JP2004134538A - 2部材の固定方法および保護プレート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の部材1と第2の部材2との間に液体3、例えば純水あるいは水を主成分とする液体を介在させ、この状態で液体3を気化させることにより第1の部材1と第2の部材2との間に発生する負圧作用により両者を互いに固定する。例えば、第1の部材1をシリコンウエハ、第2の部材2をシリコンウエハに形成されたデバイス面を保護するための保護プレートとする場合、固定手段が水であるので、初期費用およびランニングコストを低減できると共に、環境負荷を低減することができる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばシリコンウエハ等の表面に形成されたデバイスを保護するための保護用部材をデバイス形成面に固定したり、シリコンウエハ等を加工テーブルに固定したりする際に使用される2部材の固定方法、およびシリコンウエハ等のデバイス形成面を保護するための保護プレートに関する。
【0002】
【従来の技術】
ICカードやICチップ等に使用されるデバイスウエハは、表面にデバイスが形成されたシリコンウエハの背面を研削等により加工して、板厚を数十μmに加工されたものである。以下、素材のシリコンウエハ、表面にデバイスが形成された後のシリコンウエハおよび背面側が研削されたデバイスウエハをまとめてシリコンウエハという。
【0003】
技術を開示した特許文献を特には参照しないが、例えば、背面を加工する際あるいはハンドリング時には、デバイス形成面が損傷を受けることを防止するために、特殊な接着剤を塗布した樹脂製の保護シートをデバイス形成面に貼りつけておき、所望の加工が終了した後、最終工程においてこの保護シートを除去することが通常行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
シリコンウエハは板厚が薄く、破損しやすい。このため、保護シートを能率良くシリコンウエハに貼り付けあるいは除去するためには専用装置を必要とし、これにより、初期費用が高価になる等の不都合があった。
【0005】
また、上記保護シートの接着剤として、接着性および剥離性が良好でかつデバイスに悪影響を与えない特殊な材質のものが使用され、しかも、一度使用された保護シートは再使用することができない。このため、ランニングコストが高価になったり、保護シートの廃棄処理も必要になったりする等の不都合があった。
【0006】
本発明の目的は、従来技術における課題を解決し、ワークやワークの表面を保護するための保護プレート等と他の部材とを一体にするのに好適な2部材の固定方法、および繰り返し使用が可能で、環境負荷を低減することができる保護プレートを提供するにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するための本第一の発明は、対向させた2部材間に液体を充填することにより前記2部材間に液体層を形成した後、前記液体層の外気と接する外縁から前記液体を気化させ、前記2部材間に発生する負圧作用により前記2部材を互いに固定することを特徴とする2部材の固定方法にある。
【0008】
この場合、前記液体を純水または水を主成分とする液体とすることができる。
【0009】
また、本第二の発明は、上記2部材の固定方法を用いてワークと一体にするための保護プレートであって、
一方が前記ワークと対向する領域外縁近傍の領域内の表面に開口し、かつ他方が前記領域外の表面に開口する、前記領域外からの液体排出用の孔を設けたことを特徴とする保護プレートにある。
【0010】
更に、本第三の発明は、上記2部材の固定方法を用いてワークと一体にされる保護プレートであって、
前記ワークと対向する領域外縁近傍の領域内の表面に、前記領域外の液体が前記領域内に進入することを阻止するためのシール部材を配置したことを特徴とする保護プレートにある。
【0011】
この場合、前記シール部材を、前記液体層への前記領域外からの液体の進入を阻止しかつ該液体層からの液体の蒸発を妨げない性質を有する材料によって構成することができる。
【0012】
〔作用〕
本第一の発明にあっては、2部材間に形成された液体層の側面から液体を気化させると、表面張力による負圧作用により、液体層を挟む2部材が密着状態になって互いに固定される。
【0013】
本第二および第三の発明にあっては、保護プレートに設けられた液体排出用の孔やシール部材は、例えば加工液が使用される環境下において、加工液が液体層に進入することを防止して、2部材の固定状態を維持する。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、薄板(例えばシリコンウエハ)と、この薄板の表面を保護するための保護プレートとを純水を用いて一体にする場合について説明する。図1は本発明における2物体間の保持力(固定力)の時間的変化を示す図、図2は薄板と保護プレートの位置関係を示す側面図、図3は液体の充填手順説明図、図4および図5は図2の要部拡大断面図である。
【0015】
以下、図1に示す時間経過に従って順に説明する。
【0016】
(1)時刻T0
図2に示すように、薄板1と保護プレート2とを対向させ、両者の間に純水3を充填する。純水3の充填方法としては、例えば、純水3を満たした容器中で薄板1と保護プレート2とを重ね合わせ、容器中から両者を重ね合わせた状態で取り出してもよいし、保護プレート2の表面に純水3を載置しておき、純水3の上に薄板1を乗せてもよい。いずれの場合も、図3に示すように、薄板1と保護プレート2を外部から軽く加圧して薄板1と保護プレート2間から純水3を流出させるとよい。この際、流出した純水3を除去するとさらによい。なお、薄板1と保護プレート2との間に空気層が存在しないようにする。
【0017】
この時点における薄板1と保護プレート2との関係は、図4に示すように、純水3を挟み、薄板1と保護プレート2が全く接触していない場合と、図5に示すように、純水3を挟み、薄板1と保護プレート2が一部接触している場合とがある。以下、薄板1と保護プレート2との間に挟まれた(充填された)純水3を、純水層3という。
【0018】
周知のように、図4に示す場合であっても、保護プレート2を固定した状態で薄板1を厚さ方向(図2の上方)に持ち上げようとすると、両者間に発生する大きな抗力(保持力)により、両者を引き離すことは困難である。しかし、薄板1に水平方向の力を加えると、両者間には保持力がほとんど発生せず、薄板1を容易に移動させることができる。薄板1を研削加工する場合、薄板1には水平方向の研削力が加わる。したがって、この状態では薄板1を研削加工することができない。
【0019】
(2)時刻T0から時刻T1まで 図2の状態で、純水3を自然乾燥させる。薄板1と保護プレート2との間に充填された純水層3は、外気と接触する最外端部から蒸発拡散することにより体積が減少する。この時、表面張力により、純水層3は薄板1と保護プレート2との相接面全面の広がりを維持するため、純水層3は体積が減少しても面積的には縮小せず、厚さが徐々に減少する。
【0020】
そして、時刻T1になると、空気中で薄板1を保護プレート2に載置した時の両者間の空気層を純水層に置き換えた状態になる。
【0021】
時刻T0から時刻T1までに要する時間は、時刻T1における純水層3の厚さにより数時間から数分のばらつきが発生するが、薄板1が外径200mmのシリコンウエハ、保護プレート2の材質が合成樹脂の場合、図3で説明した方法を採用し、一般的な空調管理条件下(温度が20度C前後、湿度が50%前後)に放置した場合、数十分程度である。
【0022】
なお、この状態では、薄板1が保護プレート2に載っているだけであるので、薄板1を研削加工することができない。
【0023】
(3)時刻T1から時刻T3まで さらに自然乾燥を継続すると、純水層3の体積はさらに減少するが、表面張力により、純水層3は面積的な広がりを維持しようとする。この結果、負圧作用が徐々に増加し、薄板1と保護プレート2との間には、垂直上方だけでなく、水平方向の力に対しても大きな保持力が発生し、この保持力は時刻T3で最大になる。この時、時刻T2において、保持力がシリコンウエハの背面側を研削加工する際にシリコンウエハに加わる研削力Fに等しくなるので、時刻T2以降は薄板1を研削加工することができる。
【0024】
時刻T1から時刻T2までの時間は、例えば、薄板1が外径200mmのシリコンウエハ、保護プレート2の材質が合成樹脂である場合、数十分程度である。
【0025】
(4)時刻T3から時刻T5まで
さらに自然乾燥を続けると、純水層3の外縁部が中央方向に徐々に後退して、純水層3の面積的な広がりが小さくなる。これに伴って負圧作用も減少する結果、両者間の保持力は小さくなり、純水層3がほとんどなくなる時刻T5において両者は分離(剥離)した状態になる。なお、保持力が研削力Fに等しくなる時刻T4までは、薄板1を研削加工することができる。
【0026】
時刻T1から時刻T5までの時間は、薄板1が外径200mmのシリコンウエハ、保護プレート2の材質が合成樹脂である場合、数日程度である。
【0027】
なお、時刻T3から時刻T5までの間、純水層3の外縁部に純水3を供給することにより純水層3の縮小を防止すると、比較的容易に両者を一体の状態に維持することができる。
【0028】
次に、加工終了時あるいは何らかの理由により負圧作用による保持力が働いている薄板1と保護プレート2とを分離(剥離)する必要がある場合に、両者を分離する方法について説明する。
【0029】
(a)第1の分離方法
上記したように、外部から純水層3に純水を供給すると、供給された純水3が純水層3に進入する結果、負圧作用が小さくなり、これに伴って両者間に加わる保持力も小さくなる。したがって、外部から純水層3に純水を供給して負圧作用を減少させた後、両者を水平方向に相対的に移動させることにより、両者を分離することができる。
【0030】
また、一体状態にある薄板1と保護プレート2とを純水3の中に浸漬させた状態で放置しても、上記の場合と同様に、十数分間で両者を分離することができる。
【0031】
(b)第2の分離方法
図6は薄板と保護プレートの第2の分離方法の説明図である。
【0032】
薄板1と保護プレート2とは、純水3の表面張力を利用して一体になっているだけであり、接着剤による固定ではない。したがって、同図に示すように、純水層3の端部を僅かに引き離して薄板1と純水層3との間に空気層を設けると、数秒間で両者を分離させることができる。
【0033】
次に、本発明を適用するのに好適な保護プレートについて説明する。
【0034】
図7は薄板1(シリコンウエハ)の研削加工状態を示す側面図であり、図8は本発明を適用するのに好適な保護プレートの平面図である。
【0035】
図7において、薄板1と保護プレート2とは純水層3を介し、上記の固定方法により一体に固定されている。保護プレート2の薄板1の外縁から僅か内側には、一方が薄板(ワーク)1と対向する領域外縁近傍の領域内の表面に開口しかつ他方が前記領域外の表面に開口する、前記領域外からの液体排出用の排出孔2a、即ち保護プレート2の表面と背面とを接続(連通)する排水孔(排水路)2aが、図8に示すように、円周方向に複数形成されている。
【0036】
研削盤の真空チャック5は多孔質の材料で形成され、外周を通気性のない保持具6により外気から遮断されている。真空チャック5の下側に形成された空間7は、図示を省略する真空源に接続されている。そして、薄板1は保護プレート2を介して真空チャック5に吸引されて固定されている。
【0037】
加工時、加工液(研削液)が薄板1の外周に供給される結果、加工液が純水層3の内部に進入しようとする。しかし、内部に進入しようとする加工液は排水路2aを介して外部に排出されて内部に進入することがない。したがって、両者間に働く固定力はほとんど減少せず、両者を相互に固定した状態に維持することができる。
【0038】
ここで、排水路2aは、外部から浸入する加工液を排出する作用だけでなく、薄板1と保護プレート2との間に充填された純水層3も吸収するので、例えば加工前に真空チャック5を動作させると、外径が200mmのシリコンウエハ,保護プレート2の材質が合成樹脂である場合、図1における時刻T1から時刻T2までの時間を数分に短縮することができる。
【0039】
なお、排水路2aを加工することに代えて、排水路2aを形成した部分を多孔質の構造体で形成してもよい。
【0040】
ここで、保護プレート2に孔を設けない状態で直径200mmのシリコンウエハを研削する場合、加工に伴って加工液が純水層3に入り込む。このため、負圧作用に伴う固定力が徐々に低下し、数分でシリコンウエハが保護プレート2から分離する。したがって、孔を設けない保護プレート2を採用する場合には、加工時間を数分以内にする必要がある。
【0041】
図9は、本発明を適用するのに好適な他の保護プレートの断面図である。
【0042】
同図において、薄板(ワーク)1と対向する領域外縁近傍の領域内の表面に、即ち薄板1(または純水層3)の外縁部から僅か内側に接触するように、純水層3の蒸発拡散を防止すると同時に、加工液が純水層3に進入することを防止するシール部材2bが配置されている。
【0043】
なお、このシール部材2bは、例えば通気性のないゴム質系材料をリング状に成形したものでも良いし、加工液が純水層3に進入することは阻止するが、純水層3の純水が蒸発することは妨げない通気性に方向性のある材質を採用してもよい。後者の方向性のある材料を採用する場合、時刻T0における純水層3の厚さのばらつき許容度を大きくできるので、当初の純水層3の管理が容易になるという利点がある。
【0044】
なお、薄板1と保護プレート2とを一体にさせた後、薄板1と保護プレート2の境界に通気性のない粘性シール剤を塗布するようにしてもよい。
【0045】
また、上記では液体として純水を用いる場合について説明したが、純水に限らず水を主成分とする液体等、気化する性質を備える液体であればよい。
【0046】
また、本発明を適用する場合、液体に接する面の表面粗さを、50Rmax以下(好ましくは25Rmax以下)とすればよい。
【0047】
さらに、この実施形態では、薄板1と保護プレート2とを互いに固定する場合について説明したが、本発明を用いて、薄板1を加工テーブルに直接固定することもできる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、対向させた2部材間に液体を充填することにより2部材間に液体層を形成した後、液体層の外縁から液体を気化させ、2部材間に発生する負圧作用により2部材を互いに固定するので、ワークやワークの表面を保護するための保護プレート等と他の部材とを容易に一体化することができる。また、例えば液体として水を採用すると、設備費が安価になる。また、例えば、シリコンウエハのデバイス形成面を保護する保護プレートとして採用すると、特殊な接着剤が不要であり、しかも再利用することができるので、ランニングコストを低減することができるだけでなく、環境負荷を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における2物体間の保持力(固定力)の時間的変化を示す図である。
【図2】薄板と保護プレートの位置関係を示す側面図である。
【図3】本発明における液体の充填手順説明図である。
【図4】図2の要部拡大断面図である。
【図5】図2の要部拡大断面図である。
【図6】薄板と保護プレートの第2の分離方法の説明図である。
【図7】薄板(シリコンウエハ)の研削加工状態を示す側面図である。
【図8】本発明を適用するのに好適な保護プレートの平面図である。
【図9】本発明を適用するのに好適な他の保護プレートの断面図である。
【符号の説明】
1 第1の部材(薄板)
2 第2の部材(保護プレート)
3 液体(純水、純水層)
Claims (5)
- 対向させた2部材間に液体を充填することにより前記2部材間に液体層を形成した後、前記液体層の外気と接する外縁から前記液体を気化させ、前記2部材間に発生する負圧作用により前記2部材を互いに固定することを特徴とする2部材の固定方法。
- 前記液体が純水または水を主成分とする液体であることを特徴とする請求項1に記載の2部材の固定方法。
- 請求項1に記載の2部材の固定方法を用いてワークと一体にされる保護プレートであって、
一方が前記ワークと対向する領域外縁近傍の領域内の表面に開口し、かつ他方が前記領域外の表面に開口する、前記領域外からの液体排出用の孔を設けたことを特徴とする保護プレート。 - 請求項1に記載の2部材の固定方法を用いてワークと一体にされる保護プレートであって、
前記ワークと対向する領域外縁近傍の領域内の表面に、前記領域外の液体が前記領域内に進入することを阻止するためのシール部材を配置したことを特徴とする保護プレート。 - 前記シール部材が、前記液体層への前記領域外からの液体の進入を阻止しかつ該液体層からの液体の蒸発を妨げない性質を有することを特徴とする請求項4に記載の保護プレート。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2006129458A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Jsr Corporation | 固定剤付きウエハ及び固定剤付きウエハの製造方法 |
JP2014030038A (ja) * | 2007-07-13 | 2014-02-13 | Mapper Lithography Ip Bv | リソグラフィシステム、クランプ方法及びウェーハテーブル |
JP2017037993A (ja) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 有限会社サクセス | 半導体ウエハ保持具、半導体ウエハ研削装置、及び、半導体ウエハ研削方法 |
US9645511B2 (en) | 2007-07-13 | 2017-05-09 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
CN109304817A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 株式会社迪思科 | 刀具保持器具 |
JP2020096046A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法および樹脂シートユニット |
JP2020096045A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2020096044A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法および樹脂シートユニット |
JP2020096043A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
USRE49488E1 (en) | 2007-07-13 | 2023-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
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2002
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Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006129458A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Jsr Corporation | 固定剤付きウエハ及び固定剤付きウエハの製造方法 |
JP4784604B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-10-05 | Jsr株式会社 | 固定剤付きウエハの製造方法 |
JP2014030038A (ja) * | 2007-07-13 | 2014-02-13 | Mapper Lithography Ip Bv | リソグラフィシステム、クランプ方法及びウェーハテーブル |
JP2014039048A (ja) * | 2007-07-13 | 2014-02-27 | Mapper Lithography Ip Bv | リソグラフィシステム、クランプ方法及びウェーハテーブル |
US9645511B2 (en) | 2007-07-13 | 2017-05-09 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
US9665013B2 (en) | 2007-07-13 | 2017-05-30 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
USRE49488E1 (en) | 2007-07-13 | 2023-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
JP2017037993A (ja) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 有限会社サクセス | 半導体ウエハ保持具、半導体ウエハ研削装置、及び、半導体ウエハ研削方法 |
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JP2019025556A (ja) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | 株式会社ディスコ | ブレード保持具 |
KR20190012102A (ko) * | 2017-07-26 | 2019-02-08 | 가부시기가이샤 디스코 | 블레이드 유지구 |
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JP2020096043A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
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JP2020096045A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2020096046A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法および樹脂シートユニット |
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