JP2004095816A - チップ形コンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】小形で低ESL(等価直列インダクタンス)のチップ形コンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】コンデンサ素子の陽極と陰極に陽極端子5と陰極端子7をそれぞれ接続し、このコンデンサ素子を外装樹脂9で上記陽極端子5と陰極端子7の一部を露出させて被覆し、かつ露出した陽極端子5と陰極端子7を同一面に隣接して配置させた構成とするものであり、陽極端子5と陰極端子7のループ面積を小さくすることができるので、低ESL化を図ることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】コンデンサ素子の陽極と陰極に陽極端子5と陰極端子7をそれぞれ接続し、このコンデンサ素子を外装樹脂9で上記陽極端子5と陰極端子7の一部を露出させて被覆し、かつ露出した陽極端子5と陰極端子7を同一面に隣接して配置させた構成とするものであり、陽極端子5と陰極端子7のループ面積を小さくすることができるので、低ESL化を図ることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電源などの電気回路に用いられるチップ形コンデンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、パソコンや通信機器の高速化が進められており、その電気回路の小型化、高周波対応化が要求されている。これに伴いコンデンサについても大容量化、低インピーダンス化が必要となり、特に、コンピュータのCPU駆動用電源回路やスイッチング電源回路などに対しては、回路設計上、高周波対応としてノイズやリプル電流の吸収性が要求され、低ESR(等価直列抵抗)化、低ESL(等価直列インダクタンス)化、耐高リップル電流化、大容量化が実現できるコンデンサが強く求められている。
【0003】
このような要求に対応するため、特に低ESR化を目的として、電気伝導度の高い導電性高分子を電解コンデンサの陰極用固体電解質として用いることが検討され、開発されてきている。
【0004】
この導電性高分子を用いた電解コンデンサの構造を図5に示す。同図において、酸化皮膜を有するアルミ箔よりなる陽極電極51に、固体電解質52を形成し、この上にカーボンや銀のペーストより形成した陰極電極53を形成してコンデンサ素子を構成し、外部部品ランドとハンダ付けする陽極端子54に陽極電極51をカシメや溶接により接続し、また同様に、陰極端子55に陰極電極53を導電性ペイントを介して接続し、これらを樹脂ケース56によりケーシングして角形のチップ形電解コンデンサを構成している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記図5の電解コンデンサのような2端子構造の電解コンデンサのESLは、
ESL=κμSN2/1=KS
Kは係数、Sは電流のループ面積
で表され、主に陽極端子と陰極端子のループ面積により決まる。
【0006】
すなわち、上記図5の電解コンデンサの構成では、陽極端子54と陰極端子55の間のループ面積が大きいため、陽極端子54と陽極電極51の接続抵抗(陰極端子55と陰極電極53の接続抵抗)を低減したとしても、低ESL化を図ることが容易ではなかった。
【0007】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、特に低ESLのチップ形コンデンサを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の請求項1に記載の発明は、コンデンサ素子の陽極と陰極にそれぞれ陽極端子と陰極端子が接続され、このコンデンサ素子を外装樹脂で上記陽極端子と陰極端子の一部を露出させて被覆し、かつ露出した陽極端子と陰極端子を同一面に隣接して配置させた構成とするものであり、陽極端子と陰極端子のループ面積を小さくすることができるため、低ESL化を図ることができるという作用を有する。
【0009】
請求項2に記載の発明は、コンデンサ素子が弁作用金属箔を粗面化し、その表面に誘電体酸化皮膜層、導電性高分子層、陰極層を順次形成したものであり、導電性高分子層を用いることにより、より高周波特性に優れた電解コンデンサを提供することができるという作用を有する。
【0010】
請求項3に記載の発明は、陽極端子と陰極端子がコンデンサの対向する側面にそれぞれ隣接するようにした構成とするものであり、陽極端子と陰極端子のループ面積を小さくすることができ、より一層の低ESL化を図ることができるという作用を有する。
【0011】
請求項4に記載の発明は、陽極端子と陰極端子を折曲げて、外装樹脂の底面部に隣接して配置した構成とするものであり、陽極端子および陰極端子を外部部品ランドに容易にハンダ付けすることができるという作用を有する。
【0012】
請求項5に記載の発明は、コンデンサ素子が陽極層、誘電体層、陰極層の順に複数積層したものである構成とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図1〜図4により説明する。
【0014】
図1(a)は本発明の一実施の形態におけるチップ形コンデンサの積層体を示す断面図と、図1(b)は同内部構成を示す斜視図と、図1(c)は同外観を示す斜視図である。同図において弁作用金属箔を粗面化して酸化皮膜を有する陽極電極1の表面に、ポリチオフェンやポリピロールやポリアニリンなどを電解重合もしくは化学重合にて固体の導電体高分子層2を形成し、さらにカーボンや銀のペーストを塗布乾燥した導電体の陰極電極3を形成したコンデンサ素子の積層体4を構成し、このコンデンサ素子の積層体4の陽極電極1に溶接やカシメなどにより陽極電極接続部6を形成した陽極端子5を設け、陰極電極3には、この陰極電極3を保持する陰極電極保持部8と一体となった陰極端子7が設けられている。上記陽極端子5と陰極端子7は同一面に設けられ、その間隔は0.2〜2mmにするように配置されている。また、陰極電極3と陰極保持部8とは導電性ペースト(図示せず)を介して接続されている。そして、上記陽極端子5と陰極端子7の一部が露出するように外装樹脂9により被覆してチップ形コンデンサを構成している。
【0015】
なお、10はダミー端子で、チップ形コンデンサを保持する機能を有し、必要に応じて構成する。
【0016】
このようなチップ形コンデンサにおいて、このコンデンサを充電する場合の電流は、陽極端子5、陽極電極接続部6、コンデンサ素子の積層体4、陰極電極保持部8、陰極端子7を経由したループで電流が流れることからループ面積が少なくなり、陽極端子5と陰極端子7との間隔を0.2〜2mmにすることにより、図5のような従来の電解コンデンサよりも両端子部分で発生するESLを約3.5分の1以下に低減することができる。
【0017】
なお、両端子間隔を狭くするほどESLは小さくなるが、チップ部品のプリント基板への実装精度より下限が決まるが、現時点ではプリント基板のパターン間隔の下限は約0.2mmであることから、この値が下限値である。
【0018】
また、図2(a)、(b)に示すように、陽極端子11と陰極端子12をプリント基板と対向する低面部に露出させることにより、プリント基板の部品ランドまでのループが短くなり、より低ESL化を図ることができる。
【0019】
図3(a)は本発明の一実施の形態における要部である陽極端子と陰極端子をそれぞれ2つ設けたチップ形コンデンサの内部構成を示す斜視図、図3(b)は同外観を示す斜視図である。同図においてコンデンサ素子の積層体21の陽極電極に陽極電極接続部23を設けて両サイドに引き出した陽極端子22と、コンデンサ素子の積層体21の陰極電極を保持する陰極電極保持部25を有し、両サイドに引き出した陰極端子24を備えた構成を有するものである。なお、陽極端子22と陰極端子24の間隔は0.2〜2.0mmにするのが良い。
【0020】
このようなチップ形コンデンサは、陽極端子22と陰極端子24を平行に両サイドに引き出すことにより、陽極端子22と陰極端子24間のループ面積が小さくなり、また、それぞれ2つの両端子が設けられるので、さらに抵抗ESL化を図ることができる。
【0021】
図4(a)は本発明の一実施の形態における要部である陽極、誘電体層、陰極の順に複数積層したチップ形コンデンサの構成を示す平面図で、図4(b)は同A−A’断面図、図4(c)は同底面図である。同図において、31は陽極、32はポリスチレンやポリエステルなどの有機フィルムまたはチタン酸バリウムなどのセラミックの誘電体層、33は陰極で、順に複数積層されてコンデンサ素子34を構成している。
【0022】
ここで、陽極31は陽極端子35と接続する部分を誘電体層32から突出させ、かつその一部に矩形状の切り欠き部を設け、陰極33も同様に陰極端子36と接続する部分を矩形状の切り欠き部を陽極31と相対する側に設けてある。
【0023】
上記陽極端子35と陰極端子36は同一面に隣接して配置している。
【0024】
また、37は陽極31と陽極端子35の接続部で、レーザー溶接やスポット溶接により接続される。38は陰極33と陰極端子36の接続部で、陽極側と同様である。39は外装樹脂、40はコンデンサを固定するためのダミー端子である。
【0025】
上記構成によってもループ面積が従来の電解コンデンサよりも小さくなるため、低ESL化を図ることができる。
【0026】
【発明の効果】
以上のように本発明は、コンデンサ素子の陽極と陰極にそれぞれ陽極端子と陰極端子が接続され、このコンデンサ素子を外装樹脂で上記陽極端子と陰極端子の一部を露出させて被覆し、かつ露出した陽極端子と陰極端子を同一面に隣接して配置させた構成とすることにより、陽極端子と陰極端子のループ面積を小さくすることができるため、低ESL化を図ることができるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の実施の形態におけるチップ形コンデンサの積層体を示す断面図
(b)同内部構成を示す斜視図
(c)同外観を示す斜視図
【図2】(a)本発明の実施の形態におけるチップ形コンデンサの内部構成を示す斜視図
(b)同外観を示す斜視図
【図3】(a)本発明の実施の形態におけるチップ形コンデンサの内部構成を示す斜視図
(b)同外観を示す斜視図
【図4】(a)本発明の他の実施の形態におけるチップ形コンデンサの内部構成を示す平面図
(b)同A−A’の断面図
(c)同底面図
【図5】従来の導電性高分子を用いた電解コンデンサの断面図
【符号の説明】
1 陽極電極
2 導電性高分子層
3 陰極電極
4 コンデンサ素子の積層体
5 陽極端子
6 陽極電極接続部
7 陰極端子
8 陰極電極保持部
9 外装樹脂
10 ダミー端子
【発明の属する技術分野】
本発明は電源などの電気回路に用いられるチップ形コンデンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、パソコンや通信機器の高速化が進められており、その電気回路の小型化、高周波対応化が要求されている。これに伴いコンデンサについても大容量化、低インピーダンス化が必要となり、特に、コンピュータのCPU駆動用電源回路やスイッチング電源回路などに対しては、回路設計上、高周波対応としてノイズやリプル電流の吸収性が要求され、低ESR(等価直列抵抗)化、低ESL(等価直列インダクタンス)化、耐高リップル電流化、大容量化が実現できるコンデンサが強く求められている。
【0003】
このような要求に対応するため、特に低ESR化を目的として、電気伝導度の高い導電性高分子を電解コンデンサの陰極用固体電解質として用いることが検討され、開発されてきている。
【0004】
この導電性高分子を用いた電解コンデンサの構造を図5に示す。同図において、酸化皮膜を有するアルミ箔よりなる陽極電極51に、固体電解質52を形成し、この上にカーボンや銀のペーストより形成した陰極電極53を形成してコンデンサ素子を構成し、外部部品ランドとハンダ付けする陽極端子54に陽極電極51をカシメや溶接により接続し、また同様に、陰極端子55に陰極電極53を導電性ペイントを介して接続し、これらを樹脂ケース56によりケーシングして角形のチップ形電解コンデンサを構成している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記図5の電解コンデンサのような2端子構造の電解コンデンサのESLは、
ESL=κμSN2/1=KS
Kは係数、Sは電流のループ面積
で表され、主に陽極端子と陰極端子のループ面積により決まる。
【0006】
すなわち、上記図5の電解コンデンサの構成では、陽極端子54と陰極端子55の間のループ面積が大きいため、陽極端子54と陽極電極51の接続抵抗(陰極端子55と陰極電極53の接続抵抗)を低減したとしても、低ESL化を図ることが容易ではなかった。
【0007】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、特に低ESLのチップ形コンデンサを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の請求項1に記載の発明は、コンデンサ素子の陽極と陰極にそれぞれ陽極端子と陰極端子が接続され、このコンデンサ素子を外装樹脂で上記陽極端子と陰極端子の一部を露出させて被覆し、かつ露出した陽極端子と陰極端子を同一面に隣接して配置させた構成とするものであり、陽極端子と陰極端子のループ面積を小さくすることができるため、低ESL化を図ることができるという作用を有する。
【0009】
請求項2に記載の発明は、コンデンサ素子が弁作用金属箔を粗面化し、その表面に誘電体酸化皮膜層、導電性高分子層、陰極層を順次形成したものであり、導電性高分子層を用いることにより、より高周波特性に優れた電解コンデンサを提供することができるという作用を有する。
【0010】
請求項3に記載の発明は、陽極端子と陰極端子がコンデンサの対向する側面にそれぞれ隣接するようにした構成とするものであり、陽極端子と陰極端子のループ面積を小さくすることができ、より一層の低ESL化を図ることができるという作用を有する。
【0011】
請求項4に記載の発明は、陽極端子と陰極端子を折曲げて、外装樹脂の底面部に隣接して配置した構成とするものであり、陽極端子および陰極端子を外部部品ランドに容易にハンダ付けすることができるという作用を有する。
【0012】
請求項5に記載の発明は、コンデンサ素子が陽極層、誘電体層、陰極層の順に複数積層したものである構成とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図1〜図4により説明する。
【0014】
図1(a)は本発明の一実施の形態におけるチップ形コンデンサの積層体を示す断面図と、図1(b)は同内部構成を示す斜視図と、図1(c)は同外観を示す斜視図である。同図において弁作用金属箔を粗面化して酸化皮膜を有する陽極電極1の表面に、ポリチオフェンやポリピロールやポリアニリンなどを電解重合もしくは化学重合にて固体の導電体高分子層2を形成し、さらにカーボンや銀のペーストを塗布乾燥した導電体の陰極電極3を形成したコンデンサ素子の積層体4を構成し、このコンデンサ素子の積層体4の陽極電極1に溶接やカシメなどにより陽極電極接続部6を形成した陽極端子5を設け、陰極電極3には、この陰極電極3を保持する陰極電極保持部8と一体となった陰極端子7が設けられている。上記陽極端子5と陰極端子7は同一面に設けられ、その間隔は0.2〜2mmにするように配置されている。また、陰極電極3と陰極保持部8とは導電性ペースト(図示せず)を介して接続されている。そして、上記陽極端子5と陰極端子7の一部が露出するように外装樹脂9により被覆してチップ形コンデンサを構成している。
【0015】
なお、10はダミー端子で、チップ形コンデンサを保持する機能を有し、必要に応じて構成する。
【0016】
このようなチップ形コンデンサにおいて、このコンデンサを充電する場合の電流は、陽極端子5、陽極電極接続部6、コンデンサ素子の積層体4、陰極電極保持部8、陰極端子7を経由したループで電流が流れることからループ面積が少なくなり、陽極端子5と陰極端子7との間隔を0.2〜2mmにすることにより、図5のような従来の電解コンデンサよりも両端子部分で発生するESLを約3.5分の1以下に低減することができる。
【0017】
なお、両端子間隔を狭くするほどESLは小さくなるが、チップ部品のプリント基板への実装精度より下限が決まるが、現時点ではプリント基板のパターン間隔の下限は約0.2mmであることから、この値が下限値である。
【0018】
また、図2(a)、(b)に示すように、陽極端子11と陰極端子12をプリント基板と対向する低面部に露出させることにより、プリント基板の部品ランドまでのループが短くなり、より低ESL化を図ることができる。
【0019】
図3(a)は本発明の一実施の形態における要部である陽極端子と陰極端子をそれぞれ2つ設けたチップ形コンデンサの内部構成を示す斜視図、図3(b)は同外観を示す斜視図である。同図においてコンデンサ素子の積層体21の陽極電極に陽極電極接続部23を設けて両サイドに引き出した陽極端子22と、コンデンサ素子の積層体21の陰極電極を保持する陰極電極保持部25を有し、両サイドに引き出した陰極端子24を備えた構成を有するものである。なお、陽極端子22と陰極端子24の間隔は0.2〜2.0mmにするのが良い。
【0020】
このようなチップ形コンデンサは、陽極端子22と陰極端子24を平行に両サイドに引き出すことにより、陽極端子22と陰極端子24間のループ面積が小さくなり、また、それぞれ2つの両端子が設けられるので、さらに抵抗ESL化を図ることができる。
【0021】
図4(a)は本発明の一実施の形態における要部である陽極、誘電体層、陰極の順に複数積層したチップ形コンデンサの構成を示す平面図で、図4(b)は同A−A’断面図、図4(c)は同底面図である。同図において、31は陽極、32はポリスチレンやポリエステルなどの有機フィルムまたはチタン酸バリウムなどのセラミックの誘電体層、33は陰極で、順に複数積層されてコンデンサ素子34を構成している。
【0022】
ここで、陽極31は陽極端子35と接続する部分を誘電体層32から突出させ、かつその一部に矩形状の切り欠き部を設け、陰極33も同様に陰極端子36と接続する部分を矩形状の切り欠き部を陽極31と相対する側に設けてある。
【0023】
上記陽極端子35と陰極端子36は同一面に隣接して配置している。
【0024】
また、37は陽極31と陽極端子35の接続部で、レーザー溶接やスポット溶接により接続される。38は陰極33と陰極端子36の接続部で、陽極側と同様である。39は外装樹脂、40はコンデンサを固定するためのダミー端子である。
【0025】
上記構成によってもループ面積が従来の電解コンデンサよりも小さくなるため、低ESL化を図ることができる。
【0026】
【発明の効果】
以上のように本発明は、コンデンサ素子の陽極と陰極にそれぞれ陽極端子と陰極端子が接続され、このコンデンサ素子を外装樹脂で上記陽極端子と陰極端子の一部を露出させて被覆し、かつ露出した陽極端子と陰極端子を同一面に隣接して配置させた構成とすることにより、陽極端子と陰極端子のループ面積を小さくすることができるため、低ESL化を図ることができるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の実施の形態におけるチップ形コンデンサの積層体を示す断面図
(b)同内部構成を示す斜視図
(c)同外観を示す斜視図
【図2】(a)本発明の実施の形態におけるチップ形コンデンサの内部構成を示す斜視図
(b)同外観を示す斜視図
【図3】(a)本発明の実施の形態におけるチップ形コンデンサの内部構成を示す斜視図
(b)同外観を示す斜視図
【図4】(a)本発明の他の実施の形態におけるチップ形コンデンサの内部構成を示す平面図
(b)同A−A’の断面図
(c)同底面図
【図5】従来の導電性高分子を用いた電解コンデンサの断面図
【符号の説明】
1 陽極電極
2 導電性高分子層
3 陰極電極
4 コンデンサ素子の積層体
5 陽極端子
6 陽極電極接続部
7 陰極端子
8 陰極電極保持部
9 外装樹脂
10 ダミー端子
Claims (5)
- コンデンサ素子の陽極と陰極にそれぞれ陽極端子と陰極端子が接続され、このコンデンサ素子を外装樹脂で上記陽極端子と陰極端子の一部を露出させて被覆し、かつ露出した陽極端子と陰極端子を同一面に隣接して配置させたチップ形コンデンサ。
- コンデンサ素子が弁作用金属箔を粗面化し、その表面に誘電体酸化皮膜層、導電性高分子層、陰極層を順次形成したものである請求項1に記載のチップ形コンデンサ。
- 陽極端子と陰極端子がコンデンサの対向する側面にそれぞれ隣接して配置したものである請求項1に記載のチップ形コンデンサ。
- 陽極端子と陰極端子を折曲げて、外装樹脂の底面部に隣接して配置したものである請求項1に記載のチップ形コンデンサ。
- コンデンサ素子が陽極層、誘電体層、陰極層の順に複数積層したものである請求項1に記載のチップ形コンデンサ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002254353A JP2004095816A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | チップ形コンデンサ |
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JP2002254353A JP2004095816A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | チップ形コンデンサ |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2004095816A true JP2004095816A (ja) | 2004-03-25 |
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Family Applications (1)
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JP2002254353A Withdrawn JP2004095816A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | チップ形コンデンサ |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7057882B2 (en) | 2004-09-13 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip solid electrolytic capacitor |
JP2006190925A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2006190929A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2007035691A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2007142161A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ |
-
2002
- 2002-08-30 JP JP2002254353A patent/JP2004095816A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7057882B2 (en) | 2004-09-13 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip solid electrolytic capacitor |
JP2006190925A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2006190929A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP4613669B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2007035691A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2007142161A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ |
JP4667214B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-04-06 | Necトーキン株式会社 | 下面電極型固体電解コンデンサ |
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