자(23)가 사각형의 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)를 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 날개부(21c) 및 제2 날개부(23c)는 발광 다이오드의 패키지 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the first lead terminal 21 and the second lead terminal 23 are illustrated as having a rectangular first wing portion 21c and a second wing portion 23c, but are not limited thereto. The first wing portion 21c and the second wing portion 23c may be formed in various shapes according to the package shape of the light emitting diode.

도 13은 다른 실시예에 따른 리드 프레임 형상을 나타낸 도면이다.13 is a view illustrating a shape of a lead frame according to another embodiment.

도 13을 참조하면, 도 12을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 리드단자(31)는 칩 실장부(31a), 제1 외부 리드부(31b) 및 제1 날개부(31c)를 포함하며, 제2 리드단자(33)는 와이어 본딩부(33a), 제2 외부 리드부(33b) 및 제2 날개부(33c)를 포함한다. 다만, 제1 날개부(31c) 및 제2 날개부(33c) 중 적어도 하나는 칩 실장부(31a)에서 멀어질수록 폭이 넓어지게 형성된다. 제1 날개부(31c) 및 제2 날개부(33c)는 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 장축 방향에 수직한 내벽들(25w)이 경사지게 형성된 경우, 그 경사면에 대응하여 배치되도록 폭이 넓어질 수 있으며, 이에 따라 개구부의 양측면들에 더 넓은 반사면들이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 13, as described with reference to FIG. 12, the first lead terminal 31 includes a chip mounting portion 31a, a first external lead portion 31b, and a first wing portion 31c. The second lead terminal 33 includes a wire bonding portion 33a, a second external lead portion 33b, and a second wing portion 33c. However, at least one of the first wing portion 31c and the second wing portion 33c is formed to be wider as it moves away from the chip mounting portion 31a. For example, as illustrated in FIG. 7, the first wing part 31c and the second wing part 33c are disposed to correspond to the inclined surface when the inner walls 25w perpendicular to the long axis direction are formed to be inclined. The width can be widened, and thus wider reflective surfaces can be provided on both sides of the opening.

본 실시예에서는, 기다란 형상의 개구부를 갖는 측면 발광 다이오드의 패키지를 예로써 도시 및 설명하였으나, 본 발명은 측면 발광 다이오드에 한정되는 것 은 아니며, 플라스틱 하우징 및 리드 프레임을 사용한느 다양한 유형의 패키지, 예를 들어 원형 또는 사각형의 개구부를 갖는 패키지에도 적용될 수 있다.In the present embodiment, a package of a side light emitting diode having an elongated opening is illustrated and described as an example, but the present invention is not limited to the side light emitting diode, and various types of packages using a plastic housing and a lead frame, It can also be applied to packages with circular or rectangular openings, for example.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 평면도이며, 도 15는 도 14의 B-B선을 따라 절단한 단면도이며, 도 16은 발광 다이오드에 적용 가능한 다양한 제1 리드단자들을 나타낸 도면이며, 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 리드단자를 나타낸 도면이다.14 is a plan view illustrating a light emitting diode according to still another embodiment of the present invention, FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 14, and FIG. 16 is a view illustrating various first lead terminals applicable to the light emitting diode. 17 is a view showing a first lead terminal according to another embodiment of the present invention.

도 14 및 도 15를 참조하면, 발광 다이오드는 한 쌍의 리드단자 즉, 제1 리드단자(51) 및 제2 리드단자(53)을 포함한다. 제1 리드단자(51) 및 제2 리드단자(53)은 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 금속층, 은 또는 알루미늄으로 이루어진 반사층, 및 금, 니켈 또는 티타늄으로 이루어진 보호층을 포함할 수 있다. 14 and 15, the light emitting diode includes a pair of lead terminals, that is, a first lead terminal 51 and a second lead terminal 53. As shown in FIG. 3, the first lead terminal 51 and the second lead terminal 53 may include a base metal layer, a reflective layer made of silver or aluminum, and a protective layer made of gold, nickel, or titanium.

제1 리드단자(51)는 발광 칩(57)이 실장되는 칩 실장부(51b), 칩 실장부(51b)로부터 절곡되어 형성된 단차부(51a) 및 칩 실장부(51b)와 단차부(51a) 사이에 형성되어 반사면을 형성하는 제1 경사면(51c)을 포함한다(도 16(a) 참조). 제2 리드단자(53)는 제1 리드단자(51)로부터 이격되어 위치하며, 제1 리드단자(51)의 단차부(51a)와 동일한 높이에 위치할 수 있다.The first lead terminal 51 includes a chip mounting portion 51b on which the light emitting chip 57 is mounted, a stepped portion 51a formed by bending from the chip mounting portion 51b, a chip mounting portion 51b, and a stepped portion 51a. And a first inclined surface 51c formed between the two surfaces to form a reflective surface (see Fig. 16 (a)). The second lead terminal 53 may be spaced apart from the first lead terminal 51 and may be positioned at the same height as the stepped portion 51a of the first lead terminal 51.

한편, 제1 리드단자(51)는 칩 실장부(51b)로부터 절곡되어 형성되고, 제1 경사면(51c)에 대향하여 위치하는 제2 경사면(51d)을 더 포함할 수 있다(도 16(b) 참조). 이에 더하여, 제1 리드단자(51)는 제2 경사면(51d)으로부터 연장되고, 단차부(51a)와 동일한 높이에서 평행하게 위치하는 단부(51e)를 더 포함할 수 있다(도 16(c) 참조). Meanwhile, the first lead terminal 51 may be further bent from the chip mounting portion 51b and further include a second inclined surface 51d positioned to face the first inclined surface 51c (FIG. 16B). ) Reference). In addition, the first lead terminal 51 may further include an end portion 51e extending from the second inclined surface 51d and positioned in parallel with the stepped portion 51a at the same height (Fig. 16 (c)). Reference).

제1 리드단자(51) 및 제2 리드단자(53)는 하우징(55)에 의해 지지된다. 편의상, 하우징(55)을 제1 리드단자(51)의 단차부(51a) 및 제2 리드단자(53)의 위치를 기준으로 상부 하우징(55a)과 하부 하우징(55b)으로 구분하기로 한다.The first lead terminal 51 and the second lead terminal 53 are supported by the housing 55. For convenience, the housing 55 is divided into an upper housing 55a and a lower housing 55b based on the positions of the stepped portions 51a and the second lead terminals 53 of the first lead terminal 51.

하우징(55)은 제1 리드단자(51) 및 제2 리드단자(53)의 일부를 노출시키는 기다란 형상의 개구부(56)를 가질 수 있으며, 개구부(56)에 의해 제1 리드단자(51)의 칩 실장부(51b)와 제1 및 제2 경사면들(51c, 51d)이 노출되고, 제2 리드단자(53)의 일부가 노출된다. 또한, 제1 리드단자(51)의 단차부(51a)의 일부가 노출될 수 있다.The housing 55 may have an elongated opening 56 exposing portions of the first lead terminal 51 and the second lead terminal 53, and the first lead terminal 51 is formed by the opening 56. The chip mounting portion 51b and the first and second inclined surfaces 51c and 51d are exposed, and a part of the second lead terminal 53 is exposed. In addition, a portion of the stepped portion 51a of the first lead terminal 51 may be exposed.

제1 리드단자(51) 및 제2 리드단자(53)는 개구부(56) 내에서 서로 이격되어 위치한다. 또한, 제1 리드단자(51) 및 제2 리드단자(53)는 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 하우징(55)의 측벽을 관통하여 외부로 연장된다. 외부로 연장된 제1 리드단자(51) 및 제2 리드단자(53)는 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다.The first lead terminal 51 and the second lead terminal 53 are spaced apart from each other in the opening 56. In addition, the first lead terminal 51 and the second lead terminal 53 extend through the side wall of the housing 55 to be electrically connected to the external power source, respectively. The first lead terminal 51 and the second lead terminal 53 extending to the outside may have various shapes and may be bent into various shapes.

한편, 제1 리드단자(51)의 칩 실장부(51b)는 하부 하우징(55b) 쪽으로 내려가 위치하며, 이에 따라 개구부(56)의 바닥에 오목부가 형성된다. 한편, 제1 리드단자(51)의 제1 경사면(51c)은 개구부(56)의 장축방향을 가로지르며, 하우징(55)의 단축방향의 내벽과 만나거나 또는 상기 내벽과 만나기 전에 종단된다. 즉, 개구부(56)에 의해 노출된 제1 경사면(51c)은 연속적이지 않고 단속적이다. 따라서, 단축방향의 지향각 특성을 변화시키지 않으면서, 장축방향의 반사율을 높일 수 있으며, 장축방향과 단축방향의 광분포를 별개로 제어하는 것이 가능하다. 제1 리드 단자(51)의 제2 경사면(51d) 또한 개구부(56)의 장축방향을 가로지르며, 하우징(55)의 단축방향의 내벽과 만나거나 또는 상기 내벽고 만나기 전에 종단된다. 즉, 제2 경사면(51d)은 제1 경사면(51c)과 대칭적으로 형성되며, 이에 따라 대칭성을 갖는 광분포를 얻을 수 있다.On the other hand, the chip mounting portion 51b of the first lead terminal 51 is positioned downward toward the lower housing 55b, whereby a recess is formed in the bottom of the opening 56. On the other hand, the first inclined surface 51c of the first lead terminal 51 crosses the major axis direction of the opening 56 and terminates before meeting the inner wall in the short axis direction of the housing 55 or the inner wall. That is, the first inclined surface 51c exposed by the opening 56 is not continuous but intermittent. Therefore, the reflectance in the long axis direction can be increased without changing the directivity angle characteristic in the short axis direction, and it is possible to control light distribution in the long axis direction and the short axis direction separately. The second inclined surface 51d of the first lead terminal 51 also crosses the major axis direction of the opening 56 and terminates before meeting the inner wall in the short axis direction of the housing 55 or the inner wall. That is, the second inclined surface 51d is formed symmetrically with the first inclined surface 51c, whereby a light distribution having symmetry can be obtained.

발광 칩(57)은 칩 실장부(51b)에 실장되며, 도전성 와이어(59)를 통해 제2 리드단자(53)와 전기적으로 연결된다. 발광 칩(57)에서 발생된 광은 하우징(55)의 내벽(55w)에 도달하기 전에 제1 경사면(51c) 및 제2 경사면(51d)에서 반사된다. 따라서, 발광 칩(57)에서 방출된 광의 일부가 높은 반사율을 갖는 제1 경사면(51c) 및 제2 경사면(51d)에서 반사되므로, 발광 다이오드 패키지의 발광 효율이 향상된다. 또한, 하우징(55)의 내벽으로 직접 입사되는 광량을 감소시킬 수 있어, 하우징(55)의 내벽이 변색되는 것을 완화시킬 수 있으며, 그 결과 패키지 수명을 연장시킬 수 있다.The light emitting chip 57 is mounted on the chip mounting portion 51b and is electrically connected to the second lead terminal 53 through the conductive wire 59. The light generated by the light emitting chip 57 is reflected by the first inclined surface 51c and the second inclined surface 51d before reaching the inner wall 55w of the housing 55. Therefore, since a part of the light emitted from the light emitting chip 57 is reflected on the first inclined surface 51c and the second inclined surface 51d having high reflectance, the luminous efficiency of the light emitting diode package is improved. In addition, the amount of light incident directly on the inner wall of the housing 55 can be reduced, so that discoloration of the inner wall of the housing 55 can be alleviated, and as a result, the package life can be extended.

도 17을 참조하면, 단축 방향의 반사율을 향상시키고, 단축방향의 하우징(55)의 내벽의 변색을 방지하기 위하여, 제1 리드단자(51)는 칩 실장부(51b)로부터 개구부(56)의 단축방향의 양쪽으로 각각 연장된 날개부들(51f)을 포함할 수 있다. 날개부들(51f)은 칩 실장부(51b)로부터 절곡되어 제3 및 제4 경사면들을 형성한다. 또한, 날개부들(51f)은 제1 및 제2 경사면들(51c, 51d)과 떨어져 있으므로, 다른 경사각을 갖도록 절곡될 수 있어, 단축방향의 반사특성과 장축방향의 반사특성을 개별적으로 조절할 수 있다.Referring to FIG. 17, in order to improve the reflectance in the short axis direction and to prevent discoloration of the inner wall of the housing 55 in the short axis direction, the first lead terminal 51 may be formed at the opening portion 56 from the chip mounting portion 51b. It may include wings (51f) each extending in both the short axis direction. The wing parts 51f are bent from the chip mounting part 51b to form third and fourth inclined surfaces. In addition, since the wing portions 51f are separated from the first and second inclined surfaces 51c and 51d, they may be bent to have different inclination angles, so that the reflection characteristics in the short axis direction and the reflection characteristics in the long axis direction can be individually adjusted. .

한편, 형광체를 함유하는 봉지제(63)가 발광 칩(57) 상에 형성될 수 있다. 봉지제(63)는 형광체를 함유하는 액상 수지를 칩 실장부(51b) 상에 형성된 오목부 내에 도팅함으로써 형성될 수 있다. 따라서, 오목부 내에 한정되어 볼록한 형상을 갖는 봉지제(63)가 형성될 수 있다. 한편, 형광체를 포함하는 봉지제(63)는 도 2를 참조하여 설명한 바 있으므로, 이와 관련된 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, an encapsulant 63 containing phosphors may be formed on the light emitting chip 57. The encapsulant 63 can be formed by doping a liquid resin containing a phosphor into a recess formed on the chip mounting portion 51b. Therefore, the sealing agent 63 which is confined and convex in the recessed part can be formed. Meanwhile, since the encapsulant 63 including the phosphor has been described with reference to FIG. 2, detailed description thereof will be omitted.

한편, 봉지제(63)는 개구부(56)를 채울 수도 있으며, 상기 오목부 내에 봉지제(63)를 형성한 후, 개구부(56) 내에 투명 몰딩부(65)를 추가적으로 형성하여 개구부(56)를 채울 수도 있다.Meanwhile, the encapsulant 63 may fill the opening 56, and after the encapsulant 63 is formed in the concave portion, the transparent molding part 65 is additionally formed in the opening 56 to open the opening 56. You can also fill

도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략도들이다. 도 18에서, (a)는 패키지 본체를 투시하여 나타낸 평면도이며, (b)는 (a)의 C-C선을 따라 절단한 단면도이며, (c)는 (a)의 D-D선을 따라 절단한 단면도로 날개부들을 점선으로 표시하였다.18 is schematic views illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention. In Fig. 18, (a) is a plan view through the package body, (b) is a cross-sectional view taken along line CC of (a), and (c) is a cross-sectional view taken along line DD of (a). The wings are indicated by dashed lines.

도 18을 참조하면, 발광 다이오드는 한 쌍의 리드단자 즉, 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)를 포함한다. 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)은 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 금속층, 은 또는 알루미늄으로 이루어진 반사층, 및 금, 니켈 또는 티타늄으로 이루어진 보호층을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 18, the light emitting diode includes a pair of lead terminals, that is, a first lead terminal 71 and a second lead terminal 73. As shown in FIG. 3, the first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 may include a base metal layer, a reflective layer made of silver or aluminum, and a protective layer made of gold, nickel, or titanium.

제1 리드단자(71)는 발광 칩(77)이 실장되는 칩 실장부(71a)와, 칩 실장부(71a)에서 상측으로 대향되게 절곡되어 반사면을 형성하는 제1 날개부들(71w)을 포함한다. 한편, 제2 리드단자(73)는 와이어 본딩부(73a)와, 와이어 본딩부(73a)에서 상측으로 대향하게 절곡되어 반사면을 형성하는 제2 날개부들(73w)을 포함할 수 있다. 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)는 서로 이격되어 배치되며, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)은 서로 나란하게 배치되어 양측 반사면들을 형성한다. 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)은 각각, 도시된 바와 같이, 그것이 연결된 칩 실장부(71a) 및 와이어 본딩부(73a)를 중심으로 대칭구조를 가질 수 있으며, 이에 따라 대칭성을 갖는 광분포를 얻을 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)은 각각 서로 다른 폭을 갖는 비대칭구조일 수 있다.The first lead terminal 71 includes a chip mounting portion 71a on which the light emitting chip 77 is mounted, and first wing portions 71w that are bent to face upward from the chip mounting portion 71a to form a reflective surface. Include. The second lead terminal 73 may include a wire bonding portion 73a and second wing portions 73w that are bent upward from the wire bonding portion 73a to form a reflective surface. The first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 are spaced apart from each other, and the first wing portions 71w and the second wing portions 73w are disposed parallel to each other to form both reflection surfaces. Each of the first wing portions 71w and the second wing portions 73w may have a symmetrical structure with respect to the chip mounting portion 71a and the wire bonding portion 73a to which the first wing portions 71w and the second wing portions 73w are connected, as shown. A light distribution having symmetry can be obtained. However, the present invention is not limited thereto, and the first wing portions 71w and the second wing portions 73w may be asymmetrical structures having different widths.

한편, 하우징(75)은 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)와 결합되어 그들을 지지한다. 하우징(75)은 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)의 하부면을 덮고, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)의 바깥면을 감싼다. 또한, 하우징(75)은 제1 리드단자(71)의 칩 실장부(71a)와 제2 리드단자(73)의 와이어 본딩부(73a) 사이의 틈을 채우고, 제1 날개부들(71w)과 제2 날개부들(73w) 사이의 틈들을 채울 수 있다. 이에 더하여, 하우징(75)은 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)의 상면들을 덮을 수 있다.On the other hand, the housing 75 is coupled to the first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 to support them. The housing 75 covers the lower surfaces of the first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 and surrounds outer surfaces of the first wing portions 71w and the second wing portions 73w. In addition, the housing 75 fills a gap between the chip mounting portion 71a of the first lead terminal 71 and the wire bonding portion 73a of the second lead terminal 73, and the first wing portions 71w and the first wing portion 71w. The gaps between the second wings 73w may be filled. In addition, the housing 75 may cover upper surfaces of the first wing portions 71w and the second wing portions 73w.

제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)은 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 하우징(75)의 외부로 연장된다. 외부로 연장된 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)는 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다.The first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 respectively extend out of the housing 75 to be electrically connected to an external power source. The first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 extending to the outside may have various shapes and may be bent into various shapes.

한편, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)은 서로 나란하게 배치되어 양측 반사면들을 형성하고, 하우징(75)은 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)과 함께 개구부의 내벽을 형성할 수 있다. 특히, 하우징(75)은 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)에 의해 형성된 양측 반사면들을 연결하는 양측면들의 내벽들(75w)을 형성한다. 상기 내벽들(75w)은 도시된 바와 같이, 경사지게 형성될 수 있다. Meanwhile, the first wing portions 71w and the second wing portions 73w are disposed parallel to each other to form both reflection surfaces, and the housing 75 includes the first wing portions 71w and the second wing portions 73w. In addition, the inner wall of the opening can be formed. In particular, the housing 75 forms inner walls 75w of both sides connecting the two reflecting surfaces formed by the first wing portions 71w and the second wing portions 73w. The inner walls 75w may be formed to be inclined as shown.

발광 칩(77)은 제1 리드단자(71)의 칩 실장부(71a)에 실장되며, 도전성 와이어(79)를 통해 제2 리드단자(73)에 전기적으로 연결된다. 발광 칩(77)은 두 개의 도전성 와이어들(79)을 통해 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)에 각각 연결될 수 있으며, 도전성 접착제를 통해 제1 리드단자(71)에 전기적으로 연결되고, 하나의 도전성 와이어(79)를 통해 제2 리드단자(73)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting chip 77 is mounted on the chip mounting portion 71a of the first lead terminal 71 and is electrically connected to the second lead terminal 73 through the conductive wire 79. The light emitting chip 77 may be connected to the first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 through two conductive wires 79, and electrically connected to the first lead terminal 71 through the conductive adhesive. The second lead terminal 73 may be electrically connected to the second lead terminal 73 through one conductive wire 79.

본 실시예에 따르면, 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)가 개구부의 바닥면 및 양측면들에 배치됨으로써, 발광 칩(77)에서 발출된 광의 반사효율을 높일 수 있다. 특히, 기다란 형상의 개구부를 갖는 측면 발광 다이오드 패키지에 있어서, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)이 장축방향에 나란하게 형성되는 측면들에 위치함으로써, 넓은 면적에 걸쳐 반사면들을 형성할 수 있다. 한편, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)은 하우징(75)으로 입사되는 광을 반사시킴으로써 광에 의해 하우징(75)이 변색되는 것을 감소시킨다. 또한, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)을 통해 열을 방출할 수 있어 패키지의 방열성능이 향상된다. 이에 더하여, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)의 바깥면을 둘러싸는 하우징(75)의 두께를 감소시킬 경우, 하우징(75)을 통한 열방출이 촉진되어 방열성능이 더욱 향상된다.According to the present exemplary embodiment, since the first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 are disposed on the bottom surface and both sides of the opening, the reflection efficiency of the light emitted from the light emitting chip 77 can be improved. In particular, in the side surface light emitting diode package having an elongated opening, the first wing portions 71w and the second wing portions 73w are located on the side surfaces formed in parallel in the long axis direction, thereby reflecting a large surface area. Can form them. On the other hand, the first wings 71w and the second wings 73w reflect the light incident on the housing 75 to reduce the discoloration of the housing 75 by the light. In addition, heat dissipation performance of the package may be improved by dissipating heat through the first wings 71w and the second wings 73w. In addition, when the thickness of the housing 75 surrounding the outer surfaces of the first wing portions 71w and the second wing portions 73w is reduced, heat dissipation through the housing 75 is promoted to further improve heat dissipation performance. Is improved.

도 19는 도 18에 도시된 제1 리드단자 및 제2 리드단자의 제작 과정을 나타 낸 도면이며, 도 20은 다른 실시예에 따른 제1 리드단자 및 제2 리드단자이 제작 과정을 나타낸 도면이다.19 is a view illustrating a manufacturing process of the first lead terminal and the second lead terminal illustrated in FIG. 18, and FIG. 20 is a view illustrating a manufacturing process of the first lead terminal and the second lead terminal according to another exemplary embodiment.

도 19를 참조하면, 평평한 금속판을 펀칭 또는 프레스 가공하여 서로 이격된 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)를 형성한다. 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)는 각각 칩 실장부(71a) 및 와이어 본딩부(73a)를 가지며, 그들의 양측으로부터 연장된 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)을 포함한다. 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)이 위로 절곡됨으로써 양측 반사면들이 형성된다.Referring to FIG. 19, the flat metal plate is punched or pressed to form first lead terminals 71 and second lead terminals 73 spaced apart from each other. The first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 each have a chip mounting portion 71a and a wire bonding portion 73a, and the first wing portions 71w and the second wing portions extending from both sides thereof. (73w). The first wing portions 71w and the second wing portions 73w are bent upward to form both reflecting surfaces.

본 실시예에 있어서, 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)는 각각 직사각형의 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)을 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present exemplary embodiment, the first lead terminal 71 and the second lead terminal 73 are illustrated as having rectangular first wing portions 71w and second wing portions 73w, respectively, but are not limited thereto. no.

도 20을 참조하면, 제1 리드단자(71) 및 제2 리드단자(73)는 각각 칩 실장부(71a) 및 와이어 본딩부(73a)로부터 멀어질수록 폭이 넓어지는 제1 날개부들(81w) 및 제2 날개부들(83w)을 포함할 수 있다. 폭이 넓어지는 제1 날개부들(81w) 및 제2 날개부들(83w)은 예를 들어, 도 18에 도시된 바와 같이, 내벽들(75w)이 경사지게 형성된 경우, 기다란 양측면들에 더 넓은 반사면들을 제공할 수 있다.Referring to FIG. 20, the first lead terminals 71 and the second lead terminals 73 are first wing portions 81w that are wider as they move away from the chip mounting portion 71a and the wire bonding portion 73a, respectively. ) And second wings 83w. The wider first wing portions 81w and second wing portions 83w have a larger reflective surface on both elongated sides when the inner walls 75w are formed to be inclined, for example, as shown in FIG. 18. Can provide them.

도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략도이다. 도 21에서, (a)는 하우징을 투시하여 나타낸 평면도이며, (b)는 (a)의 C-C선을 따라 절단한 단면도이며, (c)는 (a)의 D-D선을 따라 절단한 단면도로 날개부들을 점선으로 표시하였다. 편의상, 발광 칩과 도전성 와이어는 생략하였 다.21 is a schematic diagram illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention. In Fig. 21, (a) is a plan view through the housing, (b) is a cross-sectional view taken along the line CC of (a), and (c) is a cross-sectional view taken along the line DD of (a). The parts are indicated by dotted lines. For convenience, the light emitting chip and the conductive wire are omitted.

도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 18을 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 동일한 구성요소들을 갖는다. 다만, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)의 바깥면이 하우징(85)의 외부로 노출된 것에 차이가 있다. 즉, 본 실시예에 있어서, 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)의 바깥면 중 적어도 일부는 외부에 노출된다. 이에 따라, 패키지에서 발생된 열을 제1 날개부들(71w) 및 제2 날개부들(73w)을 통해 외부로 방출할 수 있어 방열 효율을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 21, the light emitting diode according to the present embodiment has substantially the same components as the light emitting diode described with reference to FIG. 18. However, there is a difference that the outer surfaces of the first wing portions 71w and the second wing portions 73w are exposed to the outside of the housing 85. That is, in this embodiment, at least some of the outer surfaces of the first wing portions 71w and the second wing portions 73w are exposed to the outside. Accordingly, heat generated in the package may be discharged to the outside through the first wing parts 71w and the second wing parts 73w, thereby improving heat dissipation efficiency.

도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략도이다. 도 22에서, (a)는 하우징을 투시하여 나타낸 평면도이며, (b)는 (a)의 C-C선을 따라 절단한 단면도이며, (c)는 (a)의 D-D선을 따라 절단한 단면도로 날개부들을 점선으로 표시하였다. 편의상, 발광 칩과 도전성 와이어는 생략하였다.22 is a schematic diagram illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention. In FIG. 22, (a) is the top view which looked through the housing, (b) is sectional drawing cut along the CC line of (a), (c) is sectional drawing cut along the DD line of (a), and a wing | blade. The parts are indicated by dotted lines. For convenience, the light emitting chip and the conductive wire are omitted.

도 22를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 18을 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 동일한 구성요소들을 갖는다. 다만, 제1 리드단자(91)의 칩 실장부(91a), 제2 리드단자(93)의 와이어 본딩부(93a), 제1 날개부들(91w) 및 제2 날개부들(93w)이 도 18의 대응되는 구성요소들에 비해 길게 형성되고, 제1 날개부들(91w) 및 제2 날개부들(93w)이 패키지의 양측면의 대부분을 구성한다. 한편, 하우징(95)은 제1 리드단자(91) 및 제2 리드단자(93)의 하부면들을 덮고, 그들 사이의 틈들을 채워 이들을 결합한다. 또한, 하우징(95)은 제1 날개부 들(91w) 및 제2 날개부들(93w)에 의해 형성된 양측 반사면들 사이에 형성됨으로써 내벽들(95w)이 형성된다. 내벽들(95w)은 경사지게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 22, the light emitting diode according to the present embodiment has substantially the same components as the light emitting diode described with reference to FIG. 18. However, the chip mounting portion 91a of the first lead terminal 91, the wire bonding portion 93a of the second lead terminal 93, the first wing portions 91w and the second wing portions 93w are illustrated in FIG. 18. It is formed longer than the corresponding components of the first wings 91w and the second wings 93w make up most of both sides of the package. On the other hand, the housing 95 covers the lower surfaces of the first lead terminal 91 and the second lead terminal 93, and fills the gaps therebetween to join them. In addition, the housing 95 is formed between both reflective surfaces formed by the first wing portions 91w and the second wing portions 93w to form inner walls 95w. The inner walls 95w may be formed to be inclined.

본 실시예에 따르면, 제1 날개부들(91w) 및 제2 날개부들(93w)의 폭을 거의 하우징(95)의 폭까지 증가시킴으로써, 열방출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.According to this embodiment, the heat dissipation efficiency can be further improved by increasing the widths of the first wing portions 91w and the second wing portions 93w to almost the width of the housing 95.

앞선 실시예들에서는, 기다란 형상의 개구부를 갖는 측면 발광 다이오드의 패키지를 예로써 도시 및 설명하였으나, 본 실시예들은 측면 발광 다이오드 패키지에 한정되는 것이 아니며, 플라스틱 하우징 및 리드 프레임을 사용하는 다양한 유형의 패키지, 예를 들어 원형 또는 사각형의 개구부를 갖는 패키지에도 적용될 수 있다.In the foregoing embodiments, the package of the side light emitting diode having an elongated opening is illustrated and described as an example, but the embodiments are not limited to the side light emitting diode package, and various types of plastic housings and lead frames are used. It can also be applied to packages, for example packages with circular or rectangular openings.

도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 사시도이며, 도 24는 도 23에 도시된 발광 다이오드의 단면도이다.FIG. 23 is a perspective view illustrating a light emitting diode according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 24 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 23.

도 23 및 도 24를 참조하면, 본 실시예의 발광 다이오드는 발광 칩(2), 발광 칩(2)에 전원을 인가하기 위한 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14), 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)를 지지하는 하우징(20), 및 발광 칩(2)을 보호하도록 형성된 광투과성의 봉지제(30)를 포함한다.23 and 24, the light emitting diode according to the present embodiment includes the light emitting chip 2, the first lead terminal 12, the second lead terminal 14, and the first lead for applying power to the light emitting chip 2. And a housing 20 for supporting the lead terminal 12 and the second lead terminal 14, and a light-transmitting encapsulant 30 formed to protect the light emitting chip 2.

제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)는 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 금속층, 은 또는 알루미늄으로 이루어진 반사층, 및 금, 니켈 또는 티타늄으로 이루어진 보호층을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 3, the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 may include a base metal layer, a reflective layer made of silver or aluminum, and a protective layer made of gold, nickel, or titanium.

제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)는 대략 판의 형태로 형성된다. 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)는 하우징(30)에 의해 지지된 상태에서 서로에 대해 이격되게 형성된다. 또한, 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)의 서로 이웃하는 단부에는 서로를 향해 열려있는 함몰부들(122, 142)이 형성된다. 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)의 함몰부들(122, 142)에 의해 그 안쪽에는 발광 칩(2)이 실장되는 오목한 컵이 형성된다. 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)는 그들 사이의 갭이 컵 외측 부분, 특히, 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)의 모서리 부근에서 상대적으로 크도록 형성되는데, 이는 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)를 지지하는 하우징(20)의 지지 강도 및 내구성을 향상시키는데 기여한다.The first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 are formed in a substantially plate shape. The first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 are formed to be spaced apart from each other in a state supported by the housing 30. In addition, recesses 122 and 142 that are open toward each other are formed at adjacent ends of the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14. The recessed portions 122 and 142 of the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 form a concave cup in which the light emitting chip 2 is mounted. The first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 have a gap between them so that the gap between them is relatively large near the edges of the cup outer portion, in particular near the edges of the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14. It is formed, which contributes to improving the support strength and durability of the housing 20 for supporting the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14.

하우징(20)은 함몰부들(122, 142)에 의해 형성된 컵 바닥면을 피해 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)의 일부를 덮도록 형성된다. 함몰부들(122, 142)의 바닥면들, 즉, 컵 바닥면들(123, 143)은 외부로 노출된다. 또한, 컵 바닥면들(123, 143)은 하우징(20)의 바닥면과 대략 동일평면 상에 위치하는 것이 바람직하다. 이때, 컵 바닥면들(123, 143)은 예를 들어, 외부의 인쇄회로기판에 형성된 전극패턴에 연결되는 전기 접점부가 될 수 있다. 컵 바닥면들(123, 143)은 얇은 두께, 넓은 면적으로 외부에 노출되어 있으므로, 발광 칩(2)의 열을 외부에 방출하는 데 크게 기여할 수 있다.The housing 20 is formed to cover a portion of the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14, avoiding the cup bottom surface formed by the depressions 122 and 142. Bottom surfaces of the depressions 122 and 142, that is, the cup bottom surfaces 123 and 143, are exposed to the outside. In addition, the cup bottom surfaces 123 and 143 are preferably located on the same plane as the bottom surface of the housing 20. In this case, the cup bottom surfaces 123 and 143 may be, for example, electrical contacts connected to electrode patterns formed on an external printed circuit board. Since the cup bottom surfaces 123 and 143 are exposed to the outside in a thin thickness and a large area, the cup bottom surfaces 123 and 143 may greatly contribute to dissipating heat of the light emitting chip 2 to the outside.

제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)는 함몰부들(122, 142) 각각으로부터 하우징(20)의 측면 외부로 연장된 날개부들(124, 144)을 포함한다. 날개부들(124, 144)은 발광 칩(2)에서 발생된 열을 외부 공기 중에 방출하는 방열부를 구성하며, 특히, 날개부들(124, 144) 각각은 넓은 판의 형상으로 외부 공기 중에 노출되어 있 으므로, 대류 방식으로 발광 칩(2)에서 발생된 열을 외부 공기 중에 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이때, 날개부들(124, 144)을 전기 접점부로 이용할 수도 있으며, 이 경우에는 전술한 컵 바닥면들(123, 143)은 방열 기능만을 수행하게 된다.The first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 include wings 124 and 144 extending from the recesses 122 and 142 to the outside of the side of the housing 20, respectively. The wings 124 and 144 constitute a heat dissipation part that emits heat generated from the light emitting chip 2 to the outside air. In particular, each of the wings 124 and 144 is exposed to the outside air in the shape of a wide plate. Therefore, heat generated in the light emitting chip 2 can be effectively released into the outside air in a convection manner. In this case, the wing parts 124 and 144 may be used as electrical contact parts. In this case, the cup bottom surfaces 123 and 143 may perform only a heat dissipation function.

제1 리드단자(12)의 함몰부(122)에는 발광 칩(2)이 실장되어 제1 리드단자(12)와 전기적으로 연결된다. 또한, 발광 칩(2)과 제2 리드단자(14)의 함몰부(142)는 도전성 와이어를 통해 전기적으로 연결된다. The light emitting chip 2 is mounted on the recess 122 of the first lead terminal 12 to be electrically connected to the first lead terminal 12. In addition, the recessed portion 142 of the light emitting chip 2 and the second lead terminal 14 are electrically connected to each other through a conductive wire.

제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)는 함몰부들(122, 142)의 바닥면들, 즉, 컵 바닥면들(123, 143)로부터 경사지게 연장되어 날개부들(124, 144)과 연결되는 경사면들을 포함한다. 즉, 함몰부들(122, 142)의 내측면, 즉, 컵의 내측면은 발광 칩(2)으로부터 방출된 광 중 일부를 상향 반사시키기 위해 경사진 면으로 형성된다.The first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 extend inclined from the bottom surfaces of the depressions 122 and 142, that is, the cup bottom surfaces 123 and 143, and thus the wing portions 124 and 144. And inclined surfaces connected with the. That is, the inner surface of the depressions 122 and 142, that is, the inner surface of the cup, is formed as an inclined surface to reflect some of the light emitted from the light emitting chip 2 upward.

한편, 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)는 도 24의 확대도에 도시된 바와 같이, 거친면(R)을 포함할 수 있다. 상기 거친면(R)은 예를 들어, 샌드 블라스팅 가공과 같은 표면 처리 가공에 의해 형성되는 면으로, 함몰부(122, 142)에서는 광을 산란시켜 광의 지향각을 넓히고 광의 효율을 높여주는데 기여하며, 하우징(20)에 의해 덮인 함몰부(122, 142)의 바깥쪽 부분에서는 하우징(20)을 이루는 수지에 대해 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)의 접착성을 높여줄 수 있다. Meanwhile, the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 may include a rough surface R, as shown in an enlarged view of FIG. 24. The rough surface R is, for example, a surface formed by a surface treatment process such as sand blasting, and the depressions 122 and 142 scatter light to contribute to widening the direction of light and increasing the efficiency of the light. In the outer portion of the depressions 122 and 142 covered by the housing 20, the adhesion of the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 to the resin constituting the housing 20 is increased. Can be.

함몰부들(122, 142)에 의해 형성된 컵 내부에는 광투과성 수지로 이루어진 봉지제(30)가 채워진다. 예를 들어, 봉지제(30)는 실리콘 수지를 주성분으로 하는 제1 봉지부(32)와 에폭시 수지 또는 하드 실리콘 수지를 주성분으로 하는 제2 봉지 부(34)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 봉지부(32) 및 제2 봉지부(34) 중 어느 하나에는 형광체가 포함될 수 있다.The encapsulant 30 made of a light transmissive resin is filled in the cup formed by the recesses 122 and 142. For example, the encapsulant 30 may include a first encapsulation portion 32 mainly composed of a silicone resin and a second encapsulation portion 34 mainly composed of an epoxy resin or a hard silicone resin. In this case, one of the first encapsulation part 32 and the second encapsulation part 34 may include a phosphor.

도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 단면도이다.25 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 25를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 24를 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 동일한 구성요소들을 갖는다. 다만, 제1 리드단자(12) 및 제2 리드단자(14)는 함몰부들(122, 142)의 바닥면들, 즉, 컵 바닥면들(123, 143)로부터 수직하게 연장되어 컵의 베이스단(5)을 형성하는 수직면과, 상기 수직면으로부터 경사지게 연장되어 컵의 상측단(6)을 형성하기 위해 날개부들(124, 144)과 연결되는 경사면들을 포함한다. Referring to FIG. 25, the light emitting diode according to the present embodiment has substantially the same components as the light emitting diode described with reference to FIG. 24. However, the first lead terminal 12 and the second lead terminal 14 extend vertically from the bottom surfaces of the recesses 122 and 142, that is, the cup bottom surfaces 123 and 143, and thus the base end of the cup. A vertical surface forming (5) and inclined surfaces extending obliquely from the vertical surface and connected to the wing portions 124 and 144 to form the upper end 6 of the cup.

이러한 함몰부들(122, 142)에 의해 형성된 컵 내부에는 베이스단(5)과 그 위에 위치하는 상측단(6)에 광투과성 수지로 이루어진 봉지제(30)가 차례로 형성될 수 있다. 이에 따라, 렌즈 현상을 좀더 효과적으로 형성할 수 있다.In the cup formed by the recesses 122 and 142, an encapsulant 30 made of a light transmissive resin may be sequentially formed at the base end 5 and the upper end 6 positioned thereon. Accordingly, the lens phenomenon can be formed more effectively.

도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 사시도이며, 도 27은 도 26에 도시된 발광 다이오드의 평면도이며, 도 28은 도 27의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 26 is a perspective view illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention, FIG. 27 is a plan view of the light emitting diode shown in FIG. 26, and FIG. 28 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 27.

도 26, 도 27 및 도 28을 참조하면, 발광 다이오드는 발광 칩(2), 하우징(10), 리드 프레임(20), 봉지제(30) 및 리플렉터(40)를 포함한다.26, 27, and 28, the light emitting diode includes a light emitting chip 2, a housing 10, a lead frame 20, an encapsulant 30, and a reflector 40.

리드 프레임(20)은 6개의 리드단자들(22, 24)을 포함할 수 있다. 6개의 리드단자들(22, 24)은 하우징(10)에 의해 지지된다. 리드 프레임(20)은 도 3에 도시 된 바와 같이, 베이스 금속층, 은 또는 알루미늄으로 이루어진 반사층, 및 금, 니켈 또는 티타늄으로 이루어진 보호층을 포함할 수 있다. The lead frame 20 may include six lead terminals 22 and 24. Six lead terminals 22 and 24 are supported by the housing 10. As shown in FIG. 3, the lead frame 20 may include a base metal layer, a reflective layer made of silver or aluminum, and a protective layer made of gold, nickel, or titanium.

하우징(10)은 수지를 몰딩하여 형성된 것으로, 상부면의 중앙에는 발광 칩(2)이 수용되는 공간인 개구부(12)가 형성된다. 하우징(10)은 6개의 리드단자들(22, 24) 각각을 개구부(12)의 안쪽에 위치하는 내부 리드단자(22a, 24a)와 개구부(12) 바깥쪽에 위치하는 외부 리드단자(22b, 24b)로 한정한다. 리드 프레임(20)을 구성하는 리드단자들(22, 24)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.The housing 10 is formed by molding a resin, and an opening 12, which is a space in which the light emitting chip 2 is accommodated, is formed in the center of the upper surface. The housing 10 has six lead terminals 22 and 24, respectively, with inner lead terminals 22a and 24a located inside the opening 12 and outer lead terminals 22b and 24b located outside the opening 12. It is limited to). The number of lead terminals 22 and 24 constituting the lead frame 20 may be variously changed.

리드 프레임(20) 중 3개의 리드단자들(22)에는 발광 칩(2)이 직접 연결되고, 나머지 3개의 리드단자들(24)은 발광 칩(2)과 도전성 와이어를 통해 전기적으로 연결된다.The light emitting chip 2 is directly connected to three lead terminals 22 of the lead frame 20, and the remaining three lead terminals 24 are electrically connected to the light emitting chip 2 through a conductive wire.

리플렉터(40)는 적어도 하우징(10)의 개구부(12)의 내벽에 설치되도록 형성된다. 리플렉터(40)는 리드 프레임(20)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 즉, 리플렉터(40)는 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 금속층, 은 또는 알루미늄으로 이루어진 반사층, 및 금, 니켈 또는 티타늄으로 이루어진 보호층을 포함할 수 있다. The reflector 40 is formed to be installed at least on the inner wall of the opening 12 of the housing 10. The reflector 40 may be formed of the same material as the lead frame 20. That is, the reflector 40 may include a base metal layer, a reflective layer made of silver or aluminum, and a protective layer made of gold, nickel or titanium, as shown in FIG. 3.

리플렉터(40)는 리드 프레임(20)과 함께 하우징(10)에 의해 지지된다. 리플렉터(40)는 하우징(10)의 개구부(12)의 내측면에 면하여 위치하는 중공형의 반사부(42) 및 반사부(42)로부터 연장되어 하우징(10)의 외부에 노출되는 방열부(44)를 포함할 수 있다. The reflector 40 is supported by the housing 10 together with the lead frame 20. The reflector 40 extends from the hollow reflector 42 and the reflector 42 positioned to face the inner surface of the opening 12 of the housing 10 and is exposed to the outside of the housing 10. And (44).

반사부(42)는 상단과 하단에 원주를 각각 갖는 중공 원통형이며, 상단의 원주가 하단의 원주보다 커서 내측면이 일정 기울기의 경사를 갖는 형상으로 형성된 다. 이러한 반사부(42)의 형상은 하우징(10)의 개구부(12) 형상에 상응하며, 따라서, 반사부(42)는 그 측면이 개구부(12)의 내측면에 면하여 위치한다.The reflector 42 is a hollow cylinder having a circumference at the top and the bottom, respectively, and is formed in a shape in which the inner circumference has an inclination of a predetermined slope because the circumference at the top is larger than the circumference at the bottom. The shape of this reflecting portion 42 corresponds to the shape of the opening 12 of the housing 10, so that the reflecting portion 42 is positioned with its side facing the inner surface of the opening 12.

방열부(44)는 반사부(42)로부터 연장되어 하우징(10)의 외부에 열적으로 노출되는 부분이다. 예를 들어, 방열부(44)는 반사부(42) 상단의 원주의 일부분으로부터 측방향으로 연장되어 형성된다. 하우징(10)의 측면에는 방열부(44)의 열적 노출을 허용하는 방열홀(13)이 형성될 수 있다.The heat radiating portion 44 is a portion extending from the reflecting portion 42 and thermally exposed to the outside of the housing 10. For example, the heat radiating portion 44 is formed extending laterally from a portion of the circumference of the top of the reflecting portion 42. A heat radiation hole 13 may be formed at a side of the housing 10 to allow thermal exposure of the heat radiation portion 44.

방열부(44)는, 그 개수의 증가에 따라 발광 다이오드의 방열 특성을 향상시킬 수 있다. 방열부(44)는 반사부(42) 상단의 원주 일부분으로부터 연장된 절곡형의 스트립(strip) 형상을 갖지만, 반사부(42)의 상단 또는 하단, 또는 그 상단과 하단 사이의 임의의 측면으로부터 반지름 방향으로 연장되는 다양한 구조로 변경될 수 있다. 또한, 방열부(44)는 반사부(42)의 전체 둘레로부터 연장된 환형 구조를 가질 수 있다.The heat dissipation unit 44 may improve heat dissipation characteristics of the light emitting diode as the number thereof increases. The heat dissipation portion 44 has a bent strip shape extending from the circumferential portion of the upper end of the reflecting portion 42, but from the top or bottom of the reflecting portion 42 or from any side between the top and the bottom thereof. It can be changed to various structures extending in the radial direction. In addition, the heat radiating portion 44 may have an annular structure extending from the entire circumference of the reflecting portion 42.

한편, 리플렉터(40)는 하우징(10)의 개구부(12) 내측면을 둘러싸기만 한다면 다양한 형상을 가질 수 있다.Meanwhile, the reflector 40 may have various shapes as long as it surrounds the inner surface of the opening 12 of the housing 10.

도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 평면도이며, 도 30은 도 29에 도시된 발광 다이오드의 단면도이다.29 is a plan view illustrating a light emitting diode according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 30 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 29.

도 29 및 도 30을 참조하면, 발광 다이오드는 제1 리드단자(210) 및 제2 리드단자(220)를 포함하는 리드 프레임과, 발광 칩(300), 도전성 와이어(400), 하우징(510) 및 봉지제(600)를 포함한다.29 and 30, a light emitting diode includes a lead frame including a first lead terminal 210 and a second lead terminal 220, a light emitting chip 300, a conductive wire 400, and a housing 510. And an encapsulant 600.

제1 리드단자(210) 및 제2 리드단자(220)는 발광 칩(300)에 전원을 인가하기 위한 것으로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 금속층, 은 또는 알루미늄으로 이루어진 반사층, 및 금, 니켈 또는 티타늄으로 이루어진 보호층을 포함할 수 있다. The first lead terminal 210 and the second lead terminal 220 is for applying power to the light emitting chip 300, as shown in Figure 3, a base metal layer, a reflective layer made of silver or aluminum, and gold, It may include a protective layer made of nickel or titanium.

발광 칩(300)은 제1 리드단자(210)에 실장되며, 도전성 와이어(400)를 통해 제2 리드단자(220)와 전기적으로 연결된다. The light emitting chip 300 is mounted on the first lead terminal 210 and is electrically connected to the second lead terminal 220 through the conductive wire 400.

하우징(510)에는 발광 칩(300)과 제1 리드단자(210) 및 제2 리드단자(220)의 일부분을 노출시키기 위한 개구부(520)가 형성된다. 개구부(520)는 하우징(510)의 중앙 영역이 경사지게 함입되도록 형성될 수 있다. 즉, 개구부(520)는 하우징(510)의 상부면에서 하부로 갈수록 크기가 점점 감소하는 형태로 형성된다. An opening 520 is formed in the housing 510 to expose a portion of the light emitting chip 300, the first lead terminal 210, and the second lead terminal 220. The opening 520 may be formed so that the central region of the housing 510 is inclined. That is, the opening 520 is formed in a shape that gradually decreases in size from the upper surface of the housing 510 toward the lower side.

또한, 하우징(510)에는 와이어 본딩 영역을 노출시키기 위하여 개구부(520)와 인접한 영역의 일부가 함입되도록 형성된 적어도 하나의 절개부(530)가 형성된다. 절개부(530)는 제2 리드단자(220)의 일부 영역 즉, 발광 칩(300)과 연결되는 도전성 와이어(400)가 제2 리드단자(220)에 본딩되는 와이어 본딩 영역을 노출시키도록, 개구부(520)의 일 측 예를 들면, 개구부(520) 영역 중 제2 리드단자(220)가 배치된 영역 상에 형성된다. 이와 같이, 개구부(520)의 일 측으로부터 하우징(510)의 둘레 영역을 향하도록 하우징(510)의 일부가 함입되게 절개부(530)를 형성하면, 제2 리드단자(220)의 일부 영역 즉, 와이어 본딩 영역이 노출된다. 그 결과, 도전성 와이어(400)의 일 단은 제1 리드단자(210)에 실장된 발광 칩(300)에 본딩되고, 타 단은 절개부(530)를 통하여 노출된 제2 리드단자(220)의 와이어 본딩 영역에 본딩된다. In addition, at least one cutout 530 is formed in the housing 510 such that a portion of the area adjacent to the opening 520 is embedded to expose the wire bonding area. The cutout 530 may expose a portion of the second lead terminal 220, that is, the conductive wire 400 connected to the light emitting chip 300 to expose the wire bonding region bonded to the second lead terminal 220. For example, one side of the opening 520 is formed on a region where the second lead terminal 220 is disposed in the opening 520. As such, when the cutout portion 530 is formed such that a portion of the housing 510 is inserted from one side of the opening 520 toward the peripheral area of the housing 510, the partial region of the second lead terminal 220, namely, , The wire bonding area is exposed. As a result, one end of the conductive wire 400 is bonded to the light emitting chip 300 mounted on the first lead terminal 210, and the other end of the conductive wire 400 is exposed through the cutout 530. Is bonded to the wire bonding region of the.

한편, 제2 리드단자(220)의 와이어 본딩 영역의 형태 및 크기는 절개부(530)의 형태 및 크기를 조절하여 다양하게 변형시킬 수 있다. 또한, 도전성 와이어(400)가 2개 이상이거나, 발광 칩(300)이 2개 이상인 경우에, 절개부(530)는 도전성 와이어(400)의 개수에 대응하여 복수개가 형성될 수 있다.The shape and size of the wire bonding region of the second lead terminal 220 may be variously modified by adjusting the shape and size of the cutout 530. In addition, when two or more conductive wires 400 or two or more light emitting chips 300 are present, a plurality of cutouts 530 may be formed corresponding to the number of conductive wires 400.

봉지제(600)는 하우징(510)의 개구부(520) 및 절개부(530)를 채우도록 형성되어 발광 칩(300)을 봉지한다.The encapsulant 600 is formed to fill the opening 520 and the cutout 530 of the housing 510 to encapsulate the light emitting chip 300.

한편, 도시되지는 않았으나, 개구부(520) 및 절개부(530)가 형성된 하우징(510)의 내벽에는 앞서 설명한 리플렉터가 형성될 수 있다.Although not shown, the reflector described above may be formed on the inner wall of the housing 510 in which the opening 520 and the cutout 530 are formed.

이와 같이, 하우징(510)의 일부 영역에 와이어 본딩을 위한 절개부(530)를 형성하게 되면, 하우징(510)의 크기를 줄여서 발광 다이오드의 소형화를 이루는 동시에, 와이어 본딩을 위한 공간을 확보하여 와이어 본딩 시 발생될 수 있는 불량을 최소화시킬 수 있다.As such, when the cutout 530 for wire bonding is formed in a part of the housing 510, the size of the light emitting diode is reduced by reducing the size of the housing 510 and at the same time, a space for wire bonding is secured. It is possible to minimize defects that may occur during bonding.

도 31은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 분해 사시도이다.31 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit according to an embodiment of the present invention.

도 31을 참조하면, 백라이트 유닛은 도광판(310) 및 도광판(310)의 측면에 배치되어 도광판(310)에 광을 공급하는 적어도 하나의 발광 다이오드(320)를 포함한다.Referring to FIG. 31, the backlight unit includes a light guide plate 310 and at least one light emitting diode 320 disposed on a side surface of the light guide plate 310 to supply light to the light guide plate 310.

발광 다이오드(320)는 인쇄회로기판(PCB) 또는 연성 인쇄회로기판(FPCB) 등의 회로기판(330)에 실장될 수 있다. 발광 다이오드(320)는 예를 들어, 회로기판(330)의 길이 방향을 따라 일정한 간격으로 일렬로 배열된다. 발광 다이오 드(320)는 회로기판(330)을 통해 인가되는 전원에 반응하여 광을 출사한다.The light emitting diode 320 may be mounted on a circuit board 330 such as a printed circuit board (PCB) or a flexible printed circuit board (FPCB). The light emitting diodes 320 are arranged in a line at regular intervals along the length direction of the circuit board 330, for example. The light emitting diode 320 emits light in response to a power applied through the circuit board 330.

발광 다이오드(320)는 도 1 내지 도 30에 도시된 다양한 실시예들로 이루어질 수 있으므로, 이와 관련된 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the light emitting diode 320 may be made of various embodiments illustrated in FIGS. 1 to 30, a detailed description thereof will be omitted.

도광판(310)은 측면에 배치된 발광 다이오드(320)로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 상부에 배치될 액정표시패널 방향으로 가이드한다. 도광판(310)은 광의 손실을 최소화시키기 위하여 투명한 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 도광판(310)은 예를 들어, 투명한 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate : PMMA) 또는 폴리 카보네이트(polycarbonate : PC) 재질로 형성된다.The light guide plate 310 changes the path of the light incident from the light emitting diode 320 disposed on the side surface and guides the light guide plate 310 toward the liquid crystal display panel to be disposed thereon. The light guide plate 310 is preferably formed of a transparent material to minimize the loss of light. The light guide plate 310 is formed of, for example, a transparent polymethyl methacrylate (PMMA) or polycarbonate (PC) material.

도광판(310)의 하부면에는 광의 산란 반사를 위한 소정의 반사 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 도광판(310)의 하부면에 형성되는 상기 반사 패턴은 인쇄 패턴 또는 요철 패턴 등을 포함할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드(320)로부터 도광판(310)의 내부로 입사된 광은 상기 반사 패턴에 의하여 산란 반사되고, 도광판(310)의 상부면에 특정 임계각을 넘는 각도로 입사되는 광은 도광판(310)의 상부면을 통해 출사하게 된다.A predetermined reflection pattern (not shown) for scattering reflection of light may be formed on the lower surface of the light guide plate 310. For example, the reflective pattern formed on the lower surface of the light guide plate 310 may include a printing pattern or an uneven pattern. Accordingly, light incident from the light emitting diode 320 into the light guide plate 310 is scattered and reflected by the reflection pattern, and light incident on the upper surface of the light guide plate 310 at an angle exceeding a specific critical angle is received by the light guide plate 310. It will exit through the upper surface of the.

도광판(310)은 발광 다이오드(320)가 배치된 입사면과 그 반대 부분인 대광면이 서로 동일한 두께를 갖는 플레이트 형상을 갖거나, 입사면으로부터 대광면으로 갈수록 두께가 얇아지는 쐐기 형상을 가질 수 있다.The light guide plate 310 may have a plate shape in which the incident surface on which the light emitting diodes 320 are disposed and the opposite surface of the light facing surface have the same thickness, or may have a wedge shape that becomes thinner from the incident surface to the light facing surface. have.

한편, 백라이트 유닛은 도광판(310)의 하면 상에 배치되는 반사 시트(340)를 더 포함할 수 있다. 반사 시트(340)는 도광판(310)의 하부면을 통해 외부로 누설되는 광을 도광판(310) 내부로 반사시켜 광의 이용 효율을 향상시킨다. 반사 시 트(340)는 예를 들어, 백색의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate : PET) 또는 폴리 카보네이트(Poly Carbonate : PC) 재질로 형성된다.The backlight unit may further include a reflective sheet 340 disposed on the bottom surface of the light guide plate 310. The reflective sheet 340 reflects light leaking to the outside through the lower surface of the light guide plate 310 to the inside of the light guide plate 310 to improve light utilization efficiency. The reflective sheet 340 is formed of, for example, white polyethylene terephthalate (PET) or polycarbonate (PC).

또한, 백라이트 유닛은 도광판(310)의 상부에 배치되는 적어도 하나의 광학 시트(350)를 더 포함할 수 있다. 광학 시트(350)는 광을 확산시켜 휘도 균일도를 향상시키기 위한 확산 시트, 광을 집광시켜 정면 휘도를 향상시키기 위한 집광 시트, 광의 리사이클링을 통해 휘도를 증가시키기 위한 반사편광시트 등에서 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.In addition, the backlight unit may further include at least one optical sheet 350 disposed on the light guide plate 310. The optical sheet 350 may include at least one of a diffusion sheet for diffusing light to improve luminance uniformity, a light collecting sheet for condensing light to improve front luminance, a reflective polarizing sheet for increasing luminance through recycling of light, and the like. can do.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary skill in the art will be described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시에에 따른 발광 다이오드를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1.

도 3은 도 2에 도시된 리드 프레임을 구체적으로 나타낸 확대도이다.FIG. 3 is an enlarged view specifically showing the lead frame shown in FIG. 2.

도 4는 금으로 형성된 반사층의 두께 변화에 따른 발광 다이오드 패키지의 광 효율을 나타낸 그래프이다. 4 is a graph showing the light efficiency of the LED package according to the change in the thickness of the reflective layer formed of gold.

도 5는 니켈 또는 티타늄으로 형성된 보호층의 두께에 따른 광투과율을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing the light transmittance according to the thickness of the protective layer formed of nickel or titanium.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리드 프레임을 나타낸 도면이다.6 is a view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 투시하여 나타낸 평면도이다.8 is a plan view illustrating a light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

도 9는 도 8의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.9 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 8.

도 10은 도 8의 B-B'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 8.

도 11은 도 8의 C-C'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 8.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 리드단자 및 제2 리드단자의 제작 과정을 나타낸 도면이다. 12 is a view illustrating a manufacturing process of the first lead terminal and the second lead terminal according to an embodiment of the present invention.

도 13은 다른 실시예에 따른 리드 프레임 형상을 나타낸 도면이다.13 is a view illustrating a shape of a lead frame according to another embodiment.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 평면도이다.14 is a plan view showing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 15는 도 14의 B-B선을 따라 절단한 단면도이다.15 is a cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 14.

도 16은 발광 다이오드에 적용 가능한 다양한 제1 리드단자들을 나타낸 도면이다.16 illustrates various first lead terminals applicable to a light emitting diode.

도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 리드단자를 나타낸 도면이다.17 is a view illustrating a first lead terminal according to another embodiment of the present invention.

도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략도들이다. 18 is schematic views illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 19는 도 18에 도시된 제1 리드단자 및 제2 리드단자의 제작 과정을 나타낸 도면이다.FIG. 19 is a view illustrating a manufacturing process of the first lead terminal and the second lead terminal illustrated in FIG. 18.

도 20은 다른 실시예에 따른 제1 리드단자 및 제2 리드단자이 제작 과정을 나타낸 도면이다.20 is a view illustrating a manufacturing process of a first lead terminal and a second lead terminal according to another embodiment.

도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략도이다. 21 is a schematic diagram illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략도이다.22 is a schematic diagram illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 사시도이다. 23 is a perspective view showing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 24는 도 23에 도시된 발광 다이오드의 단면도이다.24 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 23.

도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 단면도이다.25 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 사시도이 다.26 is a perspective view showing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 27은 도 26에 도시된 발광 다이오드의 평면도이다.FIG. 27 is a plan view of the light emitting diode of FIG. 26.

도 28은 도 27의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 28 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 27.

도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 평면도이다.29 is a plan view showing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 30은 도 29에 도시된 발광 다이오드의 단면도이다.30 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 29.

도 31은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 분해 사시도이다.31 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 발광 다이오드 110 : 발광 칩100: light emitting diode 110: light emitting chip

120 : 리드 프레임 120a : 베이스 금속층120: lead frame 120a: base metal layer

120b : 반사층 120c : 보호층120b: reflective layer 120c: protective layer

120d : 니켈층 130 : 하우징120d: nickel layer 130: housing

160 : 봉지제 162 : 형광체160: sealing agent 162: phosphor

Claims (43)

베이스 금속층;A base metal layer; 상기 베이스 금속층의 표면 상에 형성된 반사층; 및A reflective layer formed on the surface of the base metal layer; And 상기 반사층의 표면 상에 금속으로 형성된 보호층을 포함하는 리드 프레임.And a protective layer formed of a metal on a surface of the reflective layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사층은 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.The reflective layer includes any one selected from silver (Ag) and aluminum (Al). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호층은 금(Au), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.The protective layer is a lead frame comprising any one selected from gold (Au), nickel (Ni) and titanium (Ti). 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 보호층이 금으로 형성된 경우, 상기 보호층은 600㎚ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.When the protective layer is formed of gold, the protective layer has a thickness of less than 600nm. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 보호층이 니켈 또는 티타늄으로 형성된 경우, 상기 보호층은 20㎚ 이하 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.When the protective layer is formed of nickel or titanium, the protective layer has a thickness of 20nm or less. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 베이스 금속층과 상기 반사층 사이에 형성된 니켈층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.And a nickel layer formed between the base metal layer and the reflective layer. 광을 발생시키는 발광 칩;A light emitting chip for generating light; 상기 발광 칩이 실장되는 금속 부재; 및A metal member on which the light emitting chip is mounted; And 상기 금속 부재와 결합되어 상기 금속 부재를 고정시키며, 상기 발광 칩 및 상기 금속 부재의 적어도 일부를 노출시키는 개구부가 형성된 하우징을 포함하며,A housing coupled to the metal member to fix the metal member, the housing having an opening for exposing the light emitting chip and at least a portion of the metal member; 상기 금속 부재는 베이스 금속층, 상기 베이스 금속층의 표면 상에 형성된 반사층 및 상기 반사층의 표면 상에 금속으로 형성된 보호층을 포함하는 발광 다이오드.The metal member includes a base metal layer, a reflective layer formed on the surface of the base metal layer, and a protective layer formed of a metal on the surface of the reflective layer. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 반사층은 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The reflective layer comprises a light emitting diode comprising any one selected from silver (Ag) and aluminum (Al). 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 보호층은 금(Au), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The protective layer is a light emitting diode comprising any one selected from gold (Au), nickel (Ni) and titanium (Ti). 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 보호층이 금으로 형성된 경우, 상기 보호층은 600㎚ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.If the protective layer is formed of gold, the protective layer has a thickness of less than 600nm. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 보호층이 니켈 또는 티타늄으로 형성된 경우, 상기 보호층은 20㎚ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.When the protective layer is formed of nickel or titanium, the protective layer has a thickness of 20nm or less. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 금속 부재는 상기 베이스 금속층과 상기 반사층 사이에 형성된 니켈층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The metal member further comprises a nickel layer formed between the base metal layer and the reflective layer. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 금속 부재는 상기 발광 칩에서 발생된 열을 방출하기 위한 슬러그인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the metal member is a slug for dissipating heat generated from the light emitting chip. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 발광 칩에 전원을 인가하기 위한 리드 프레임을 더 포함하는 것을 특징 으로 하는 발광 다이오드.And a lead frame for applying power to the light emitting chip. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 금속 부재는 상기 발광 칩에 전원을 인가하기 위한 리드 프레임인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The metal member is a light emitting diode, characterized in that the lead frame for applying power to the light emitting chip. 제15항에 있어서, 상기 리드 프레임은 The method of claim 15, wherein the lead frame 상기 발광 칩이 실장되는 칩 실장부 및 상기 칩 실장부에서 절곡되어 형성된 적어도 하나의 반사면을 포함하는 제1 리드단자; 및A first lead terminal including a chip mounting portion on which the light emitting chip is mounted and at least one reflective surface formed by bending the chip mounting portion; And 상기 제1 리드단자로부터 이격된 제2 리드단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And a second lead terminal spaced apart from the first lead terminal. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 제1 리드단자는 상기 칩 실장부로부터 절곡되어 형성된 단차부 및 상기 칩 실장부와 상기 단차부 사이에서 상기 반사면을 형성하는 제1 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The first lead terminal includes a stepped portion bent from the chip mounting portion and a first inclined surface forming the reflective surface between the chip mounting portion and the stepped portion. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 제1 리드단자는 상기 칩 실장부로부터 절곡되어 형성되고, 상기 제1 경사면에 대향하여 위치하는 제2 경사면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다 이오드.The first lead terminal is bent from the chip mounting portion, the light emitting diode further comprising a second inclined surface facing the first inclined surface. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제1 리드단자는 상기 칩 실장부로부터 절곡되어 형성되고, 상기 제1 및 제2 경사면들과 인접하는 제3 및 제4 경사면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the first lead terminal is bent from the chip mounting portion and further includes third and fourth inclined surfaces adjacent to the first and second inclined surfaces. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 제1 리드단자는 상기 칩 실장부에서 상측으로 대향되게 절곡되어 상기 반사면을 형성하는 제1 날개부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the first lead terminal includes first wing portions that are bent upward from the chip mounting portion to form the reflective surface. 제20항에 있어서, 상기 제2 리드단자는 21. The method of claim 20, wherein the second lead terminal 와이어 본딩부 및 상기 와이어 본딩부에서 상측으로 대향되게 절곡되어 상기 제1 날개부들과 나란하게 배치되는 제2 날개부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.A light emitting diode comprising: a wire bonding portion and second wing portions bent to face upward from the wire bonding portion and disposed to be parallel to the first wing portions. 제20항에 있어서,The method of claim 20, 상기 제1 날개부들 및 상기 제2 날개부들 중 적어도 하나는 상기 칩 실장부 및 상기 와이어 본딩부로부터 멀어질수록 폭이 넓어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.At least one of the first wing portion and the second wing portion is a light emitting diode, characterized in that the width is wider away from the chip mounting portion and the wire bonding portion. 제20항에 있어서,The method of claim 20, 상기 하우징은 상기 제1 날개부들 및 상기 제2 날개부들의 바깥면을 덮는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the housing covers outer surfaces of the first wings and the second wings. 제20항에 있어서,The method of claim 20, 상기 제1 날개부들 및 상기 제2 날개부들의 바깥면 중 적어도 일부는 외부에 노출되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.Light emitting diodes, characterized in that at least some of the outer surface of the first wings and the second wings are exposed to the outside. 제15항에 있어서, 상기 리드 프레임은 The method of claim 15, wherein the lead frame 상기 발광 칩이 실장되는 칩 실장부, 상기 칩 실장부로부터 상기 하우징의 외부로 연장되는 제1 외부 리드부 및 상기 칩 실장부에서 연장된 제1 날개부를 포함하는 제1 리드단자; 및A first lead terminal including a chip mounting portion on which the light emitting chip is mounted, a first external lead portion extending from the chip mounting portion to the outside of the housing, and a first wing portion extending from the chip mounting portion; And 상기 제1 리드단자와 이격되며, 와이어 본딩부, 상기 와이어 본딩부로부터 상기 하우징의 외부로 연장되는 제2 외부 리드부 및 상기 와이어 본딩부에서 연장된 제2 날개부를 포함하는 제2 리드단자를 포함하며,A second lead terminal spaced apart from the first lead terminal and including a wire bonding portion, a second outer lead portion extending from the wire bonding portion to the outside of the housing, and a second wing portion extending from the wire bonding portion; , 상기 제1 날개부 및 상기 제2 날개부는 상기 칩 실장부 및 상기 와이어 본딩부로부터 각각 절곡되어 상기 칩 실장부의 양측에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.Wherein the first wing and the second wing are bent from the chip mounting portion and the wire bonding portion, respectively, and disposed on both sides of the chip mounting portion. 제25항에 있어서,The method of claim 25, 상기 제1 날개부는 상기 제2 리드단자의 상기 와이어 본딩부의 측면으로 연장된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the first wing portion extends toward a side of the wire bonding portion of the second lead terminal. 제25항에 있어서,The method of claim 25, 상기 제1 날개부 및 상기 제2 날개부 중 적어도 하나는 상기 칩 실장부로부터 멀어질수록 폭이 넓어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.At least one of the first wing and the second wing is a light emitting diode, characterized in that the width is wider away from the chip mounting portion. 제25항에 있어서,The method of claim 25, 상기 하우징은 상기 제1 날개부 및 상기 제2 날개부의 바깥면을 덮는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The housing is a light emitting diode, characterized in that for covering the outer surface of the first wing and the second wing. 제25항에 있어서,The method of claim 25, 상기 제1 날개부 및 상기 제2 날개부의 바깥면 중 적어도 일부는 외부에 노출된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.Light emitting diodes, characterized in that at least a portion of the outer surface of the first wing portion and the second wing portion is exposed to the outside. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 리드 프레임은 서로 이웃하는 함몰부들을 구비하되, 상기 함몰부들이 상기 발광 칩이 실장되는 하나의 컵을 형성하는 제1 리드단자 및 제2 리드단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The lead frame includes recesses adjacent to each other, and the recesses include a first lead terminal and a second lead terminal forming one cup on which the light emitting chip is mounted. 제30항에 있어서, 31. The method of claim 30, 상기 제1 리드단자 및 상기 제2 리드단자는 상기 함몰부들 각각으로부터 상기 하우징의 외측으로 연장된 날개부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the first lead terminal and the second lead terminal include wing portions extending from the recesses to the outside of the housing. 제31항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 제1 리드단자 및 상기 제2 리드단자는 상기 함몰부의 바닥면으로부터 경사지게 연장되어 상기 날개부와 연결되는 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the first lead terminal and the second lead terminal include an inclined surface extending obliquely from a bottom surface of the recessed portion and connected to the wing portion. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 하우징의 개구부의 내벽에 형성되는 리플렉터를 더 포함하며, 상기 리플렉터는 상기 금속 부재와 동일한 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And a reflector formed on an inner wall of the opening of the housing, wherein the reflector is formed of the same material as the metal member. 제33항에 있어서,34. The method of claim 33, 상기 리플렉터는 상기 하우징의 개구부의 내측면에 면하여 위치하는 중공형의 반사부 및 상기 반사부로부터 연장되어 상기 하우징의 외부에 노출되는 방열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The reflector may include a hollow reflector positioned to face an inner surface of the opening of the housing and a heat radiator extending from the reflector to be exposed to the outside of the housing. 제33항에 있어서,34. The method of claim 33, 상기 하우징은 와이어 본딩 영역을 노출시키기 위하여 상기 개구부와 인접한 영역의 일부가 함입되도록 형성된 적어도 하나의 절개부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the housing includes at least one cutout formed to incorporate a portion of the region adjacent to the opening to expose a wire bonding region. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 발광 칩을 덮도록 상기 하우징의 개구부 내에 채워지며, 상기 발광 칩에서 발생되는 광의 적어도 일부를 다른 파장의 광으로 변환시키기 위한 형광체를 포함하는 봉지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And an encapsulant filled in an opening of the housing to cover the light emitting chip, the encapsulating agent including a phosphor for converting at least a portion of the light generated by the light emitting chip into light having a different wavelength. 제36항에 있어서,The method of claim 36, 상기 발광 칩은 청색 광을 발생시키는 청색 칩을 포함하며,The light emitting chip includes a blue chip for generating blue light, 상기 형광체는 상기 청색 칩으로부터 발생된 청색 광의 적어도 일부를 황색 광으로 변환시키는 황색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The phosphor includes a yellow phosphor that converts at least a portion of the blue light generated from the blue chip into yellow light. 제36항에 있어서,The method of claim 36, 상기 발광 칩은 청색 광을 발생시키는 청색 칩을 포함하며,The light emitting chip includes a blue chip for generating blue light, 상기 형광체는 상기 청색 칩으로부터 발생된 청색 광의 적어도 일부를 적색 광 및 녹색 광으로 각각 변환시키는 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The phosphor includes a red phosphor and a green phosphor for converting at least a portion of the blue light generated from the blue chip into red light and green light, respectively. 제36항에 있어서,The method of claim 36, 상기 발광 칩은 청색 광을 발생시키는 청색 칩 및 적색 광을 발생시키는 적색 칩을 포함하며, The light emitting chip includes a blue chip generating blue light and a red chip generating red light, 상기 형광체는 상기 청색 칩 및 상기 적색 칩으로부터 발생된 청색 광 및 적색 광의 적어도 일부를 녹색 광으로 변환시키는 녹색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The phosphor includes a green phosphor that converts at least a portion of the blue light and the red light generated from the blue chip and the red chip into green light. 제36항에 있어서,The method of claim 36, 상기 발광 칩은 청색 광을 발생시키는 청색 칩 및 녹색 광을 발생시키는 녹색 칩을 포함하며,The light emitting chip includes a blue chip generating blue light and a green chip generating green light, 상기 형광체는 상기 청색 칩 및 상기 녹색 칩으로부터 발생된 청색 광 및 녹색 광의 적어도 일부를 적색 광으로 변환시키는 적색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The phosphor includes a red phosphor that converts at least a portion of the blue light and the green light generated from the blue chip and the green chip into red light. 도광판; 및Light guide plate; And 상기 도광판의 측면에 배치되어 상기 도광판에 광을 공급하는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하며,At least one light emitting diode disposed on the side of the light guide plate for supplying light to the light guide plate, 상기 발광 다이오드는,The light emitting diode, 베이스 금속층, 상기 베이스 금속층의 표면 상에 형성된 반사층 및 상기 반사층의 표면 상에 금속으로 형성된 보호층을 포함하는 리드 프레임; 및A lead frame including a base metal layer, a reflective layer formed on the surface of the base metal layer, and a protective layer formed of metal on the surface of the reflective layer; And 상기 리드 프레임에 실장되며, 상기 리드 프레임을 통해 인가되는 전원에 반응하여 광을 발생시키는 발광 칩을 포함하는 백라이트 유닛.And a light emitting chip mounted on the lead frame and configured to generate light in response to power applied through the lead frame. 제41항에 있어서,The method of claim 41, wherein 상기 반사층은 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The reflective layer comprises any one selected from silver (Ag) and aluminum (Al). 제41항에 있어서,The method of claim 41, wherein 상기 보호층은 금(Au), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The protective layer includes any one selected from gold (Au), nickel (Ni) and titanium (Ti).
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