JP2004088953A

JP2004088953A - イオン発生器用の高電圧発生回路及びイオン発生用とイグナイタ用とに兼用の高電圧発生回路

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Publication number: JP2004088953A
Application number: JP2002249050A
Authority: JP
Inventors: Hisaya Kuribayashi; 栗林　久也
Original assignee: Silver Co Ltd
Current assignee: Silver Co Ltd
Priority date: 2002-08-28
Filing date: 2002-08-28
Publication date: 2004-03-18
Anticipated expiration: 2022-08-28
Also published as: JP3768938B2

Abstract

【課題】イオン発生器用の高電圧発生回路及びイオン発生器用とイグナイタ用とに兼用の高電圧発生回路において、直流電源を用いて安価に、高電圧パルス出力の波形整形と安定化を図り、イオン発生を安定にし、オゾン発生を抑制する。
【解決手段】高電圧発生回路１０は、ＤＣ電源２を駆動源として、非安定マルチバイブレータＭＶと、その出力パルスにより駆動されるパルストランスＴとを備え、パルストランスＴの１次側コイルＮ１に直列順方向にダイオードＤ１が挿入されている。このダイオードＤ１の挿入により、パルストランスＴの２次側コイルＮ２に現れる高電圧パルスは正負に振動しながら単調に減衰していく整形された波形となる。このため、イオン発生が安定し、しかもオゾンの発生が抑制され、イオン発生器用に適したものとなる。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン発生器用の高電圧発生回路及びイオン発生用と石油暖房機器などの点火（イグナイタ）用とに兼用の高電圧発生回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、石油燃焼機器の灯芯への点火装置として、電池を電源とする高電圧発生回路を用いた、火花放電を利用するイグナイタが知られている（例えば、特開平０６−３４１６４４号公報参照）。
【０００３】
この種のイグナイタ用高電圧パルス発生回路の例を図１１に示す。この高電圧パルス発生回路１は、電池からなるＤＣ電源２を動作源とし、発振動作する非安定マルチバイブレータＭＶと、その出力でもってスイッチング動作されるスイッチング用トランジスタＱ３，Ｑ４と、トランジスタＱ４のスイッチング動作により高電圧を発生するパルストランスＴとを備えている。非安定マルチバイブレータＭＶはトランジスタＱ１，Ｑ２と、抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、コンデンサＣ２，Ｃ３とから構成される。また、パルストランスＴの１次コイルＮ１に並列にコンデンサＣ４が接続され、２次コイルＮ２の両端には点火用電極３が接続される。なお、ＤＣ電源にはスイッチＳＷを介して平滑用のコンデンサＣ１が並列接続されている。
【０００４】
上記高電圧パルス発生回路１において、マルチバイブレータＭＶの発振周期に従い、トランジスタＱ４がオン・オンし、パルストランスＴの１次側電流が断続されることで、コンデンサＣ４とパルストランスＴの１次コイルＮ１とから成る閉回路に振動電流が発生する。この振動電流により、パルストランスＴの２次コイルＮ２の両端に高電圧が発生し、点火用電極３間に火花放電が発生する。
【０００５】
ところで、空気清浄機器としてのイオン発生器にも、イオン発生用の高電圧パルス発生回路が用いられている。このイオン発生器により発生される負イオンは人間をリラックスさせ、正イオンは殺菌する効果があり、正負両イオンを同時に発生させると、室内雰囲気の改善に効果がある。そこで、上述したようなイグナイタ用高電圧パルス発生回路をイオン発生に用いて、石油燃焼機器にイオン発生器を組み込むことが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記図１１に示したような従来の、電池を電源としたイグナイタ用高電圧パルス発生回路１を、イオン発生器に用いた場合、以下のような問題がある。パルストランスＴの２次コイルＮ２に現れるイグナイタ用の電圧パルスＶＮ２は、例えば図１２及び図１３に示されるように、正負に同程度に振動し、片側振幅５〜６ｋＶ、パルス周期１．２ｍｓｅｃの波形を有している。２次コイルＮ２に現れるパルスの振動電圧は、エネルギの散逸に従い時間と共に減衰するが、本回路においては、図の矢印ａで示した期間で一様に減衰せずに、ある一定値以上の電圧パルスが持続し、これが放電時のノイズとなる。このような電圧パルスＶＮ２によりイオンを発生させると、イオン量がばらつき、しかも、電流が多過ぎてａ期間の持続するパルスの波高値が−２ｋＶを越えると、有害なオゾンが発生し易くなる。このため、図１１に示したような従来のイグナイタ用の高電圧パルス発生回路をそのままイオン発生器に適用することは好ましくない。また、低電圧の電池電源での動作のため、スイッチングのトリガーが外部ノイズの影響を受け易い。
【０００７】
上述では電池電源を用いた高電圧パルス発生回路を示したが、１００Ｖ商用交流電源を用いた高電圧パルス発生回路もある。この場合、一般にスイッチング動作のためにサイリスタを用いており、トリガー動作電圧が高いので、比較的、外部ノイズの影響を受けにくい。ところが、このような商用交流電源を用いた高電圧パルス発生回路をイオン発生器に適用した場合、商用交流電源の電圧変動があると、それによりイオンの発生量にばらつきが生じ、電圧が高過ぎると、オゾンが発生し易くなるといった問題がある。また、商用交流電源に安定化電源回路を備える場合は、コスト高となる。
【０００８】
また、イオン発生器で使用する高電圧パルス発生回路の出力電圧は、オゾン発生を抑えるために±４ｋＶ程度以下にする必要があるのに対して、イグナイタ用の高電圧パルス発生回路の出力電圧は、着火のために１０ｋＶ程度にする必要がある。このようにイオン発生器用とイグナイタ用とでは、使用する出力電圧が異なることから、一つの高電圧パルス発生回路を両者に兼用することは困難であった。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解消するものであって、電池電源を用いた簡単で安価な構成により、イオン発生器用としてオゾンの発生を抑制でき、ノイズの影響を受けることがなく、電圧変動がなくイオン発生量の安定化が図れるイオン発生器用の高電圧発生回路を提供することを目的とする。また、回路動作の切り替えにより容易にイオン発生用とイグナイタ用とに適した高電圧パルスを得ることが可能で、イオン発生用とイグナイタ用とに兼用でき、安価な高電圧発生回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記の課題を達成するために、請求項１の発明は、非安定マルチバイブレータと、この非安定マルチバイブレータのパルス出力によりスイッチングされるスイッチング素子と、このスイッチング素子により１次側コイルに流れる電流が制御され、２次側に高電圧パルスを出力するパルストランスと、このパルストランスの１次側コイルに並列に接続されたコンデンサとを備え、このパルストランスの２次側に得られる高電圧パルスをイオン発生器に用いる高電圧発生回路において、前記パルストランスの駆動電源が直流電源であり、前記パルストランスの１次側コイルに直列にダイオードを順方向に挿入したものである。
【００１１】
上記構成においては、電池を駆動源として、非安定マルチバイブレータのパルス出力によりパルストランスが駆動され、このパルストランスの１次側コイルに現れるノイズ成分をパルストランスの１次側コイルに直列順方向に挿入したダイオードによって遮断する。これにより、パルストランスの２次側コイルに現れる高電圧パルスの波形は正負に振動しながら単調に減衰していくものとなり、高電圧パルスに持続するノイズ成分がなくなる。このため、イオン発生量のばらつきがなくなり、しかもオゾンの発生が抑制される。よって、本高電圧発生回路はイオン発生器用に適したものとなる。また、電池を駆動源とした安定直流電源を用いているので、出力が安定し、商用交流電源を用いた場合に比べてイオン発生量が安定し、かつオゾン発生がなくなる。
【００１２】
請求項２の発明は、非安定マルチバイブレータと、この非安定マルチバイブレータのパルス出力によりスイッチングされるスイッチング素子と、このスイッチング素子により１次側コイルに流れる電流が制御され、２次側に高電圧パルスを出力するパルストランスと、このパルストランスの１次側コイルに並列に接続されたコンデンサとを備え、このパルストランスの２次側に得られる高電圧パルスをイオン発生器に用いる高電圧発生回路であって、前記パルストランスの駆動電源が直流電源であり、前記パルストランスの１次側コイルに直列にダイオードを順方向に挿入し、前記非安定マルチバイブレータのパルス出力幅を少なくとも二段に切り替え可能な構成とし、短いパルス出力幅のときに前記パルストランスから出力される高電圧パルスをイオン発生器用とし、長いパルス出力幅のときに前記パルストランスから出力される高電圧パルスをイグナイタ用とすることを特徴とするイオン発生用とイグナイタ用とに兼用したものである。
【００１３】
上記構成においては、請求項１と同等の作用効果が得られることに加えて、非安定マルチバイブレータのパルス出力幅を切り替えることにより、短いパルス出力幅のときに得られる高電圧パルスをイオン発生器用とし、長いパルス出力幅のときに得られる高電圧パルスをイグナイタ用とする。これにより、イオン発生器用とイグナイタ用とに高電圧発生回路を兼有することができる。その結果、灯心式石油燃焼機に、電池式イグナイタと安定したイオン発生器とを安価に搭載することができる。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項２に記載のイオン発生用とイグナイタ用とに兼用の高電圧発生回路において、非安定マルチバイブレータは、２つのトランジスタの出力がそれぞれのコレクタからたすき掛けに互いに他のトランジスタのベースにコンデンサを介して正帰還され、前記各ベースが充放電時定数を決める抵抗を介して電源ラインに結ばれているものであり、前記非安定マルチバイブレータのパルス出力幅を二段に切り替え可能とする構成は、前記抵抗のそれぞれを異なる値の抵抗に切り替えるための抵抗及び切り替えスイッチから成るものである。
【００１５】
上記構成においては、切り替えスイッチを操作するだけで、非安定マルチバイブレータの充放電時定数を決める抵抗を、イオン発生器用に適したものと、イグナイタ用に適したものとに切り替えることができる。従って、簡単な構成及び操作により、一つの高電圧発生回路をイオン発生器用とイグナイタ用とに切り替えることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係るイオン発生器用の高電圧発生回路について、図１を参照して説明する。このイオン発生器用の高電圧発生回路１０は、前述の図１１の回路と同様に、電池からなるＤＣ電源２を動作源とし、発振動作する非安定マルチバイブレータＭＶと、その出力でもってスイッチング動作されるスイッチング用トランジスタＱ３，Ｑ４と、トランジスタＱ４のスイッチング動作により高電圧を発生するパルストランスＴとを備えている。そして、前述の図１１の回路と相違する点は、パルストランスＴの１次コイルＮ１の正電源側に、ダイオードＤ１を電源に対し順方向となるように挿入したことである。
【００１７】
非安定マルチバイブレータＭＶは、２つのトランジスタＱ１，Ｑ２の出力がそれぞれのコレクタからたすき掛けに互いに他のトランジスタのベースにコンデンサＣ２，Ｃ３を介して正帰還され、各ベースが充放電時定数を決める抵抗Ｒ３，Ｒ２を介して電源ラインに接続されたものである。なお、トランジスタＱ１とトランジスタＱ２の各コレクタは抵抗Ｒ１，Ｒ４を介して正側の電源ラインに接続され、エミッタは負側の電源ラインに接続されている。
【００１８】
非安定マルチバイブレータＭＶの出力は、トランジスタＱ２のコレクタに取り出され、トランジスタＱ３のベースに入力される。トランジスタＱ３のベースとコレクタはそれぞれ抵抗Ｒ５，Ｒ６を介して正側の電源ラインに接続され、エミッタはトランジスタＱ４のベースに接続されている。トランジスタＱ４のコレクタはパルストランスＴの１次コイルＮ１を介して正側の電源ラインに接続され、エミッタは負側の電源ラインに接続されている。これらトランジスタＱ３，Ｑ４は、パルストランスＴの１次側を断続するスイッチング素子となっている。ダイオードＤ１及びパルストランスＴの１次コイルＮ１に対し、コンデンサＣ４が並列接続されている。２次コイルＮ２には、点火用電極３が接続されている。
【００１９】
上記のように構成された高電圧発生回路１０において、スイッチＳＷを投入すると、コンデンサＣ１が充電されるとともに、マルチバイブレータＭＶが作動し、大きさが略一定の正のパルス電位がトランジスタＱ２のコレクタに周期的に現れる。そのパルス電位が、オフ又は低電位である間はトランジスタＱ３，Ｑ４がカットオフとなり、高電位となる間はトランジスタＱ３，Ｑ４が導通する。そして、パルストランスＴの１次コイルＮ１には、トランジスタＱ４の導通とともに立ち上り、トランジスタＱ４のカットオフとともに立ち下がる電流がマルチバイブレータＭＶの発振周波数と同じ周期で流れる。また、トランジスタＱ４の導通とともにコンデンサＣ４に電荷が蓄積される。このように、マルチバイブレータＭＶにより、トランジスタＱ３，Ｑ４を介してパルストランスＴの１次側電流が断続される。トランジスタＱ４を通過して流れている１次コイルの電流が、トランジスタＱ４のカットオフにより遮断されると、コンデンサＣ４に蓄積されていた電荷と１次コイルＮ１の逆起電力により、コンデンサＣ４とダイオードＤ１と１次コイルＮ１とから成る閉回路に大電流が流れ、この電流により１次コイルＮ１の両端には高い電圧が発生し、そのため、２次コイルＮ２の両端には、コイルの巻線比（例えば、Ｎ１：Ｎ２＝１：１００）に従い、さらに高い電圧が出力される。パルストランスＴの１次コイルＮ１を流れる電流は、ダイオードＤ１が存在するため、一方向だけの電流となるが、２次コイルＮ２における電流は、コイルに発生する逆起電力により正負に振動する電流となる。この正負に振動する電流（放電電流）により、正負のイオンを発生することできる。
【００２０】
図２及び図３に上記パルストランスＴの２次コイルＮ２に現れるイグナイタ用の電圧パルスＶＮ２を示す。電圧パルスＶＮ２は、正負に同程度に振動し、片側振幅４ｋＶ程度、パルス周期１．２ｍｓｅｃの波形を有している。この振動電圧のパルス波形には、前述した従来の回路による図１２又は図１３に見られるような持続する雑音成分が全く見られず、矢印ｂで示されるように、時間と共に単調に減衰するきれいな整形波形になっている。このように、減衰しない有害な電圧成分を除去できたのは、ダイオードＤ１をパルストランスＴの１次コイルＮ１に挿入したことによる。このように整形された波形とし、かつパルス周期を長くした電圧パルスＶＮ２を出力することができることで、本回路をイオン発生器に適用すると、イオン発生量のばらつきがなくなると共に、オゾンの発生が抑制される。
【００２１】
図４は他の実施形態に係るイオン発生器用の高電圧発生回路１１を示す。この実施形態の高電圧発生回路１１は、上記ダイオードＤ１をパルストランスＴの１次コイルＮ１における負の電源ライン側に挿入した構成が先の図１に示した実施形態と相違している。この構成においても、先の実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００２２】
図５はさらに他の実施形態に係る高電圧発生回路１２を示す。この高電圧発生回路１２は、イオン発生器用とイグナイタ用とに兼用可能としたものである。この高電圧発生回路１２は、前述図１の実施形態の構成に、さらに、非安定マルチバイブレータＭＶのパルス出力幅（以下、単にパルス出力幅という）を少なくとも二段に切り替え可能な構成としたものである。そして、短いパルス出力幅のときにパルストランスＴの２次コイルＮ２に出力される高電圧パルスをイオン発生器用とし、長いパルス出力幅のときにパルストランスＴの２次コイルＮ２に出力される高電圧パルスをイグナイタ用とする。
【００２３】
上記のパルス出力幅を二段に切り替え可能とするための構成としては、図１の実施形態における充放電時定数を決める抵抗Ｒ２、Ｒ３の抵抗値を切り替え得るように構成した。図５に示す本実施形態においては、抵抗Ｒ２、Ｒ３の各々に、抵抗２１，３１を直列に挿入し、かつ、この抵抗２１，３１に並列に短絡用の開閉スイッチＳＷ１，ＳＷ２を接続している。スイッチＳＷ１，ＳＷ２の切り替えにより、イグナイタ用とイオン発生用とに切り替えることができるようになっている。
【００２４】
ここに、図５に示したスイッチＳＷ１，ＳＷ２が実線状態にあるときは、一方の抵抗Ｒ２１がスイッチＳＷ１により短絡されないので、抵抗Ｒ２，Ｒ２１とコンデンサＣ２の時定数は大きくなり（他方の抵抗３１はスイッチＳＷ２により短絡された状態となるので、抵抗Ｒ３とコンデンサＣ３の時定数は小さい）、このため、非安定マルチバイブレータＭＶの出力ハイ期間は１周期内で相対的に長くなり（１周期に対するＯＮ時間比であるデューティ比が変わる）、パルストランスＴを駆動するパルス幅は長くなり、電流量は多く、イグナイタ用となる。このときの非安定マルチバイブレータＭＶの出力波形を図６（ａ）に示している。一方、スイッチＳＷ１，ＳＷ２が破線状態にあるときは、上記とは逆になり、イオン発生器用となる。このときの非安定マルチバイブレータＭＶの出力波形を図６（ｂ）に示している。
【００２５】
上記のように、コンデンサＣ２，Ｃ３に関する充放電時定数をスイッチＳＷ１，ＳＷ２により切り替えることで、以下に説明するように、パルストランスＴの２次コイルＮ２に発生する高電圧パルスの電圧とパルス周期とが、イグナイタ用とイオン発生器用に最適化される。図５（ａ）（ｂ）は、トランジスタＱ２のコレクタ電圧ＶＣＱ２（マルチバイブレータＭＶの出力）の時間変化を示し、Ｈ１、Ｌ１及びＴ１（Ｔ１＝Ｈ１＋Ｌ１）は、それぞれイグナイタ用回路のトランジスタＱ２のオフ時間、オン時間、及びマルチバイブレータＭＶの周期であり、Ｈ２、Ｌ２及びＴ２（Ｔ２＝Ｈ２＋Ｌ２）は、それぞれイオン発生器用回路のトランジスタＱ２のオフ時間、オン時間、及びマルチバイブレータＭＶの周期である。Ｈ１，Ｈ２は、トランジスタＱ３，Ｑ４の導通時間になるので、コンデンサＣ４への電荷蓄積時間となる。また、コンデンサＣ４に蓄積された電荷量の大小によって、パルストランスＴの２次コイルＮ２に発生する電圧が高低する。そこで、トランジスタＱ２のオフ時間Ｈ１，Ｈ２を切り替えることにより、パルストランスＴの２次コイルＮ２に発生する電圧の高低を切り替えることができる。また、マルチバイブレータＭＶの一般的な理論により、Ｈ１≒０．７・Ｃ２・（Ｒ２＋Ｒ２１）であり、Ｈ２≒０．７・Ｃ２・Ｒ２であり、従って、Ｈ１＞Ｈ２となるので、イグナイタ用回路で高いパルス電圧を、イオン発生器用回路で低いパルス電圧とすることができる。
【００２６】
また、パルス周期の調整は、マルチバイブレータＭＶの一般的な理論により、トランジスタＱ２の導通時間Ｌ１，Ｌ２、換言するとトランジスタＱ１のオフ時間で調整でき、Ｌ１≒０．７・Ｃ３・Ｒ３であり、Ｌ２≒０．７・Ｃ３・（Ｒ３＋Ｒ３１）であり、従って、Ｌ１＜Ｌ２またＴ１＜Ｔ２となるので、イグナイタ用回路で短いパルス周期、イオン発生器用回路で長いパルス周期とすることができる。
【００２７】
上記のパルス電圧切り替えの様子は、図７及び図８に示されるように、トランジスタＱ２のオフ時間がＨ１＝４００μｓからＨ２＝１００μｓに変えられた結果（図中、下段のコレクタ電圧ＶＣＱ２波形参照）、パルス電圧がイグナイタ用のパルス電圧４ｋＶから、イオン発生器用のパルス電圧２ｋＶに下がっていることが分かる（図中、上段の２次コイルパルス電圧ＶＮ２波形参照）。さらに、パルス周期の切り替えが行われ、イオン発生用として得られる電圧パルスは、図９及び図１０に示されるように、パルス電圧２ｋＶ、パルス周期３．５ｍｓｅｃのきれいに減衰する正負振動波形となる。
【００２８】
なお、本発明は上記実施形態の構成に限られることなく種々の変形が可能である。例えば、抵抗Ｒ２，Ｒ３の抵抗値切り替えのための構成は、図５に示された抵抗Ｒ２１，Ｒ３１を直列的に挿入するか否かの構成に限られず、例えば、並列的に別個の抵抗を挿入するか否かをスイッチ回路によって切り替えるような構成であってもよい。また、スイッチング素子であるトランジスタＱ３とトランジスタＱ４の間を電気的に絶縁するために、トランジスタＱ３に代えて、フォトカプラを用いてもよい。さらにまた、高電圧発生回路が、灯心式石油燃焼機器のイグナイタとしての着火動作後に、自動的にイオン発生器用に切り替るものとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る高電圧発生回路の回路図。
【図２】同上回路により発生されたパルス電圧波形図。
【図３】同パルス電圧波形の時間軸を拡大して示したパルス電圧波形図。
【図４】本発明の他の実施形態に係る高電圧発生回路の回路図。
【図５】本発明のさらに他の実施形態に係るイオン発生用とイグナイタ用とで回路を兼用する高電圧発生回路の回路図。
【図６】（ａ）はイグナイタ用としたときの非安定マルチバイブレータの出力波形図、（ｂ）はイオン発生器用としてときの非安定マルチバイブレータの出力波形図。
【図７】イグナイタ用としたときのパルス電圧波形と非安定マルチバイブレータの出力波形の関係を示す出力波形図。
【図８】イオン発生器用としたときのパルス電圧波形と非安定マルチバイブレータの出力波形の関係を示す出力波形図。
【図９】イオン発生用としたときに発生されるパルス電圧波形図。
【図１０】同波形の時間軸を拡大して示したパルス電圧波形図。
【図１１】従来のイグナイタ用高電圧発生回路の回路図。
【図１２】同回路により発生されるパルス電圧波形図。
【図１３】同波形の時間軸を拡大して示したパルス電圧波形図。
【符号の説明】
１０，１１，１２　高電圧発生回路
２　ＤＣ電源
３　電極
ＭＶ　非安定マルチバイブレータ
Ｃ２，Ｃ３　コンデンサ
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ２１，Ｒ３１　抵抗
Ｑ１，Ｑ２　トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４　スイッチング素子
Ｔ　パルストランス
Ｎ１　１次コイル
Ｎ２　２次コイル
Ｄ１　ダイオード
ＳＷ１，ＳＷ２　切り替えスイッチ

Claims

非安定マルチバイブレータと、この非安定マルチバイブレータのパルス出力によりスイッチングされるスイッチング素子と、このスイッチング素子により１次側コイルに流れる電流が制御され、２次側に高電圧パルスを出力するパルストランスと、このパルストランスの１次側コイルに並列に接続されたコンデンサとを備え、このパルストランスの２次側に得られる高電圧パルスをイオン発生器に用いる高電圧発生回路において、
前記パルストランスの駆動電源が直流電源であり、
前記パルストランスの１次側コイルに直列にダイオードを順方向に挿入したことを特徴とするイオン発生器用の高電圧発生回路。
非安定マルチバイブレータと、この非安定マルチバイブレータのパルス出力によりスイッチングされるスイッチング素子と、このスイッチング素子により１次側コイルに流れる電流が制御され、２次側に高電圧パルスを出力するパルストランスと、このパルストランスの１次側コイルに並列に接続されたコンデンサとを備え、このパルストランスの２次側に得られる高電圧パルスをイオン発生器に用いる高電圧発生回路であって、
前記パルストランスの駆動電源が直流電源であり、
前記パルストランスの１次側コイルに直列にダイオードを順方向に挿入し、
前記非安定マルチバイブレータのパルス出力幅を少なくとも二段に切り替え可能な構成とし、短いパルス出力幅のときに前記パルストランスから出力される高電圧パルスをイオン発生器用とし、長いパルス出力幅のときに前記パルストランスから出力される高電圧パルスをイグナイタ用とすることを特徴とするイオン発生用とイグナイタ用とに兼用の高電圧発生回路。
前記非安定マルチバイブレータは、２つのトランジスタの出力がそれぞれのコレクタからたすき掛けに互いに他のトランジスタのベースにコンデンサを介して正帰還され、前記各ベースが充放電時定数を決める抵抗を介して電源ラインに結ばれているものであり、
前記非安定マルチバイブレータのパルス出力幅を二段に切り替え可能とする構成は、前記抵抗のそれぞれを異なる値の抵抗に切り替えるための抵抗及び切り替えスイッチから成ることを特徴とする請求項２に記載のイオン発生用とイグナイタ用とに兼用の高電圧発生回路。