JP2013153126A - Led package and led light emitting element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、LED(Light Emitting Diode)パッケージ及びLED発光素子に関する。 The present invention relates to an LED (Light Emitting Diode) package and an LED light emitting element.
近年、数十μmから数mm程度角の大きさのLEDチップをパッケージ内に収めた発光装置が開発され、電子機器、車両、各種の照明装置として利用が拡大している。 In recent years, a light emitting device in which an LED chip having a size of several tens of μm to several mm is accommodated in a package, and its use is expanding as an electronic device, a vehicle, and various lighting devices.
LEDパッケージは、凹部底面にLEDチップを搭載し、シリコーン樹脂などの封止材料でモールドして、パッケージから外部に露出した電極によって、実装基板と電気的・機械的な接続を行う。 In the LED package, an LED chip is mounted on the bottom surface of the recess, molded with a sealing material such as silicone resin, and electrically and mechanically connected to the mounting substrate by electrodes exposed to the outside from the package.
LEDパッケージは、ヒートシンク、リードフレーム、ケースが一体となっているものが最も一般的である。ヒートシンクは熱の拡散を、リードフレームは電気的導通を、ケースは絶縁及び放熱効果をそれぞれ要求されている。LEDパッケージは、LEDチップから放出される光を効率よく取り出すことが求められており、LEDから直接放たれた光だけでなく、リフレクタを設けることで反射させ、外部に光をより多く放出されるような輝度の高いパッケージが検討されている。 The most common LED package includes a heat sink, a lead frame, and a case. The heat sink is required for heat diffusion, the lead frame is required for electrical conduction, and the case is required for insulation and heat dissipation. The LED package is required to efficiently extract the light emitted from the LED chip. In addition to the light emitted directly from the LED, the LED package reflects the light by providing a reflector, and more light is emitted to the outside. Such high-brightness packages are being studied.
上記リードフレームは、板状の鉄−ニッケル等の合金薄板、銅−ニッケル−錫等の金属薄板からなるリードフレーム用金属材料を、エッチング加工やスタンピング加工等にて製造される。このように製造されるリードフレームは、LEDチップを搭載するためのパッド電極(アイランド電極)と、このパッド電極とは絶縁状態であり、LEDチップと電気的に接続されるインナーリード電極と、外部基板と電気的に接続されるアウターリード電極とを備える。 The lead frame is manufactured by etching or stamping a metal material for a lead frame made of a plate-like alloy thin plate such as iron-nickel or a metal thin plate such as copper-nickel-tin. The lead frame manufactured in this way has a pad electrode (island electrode) for mounting the LED chip, an inner lead electrode electrically connected to the LED chip, and an externally connected pad electrode. An outer lead electrode electrically connected to the substrate;
上記封止樹脂は、パッケージ上部の凹部内に充填してLEDチップや配線を保護すると共に、蛍光物質を含有することによってLEDチップからの光を、例えば青色から白色に波長変換する。封止樹脂は、狭い隙間への充填性が求められるため、低粘度の有機系樹脂(例えば、シリコーン系樹脂)が使用されることが多い。このため、パッケージとしては、上部の凹部に流し込んだ液状の樹脂が、パッケージの側面や底面から漏れ出ないようにすることが必要である。 The sealing resin fills the recesses in the upper part of the package to protect the LED chip and the wiring, and converts the wavelength of the light from the LED chip from, for example, blue to white by containing a fluorescent material. Since the sealing resin is required to be filled in a narrow gap, a low-viscosity organic resin (for example, a silicone resin) is often used. For this reason, as a package, it is necessary to prevent the liquid resin that has flowed into the concave portion at the top from leaking out from the side surface or the bottom surface of the package.
パッケージ部材は、熱膨張係数の異なる樹脂材料と金属からなるため、密着性・接着性が悪い。結果、樹脂部と金属部との界面の隙間から封止樹脂が漏れ出すと、封止の目的とするリフレクタ内のLEDチップや配線の保護ができなくなるばかりか、半田の実装性不良等の種々の問題を発生させる原因になる。また、封止樹脂に蛍光物質が含有されている場合は、封止樹脂と共に蛍光物質も漏れ出すことになり、目的の色度からずれることになる。 Since the package member is made of a resin material and a metal having different thermal expansion coefficients, the adhesion and adhesion are poor. As a result, if the sealing resin leaks from the gap at the interface between the resin part and the metal part, the LED chip and the wiring in the reflector intended for sealing cannot be protected, and various solder mounting defects, etc. Cause problems. Moreover, when the fluorescent material is contained in the sealing resin, the fluorescent material also leaks together with the sealing resin, resulting in deviation from the target chromaticity.
特許文献1には、リードフレームの一部に溝部又は突起部を形成して、アウターリード電極とパッケージ部材との界面から外壁面方向へ封止樹脂が漏出することを防止する半導体装置が記載されている。上記溝部及び突起部の形成方向は、アウターリード電極の延伸方向に対して垂直方向であることが記載されている。また、溝部や突起部の形成方法は、打ち抜き加工(プレス加工)やエッチングにより形成されることが記載されている。また、リードフレームの材質としては、導電性・放熱性・機械的強度・光の反射等の観点から、Cuをベースとした合金で、表面をAgで処理したものが好適であることが記載されて
いる。
Patent Document 1 describes a semiconductor device in which a groove or a protrusion is formed in a part of a lead frame to prevent the sealing resin from leaking from the interface between the outer lead electrode and the package member toward the outer wall surface. ing. It is described that the forming direction of the groove and the protrusion is a direction perpendicular to the extending direction of the outer lead electrode. Further, it is described that the method of forming the groove and the protrusion is formed by punching (pressing) or etching. In addition, as a material of the lead frame, it is described that an alloy based on Cu and whose surface is treated with Ag is preferable from the viewpoint of conductivity, heat dissipation, mechanical strength, light reflection, and the like. ing.
しかしながら、特許文献1記載の半導体装置は、アウターリード電極とパッケージ樹脂部との界面から外壁面方向への封止樹脂の漏出防止に着目した技術であるため、以下の課題がある。 However, since the semiconductor device described in Patent Document 1 is a technique that focuses on preventing leakage of the sealing resin from the interface between the outer lead electrode and the package resin portion toward the outer wall surface, it has the following problems.
(1)Cu合金の表面をAgメッキした材質であるリードフレームに、打ち抜き加工(プレス加工)やエッチングにより溝部又は突起部を形成しているので、形成される溝部又は突起部が、Cu合金の表面のAgメッキを損傷してしまう場合がある。また、該表面に十分な膜厚のAg処理を施したとしても溝部又は突起部では、Ag処理が不均一になることは避けられない。 (1) Since a groove or protrusion is formed by punching (pressing) or etching on a lead frame made of Ag-plated Cu alloy surface, the formed groove or protrusion is made of Cu alloy. The Ag plating on the surface may be damaged. Moreover, even if the Ag treatment having a sufficient film thickness is performed on the surface, it is inevitable that the Ag treatment is not uniform in the groove or the protrusion.
このため、溝部又は突起部において、Agメッキが薄くなる、またはAgメッキが剥がれ、湿気等により水酸化物及び酸化物等が生成されて腐食する場合があることが判明した。Cu合金が腐食すると、腐食物が該表面に露出し、輝度などLEDの特性を低下させる。 For this reason, it has been found that the Ag plating becomes thin or the Ag plating is peeled off at the groove or the protrusion, and a hydroxide, an oxide, or the like is generated due to moisture or the like to be corroded. When the Cu alloy is corroded, the corroded material is exposed on the surface, and the LED characteristics such as luminance are deteriorated.
(2)モールド樹脂とリードフレームの密着低下に起因する封止樹脂漏れについては記載されているが、LEDパッケージの外からLEDチップの実装領域であるキャビティ内に浸透するAgメッキの硫化対策については記載されていない。アウターリード電極とパッケージ部材との界面からキャビティ内に、空気中の二酸化硫黄などの硫化物が浸透すると、Agメッキは、硫化銀となり黒色化し、反射率が低下するなど光学特性が劣化する。このAgメッキの硫化対策については、記載がなく、有効な対策が採られていない。 (2) Although the sealing resin leakage due to the lowering of the adhesion between the mold resin and the lead frame has been described, the countermeasure against sulfuration of Ag plating that penetrates from the outside of the LED package into the cavity that is the mounting area of the LED chip. Not listed. When sulfides such as sulfur dioxide in the air permeate into the cavity from the interface between the outer lead electrode and the package member, the Ag plating becomes silver sulfide and blackens, and the optical characteristics deteriorate, for example, the reflectance decreases. There is no description about the countermeasure against sulfuration of this Ag plating, and no effective countermeasure has been taken.
また、封止樹脂は、必ずしもガスや水分の浸透を防ぐことができていない。このため、空気中の水分やガスの浸透によりLEDチップの劣化が発生して、信頼性を落とすことが多い。 Moreover, the sealing resin does not necessarily prevent the penetration of gas and moisture. For this reason, the deterioration of the LED chip is often caused by the penetration of moisture and gas in the air, and the reliability is often lowered.
(3)さらに、リードフレームとリフレクタ樹脂との界面における封止樹脂の漏出対策及び、キャビティ内への硫化対策については、記載されていない。 (3) Further, there is no description about measures against leakage of the sealing resin at the interface between the lead frame and the reflector resin and measures against sulfurization into the cavity.
本発明の目的は、パッケージから封止樹脂が漏れ出すことを防止し、かつキャビティ内への硫化物浸透を防止することができるLEDパッケージ及びLED発光素子を提供することである。 An object of the present invention is to provide an LED package and an LED light emitting element that can prevent sealing resin from leaking out of the package and prevent sulfide penetration into the cavity.
本発明のLEDパッケージは、LEDを載置する一方の面と、前記一方の面の裏面であって平面である他方の面と、を備える第1のリードフレームと、前記一方の面と平行な方向において前記第1のリードフレームに対向する第2のリードフレームと、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームがお互いに対向する接続端部間を接続する樹脂と、を備え、少なくとも前記第1のリードフレームの他方の面の一部は、前記樹脂から露出し、前記第1のリードフレームの他方の面の前記接続端部側の端部、及び前記接続端部の少なくとも一部には、レーザ加工によって粗部が形成されることを特徴とする。 An LED package of the present invention includes a first lead frame including one surface on which an LED is placed, and the other surface that is the back surface of the one surface and is a plane, and is parallel to the one surface. A second lead frame that faces the first lead frame in a direction, and a resin that connects between the connection ends of the first lead frame and the second lead frame that face each other, and at least A part of the other surface of the first lead frame is exposed from the resin, an end of the other surface of the first lead frame on the connection end side, and at least a part of the connection end Is characterized in that a rough portion is formed by laser processing.
本発明によれば、パッケージから封止樹脂が漏れ出すことを防止し、かつキャビティ内を汚染、または腐食する硫化物等の不純物の浸透を防止することができるLEDパッケージ及びLED発光素子を実現することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the LED package and LED light emitting element which can prevent the sealing resin leaking out from a package and can prevent the penetration | infiltration of impurities, such as a sulfide which contaminates or corrodes the inside of a cavity, are implement | achieved. be able to.
請求項1に記載の発明は、LEDを載置する一方の面と、前記一方の面の裏面であって平面である他方の面と、を備える第1のリードフレームと、前記一方の面と平行な方向において前記第1のリードフレームに対向する第2のリードフレームと、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームがお互いに対向する接続端部間を接続する樹脂と、を備え、少なくとも前記第1のリードフレームの他方の面の一部は、前記樹脂から露出し、前記第1のリードフレームの他方の面の前記接続端部側の端部、及び前記接続端部の少なくとも一部には、レーザ加工によって粗部が形成されることを特徴とするLEDパッケージである。また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のLEDパッケージと、前記第1のリードフレームに載置されるLEDと、前記LED及び前記第1、第2のリードフレームの前記一方の面の少なくとも一部を封止する透明樹脂と、を備えたことを特徴とするLED発光素子である。これらにより、一方の面と平行な方向において第2のリードフレームと対向する第1のリードフレームの接続端部の加工が非常に難しくても、レーザ加工により粗部を形成することができる。これにより、第1のリードフレームの他方の面の一部が樹脂から露出したとしても、パッケージから封止樹脂が漏れ出すことを防止し、かつキャビティ内を汚染、または腐食する硫化物等の不純物の浸透を防止することができる。 The invention according to claim 1 is a first lead frame comprising one surface on which an LED is placed, and the other surface which is the back surface of the one surface and is a plane, and the one surface. A second lead frame that faces the first lead frame in a parallel direction; and a resin that connects between the connection ends of the first lead frame and the second lead frame facing each other. , At least a part of the other surface of the first lead frame is exposed from the resin, and an end of the other surface of the first lead frame on the side of the connection end, and at least of the connection end Part of the LED package is characterized in that a rough portion is formed by laser processing. According to a second aspect of the present invention, there is provided the LED package according to the first aspect, the LED mounted on the first lead frame, and the one of the LED and the first and second lead frames. And a transparent resin that seals at least part of the surface of the LED. As a result, even if it is very difficult to process the connecting end portion of the first lead frame facing the second lead frame in the direction parallel to the one surface, the rough portion can be formed by laser processing. As a result, even if a part of the other surface of the first lead frame is exposed from the resin, the sealing resin can be prevented from leaking out of the package, and impurities such as sulfides can contaminate or corrode the cavity. Can be prevented.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(実施の形態)
図1は、本発明の一実施の形態に係るLEDパッケージを模式的に示す斜視図である。
(Embodiment)
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an LED package according to an embodiment of the present invention.
図1に示すように、LEDパッケージ100は、一対の矩形状のリードフレーム101,102と、リードフレーム101とリードフレーム102とを電気的に絶縁する矩形状
の絶縁部103と、リードフレーム101,102及び絶縁部103の外周部を取り囲むリフレクタ部104と、を備える。
As shown in FIG. 1, the
リードフレーム101,102と絶縁部103とリフレクタ部104とは、一体化されて構成されている。
The
リードフレーム101,102は、導電性・放熱性・機械的強度・光の反射等の観点からCu又はCu合金からなる金属板を加工して使用する。リードフレーム101,102は、光の光学特性を向上させるために表面をAgメッキ処理して用いる。
The
リードフレーム101とリードフレーム102は、絶縁部103を水平方向から挟み込むように一対が配置されている。すなわち、リードフレーム101及びリードフレーム102と絶縁部103との接続面は、リードフレーム101とリードフレーム102とが向かい合う面である。リードフレーム101は、例えばアノード側リード部、リードフレーム102は、カソード側リード部である。
A pair of the
絶縁部103は、エポキシなどの熱硬化性樹脂やポリフタルアミドなどの熱可塑性樹脂からなり、リードフレーム101とリードフレーム102とを保持する。一方の面である絶縁部103の上面(表面)は、リードフレーム101,102の上面(表面)と共に、LEDパッケージ100の凹状の底部を形成している。
The
リフレクタ部104は、エポキシなどの熱硬化性樹脂やポリフタルアミドなどの熱可塑性樹脂からなり、LED素子からの光をLEDパッケージ100の上部方向に効率よく反射する。リフレクタ部104は、例えば、酸化チタンなどを含有する白色樹脂が望ましい。
The
LEDパッケージ100のリードフレーム102の上面(表面)には、発光素子であるLEDチップ110が搭載される。LEDチップ110が搭載されるリードフレーム102とリードフレーム101と絶縁部103の上面が、リフレクタ部104により取り囲まれることで、LEDパッケージ100の上部側は、凹状のLED載置空間(キャビティ)105を形成している。なお、リフレクタ部104は必ずしも必要であるわけではない。
An
LEDチップ110は、導電部材であるボンディングワイヤ111,112によりリードフレーム101,102にそれぞれ接続(ワイヤボンディング)されている。なお、ボンディングワイヤ111,112の径は、φ25μm〜35μmが好ましい。材質としては、Al、Cu、Pt、Au等が好適に用いられる。
The
LEDチップ110は、例えばGaN系青色発光ダイオードチップを用いる。
As the
キャビティ105内には、封止樹脂(図示省略)が充填され、この封止樹脂により、キャビティ105内に配置されたLEDチップ110及びボンディングワイヤ111,112が、封止される。この封止樹脂は、LED素子の発光波長において光透過率が高く、また狭い隙間への充填性が求められるため、低粘度の有機系樹脂(例えばシリコーン系樹脂)が使用される。
The
図2は、LEDパッケージ100の断面斜視図、図3は、LEDパッケージ100の断面図である。図2及び図3において、図1のLEDチップ110、及びボンディングワイヤ111,112の記載は省略されている。
FIG. 2 is a cross-sectional perspective view of the
図2及び図3に示すように、リードフレーム101,102と絶縁部103の接続部は
、凹凸部が組み合わされた段差構造となっている。より具体的には、リードフレーム101,102は、一方の面である上面(表面)が広く、他方の面である下面(裏面)が狭い段差構造を有し、リードフレーム101,102に挟み込まれる絶縁部103は、それとは逆の上面(表面)が狭く、下面(裏面)が広い段差構造を有する。また、リードフレーム101,102とリフレクタ部104の接続部は、図2に示すように凹凸部が嵌合された構造となっている。この段差構造は、実際には図2、3のように直角に形成されているわけではない。すなわち、段差構造形成の加工は、例えばエッチング加工では直角に形成することが困難であり、緩やかな曲線を描く場合がある。曲線の大小は、加工の精度による。
As shown in FIGS. 2 and 3, the connection portion between the lead frames 101 and 102 and the insulating
これらの構造により、リードフレーム101,102と絶縁部103とリフレクタ部104との密着性を高め、低粘度の封止樹脂(例えば、シリコーン系樹脂)の漏出を防止し、かつ外気のキャビティ105内への浸透を防止している。なお、リードフレーム101,102及び絶縁部103の段差構造は、キャビティ内部と外部との封止性を向上させることをより重視した構造である。
With these structures, the adhesion between the lead frames 101 and 102, the insulating
上記構造を採ったとしても、図2及び図3の破線で囲んだ箇所、すなわちリードフレーム101,102と絶縁部103の接続面、及びリードフレーム101,102とリフレクタ部104の接続面は、依然として密着性が必要とされる部分である。
Even if the above structure is adopted, the portions surrounded by the broken lines in FIGS. 2 and 3, that is, the connection surfaces of the lead frames 101 and 102 and the insulating
本発明は、図2及び図3の破線で囲んだリードフレーム101,102と絶縁部103の接続部、及びリードフレーム101,102とリフレクタ部104の接続部の密着性を飛躍的に向上させるものである。
The present invention drastically improves the adhesion between the
図4は、LEDパッケージ100の断面図である。図4(a)は、図3の再掲図、図4(b)は、リードフレーム101,102と絶縁部103の接続部(A部)の要部拡大図、図4(c)は、その接続部(B部)の界面を拡大して示す図である。なお、本実施の形態では分かりやすくするために接続部(B部)と記載しているが、図4(b)にある通り、接続部は図4(b)のB部だけに限らない。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the
上述したように、本実施の形態では、リードフレーム101,102は、Cu合金からなり、表面がAgメッキされている。また、絶縁部103及びリフレクタ部104は、エポキシ樹脂からなる。
As described above, in the present embodiment, the lead frames 101 and 102 are made of a Cu alloy, and the surface thereof is Ag-plated. The insulating
本発明は、リードフレーム101,102のAgメッキ表面を、レーザ加工により、所定状態で荒らすことを特徴とする。すなわち、図4(c)に示すように、リードフレーム101,102のAgメッキ表面に対し、レーザ加工により、表面粗さ(Ra):0.1−10μmの粗面を形成する。レーザ加工により、リードフレーム101,102のAgメッキ表面を、0.1−10μmの粗面を形成するよう荒らした上で、このリードフレーム101,102を絶縁部103又はリフレクタ部104のエポキシ樹脂と樹脂成形する。
The present invention is characterized in that the Ag plating surfaces of the lead frames 101 and 102 are roughened in a predetermined state by laser processing. That is, as shown in FIG. 4C, a rough surface having a surface roughness (Ra) of 0.1 to 10 μm is formed on the Ag plating surfaces of the lead frames 101 and 102 by laser processing. The Ag plating surfaces of the lead frames 101 and 102 are roughened by laser processing so as to form a rough surface of 0.1 to 10 μm, and then the lead frames 101 and 102 are bonded to the insulating
次に、レーザ加工を施す箇所について説明する。 Next, the place which performs laser processing is demonstrated.
図4(b)に示されるように、A部(接続部)などの上記のレーザ照射部分における段差構造は、実際には図2、3のように直角に形成されているわけではない。すなわち、段差構造形成の加工は、直角に形成することが困難であり、緩やかな曲線を描くことが多い。そして、リードフレーム101,102が曲線状であると、レーザを高出力にして照射しなくてはリードフレーム101,102表面に凹凸を形成できない。これは、対象物であるリードフレーム101,102の照射面積が広がることにより、レーザ照射パワー密
度が低下するからである。対して、例えばリードフレーム101,102が平面状でありレーザの照射方向と垂直に近づくことで、レーザが低出力であってもリードフレーム101,102表面に凹凸を形成しやすい。すなわち、レーザがより垂直にリードフレーム101,102表面に照射されるなど、レーザ光の面積(大きさ)に対して、レーザ光を受けるリードフレーム101,102表面積が略同程度であると、レーザが低出力であってもリードフレーム101,102表面に凹凸を形成しやすい。リードフレーム101,102が曲線状であることによって、レーザ光の面積に対して、レーザ光を受けるリードフレーム101,102表面積が大きくなりすぎ、レーザを高出力にして照射しなくてはリードフレーム101,102表面に凹凸を形成できない。そして、レーザを高出力に設定して加工すると、平面部分などレーザが垂直に当たる部分にレーザが照射されると、パワーが大きすぎて加工部周辺が熱によって変色する。この結果、リードフレーム101,102の上面(表面)であってLEDの光を反射させる部分においては、リードフレーム101,102が変色して光学特性が低下し、LEDの輝度低下が起こる。また、リードフレーム101,102の下面(裏面)であれば、高出力レーザの影響でハンダヌレ性低下の可能性が高くなる。更に、レーザによって削り取られた部分に相当する飛散物が大量に飛び散ることによって、リードフレーム101,102の上面(表面)であってLEDの光を反射させる部分にも飛散物が飛び散り、上面において反射率などの光学特性が低下する。また、リードフレーム101,102の下面(裏面)であれば、飛散物が邪魔となりハンダヌレ性低下の可能性が高くなる。従って、レーザ加工は、品質低下につながる周囲への影響を考慮すると、より低出力によって十分な凹凸を形成しなくてはならない。
As shown in FIG. 4B, the step structure in the laser irradiation portion such as the A portion (connection portion) is not actually formed at a right angle as shown in FIGS. That is, it is difficult to form the step structure at a right angle, and a gentle curve is often drawn. If the lead frames 101 and 102 are curved, irregularities cannot be formed on the surfaces of the lead frames 101 and 102 unless the laser is irradiated with high output. This is because the laser irradiation power density decreases as the irradiation area of the lead frames 101 and 102, which are objects, increases. On the other hand, for example, the lead frames 101 and 102 are planar and approach the direction perpendicular to the laser irradiation direction, so that irregularities are easily formed on the surfaces of the lead frames 101 and 102 even when the laser output is low. That is, the surface area of the lead frames 101 and 102 that receive the laser light is substantially the same as the area (size) of the laser light, such as the laser being irradiated onto the surfaces of the lead frames 101 and 102 more vertically. Is easy to form irregularities on the surfaces of the lead frames 101 and 102 even if the output is low. Because the lead frames 101 and 102 are curved, the surface area of the lead frames 101 and 102 that receive the laser beam is too large relative to the area of the laser beam, and the
一方で、リードフレーム101,102表面(Agメッキ表面)の反射率が高いと、レーザ光をリードフレーム101,102表面(Agメッキ表面)が吸収せずに反射してしまうため、レーザを高出力にして照射しなくてはリードフレーム101,102表面に凹凸を形成できない。これは、本願発明のLEDパッケージはLEDを効率的に反射させることが必要であるため、光学特性を向上させるためにAgメッキを施しているためである。従って、リードフレーム101,102表面(Agメッキ表面)はいずれの部分も基本的に光学特性が高く、その分だけレーザ加工を高出力にて行わなくてはならない。 On the other hand, if the reflectivity of the surfaces of the lead frames 101 and 102 (Ag plating surface) is high, the laser beam is reflected without being absorbed by the surfaces of the lead frames 101 and 102 (Ag plating surface). Thus, it is impossible to form irregularities on the surfaces of the lead frames 101 and 102 without irradiation. This is because the LED package of the present invention needs to reflect the LED efficiently, and thus Ag plating is applied to improve the optical characteristics. Therefore, the surfaces of the lead frames 101 and 102 (Ag plating surface) basically have high optical characteristics, and laser processing must be performed at a high output accordingly.
また、リードフレーム101,102表面(Agメッキ表面)の反射率が低いなど光学特性が低いと、レーザ光をリードフレーム101,102表面(Agメッキ表面)が反射せずに吸収するため、レーザが低出力であってもリードフレーム101,102表面に凹凸を形成しやすい。また、例えば一回目のレーザ照射でリードフレーム101,102表面(Agメッキ表面)に凹凸を形成した場合、その凹凸の周りには、リードフレーム101,102のうち削り取られた部分に相当する飛散物が周囲に飛び散る。それにより、リードフレーム101,102表面(Agメッキ表面)の光学特性は低下する。 In addition, when the optical characteristics are low, such as the reflectance of the surface of the lead frames 101 and 102 (Ag plating surface) is low, the surface of the lead frames 101 and 102 (Ag plating surface) absorbs the laser beam without reflection, so the laser is Even if the output is low, irregularities are easily formed on the surfaces of the lead frames 101 and 102. Further, for example, when irregularities are formed on the surfaces of the lead frames 101 and 102 (Ag plating surfaces) by the first laser irradiation, the scattered matter corresponding to the scraped portions of the lead frames 101 and 102 is formed around the irregularities. Splashes around. Thereby, the optical characteristics of the surfaces of the lead frames 101 and 102 (Ag plating surface) are deteriorated.
このような関係から、本実施例においては、リードフレーム101,102のAgメッキ表面へのレーザ加工は、リードフレーム101,102の下面(裏面)であって、段差構造との境界部分(図4(b)のC部)に施す。言い換えれば、リードフレーム101,102の他方の面である下面(裏面)であって、接続面(A部)との境界部(図4(b)のC部)に施す。それに加えて、後からリードフレーム101,102と絶縁部103の接続部(A部)のリードフレーム101,102の表面(図4(b)のB部)にも形成して良い。
From this relationship, in this embodiment, the laser processing of the Ag plating surfaces of the lead frames 101 and 102 is performed on the lower surface (back surface) of the lead frames 101 and 102 and the boundary portion with the step structure (FIG. 4). (C) of (b). In other words, it is applied to the lower surface (rear surface) which is the other surface of the lead frames 101 and 102 and to the boundary portion (C portion in FIG. 4B) with the connection surface (A portion). In addition, it may be formed on the surface of the lead frames 101 and 102 (B portion in FIG. 4B) of the connection portion (A portion) between the lead frames 101 and 102 and the insulating
前述したように、平面形状であるC部には低出力のレーザであっても容易に凹凸を形成することができる。そして、C部の凹凸形成により削り取られたリードフレーム101,102に相当する飛散物が飛び散ることによって、C部の周囲(B部を含む)には飛散物による小さな凹凸が形成される。これにより、リードフレーム101,102のAgメッキ表面に粗面が形成されるので、エポキシ樹脂が、上記粗面に流れ込み、エポキシ樹脂と
リードフレーム101,102のAgメッキ表面との間の接着面積が増大する。その結果、リードフレーム101,102と絶縁部103及びリフレクタ部104との界面の密着性が向上する。但し、この場合、飛散物の量は上面(表面)に付着するほどではない。
As described above, irregularities can be easily formed in the C portion having a planar shape even with a low-power laser. Then, scattered objects corresponding to the lead frames 101 and 102 scraped off by forming the unevenness of the C portion are scattered, so that small unevenness due to the scattered objects is formed around the C portion (including the B portion). As a result, a rough surface is formed on the Ag-plated surface of the lead frames 101 and 102, so that the epoxy resin flows into the rough surface, and the adhesion area between the epoxy resin and the Ag-plated surface of the lead frames 101 and 102 is increased. Increase. As a result, the adhesion at the interface between the lead frames 101 and 102 and the insulating
さらに、上記の飛散物によってC部の周囲(B部を含む)は光学特性が劣化し、例えば反射率が低下する。その結果、例え曲線形状のB部であってもレーザ光を吸収しやすくなり、低出力のレーザ光であっても十分に凹凸を形成することができる。すなわち、下面の接続面(B部)との境界部にレーザ加工により凹部を形成し、その後、接続面(B部)にレーザ加工により凹部を形成するとよい。その結果、低出力のレーザ光によってリードフレーム101,102のAgメッキ表面に凹凸の大きな粗面が容易に形成されるので、エポキシ樹脂が、上記粗面に流れ込み、エポキシ樹脂とリードフレーム101,102のAgメッキ表面との間の接着面積が更に増大する。その結果、リードフレーム101,102と絶縁部103及びリフレクタ部104との界面の密着性が大幅に向上する。
Furthermore, the optical characteristics of the periphery of C part (including B part) deteriorate due to the above scattered matter, for example, the reflectivity decreases. As a result, even the curved B portion can easily absorb the laser beam, and the unevenness can be sufficiently formed even with the low-power laser beam. That is, it is good to form a recessed part by laser processing in the boundary part with the connection surface (B part) of a lower surface, and to form a recessed part by laser processing in a connection surface (B part) after that. As a result, a rough surface having large irregularities is easily formed on the Ag plating surfaces of the lead frames 101 and 102 by the low-power laser beam, so that the epoxy resin flows into the rough surface, and the epoxy resin and the lead frames 101 and 102. This further increases the adhesion area between the Ag plating surface and the surface. As a result, the adhesion at the interface between the lead frames 101 and 102 and the insulating
また、レーザとリードフレーム101,102との位置関係によっては、レーザの照射部がリードフレーム101,102に対して垂直の方向(真上)にあるとは限らない。従って、例えばレーザ光がリードフレーム101,102に対して斜めの方向(図4(b)のX方向)から照射される場合、絶縁部103と接する図4(b)のB部にレーザを照射しようとすると、リードフレーム101のB部には上手くレーザが当たらない。すなわち、同じレーザの照射面積に対して、レーザ光を受けるリードフレーム101,102表面積が極端に異なってしまうため、リードフレーム101とリードフレーム102とでレーザを吸収する度合いに大きなバラツキが生じる。対してC部にレーザを照射すると、同じレーザの照射面積に対して、レーザ光を受けるリードフレーム101,102表面積が同程度であるため、リードフレーム101のC部とリードフレーム102のC部との両方にほぼ同程度のレーザ加工がなされる。そのため、例えレーザの照射が斜め方向からなされても、レーザ加工の度合いにバラツキが生じにくい。
Further, depending on the positional relationship between the laser and the lead frames 101 and 102, the laser irradiation portion is not always in the direction perpendicular to the lead frames 101 and 102 (directly above). Therefore, for example, when the laser beam is irradiated from an oblique direction (X direction in FIG. 4B) with respect to the lead frames 101 and 102, the laser is irradiated to the B portion in FIG. When trying to do so, the laser does not strike the B part of the
以下、上述のように構成されたLEDパッケージ100の製造方法について説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing the
ステップS1:リードフレーム板準備工程
リードフレーム101,102(図2参照)の材料となるリードフレーム板は、熱伝導の良いCu又はCu合金を使用する。
Step S1: Lead frame board preparation process The lead frame board used as the material of
ステップS2:リードフレーム加工工程
本実施の形態では、リードフレーム板からエッチング加工によりリードフレームを加工する。また、エッチング加工に代えて、リードフレーム板から金型打ち抜き加工によりリードフレームを加工してもよい。
Step S2: Lead Frame Processing Step In this embodiment, the lead frame is processed from the lead frame plate by etching. Further, instead of etching, the lead frame may be processed by die punching from the lead frame plate.
ステップS3:Agメッキ工程
本実施の形態では、加工したリードフレームに、Niメッキ+Cuメッキし、さらにその後にAgメッキを施す。上記Ni及びCuメッキは、非常に薄いメッキ(フラッシュメッキ)である。また、Niメッキ+Cuメッキ後のAgメッキは、膜厚1−10μm程度の十分厚いメッキである。
Step S3: Ag plating step In this embodiment, the processed lead frame is subjected to Ni plating + Cu plating, and then Ag plating is performed. The Ni and Cu plating is very thin plating (flash plating). Further, the Ag plating after Ni plating + Cu plating is a sufficiently thick plating with a film thickness of about 1-10 μm.
Agメッキは、光沢Agメッキを使用しているが、半光沢、無光沢Agメッキなどを使用してもよい。 The Ag plating uses glossy Ag plating, but semi-glossy or matte Ag plating may be used.
ステップS4:Agメッキ表面加工工程
Agメッキしたリードフレームにレーザ照射して、リードフレームの表面を粗くする加工を行う。本実施の形態では、レーザ加工は、例えばFAYbレーザ、YAGレーザ(Y
,Al,Garnet LASER)を使用する。また、リードフレームのAgメッキ表面の表面粗さ(Ra)は、YAGレーザのエネルギにより決定されることが判明した。
Step S4: Ag plating surface processing step Processing is performed to roughen the surface of the lead frame by irradiating the Ag-plated lead frame with a laser. In the present embodiment, laser processing is performed using, for example, a FAYb laser, a YAG laser (Y
, Al, Garnet LASER). Further, it has been found that the surface roughness (Ra) of the Ag plating surface of the lead frame is determined by the energy of the YAG laser.
Agメッキ表面加工工程では、YAGレーザの条件(発振波長が約950〜1100nmであり好ましくは1000〜1070nm、ピークパワー8kW以上であって好ましくは10kW以上)でレーザ加工により、リードフレームのAgメッキ表面に表面粗さ(Ra):0.1〜10μmの粗面を形成する。ピークパワーが8kWよりも小さいと、リードフレームを上手く加工することが難しい。このように、レーザによってAgメッキ表面を加工することによって、Agメッキ表面もしくはリードフレーム板が粗面となる。このときに、削り取られた部分の飛散物が、その削り取られた部分の周りに飛び散る。それによって、削り取られた部分だけでなく、そのまわりまでAgメッキ表面またはリードフレーム板が飛散物で粗面となる。これにより、リードフレーム101,102の表面積が飛散物の分だけ増加すると同時に、加工周辺の光学特性が低下してレーザの吸収率が向上する。 In the Ag plating surface processing step, the Ag plating surface of the lead frame is obtained by laser processing under the conditions of YAG laser (oscillation wavelength is about 950 to 1100 nm, preferably 1000 to 1070 nm, peak power is 8 kW or more, preferably 10 kW or more). Surface roughness (Ra): A rough surface of 0.1 to 10 μm is formed. If the peak power is less than 8 kW, it is difficult to process the lead frame well. Thus, by processing the Ag plating surface with a laser, the Ag plating surface or the lead frame plate becomes a rough surface. At this time, the scattered matter of the scraped portion scatters around the scraped portion. Thereby, not only the shaved portion but also the Ag plating surface or the lead frame plate becomes a rough surface with scattered matter. As a result, the surface areas of the lead frames 101 and 102 are increased by the amount of scattered matter, and at the same time, the optical characteristics around the processing are lowered and the laser absorption rate is improved.
Agメッキ表面加工のリードフレームのAgメッキ表面は、所望の表面粗さ(Ra):0.1〜10μmの粗面が形成される。しかしながら、レーザ加工によりAgメッキ表面が茶色に変色し、製品の輝度に影響を及ぼす場合がある。その場合、次の樹脂成形工程の前にフレームの洗浄を行うことで茶色の変色を取り除くことが望ましい。 A desired surface roughness (Ra): a rough surface of 0.1 to 10 μm is formed on the Ag plating surface of the lead frame processed by Ag plating. However, the surface of the Ag plating may turn brown due to laser processing, which may affect the brightness of the product. In that case, it is desirable to remove the brown discoloration by washing the frame before the next resin molding step.
以下、粗面が形成されたリードフレームを使用して、従来と同様の工程を実施する。 Hereinafter, the same process as the conventional process is performed using the lead frame on which the rough surface is formed.
ステップS6:樹脂成形工程
本実施の形態では、樹脂成形は、トランスファー成形または射出成形などを用いる。なお、本実施の形態では、エポキシ樹脂を用いているが、樹脂材料を他の材料に変更することも可能である。例えば、シリコーン系、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート系、ポリフェニレンサルファイド(PPS)系、液晶ポリマー(LCP)系、ABS系、フェノール系、アクリル系、PBT系等の樹脂、複数の樹脂から成る複合樹脂、または、樹脂と無機材等との複合樹脂などである。
Step S6: Resin molding step In this embodiment, the resin molding uses transfer molding or injection molding. Note that although an epoxy resin is used in this embodiment, the resin material can be changed to another material. For example, silicone, polyphthalamide (PPA), polycarbonate, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS, phenol, acrylic, PBT resin, etc. Resin or composite resin of resin and inorganic material.
ステップS7:熱硬化工程
成形樹脂が熱可塑樹脂の場合、この熱硬化工程は不要である。
Step S7: Thermosetting process When the molding resin is a thermoplastic resin, this thermosetting process is unnecessary.
樹脂を熱硬化してLEDパッケージ100を完成させる。
The resin is thermally cured to complete the
次に、上記表面粗さ(Ra)の定義と最適範囲について説明する。 Next, the definition and optimum range of the surface roughness (Ra) will be described.
図5は、高さ方向の振幅平均パラメータを説明する図である。 FIG. 5 is a diagram illustrating the amplitude average parameter in the height direction.
図5に示すように、ある粗面において、基準長さlr、算術平均粗さRaをとり、断面曲線の算術平均高さPa、算術平均うねりWaとする場合、基準長さにおけるZ(x)の絶対値の平均は、次(数1)で示される。 As shown in FIG. 5, when a reference length lr and an arithmetic average roughness Ra are taken on a certain rough surface to obtain an arithmetic average height Pa and an arithmetic average waviness Wa of the cross-sectional curve, Z (x) at the reference length The average of the absolute values of is shown by the following (Equation 1).
表面粗さ(Ra)は、(数1)により定義される。 The surface roughness (Ra) is defined by (Equation 1).
図6は、レーザの走査スピードとレーザ出力との関係からレーザ加工条件を説明する図である。 FIG. 6 is a diagram for explaining the laser processing conditions from the relationship between the laser scanning speed and the laser output.
図6に示すように、レーザの走査スピードが高速の場合は、レーザのスポットの連続性がないので不適である。レーザの走査スピードが低速の場合は、レーザのスポットの連続性は保たれるが加工時間が長くなる。一方、レーザ出力が小さいと、Ag表面の粗化不良で所望の表面粗さ(Ra)が形成されない。また、レーザ出力が大きいと、粗面形成の際に削り取られたリードフレーム101,102に相当する部分の飛散物が大量に周囲に付着し、リードフレーム101,102の光学特性(例えば反射率)を大きく低下させる。 As shown in FIG. 6, when the scanning speed of the laser is high, there is no continuity of the laser spot, which is not suitable. When the laser scanning speed is low, the laser spot continuity is maintained, but the processing time becomes long. On the other hand, if the laser output is small, the desired surface roughness (Ra) cannot be formed due to poor roughening of the Ag surface. In addition, when the laser output is large, a large amount of scattered matter corresponding to the lead frames 101 and 102 scraped off when the rough surface is formed adheres to the periphery, and the optical characteristics (for example, reflectivity) of the lead frames 101 and 102. Is greatly reduced.
図7は、レーザ顕微鏡写真により撮影したAgメッキのレーザ加工前後の写真である。図7(a)は、レーザ加工前のAgメッキ表面写真、図7(b)は、レーザ加工後のAgメッキ表面写真である。 FIGS. 7A and 7B are photographs taken before and after laser processing of Ag plating, taken by a laser micrograph. FIG. 7A is an Ag plating surface photograph before laser processing, and FIG. 7B is an Ag plating surface photograph after laser processing.
図7(a)と図7(b)とを比較して示すように、レーザ加工後には、Agメッキ表面に、適当な表面粗さ(Ra)が形成されていることが分かる。これは、レーザ加工自体による粗さ及びレーザ加工によって削られた部分に相当する飛散物による粗さによって形成されている。 As shown by comparing FIG. 7A and FIG. 7B, it can be seen that an appropriate surface roughness (Ra) is formed on the Ag plating surface after laser processing. This is formed by roughness due to laser processing itself and roughness due to scattered matter corresponding to a portion cut by laser processing.
以上、レーザ加工によりAgメッキ表面に粗面が形成されたリードフレームを有するLEDパッケージの製造工程について説明した。 The manufacturing process of the LED package having the lead frame with the rough surface formed on the Ag plating surface by laser processing has been described above.
次に、LEDパッケージの封止樹脂の封止までの製造工程について説明する。 Next, the manufacturing process up to the sealing of the LED package sealing resin will be described.
図8は、LEDパッケージの封止樹脂の封止までの製造工程図である。 FIG. 8 is a manufacturing process diagram up to the sealing of the sealing resin of the LED package.
LEDパッケージ100準備工程(図8(a)参照)
図8(a)に示すように、LEDパッケージの製造方法により作製されたAgメッキ表面に粗面が形成されたリードフレーム101,102を有するLEDパッケージ100を準備する。
As shown in FIG. 8A, an
図8(a)に示すように、(1)リードフレーム101,102と絶縁部103との接続部のリードフレーム101,102のAgメッキ表面と、(2)リードフレーム101,102とリフレクタ部104の外周接続部とのAgメッキ表面と、(3)リードフレーム101,102とリフレクタ部104の台形底部との接続部とのAgメッキ表面は、レーザ加工により表面粗さ(Ra):0.1−10μmの粗面が形成された上で、樹脂成形
されている。
As shown in FIG. 8A, (1) the Ag plating surface of the lead frames 101, 102 at the connection portion between the lead frames 101, 102 and the insulating
LEDチップ110搭載工程(図8(b)参照)
図8(b)に示すように、LEDパッケージ100のリードフレーム102の上面(表面)にLEDチップ110を載置し、例えばダイボンディングペーストを介して固定する。このダイボンディングペーストとしては、耐熱性・耐光性のあるエポキシやシリコーン等の樹脂、またはより熱伝導率の高い金属からなるダイボンディングペーストを用いることができる。
As shown in FIG. 8B, the
これにより、LEDチップ110は、LEDパッケージ100のLED載置空間(キャビティ)105の底面の略中央部に搭載される。またLEDチップ110の外周方向は、リフレクタ部104により取り囲まれている。
As a result, the
ワイヤボンディング工程(図8(c)参照)
図8(c)に示すように、リードフレーム102の上面に載置されたLEDチップ110のアノード電極パッド(図示略)とリードフレーム101とをボンディングワイヤ111によりワイヤボンディングし、LEDチップ110のカソード電極パッド(図示略)とリードフレーム102とをボンディングワイヤ112によりワイヤボンディングして電気的に接続する。
Wire bonding process (see FIG. 8C)
As shown in FIG. 8C, the anode electrode pad (not shown) of the
樹脂封止工程(図8(d)参照)
図8(d)に示すように、キャビティ105に配置されたLEDチップ110及びボンディングワイヤ111,112を覆うように、キャビティ105内に蛍光物質を含有した封止樹脂120を充填する。封止樹脂120により、キャビティ105内に配置されたLEDチップ110及びボンディングワイヤ111,112が、封止される。封止樹脂120は、LED素子の発光波長において光透過率が高く、また狭い隙間への充填性が求められるため、低粘度の有機系樹脂(例えばシリコーン系樹脂)が使用される。また、封止樹脂120には、LED素子からの光を波長変換する蛍光物質が含有されている。蛍光物質は、発光素子からの光の波長に応じて種々選択され、例えば青色光を発するLED素子を利用する場合には、YAG:Ce、Eu及び/又はCrで賦活された窒素含有CaO−Al2O3−SiO2等の無機蛍光物質等が好適に用いられる。
Resin sealing process (see FIG. 8D)
As shown in FIG. 8D, the
蛍光物質は、LED素子からの光をより長波長に変換させるものが発光効率として良い。LED素子と蛍光物質により波長変換された混色光は白色であることが好ましい。 A fluorescent substance that converts light from the LED element into a longer wavelength is good in luminous efficiency. The mixed color light that has been wavelength-converted by the LED element and the fluorescent material is preferably white.
例えば、LEDチップ110にGaN系青色発光ダイオードチップを用いる場合、LEDチップ110から出射された光の波長を変換させる蛍光物質(波長変換部材)は、緑蛍光体として、(Si・Al)6(O・N)8:Eu、赤蛍光体として、CaAlSiN3:Euを含有させたシリコーン樹脂を用いる。これにより、LEDチップ110から出射された青色の光の一部が、青色の光より波長の長い赤色又は緑色の光に変換される。
For example, when a GaN-based blue light-emitting diode chip is used for the
なお、上記蛍光物質を含まないシリコーン樹脂を用いてもよく、またシリコーン樹脂以外の封止樹脂を用いてもよい。 In addition, the silicone resin which does not contain the said fluorescent substance may be used, and sealing resins other than a silicone resin may be used.
図9は、本実施の形態に係るLEDパッケージのリードフレームを拡大した写真を示す図である。図4(b)のC部にレーザ加工されていることが分かる。このように、LEDチップ110を載置する一方の面(上面)を備える第1のリードフレーム102と第1のリードフレーム102に対向する第2のリードフレーム101とにおいて、一方の面(上面)とは反対の他方の面(下面)であって第1のリードフレーム102と第2のリードフレーム101とが対向する接続面(B部)との境界部(C部)に粗部を形成する工程と、
粗部を形成する工程においてリードフレーム102の飛散物が付着した接続面(B部)を覆い、第1のリードフレーム102と第2のリードフレーム101とを固定する樹脂(絶縁部103)を形成する工程と、を備える。これにより、一対のリードフレームとパッケージ樹脂とを強固に密着接続することにより、リードフレームとパッケージ樹脂との隙間からパッケージ外部からの水分や二酸化硫黄といった不純物の浸入を防止することにより光学特性を維持することができる。
FIG. 9 is a view showing an enlarged photograph of the lead frame of the LED package according to the present embodiment. It can be seen that laser processing is performed on the C portion of FIG. As described above, one surface (upper surface) of the
In the step of forming the rough portion, the resin (insulating portion 103) for fixing the
また、接続面との境界部にレーザ加工により凹部を形成し、その後、接続面にレーザ加工により凹部を形成することによって、一対のリードフレームと絶縁部とを非常に強固に接続し、リードフレームと絶縁部との間の隙間から水分が侵入し難くなるので、光学特性を維持したまま寿命を延ばすことができる。また、接続面に低出力レーザ加工をすることができる。 Also, by forming a recess by laser processing at the boundary with the connection surface, and then forming a recess by laser processing on the connection surface, the pair of lead frames and the insulating portion are connected very firmly. Since it is difficult for moisture to enter from the gap between the insulating portion and the insulating portion, the life can be extended while maintaining the optical characteristics. Further, low power laser processing can be performed on the connection surface.
また、本実施の形態では、レーザ加工により、リードフレーム101,102とリフレクタ部104の台形底部との接続部のリードフレーム101,102の表面について、Agメッキ表面の粗面形成を実施してもよく、より強固にリードフレーム101,102とリフレクタ部104とを接続することができる。また、レーザ加工であることによって、エッチング加工などと異なり、必要な部分にのみ粗面形成加工を施すことができる。
Further, in the present embodiment, the surface of the lead frames 101 and 102 at the connecting portion between the lead frames 101 and 102 and the trapezoidal bottom of the
ここで、リードフレーム101,102のAgメッキ表面へのレーザ加工は、リードフレーム101,102と絶縁部103の接続部のリードフレーム101,102の表面、リードフレーム101,102とリフレクタ部104の外周接続部のリードフレーム101,102の表面、又は、リードフレーム101,102とリフレクタ部104の台形底部との接続部のリードフレーム101,102の表面に実施されればよく、それ以外のリードフレーム101,102の上面(表面)には、光の光学特性及び耐久性確保等の観点から実施しないことが好ましい。レーザ加工では、かかる加工領域の設定は容易に指定可能である。
Here, the laser processing of the Ag-plated surfaces of the lead frames 101 and 102 is performed on the surface of the lead frames 101 and 102 at the connection portion between the lead frames 101 and 102 and the insulating
以上の説明は本発明の好適な実施の形態の例証であり、本発明の範囲はこれに限定されることはない。 The above description is an illustration of a preferred embodiment of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to this.
例えば、リードフレーム101,102及び絶縁部103平面形状は略矩形状であるが、これに限らず、例えば円形、楕円形、多角形等の形状とすることも可能である。
For example, the planar shapes of the lead frames 101 and 102 and the insulating
また、本実施の形態では、キャビティ105内に1つのLEDチップ110を配置しているが、LEDチップの個数は1個以上であればよく、これに限られるものではない。
In the present embodiment, one
上記実施の形態では、LEDパッケージという名称を用いたが、これは説明の便宜上であり、半導体素子用パッケージ、光半導体素子用パッケージ等であってもよい。また、LEDパッケージの製造方法は、光半導体素子の製造方法と呼称してもよい。 In the above embodiment, the name “LED package” is used. However, this is for convenience of explanation, and may be a package for a semiconductor element, a package for an optical semiconductor element, or the like. Moreover, the manufacturing method of an LED package may be called the manufacturing method of an optical semiconductor element.
さらに、上記LEDパッケージを構成する各構成部、例えば基板の種類、樹脂封止方法などは前述した実施の形態に限られない。 Furthermore, each component part which comprises the said LED package, for example, the kind of board | substrate, the resin sealing method, etc. are not restricted to embodiment mentioned above.
本発明のLEDパッケージ及びLEDパッケージの製造方法は、LEDチップを搭載するパッケージに用いて好適である。特に、信頼性に優れ、封止樹脂の耐液漏れ性を有する高寿命の発光装置としての利用に有用である。 The LED package and the LED package manufacturing method of the present invention are suitable for use in a package on which an LED chip is mounted. In particular, it is excellent in reliability and useful for use as a long-life light-emitting device having liquid leakage resistance of a sealing resin.
100 LEDパッケージ
101,102 リードフレーム
103 絶縁部
104 リフレクタ部
105 キャビティ(LED載置空間)
110 LEDチップ
111,112 ボンディングワイヤ
120 封止樹脂
100
110
Claims (2)
前記一方の面と平行な方向において前記第1のリードフレームに対向する第2のリードフレームと、
前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームがお互いに対向する接続端部間を接続する樹脂と、を備え、
少なくとも前記第1のリードフレームの他方の面の一部は、前記樹脂から露出し、
前記第1のリードフレームの他方の面の前記接続端部側の端部、及び前記接続端部の少なくとも一部には、レーザ加工によって粗部が形成されることを特徴とするLEDパッケージ。 A first lead frame comprising one surface on which the LED is placed and the other surface that is the back surface of the one surface and is a plane;
A second lead frame facing the first lead frame in a direction parallel to the one surface;
The first lead frame and the second lead frame include a resin that connects between connection ends facing each other, and
At least a part of the other surface of the first lead frame is exposed from the resin,
The LED package, wherein a rough portion is formed by laser processing at an end of the other surface of the first lead frame on the connection end portion side and at least a part of the connection end portion.
前記第1のリードフレームに載置されるLEDと、
前記LED及び前記第1、第2のリードフレームの前記一方の面の少なくとも一部を封止する透明樹脂と、を備えたことを特徴とするLED発光素子。 An LED package according to claim 1;
An LED mounted on the first lead frame;
An LED light emitting element comprising: the LED and a transparent resin that seals at least a part of the one surface of the first and second lead frames.
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