JP2004087889A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
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Abstract
【課題】フレーム１と、メラミン，フェノ−ル，エポキシなどからなる封止樹脂とはぬれ性（相溶性）が悪い。このためフレーム１と封止樹脂との界面は、接着強度が非常に弱い。
【解決手段】フレーム１表面にトリアジンチオール誘導体被膜を形成し、ベースおよび絶縁リードと電気絶縁性を有する樹脂との接着力を強くするものである。
【選択図】 図１
【解決手段】フレーム１表面にトリアジンチオール誘導体被膜を形成し、ベースおよび絶縁リードと電気絶縁性を有する樹脂との接着力を強くするものである。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置用リードフレームはリードフレームに半導体素子を搭載し、半導体素子とリード端子とを導通接続した後、封止樹脂を用いて半導体素子を保護する半導体装置に用いられている。図２を用いて従来の半導体装置用リードフレームの構成を説明する。図２（ａ）は半導体装置用リードフレームの上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿った断面図であり、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＢ部拡大図である。１０１は銅材からなるフレーム、１０２は半導体素子（図示せず）を搭載する素子搭載部、１０３は素子搭載部とフレームとを連結する吊りリード、１０４は半導体素子（図示せず）と外部回路とを導通接続するリード端子、１０５は樹脂封止領域、１０７は吊りリード１０３およびリード端子１０４に形成されたアンカーホール、１０８は銀めっきである。
【０００３】
詳細な構成を下記に説明する。フープ状のフレーム１０１から内向きに吊りリード１０３を介して素子搭載部１０２とリード端子１０４とが各々突出形成されている。吊りリード１０３およびリード端子１０４にはアンカーホール１０７が形成されている。これは各々のリードの引張強度を増加させる目的で、突起部１０６を設けたり、アンカーホール１０７を設け封止樹脂（図示せず）からのリード抜け止め防止を図るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の構成では、封止樹脂（図示せず）とフレームとの接着力が弱いため、吊りリード１０３およびリード端子１０４に突起部１０６を設けたり、アンカーホール１０７をプレス加工やエッチング加工などにより形成しリード抜け止め防止を図っている。しかし、突起部１０６またはアンカーホール１０７をプレス加工やエッチング加工などにより形成する必要があり工程が煩雑になるという問題を有している。また、半導体装置の高集積化に伴う多ピン化により、吊りリード１０３およびリード端子１０４が微細化され、突起部１０６やアンカーホール１０７を形成することが加工方法および加工精度的にも非常に困難となる。また、一次結合および二次結合などの相互作用による接着のように実質的には接着していないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するものであり、フレーム１０１およびリード端子１０４と封止樹脂（図示せず）との接着力を向上することができる半導体装置用リードフレームを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体素子を搭載する素子搭載部と、前記半導体素子と外部回路とを導通接続するリード端子とからなり、前記素子搭載部およびリード端子にトリアジンチオール誘導体被膜を形成するものであり、前記素子搭載部およびリード端子に金属被膜が形成され、前記金属被膜上にトリアジンチオール誘導体被膜を形成するものである。これによれば、フレームおよび絶縁リードに形成されたトリアジンチオール誘導体被膜が封止樹脂（図示せず）との接着力を向上するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一実施形態を図１を用いて説明する。図１（ａ）は本発明に係る半導体装置用リードフレームを示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿った断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ部拡大図である。１は銅材からなるフレーム、２は半導体素子（図示せず）を搭載する素子搭載部、３は素子搭載部とフレームとを連結する吊りリード、４は半導体素子（図示せず）と外部回路とを導通接続するリード端子、５は樹脂封止領域、６は樹脂封止領域５付近に形成された銀めっき、７はトリアジンチオール誘導体薄膜層である。
【０００８】
詳細な構成を下記に説明する。フープ状のフレーム１から内向きに吊りリード３を介して素子搭載部２とリード端子４とが各々突出形成されている。素子搭載部２およびリード端子４に銀めっき６が形成され、さらにトリアジンチオール誘導体薄膜層７が形成されている。
【０００９】
本実施形態においては、封止樹脂としてエポキシ樹脂３を用いるが、特に限定されるものではなく、これに代えてエポキシ樹脂以外の熱可塑性および熱硬化性樹脂にも広く適用できる。本実施形態の特徴として、フレーム１に銀めっき６を施し、トリアジンチオール誘導体薄膜層をフレーム１表面に選択的に形成させている。本発明に用いるトリアジンチオール誘導体は（化１）の一般式で表される多官能性トリアジンチオール誘導体である。
【００１０】
【化１】
【００１１】
前記の一般式において−Ｒは−ＯＲ１，−ＳｍＲ１，−ＮＲ１（Ｒ２）等であり、Ｒ１，Ｒ２はＨ，水酸基，エステル基，アミノ基等である。また、ＭはＨもしくはＬｉ，Ｎａ，Ｋ等のアルカリ金属である。本発明に適用するトリアジンチオール誘導体の硫黄原子がフレーム１の金属と強力な一次結合を形成する。同時にトリアジンチオールのＲ部分は樹脂の反応性部分と反応して同様に強力な一次結合を形成する。これらの作用によって、フレーム１とエポキシ樹脂の界面の結合が強固になり、リード引張り強度が格段に向上するものである。これによれば、フレーム１の表面に突起部を設けたり、アンカーホールを設けることなど、煩雑な工程を経ることなくフレーム１とエポキシ樹脂の界面の界面を強固にするものである。表１に本発明に係る半導体装置用リードフレームと従来の半導体装置用リードフレームをエポキシ樹脂により封止した状態でのリード引張り試験結果を示す（引張り速度は１０ｍｍ／分）。表１に示すように、従来の半導体装置用リードフレームを用いた場合と比べて、トリアジンチオール誘導体薄膜層７が形成された場合リード引張り強度は二倍程度向上する。
【００１２】
【表１】
【００１３】
さらに、一次結合により強固に接着しており、フレーム１および封止樹脂（図示せず）の界面からの水分の浸入を防ぐものである。
【００１４】
以上、本発明による半導体装置用リードフレームの一実施形態について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【００１５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体装置用リードフレームにおいて、樹脂封止する前にフレーム１にトリアジンチオール誘導体被膜を形成することで、フレーム１と封止樹脂との接着力を格別に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す半導体装置用リードフレームの
（ａ）は平面図
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿った断面図
（ｃ）は（ｂ）のＡ部拡大図
【図２】従来の半導体装置用リードフレームの
（ａ）は平面図
（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ′線に沿った断面図
（ｃ）は（ｂ）のＢ部拡大図
【符号の説明】
１ フレーム
２ 素子搭載部
３ 吊りリード
４ リード端子
５ 樹脂封止領域
６ 銀めっき
７ トリアジンチオール誘導体被膜
１０１ フレーム
１０２ 素子搭載部
１０３ 吊りリード
１０４ リード端子
１０５ 樹脂封止領域
１０６ 突起部
１０７ アンカーホール
１０８ 銀めっき
【発明の属する技術分野】
本発明は樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置用リードフレームはリードフレームに半導体素子を搭載し、半導体素子とリード端子とを導通接続した後、封止樹脂を用いて半導体素子を保護する半導体装置に用いられている。図２を用いて従来の半導体装置用リードフレームの構成を説明する。図２（ａ）は半導体装置用リードフレームの上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿った断面図であり、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＢ部拡大図である。１０１は銅材からなるフレーム、１０２は半導体素子（図示せず）を搭載する素子搭載部、１０３は素子搭載部とフレームとを連結する吊りリード、１０４は半導体素子（図示せず）と外部回路とを導通接続するリード端子、１０５は樹脂封止領域、１０７は吊りリード１０３およびリード端子１０４に形成されたアンカーホール、１０８は銀めっきである。
【０００３】
詳細な構成を下記に説明する。フープ状のフレーム１０１から内向きに吊りリード１０３を介して素子搭載部１０２とリード端子１０４とが各々突出形成されている。吊りリード１０３およびリード端子１０４にはアンカーホール１０７が形成されている。これは各々のリードの引張強度を増加させる目的で、突起部１０６を設けたり、アンカーホール１０７を設け封止樹脂（図示せず）からのリード抜け止め防止を図るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の構成では、封止樹脂（図示せず）とフレームとの接着力が弱いため、吊りリード１０３およびリード端子１０４に突起部１０６を設けたり、アンカーホール１０７をプレス加工やエッチング加工などにより形成しリード抜け止め防止を図っている。しかし、突起部１０６またはアンカーホール１０７をプレス加工やエッチング加工などにより形成する必要があり工程が煩雑になるという問題を有している。また、半導体装置の高集積化に伴う多ピン化により、吊りリード１０３およびリード端子１０４が微細化され、突起部１０６やアンカーホール１０７を形成することが加工方法および加工精度的にも非常に困難となる。また、一次結合および二次結合などの相互作用による接着のように実質的には接着していないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するものであり、フレーム１０１およびリード端子１０４と封止樹脂（図示せず）との接着力を向上することができる半導体装置用リードフレームを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体素子を搭載する素子搭載部と、前記半導体素子と外部回路とを導通接続するリード端子とからなり、前記素子搭載部およびリード端子にトリアジンチオール誘導体被膜を形成するものであり、前記素子搭載部およびリード端子に金属被膜が形成され、前記金属被膜上にトリアジンチオール誘導体被膜を形成するものである。これによれば、フレームおよび絶縁リードに形成されたトリアジンチオール誘導体被膜が封止樹脂（図示せず）との接着力を向上するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一実施形態を図１を用いて説明する。図１（ａ）は本発明に係る半導体装置用リードフレームを示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿った断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ部拡大図である。１は銅材からなるフレーム、２は半導体素子（図示せず）を搭載する素子搭載部、３は素子搭載部とフレームとを連結する吊りリード、４は半導体素子（図示せず）と外部回路とを導通接続するリード端子、５は樹脂封止領域、６は樹脂封止領域５付近に形成された銀めっき、７はトリアジンチオール誘導体薄膜層である。
【０００８】
詳細な構成を下記に説明する。フープ状のフレーム１から内向きに吊りリード３を介して素子搭載部２とリード端子４とが各々突出形成されている。素子搭載部２およびリード端子４に銀めっき６が形成され、さらにトリアジンチオール誘導体薄膜層７が形成されている。
【０００９】
本実施形態においては、封止樹脂としてエポキシ樹脂３を用いるが、特に限定されるものではなく、これに代えてエポキシ樹脂以外の熱可塑性および熱硬化性樹脂にも広く適用できる。本実施形態の特徴として、フレーム１に銀めっき６を施し、トリアジンチオール誘導体薄膜層をフレーム１表面に選択的に形成させている。本発明に用いるトリアジンチオール誘導体は（化１）の一般式で表される多官能性トリアジンチオール誘導体である。
【００１０】
【化１】
前記の一般式において−Ｒは−ＯＲ１，−ＳｍＲ１，−ＮＲ１（Ｒ２）等であり、Ｒ１，Ｒ２はＨ，水酸基，エステル基，アミノ基等である。また、ＭはＨもしくはＬｉ，Ｎａ，Ｋ等のアルカリ金属である。本発明に適用するトリアジンチオール誘導体の硫黄原子がフレーム１の金属と強力な一次結合を形成する。同時にトリアジンチオールのＲ部分は樹脂の反応性部分と反応して同様に強力な一次結合を形成する。これらの作用によって、フレーム１とエポキシ樹脂の界面の結合が強固になり、リード引張り強度が格段に向上するものである。これによれば、フレーム１の表面に突起部を設けたり、アンカーホールを設けることなど、煩雑な工程を経ることなくフレーム１とエポキシ樹脂の界面の界面を強固にするものである。表１に本発明に係る半導体装置用リードフレームと従来の半導体装置用リードフレームをエポキシ樹脂により封止した状態でのリード引張り試験結果を示す（引張り速度は１０ｍｍ／分）。表１に示すように、従来の半導体装置用リードフレームを用いた場合と比べて、トリアジンチオール誘導体薄膜層７が形成された場合リード引張り強度は二倍程度向上する。
【００１２】
【表１】
さらに、一次結合により強固に接着しており、フレーム１および封止樹脂（図示せず）の界面からの水分の浸入を防ぐものである。
【００１４】
以上、本発明による半導体装置用リードフレームの一実施形態について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【００１５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体装置用リードフレームにおいて、樹脂封止する前にフレーム１にトリアジンチオール誘導体被膜を形成することで、フレーム１と封止樹脂との接着力を格別に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す半導体装置用リードフレームの
（ａ）は平面図
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿った断面図
（ｃ）は（ｂ）のＡ部拡大図
【図２】従来の半導体装置用リードフレームの
（ａ）は平面図
（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ′線に沿った断面図
（ｃ）は（ｂ）のＢ部拡大図
【符号の説明】
１ フレーム
２ 素子搭載部
３ 吊りリード
４ リード端子
５ 樹脂封止領域
６ 銀めっき
７ トリアジンチオール誘導体被膜
１０１ フレーム
１０２ 素子搭載部
１０３ 吊りリード
１０４ リード端子
１０５ 樹脂封止領域
１０６ 突起部
１０７ アンカーホール
１０８ 銀めっき
Claims (2)
- 半導体素子を搭載する素子搭載部と、前記半導体素子と外部回路とを導通接続するリード端子とからなり、前記素子搭載部およびリード端子にトリアジンチオール誘導体被膜が形成されたことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
- 前記素子搭載部およびリード端子に金属被膜が形成され、前記金属被膜上にトリアジンチオール誘導体被膜が形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002248233A JP2004087889A (ja) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002248233A JP2004087889A (ja) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004087889A true JP2004087889A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=32055666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002248233A Pending JP2004087889A (ja) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004087889A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070212478A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Takahiro Fukunaga | Wiring member, resin-coated metal part and resin-sealed semiconductor device, and manufacturing method for the resin-coated metal part and the resin-sealed semiconductor device |
| JP2015153882A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2018037639A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法 |
| JP2020143307A (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-08-28 JP JP2002248233A patent/JP2004087889A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070212478A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Takahiro Fukunaga | Wiring member, resin-coated metal part and resin-sealed semiconductor device, and manufacturing method for the resin-coated metal part and the resin-sealed semiconductor device |
| US9017822B2 (en) * | 2006-03-03 | 2015-04-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wiring member, resin-coated metal part and resin-sealed semiconductor device, and manufacturing method for the resin-coated metal part and the resin-sealed semiconductor device |
| JP2015153882A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US10109766B2 (en) | 2014-02-13 | 2018-10-23 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing same |
| JP2018037639A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法 |
| JP2020143307A (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
| JP7261041B2 (ja) | 2019-03-04 | 2023-04-19 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040120 |
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| A521 | Written amendment |
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