JP2004043736A

JP2004043736A - ふっ素ゴム成形体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2004043736A
Application number: JP2002205999A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kuboyama; 窪山　剛; Yoshiro Hashimoto; 橋本　欣郎; Hitoshi Yamada; 山田　均; Masayuki Saito; 斉藤　正幸; Tetsuya Miwa; 三輪　哲哉
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd; Nichias Corp
Current assignee: Nichias Corp; AGC Inc
Priority date: 2002-07-15
Filing date: 2002-07-15
Publication date: 2004-02-12
Anticipated expiration: 2022-07-15
Also published as: JP3927088B2

Abstract

【課題】特に半導体製造装置、半導体搬送装置、食品製造装置、食品移送器用、食品貯蔵器用、医療部品等のクリーン環境に好適で、寸法精度にも優れたふっ素ゴム成形体を提供する。
【解決手段】テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を過酸化物で架橋してなり、かつ金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、ふっ素ゴム成形体。
【選択図】　　　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低放出ガス及び低溶出金属の両特性を兼備し、特に半導体製造装置等のクリーン環境用に好適なふっ素ゴム成形体に関する。また、本発明は前記ふっ素ゴム成形体を得るための製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
クリーン環境で使用される、ゴムＯリング等のゴム製のシール材料には、外部を汚染しないための低放出ガス、低溶出金属等の特性が求められる。ここでいうクリーン環境とは、半導体製造装置、半導体搬送装置、食品製造装置、食品移送器、食品貯蔵器、医療部品等である。特に、半導体製造装置用ゴム材料には、低放出ガス性や低溶出金属性の他に、耐薬品性、耐プラズマ性が求められる。そのため、耐薬品性に優れたふっ素系のゴム成形体が多く使用されている。
【０００３】
本出願人も先に、クリーン環境用として、低金属含有量のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体からなる未架橋の予備成形体を電離性放射線照射により架橋してなるふっ素ゴム成形体を出願している（特願２００１−２９３８８８号）。しかし、寸法精度の良い予備成形体を得るには、押出し成形の場合には低速での押出しが要求され、金型成形の場合でも金型から取り出す際に冷却が必要となり、手間と時間を要している。更には、予備成形体の組成や電離性放射線の照射条件によっては、得られる架橋物の寸法にバラツキが出ることがあり、精度良く成形体にすることが出来ないことがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題を解決し、特に半導体製造装置、半導体搬送装置、食品製造装置、食品移送器用、食品貯蔵器用、医療部品等のクリーン環境に好適で、効率的な生産、寸法精度にも優れたふっ素ゴム成形体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、金属含有量を低く抑えたテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体に過酸化物による架橋を施すことが効果的であることを見出した。
【０００６】
即ち、本発明は、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を過酸化物で架橋してなり、かつ金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするふっ素ゴム成形体、並びにゲル分率１〜７０質量％のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を過酸化物で架橋してなり、かつ金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするふっ素ゴム成形体である。好ましくは、これらの過酸化物架橋された成形体に電離性放射線照射、更には超純水による洗浄及び加熱処理を施してなるふっ素ゴム成形体である。
【０００７】
これらのふっ素ゴム成形体は、１００℃の温度に３０分間保持された際の放出ガス量が３ｐｐｍ以下という優れた低ガス放出性を有する。
【０００８】
また、本発明は、金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下に調整されたテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体と、過酸化物架橋剤及び架橋助剤とを含む混合物を加熱成形して架橋体とする、好ましくはこの架橋体に電離性放射線を照射する、更に好ましくは超純水による洗浄後加熱処理することを特徴とする上記ふっ素ゴム成形体の製造方法である。
【０００９】
更に、本発明は、上記のふっ素ゴム成形体からなることを特徴とする、半導体製造装置用、半導体搬送装置用、食品製造装置用、食品移送器用、食品貯蔵器用または医療部品用の各ゴム材料である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関して詳細に説明する。
【００１１】
成形原料となるテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体は、後述される処理により、金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下に抑えられ、かつ過酸化物架橋が容易になっている。
【００１２】
本発明においてテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体とは、テトラフルオロエチレンとプロピレンを主成分とする共重合体である。例として旭硝子（株）製の「アフラス」等が挙げられるが、これに限定されない。また、テトラフルオロエチレンとプロピレンの他、ビニリデンフルオライド、ヘキサフルオロプロピレン、エチレン、パーフルオロアルキルビニルエーテル等の第三成分を共重合したポリマーであってもよく、あるいはヨウ素、臭素等の過酸化物架橋サイトを有していても良い。
【００１３】
テトラフルオロエチレンとプロピレンのモル比の合計は、全モノマーモル比合計の６０％以上、好ましくは８５％以上、より好ましくは９５％以上である。また、テトラフルオロエチレン：プロピレンのモル比は、好ましくは４０：６０〜６５：３５、より好ましくは５０：５０〜６０：４０である。
【００１４】
上記のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体は、例えばテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体のラテックスから製造することが出来る。ここで、ラテックスとはポリマーが乳化して水に分散した状態の懸濁液である。テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体のラテックスとしては、市販されているものを使用することができる。また、当該共重合体をモノマー原料から乳化重合で合成する際の、中間生成物のラテックスを使用しても良い。例えば、特公昭６１−８０８６号に紹介されている、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体の中間生成物のラテックスをそのまま使用することもできる。また、固形のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を水に分散させてラテックスとしたものを用いても良い。上記ラテックスに、他ポリマーのラテックス、例えばふっ化ビニリデン−ヘキサフロロプロピレン共重合体のラテックス、ふっ化ビニリデン−ヘキサフロロプロピレン−テトラフロロエチレン共重合体のラテックス、ＮＢＲラテックス、ＳＢＲラテックス等をブレンドしても良い。このブレンドラテックスから、共凝固析出したゴムは、各ゴム相が微細かつ均一に分散する利点を有する。
【００１５】
低不純物化のために、上記のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体のラテックスを、先ず、無機非金属塩類、特定の酸または特定の有機物と接触させて凝固させる。無機非金属塩類としては、例えば塩化アンモニウム、酢酸アンモニウムまたは硫酸アンモニウム等のごときアンモニウム塩が挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは硫酸アンモニウム、酢酸アンモニウムを使用する。特に、酢酸アンモニウムが好ましい。酸としては、例えば塩酸、硫酸または硝酸等が挙げられるがこれらに限定されない。好ましくは塩酸、硫酸である。有機物としては、金属を含有しない有機化合物を使用する。例として、カルボン酸等の有機酸、プロパノール等のアルコール、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン、酢酸エチル等のエステル、ジクロロメタン、テトラクロロメタン等の塩素化炭化水素、カチオン系変性ポリアクリルアミド等が挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは酢酸、メチルエチルケトン、酢酸エチルを使用する。特に、メチルエチルケトンが好ましい。これらの凝固剤で凝固させることにより、不純物、特に金属成分を殆ど含有しないテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体が得られる。
【００１６】
凝固剤溶液の濃度と使用量は、ラテックスから共重合体を凝固分離できる必要最小量で十分であるが、ラテックスの濃度、凝固剤の種類等に応じて適宜変更可能である。溶液に用いる溶媒にも特に制限はなく、アルコール、水−エタノール混合溶媒、水−アセトン混合溶媒等を使用することが出来る。凝固剤として酢酸やメチルエチルケトン等の液体を用いる場合には、別途に溶媒を使用する必要もない。しかしながら無機非金属塩を使用する場合には、水溶液とするのが好ましい。濃度にも特に制限はなく、酢酸やメチルエチルケトン等を１００％の濃度で使用しても良い。但し、無機非金属塩溶媒の濃度は、好ましくは０．０１〜５０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％程度とする。ラテックス１００質量部に対する凝固剤（溶液）の使用量は、好ましくは２００〜１０００質量部、より好ましくは２５０〜５００質量部程度とする。尚、ラテックスと凝固剤（溶液）の添加順序は任意に選定できる。例えば、ラテックスに凝固剤水溶液を添加してもよく、ラテックスと凝固剤溶液を同時に混合してもよい。通常は、凝固剤溶液にラテックスを添加する方法が好ましくは採用される。
【００１７】
混合方法にも、特に制限はない。例えば、プロペラミキサー、タービンミキサー、バドルミキサー、往復回転式ミキサー、パイプラインミキサー、渦巻きポンプ、アンカーミキサー、ゲートミキサー、リボンミキサー、ホモミキサー、超音波ミキサー、高圧式ホモジナイザー等のミキサーによって混合することができる。凝固は通常室温で行われるが、凝固時の温度は限定されない。
【００１８】
凝固分離した固形分は、その後水洗を行う。水洗方法の例としては、ミキサーに凝固分離した固形分と水とを投入し水洗するバッチ式の水洗、フィルター上で流水しながらの水洗が挙げられるが、これらに限定されない。洗浄水の温度は、好ましくは０〜８０℃、より好ましくは１０〜５０℃である。また、洗浄水の電気伝導率は、好ましくは０．０５５〜２００μＳ／ｃｍ、より好ましくは０．０５５〜２０μＳ／ｃｍ程度とする。特に０．０５５〜２μＳ／ｃｍが好ましい。そして、充分洗浄した固形分を、しかる後に例えば１００〜１５０℃に保たれた熱風乾燥機にて乾燥処理することにより、低不純物のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体が得られる。尚、乾燥方式はこれに限定されない。
【００１９】
こうして得られるテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体は、不純物、特に金属成分の残存量が極めて少ない。金属元素に基づく量で、その含有量は５０００ｐｐｍ以下、好ましくは１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５００ｐｐｍ以下、特に好ましくは２００ｐｐｍ以下である。より好ましい態様においては、鉄分、アルカリ金属分の含有量が低く、何れも元素重量で換算して５００ｐｐｍ以下、特に１００ｐｐｍ以下となる。さらに好ましい態様においては、燐または燐化合物、カルシウムまたはカルシウム化合物、アルミニウムまたはアルミニウム化合物の何れの含有量も元素重量で換算して５００ｐｐｍ以下となる。
【００２０】
上記のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体は、過酸化物によって精度良く効率的に架橋し得るが、凝固後に特定条件の熱処理に付すことにより、更に過酸化物による架橋が促進されるようになる。これは、熱処理によって、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体に部分的に脱ふっ酸反応等が起こり、ゲル化と同時に二重結合が生成し、これが架橋サイトとして働くことによるものと推察される。また、この熱処理により、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体中の低分子量成分も同時に除去され、低放出ガス化も期待される。
【００２１】
ゲル成分の比率は、好ましくは１〜７０質量％、より好ましくは１０〜６０質量％であり、熱処理条件により容易に調整できる。熱処理温度は、好ましくは２５０〜４００℃、より好ましくは２８０〜３８０℃、特に好ましくは３００〜３５０℃である。処理温度が低いと架橋サイトが生成し難い。また、十分な低放出ガス化もできないおそれがある。また、処理温度が高すぎると、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体の劣化、それに伴う物性低下を引き起こすことがある。一方、処理時間に関しては、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体の組成、処理温度に応じ、任意に設定することが可能である。好ましくは１５分間〜５０時間、より好ましくは３０分間〜２０時間、特に好ましくは１時間〜１０時間とし、弾性固体状を失わない範囲で行う。処理時間が極端に短いと、十分な架橋サイトの導入が困難である。また、低放出ガス化も難しい。
【００２２】
本発明のふっ素ゴム成形体を得るには、上記のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を過酸化物による架橋を行う。当業者であれば常識の範囲内であるが、過酸化物架橋では電離性放射線架橋のような予備成形が不要であり、また、金型成形後に寸法精度良く取り出すための冷却工程を要さず、時間的ロスが少ない。また、配合や成形加工条件が一定であれば収縮率も一定し、安定した寸法精度で生産が可能である。更に、成形体の精度や機械的強度も架橋剤、架橋助剤等の配合量により制御可能であるという利点を有する。特に、上記した特定量のゲル成分を含むテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体は、過酸化物架橋が容易であり、その架橋物は高強度等の優れた物性を示す。
【００２３】
過酸化物架橋剤としては、例えば、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、ジクミルパーオキシド、ｔ−ブチルクミルパーオキシド、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ベンゾイルパーオキシド、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）バレレート、α，α′−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、ｔ−ブチルクミルペルオキシド、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２４】
また、架橋助剤等を併用しても良い。架橋助剤としては、例えば、硫黄、ｐ−キノンジオキシム、ｐ，ｐ´−ジベンゾイルキノンジオキシム、ラウリルメタアクリレート、エチレングリコールアクリルレート、トリエチレングリコールジメタアクリルレート、テトラエチレングリコールジメタクリルレート、ポリエチレングリコールジメタクリルレート、トリメチロールプロペントリメタアクリルレート、メチロールメタアクリルレート、ジアリールフマレート、ジアリールフタレート、テトラアリールオキシエタン、トリアリールシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、マレイミド、フェニールマレイミド、Ｎ，Ｎ′−ｍ−フェニレンビスマレイミド、無水マレイン酸、イタコン酸、ジビニールベンゼン、ビニールトルエン、１，２−ポリブタジエン等が挙げられ、特にトリアリルイソシアヌレートが望ましい。これらをゴム重量１００質量部に対して０．１〜１０質量部、より好ましくは１〜１０質量部配合することにより、高い強度のふっ素ゴム成形体が得られる。
【００２５】
また、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体がふっ化ビニリデン単位を有する場合には、ポリアミン架橋剤、ポリオール架橋剤を単独で、もしくは混合して用いることができる。ポリアミン架橋剤としては、例えば、トリエチレンテトラミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンカルバメート、テトラエチレンペンタミン、エチレンジアミンカルバメート、Ｎ，Ｎ′−ジシナミリデン−１，６−ヘキサジアミンを挙げることができるが、これらに限定されない。ポリオール架橋剤としては、例えば、ビスフェノールＡＦ、ビスフェノールＡ、ｐ，ｐ′−ビスフェノール、４，４′−ジヒドロキシフェニルメタン、ヒドロキノンを挙げることができるが、これらに限定されない。
【００２６】
尚、ポリオールやポリアミンによる架橋は、受酸剤として、酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の金属酸化物または金属水酸化物または金属塩を必要とする。本発明に従う低金属含有量のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を用いても、ポリオールやポリアミンを用いた架橋法により得られるふっ素ゴム成形体は、時として本発明で規定する５０００ｐｐｍを越える金属成分を含有する。低汚染性と言う本発明の目的の一つとは一見矛盾するように見えるが、例えば鉄あるいはアルカリ金属等、特定の金属のみが問題視される用途において、問題なく使用することが出来る。これら架橋法は、本発明の利点を損なうものではない。
【００２７】
同様の観点から、本発明のふっ素ゴム成形体には、カーボンブラック、シリカ、硫酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、酸化亜鉛、ベンガラ、粘土鉱物例えばウォラストナイト、雲母等の無機充填剤を配合することが出来る。ポリテトラフロロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂等の有機充填剤、あるいは綿、レーヨン、ナイロン、ポリエステル等の補強用繊維を配合しても良い。複数の充填剤を併用することも可能である。これら配合物を含有させることにより、本発明のふっ素ゴム成形体の強度、硬度を高めることが出来る。
【００２８】
上記の過酸化物架橋剤を用いて架橋形成を行うには、通常のふっ素ゴムの架橋成形法に準じることができる。即ち、上記のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体、過酸化物架橋剤、架橋助剤及び必要に応じて配合される各種の充填剤を混合してなる成形材料を所定の成形型に入れ、熱プレスすればよい。成形条件は、成形材料の組成や用途に応じて適宜設定される。また、ふっ素ゴムの架橋では一般に、プレス成形等による一次架橋の他に、オーブン等による二次架橋が行われるが、本発明も同様に行うことができる。二次架橋は通常、温度１５０〜２８０℃の温度で、１〜５０時間程度行われ、本発明における上記熱処理条件と近い。それ故、ふっ素ゴム成形体に対し、十分に二次架橋を行うことで過酸化物の残渣が放出ガスとなることが抑制される。
【００２９】
また、上記のふっ素ゴム成形体に電離放射線による架橋を付加することにより架橋度が増し、低ガス放出性及び低溶出金属性の向上に加えて、耐薬品性も良好となる。この電離放射線架橋は、架橋剤や受酸剤を必要としないことから、架橋剤や受酸剤由来の金属塩や金属酸化物等の汚染源を含有せず、更には架橋に際して着色することもないため、追加の架橋方法として好適である。
【００３０】
電離放射線の種類としては、直接または間接に空気を電離する能力を持つ電磁波または粒子線であれば何れも本発明に適用可能であり、例えばα線、β線、γ線、重陽子線、陽子線、中性子線、Ｘ線、電子線が挙げられるが、これらに限定されない。これら放射線を組み合わせて使用しても良い。本発明においては、特にγ線が好適に使用される。γ線は、透過力が高いためふっ素ゴム成形体が均一に架橋される。また、γ線を照射する場合は、真空または不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。酸素雰囲気中では、架橋構造が分解する場合があり、好ましくない。
【００３１】
電離放射線をふっ素ゴム成形体に照射した場合、架橋構造の更なる架橋と分解とが同時に起こる。照射量が多すぎる場合は、分解が優勢となり物性が低下するおそれがある。照射量が少なすぎる場合は、更なる架橋の効果が得られない。そのため、本発明においては、電離放射線の照射量はある適当な範囲であることが好ましく、照射総量は、好ましくは１０〜５００ｋＧｙ、より好ましくは３０〜３５０ｋＧｙ、さらに好ましくは６０〜３００ｋＧｙである。電離放射線の線量を上記範囲とすることで、物性の良好なふっ素ゴム成形体が得られる。
【００３２】
また、上記のふっ素ゴム成形体を純水により洗浄する。または、１５０℃以上の温度にて加熱する。もしくは、洗浄と加熱とを併用することにより、更なる放出ガス低減が見込める。尚、加熱処理は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【００３３】
純水洗浄自体は公知である。使用する純水は、微粒子、金属イオン、生菌、有機物、溶存酸素等を高度に除去した純水であり、電気伝導率は、好ましくは０．０５５〜２００μＳ／ｃｍ、より好ましくは０．０５５〜２０μＳ／ｃｍ程度とする。特に０．０５５〜２μＳ／ｃｍが好ましい。また、洗浄方法も特に限定されず、例としては純水にふっ素ゴム成形体を浸漬する方法、ふっ素ゴム成形体に純水を噴霧する方法、ふっ素ゴム成形体を純水の蒸気に暴露する方法等が挙げられるが、これらに限定されない。しかし、本発明において、水温及び浸漬時間は５０℃以上の純水中に１０秒以上浸漬する手法を採ることが好ましい。より好ましくは８０℃以上で３０秒間〜２４時間、特に好ましくは９０℃以上で１分間〜２時間とする。より高温・長時間の浸漬によって、ふっ素ゴム成形体からの放出ガスを更に減じることが出来る。
【００３４】
上記のふっ素ゴム成形体は、十分に低いガス放出性と低溶出金属性とを有する。具体的には、１００℃の温度に３０分間保持された際の放出ガス量が３ｐｐｍ以下と、放出ガスが低減されている。
【００３５】
本発明のふっ素ゴム成形体は、放出ガス量及び金属成分量が低減されていることに加え、耐熱性、耐薬品性の他、耐プラズマ性にも優れる。そのため、半導体製造装置、半導体搬送装置、食品製造装置、食品移送器、食品貯蔵器、医療部品等、クリーン環境用に好適である。例えば半導体製造分野では、ウェット洗浄装置、プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置、プラズマＣＶＤ装置、イオン注入装置、スパッタリング装置等の半導体製造装置、及びこれらの装置の付属機器であるウエハ搬送機器等に使用できる。医療分野ではチューブやゴム栓、食品分野では熱交換器用ガスケット等に使用できる。本発明はまた、上記ふっ素ゴム成形体からなる半導体製造装置または半導体搬送装置用ゴム材料；食品製造装置、食品移送器または食品貯蔵器用ゴム材料；医療部品用ゴム材料をも包含する。
【００３６】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３７】
（実施例１）
内容積１００ｍＬのステンレス製オートクレーブに、４０ｇのイオン交換水、５ｇの第三級ブタノール、０．５ｇのＣ_８Ｆ_１７ＣＯＯＮＨ_４、１ｇのＮａ_２ＨＰＯ_４・１２Ｈ_２Ｏ、０．１ｇのＮａＯＨを仕込み、少量の水に溶解した過硫酸アンモニウム０．５ｇを加えた。液体窒素で冷却した後、予め調製した０．００７５ｇのＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ、０．００９ｇのＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム塩・２Ｈ_２Ｏ、以下同じ）、および０．０４ｇのＣＨ_２（ＯＨ）ＳＯ_２Ｎａを含む水溶液５ｇを加え、オートクレーブ内を脱気した。かくして得られた触媒含有水性媒体は、ｐＨ９．１であった。
【００３８】
Ｃ_２Ｆ_４／Ｃ_３Ｈ_６のモル比を８５／１５に調整したテトラフロロエチレンとプロピレンとの混合ガス８．２ｇを、上記触媒含有水性媒体を貯留したオートクレーブ内に仕込み、２５℃に調整した恒温槽内でオートクレーブ振蘯することにより共重合反応を実施した。その結果、共重合反応速度１２０ｇ／Ｌ・ｈｒでＣ_２Ｆ_４／Ｃ_３Ｈ_６含有モル比５５／４５、分子量１３．３万のテトラフロロエチレン−プロピレン系共重合体ラテックスが得られた。
【００３９】
このラテックスに対し５倍量の酢酸アンモニウム水溶液（濃度１０質量％）を凝固槽に投入し、攪拌下に上記ラテックスを滴下した。この操作により、ラテックスは凝固分離し、凝固分離した固形分を水洗、乾燥した。かくして得られた生ゴムは、乳化剤やその他の重合副資材をほとんど含まなかった。
【００４０】
次に、この生ゴムをギアオーブンにて３００℃、８時間の熱処理を行った。こうして得られたテトラフロロエチレン−プロピレン系共重合体について、後述するゲル分率測定を行った。また、以下の架橋成形を試行した。
【００４１】
得られたテトラフロロエチレン−プロピレン系共重合体（表１：ＴＦＥ／Ｐ）１００質量部、１，１−ジ−（ｔ−ブチルペルオキシ）−３，５−トリメチルシクロヘキサン（表１：架橋剤「パーブチルＰ」；日本油脂（株）製）１質量部、トリアリルイソシヌレート（表１：架橋助剤「ＴＡＩＣ」；日本化成（株）製）２質量部を二軸ロールによって練り込んだ。これを１５０℃の熱プレスで１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍのシート状に成形した（一次架橋）。このシートを更に、ギアオーブンに入れ、２００℃、４時間二次架橋した。
【００４２】
得られたゴムシートを９０〜９５℃の純水（比抵抗値約１８ＭΩ・ｃｍ）５００ｍＬ中に１０分間浸漬した。この間、上記精製度の純水を１００ｍＬ／分で流水し続けた。浸漬後、ゴムシートを取り出して窒素（純度９９．９９９８％）置換したオーブン中で２００℃、１２時間保持した。この間、上記純度の窒素を５Ｌ／分流し続けた。こうして得られたサンプルについて以下の評価を行った。
【００４３】
（評価項目と方法）
○ゲル分率：架橋前のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体１ｇを量り取り、テトラヒドロフラン９９ｇに浸漬し３日間放置した。溶解しなかったゲル分を濾紙で濾し取り、重量測定しゲル分率を算出した。
○含有金属元素の定性、定量分析：架橋成形体１ｇを白金坩堝に量り取り、バーナーで加熱分解し、残渣に３０質量％塩酸１０ｍＬを加え、加熱溶解し、水で５０ｍＬに定容した。かくして得られた溶液を誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）により含有金属の定性、定量分析を行った。
○放出ガスの定性、定量分析：パージ＆トラップ−ガスクロマトグラフ質量分析法にて、加熱条件は１００℃、３０分間とし、パージガスとしてはＨｅを使用した。定量は標準物質としてｎ−デカンを使用した。
○硬さ：ＪＩＳ　Ｋ　６２５３　に準拠した。
○引張強さ、破断時伸び、１００％伸び時の引張応力：ＪＩＳ　Ｋ　６２５１　に準拠した。ダンベルは３号とした。
○圧縮永久歪み：ＪＩＳ　Ｋ　６２６２　に準拠した。条件は２００℃、７０時間とした。
結果を表１に示す。
【００４４】
（実施例２）
実施例１に記したゴムシートに、更に１２０ｋＧｙのγ線照射を行った。その他は実施例１と同様の洗浄、熱処理を行い、同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００４５】
（実施例３）
実施例１の架橋助剤（トリアリルイソシアヌレート）に代えて、トリメチロールプロパントリメタクリレート（表１：架橋助剤「ＴＭＴＰ」；三菱レイヨン（株）製）を用いた以外は実施例１と同様な操作でゴムシートを得た。そして、同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００４６】
（比較例１）
市販品のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体（旭硝子（株）製「アフラス１００Ｈ」）に、実施例１と同一配合にて架橋剤及び架橋助剤を添加して同一架橋方法にてゴムシートを得て同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】

【００４８】
表１に示すように、本発明に従う各実施例のゴムシートは、比較例１のゴムシートに比べて金属含有量が大幅に減少している。また、放出ガス量についても、実施例１及び実施例２のゴムシートでは大幅に低減している。これに対し、比較例１のゴムシートは、特にナトリウム、カルシウム、鉄が多く含まれている。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、金属含有量及び放出ガス量が少なく、特に半導体製造装置、半導体搬送装置、食品製造装置、食品移送器用、食品貯蔵器用、医療部品等のクリーン環境に好適で、寸法精度にも優れたふっ素ゴム成形体が容易に提供される。

Claims

テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を過酸化物で架橋してなり、かつ金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、ふっ素ゴム成形体。
ゲル分率１〜７０質量％のテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を過酸化物で架橋してなり、かつ金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、ふっ素ゴム成形体。
更に、電離性放射線照射による架橋が施されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のふっ素ゴム成形体。
更に、超純水による洗浄の後、１５０℃以上の温度で加熱処理されていることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体。
架橋助剤としてトリアリルイソシアヌレートが、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体１００質量部に対して０．１〜２０質量部配合されていることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体。
１００℃の温度に３０分間保持された際の放出ガス量が３ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体。
金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下に調整されたテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体と、過酸化物架橋剤、または、過酸化物架橋剤及び架橋助剤を含む混合物を、加熱成形して架橋体とすることを特徴とするふっ素ゴム成形体の製造方法。
架橋体に、更に電離性放射線を照射することを特徴とする請求項７記載のふっ素ゴム成形体の製造方法。
更に、超純水による洗浄の後、１５０℃以上の温度で加熱処理を施すことを特徴とする請求項７または８記載のふっ素ゴム成形体の製造方法。
請求項１〜６の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体からなることを特徴とする、半導体製造装置用または半導体搬送装置用ゴム材料。
請求項１〜６の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体からなることを特徴とする、食品製造装置用、食品移送器用または食品貯蔵器用ゴム材料。
請求項１〜６の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体からなることを特徴とする、医療部品用ゴム材料。