JP2004079665A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】金型を変更することなく、異なる厚みのＩＣパッケージを製造する。
【解決手段】上部金型１および下部金型２の間にモールド樹脂３を注入することで、ＩＣチップ６をモールド樹脂３で封止した後、モールド樹脂３で封止されたＩＣチップ６を研削板７、８の間に設置し、モールド樹脂３の上下面に摩擦板９、１０を擦り付けることにより、モールド樹脂３の上下面を研削する。
【選択図】 図１
【解決手段】上部金型１および下部金型２の間にモールド樹脂３を注入することで、ＩＣチップ６をモールド樹脂３で封止した後、モールド樹脂３で封止されたＩＣチップ６を研削板７、８の間に設置し、モールド樹脂３の上下面に摩擦板９、１０を擦り付けることにより、モールド樹脂３の上下面を研削する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体パッケージの製造方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＩＣパッケージのモールド成型方法では、ＩＣパッケージの厚みに応じて、異なる種類の金型が用いられていた。
図３は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図３（ａ）において、厚みＨ１のＩＣパッケージをモールド成型する場合、この厚みＨ１に対応した上部金型４１および下部金型４２が用意される。
【０００３】
そして、ＩＣチップ４６がダイパッド４５上にマウントされたリードフレーム４４を上部金型４１および下部金型４２の間の隙間に設置し、上部金型４１および下部金型４２の間にモールド樹脂４３を注入することで、ＩＣチップ４６をモールド樹脂４３で封止する。
一方、図３（ｂ）において、厚みＨ２のＩＣパッケージをモールド成型する場合、この厚みＨ２に対応した上部金型５１および下部金型５２が用意される。
【０００４】
そして、ＩＣチップ５６がダイパッド５５上にマウントされたリードフレーム５４を上部金型５１および下部金型５２の間の隙間に設置し、上部金型５１および下部金型５２の間にモールド樹脂５３を注入することで、ＩＣチップ５６をモールド樹脂５３で封止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＣパッケージの厚みに応じて、異なる種類の金型を用意する方法では、顧客の様々のニーズに応じて、金型を新たに起こす必要があり、納期が長くなるだけでなく、多品種少量生産の場合には、金型にかかる費用の負担が重くなるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、金型を変更することなく、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能な半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の半導体製造装置によれば、モールド成型されたＩＣパッケージを固定する固定手段と、前記固定されたＩＣパッケージを上下から所定の厚みだけ研削する研削手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、モールド成型されたＩＣパッケージの厚みを薄くすることが可能となり、金型を変更することなく、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能なる。
このため、厚みの異なるＩＣパッケージを製造する場合においても、金型を新たに起こす必要がなくなり、納期を短縮することが可能となるとともに、金型にかかる費用を節減することが可能となり、コストアップを抑制しつつ、多品種少量生産に容易に対応することが可能となる。
【０００９】
また、請求項２記載の半導体製造装置によれば、モールド成型されたＩＣパッケージの側面を圧接する圧接手段と、モールド樹脂をエッチングする薬液を保持する薬液保持手段と、前記圧接されたＩＣパッケージを前記薬液保持手段に保持されている薬液に上下から接触させる薬液処理手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、モールド成型されたＩＣパッケージを薬液に浸漬させた場合においても、ＩＣパッケージの側面に薬液が接触することを防止しつつ、ＩＣパッケージの上下面に薬液を接触させることが可能となる。
このため、ウェットエッチングにより、モールド成型されたＩＣパッケージの厚みを薄くすることが可能となり、金型を変更することなく、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能なる。
【００１１】
このため、厚みの異なるＩＣパッケージを製造する場合においても、金型を新たに起こす必要がなくなり、納期を短縮することが可能となるとともに、金型にかかる費用を節減することが可能となり、コストアップを抑制しつつ、多品種少量生産に容易に対応することが可能となる。
また、請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、前記金型成型されたモールド樹脂を上下から所定の厚みだけ研削する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、同一種類の金型を用いた場合においても、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能なり、厚みの異なるＩＣパッケージを製造する場合においても、金型を新たに起こす必要がなくなることから、納期を短縮することが可能となるとともに、コストアップを抑制しつつ、多品種少量生産に容易に対応することが可能となる。
【００１３】
また、請求項４記載の半導体装置の製造方法によれば、ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、前記金型成型されたモールド樹脂の側面に圧接部材を圧接させる工程と、前記圧接されたＩＣパッケージを薬液に接触させることにより、前記モールド樹脂の上下面を所定の厚みだけエッチングする工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、ウェットエッチングにより、モールド成型されたＩＣパッケージの厚みを薄くすることが可能となり、バッチ処理により、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能となる。
このため、金型を新たに起こすことなく、厚みの異なるＩＣパッケージを効率よく製造することが可能となり、多品種少量生産の要求に対応する場合においても、コストアップを抑制しつつ、納期を短縮することが可能となる。
【００１５】
また、請求項５記載の半導体装置の製造方法によれば、ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、前記金型成型されたモールド樹脂の側面をマスキングする工程と、前記マスキングされたＩＣパッケージを薬液に接触させることにより、前記モールド樹脂の上下面を所定の厚みだけエッチングする工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、ウェットエッチングにより、モールド成型されたＩＣパッケージの厚みを薄くする場合においても、モールド樹脂の側面に薬液が接触しないようにすることが可能となり、ＩＣパッケージの様々の形状に対応しつつ、厚みの異なるＩＣパッケージを精度よく製造することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００１８】
図１（ａ）において、厚みＨ１に対応した上部金型１および下部金型２を用意する。
そして、ＩＣチップ６がダイパッド５上にマウントされたリードフレーム４を上部金型１および下部金型２の間の隙間に設置し、上部金型１および下部金型２の間にモールド樹脂３を注入することで、ＩＣチップ６をモールド樹脂３で封止する。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、モールド樹脂３で封止されたＩＣチップ６を上部金型１および下部金型２の間から取り出し、モールド樹脂３で封止されたＩＣチップ６を研削装置に設置する。
ここで、研削装置には、摩擦板９、１０が表面に取り付けられた研削板７、８が設けられ、研削板７、８は、モールド樹脂３を上下から挟み込みながら、前後左右に移動したり、回転したりできるようになっている。
【００２０】
そして、モールド樹脂３で封止されたＩＣチップ６を研削板７、８の間に設置し、モールド樹脂３の上下面に摩擦板９、１０を擦り付けることにより、モールド樹脂３の上下面を研削する。
この結果、図１（ｃ）に示すように、モールド樹脂３の厚みがＨ２のＩＣパケージを得ることが可能となり、厚みＨ２に対応した金型を用意する必要がなくなる。
【００２１】
このため、顧客の様々のニーズに応じて、コストアップを抑制しつつ、短い納期で製品を納入することが可能となる。
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図２（ａ）において、厚みＨ１に対応した上部金型２１および下部金型２２を用意する。
【００２２】
そして、ＩＣチップ２６がダイパッド２５上にマウントされたリードフレーム２４を上部金型２１および下部金型２２の間の隙間に設置し、上部金型２１および下部金型２２の間にモールド樹脂２３を注入することで、ＩＣチップ２６をモールド樹脂２３で封止する。
次に、図２（ｂ）に示すように、モールド樹脂２３で封止されたＩＣチップ２６を上部金型２１および下部金型２２の間から取り出し、モールド樹脂２３の側面を圧接部材２７、２８で圧接する。
【００２３】
なお、圧接部材２７、２８としては、例えば、モールド樹脂２３の周囲を覆うことが可能なゴムパッキンなどを用いることができる。
そして、圧接部材２７、２８で圧接されたモールド樹脂２３の上下面に薬液２９、３０を接触させ、モールド樹脂３３の上下面をエッチングする。
なお、薬液２９、３０としては、例えば、モールド樹脂３３がエポキシ樹脂の場合、発煙硝酸などを用いることができる。
【００２４】
この結果、図２（ｃ）に示すように、モールド樹脂２３の厚みがＨ２のＩＣパケージを得ることが可能となり、厚みＨ２に対応した金型を用意する必要がなくなるとともに、モールド樹脂２３のエッチングをバッチ処理で一括して行うことが可能となる。
このため、顧客の様々のニーズに応じて、コストアップを抑制しつつ、短い納期で製品を納入することが可能となる。
【００２５】
なお、上述した第２実施形態では、薬液２９、３０がモールド樹脂２３の側面に接触することを防止するため、モールド樹脂２３の側面に圧接部材２７、２８を圧接させる方法について説明したが、モールド樹脂２３の側面に金属箔などを貼り付けることにより、モールド樹脂２３の側面をマスキングするようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、モールド成型されたＩＣパッケージの上下面を研削することにより、金型を変更することなく、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能なり、納期を短縮することが可能となるとともに、コストアップを抑制しつつ、多品種少量生産に容易に対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１、２１ 上部金型、２、２２ 下部金型、３、２３ モールド樹脂、４、２４ リードフレーム、５、２５ ダイパッド、６、２６ ＩＣチップ、７、８ 研削板、９、１０ 摩擦板、２７、２８ 圧接部材、２９、３０ 薬液
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体パッケージの製造方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＩＣパッケージのモールド成型方法では、ＩＣパッケージの厚みに応じて、異なる種類の金型が用いられていた。
図３は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図３（ａ）において、厚みＨ１のＩＣパッケージをモールド成型する場合、この厚みＨ１に対応した上部金型４１および下部金型４２が用意される。
【０００３】
そして、ＩＣチップ４６がダイパッド４５上にマウントされたリードフレーム４４を上部金型４１および下部金型４２の間の隙間に設置し、上部金型４１および下部金型４２の間にモールド樹脂４３を注入することで、ＩＣチップ４６をモールド樹脂４３で封止する。
一方、図３（ｂ）において、厚みＨ２のＩＣパッケージをモールド成型する場合、この厚みＨ２に対応した上部金型５１および下部金型５２が用意される。
【０００４】
そして、ＩＣチップ５６がダイパッド５５上にマウントされたリードフレーム５４を上部金型５１および下部金型５２の間の隙間に設置し、上部金型５１および下部金型５２の間にモールド樹脂５３を注入することで、ＩＣチップ５６をモールド樹脂５３で封止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＣパッケージの厚みに応じて、異なる種類の金型を用意する方法では、顧客の様々のニーズに応じて、金型を新たに起こす必要があり、納期が長くなるだけでなく、多品種少量生産の場合には、金型にかかる費用の負担が重くなるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、金型を変更することなく、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能な半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の半導体製造装置によれば、モールド成型されたＩＣパッケージを固定する固定手段と、前記固定されたＩＣパッケージを上下から所定の厚みだけ研削する研削手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、モールド成型されたＩＣパッケージの厚みを薄くすることが可能となり、金型を変更することなく、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能なる。
このため、厚みの異なるＩＣパッケージを製造する場合においても、金型を新たに起こす必要がなくなり、納期を短縮することが可能となるとともに、金型にかかる費用を節減することが可能となり、コストアップを抑制しつつ、多品種少量生産に容易に対応することが可能となる。
【０００９】
また、請求項２記載の半導体製造装置によれば、モールド成型されたＩＣパッケージの側面を圧接する圧接手段と、モールド樹脂をエッチングする薬液を保持する薬液保持手段と、前記圧接されたＩＣパッケージを前記薬液保持手段に保持されている薬液に上下から接触させる薬液処理手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、モールド成型されたＩＣパッケージを薬液に浸漬させた場合においても、ＩＣパッケージの側面に薬液が接触することを防止しつつ、ＩＣパッケージの上下面に薬液を接触させることが可能となる。
このため、ウェットエッチングにより、モールド成型されたＩＣパッケージの厚みを薄くすることが可能となり、金型を変更することなく、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能なる。
【００１１】
このため、厚みの異なるＩＣパッケージを製造する場合においても、金型を新たに起こす必要がなくなり、納期を短縮することが可能となるとともに、金型にかかる費用を節減することが可能となり、コストアップを抑制しつつ、多品種少量生産に容易に対応することが可能となる。
また、請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、前記金型成型されたモールド樹脂を上下から所定の厚みだけ研削する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、同一種類の金型を用いた場合においても、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能なり、厚みの異なるＩＣパッケージを製造する場合においても、金型を新たに起こす必要がなくなることから、納期を短縮することが可能となるとともに、コストアップを抑制しつつ、多品種少量生産に容易に対応することが可能となる。
【００１３】
また、請求項４記載の半導体装置の製造方法によれば、ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、前記金型成型されたモールド樹脂の側面に圧接部材を圧接させる工程と、前記圧接されたＩＣパッケージを薬液に接触させることにより、前記モールド樹脂の上下面を所定の厚みだけエッチングする工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、ウェットエッチングにより、モールド成型されたＩＣパッケージの厚みを薄くすることが可能となり、バッチ処理により、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能となる。
このため、金型を新たに起こすことなく、厚みの異なるＩＣパッケージを効率よく製造することが可能となり、多品種少量生産の要求に対応する場合においても、コストアップを抑制しつつ、納期を短縮することが可能となる。
【００１５】
また、請求項５記載の半導体装置の製造方法によれば、ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、前記金型成型されたモールド樹脂の側面をマスキングする工程と、前記マスキングされたＩＣパッケージを薬液に接触させることにより、前記モールド樹脂の上下面を所定の厚みだけエッチングする工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、ウェットエッチングにより、モールド成型されたＩＣパッケージの厚みを薄くする場合においても、モールド樹脂の側面に薬液が接触しないようにすることが可能となり、ＩＣパッケージの様々の形状に対応しつつ、厚みの異なるＩＣパッケージを精度よく製造することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００１８】
図１（ａ）において、厚みＨ１に対応した上部金型１および下部金型２を用意する。
そして、ＩＣチップ６がダイパッド５上にマウントされたリードフレーム４を上部金型１および下部金型２の間の隙間に設置し、上部金型１および下部金型２の間にモールド樹脂３を注入することで、ＩＣチップ６をモールド樹脂３で封止する。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、モールド樹脂３で封止されたＩＣチップ６を上部金型１および下部金型２の間から取り出し、モールド樹脂３で封止されたＩＣチップ６を研削装置に設置する。
ここで、研削装置には、摩擦板９、１０が表面に取り付けられた研削板７、８が設けられ、研削板７、８は、モールド樹脂３を上下から挟み込みながら、前後左右に移動したり、回転したりできるようになっている。
【００２０】
そして、モールド樹脂３で封止されたＩＣチップ６を研削板７、８の間に設置し、モールド樹脂３の上下面に摩擦板９、１０を擦り付けることにより、モールド樹脂３の上下面を研削する。
この結果、図１（ｃ）に示すように、モールド樹脂３の厚みがＨ２のＩＣパケージを得ることが可能となり、厚みＨ２に対応した金型を用意する必要がなくなる。
【００２１】
このため、顧客の様々のニーズに応じて、コストアップを抑制しつつ、短い納期で製品を納入することが可能となる。
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図２（ａ）において、厚みＨ１に対応した上部金型２１および下部金型２２を用意する。
【００２２】
そして、ＩＣチップ２６がダイパッド２５上にマウントされたリードフレーム２４を上部金型２１および下部金型２２の間の隙間に設置し、上部金型２１および下部金型２２の間にモールド樹脂２３を注入することで、ＩＣチップ２６をモールド樹脂２３で封止する。
次に、図２（ｂ）に示すように、モールド樹脂２３で封止されたＩＣチップ２６を上部金型２１および下部金型２２の間から取り出し、モールド樹脂２３の側面を圧接部材２７、２８で圧接する。
【００２３】
なお、圧接部材２７、２８としては、例えば、モールド樹脂２３の周囲を覆うことが可能なゴムパッキンなどを用いることができる。
そして、圧接部材２７、２８で圧接されたモールド樹脂２３の上下面に薬液２９、３０を接触させ、モールド樹脂３３の上下面をエッチングする。
なお、薬液２９、３０としては、例えば、モールド樹脂３３がエポキシ樹脂の場合、発煙硝酸などを用いることができる。
【００２４】
この結果、図２（ｃ）に示すように、モールド樹脂２３の厚みがＨ２のＩＣパケージを得ることが可能となり、厚みＨ２に対応した金型を用意する必要がなくなるとともに、モールド樹脂２３のエッチングをバッチ処理で一括して行うことが可能となる。
このため、顧客の様々のニーズに応じて、コストアップを抑制しつつ、短い納期で製品を納入することが可能となる。
【００２５】
なお、上述した第２実施形態では、薬液２９、３０がモールド樹脂２３の側面に接触することを防止するため、モールド樹脂２３の側面に圧接部材２７、２８を圧接させる方法について説明したが、モールド樹脂２３の側面に金属箔などを貼り付けることにより、モールド樹脂２３の側面をマスキングするようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、モールド成型されたＩＣパッケージの上下面を研削することにより、金型を変更することなく、厚みの異なるＩＣパッケージを製造することが可能なり、納期を短縮することが可能となるとともに、コストアップを抑制しつつ、多品種少量生産に容易に対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１、２１ 上部金型、２、２２ 下部金型、３、２３ モールド樹脂、４、２４ リードフレーム、５、２５ ダイパッド、６、２６ ＩＣチップ、７、８ 研削板、９、１０ 摩擦板、２７、２８ 圧接部材、２９、３０ 薬液
Claims (5)
- モールド成型されたＩＣパッケージを固定する固定手段と、前記固定されたＩＣパッケージを上下から所定の厚みだけ研削する研削手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
- モールド成型されたＩＣパッケージの側面を圧接する圧接手段と、
モールド樹脂をエッチングする薬液を保持する薬液保持手段と、
前記圧接されたＩＣパッケージを前記薬液保持手段に保持されている薬液に上下から接触させる薬液処理手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。 - ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、
前記金型成型されたモールド樹脂を上下から所定の厚みだけ研削する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、
前記金型成型されたモールド樹脂の側面に圧接部材を圧接させる工程と、
前記圧接されたＩＣパッケージを薬液に接触させることにより、前記モールド樹脂の上下面を所定の厚みだけエッチングする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ＩＣチップが封入されたモールド樹脂を金型成型する工程と、
前記金型成型されたモールド樹脂の側面をマスキングする工程と、
前記マスキングされたＩＣパッケージを薬液に接触させることにより、前記モールド樹脂の上下面を所定の厚みだけエッチングする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002235632A JP2004079665A (ja) | 2002-08-13 | 2002-08-13 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004079665A true JP2004079665A (ja) | 2004-03-11 |
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ID=32020067
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016162965A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2016162964A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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2002
- 2002-08-13 JP JP2002235632A patent/JP2004079665A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016162965A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2016162964A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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