JP2004111572A - 撮像装置および画像ピックアップシステム - Google Patents
撮像装置および画像ピックアップシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004111572A JP2004111572A JP2002270604A JP2002270604A JP2004111572A JP 2004111572 A JP2004111572 A JP 2004111572A JP 2002270604 A JP2002270604 A JP 2002270604A JP 2002270604 A JP2002270604 A JP 2002270604A JP 2004111572 A JP2004111572 A JP 2004111572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- imaging
- circuit
- chip set
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 26
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板上に、入射光を光電変換し得られた電気信号を増幅する増幅型単位画素を一次元状または二次元状に配列した感光領域と単位画素を駆動するドライバ回路を有する撮像チップ220と、撮像チップ220から出力される信号を信号処理し、所望の信号に変換するデジタル信号処理チップいわゆるDSPチップ221からなるチップセットにおいて、DSPチップ221はCMOSで構成されており、撮像チップ220のトランジスタはnMOS型又はpMOS型のみの低リーク電流構造のトランジスタから構成される。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、デジタルカメラ等に使用されるMOS型撮像チップとDSPチップのチップセットに関するもので、特に高性能で高付加価値なチップセットを提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、デジタル信号処理技術とCMOS微細化技術の急激な進歩により、高度の信号処理が可能なDSPと撮像面に照射された光信号を電気信号に変換し取り出す撮像素子とを1枚のシリコン基板に上に集積する1ChipCMOSカメラが実現できるようになってきた。
【0003】
図10は従来の1ChipCMOSカメラの構成図である。1ChipCMOSカメラ201は光を電気信号に変化するセンサ部207、センサ部を駆動する垂直走査回路206、水平走査回路208、タイミング発生回路203、センサからの信号出力を増幅するゲイン制御アンプ204、その出力信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路205及びデジタル信号処理回路202から構成される。
【0004】
しかし、高度に進歩した微細CMOS技術により1Chip化が可能になってきた一方で、撮像チップとDSPチップを独立に形成する2Chip構成の方が性能面とコスト面で有利であることが分かってきた。
【0005】
DSPチップは、膨大な画像情報を高度に処理するために信号処理の機能が大きくなってくる。静止画像では今後急激に進歩する携帯電話で画像を伝達するには画像の情報の大幅な圧縮が必要である。具体的にはJPEGという圧縮法がある。このデータ圧縮には膨大な計算を高速に行う必要あり、CMOSの微細化技術と最新のCMOS回路設計技術が不可欠である。さらに動画を扱う場合には超高速の処理回路が必要となる。そのためDSPチップはデジタルCMOS微細化技術の最先端技術を用いることになる。
【0006】
一方、撮像チップはアナログ信号を取り扱う。さらに感光領域はカメラで使うレンズなどの制約により微細化を急激に進めることはできない。すなわちDSPチップと撮像チップで要求される製造プロセスが異なってくる。無理に1Chip化するとDSPの高速化や製造プロセスの微細化およびDSPのデジタルノイズによる撮像チップの性能劣化も及ぼしかねない。すなわち高価格、低性能につながってしまう。
【0007】
そこで、撮像チップとDSPチップを独立に設計することの有利性が出てくる。独立設計した従来のチップセットの構成は、信号処理の方法やDSPの種類にかかわらず、撮像チップを独立に動作させるために、センサ部を駆動する走査回路206や208、走査回路に必要なパルスを発生するタイミングパルス発生回路203、センサ部からの信号出力を増幅するゲイン制御アンプ204、その出力信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路205を撮像チップ側に搭載した図11のようなチップセット構成となる。
【0008】
DSPチップ211から撮像チップ210へはマスタークロックライン212により基準のパルスを供給する。また、感度制御する電子シャッタ信号線213により電子シャッタ信号が供給される。センサチップからDSPチップへはアナログデジタル変換回路205からのデジタル信号が信号線214を介して供給される。
【0009】
【特許文献1】
特開2000−92349号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来技術のように低価格かつ高性能を達するために2Chip構成を提案しているわけであるが、価格面において、DSPチップは急激に進化するデジタル信号処理技術を取り込むと共に、CMOS微細化技術を用いることによって、性能面や価格面で付加価値が増大する一方で、撮像チップはアナログ性能確保のために、半端な微細化技術を使用せざるを得ず、タイミングパルス発生回路203等の本来CMOSロジックが得意とするデジタル回路の面積が大きくなり、コスト面では結局のところ1Chipシステムに対して大きな有利性を見出せない。
【0011】
そこでタイミングパルス発生回路203、ゲイン制御アンプ204、アナログデジタル変換回路205をDSPチップ211に搭載することで低価格化を模索することはできるが、この場合、DSPチップ211から撮像チップ210へのタイミングパルス供給線が増大し、その供給線に雑音が重畳し、この雑音が撮像チップの雑音出力に重畳することにより撮像チップの感度が低下してしまい性能劣化につながってしまう。この雑音は主に画素部を駆動する走査回路に供給する電流の変動から発生することがわかっている。
【0012】
電流変動は、走査回路がCMOSロジックで作られている場合、CMOS回路がスイッチするときのいわゆる貫通電流が原因である。一般にはCMOS回路というのは消費電流が小さいというのが特徴であるが、スイッチする瞬間は非常に大きな電流(貫通電流)が流れることはよく知られている。これはスイッチの一瞬の時間だけnMOSとpMOSの両方のトランジスタがON状態になり、電源とグランドがショートするためである。スイッチをコントロールする配線がチップ外を通ると、その配線自身に雑音が重畳したり、配線を通るパルスがなまったりするので、上記の貫通電流による電源のゆすれ雑音が増大してしまう。すなわち低価格化と高性能化を両立させる2チップセットのシステム技術の早期確立がもとめられている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の請求項1記載の撮像装置チップセットは、半導体基板上に、入射光を光電変換し得られた電気信号を増幅する増幅型単位画素を一次元状または二次元状に配列した感光領域と前記単位画素を駆動する走査回路およびタイミング発生回路と出力アンプ回路を有する撮像チップと、前記撮像チップから出力される信号を信号処理し、所望の信号に変換するデジタル信号処理チップいわゆるDSPチップからなるチップセットであって、前記DSPチップのトランジスタはCMOSで構成されたものであり、かつ前記撮像チップのトランジスタは同一導電型のトランジスタで構成されていることを特徴とするものである。
【0014】
この構成によれば、低価格かつ高性能を同時に満たす撮像装置チップセットを提供することができる。つまり、低価格化を図るため、独立に設計する撮像チップの回路をすべてをnMOSまたはpMOSのみにする。この方法ではプロセス拡散工程において、単一のウェル構造だけを作ればよく、プロセス工程数やマスク枚数が大幅に削減できる。また、DSPに合わせた微細プロセスを用いる必要もない。高性能化においては、DSPと独立して撮像チップとしてアナログ性能を重視した設計ができるので無理な微細プロセス使わないため高性能化につながる。
【0015】
また、本発明の撮像装置チップセットは、走査回路に供給するタイミングパルスを発生するタイミング発生回路がDSPチップ側に搭載されていることを特徴とする。
【0016】
また、本発明の撮像装置チップセットは、チップセットにおける撮像チップの走査回路およびタイミング発生回路と出力アンプ回路について、一部または全部がダイナミック回路により設計されていることを特徴とするものである。
【0017】
この構成によれば、より低価格化を図るためにタイミングパルス発生回路をDSPチップに搭載した場合の課題である重畳雑音に対しても、撮像チップ内の走査回路をnMOS又はpMOSのみを用いたダイナミックロジック回路を用いることにより、CMOS回路の貫通電流がなくなり、タイミングパルス供給線をチップ外部に配しても電源に重畳するゆすれ雑音が増大しないため、タイミングパルス供給線に重畳した雑音が撮像チップの雑音出力に与える影響を排除できる。さらに、ダイナミック回路を用いているので、nMOS又はpMOSのみで構成した走査回路内の伝達パルスの減衰も防ぐことができる。
【0018】
また、本発明の撮像装置チップセットは、チップセットにおける撮像チップの走査回路およびタイミング発生回路と出力アンプ回路について、一部または全部がダイナミック回路により設計され、ダイナミック回路のMOSトランジスタ部分の酸化膜を厚くして高耐圧化されていることを特徴とする。
【0019】
この構成によれば、nMOS又はpMOSのみで構成した走査回路内の伝達パルスは、昇圧により電源電圧よりも高くなる事があるが、この場合においても酸化膜を厚膜化することで耐圧も確保することができる。
【0020】
以上の特徴のある撮像チップであれば、最先端微細プロセスを用いたDSPと組み合わせることで、高性能でかつ低価格な高付加価値チップセット及びこの撮像装置チップセットを組み込んだ画像ピックアップシステムを提供できる。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明のチップセット構成の1例を図1に示す。本チップセット構成は、新DSPチップ221と新撮像チップ220からなる。新DSPチップから新撮像チップに供給するタイミング供給線222は、従来のマスタークロックライン212と異なり、複数の配線となる。供給線がチップ外部に存在すると雑音が重畳しやすくなる。この雑音が走査回路に供給する電流を変動させて、撮像チップの雑音出力に重畳することにより撮像チップの感度低下を招く恐れがあるが、本撮像チップの走査回路は図2に示すようなnMOSまたはpMOSダイナミックロジック作られているため、電流変動が発生しない。したがって、撮像チップの感度に悪影響を与えない構成になっている。また、撮像チップ全回路をnMOSまたはpMOSで構成することにより、撮像特性をさらに向上させることも可能になるので、この点についてさらに詳しく述べる。
【0022】
まず、従来のCMOSイメージセンサが抱える問題点を挙げる。図3は、従来のCMOSイメージセンサの構成の1例である。フォトダイオード101と転送トランジスタ102、リセットトランジスタ103、増幅トランジスタ104からなる単位画素が二次元状に配列された感光領域105と列方向に画素を選択する垂直走査回路106と行方向に画素を選択する水平走査回路107と垂直走査回路106・水平走査回路107に必要なパルスを供給するタイミング発生回路108により構成されている。垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108は、n−MOSとp−MOSを両方とも使うCMOSで設計されている。一方、単位画素を構成する転送トランジスタ102、リセットトランジスタ103、増幅トランジスタ104は、全てn−MOSである。これらのn−MOSは、垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108のn−MOSと同一構造のものである。CMOSイメージセンサなどの増幅型センサは、少ない信号を増幅できるので感度が高いという特徴がある。そのためフォトダイオードに漏れ込むリーク電流が大きいと増幅するため大きな雑音となってしまう。単位画素を形成するトランジスタは、垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108のトランジスタと同一のものであり、半導体LSIの微細化技術の大きな流れの中で開発されたp−MOSとn−MOSからなるCMOSトランジスタである。ここで、微細化されたCMOSに要求されるものは高速性であり、高速化のためにトランジスタの製造がチューニングされ、素子分離領域及びその近傍から発生するリーク電流対策は、ロジック動作上問題のないレベルまでしか注意が払われていないのが実際である。そのため垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108に使われているn−MOSをそのまま増幅型単位画素に使うとリーク電流による雑音が非常に大きく、画質の悪化につながるという問題が発生する。リーク電流発生のメカニズムについて、図4および図5のCMOSトランジスタの構造例を用いてさらに詳しく説明する。図4にて、p−MOSはn−型ウェル109の内部に、n−MOSはp−型ウェル110の中に形成される。素子分離領域はLOCOS111という約半分シリコン半導体基板112を侵食した酸化膜により形成されている。酸化膜に食い込んだ領域で大きなストレスが発生し大きなリーク電流が発生する原因となる。更に微細化が進むと図5に示すSTI(ShallowTrench Isolation)113という素子分離が用いられる。これは厚い酸化膜が全て半導体基板内部に埋め込まれているので前記LOCOS素子分離より更に大きなリーク電流が発生してしまう。対してリーク電流の少ない素子分離構造も考えられており、例として図6や図7に示す構造がある。図6は素子分離酸化膜114を基板の上に積んだ構造で、図7は素子分離イオン注入層115により分離するものである。これら技術を両方併用した構造のものも存在する。
【0023】
単位画素の部分に前記のようなリーク電流の少ない素子分離構造を使うことは可能である。しかしCMOSの部分に前記のようなリーク電流の少ない素子分離構造を使うとCMOSトランジスタの特性が変わるため、長い開発期間をかけて開発した設計技術が応用できなくなりCMOSを使う意味自体が無くなってくる。そこで、垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108などロジックで動作する回路には、図4または図5のリーク電流の多い素子分離を使い、単位画素には、図6や図7のリーク電流の少ない素子分離を用いることも考えられる。しかしながら、製造工程が複雑で長くなるため、コストアップになると同時に製品供給までの時間が長くなるという問題とCMOSを構成するp−MOS、n−MOSと単位画素を構成するn−MOSの3つのトランジスタの特性を管理しなければならなくなるという問題が発生し、面積あたりの価値の増大を図ることができない。
【0024】
本発明が提供するチップセット中の新撮像チップは、nMOS、pMOSのみで回路構成することが特徴であるが、例として単位画素を構成するトランジスタとして、図6や図7に示すリーク電流が小さい素子分離構造のn−MOSトランジスタを用いると共に垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108にも図6のn−MOSトランジスタを用いることにより、低リーク電流化が実現でき、画質を飛躍的に向上させることができる。一方で、n−MOSトランジスタのみで垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108を構成すると消費電力が増大するという問題点も新たに発生する。この対策として、n−MOSのみで低消費電力化するためにダイナミック回路を採用する。図2に垂直走査回路106・水平走査回路107に使うことができるn−MOSダイナミックシフトレジスタ回路の一例を示す。このダイナミック回路は、容量234にデータをダイナミックに保持するためリーク電流が大きいとデータがリーク電流により破壊されるため誤動作してしまう。それを防ぐためにはリーク電流の小さいトランジスタを使う必要がある。そのためにも垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108に図6の低リーク素子分離のMOSトランジスタを用いることは理にかなっている。図7の素子分離を垂直走査回路106・水平走査回路107・タイミング発生回路108に用いない理由は単位画素以外の周辺回路に図7の素子分離を用いるとゲート電極が全て薄いゲート絶縁膜上に形成されるため、ゲート電極の容量が大きくなり回路のスピードが遅くなることと、半導体基板との間に短絡不良が多くなる等の問題が発生するからである。
【0025】
図8は、埋め込み型フォトダイオードの構成例である。図8に示す埋め込み型フォトダイオードは、図7に示す素子分離構造において、拡散層のフローティングディフュージョン部238とフォトダイオード101が構成されており、フォトダイオード101にP型埋め込み層237を構成したものである。
【0026】
撮像チップをnMOS又はpMOSのみで構成すると、このような埋め込み型フォトダイオードなどの特殊な製造工程を採用することができ、フォトダイオード表面からのリーク電流を少なくすることができる。
【0027】
以上のように撮像チップをnMOS又はpMOSのみで回路構成すると、ダイナミックロジックにより、外部入力パルスの雑音に強くなり、低リーク電流な素子分離構造を採用することにより、撮像特性の飛躍的な向上も見込まれる。さらにCMOSプロセスにとらわれることがなく、製造工程が短くなり、コスト面でも圧倒的に有利になる。
【0028】
このように性能、コスト両面で従来の1Chipシステムや従来の2chipシステムに対して大きな有利性を出せるチップセットを提供することができる。
【0029】
図9に、本発明のチップセットを組み込んだ画像ピックアップシステムを示す。図9にはEEPROM26に書き込まれた電子シャッターや自動絞りなどの機能をMicro Controller235で読み取りDSPに情報を送り制御する画像ピックアップシステムの例を示している。このように本発明のチップセットを画像ピックアップシステムに採用することで、デジタルスチルカメラ、監視カメラ、指紋認証などの画像ピックアップシステムの高画質化を実現することができる。
【0030】
【発明の効果】
本発明によれば、DSPチップの膨大な付加価値の増加を損ねることなく、センサチップのチップ面積あたりの価値を高めることが可能となる。またこのチップセットをシステムに組み込むことにより、システムとしての付加価値が飛躍的に増大する。このように特性と機能面から微細化が必須のDSPチップと微細化よりも撮像性能重視の撮像チップを独立設計することで、DSPチップと撮像チップ双方の付加価値を高めるとともに、大幅なコストダウンを図れるチップセットを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のチップセット構成例を示すブロック図
【図2】NMOSダイナミックシフトレジスタ回路例を示す回路図
【図3】従来のCMOSセンサ回路を示す回路図
【図4】CMOSトランジスタの構造例1(LOCOS素子分離)を示す図
【図5】CMOSトランジスタの構造例2(STI素子分離)を示す図
【図6】低リーク電流素子分離構造例1を示す図
【図7】低リーク電流素子分離構造例2を示す図
【図8】埋め込み型フォトダイオードを示す図
【図9】本発明のチップセット内蔵の画像ピックアップシステムを示すブロック図
【図10】従来の1chipCMOSカメラ構成例を示すブロック図
【図11】従来の2chipCMOSカメラ構成例を示すブロック図
【符号の説明】
101 フォトダイオード
102 転送トランジスタ
103 リセットトランジスタ
104 増幅トランジスタ
105 感光領域
106 垂直シフトレジスタ
107 水平シフトレジスタ
108 タイミング発生回路
109 n型ウェル
110 p型ウェル
111 LOCOS素子分離
112 半導体基板
113 STI素子分離
114 素子分離酸化膜
115 素子分離イオン注入層
201 1chipCMOSカメラ
202 デジタル信号処理回路
203 タイミング発生回路
204 ゲイン制御アンプ
205 アナログデジタル変換回路
206 センサ駆動走査回路部
207 センサ部
210 センサチップ
211 DSPチップ
212 マスタークロックライン
213 電子シャッター信号線
214 デジタル映像信号線
215 アナログ映像信号線
220 新センサチップ
221 新DSPチップ
222 タイミング供給線
230 シフトレジスタ駆動パルス1
231 シフトレジスタ駆動パルス2
232 データ入力線
233 選択信号線
234 容量
235 マイクロコントローラ
236 メモリ(EEPROM)
237 P型埋め込み層
238 フローティングディフュージョン
Claims (9)
- 半導体基板上に、入射光を光電変換し得られた電気信号を増幅する増幅型単位画素を一次元状または二次元状に配列した感光領域と前記単位画素を駆動する走査回路およびタイミング発生回路と出力アンプ回路を有する撮像チップと、前記撮像チップから出力される信号を信号処理し、所望の信号に変換するデジタル信号処理チップいわゆるDSPチップからなるチップセットであって、前記DSPチップのトランジスタはCMOSで構成されたものであり、かつ前記撮像チップのトランジスタは同一導電型のトランジスタで構成されていることを特徴とする撮像装置チップセット。
- 前記撮像チップのトランジスタはnMOSで構成されていることを特徴とする請求項1記載の撮像装置チップセット。
- 前記撮像チップのトランジスタは前記CMOSの最小寸法より大きい最小寸法設計基準で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の撮像装置チップセット。
- 前記チップセットにおける前記撮像チップの走査回路およびタイミング発生回路と出力アンプ回路について、一部または全部がダイナミック回路により設計されていることを特徴とする請求項1記載の撮像装置チップセット。
- 前記チップセットにおける前記撮像チップの走査回路およびタイミング発生回路と出力アンプ回路について、一部または全部がダイナミック回路により設計され、ダイナミック回路のMOSトランジスタ部分の酸化膜を厚くして高耐圧化されていることを特徴とする請求項1または請求項4項記載の撮像装置チップセット。
- 前記チップセットにおける前記撮像チップの前記トランジスタが半導体基板を侵食しないように形成された絶縁膜とイオン注入層からなる素子分離領域を持つことを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3記載の撮像装置チップセット。
- 前記チップセットにおける前記撮像チップの増幅型単位画素が埋め込み型フォトダイオードを有することを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項6記載の撮像装置チップセット。
- 前記走査回路に供給するタイミングパルスを発生するタイミング発生回路がDSPチップ側に搭載されていることを特徴とする請求項1または請求項4または請求項5記載の撮像装置チップセット。
- 請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の撮像装置チップセットを組み込んでいること特徴とする画像ピックアップシステム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002270604A JP3652676B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 撮像装置および画像ピックアップシステム |
US10/658,700 US7271834B2 (en) | 2002-09-17 | 2003-09-09 | Imaging device chip having transistors of same conductivity type and image pickup system |
CNB031585108A CN100444619C (zh) | 2002-09-17 | 2003-09-17 | 摄像装置芯片组及图像拾取系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002270604A JP3652676B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 撮像装置および画像ピックアップシステム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004111572A true JP2004111572A (ja) | 2004-04-08 |
JP3652676B2 JP3652676B2 (ja) | 2005-05-25 |
JP2004111572A5 JP2004111572A5 (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=32268180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002270604A Expired - Lifetime JP3652676B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 撮像装置および画像ピックアップシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7271834B2 (ja) |
JP (1) | JP3652676B2 (ja) |
CN (1) | CN100444619C (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008023519A1 (fr) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Panasonic Corporation | Jeu de puces pour appareil de formation d'image et système de capture d'image |
JP2009302573A (ja) * | 2009-09-24 | 2009-12-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
WO2010143412A1 (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
WO2011152003A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Sony Corporation | Semiconductor device, solid-state imaging device, and camera system |
CN105609046A (zh) * | 2014-11-13 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
JP2022112735A (ja) * | 2021-01-22 | 2022-08-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光検出システム |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7205584B2 (en) * | 2003-12-22 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Image sensor for reduced dark current |
US20060186315A1 (en) * | 2005-02-22 | 2006-08-24 | Kany-Bok Lee | Active pixel image sensors |
JP2007096633A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 映像信号処理装置およびデジタルカメラ |
JP5820979B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2015-11-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像デバイス |
CN101514966B (zh) * | 2009-03-20 | 2010-12-08 | 何流 | 一种工业线扫描智能相机 |
JP5685898B2 (ja) * | 2010-01-08 | 2015-03-18 | ソニー株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
CN105304661B (zh) * | 2010-03-12 | 2018-08-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
JP5693060B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び撮像システム |
JP2012049597A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Nikon Corp | 撮像装置 |
CN102547154B (zh) * | 2011-12-29 | 2014-05-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种基于背照ccd的极紫外成像电路 |
TWI648986B (zh) * | 2014-04-15 | 2019-01-21 | 日商新力股份有限公司 | 攝像元件、電子機器 |
US10389961B2 (en) * | 2015-04-09 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
CN106550200B (zh) * | 2016-12-08 | 2019-04-19 | 中国科学院上海高等研究院 | 一种图像采集装置及方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3402619B2 (ja) * | 1992-01-14 | 2003-05-06 | キヤノン株式会社 | 電子スチルカメラ |
JP3583228B2 (ja) * | 1996-06-07 | 2004-11-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法 |
GB2318473B (en) * | 1996-10-17 | 2000-11-29 | Sony Corp | Solid state imaging device,signal processing method and camera |
JP3668604B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2005-07-06 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子およびこれを用いた画像システム |
JPH10224696A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Toshiba Corp | 固体撮像素子及びこの固体撮像素子を用いる画像システム |
US7129985B1 (en) * | 1998-11-24 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus arranged on a single substrate |
US6985181B2 (en) * | 2000-05-09 | 2006-01-10 | Pixim, Inc. | CMOS sensor array with a memory interface |
JP2001358997A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6895256B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-05-17 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Optimized camera sensor architecture for a mobile telephone |
-
2002
- 2002-09-17 JP JP2002270604A patent/JP3652676B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-09 US US10/658,700 patent/US7271834B2/en active Active
- 2003-09-17 CN CNB031585108A patent/CN100444619C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008023519A1 (fr) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Panasonic Corporation | Jeu de puces pour appareil de formation d'image et système de capture d'image |
WO2010143412A1 (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
JP2009302573A (ja) * | 2009-09-24 | 2009-12-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
WO2011152003A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Sony Corporation | Semiconductor device, solid-state imaging device, and camera system |
JP2013530511A (ja) * | 2010-06-02 | 2013-07-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
US10418394B2 (en) | 2010-06-02 | 2019-09-17 | Sony Corporation | Semiconductor device, solid-state imaging device, and camera system |
US11616089B2 (en) | 2010-06-02 | 2023-03-28 | Sony Corporation | Semiconductor device, solid-state imaging device, and camera system |
CN105609046A (zh) * | 2014-11-13 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN105609046B (zh) * | 2014-11-13 | 2018-05-04 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
JP2022112735A (ja) * | 2021-01-22 | 2022-08-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光検出システム |
JP7414748B2 (ja) | 2021-01-22 | 2024-01-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光検出システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7271834B2 (en) | 2007-09-18 |
CN1491028A (zh) | 2004-04-21 |
CN100444619C (zh) | 2008-12-17 |
JP3652676B2 (ja) | 2005-05-25 |
US20040201732A1 (en) | 2004-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111435975B (zh) | 固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法、以及电子设备 | |
JP3652676B2 (ja) | 撮像装置および画像ピックアップシステム | |
US10115762B2 (en) | Solid-state image pickup device, method of manufacturing thereof, and electronic apparatus | |
CN106454163B (zh) | 具有混合型异质结构的图像传感器 | |
US7460162B2 (en) | Solid state image pickup device and camera | |
CN102124566B (zh) | 用于3维合成像素的高增益读取电路 | |
JP2003258228A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
TWI656630B (zh) | 成像元件及成像裝置 | |
US20060158543A1 (en) | Solid state image pickup device, camera, and driving method of solid state image pickup device | |
WO2010143412A1 (ja) | 撮像装置 | |
US10609244B2 (en) | Photoelectric conversion element and image processing apparatus | |
US20090032852A1 (en) | CMOS image sensor | |
JP2011071347A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP2007096633A (ja) | 映像信号処理装置およびデジタルカメラ | |
JP2000224495A (ja) | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム | |
JP2001177775A (ja) | 固体撮像装置、撮像システム及び固体撮像装置の駆動方法 | |
US7259361B2 (en) | Producing method for solid-state image pickup device including formation of a carrier accumulating region | |
JP2002270808A (ja) | Mos型撮像装置 | |
US20120002092A1 (en) | Low noise active pixel sensor | |
JP2007184928A (ja) | Cmosイメージセンサ | |
US7009647B1 (en) | CMOS imager having a JFET adapted to detect photons and produce an amplified electrical signal | |
WO2004075540A1 (ja) | Cmos固体撮像装置およびその駆動方法 | |
JP2005198001A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP7129671B2 (ja) | 撮像装置及びカメラシステム | |
US7675327B2 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041029 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20041029 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20041109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3652676 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080304 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090304 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 9 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
SZ02 | Written request for trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z02 |
|
SZ02 | Written request for trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z02 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |