JP3970671B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体メモリカード(以下、単にメモリカードという)における半導体チップのパッケージングを行う工程に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、基板上に搭載された半導体チップのパッケージングは、液状樹脂(ポッティングレジン)を半導体チップ上に塗布し加熱硬化させることにより、行っていた。
【0003】
ところが、上記した方法では、樹脂のコストが高くなるとともに、パッケージングの外形精度が得られない。また、パッケージ成型時のバッチ処理ができないため、生産能力の向上を図ることができない。
【0004】
このため、近年では、基板をトランスファモールド方法でパッケージングしている。トランスファモールド方法とは、エポキシ樹脂(エポキシレジン)を円筒状に圧縮し固めたタブレットを溶融して金型に注入する。そして、加熱、加圧して、予め金型に装填した基板上にある半導体チップをエポキシ樹脂により封止する方法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近年、メモリカードに搭載された半導体装置の高速化、高信頼性化および大容量化に伴い、メモリカードに占める半導体チップの割合が増加してきている。このため、半導体チップを封止するパッケージ外形が増大してきている。
【0006】
また、顧客のニーズによりメモリカード自体を小型化した、ハーフサイズのメモリカードがある。このハーフサイズのメモリカードは、メモリカード自体を小さくしたため、メモリカードに占める半導体チップの割合が増加し、メモリカード上に搭載された半導体チップを封止するパッケージ外形が増大してきている。
【0007】
このため、裏面にメモリカードの接続端子がある位置まで、パッケージがなされるようになってきている。
【0008】
ここで、携帯電話やデジタルカメラなどのハードウェアに接続するメモリカードの外形および接続端子位置は、標準規格で統一してあるため、メモリカードの外形および接続端子位置は、変更することができない。
【0009】
そして、ハードウェアに装着、着脱時における接続端子の損傷を防止するため、メモリカードの接続端子は、周囲より45μm〜70μmへこんでいる凹部に形成されている。
【0010】
図15に、基板上に搭載された半導体チップをトランスファモールド方法によって封止する様子を示す。基板101の上側の面には、半導体チップ102が搭載されている。また、基板101の下側の面には、周囲より45μm〜70μm程度へこんでいる凹部が形成されており、この凹部には、接続端子103が形成されている。
【0011】
この基板101の上部には、上部金型104によるキャビティが配置されており、基板101の下部には、下部金型105が配置されている。
【0012】
したがって、基板101は、上部金型104および下部金型105によって挟まれている。そして、上部金型104のキャビティには、樹脂106が注入されている。ここで、基板101の接続端子103は、凹部に形成されているため、接続端子103と下部金型105の間には隙間が生じている。したがって、樹脂106の注入圧力によって、図15に示すように接続端子103が形成されている凹部が変形し、基板101と上部金型104との間に隙間が生じる。このため、生じた隙間から樹脂106が洩れてしまうという問題点がある。樹脂106が洩れてしまっている様子を略平面図で見ると図16のようになる。ここで、符号106Lは、所望の樹脂外形線を示している。
【0013】
本発明の目的は、基板の接続端子がある位置までパッケージがなされる場合であっても、樹脂洩れが発生しない半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0014】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0016】
本発明は、(a)半導体チップが搭載された面と反対側の面に接続端子が形成された基板を、前記半導体チップが搭載された面に設置される第1金型および前記接続端子が形成された面に設置される第2金型により挟む工程と、(b)前記第1金型に樹脂を注入することにより、前記基板上にある前記半導体チップを封止する工程とを備え、前記接続端子直下にある前記第2金型の領域に、周囲より突き出ている突起部が形成されているものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0018】
図1は、ハーフサイズのメモリカードを構成する基板1Sに搭載された半導体チップ2を樹脂3により封止した側から見た図である。
【0019】
ハーフサイズのメモリカードの長軸方向(横方向)の長さは、例えば約24mmであり、短軸方向(縦方向)の長さは、例えば約18mmである。また、厚さは、例えば約1.4mmである。
【0020】
半導体チップ2は、基板1Sの片面に搭載されており、メモリ回路などを有している。
【0021】
樹脂3は、基板1S上に搭載した半導体チップ2を封止しており、例えばエポキシ樹脂より構成されている。この樹脂3による封止サイズは、ハーフサイズのメモリカードにおいて横方向19.8mm、縦方向12.5mm、厚さ0.68mmである。
【0022】
図2は、半導体チップ2を樹脂3で封止した面と反対側の面から基板1Sを見た図である。図2を見て分かるように、半導体チップ2を樹脂3で封止した面と反対側の面には、複数の接続端子4が形成されている。これら複数の接続端子4は、基板1Sの長辺の近傍に並んで配置されており、例えば7個形成されている。
【0023】
この接続端子4は、メモリカードと例えばデジタルカメラなどのハードウェアとを接続するために設けられている。そして、ハードウェア装着時または脱着時に生じる接続端子4の傷を防止するため、接続端子4の形成領域は、周囲の基板1S面に比べて45μm〜70μmだけ窪んでいる。
【0024】
次に、基板1S上に搭載した半導体チップ2を、トランスファモールド法を使用して封止した様子を断面図である図3に示す。
【0025】
図3において、基板1Sは、上部金型5(第1金型の一例)および下部金型6(第2金型の一例)によって挟まれている。上部金型5は、金型にカル5a、サブランナ5b、ゲート5c、キャビティ5dが形成されている。
【0026】
カル5aは、図示しないプランジャで注入された樹脂3をサブランナ5bに分岐させるために金型に設けられた窪みである。サブランナ5bは、溶融した樹脂3を上記したカル5aから後述するキャビティ5dに導くための経路を構成している。
【0027】
ゲート5cは、溶融した樹脂3をキャビティ5dに注入する注入口であり、キャビティ5dは、溶融した樹脂3を注入して、半導体チップ2の封止をするためのものである。
【0028】
次に、下部金型6のうち基板1Sの接続端子4が設けられている直下部分、すなわち下部金型6における接続端子4の対向面部分には、突起部6aが形成されている。突起部6aの大きさは、複数の接続端子4の配置エリアより若干小さい程度であり、突起部6aは、基板1Sを下部金型6に乗せたときに、ちょうど複数の接続端子4の配置エリアに内包された状態で、複数の接続端子4を支持するように配置されている。
【0029】
この突起部6aが設けられているため、上部金型5のキャビティ5dに樹脂3が注入され、注入圧力が加わった場合であっても、基板1Sの接続端子4部分は突起部6aに支持され、変形することはない。したがって、モールド封止時に接続端子4部分が変形することによって生ずる基板1Sと上部金型5との隙間を無くすことができる。このため、接続端子4がある位置までパッケージがなされる場合、すなわちパッケージ(樹脂3)の外周が接続端子4に平面的に重なる場合であっても、樹脂洩れ(レジンバリ)を防止することができる。したがって、メモリ容量の増加やハーフサイズ化によりパッケージ領域が拡大されても歩留まりを維持して半導体装置を製造することができる。
【0030】
突起部6aは、個々の基板1Sに設けられた接続端子4ごとに設けてあり、基板1Sに設けられた複数の接続端子4に対して1個となるように帯状の形状をしている。これにより、個々の接続端子4にかかる圧力を分散することができるとともに、突起部6aの加工寸法の精度を緩和することができる。
【0031】
また、突起部6aを下部金型6と一体化したことにより、部品点数を増加させずに済むため、金型のコストの低減を図ることができる。
【0032】
上記した突起部6aは、下部金型6と一体になって形成されているが、これに限らず、下部金型6にはめ込む端子受け台によって、突起部6aを形成してもよい。これにより突起部6aの高さ調節が可能となる。
【0033】
また、下部金型6には、ポット6bが形成されている。このポット6bは、封入する樹脂を供給する供給口である。
【0034】
図4に上部金型5の平面図を示す。上部金型5は、金型にカル5a、サブランナ5b、ゲート5c、キャビティ5d、ランナ5e、上部ウェッジ5fが形成されている。
【0035】
カル5aには、サブランナ5bおよびランナ5eが接続されている。複数のカル5a間は、ランナ5eで接続されており、カル5aとキャビティ5dとは、ゲート5cを介してサブランナ5bで接続されている。
【0036】
上部ウェッジ5fは、凸状の突起物から形成されており、上部金型5と下部金型6との位置合わせをできるように構成されている。
【0037】
図5に下部金型6の平面図を示す。下部金型6は、金型に突起部6a、ポット6b、下部ウェッジ6cが形成されている。突起部6aは、上記した上部金型5とこの下部金型6とにより基板1Sを挟んだ場合、基板1Sの接続端子4の直下にくるように形成されている。このように下部金型6に突起部6aを設けることにより、樹脂注入圧力が接続端子4に加わった場合であっても接続端子4は突起部6aに支持され、変形することはない。したがって、変形による樹脂洩れの発生を防止することができる。
【0038】
この突起部6aの寸法は、長軸方向(接続端子が並ぶ方向)に約16.5mm〜約16.8mm程度、短軸方向に約3.25mm〜約3.55mm程度であり、高さ方向は、周囲より約40μm〜50μm程度高くなっている。ここで、接続端子4が形成されている基板1Sの凹部は、45μm〜70μmであるため、樹脂注入圧力が加わらない場合、突起部6aが基板1Sの接続端子4に概ね直接には接触していない。したがって、突起部6aを設けたことにより、接続端子4を損傷させることはない。
【0039】
突起部6aを構成する材料としては、例えば耐摩耗用金型金属が使用される。
【0040】
次に、ポット6bは、成型材料の供給口である。このポット6bと図示しないプランジャで一対をなし、ポット6bがシリンダ、プランジャがピストンの役割をなすものである。
【0041】
下部ウェッジ6cは、凸状の突起物から形成されており、上部ウェッジ5fと組み合わせることにより、上部金型5と下部金型6との位置合わせをできるように構成されている。
【0042】
次に、基板1S上に搭載された半導体チップ2を封止する工程を図面を参照しながら説明する。
【0043】
まず、図6に示すように、片面に半導体チップ2が搭載された基板1Sが複数存在するフレーム1Fを用意する。そして、フレーム1Fを下部金型6に設置し、下部金型6の突起部6a上に個々の基板1Sに形成された接続端子4がくるようにする。次に、それぞれの基板1Sに搭載された半導体チップ2上に、キャビティ5dが配置されるように上部金型5を設置する。基板1Sが上部金型5と下部金型6によって挟まれた状態を、図6のA−A間で切断した断面で示すと図7のようになる。
【0044】
次に、図示しないプランジャによりポット6bから溶融した樹脂3を上部金型5のカル5aに送る。カル5aに送られた樹脂3は、溶融しながらサブランナ5bおよびゲート5cを伝わり、図8に示すようにキャビティ5d内に充填される。このようにして、基板1Sに搭載された半導体チップ2を封止することができる。
【0045】
この際、樹脂3による封入圧力が基板1Sの接続端子4にかかるが、接続端子4は突起部6aに支持され、変形することはない。したがって、変形による樹脂洩れの発生を防止することができる。
【0046】
図9に、モールド封止後のフレーム1Fを樹脂3によって封止した側より見た平面図を示す。モールド封止は、例えば一度に16個の基板1Sに対して行われている。このようにトランスファモールド法を使用することによりメモリカードの生産能力向上を図ることができる。また、図9を見てわかるように、基板1Sは、カル5aからサブランナ5bを経て、ゲート5cより注入された樹脂3によってモールドされていることが分かる。
【0047】
次に、フレーム1Fにあるモールド工程後の個々の基板1Sを切断し、図10に示すように個々の基板1Sに切り分ける。そして、図11に示すように樹脂3による封止面側に接着材を塗布し、図12に示すようにキャップ7を接着する。その後、図13に示すようにキャップ7にラベルを貼り付け、メモリカード1が完成する。
【0048】
このように、基板1Sの凹部に形成された接続端子4を下部金型6の突起部6aで支持するように構成したので、モールド封止時の樹脂洩れを防止することができる。
【0049】
また、モールド封止時の樹脂洩れを防止することができるため、製品品質の安定化を図ることができる。このため、製品の歩留まり向上を図ることができる。
【0050】
また、突起部6aを設けた下部金型6を使用して半導体チップのパッケージングを行うので、既存のトランスファモールド方法が適用できる。したがって、ポッティングレジンよりも材料コストの安いエポキシ樹脂を使用することができ、パッケージングコストが安くなる。
【0051】
また、トランスファモールド方法が適用できるため、ポッティング樹脂を使用するポッティング法に比べて、パッケージの外形寸法の精度を向上させることができる。したがって、製品の歩留まり向上および信頼性向上を図ることができる。
【0052】
また、トランスファモールド方法が適用できるため、バッチ処理を行うことができ、パッケージングのスループット向上を図ることができる。
【0053】
また、既存のトランスファモールド方法を使用した装置を使用できるため、設備投資の低減を図ることができる。
【0054】
以上、本発明者によってなされた発明を前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0055】
例えば、前記実施の形態では、ハーフサイズのメモリカードについて説明したがこれに限らず通常サイズ(フルサイズ)のメモリカードの基板に搭載された半導体チップをモールド封止する場合に適用してもよい。
【0056】
また、前記実施の形態では、モールド工程に際して、基板と突起部を有する下部金型の間に何も挟まない例を説明したが、基板と突起部を有する下部金型の間に耐熱性のシートを挟んでもよい。これにより、突起部と接続端子との接触を完全に避けることができ、メモリカードの歩留まりおよび信頼性を向上することができる。
【0057】
また、前記実施の形態では、接続端子が7ピンの基板1Sについて説明したが、これに限らず、図14に示すように例えば接続端子が13ピンの基板1Sに適用してもよい。
【0058】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【0059】
すなわち、凹部に形成された基板の接続端子を下部金型の突起部で支持することにより、モールド封止時の樹脂洩れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態である半導体装置を構成する基板を、半導体チップを樹脂により封止した側から見た平面図である。
【図2】本発明の一実施の形態である半導体装置を構成する基板を、半導体チップを樹脂で封止した面と反対側の面から見た平面図である。
【図3】図1の半導体装置の基板を上部金型と下部金型により挟んだ断面図である。
【図4】図3の上部金型の平面図である。
【図5】図3の下部金型の平面図である。
【図6】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中における斜視図である。
【図7】図6に続く半導体装置の製造工程において、基板上に形成された半導体チップを封止する一工程を示した要部断面図である。
【図8】図7に続く半導体装置の製造工程において、基板上に形成された半導体チップを封止する一工程を示した要部断面図である。
【図9】図8に続く半導体装置の製造工程において、モールド封止後のフレームを封止面側より見た平面図である。
【図10】図9に続く半導体装置の製造工程において、切り分けた基板を示した斜視図である。
【図11】図10に続く半導体装置の製造工程において、半導体チップを樹脂によって封止した側に接着材を塗布する工程を示した斜視図である。
【図12】図11に続く半導体装置の製造工程において、基板にキャップを接着した状態を示す斜視図である。
【図13】図12に続く半導体装置の製造工程において、キャップにラベルを貼り付けた状態を示す斜視図である。
【図14】本発明の他の実施の形態である半導体装置を構成する基板を、半導体チップを樹脂で封止した面と反対側の面から見た平面図である。
【図15】本発明者が検討した図であって、メモリカードを構成する基板上に搭載された半導体チップを封止する一工程を示した断面図である。
【図16】図15の基板の封止面側から見た略平面図である。
【符号の説明】
1 メモリカード
1S 基板
1F フレーム
2 半導体チップ
3 樹脂
4 接続端子
5 上部金型(第1金型)
5a カル
5b サブランナ
5c ゲート
5d キャビティ
5e ランナ
5f 上部ウェッジ
6 下部金型(第2金型)
6a 突起部
6b ポット
6c 下部ウェッジ
7 キャップ
Claims (9)
- (a)半導体チップが搭載された第1面と反対側の第2面に接続端子が形成された基板を、前記半導体チップが搭載された前記第1面に設置される第1金型および前記接続端子が形成された前記第2面に設置される第2金型により挟む工程と、
(b)前記第1金型に樹脂を注入することにより、前記基板上にある前記半導体チップを封止する工程とを備え、
前記接続端子は、前記基板の前記第2面に形成された凹部に設けられており、
前記接続端子直下にある前記第2金型の領域に、周囲より突き出ている突起部が、前記接続端子の配置領域より小さい領域で形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)複数の基板を一体的に有するフレームを用意する工程と、
(b)前記複数の基板のそれぞれに半導体チップを搭載する工程と、
(c)前記複数の基板に搭載されたそれぞれの半導体チップを一括して樹脂封止する工程と、
(d)前記複数の基板を前記フレームから切り出す工程と、
(e)前記(d)工程で切り出された個々の基板の樹脂封止面側にキャップを取り付ける工程とを備え、
前記(c)工程は、
(c1)前記半導体チップが搭載された第1面と反対側の第2面に接続端子が形成された基板を、前記半導体チップが搭載された前記第1面に設置される第1金型および前記接続端子が形成された前記第2面に設置される第2金型により挟む工程と、
(c2)前記第1金型に樹脂を注入することにより、前記基板上にある前記半導体チップを封止する工程とを有し、
前記接続端子は、前記基板の前記第2面に形成された凹部に設けられており、
前記接続端子直下にある前記第2金型の領域に、周囲より突き出ている突起部が、前記接続端子の配置領域より小さい領域で形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記接続端子は、複数設けられて列状に配列されており、
前記突起部は、前記複数の接続端子に渡って設けられた、請求項1もしくは請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - (a)半導体チップが搭載された上面の裏側の面となる下面に複数の接続端子が形成された基板を、前記上面に設置される上部金型および前記下面に設置される下部金型により挟む工程と、
(b)前記上部金型に樹脂を注入することにより、前記基板上にある前記半導体チップを封止する工程とを備え、
前記複数の接続端子は、列状に配列され、かつ、前記下面に形成されたくぼみ部に設けられており、
前記下部金型は、前記複数の接続端子に渡って重なるように形成された帯状の突起部を有する、半導体装置の製造方法。 - 前記帯状の突起部は、前記複数の接続端子の配置エリアより小さい、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の接続端子は、前記基板の周辺領域に設けられ、これに対応して前記帯状の突起部が設けられている、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の接続端子の配置位置は、前記基板の中央領域を含み、これに対応して、前記帯状の突起部が設けられている、請求項5もしくは請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の前記第2面に形成された前記凹部の深さよりも、前記突起部の高さのほうが小さい、請求項1もしくは請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下面に形成された前記くぼみ部の深さよりも、前記帯状の突起部の高さのほうが小さい、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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