JP2019079937A - Light emitting device, package, and method for manufacturing them - Google Patents

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Abstract

To provide a light emitting device excellent in package strength while realizing a reduction in thickness.SOLUTION: A light emitting device 100 includes: a package 10 having a resin portion 20 having a recess 29, a pair of lead electrodes 30 supported by the resin portion and disposed with a gap D in a bottom surface 25 of the recess, and a metal plate 40 provided on a side wall of a recess separated from the pair of lead electrodes so as to bridge the gap; and a light emitting element 50 mounted on the pair of lead electrodes of the package.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法に関する。   The present disclosure relates to light emitting devices, packages, and methods of manufacturing them.

近年、高輝度、高出力の発光素子及び小型の発光装置が開発され種々の分野に利用されている。例えば、液晶表示装置のバックライトに用いられる光源は、それを使用する機器の小型化及び軽量化のために、薄型化が求められている。そのために、光源として用いられる発光装置として、例えば、サイドビュータイプと呼ばれる形態の発光装置が種々開発されている。   In recent years, light emitting elements and small light emitting devices with high brightness and high output have been developed and used in various fields. For example, a light source used for a backlight of a liquid crystal display device is required to be thin in order to miniaturize and lighten a device using the light source. Therefore, as a light emitting device used as a light source, for example, various light emitting devices in a form called side view type have been developed.

サイドビュータイプの発光装置は、一般に、正面に開口する凹部が形成されたパッケージに発光素子が載置され、2つのリード電極が外部端子としてパッケージ内部から外部に引き出されて構成されている(例えば、特許文献1)。この発光装置は、2つのリード電極の端部同士がパッケージの凹部の底面において隙間を介して離間して配置される。そして、2つのリード電極のそれぞれは、隙間の両側に沿って延長する第1翼部あるいは第2翼部が形成されている。   In general, the light emitting device is mounted on a package having a concave portion opened in the front, and two lead electrodes are drawn out from the inside of the package as external terminals (for example, a side view type light emitting device). , Patent Document 1). In the light emitting device, the ends of the two lead electrodes are spaced apart from each other on the bottom of the recess of the package with a gap. Each of the two lead electrodes is formed with a first wing or a second wing extending along both sides of the gap.

また、2つのリード電極は、パッケージの底面側に設置され、第1翼部及び第2翼部は、パッケージの内側壁に沿って曲げられ、パッケージのハウジングのモールディング樹脂により第1翼部及び第2翼部の外面が支持されている。したがって、発光装置において2つのリード電極は、第1翼部及び第2翼部により発光ダイオードからの光反射面の領域を増加させている。   Also, the two lead electrodes are disposed on the bottom side of the package, and the first wing and the second wing are bent along the inner side wall of the package, and the molding resin of the package housing is used to form the first wing and the second wing. 2 The outer surface of the wing is supported. Therefore, in the light emitting device, the two lead electrodes increase the area of the light reflection surface from the light emitting diode by the first wing and the second wing.

特開2010−135277号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-135277

上記のような発光装置を薄型化するためには、パッケージの側壁を薄くすることが必要である。しかし、パッケージの側壁を薄くすると、強度不足によるパッケージの割れが生じるおそれがある。   In order to make the light emitting device as described above thin, it is necessary to make the side wall of the package thin. However, if the side wall of the package is thinned, the package may be broken due to the lack of strength.

そこで、本開示に係る実施形態は、薄型化を実現しながら、強度に優れたパッケージ、及びそれを用いた発光装置、並びにそれらの製造方法を提供することを課題とする。   Therefore, an embodiment according to the present disclosure has an object to provide a package excellent in strength, a light emitting device using the same, and a method of manufacturing the same while realizing a reduction in thickness.

本実施形態に係る発光装置は、凹部を有する樹脂部と、前記樹脂部に支持され前記凹部の底面に隙間を空けて配置された一対のリード電極と、前記隙間を跨ぐように前記凹部の側壁に前記一対のリード電極と離間して設けた金属板と、を有するパッケージと、前記パッケージの一対のリード電極に実装される発光素子と、を備える。
また、本実施形態に係る発光装置は、凹部を有する樹脂部と、前記樹脂部に支持され前記凹部の底面に隙間を空けて配置された一対のリード電極と、前記隙間を跨ぐように前記凹部の側壁に前記一対のリード電極と離間して設けた絶縁板と、を有するパッケージと、前記パッケージの一対のリード電極に実装される発光素子と、を備える。
また、本実施形態に係るパッケージは、凹部を有する樹脂部と、前記樹脂部に支持され前記凹部の底面に隙間を空けて配置された一対のリード電極と、前記隙間を跨ぐように 前記凹部の側壁に前記一対のリード電極と離間して設けた金属板又は絶縁板と、を備える。
また、本実施形態に係るパッケージの製造方法は、一対のリード電極を、隙間を空けて対向して形成し、前記一対のリード電極の側端面に仮接続部を介して前記隙間を跨ぐ長さに形成された金属板を有するリードフレームを準備する準備工程と、前記一対のリード電極の接続部を境にして前記金属板を所定角度に曲げる曲げ工程と、前記リードフレームに金型を介して樹脂部を設け、前記一対のリード電極を前記樹脂部の凹部の底面に露出させると共に、前記金属板を前記凹部の内側面に沿って配置させ前記樹脂部で保持するパッケージ形成工程と、前記仮接続部を、切断装置を介して切断することで前記一対のリード電極から前記金属板を切離す切離し工程と、を含む。
さらに、本実施形態に係る発光装置の製造方法は、前記パッケージの製造方法により得られるパッケージを準備する工程と、前記凹部の底面に露出する前記一対のリード電極に発光素子を実装する工程と、前記発光素子を実装したパッケージごとに個片化する工程と、を含むこととした。
The light emitting device according to the present embodiment includes a resin portion having a recess, a pair of lead electrodes supported by the resin portion and disposed at a bottom surface of the recess with a gap, and a sidewall of the recess so as to bridge the gap. And a light emitting device mounted on the pair of lead electrodes of the package.
In the light emitting device according to the present embodiment, the resin portion having a recess, the pair of lead electrodes supported by the resin portion and disposed at a bottom surface of the recess with a gap, and the recess so as to straddle the gap And a light emitting element mounted on a pair of lead electrodes of the package.
The package according to the present embodiment includes a resin portion having a recess, a pair of lead electrodes supported by the resin portion and disposed at a bottom surface of the recess with a gap, and the recess so as to straddle the gap. And a metal plate or an insulating plate provided on the side wall so as to be separated from the pair of lead electrodes.
Further, in the method of manufacturing the package according to the present embodiment, the pair of lead electrodes are formed to face each other with a gap, and the side end surface of the pair of lead electrodes has a length across the gap via the temporary connection portion. A step of preparing a lead frame having a metal plate formed thereon, a bending step of bending the metal plate at a predetermined angle with the connecting portion of the pair of lead electrodes as a boundary, and a die on the lead frame Providing a resin portion, exposing the pair of lead electrodes to the bottom surface of the recess of the resin portion, and disposing the metal plate along the inner side surface of the recess and holding the resin portion by the resin portion; And a separation step of separating the metal plate from the pair of lead electrodes by cutting the connection portion through a cutting device.
Furthermore, in the method of manufacturing a light emitting device according to the present embodiment, a step of preparing a package obtained by the method of manufacturing the package, and a step of mounting a light emitting element on the pair of lead electrodes exposed on the bottom of the recess; And D. separating each package having the light emitting element mounted thereon.

本実施形態に係るパッケージ及び発光装置並びにそれらの製造方法は、薄型化を実現しながら、強度に優れる構造を提供できる。   The package, the light emitting device, and the manufacturing method thereof according to the present embodiment can provide a structure excellent in strength while realizing thinning.

第1実施形態に係るパッケージ及び発光装置を模式的に示す正面図である。It is a front view which shows the package and light-emitting device concerning a 1st embodiment typically. 図1のII−II線における断面を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the cross section in the II-II line of FIG. 第1実施形態に係る発光装置に使用されるリード電極と金属板とを取り出して位置関係を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which takes out the lead electrode and metal plate which are used for the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and shows a positional relationship typically. 第1実施形態に係る発光装置の金属板について凹部の底面に対する設置角度を模式的に示す模式図である。It is a schematic diagram which shows typically the installation angle with respect to the bottom face of a recessed part about the metal plate of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る発光装置においてリード電極と金属板とが仮接続部を介して接続されている状態の一部を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically a part of state in which a lead electrode and a metal plate are connected via a temporary connection part in the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る発光装置においてリード電極と接続している金属板を、仮接続部を境に曲げた状態を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the state which bent the metal plate connected with the lead electrode in the light-emitting device concerning 1st Embodiment bordering on a temporary connection part. 第1実施形態に係る発光装置においてリード電極と接続している金属板の仮接続部を切離した状態を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the state which disconnected the temporary connection part of the metal plate connected with the lead electrode in the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る発光装置の金属板における変形例を一部断面にして模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which makes a partial cross section the modification in the metal plate of the light-emitting device concerning a 1st embodiment, and is shown typically. 第2実施形態に係る発光装置の一部を断面にして模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which makes a part of light emitting device concerning a 2nd embodiment a section, and is shown typically. 発光装置に用いる金属板の形状、及び、仮接続部の位置についての変形例を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the modification about the shape of the metal plate used for a light-emitting device, and the position of a temporary connection part. 発光装置に用いる金属板の配置と形状、及び、仮接続部の位置についての変形例を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the modification about the arrangement | positioning and shape of the metal plate used for a light-emitting device, and the position of a temporary connection part. 発光装置に用いる金属板の形状、及び、仮接続部の形状ならびに位置についての変形例を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the modification about the shape of the metal plate used for a light-emitting device, and the shape of a temporary connection part, and a position.

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。さらに、図面によってはXYZ方向を図示して説明するが図面上で説明する方向は任意である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the embodiments described below are for embodying the technical concept of the present invention, and the present invention is not limited to the following ones unless there is a specific description. Further, the sizes and positional relationships of members shown in the drawings may be exaggerated in order to clarify the description. Furthermore, in the drawings, the XYZ directions are illustrated and described, but the directions described in the drawings are arbitrary.

(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るパッケージ及び発光装置を模式的に示す正面図、図2は、図1のII−II線における断面を模式的に示す斜視図、図3は、第1実施形態に係る発光装置に使用されるリード電極と金属板とを取り出して位置関係を模式的に示す斜視図、図4は、第1実施形態に係る発光装置の金属板について凹部の底面に対する設置角度を模式的に示す模式図である。
First Embodiment
FIG. 1 is a front view schematically showing a package and a light emitting device according to the first embodiment, FIG. 2 is a perspective view schematically showing a cross section taken along line II-II in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a perspective view schematically showing the positional relationship by taking out the lead electrode and the metal plate used for the light emitting device according to the embodiment, and FIG. 4 is an installation angle of the metal plate of the light emitting device according to the first embodiment Is a schematic view schematically showing.

発光装置100は、凹部29を有する樹脂部20と、樹脂部20に支持され凹部29の底面25に隙間Dを空けて配置された一対のリード電極(第1リード31及び第2リード32)30と、隙間Dを跨ぐように凹部29の側壁(第1側壁21,第2側壁22)に一対のリード電極30と離間して設けた金属板40(第1金属板41、第2金属板42)と、を有するパッケージ10と、パッケージ10の一対のリード電極30に実装される発光素子50と、を備えている。ここで、「隙間Dを跨ぐように」とは、第1リードの一部から隙間D及び第2リードの一部まで凹部29の側壁に(金属板40が)連続してあることである。つまり、金属板40は、隙間Dに対向する側壁の位置を含むようにカバーして側壁に設置されている。
なお、発光装置100の樹脂部20において、発光面である光取り出し面となる側を正面、その反対側の面を背面と称する。また、発光装置100では、第1リード31及び第2リード32が樹脂部20の側壁から引き出された第1アウターリード31b及び第2アウターリード32bが電気的に接続される側の面を下面とし、その反対側の面を上面と称する。そして、発光装置100の下面側を発光装置100の実装面とする。以下、各構成について説明する。
The light emitting device 100 includes a resin portion 20 having a recess 29 and a pair of lead electrodes (first lead 31 and second lead 32) 30 supported by the resin portion 20 and disposed with a gap D in the bottom surface 25 of the recess 29. And a metal plate 40 (first metal plate 41, second metal plate 42) provided on the side walls (first side wall 21 and second side wall 22) of the recess 29 so as to cross the gap D apart from the pair of lead electrodes 30. And a light emitting element 50 mounted on the pair of lead electrodes 30 of the package 10. Here, "to straddle the gap D" means that the side wall of the recess 29 is continuous (from the metal plate 40) from a part of the first lead to a part of the gap D and the second lead. That is, the metal plate 40 is installed on the side wall so as to cover the position of the side wall opposed to the gap D.
In the resin portion 20 of the light emitting device 100, the side to be the light extraction surface which is the light emitting surface is referred to as the front, and the surface on the opposite side is referred to as the back. Further, in the light emitting device 100, the surface on the side to which the first outer lead 31b and the second outer lead 32b which are drawn out from the side wall of the first lead 31 and the second lead 32 are electrically connected is the lower surface. The opposite surface is called the upper surface. The lower surface side of the light emitting device 100 is taken as a mounting surface of the light emitting device 100. Each component will be described below.

(パッケージ)
パッケージ10は、発光素子50を収容し、その発光素子50に外部から給電するための端子(一対のリード電極30)を有する容器である。パッケージ10は、少なくとも、樹脂部20と、一対のリード電極30である第1リード31及び第2リード32と、を備えている。なお、パッケージ10は、側面発光型の発光装置用として用いられるものを一例として説明する。
(package)
The package 10 is a container that accommodates the light emitting element 50 and has terminals (a pair of lead electrodes 30) for supplying power to the light emitting element 50 from the outside. The package 10 includes at least a resin portion 20 and a first lead 31 and a second lead 32 which are a pair of lead electrodes 30. In addition, the package 10 demonstrates as an example what is used for the side light emission type light-emitting device.

(樹脂部)
樹脂部20は、パッケージ10における容器の母体をなす樹脂成形体である。樹脂部20は、凹部29を備え、第1リード31及び第2リード32を有する一対のリード電極30を支持するように形成される。
樹脂部20は、その中央に凹部29が形成され正面に開口部28を有している。樹脂部20の開口部28は、正面視において横長の形状である。凹部29を構成する側壁は、短手方向(Z方向)に対向する第1側壁21及び第2側壁22と、長手方向(X方向)で対向する第3側壁23及び第4側壁24とにより形成されている。第1側壁21及び第2側壁22は、第3側壁23及び第4側壁24と比較して薄肉に形成され、その内部に第1金属板41及び第2金属板42が設けられている。凹部29の底面25には、樹脂部20の長手方向に並ぶ第1リード31及び第2リード32が互いに隙間Dを介して離間して露出している。また、後記する発光素子50は、凹部29の底面25に露出する第1リード31に載置される。
(Resin part)
The resin portion 20 is a resin molded body which is a base of the container in the package 10. The resin portion 20 is formed so as to support the pair of lead electrodes 30 having the recess 29 and having the first lead 31 and the second lead 32.
The resin portion 20 is formed with a recess 29 at its center and has an opening 28 at the front. The opening 28 of the resin portion 20 has a horizontally long shape in front view. The side walls constituting the recess 29 are formed by the first side wall 21 and the second side wall 22 opposed in the short direction (Z direction) and the third side wall 23 and the fourth side wall 24 opposed in the longitudinal direction (X direction) It is done. The first side wall 21 and the second side wall 22 are formed thinner than the third side wall 23 and the fourth side wall 24, and the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are provided therein. The first leads 31 and the second leads 32 aligned in the longitudinal direction of the resin portion 20 are exposed on the bottom surface 25 of the recess 29 with a gap D therebetween. The light emitting element 50 described later is placed on the first lead 31 exposed on the bottom surface 25 of the recess 29.

凹部29は、側壁で囲まれることで形成されている。つまり、凹部29は、正面側においてZ軸方向で対向して形成された第1側壁21及び第2側壁22と、正面側においてX軸方向で対向して設けられた第3側壁23及び第4側壁24とで囲まれることによって形成されている。なお、凹部29は、外側に向かうにしたがって開口部28が広がるような傾斜面を側壁に形成してもよく、ここでは、第3側壁23及び第4側壁24に傾斜面が形成されている。
また、樹脂部20は、前方への光取り出し効率の観点から、発光素子50の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上である材料で形成されることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。また、樹脂部20は、白色であることが好ましい。樹脂部20は、硬化若しくは固化前には流動性を有する状態、つまり液状(ゾル状又はスラリー状を含む)を経る材料が用いられる。樹脂部20は、射出成形法、トランスファー成形法などにより成形することができる。
The recess 29 is formed by being surrounded by the side wall. That is, the recess 29 is provided on the front side with the first side wall 21 and the second side wall 22 formed to face each other in the Z-axis direction, and the third side wall 23 and the fourth side wall provided on the front side with the X-axis direction. It is formed by being surrounded by the side wall 24. The concave portion 29 may have an inclined surface on the side wall such that the opening 28 expands toward the outside. Here, the inclined surface is formed on the third side wall 23 and the fourth side wall 24.
In addition, the resin portion 20 is preferably formed of a material having a light reflectance of 70% or more at the light emission peak wavelength of the light emitting element 50 from the viewpoint of light extraction efficiency to the front, and is 80% or more Is more preferably 90% or more. Moreover, it is preferable that the resin part 20 is white. The resin portion 20 is made of a material having fluidity, that is, liquid (including sol or slurry) prior to curing or solidification. The resin portion 20 can be molded by an injection molding method, a transfer molding method, or the like.

樹脂部20の母材は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、以下に示す樹脂は、その変性樹脂(ハイブリッド樹脂を含む)も含むものとする。樹脂部20の母材としては、射出成形法により成形しやすく、熱硬化性樹脂に比べて安価な観点において、熱可塑性樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂としては、脂肪族ポリアミド樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート、ポリシクロへキシレンジメチレンテレフタレートのうちのいずれか1つが好ましい。また、熱硬化性樹脂は、熱可塑性樹脂に比べ、耐熱性及び耐光性に優れ、長寿命で、信頼性が高い観点で好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂のうちのいずれか1つが好ましい。特に、不飽和ポリエステル樹脂及びその変性樹脂は、熱硬化性樹脂の優れた耐熱性及び耐光性を有しながら、射出成形法により成形可能であるため好ましい。樹脂部20は、光反射性、機械的強度、熱伸縮性などの観点から、母材中に、酸化チタン等の白色顔料と充填剤を含有することが好ましいが、これに限定されない。   A thermosetting resin or a thermoplastic resin can be used as a base material of the resin portion 20. In addition, resin shown below shall also contain the modified resin (a hybrid resin is included). As a base material of the resin part 20, a thermoplastic resin is preferable from the viewpoint of being easy to shape | mold by the injection molding method, and being cheap compared with a thermosetting resin. As the thermoplastic resin, any one of an aliphatic polyamide resin, polycyclohexane terephthalate, and polycyclohexylene dimethylene terephthalate is preferable. Moreover, a thermosetting resin is preferable in the viewpoint of being excellent in heat resistance and light resistance compared with a thermoplastic resin, long life, and having high reliability. As a thermosetting resin, any one of an epoxy resin, a silicone resin, and an unsaturated polyester resin is preferable. In particular, unsaturated polyester resins and modified resins thereof are preferable because they can be molded by an injection molding method while having the excellent heat resistance and light resistance of a thermosetting resin. The resin portion 20 preferably contains a white pigment such as titanium oxide and a filler in the base material from the viewpoint of light reflectivity, mechanical strength, heat stretchability and the like, but is not limited thereto.

また、樹脂部20の第1側壁21及び第2側壁22は、厚みがより薄くなるように形成されている。具体的には、第1側壁21及び第2側壁の一部の厚みが、例えば、100μm以下、更には50μm以下とすることが望まれている。樹脂部20は、樹脂のみで形成されている部分の強度を高めるために、金属板40によりここでは補強している。なお、樹脂部20の第2側壁22は、中央が第1側壁21と平行に形成され、正面視において左右の傾斜面22aを介して段差部分が形成された形状として示しているが、第1側壁21と同様に直線状に形成されていてもよい。ここでは、第1側壁21に平行な第2側壁22の中央の外壁面は、左右の傾斜面22aにより第3側壁23及び第4側壁24の外壁面までに段差を有している。したがって、第2側壁22の中央の外壁面は、第1アウターリード31b及び第2アウターリード32bが壁面から突出した状態であっても段差部分に収められ、第2側壁22の中央の外壁面と第1アウターリード31b及び第2アウターリード32bの下面との高さの差を小さくしている。   Further, the first side wall 21 and the second side wall 22 of the resin portion 20 are formed to be thinner. Specifically, it is desired that the thickness of a part of the first side wall 21 and the second side wall be, for example, 100 μm or less, and further 50 μm or less. The resin portion 20 is reinforced here by the metal plate 40 in order to increase the strength of the portion formed only of the resin. Although the second side wall 22 of the resin portion 20 is formed such that the center is parallel to the first side wall 21 and the step portion is formed through the left and right inclined surfaces 22 a in front view, Like the side wall 21, it may be formed linearly. Here, the central outer wall surface of the second side wall 22 parallel to the first side wall 21 has a level difference up to the outer wall surfaces of the third side wall 23 and the fourth side wall 24 by the left and right inclined surfaces 22a. Therefore, the central outer wall surface of the second side wall 22 is accommodated in the step portion even when the first outer lead 31 b and the second outer lead 32 b protrude from the wall surface, and the central outer wall surface of the second side wall 22 The difference in height between the first outer lead 31 b and the lower surface of the second outer lead 32 b is reduced.

(リード電極)
樹脂部20に支持されている一対のリード電極30は、第1リード31と、第2リード32を有している。そして、第1リード31は、樹脂部20の凹部29内に配置される第1インナーリード31aと、この第1インナーリードに連続して樹脂部20の側壁を貫通した後に外壁面に沿って曲げられて形成される第1アウターリード31bと、を備えている。同様に、第2リード32は、樹脂部20の凹部29内に配置される第2インナーリード32aと、この第2インナーリード32aに連続して樹脂部20の側壁を貫通した後に外壁面に沿って曲げられて形成される第2アウターリード32bとを備えている。第1リード31の第1アウターリード31b及び第2リード32の第2アウターリード32bは、パッケージ10の実装面である下面側に配置され、外部の回路基板などと接合される。また、第1インナーリード31a及び第2インナーリード32aは、凹部29の底面25において、第1側壁21及び第2側壁22の立ち上がり際まで設けられている。第1インナーリード31a及び第2インナーリード32aは、第1側壁21及び第2側壁22から離間する大きさであってもよく、また、金属板40との電気的な接続がされない状態であれば、第1側壁21及び第2側壁22に接する位置までの大きさであっても構わない。
(Lead electrode)
The pair of lead electrodes 30 supported by the resin portion 20 has a first lead 31 and a second lead 32. The first lead 31 penetrates the side wall of the resin portion 20 continuously with the first inner lead 31 a disposed in the recess 29 of the resin portion 20 and the first inner lead, and then bends along the outer wall surface And a first outer lead 31 b formed by Similarly, the second lead 32 extends along the outer wall surface after penetrating the side wall of the resin portion 20 continuously with the second inner lead 32a disposed in the recess 29 of the resin portion 20 and the second inner lead 32a. And a second outer lead 32b formed by bending. The first outer lead 31 b of the first lead 31 and the second outer lead 32 b of the second lead 32 are disposed on the lower surface side which is the mounting surface of the package 10 and joined to an external circuit board or the like. The first inner leads 31 a and the second inner leads 32 a are provided on the bottom surface 25 of the recess 29 until the first side wall 21 and the second side wall 22 rise. The first inner lead 31 a and the second inner lead 32 a may be separated from the first side wall 21 and the second side wall 22, and if they are not electrically connected to the metal plate 40. The size may be up to a position in contact with the first side wall 21 and the second side wall 22.

なお、リード電極30は、樹脂部20の形状に応じて、どのような形状とすることもでき、例えば、板状、塊状、膜状であってもよく、波形状や凹凸を有するものであってもよい。リード電極30の厚さは一定であってもよいし、部分的に厚い部分又は部分的に薄い部分があってもよい。リード電極30の幅は、特に限定されないが、放熱性が向上するので、より広い方が好ましい。リード電極30の材料は特に限定されず、電気伝導率及び熱伝導率の比較的大きな材料で形成する方が好ましい。このような材料で形成することにより、発光素子50から発生する熱を効率的に外部に逃がすことができる。例えば、リード電極30の材料は、200W/(m・K)程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工などが容易なものが好ましい。具体的なリード電極30の材料としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケルなどの金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅などの合金が挙げられる。また、リード電極30の表面には、搭載される発光素子50からの光を効率よく取り出すために銀、アルミニウムなどの、光反射性の良好な金属のメッキが施されていることが好ましい。   The lead electrode 30 may have any shape depending on the shape of the resin portion 20. For example, the lead electrode 30 may have a plate shape, a block shape, or a film shape, and has a wave shape or unevenness. May be The thickness of the lead electrode 30 may be constant, or may be partially thick or partially thin. The width of the lead electrode 30 is not particularly limited, but a wider one is preferable because the heat dissipation property is improved. The material of the lead electrode 30 is not particularly limited, and it is preferable to be formed of a material having a relatively large electric conductivity and thermal conductivity. With such a material, the heat generated from the light emitting element 50 can be efficiently dissipated to the outside. For example, the material of the lead electrode 30 has a thermal conductivity of about 200 W / (m · K) or more, a relatively large mechanical strength, or a material that is easy to be punched, pressed or etched. Is preferred. Specific examples of the material of the lead electrode 30 include metals such as copper, aluminum, gold, silver, tungsten, iron and nickel, and alloys such as iron-nickel alloy and phosphor bronze. Further, it is preferable that the surface of the lead electrode 30 be plated with a light-reflective metal such as silver or aluminum in order to efficiently extract the light from the mounted light-emitting element 50.

(金属板)
金属板40は、第1リード31と第2リード32との隙間Dを跨ぐように第1側壁21と第2側壁22とに、第1リード31及び第2リード32から離間して設けられている。金属板40は、ここでは、第1金属板41及び第2金属板42を備え、第1リード31及び第2リード32を挟んで対向する位置に設けられている。第1金属板41及び第2金属板42は、リード電極30と同等の金属で形成されている。第1金属板41及び第2金属板42は、第1リード31に仮接続部3a(図3参照)を介して接続されており、樹脂部20を形成した後に、第1リード31から切離されることで設置される。第1金属板41及び第2金属板42は、第1リード31と第2リード32の隙間Dを跨ぎ、第1リード31から第2リード32に亘る長さに形成されており、ここでは、一例として長方形に形成されている。第1金属板41及び第2金属板42は、同じ形状で同じ厚みに形成され、第1側壁21及び第2側壁22の内部に埋設できる側壁に沿った角度に形成されている。第1金属板41及び第2金属板42は、樹脂部20の強度を高めるために設けられることから、第1リード31及び第2リード32との隙間Dを跨ぐ位置をカバーし、かつ、第1リード31の一部と第2リード32の一部との両方に対向する大きさであれば、その形状や厚み等は限定されるものではない。
(Metal plate)
The metal plate 40 is provided on the first side wall 21 and the second side wall 22 so as to be separated from the first lead 31 and the second lead 32 so as to bridge the gap D between the first lead 31 and the second lead 32. There is. Here, the metal plate 40 includes a first metal plate 41 and a second metal plate 42, and is provided at a position facing each other with the first lead 31 and the second lead 32 interposed therebetween. The first metal plate 41 and the second metal plate 42 are formed of the same metal as the lead electrode 30. The first metal plate 41 and the second metal plate 42 are connected to the first lead 31 via the temporary connection portion 3a (see FIG. 3), and are separated from the first lead 31 after the resin portion 20 is formed. Installed by The first metal plate 41 and the second metal plate 42 span the gap D between the first lead 31 and the second lead 32, and are formed to have a length ranging from the first lead 31 to the second lead 32. As an example, it is formed in a rectangle. The first metal plate 41 and the second metal plate 42 have the same shape and the same thickness, and are formed at an angle along the side wall that can be embedded inside the first side wall 21 and the second side wall 22. Since the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are provided to increase the strength of the resin portion 20, the first metal plate 41 and the second metal plate 42 cover the position across the gap D between the first lead 31 and the second lead 32 and The shape, thickness, and the like of the first lead 31 are not limited as long as they face both the first lead 31 and the second lead 32.

なお、第1金属板41及び第2金属板42は、図面上では、第1側壁21及び第2側壁22に覆われて埋設された状態で示しているが、第1リード31及び第2リード32との電気的な接続がないので、第1側壁21及び第2側壁22の内側壁面から板表面が露出して設けられるようにしてもよい。第1金属板41及び第2金属板42は、第1側壁21及び第2側壁22において、壁内に位置させるか、板表面を壁面から露出させるように位置させるかを、仮接続部3aの曲げる位置及び曲げる角度の条件によって設定されるように形成されている(図4参照)。つまり、第1金属板41及び第2金属板42は、製造工程において予め設定された仮接続部3aの位置、例えば、仮接続部3aの金属板40側の端部で90度〜110度の範囲に仮接続部3aを境に曲げられることで、第1側壁21及び第2側壁22の内部に位置してその角度も調整される。   Although the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are illustrated as being covered and embedded in the first side wall 21 and the second side wall 22 in the drawing, the first lead 31 and the second lead are shown. Since there is no electrical connection with 32, the plate surface may be exposed from the inner wall surfaces of the first side wall 21 and the second side wall 22. The first metal plate 41 and the second metal plate 42 in the first side wall 21 and the second side wall 22 are positioned in the wall or are positioned so as to expose the plate surface from the wall surface in the temporary connection portion 3a. It is formed to be set by the conditions of the bending position and the bending angle (see FIG. 4). That is, the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are 90 degrees to 110 degrees at the position of the temporary connection portion 3a preset in the manufacturing process, for example, the end of the temporary connection portion 3a on the metal plate 40 side. By being bent at the temporary connection portion 3 a in the range, the angle is also adjusted by being positioned inside the first side wall 21 and the second side wall 22.

また、一例として、第1金属板41及び第2金属板42は、仮接続部3aの第1リード31側の端部で側壁と同じ角度に仮接続部3aを境に曲げられることで板表面を露出することができる。したがって、第1金属板41及び第2金属板42は、底面25に対する角度が90度であっても、第1側壁21及び第2側壁22の側壁面から露出した状態とすることや、また、第1側壁21及び第2側壁22の内部に埋没させることもできる。さらに、第1金属板41及び第2金属板42は、第1側壁21及び第2側壁22の側壁面の角度に合せて同じ角度にすることや、異なる角度にすることも可能となる。   Also, as an example, the first metal plate 41 and the second metal plate 42 can be bent at the same angle as the side wall at the end portion of the temporary connection portion 3a on the first lead 31 side by the temporary connection portion 3a. Can be exposed. Therefore, even if the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are at an angle of 90 degrees with respect to the bottom surface 25, the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are exposed from the side wall surfaces of the first side wall 21 and the second side wall 22. It can also be buried inside the first side wall 21 and the second side wall 22. Furthermore, the first metal plate 41 and the second metal plate 42 can be made the same angle or different angles in accordance with the angles of the side wall surfaces of the first side wall 21 and the second side wall 22.

なお、第1金属板41及び第2金属板42は、リード電極30よりも熱伝導率が高くなるように形成してもよい。図7に示すように、第1金属板41及び第2金属板42は、リード電極30が銅あるいは銅合金である銅を主成分とする材料で形成されていた場合、その銅を主成分とする材料よりも伝導率が高い材質、例えばAg等の高熱伝導部材43を板表面に設けることで熱伝導率を上げることができる。第1金属板41及び第2金属板42をリード電極30よりも熱伝導率を高くすることで、発光素子50に対する熱の影響を小さくすることができる。なお、高熱伝導部材43は、金属板40の全面を完全に被覆する必要はなく、熱伝導率が高くなれば部分的であってもよい。また、高熱伝導部材43は、リードフレームを準備する工程において、金属板40の部分に設けられることで形成されることになる。   The first metal plate 41 and the second metal plate 42 may be formed to have a thermal conductivity higher than that of the lead electrode 30. As shown in FIG. 7, the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are mainly made of copper when the lead electrode 30 is made of a material mainly composed of copper which is copper or copper alloy. The thermal conductivity can be increased by providing the plate surface with a high thermal conductivity member 43 such as a material having a conductivity higher than that of the material to be used, for example, Ag. By making the thermal conductivity of the first metal plate 41 and the second metal plate 42 higher than that of the lead electrode 30, the influence of heat on the light emitting element 50 can be reduced. The high thermal conductivity member 43 does not have to completely cover the entire surface of the metal plate 40, and may be partial if the thermal conductivity is high. Further, the high thermal conductivity member 43 is formed by being provided on the metal plate 40 in the step of preparing the lead frame.

(仮接続部)
仮接続部3aは、金属板40をリード電極30に仮に接続させるものである。仮接続部3aは、一例として、第1金属板41及び第2金属板42を、第1リード31の左右の側端面に接続させた状態として、樹脂部20が設けられるまで維持できるように形成されている。仮接続部3aは、金属板40及びリード電極30と同じ材料で形成されている。
仮接続部3aは、例えば、曲げ装置で曲げられ、樹脂部20が形成され、その後、レーザ加工装置からのレーザの照射により切断あるいは分断されることで、金属板40とリード電極30とを切離す。そのため、仮接続部3aは、所定角度に曲げられた後に第1金属板41及び第2金属板42が側壁に沿って設けることができる長さ及び幅で形成されている。一例として、仮接続部3aは、第1リード31側のみに形成される。第1リード31側のみに仮接続部3aが設けられることで、リード電極30の短絡の原因を小さくすることができる。仮接続部3aの数や、形状あるいは大きさは、特に限定されるものではない。なお、仮接続部3aは、板長手方向の中心に対して同距離となるように左右対称に形成されることが好ましい。仮接続部3aは、第1金属板41あるいは第2金属板42の長手方向の中心から左右対称に形成されることで、製造工程において曲げ装置からの曲げ方向の力がかかった場合、第1金属板41及び第2金属板42を第1リード31に対して均等な位置に配置でき易くなる。
(Temporary connection part)
The temporary connection portion 3 a is for temporarily connecting the metal plate 40 to the lead electrode 30. The temporary connection portion 3a is formed, for example, in a state where the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are connected to the left and right side end surfaces of the first lead 31, and can be maintained until the resin portion 20 is provided. It is done. The temporary connection portion 3 a is formed of the same material as the metal plate 40 and the lead electrode 30.
The temporary connection portion 3a is bent by a bending device, for example, to form the resin portion 20, and then cut or divided by irradiation of a laser from the laser processing device to cut the metal plate 40 and the lead electrode 30. Let go. Therefore, the temporary connection part 3a is formed in the length and width which can provide the 1st metal plate 41 and the 2nd metal plate 42 along a side wall, after being bent by predetermined angle. As an example, the temporary connection portion 3a is formed only on the first lead 31 side. By providing the temporary connection portion 3 a only on the first lead 31 side, the cause of the short circuit of the lead electrode 30 can be reduced. The number, shape, or size of the temporary connection portions 3a are not particularly limited. In addition, it is preferable that the temporary connection portions 3a be formed in left-right symmetry so as to be the same distance with respect to the center in the plate longitudinal direction. The temporary connection portion 3a is formed symmetrically in the left-right direction from the center in the longitudinal direction of the first metal plate 41 or the second metal plate 42, so that the force in the bending direction from the bending device is applied in the manufacturing process. The metal plate 41 and the second metal plate 42 can be easily arranged at equal positions with respect to the first lead 31.

(発光素子)
発光素子50は、サファイアなどの基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaNなどの半導体を発光層として形成させたものが用いられる。この内、紫外領域から可視光の短波長領域(360nm〜550nm)に発光ピーク波長を有する窒化物系化合物半導体素子を用いることができる。なお、可視光の長波長領域(551nm〜780nm)に発光ピーク波長を有する発光素子も用いることもできる。
発光素子50は、複数個用いるようにしてもよく、異なる発光色を有する発光素子50を用いることにより広い色再現範囲を有する発光装置100を提供することができる。例えば、緑色系が発光可能な発光素子50を2個、青色系及び赤色系が発光可能な発光素子50をそれぞれ1個ずつとすることができる。
なお、フルカラー表示装置の画素用に発光装置100を利用するためには、赤色系の発光素子50の発光波長が610nm〜700nm、緑色系の発光素子50の発光波長が495nm〜565nm、青色系の発光素子50の発光波長が430nm〜490nmであることが好ましい。発光装置100において白色系の混色光を発光させる場合は、発光素子50と、封止部材60に含有させる蛍光物質との発光波長における補色関係や、発光素子50の光出力による封止部材60の劣化などを考慮して、発光素子50の発光波長は400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましい。
(Light emitting element)
The light emitting element 50 is formed by forming a semiconductor such as GaAlN, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP, InGaN, GaN, AlInGaN or the like on a substrate such as sapphire as a light emitting layer. Among these, a nitride-based compound semiconductor device having an emission peak wavelength in the short wavelength range (360 nm to 550 nm) of visible light from the ultraviolet range can be used. Note that a light emitting element having a light emission peak wavelength in a long wavelength range (551 nm to 780 nm) of visible light can also be used.
A plurality of light emitting elements 50 may be used, and the light emitting device 100 having a wide color reproduction range can be provided by using the light emitting elements 50 having different emission colors. For example, two light emitting elements 50 capable of emitting green light and one light emitting element 50 capable of emitting blue light and red can be provided.
Note that in order to use the light emitting device 100 for a pixel of a full color display device, the emission wavelength of the red light emitting element 50 is 610 nm to 700 nm, the emission wavelength of the green light emitting element 50 is 495 nm to 565 nm, and the blue light is It is preferable that the light emission wavelength of the light emitting element 50 is 430 nm to 490 nm. In the case where the mixed light of white color is emitted in the light emitting device 100, the complementary color relationship in the light emission wavelength between the light emitting element 50 and the fluorescent substance contained in the sealing member 60 or the sealing member 60 by the light output of the light emitting element 50. In light of deterioration and the like, the emission wavelength of the light emitting element 50 is preferably 400 nm or more and 530 nm or less, and more preferably 420 nm or more and 490 nm or less.

(封止部材)
封止部材60は、パッケージ10の凹部29内に設けられ、凹部29内に配置されている発光素子50、リード電極30、及び発光素子50とリード電極30とを電気的に接続するためのワイヤWaなどを覆う部材である。封止部材60は設けなくともよいが、設けることで前記の封止した部材を水分やガスによる劣化や機械的な接触による損傷から保護することができる。また、封止部材60は、仮接続部3aの切断時の小口と第1リード31との間を埋めることになるので、金属板40と第1リード31との電気的な短絡の可能性をより抑制することができる。加えて、アンカー効果によって封止部材60とパッケージ10、封止部材60とリード電極30の接合強度を向上させることができる。
封止部材60として用いることができる材料は、特に限定されないが、良好な透光性を有することが好ましい。このような材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料、ガラスなどの無機材料を挙げることができる。
また、封止部材60には、発光素子50からの光を波長変換させる蛍光物質や、発光素子50からの光を散乱させる光反射性物質を含有してもよい。
(Sealing member)
The sealing member 60 is provided in the recess 29 of the package 10, and the light emitting element 50 disposed in the recess 29, the lead electrode 30, and a wire for electrically connecting the light emitting element 50 and the lead electrode 30. It is a member which covers Wa etc. The sealing member 60 may not be provided, but by providing it, the sealed member can be protected from deterioration due to moisture or gas or damage due to mechanical contact. In addition, since the sealing member 60 fills the space between the end of the temporary connection portion 3a and the first lead 31, the possibility of an electrical short between the metal plate 40 and the first lead 31 can be obtained. It can suppress more. In addition, the bonding strength between the sealing member 60 and the package 10 and between the sealing member 60 and the lead electrode 30 can be improved by the anchor effect.
Although the material which can be used as the sealing member 60 is not particularly limited, it is preferable to have good translucency. Examples of such a material include resin materials such as silicone resin and epoxy resin, and inorganic materials such as glass.
In addition, the sealing member 60 may contain a fluorescent material for converting the wavelength of the light from the light emitting element 50 or a light reflecting material for scattering the light from the light emitting element 50.

光反射性物質としては、絶縁性を有することが好ましく、例えば、酸化チタン(TiO)、酸化アルミニウム(Al)などの粒子を用いることができる。
また、蛍光物質としては、発光素子50からの光を吸収して異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、アルミニウムガーネット系蛍光体等、蛍光物質として一般に使用されるものであればよい。
The light reflective material preferably has insulating properties, and for example, particles of titanium oxide (TiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and the like can be used.
Moreover, as a fluorescent substance, what is necessary is to be what absorbs the light from the light emitting element 50, and carries out wavelength conversion to the light of a different wavelength. For example, what is generally used as a fluorescent material, such as aluminum garnet fluorescent substance, may be used.

以上のような構成を備える発光装置100は、第1リード31及び第2リード32の隙間Dを跨ぐ位置で第1側壁21及び第2側壁22に沿って第1金属板41及び第2金属板42が設けられる。そのため、発光装置100は、パッケージ10の樹脂部20の強度が向上され小型化しても割れの生じることを防ぐことができる。   The light emitting device 100 having the configuration as described above has the first metal plate 41 and the second metal plate along the first side wall 21 and the second side wall 22 at a position straddling the gap D between the first lead 31 and the second lead 32. 42 are provided. Therefore, the light emitting device 100 can improve the strength of the resin portion 20 of the package 10 and prevent the occurrence of cracking even if the size is reduced.

次に、発光装置100の製造方法において以下に、図5、図6Aから図6Cを参照して説明する。図5は、第1実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャート、図6Aは、第1実施形態に係る発光装置においてリード電極と金属板とが仮接続部を介して接続されている状態の一部を模式的に示す平面図、図6Bは、第1実施形態に係る発光装置においてリード電極と接続している金属板を、仮接続部を境に曲げた状態を模式的に示す平面図、図6Cは、第1実施形態に係る発光装置においてリード電極と接続している金属板の仮接続部を切離した状態を模式的に示す平面図である。   Next, a method of manufacturing the light emitting device 100 will be described below with reference to FIGS. 5 and 6A to 6C. FIG. 5 is a flowchart showing a method of manufacturing the light emitting device according to the first embodiment, and FIG. 6A is a state in which lead electrodes and a metal plate are connected via a temporary connection portion in the light emitting device according to the first embodiment. FIG. 6B is a plan view schematically showing a state in which the metal plate connected to the lead electrode in the light emitting device according to the first embodiment is bent at a temporary connection portion. FIG. 6C is a plan view schematically showing a state in which the temporary connection portion of the metal plate connected to the lead electrode in the light emitting device according to the first embodiment is separated.

発光装置の製造方法は、ここでは、リードフレームを準備する準備工程S1と、リードフレームの一部を曲げ加工する曲げ工程S2と、リードフレームに樹脂部を設けるパッケージ形成工程S3と、パッケージに形成された仮接続部を切断してリード電極から切離す切離し工程S4と、を含むパッケージを準備する工程を先に行う。そして、発光装置の製造方法は、パッケージが準備された後に、発光素子を一対のリード電極に実装する実装工程S5と、リードフレームをパッケージ毎に切断して個片化する個片化工程S7と、を含むように行っている。なお、発光装置の製造方法は、実装工程S5の後で個片化工程S7の前に樹脂部の凹部に封止部材を形成する封止部材形成工程S6を行うこととして説明する。   Here, the method of manufacturing the light emitting device includes a preparation step S1 of preparing a lead frame, a bending step S2 of bending a part of the lead frame, a package forming step S3 of providing a resin portion on the lead frame, and a package The step of preparing the package including the step S4 of disconnecting the separated temporary connection portion and separating it from the lead electrode is performed first. Then, the method of manufacturing the light emitting device includes a mounting step S5 of mounting the light emitting element on the pair of lead electrodes after the package is prepared, and a singulation step S7 of cutting the lead frame into pieces for each package. Is going to include. In addition, the manufacturing method of a light-emitting device is demonstrated as performing sealing member formation process S6 which forms a sealing member in the recessed part of a resin part after individualization process S7 after mounting process S5.

(準備工程)
準備工程S1は、一対のリード電極30を、隙間Dを空けて対向して複数形成し、一対のリード電極30の側端面に仮接続部3aを介して隙間Dを跨ぐ長さに形成された金属板40を有するリードフレームを準備する工程である。なお、リードフレームは、リード電極30の部分及びそれに伴う金属板40の部分を、行列方向に複数形成しているものである。
準備工程S1において、リードフレームには、金属の平板に打ち抜き加工やエッチング加工等を行ったもので、一対のリード電極30及び金属板40を形成した部分が複数整列して設けられている。つまり、リードフレームには、所定のパターンで貫通孔が形成され、個片化した際に一対のリード電極30となるように2つのリード領域に分かれた部分と、リード電極30に仮接続部3aを介して仮接続された金属板40が形成された部分と、を備えている。準備工程では、リードフレームは、平板状の金属板を用いることができるが、段差や凹凸を設けた金属板も用いることができる。
そして、リードフレームに形成された金属板40は、一対のリード電極30の隙間Dを跨ぐ長さに形成されている。そして、リードフレームでは、金属板40である第1金属板41及び第2金属板42を仮接続部3aにより第1リード31の側端面に仮に接続した状態で形成される。
(Preparation process)
In the preparation step S1, a pair of lead electrodes 30 are formed facing each other with a gap D therebetween, and the side end surfaces of the pair of lead electrodes 30 are formed to have a length straddling the gap D via the temporary connection portion 3a. This is a step of preparing a lead frame having a metal plate 40. In the lead frame, a plurality of portions of the lead electrode 30 and the portions of the metal plate 40 associated therewith are formed in the matrix direction.
In the preparation step S1, in the lead frame, a metal flat plate is subjected to punching processing, etching processing and the like, and a plurality of portions in which the pair of lead electrodes 30 and the metal plate 40 are formed are provided in alignment. That is, in the lead frame, through holes are formed in a predetermined pattern, and when it is singulated, a portion divided into two lead regions so as to become a pair of lead electrodes 30, and a temporary connection portion 3a to the lead electrodes 30 And a portion in which the metal plate 40 temporarily connected is formed. In the preparation step, a flat metal plate can be used as the lead frame, but a metal plate provided with steps and irregularities can also be used.
The metal plate 40 formed in the lead frame is formed to have a length across the gap D between the pair of lead electrodes 30. Then, in the lead frame, the first metal plate 41 and the second metal plate 42 which are metal plates 40 are temporarily connected to the side end surface of the first lead 31 by the temporary connection portion 3a.

なお、リードフレームは、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金の平板に、プレス(打ち抜きを含む)、エッチング、圧延など各種の加工を施したものが母体となる。また、リードフレームは、これらの金属又は合金の積層体で構成されてもよいが、単層で構成されるのが簡単で良い。特に、銅を主成分とする銅合金(燐青銅、鉄入り銅など)が好ましい。さらに、リードフレームの少なくともリード電極30となる部分の表面に、銀、アルミニウム、ロジウム又はこれらの合金などの光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。
なお、金属板40に熱電導率が高い高熱伝導部材43を設けるようにしてリードフレームを準備してもよい。高熱伝導部材43を設ける場合には、マスク等を用いてスプレー塗布等が行われる。
The lead frame is a flat plate of copper, aluminum, gold, silver, tungsten, iron, nickel, cobalt, molybdenum, or alloys of these, subjected to various processes such as pressing (including punching), etching, and rolling. Is the mother. Also, the lead frame may be composed of a laminate of these metals or alloys, but it may be simple to be composed of a single layer. In particular, copper alloys (phosphor bronze, iron-containing copper, etc.) mainly composed of copper are preferable. Furthermore, a light reflecting film such as silver, aluminum, rhodium, or an alloy thereof may be provided on the surface of at least a portion of the lead frame to be the lead electrode 30, and silver or a silver alloy having excellent light reflectivity is particularly preferable. preferable.
The lead frame may be prepared by providing the metal plate 40 with the high thermal conductivity member 43 having high thermal conductivity. When the high thermal conductivity member 43 is provided, spray application or the like is performed using a mask or the like.

(曲げ工程)
リードフレームが準備されると、次に、曲げ工程が行われる。この曲げ工程S2は、第1金属板41及び第2金属板42を、仮接続部3aを境に所定角度に曲げる工程である。なお、第1金属板41及び第2金属板42は、用いられる曲げ加工装置により、予め曲げる位置及び角度が設定されており、1回の曲げ加工あるいは2回以上の曲げ加工で、設定された位置及び角度で曲げられる。第1金属板41及び第2金属板42は、例えば、凹部29の底面25に対して90度〜110度の範囲で曲げられ、凹部29の内側壁に沿って設けられる。第1金属板41及び第2金属板42の底面25に対する角度が90度よりも小さくなると、発光素子50からの有効な光の取り出す光量を減少させてしまう。また、第1金属板41及び第2金属板42の底面25に対する角度が110度よりも大きくなると、樹脂部20の側壁の形成角度との差が生じ、厚みを厚くしないと樹脂部20の側壁面から突出する可能性がある。
(Bending process)
Once the lead frame is prepared, a bending process is then performed. The bending step S2 is a step of bending the first metal plate 41 and the second metal plate 42 at a predetermined angle with the temporary connection portion 3a as a boundary. The bending position and angle of the first metal plate 41 and the second metal plate 42 are set in advance by the bending apparatus used, and are set by one bending process or two or more bending processes. Bendable in position and angle. The first metal plate 41 and the second metal plate 42 are bent, for example, in a range of 90 degrees to 110 degrees with respect to the bottom surface 25 of the recess 29, and are provided along the inner side wall of the recess 29. When the angle with respect to the bottom surface 25 of the first metal plate 41 and the second metal plate 42 is smaller than 90 degrees, the effective amount of light extracted from the light emitting element 50 is reduced. In addition, when the angle of the first metal plate 41 and the second metal plate 42 with respect to the bottom surface 25 is larger than 110 degrees, a difference with the formation angle of the side wall of the resin portion 20 occurs. It may protrude from the wall.

(パッケージ形成工程)
曲げ工程S2が終了すると、次に、パッケージ形成工程S3が行われる。
パッケージ形成工程S3は、上下の金型を用いて、リードフレームの一対のリード電極30の部分と、第1金属板41及び第2金属板42の部分とを含む領域に、樹脂部20を設けてパッケージ10を形成する工程である。パッケージ形成工程S3では、パッケージ10が、リード電極30となるリードフレームに、凹部29を有する樹脂部20が設けられ、一度に所定の数が形成される。より具体的には、リード電極30及び金属板40の領域を、上下に分割される金型に挟み込み、金型内に溶融した樹脂組成物を注入することで樹脂部20を形成することができる。パッケージ形成工程S3では、樹脂部20の外側面から第1リード31の第1アウターリード31bの部分と、第2リード32の第2アウターリード32bの部分とが突出した状態であると共に、樹脂部20の凹部29の底面25に、第1リード31の第1インナーリード31aの部分と、第2リード32の第2インナーリード32a部分とが隙間Dを介して露出して配置された状態となって樹脂部20が形成される。また、パッケージ形成工程S3では、樹脂部20の第1側壁21の内部に第1金属板41が設けられ、第2側壁22の内部に第2金属板42が設けられた状態となって樹脂部20が形成される。
(Package formation process)
When the bending step S2 ends, next, a package forming step S3 is performed.
In the package forming step S3, using the upper and lower molds, the resin portion 20 is provided in a region including the portions of the pair of lead electrodes 30 of the lead frame and the portions of the first metal plate 41 and the second metal plate 42. Forming the package 10. In the package formation step S3, the package 10 is provided with the resin portion 20 having the concave portion 29 on the lead frame which becomes the lead electrode 30, and a predetermined number is formed at one time. More specifically, the resin portion 20 can be formed by sandwiching the region of the lead electrode 30 and the metal plate 40 in a mold which is divided up and down, and injecting the melted resin composition into the mold. . In the package forming step S3, the resin portion is in a state in which the portion of the first outer lead 31b of the first lead 31 and the portion of the second outer lead 32b of the second lead 32 project from the outer surface of the resin portion 20 A portion of the first inner lead 31a of the first lead 31 and a portion of the second inner lead 32a of the second lead 32 are exposed and disposed on the bottom surface 25 of the recessed portion 29 through the gap D. Thus, the resin portion 20 is formed. In the package forming step S3, the first metal plate 41 is provided inside the first side wall 21 of the resin portion 20, and the second metal plate 42 is provided inside the second side wall 22, so that the resin portion is formed. 20 are formed.

なお、樹脂部20は、ここではサイドビュー型に適した形状に形成されるように予め金型が選択されている。また、樹脂部20を形成する樹脂成形法としては、トランスファー成形法、射出成形法、圧縮成形法、押出成形法などの公知の樹脂成形法を用いることができる。樹脂部20に用いられる樹脂の種類が熱硬化性樹脂か熱可塑性樹脂か、あるいはパッケージ10の形態などに応じて、適宜に樹脂成形法を選択することができる。
例えば、樹脂が熱可塑性樹脂であり、パッケージ10がリード電極30を樹脂部20で保持される形態である場合は、射出成形法を用いることができる。
Here, a mold is selected in advance so that the resin portion 20 is formed in a shape suitable for the side view type. Moreover, as a resin molding method which forms the resin part 20, well-known resin molding methods, such as a transfer molding method, an injection molding method, a compression molding method, an extrusion molding method, can be used. Depending on whether the type of resin used for the resin portion 20 is a thermosetting resin or a thermoplastic resin, or the form of the package 10, a resin molding method can be appropriately selected.
For example, when the resin is a thermoplastic resin and the package 10 has a form in which the lead electrode 30 is held by the resin portion 20, an injection molding method can be used.

(切離し工程)
リードフレームに樹脂部20が形成された後に、切離し工程S4が行われる。
切離し工程S4は、樹脂部20に支持されているリードフレームのリード電極30の部分から金属板40の部分を、仮接続部3aを切断することで切離す工程である。切離し工程S4は、例えば、レーザ加工装置等によりレーザを仮接続部3aに照射して仮接続部3aの部分を切断し、リード電極30の部分から金属板40の部分を切離す。ここでは、第1リード31に仮接続部3aが4カ所形成されているので、レーザを各仮接続部3aに照射して仮接続部3aを切断し第1リード31から第1金属板41及び第2金属板42を切離している。なお、仮接続部3aは、切断された小口の部分が凹部29の側壁から露出した状態となっているが、後に、凹部29の内部に封止部材60が充填されることで、第1リード31から電気的に絶縁される。
以上の工程により、パッケージが製造される。
(Separating process)
After the resin portion 20 is formed on the lead frame, the separation step S4 is performed.
The separating step S4 is a step of separating the portion of the metal plate 40 from the portion of the lead electrode 30 of the lead frame supported by the resin portion 20 by cutting the temporary connection portion 3a. In the separation step S4, for example, a laser is applied to the temporary connection portion 3a with a laser by a laser processing apparatus or the like to cut the portion of the temporary connection portion 3a, and the metal plate 40 is separated from the lead electrode 30. Here, since four temporary connection parts 3a are formed on the first lead 31, a laser is applied to each temporary connection part 3a to cut off the temporary connection part 3a and the first lead 31 to the first metal plate 41 and The second metal plate 42 is separated. The temporary connection portion 3a is in a state in which the portion of the cut edge is exposed from the side wall of the recess 29, but the sealing member 60 is filled into the recess 29 later to form the first lead. 31 electrically isolated.
The package is manufactured by the above steps.

(実装工程)
切離し工程S4の後には、実装工程S5が行われる。実装工程S5は、切離し工程S4で金属板40を切離したリード電極30に、発光素子50を配置して実装する工程である。発光素子50は、パッケージ10の凹部29の底面25に、樹脂や半田などのダイボンド部材を用いて接合され、ワイヤWaなどの配線部材を用いて発光素子50のパッド電極とリード電極30とが電気的に接続される。なお、実装工程S5では、発光素子50を複数配置することとしてもよい。
(Mounting process)
After the separation step S4, a mounting step S5 is performed. The mounting step S5 is a step of arranging and mounting the light emitting element 50 on the lead electrode 30 from which the metal plate 40 is separated in the separation step S4. The light emitting element 50 is bonded to the bottom surface 25 of the recess 29 of the package 10 using a die bonding member such as resin or solder, and the pad electrode and the lead electrode 30 of the light emitting element 50 are electrically Connected. In the mounting step S5, a plurality of light emitting elements 50 may be arranged.

(封止部材形成工程)
封止部材形成工程S6は、パッケージ10の凹部29内に封止部材60を形成することで、凹部29内に配置されている発光素子50やリード電極30を封止する工程である。封止部材形成工程S6では、溶融状態の封止部材60が、例えば、ポッティングにより、凹部29に充填される。また、封止部材60は、切離し工程S4で第1側壁21及び第2側壁22から露出している仮接続部3aの小口部分と第1リード31の側端面との間に入り込んで絶縁性を確実に担保することができる。
(Sealing member formation process)
The sealing member forming step S6 is a step of sealing the light emitting element 50 and the lead electrode 30 disposed in the recess 29 by forming the sealing member 60 in the recess 29 of the package 10. In the sealing member forming step S6, the sealing member 60 in a molten state is filled in the recess 29 by, for example, potting. In addition, the sealing member 60 enters the gap between the end of the temporary connection portion 3a exposed from the first side wall 21 and the second side wall 22 in the separation step S4 and the side end face of the first lead 31 to provide insulation. It can be secured securely.

(個片化工程)
封止部材形成工程S6の後に個片化工程S7が行われる。
個片化工程S7は、リードフレームの所定位置をパッケージ10ごとに切断することで、個々の発光装置100を形成する工程である。個片化工程S7では、予め設定されている切断部分を、切断装置を使用して切断することで、発光装置100ごとに個片化している。
以上説明したように、準備工程S1〜切離し工程S4を含む工程を行うことでパッケージ10を製造することができる。また、準備工程S1〜個片化工程S7を含む工程を行うことで、発光装置100を製造することができる。
(Dividing process)
A singulation step S7 is performed after the sealing member formation step S6.
The singulation step S7 is a step of forming the individual light emitting devices 100 by cutting predetermined positions of the lead frame for each package 10. In the singulation step S7, the light emission device 100 is singulated by cutting a preset cut portion using a cutting device.
As described above, the package 10 can be manufactured by performing the process including the preparation process S1 to the separation process S4. Further, the light emitting device 100 can be manufactured by performing the steps including the preparation step S1 to the singulation step S7.

次に、第2実施形態について、図8を参照して説明する。なお、既に説明した構成については同じ符号を付して説明を省略する。図8は、第2実施形態に係る発光装置の一部を断面にして模式的に示す斜視図である。
発光装置200は、パッケージ10Aと、発光素子50とを備えている。そして、パッケージ10Aは、凹部29を有する樹脂部20と、樹脂部20に支持され凹部29の底面25に隙間Dを空けて配置された一対のリード電極30と、リード電極30に離間して凹部29の側壁に設けた絶縁板140とを備えている。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. The same reference numerals are given to the configurations already described, and the description will be omitted. FIG. 8 is a perspective view schematically showing a cross section of a part of the light emitting device according to the second embodiment.
The light emitting device 200 includes a package 10A and a light emitting element 50. Then, the package 10A is separated from the resin portion 20 having the recess 29, the pair of lead electrodes 30 supported by the resin portion 20 and disposed on the bottom surface 25 of the recess 29 with a gap D, and the recess And an insulating plate 140 provided on the side wall of the housing 29.

(絶縁板)
絶縁板140は、第1リード31と第2リード32との隙間Dを跨ぐように第1側壁21と第2側壁22とに、第1リード31及び第2リード32から離間して設けられている。絶縁板140は、第1絶縁板141及び第2絶縁板142を備え、第1リード31及び第2リードを挟んで対向する位置に、第1側壁21及び第2側壁22から板表面が露出するように設けられている。第1絶縁板141及び第2絶縁板142は、リード電極30と同等の金属の第1金属板41及び第2金属板42で形成され、その第1金属板41及び第2金属板42の表面に絶縁膜44が設けられている。
(Insulation plate)
The insulating plate 140 is provided apart from the first lead 31 and the second lead 32 on the first side wall 21 and the second side wall 22 so as to bridge the gap D between the first lead 31 and the second lead 32. There is. The insulating plate 140 includes the first insulating plate 141 and the second insulating plate 142, and the surface of the plate is exposed from the first side wall 21 and the second side wall 22 at positions facing each other across the first lead 31 and the second lead. It is provided as. The first insulating plate 141 and the second insulating plate 142 are formed of the first metal plate 41 and the second metal plate 42 of the same metal as the lead electrode 30, and the surfaces of the first metal plate 41 and the second metal plate 42 The insulating film 44 is provided on the

第1絶縁板141及び第2絶縁板142は、第1リード31に仮接続部3a(図3参照)を介して仮に接続されており、樹脂部20を形成した後に、第1リード31から切離されることで設置される。第1絶縁板141及び第2絶縁板142は、第1リード31と第2リード32の隙間Dを跨ぎ、第1リード31の一部から第2リード32の一部に亘る長さに形成されている。なお、第1絶縁板141及び第2絶縁板142は、第1金属板41及び第2金属板42と同じ形状で同じ厚みに形成され、第1側壁21及び第2側壁22のから板表面が露出する角度に設けられている。第1絶縁板141及び第2絶縁板142は、樹脂部20の強度を高めるために設けられることから、第1リード31及び第2リード32との隙間Dを跨ぐ位置で、かつ、第1リード31の一部と第2リード32の一部との両方に対向する大きさであれば、その形状や厚み等は限定されるものではない。   The first insulating plate 141 and the second insulating plate 142 are temporarily connected to the first lead 31 via the temporary connection portion 3a (see FIG. 3), and are cut off from the first lead 31 after the resin portion 20 is formed. It is installed by being released. The first insulating plate 141 and the second insulating plate 142 cross the gap D between the first lead 31 and the second lead 32, and are formed to have a length ranging from a portion of the first lead 31 to a portion of the second lead 32. ing. The first insulating plate 141 and the second insulating plate 142 have the same shape and the same thickness as the first metal plate 41 and the second metal plate 42, and the plate surface is made of the first side wall 21 and the second side wall 22. It is provided at the exposure angle. Since the first insulating plate 141 and the second insulating plate 142 are provided to increase the strength of the resin portion 20, the first lead is provided at a position straddling the gap D between the first lead 31 and the second lead 32. The shape, the thickness, and the like are not limited as long as they have a size that faces both the portion 31 and the portion of the second lead 32.

第1絶縁板141及び第2絶縁板142は、一例として、仮接続部3aを境に曲げられる前に、第1金属板41及び第2金属板42に絶縁膜44が設けられることで形成されてもよい。ここで使用される絶縁膜44の絶縁材料は、樹脂部20と同様に白色で光を反射することができる材料であることが好ましい。絶縁膜44で使用される絶縁部材は、反射率をいっそう高くするために、樹脂材料に、発光素子50が発光した光を吸収し難く、かつ母材である樹脂に対して屈折率差のある反射材料(例えばTiO,SiO,Al,ZrO,MgO等)の粉末を、予め分散させて形成してもよい。また、絶縁膜44は、発光素子50の発光した光や外光の透過し難い光透過率の低い材料で形成されることが好ましい。絶縁膜44は、液状の材料を固化させて形成することができ、かつ、耐薬品性を有する材料がより好ましい。このような材料として熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が挙げられ、具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジン、PPA、シリコーン樹脂等が挙げられる。 As an example, the first insulating plate 141 and the second insulating plate 142 are formed by providing the insulating film 44 on the first metal plate 41 and the second metal plate 42 before being bent at the temporary connection portion 3a. May be It is preferable that the insulating material of the insulating film 44 used here is a material which can reflect light in white as the resin portion 20 does. In the insulating member used in the insulating film 44, the resin material is difficult to absorb the light emitted from the light emitting element 50 and has a difference in refractive index with respect to the resin as the base material in order to further increase the reflectance. A powder of a reflective material (for example, TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , MgO, etc.) may be dispersed in advance and formed. In addition, the insulating film 44 is preferably formed of a material having a low light transmittance which hardly transmits the light emitted from the light emitting element 50 and the external light. The insulating film 44 can be formed by solidifying a liquid material, and a material having chemical resistance is more preferable. Such materials include thermosetting resins and thermoplastic resins, and specific examples include phenol resins, epoxy resins, BT resins, PPA, silicone resins and the like.

発光装置200は、第1絶縁板141及び第2絶縁板142を第1リード31と第2リード32との隙間Dを跨ぐように第1側壁21と第2側壁22とに設けるため(板表面を露出してあるいは埋設して)、樹脂部20の強度を向上させ短絡の原因にもなり難い。また、樹脂部20を設けるときに絶縁膜44が樹脂材料で形成されることから樹脂部20と絶縁板140との接合強度を向上させることができる。
発光装置の製造方法では、準備工程S1で準備するリードフレームにおいて、金属板40となる第1金属板41及び第2金属板42の表面に絶縁膜44を設けて第1絶縁板141及び第2絶縁板142を形成した状態として準備する。その後第1実施形態と同様の曲げ工程S2から個片化工程S7を行うことで発光装置200を形成することができる。
In the light emitting device 200, the first insulating plate 141 and the second insulating plate 142 are provided on the first side wall 21 and the second side wall 22 so as to bridge the gap D between the first lead 31 and the second lead 32 (plate surface Is exposed or embedded) to improve the strength of the resin portion 20 and hardly cause a short circuit. In addition, since the insulating film 44 is formed of a resin material when the resin portion 20 is provided, the bonding strength between the resin portion 20 and the insulating plate 140 can be improved.
In the method of manufacturing the light emitting device, in the lead frame prepared in the preparation step S1, the insulating film 44 is provided on the surfaces of the first metal plate 41 and the second metal plate 42 to be the metal plate 40 to form the first insulating plate 141 and the second insulating plate. The insulating plate 142 is prepared as it is formed. Thereafter, the light emitting device 200 can be formed by performing the bending step S2 similar to the first embodiment to the singulation step S7.

(変形例)
なお、金属板40及び仮接続部3aについて、変形例1〜3を図面を用いて説明する。変形例1として、図9Aを用いる。図9Aは、発光装置に用いる金属板の形状、及び、仮接続部の位置についての変形例を模式的に示す平面図である。
図9Aに示すように、金属板240は、第1リード31と第2リード32との隙間Dを跨ぐ位置で、凹部29の側壁(第1側壁21,第2側壁22)に、第1リード31及び第2リード32から離間して設けられている。金属板240である第1金属板241及び第2金属板242は、2つの角部分が丸みを有する形状に形成されている。また、仮接続部3bは、第1リード31の側端面に第2リード32から離れた位置になるように形成されている。金属板240は、角部分が丸みを有することで、側壁に埋設する場合、所定角度に曲げられたときに、第1金属板241又は第2金属板242の角が側壁面から突出し難くなる。さらに、仮接続部3bが第2リード32から離れた位置になることで短絡し難くなる。なお、仮接続部3bの設置される間隔は、金属板240を支持することができれば、特に限定されない。
(Modification)
In addition, about the metal plate 40 and the temporary connection part 3a, the modification examples 1-3 are demonstrated using drawing. As a first modification, FIG. 9A is used. FIG. 9A is a plan view schematically showing a modification of the shape of the metal plate used for the light emitting device and the position of the temporary connection portion.
As shown in FIG. 9A, the metal plate 240 is positioned on the side wall (the first side wall 21 and the second side wall 22) of the recess 29 at a position crossing the gap D between the first lead 31 and the second lead 32. The first and second leads 32 and 32 are spaced apart from each other. The 1st metal plate 241 and the 2nd metal plate 242 which are metal plates 240 are formed in the shape which two corners have roundness. Further, the temporary connection portion 3 b is formed on the side end surface of the first lead 31 so as to be at a position separated from the second lead 32. When the metal plate 240 has a rounded corner, the corner of the first metal plate 241 or the second metal plate 242 does not easily protrude from the side wall surface when it is bent at a predetermined angle when embedded in the side wall. Furthermore, the temporary connection portion 3 b is located at a distance from the second lead 32, so that the short circuit is difficult. In addition, the space | interval in which the temporary connection part 3b is installed will not be specifically limited if the metal plate 240 can be supported.

変形例2として、図9Bを用いる。図9Bは、発光装置に用いる金属板の配置と形状、及び、仮接続部の位置についての変形例を模式的に示す平面図である。金属板340は、第1リード31と第2リード32との隙間Dを跨ぐように、かつ、第1リード31の一部と第2リード32の一部に対向する大きさに形成されてもよい。また、仮接続部3cは、第1リード31の側端面と、第2リード32の側端面とに設けられており、金属板340の長手方向の中心から左右対称となる位置に形成されている。金属板340である第1金属板341及び第2金属板342は、同じ大きさで同じ厚さに形成されている。さらに、第1金属板341及び第2金属板342は、隙間Dを跨ぐようにして第1リード31の一部及び第2リード32の一部に対向する最小の長さに形成されている。このように、金属板340では、金属板340の材料を最小にして樹脂部20の強度を向上させることができる。   As a second modification, FIG. 9B is used. FIG. 9B is a plan view schematically showing a modification of the arrangement and shape of the metal plate used for the light emitting device and the position of the temporary connection portion. The metal plate 340 is formed so as to bridge the gap D between the first lead 31 and the second lead 32, and to have a size that faces a part of the first lead 31 and a part of the second lead 32. Good. The temporary connection portion 3 c is provided on the side end surface of the first lead 31 and the side end surface of the second lead 32, and is formed at a position symmetrical with respect to the center of the metal plate 340 in the longitudinal direction. . The first metal plate 341 and the second metal plate 342, which are metal plates 340, are formed to have the same size and the same thickness. Furthermore, the first metal plate 341 and the second metal plate 342 are formed to have a minimum length that faces a portion of the first lead 31 and a portion of the second lead 32 so as to bridge the gap D. Thus, in the metal plate 340, the strength of the resin portion 20 can be improved by minimizing the material of the metal plate 340.

変形例3として、図9Cを用いる。図9Cは、発光装置に用いる金属板の形状、及び、仮接続部の形状並びに位置についての変形例を模式的に示す平面図である。金属板440は、第1金属板441と、第2金属板442との長手方向における長さが異なるように形成されている。第2金属板442が第1金属板441よりも短く形成されていることで、装置全体の形状が第1金属板441側と第2金属板442側で異なっても対応することが可能となる。また、仮接続部3dは、第1金属板441と第1リード31の側端面とに一カ所で仮に接続され、かつ、第2金属板442と第1リード31の側端面とに一カ所で仮に接続されるように形成されている。仮接続部3dは、一カ所で第1金属板441あるいは第2金属板442を仮に接続できるように、仮接続部3a,3b,3cよりも幅が広く形成されている。仮接続部3dは、一カ所で第1金属板441あるいは第2金属板442を仮に接続しているので、切断時の切断加工装置側の操作が少なくて済む。   As a third modification, FIG. 9C is used. FIG. 9C is a plan view schematically showing a modification of the shape of the metal plate used for the light emitting device, and the shape and position of the temporary connection portion. The metal plate 440 is formed to have different lengths in the longitudinal direction of the first metal plate 441 and the second metal plate 442. Since the second metal plate 442 is formed shorter than the first metal plate 441, even if the shape of the entire device is different between the first metal plate 441 side and the second metal plate 442 side, it becomes possible to correspond. . In addition, the temporary connection portion 3 d is temporarily connected at one place to the first metal plate 441 and the side end face of the first lead 31, and at one place at the second end face of the second metal plate 442 and the first lead 31. It is formed to be temporarily connected. The temporary connection portion 3d is formed wider than the temporary connection portions 3a, 3b, 3c so that the first metal plate 441 or the second metal plate 442 can be temporarily connected at one place. Since the temporary connection portion 3d temporarily connects the first metal plate 441 or the second metal plate 442 at one place, the operation on the cutting and processing apparatus side at the time of cutting can be reduced.

なお、変形例1乃至3の各構成は、適宜組み合わせて使用してもよい。例えば、変形例2の仮接続部3cの形成位置を変形例1のように第1リード31側のみにしてもよいことや、変形例3のように一カ所としてもよい。また、金属板240のように丸みを有するように、金属板340,440を形成してもよい。さらに、変形例3のように、金属板240,340を長さが異なるように形成してもよい。
さらに、金属板240,340,440の板表面に図7で示したように高熱伝導部材43を設ける構成や、絶縁膜44を設ける構成としてもよい。
そして、金属板40,240,340,440及び絶縁板140は、多角形、半円形、半楕円形、扇形等、様々な形状とすることができる。
The configurations of the first to third modifications may be used in combination as appropriate. For example, the formation position of the temporary connection portion 3c of the second modification may be made only on the first lead 31 side as in the first modification, or may be set at one position as in the third modification. Also, the metal plates 340 and 440 may be formed so as to be rounded like the metal plate 240. Furthermore, as in the third modification, the metal plates 240 and 340 may be formed to have different lengths.
Furthermore, as shown in FIG. 7, the high thermal conductivity member 43 may be provided on the surface of the metal plates 240, 340, and 440, or the insulating film 44 may be provided.
The metal plates 40, 240, 340, and 440 and the insulating plate 140 can have various shapes such as polygonal, semicircular, semielliptical, and fan-shaped.

以上説明した発光装置では、機械的強度が比較的低い隙間Dを跨ぐ位置に第1金属板41,241,341,441及び第2金属板42,242,342,442、あるいは、第1絶縁板141及び第2絶縁板142を設けることで、パッケージ10,10Aの第1側壁21及び第2側壁22の厚みを薄くしたとしても、パッケージ10の強度を確保することができるため、薄型化を実現しながら、パッケージの強度に優れた発光装置とすることができる。   In the light emitting device described above, the first metal plate 41, 241, 341, 441 and the second metal plate 42, 242, 342, 442 or the first insulating plate is placed at a position across the gap D where the mechanical strength is relatively low. By providing the 141 and the second insulating plate 142, the strength of the package 10 can be secured even if the thicknesses of the first side wall 21 and the second side wall 22 of the packages 10 and 10A are made thinner, so a thinner structure is realized. Thus, the light emitting device can have excellent package strength.

また、パッケージ10、10Aでは、第1金属板41,241,341,441及び第2金属板42,242,342,442のいずれか一方のみ、あるいは、第1絶縁板141及び第2絶縁板142のいずれか一方のみを設ける構成としてもよい。
さらに、金属板40,240,340,440あるいは絶縁板140は、リードフレームに仮接続部3a,3b,3c,3dのいずれかにより仮に接続された状態で後に切断されることとして説明したが、別部材として準備して樹脂部20を形成するときに側壁の表面から設けるようにしてもよい。
そして、第2金属板42,242,342,442あるいは第2絶縁板142は、直線の平面の部分から第2側壁22の傾斜面22aに沿って曲げられた形状を備えていてもよい。つまり、第2金属板42,242,342,442あるいは第2絶縁板142は、隙間Dを跨ぐ位置に第2側壁22に沿って形成されていればその形状は限定されない。
また、金属板40,240,340,440は、リード電極30よりも熱伝導率が高くなる構成として板厚をリード電極30よりも薄くすることとしてもよい。
Further, in the package 10, 10A, only one of the first metal plate 41, 241, 341, 441 and the second metal plate 42, 242, 342, 442, or the first insulating plate 141 and the second insulating plate 142. Only one of them may be provided.
Further, although the metal plate 40, 240, 340, 440 or the insulating plate 140 is described as being cut later in a state of being temporarily connected to the lead frame by any of the temporary connection portions 3a, 3b, 3c, 3d, When preparing the resin portion 20 as a separate member, it may be provided from the surface of the side wall.
The second metal plate 42, 242, 342, 442 or the second insulating plate 142 may have a shape that is bent along the inclined surface 22 a of the second side wall 22 from the portion of the straight plane. That is, the shape of the second metal plate 42, 242, 342, 442 or the second insulating plate 142 is not limited as long as it is formed along the second side wall 22 at a position straddling the gap D.
Further, the metal plates 40, 240, 340, and 440 may be configured to be thinner than the lead electrode 30 so that the thermal conductivity is higher than that of the lead electrode 30.

3a,3b,3c,3d 仮接続部
10,10A パッケージ
20 樹脂部
21 第1側壁
22 第2側壁
23 第3側壁
24 第4側壁
25 底面
28 開口部
29 凹部
30 リード電極
31 第1リード
32 第2リード
40,240,340,440 金属板
41,241,341,441 第1金属板
42,242,342,442 第2金属板
43 高熱伝導部材
44 絶縁膜
50 発光素子
60 封止部材
100,200 発光装置
140 絶縁板
141 第1絶縁板
142 第2絶縁板
3a, 3b, 3c, 3d temporary connection portion 10, 10A package 20 resin portion 21 first side wall 22 second side wall 23 third side wall 24 fourth side wall 25 bottom 28 opening 29 recessed portion 30 lead electrode 31 first lead 32 second Reed 40, 240, 340, 440 Metal plate 41, 241, 341, 441 First metal plate 42, 242, 342, 442 Second metal plate 43 High thermal conductivity member 44 Insulating film 50 Light emitting element 60 Sealing member 100, 200 Light emission Device 140 Insulating plate 141 First insulating plate 142 Second insulating plate

Claims (14)

凹部を有する樹脂部と、前記樹脂部に支持され前記凹部の底面に隙間を空けて配置された一対のリード電極と、前記隙間を跨ぐように前記凹部の側壁に前記一対のリード電極と離間して設けた金属板と、を有するパッケージと、
前記パッケージの一対のリード電極に実装される発光素子と、を備える発光装置。
A resin portion having a recess, a pair of lead electrodes supported by the resin portion and disposed with a gap in a bottom surface of the recess, and a gap between the pair of lead electrodes on a side wall of the recess so as to straddle the gap A package having a metal plate provided thereon;
A light emitting device mounted on a pair of lead electrodes of the package.
前記金属板は、対向する凹部の側壁の一方の内壁面に設けた第1金属板と、対向する凹部の側壁の他方の内壁面に設けた第2金属板とを有する請求項1に記載の発光装置。   The metal plate according to claim 1, wherein the metal plate has a first metal plate provided on one inner wall surface of the side wall of the facing recess and a second metal plate provided on the other inner wall surface of the side wall of the facing recess. Light emitting device. 前記金属板は、前記一対のリード電極と同じ材料で形成されている請求項1又は請求項2に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the metal plate is formed of the same material as the pair of lead electrodes. 前記金属板は、前記凹部の底面に対して90度〜110度の範囲で前記側壁に沿って設けられている請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal plate is provided along the side wall at a range of 90 degrees to 110 degrees with respect to the bottom surface of the recess. 前記金属板は、前記一対のリード電極よりも熱伝導率が高い請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal plate has a thermal conductivity higher than that of the pair of lead electrodes. 前記金属板は、前記凹部の内壁面側の表面が前記樹脂部から露出している請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein a surface of the metal plate on the inner wall surface side of the concave portion is exposed from the resin portion. 前記金属板は、前記樹脂部に埋没して前記側壁内に設けられている請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein the metal plate is embedded in the resin portion and provided in the side wall. 凹部を有する樹脂部と、前記樹脂部に支持され前記凹部の底面に隙間を空けて配置された一対のリード電極と、前記隙間を跨ぐように前記凹部の側壁に前記一対のリード電極と離間して設けた絶縁板と、を有するパッケージと、
前記パッケージの一対のリード電極に実装される発光素子と、を備える発光装置。
A resin portion having a recess, a pair of lead electrodes supported by the resin portion and disposed with a gap in a bottom surface of the recess, and a gap between the pair of lead electrodes on a side wall of the recess so as to straddle the gap A package having an insulating plate provided thereon;
A light emitting device mounted on a pair of lead electrodes of the package.
前記絶縁板は、金属板に絶縁膜を被覆している請求項8に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 8, wherein the insulating plate covers a metal plate with an insulating film. 凹部を有する樹脂部と、前記樹脂部に支持され前記凹部の底面に隙間を空けて配置された一対のリード電極と、前記隙間を跨ぐように前記凹部の側壁に前記一対のリード電極と離間して設けた金属板又は絶縁板と、を有するパッケージ。   A resin portion having a recess, a pair of lead electrodes supported by the resin portion and disposed with a gap in a bottom surface of the recess, and a gap between the pair of lead electrodes on a side wall of the recess so as to straddle the gap And a metal plate or an insulating plate provided. 一対のリード電極を、隙間を空けて対向して形成し、前記一対のリード電極の側端面に仮接続部を介して前記隙間を跨ぐ長さに形成された金属板を有するリードフレームを準備する準備工程と、
前記一対のリード電極の仮接続部を境にして前記金属板を所定角度に曲げる曲げ工程と、
前記リードフレームに金型を介して樹脂部を設け、前記一対のリード電極を前記樹脂部の凹部の底面に露出させると共に、前記金属板を前記凹部の内側面に沿って配置させ前記樹脂部で保持するパッケージ形成工程と、
前記仮接続部を、切断装置を介して切断することで前記一対のリード電極から前記金属板を切離す切離し工程と、を含むパッケージの製造方法。
A pair of lead electrodes are formed facing each other with a gap, and a lead frame having a metal plate formed to have a length straddling the gap on the side end surface of the pair of lead electrodes via a temporary connection portion is prepared. Preparation process,
A bending step of bending the metal plate at a predetermined angle with the temporary connection portion of the pair of lead electrodes as a boundary;
A resin portion is provided on the lead frame via a mold, and the pair of lead electrodes is exposed on the bottom of the recess of the resin portion, and the metal plate is disposed along the inner side surface of the recess. A package forming step to hold;
And a separation step of separating the metal plate from the pair of lead electrodes by cutting the temporary connection portion through a cutting device.
前記金属板は、前記一対のリード電極のそれぞれの一側となる前記側端面に仮接続部を介して接続された第1金属板と、前記一対のリード電極のそれぞれの他側となる前記側端面に仮接続部を介して接続された第2金属板とを備え、
前記切離し工程は、前記第1金属板及び前記第2金属板の仮接続部を、前記切断装置により一対のリード電極から切離す請求項11に記載のパッケージの製造方法。
The metal plate is a first metal plate connected to the side end surface, which is one side of the pair of lead electrodes, through a temporary connection portion, and the side that is the other side of the pair of lead electrodes. And a second metal plate connected to the end face via the temporary connection portion,
The method for manufacturing a package according to claim 11, wherein in the disconnecting step, the temporary connection portions of the first metal plate and the second metal plate are disconnected from the pair of lead electrodes by the cutting device.
前記金属板は、絶縁膜を被覆されている請求項11又は請求項12に記載のパッケージの製造方法。   The method of manufacturing a package according to claim 11, wherein the metal plate is coated with an insulating film. 請求項11乃至請求項13のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法で得られるパッケージを準備する工程と、
前記凹部の底面に露出する前記一対のリード電極に発光素子を実装する実装工程と、
前記発光素子を実装したパッケージごとに個片化する個片化工程と、を含む発光装置の製造方法。
Preparing a package obtained by the method of manufacturing a package according to any one of claims 11 to 13.
Mounting the light emitting element on the pair of lead electrodes exposed on the bottom surface of the recess;
A method of manufacturing a light emitting device, comprising: a singulation step of singulating the respective packages in which the light emitting element is mounted.
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260985A (en) * 1998-03-12 1999-09-24 Matsushita Electron Corp Lead frame, resin-sealed semiconductor device and its manufacture
JP2004146815A (en) * 2002-09-30 2004-05-20 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device
JP2004327863A (en) * 2003-04-24 2004-11-18 Graphic Techno Japan Co Ltd Semiconductor light emitting device having reflection plate with heat dissipation function
JP2007019505A (en) * 2005-07-04 2007-01-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Side-surface light emitting diode having improved side wall reflection structure
CN101150164A (en) * 2006-09-22 2008-03-26 株式会社东芝 Light semiconductor device and manufacturing method thereof
US20080169540A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 Chi Mei Lighting Technology Corp Lead frame structure of light emitting diode
JP2008166332A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Hitachi Cable Precision Co Ltd Lead frame for light-emitting element mounting package and its manufacturing method
JP2009260075A (en) * 2008-04-17 2009-11-05 Toshiba Corp Light-emitting apparatus and lead frame

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260985A (en) * 1998-03-12 1999-09-24 Matsushita Electron Corp Lead frame, resin-sealed semiconductor device and its manufacture
JP2004146815A (en) * 2002-09-30 2004-05-20 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device
JP2004327863A (en) * 2003-04-24 2004-11-18 Graphic Techno Japan Co Ltd Semiconductor light emitting device having reflection plate with heat dissipation function
JP2007019505A (en) * 2005-07-04 2007-01-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Side-surface light emitting diode having improved side wall reflection structure
CN101150164A (en) * 2006-09-22 2008-03-26 株式会社东芝 Light semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2008078500A (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Toshiba Corp Optical semiconductor device and method for manufacturing the same device
JP2008166332A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Hitachi Cable Precision Co Ltd Lead frame for light-emitting element mounting package and its manufacturing method
US20080169540A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 Chi Mei Lighting Technology Corp Lead frame structure of light emitting diode
JP2009260075A (en) * 2008-04-17 2009-11-05 Toshiba Corp Light-emitting apparatus and lead frame

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