JP2003277445A - テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体及びその製造方法 - Google Patents

テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体及びその製造方法

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JP2003277445A
JP2003277445A JP2002205998A JP2002205998A JP2003277445A JP 2003277445 A JP2003277445 A JP 2003277445A JP 2002205998 A JP2002205998 A JP 2002205998A JP 2002205998 A JP2002205998 A JP 2002205998A JP 2003277445 A JP2003277445 A JP 2003277445A
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propylene
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copolymer
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JP2002205998A
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Takeshi Kuboyama
剛 窪山
Yoshiro Hashimoto
欣郎 橋本
Hitoshi Yamada
山田  均
Atsushi Murakami
村上  淳
Masayuki Saito
正幸 斉藤
Tetsuya Miwa
哲哉 三輪
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Nichias Corp
AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
Nichias Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 特に半導体製造装置、半導体搬送装置、食品
製造装置、食品移送器用、食品貯蔵器用、医療部品等の
クリーン環境用部材の原料として好適なふっ素ゴムを提
供する。 【解決手段】 金属成分の含有量が、金属元素に基づく
量で5,000ppm以下であるテトラフルオロエチレン-
プロピレン系共重合体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属成分含有量の
少ないテトラフルオロエチレン-プロピレン系共重合体
に関し、特に半導体製造装置等のクリーン環境用部材の
原料として好適なテトラフルオロエチレン-プロピレン
系共重合体に関する。
【0002】
【従来の技術】クリーン環境で使用される、ゴムOリン
グなどのゴム製のシール材料には、外部を汚染しないた
めの低溶出金属、低アウトガス等の特性が求められる。
ここでいうクリーン環境とは、半導体製造装置、半導体
搬送装置、食品製造装置、食品移送器、食品貯蔵器用、
医療部品などである。特に、半導体製造装置用ゴム材料
には、クリーン性の他に、耐薬品性、耐プラズマ性が求
められる。そのため、耐薬品性に優れたふっ素系のゴム
が多く使用されている。特に、特公昭61-8086号公報に
記載されているテトラフルオロエチレン-プロピレン系
共重合体は耐薬品性、耐プラズマ性が良好であり、半導
体製造装置用には適したふっ素系ゴムとして知られてい
る。
【0003】テトラフルオロエチレン-プロピレン系共
重合体は、乳化重合により得られるラテックスを凍結凝
固法、pH調整法、塩析法等によって凝固し、水性媒体
から析出分離することにより得られる。しかし、凍結凝
固法やpH調整法の場合には、析出分離されるゴムが大
きな塊となり、洗浄、乾燥等の操作が困難かつ不完全と
なる。即ち、乳化剤その他の重合副資材と言った不純物
が包含されてしまい、ゴムの性質低下や着色、ゴム製品
からの放出ガス発生の原因となる。ゴム製品から発生し
たガスの一部は、半導体ウエハー等の汚染源となる。
又、ゴム中に金属成分が残存すると、薬液やプラズマに
曝された際にそれら金属の化合物が析出し、半導体ウエ
ハー等を汚染する。特に、塩析法の場合、使用される凝
固剤が広範な無機金属塩類から採用されていることもあ
り、析出分離されるゴムが、ウエハー汚染の原因となる
金属または金属化合物を含有する問題がある。
【0004】前出の特公昭56-5772号公報では、テトラ
フルオロエチレン-プロピレン系共重合体のラテックス
の凝固方法として、無機金属塩類である塩化カルシウム
を用いた低温での塩析法が記載されている。しかし、無
機金属塩類である塩化カルシウムを用いた低温での塩析
法の場合、pH調整剤であるリン酸水素2ナトリウム、
触媒である硫酸第1鉄などの重合副資材、塩化カルシウ
ム、あるいは塩化カルシウムと重合副資材から生成した
水に難溶のリン酸カルシウムや硫酸カルシウムが析出分
離されるゴム中に残存する故、ウエハー汚染の原因とな
る。特に、半導体用途では、鉄、アルカリ金属、アルカ
リ土類金属、アルミニウム、燐等の元素が、中でも鉄と
アルカリ金属が問題視される。
【0005】上記のように、従来の技術では、耐薬品
性、耐プラズマ性等に優れ、ウエハー汚染や薬液汚染の
原因となる金属または金属化合物を殆ど含有せず、放出
ガス量も少ない、クリーン環境用部材の原料として好適
なふっ素系ゴムを得ることは困難であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決し、特に半導体製造装置、半導体搬送装置、食品製造
装置、食品移送器用、食品貯蔵器用、医療部品等のクリ
ーン環境用部材に好適なゴム原料を提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、テトラフ
ルオロエチレン-プロピレン系共重合体のラテックスを
無機非金属塩類または特定の有機物で凝固させることに
より、不純物、特に金属成分の含有量が低いゴム材料が
得られることを見出した。
【0008】すなわち本発明は、金属成分の含有量が、
金属元素に基づく量で5,000ppm以下であることを特
徴とする、テトラフルオロエチレン-プロピレン系共重
合体である。
【0009】また、本発明は、テトラフルオロエチレン
-プロピレン系共重合体のラテックスを、無機非金属塩
類または酸の溶液、あるいはカルボン酸、アルコール、
ケトン、エステル、塩素化炭化水素、カチオン系変性ポ
リアクリルアミドより選択される一以上の有機物と接触
せしめ、該ラテックスからテトラフルオロエチレン-プ
ロピレン系共重合体を析出させることを特徴とする、テ
トラフルオロエチレン-プロピレン系共重合体の製造方
法である。本発明はまた、上記製造方法より得られるテ
トラフルオロエチレン-プロピレン系共重合体である。
【0010】ここで、ラテックスの凝固に無機非金属塩
類または酸の溶液、あるいは特定の有機物を使用する点
が、本発明の重要な要件である。後記する比較例にも示
すように、無機金属塩類を使用すると析出分離されるゴ
ム中に金属成分が残存する問題がある。一方、本発明に
従うテトラフルオロエチレン-プロピレン系共重合体
は、ウエハー汚染の原因となる金属または金属化合物を
ほとんど含有せず、耐薬品性、耐プラズマ性に優れるだ
けではなく、発生ガス量が少なく、無色透明であり、半
導体製造用途等で好適に使用される。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【0012】本発明においてテトラフルオロエチレン-
プロピレン系共重合体とは、テトラフルオロエチレンと
プロピレンとを主成分とする共重合体である。例とし
て、旭硝子(株)製のアフラス等が挙げられるが、これ
らに限定されない。テトラフルオロエチレンとプロピレ
ンの他、ヘキサフルオロプロピレン、エチレン、パーフ
ルオロアルキルビニルエーテル等の第三成分を共重合し
たポリマー、ポリオール、ポリアミン用の架橋サイトと
してビニリデンフルオライドを共重合したポリマー、あ
るいはヨウ素、臭素、二重結合等の過酸化物架橋サイト
を有するポリマーでも良い。テトラフルオロエチレンと
プロピレンのモル比の合計は、全モノマーモル比合計の
60%以上、好ましくは85%以上、より好ましくは9
5%以上である。また、テトラフルオロエチレン:プロ
ピレンのモル比は、好ましくは40:60〜65:3
5、より好ましくは50:50〜60:40である。
【0013】これらテトラフルオロエチレン-プロピレ
ン系共重合体は、例えば熱処理によって二重結合等の不
飽和結合を導入したものであっても良い。また、導入し
ていない飽和共重合体でもよい。
【0014】本発明の製造方法においては、テトラフル
オロエチレン-プロピレン系共重合体のラテックスを用
いる。ここで、ラテックスとはポリマーが乳化して水に
分散した状態の縣濁液である。テトラフルオロエチレン
-プロピレン系共重合体のラテックスとしては、市販さ
れているものを使用することができる。また、当該共重
合体をモノマー原料から乳化重合で合成する際の、中間
生成物のラテックスを使用しても良い。例えば、特公昭
61-8086号公報に記載されている、テトラフルオロエチ
レン-プロピレン系共重合体の中間生成物のラテックス
をそのまま使用することもできる。また、固形のテトラ
フルオロエチレン-プロピレン系共重合体を水に分散さ
せてラテックスとしたものを用いても良い。上記ラテッ
クスに、他ポリマーのラテックス、例えば、ビニリデン
フルオライド-ヘキサフルオロプロピレン共重合体のラ
テックス、ビニリデンフルオライド-ヘキサフルオロプ
ロピレン-テトラフルオロエチレン共重合体のラテック
ス、NBRラテックス、SBRラテックス等をブレンドしても
良い。このブレンドラテックスから、共凝固析出したゴ
ムは、各ゴム相が微細かつ均一に分散し、それ故機械的
強度等が優れる利点を有する。
【0015】本発明においては、上記ラテックスを凝固
させるために無機非金属塩類または塩酸、硫酸の溶液あ
るいは特定の有機物を使用する。無機非金属塩類として
は、例えば、塩化アンモニウム、酢酸アンモニウムまた
は硫酸アンモニウムなどのごときアンモニウム塩が挙げ
られるが、これらに限定されない。好ましくは硫酸アン
モニウム、酢酸アンモニウムである。特に酢酸アンモニ
ウムが好ましい。酸としては、例えば塩酸、硫酸、硝酸
等が挙げられるが、これらに限定されない。好ましく
は、塩酸、硫酸である。有機物としては、金属を含有し
ない有機化合物を使用する。例として、カルボン酸等の
有機酸、プロパノール等のアルコール、メチルエチルケ
トン、アセトン等のケトン、酢酸エチル等のエステル、
ジクロロメタン、テトラクロロメタン等の塩素化炭化水
素、カチオン系変性ポリアクリルアミド等が挙げられる
が、これらに限定されない。好ましくは酢酸、メチルエ
チルケトン、酢酸エチルを使用する。特に、メチルエチ
ルケトンが好ましい。
【0016】これらの凝固剤で凝固させることにより、
不純物、特に金属成分をほとんど含有しない共重合体が
得られる。
【0017】凝固溶液の濃度と使用量はラテックスから
共重合体を凝固分離できる必要最小量で十分であるが、
ラテックスの濃度、凝固剤の種類などに応じて適宜変更
可能である。溶液に用いる溶媒にも特に制限はなく、ア
ルコール、水-エタノール混合溶媒、水-アセトン混合溶
媒等を使用することが出来る。凝固剤として酢酸やメチ
ルエチルケトン等の液体を用いる場合には、別途に溶媒
を使用する必要もない。しかしながら無機塩を使用する
場合には、水溶液とするのが好ましい。濃度にも特に制
限はなく、酢酸やメチルエチルケトン等を100%の濃
度で使用しても良い。但し、無機塩溶液の濃度は、好ま
しくは0.01〜50質量%、より好ましくは0.5〜
20質量%程度とする。ラテックス100質量部に対す
る凝固剤(溶液)の使用量は、好ましくは200〜100
0質量部、より好ましくは250〜500質量部程度を
採用する。尚、ラテックスと凝固剤(溶液)の添加順序は
任意に選定できる。例えば、ラテックスに凝固剤水溶液
を添加してもよく、ラテックスと凝固剤水溶液を同時に
混合してもよい。通常は、凝固剤水溶液にラテックスを
添加する方法が好ましく採用される。
【0018】混合方法にも、特に制限はない。例えば、
プロペラミキサー、タービンミキサー、バドルミキサ
ー、往復回転式ミキサー、パイプラインミキサー、渦巻
きポンプ、アンカーミキサー、ゲートミキサー、リボン
ミキサー、ホモミキサー、超音波ミキサー、高圧式ホモ
ジナイザー等のミキサーによって混合することができ
る。凝固はラテックスを析出させる無機非金属塩類や酸
の溶液、あるいは有機物が液体で存在している温度範囲
で行うのが好ましいが、凝固時の温度は限定されない。
【0019】凝固分離した固形分は、その後水洗を行
う。水洗方法の例としては、ミキサーに凝固分離した固
形分と水とを投入し水洗するバッチ式の水洗、フィルタ
ー上で流水しながらの水洗が挙げられるが、これらに限
定されない。洗浄水の温度は、好ましくは0〜100
℃、より好ましくは10〜90℃である。また、洗浄水
の電気伝導率は、好ましくは0.055〜200μS/
cm、より好ましくは0.055〜20μS/cm程度
とする。特に0.055〜2μS/cmが好ましい。次
いで、凝固分離した固形分は充分洗浄し、しかる後に例
えば100〜150℃に保たれた熱風乾燥機によって乾
燥処理され、本発明のテトラフルオロエチレン-プロピ
レン系共重合体が得られる。尚、乾燥方式は限定されな
い。
【0020】こうして得られる本発明のテトラフルオロ
エチレン-プロピレン系共重合体は、不純物、特に金属
成分の残存量が極めて少ない。金属元素に基づく量で、
その含有量は5,000ppm以下、好ましくは2,000p
pm以下、より好ましくは1,000ppm以下、特に好まし
くは500ppm以下である。より好ましい態様において
は、鉄分、アルカリ金属分の含有量が低く、いずれも鉄
またはアルカリ金属元素に基づく量で500ppm以下、
特に100ppm以下となる。さらに好ましい態様におい
ては、燐または燐化合物、カルシウムまたはカルシウム
化合物、アルミニウムまたはアルミニウム化合物のいず
れかの含有量が、いずれもそれぞれの金属元素に基づく
量で500ppm以下となる。
【0021】更に、凝固後の固形分を特定条件の熱処理
に付すことにより、テトラフルオロエチレン-プロピレ
ン系共重合体中の低分子量成分が除去されて架橋性、特
に過酸化物による架橋性が向上し、ふっ素ゴム成形体と
したときの放出ガス量をより低減することができるよう
になる。具体的には、100℃の温度に30分間保持さ
れた際の放出ガス量が3ppm以下に放出ガス量が低減
される。
【0022】熱処理温度は、好ましくは250〜400
℃、より好ましくは280〜380℃、特に好ましくは
300〜350℃ある。処理温度が低いと、十分な放出
ガス低減が出来ないおそれがある。処理温度が高すぎる
と、テトラフルオロエチレン-プロピレン系共重合体の
劣化、それに伴う物性低下を引き起こすことがある。処
理時間に関しては、テトラフルオロエチレン-プロピレ
ン系共重合体の種類、処理温度に応じ、任意に設定する
ことが可能である。好ましくは15分間〜50時間、よ
り好ましくは30分間〜20時間、特に好ましくは1時
間〜10時間とし、弾性固体状を失わない範囲で行う。
処理時間が極端に短いと、十分な放出ガス低減が出来な
いおそれがある。
【0023】尚、この熱処理により特に過酸化物による
架橋性が向上するが、これはテトラフルオロエチレン-
プロピレン系共重合体の分子構造の変化によるものと考
えられる。熱処理によって、テトラフルオロエチレン-
プロピレン系共重合体の一部がゲル成分と化す。ゲル成
分の比率は、好ましくは1〜70質量%、より好ましく
は10〜60質量%である。そして、上記のような適当
な条件で熱処理されることによって、部分的に主鎖の分
解や脱ふっ酸反応等が起こり、ゲル化と同時に二重結合
が生成し、これが架橋サイトとして働くと考えられる。
また、熱処理条件が不適当だと熱分解が進行しない、あ
るいは、二重結合が導入されないと考えられる。
【0024】本発明に従う上記テトラフルオロエチレン
-プロピレン系共重合体から得られる架橋成形体は、耐
熱性、耐薬品性の他、耐プラズマ性にも優れ、ウエハー
汚染や薬液汚染の原因となる金属成分の量が低減されて
いる。また、放出ガス量も少ない。そのため、半導体製
造装置、半導体搬送装置、食品製造装置、食品移送器、
食品貯蔵器、医療部品等、クリーン環境用に好適であ
る。例えば半導体製造分野では、ウェット洗浄装置、プ
ラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置、プラ
ズマCVD装置、イオン注入装置、スパッタリング装置
等の半導体製造装置、及びこれら装置の付属機器である
ウエハ搬送機器等に使用できる。医療分野ではチューブ
やゴム栓、食品分野では熱交換器用ガスケット等に使用
できる。以下に、成形方法に関して好ましい態様を示
す。
【0025】成形方法は制限されるものではなく、任意
の慣用の方法で架橋し、所望の形状へと成形することが
出来る。例えば化学架橋剤、好適には過酸化物を用いて
の化学架橋成形、または、成形後電離放射線により架橋
を行うことができる。化学架橋と電離放射線を併用して
も良い。
【0026】化学架橋剤としては、ポリアミン架橋剤、
ポリオール架橋剤、過酸化物架橋剤を用いることができ
る。また、これらの化学架橋剤を併用することもでき
る。ポリアミン架橋剤としては、例えば、トリエチレン
テトラミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘキサメチレン
ジアミンカルバメート、テトラエチレンペンタミン、エ
チレンジアミンカルバメート、N,N'−ジシナミリデン−
1,6−ヘキサジアミンを挙げることができるが、これら
に限定されない。ポリオール架橋剤としては、例えば、
ビスフェノールAF、ビスフェノールA、p,p'−ビスフェ
ノール、4,4'−ジヒドロキシジフェニルメタン、ヒドロ
キノンを挙げることができるが、これらに限定されな
い。過酸化物架橋剤としては例えば、ジt-ブチルパーオ
キシド、ジクミルパーオキシド、t-ブチルクミルパーオ
キシド、1,1-ジ(t-ブチルパーオキシ)-3,3,5-トリメチ
ルシクロヘキサン、ベンゾイルパーオキシド、n-ブチル
-4,4-ビス(t-ブチルペルオキシ)バレレート、α,α'-ビ
ス(t-ブチルペルオキシ)ジイソプロピルベンゼン、2,5-
ジメチル-2,5-ビス(t-ブチルペルオキシ)ヘキサン、2,5
-ジメチル-2,5-ビス(t-ブチルペルオキシ)ヘキシン-3、
t-ブチルクミルペルオキシド、ジt-ブチルペルオキシド
等を用いて架橋することが出来るが、これらに限定され
ない。
【0027】また、カーボンブラック、シリカ等の無機
充填剤;ポリテトラフルオロエチレン樹脂、他のフルオ
ロポリマー、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂等の有
機充填剤;あるいは綿、レーヨン、ナイロン、ポリエス
テル等の補強用繊維;パーフルオロポリエーテル等の可
塑剤を配合しても良い。複数の充填剤を併用することも
可能である。これら配合物を含有させることにより、得
られる架橋成形体の強度、硬度、あるいは柔軟性を高める
ことが出来る。また、特にポリオール架橋を行う場合、
受酸剤、例えば1,8-ビス-ジメチルアミノナフタレン、
オクタデシルアミン等の有機酸受容体を配合しても良
い。
【0028】しかしながら、本発明の共重合体には、フ
ィラーや繊維等の配合剤を、一切配合しないことが好ま
しい。このことによって、得られる架橋成形物はクリー
ン環境での使用により適するものとなる。
【0029】また、電離性放射線によって架橋すること
が好ましい。電離放射線による架橋は架橋剤や受酸剤を
必要としないことから、得られる架橋成形体は架橋剤や
受酸剤由来の金属塩や金属酸化物等汚染源を含有せず、
耐薬品性も良好となり、更には架橋に際して着色するこ
ともないため、クリーン環境での使用に好適である。電
離放射線の種類としては、直接または間接に空気を電離
する能力を持つ電磁波または粒子線であれば適用可能で
あり、例えばα線、β線、γ線、重陽子線、陽子線、中
性子線、X線、電子線が挙げられるが、これらに限定さ
れない。これら放射線を組み合わせて使用しても良い。
特にγ線が好適に使用される。γ線は、透過力が高いた
めふっ素ゴムが均一に架橋される。また、γ線を照射す
る場合は、真空または不活性ガス雰囲気で行うことが好
ましい。酸素雰囲気中では、ポリマーが分解する場合が
あり、好ましくない。
【0030】尚、電離放射線を照射した場合、架橋と分
解とが同時に起こるため、照射量が多すぎる場合は分解
のために物性が低下し、照射量が少なすぎる場合は架橋
不足のために耐熱性が低下する。よって、電離放射線の
照射量はある適当な範囲であることが好ましい。電離放
射線の照射総量は、好ましくは10〜500kGy、より
好ましくは30〜350kGy、さらに好ましくは60〜
300kGyである。電離放射線の線量を上記範囲とする
ことで、物性の良好な架橋成形体が得られる。
【0031】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳しく説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0032】(実施例1)内容積100mLのステンレ
ス製オートクレーブに、40gのイオン交換水、5gの
第三級ブタノール、0.5gのC8F17COONH4、1gのNa2
HPO4・12H2O、0.1gのNaOHを仕込み、少量の水に溶
解した過硫酸アンモニウム0.5gを加えた。液体窒素
で冷却した後、予め調整した0.0075gのFeSO4・7
H2O、0.009gのEDTA(エチレンジアミン四酢酸2
ナトリウム塩・2H2O、以下同じ)、および0.04gの
CH2(OH)SO2Naを水溶液5gを加え、オートクレーブ内
を脱気した。かくして得られる触媒含有水性媒体のpH
は9.1であった。C2F4/C3H6のモル比を85/15に調整
したテトラフルオロエチレンとプロピレンの混合ガス
8.2gをオートクレーブ内に仕込み、25℃に調整し
た恒温槽内でオートクレーブを振とうすることにより共
重合反応を実施した。その結果、共重合反応速度120
g/L・hrでC2F4/C3H6含有モル比55/45、分子
量13.3万のテトラフルオロエチレン-プロピレン共
重合体ラテックスが得られた。
【0033】このラテックスに対し5倍量の酢酸アンモ
ニウム水溶液(濃度10質量%)を凝固槽に投入し、撹
拌下に上記ラテックスを滴下した。この操作により、ラ
テックスは凝固分離し、凝固分離した固形物を水洗、乾
燥した。かくして得られた生ゴムは、乳化剤やその他の
重合副資材をほとんど含まなかった。得られた生ゴムに
ついて、金属の精密分析を行った。即ち、上記生ゴム1
gを白金坩堝に量り採り、バーナーで加熱分解し、残渣
に30質量%塩酸10mLを加え、加熱溶解し、水で5
0mLに定容した。かくして得られた溶液を誘導結合プ
ラズマ発光分光分析方法(ICP−AES)により含有
金属の定性、定量分析を行った。分析結果を表1に示
す。
【0034】(実施例2)実施例1に記したラテックス
を、室温にてそれの5倍量のメチルエチルケトンに滴下
した以外は実施例1と同様な操作を行って生ゴムを得
た。また、同様な操作で含有金属の定性、定量分析を行
った。分析結果を表1に示す。
【0035】(比較例1)実施例1に記したラテックス
を、室温にてそれの5倍量の塩化カルシウム水溶液(濃
度1質量%)に滴下した以外は実施例1と同様な操作を
行って生ゴムを得た。また、同様に含有金属の定性、定
量分析を行った。分析結果を表1に示す。
【0036】(比較例2)実施例1に記したふっ素ゴム
ラテックスを、室温にてそれの5倍量の塩化カリウム水
溶液(濃度20質量%)に滴下した以外は実施例1と同
様な操作を行って生ゴムを得た。また、同様に含有金属
の定性、定量分析を行った。分析結果を表1に示す。
【0037】(実施例3)実施例1に記したラテックス
を、室温にてそれの5倍量の硫酸アンモニウム水溶液
(濃度30質量%)に滴下して凝固させた。凝固分離した
固形分を水道水で洗浄後、100℃で16時間乾燥させ
た。得られた生ゴムの灰分をTG/DTA(空気流下6
00℃まで加熱)により測定し、更に測定後の灰分につ
いてEDSによる分析を行い、各金属量及び全金属量を
算出した。結果を表2に示す。
【0038】(実施例4)硫酸アンモニウム水溶液の代
わりに酢酸アンモニウム水溶液(濃度30質量%)を用い
た以外は実施例3と同じ操作を行った。分析結果を表2
に示す。
【0039】(比較例3)硫酸アンモニウム水溶液の代
わりに塩化カルシウム水溶液(濃度30質量%)を用い、
実施例3と同じ操作を行った。分析結果を表3に示す。
【0040】
【表1】
【0041】
【表2】
【0042】表1及び表2に示すように、本発明に従う
各実施例の生ゴムは、何れも総灰分量が5000ppm
以下である。また、各実施例の生ゴムは鉄の含有量が極
めて少量で、特に実施例2及び実施例3の生ゴムでは鉄
が全く検出されていない。更に実施例1及び実施例4の
生ゴムは、アルカリ金属(ナトリウム、カリウム)も極
めて少量である。
【0043】(実施例5)実施例1に記した生ゴムに、
ギアオーブンで300℃、8時間の熱処理を行った。こ
うして得られた生ゴムについて、後述する方法にてゲル
分率を測定した。また、熱処理後の生ゴム100質量
部、1,1−ジ−(t−ブチルペルオキシ)−3,5−
トリメチルシクロヘキサン1質量部、トリアリルイソシ
アート2質量部を二軸ロールによって練り込んだ。これ
を150℃の熱プレスで100mm×100mm×2m
mのシート状に成形した(一次架橋)。このシートをさ
らに、ギアオーブンに入れ、200℃、4時間二次架橋
した。
【0044】(実施例6)実施例1に記した生ゴムに、
ギアオーブンにて350℃、4時間の加熱処理を行っ
た。そして、その他は実施例5と同様な操作を行って架
橋成形体を作製し、同様のゲル分率及び放出ガス量の測
定を行った。
【0045】(実施例7)実施例1に記した生ゴムに、
ギアオーブンにて250℃、4時間の加熱処理を行っ
た。そして、その他は実施例5と同様な操作を行って架
橋成形体を作製し、同様のゲル分率及び放出ガス量の測
定を行った。
【0046】(比較例4)実施例1に記した生ゴムに、
ギアオーブンにて450℃、4時間の加熱処理を行っ
た。その結果、ゴムが軟化し弾性固体状を失い、成形不
能となった。
【0047】(比較例5)実施例1に記した生ゴムに、
ギアオーブンにて300℃、70時間の加熱処理を行っ
た。その結果、ゴムが炭化し弾性固体状を失い、成形不
能となった。
【0048】(評価項目と測定方法) ○ゲル分率:架橋前の生ゴム1gを量り取り、テトラヒ
ドロフラン99gに浸漬し3日間放置した。溶解しなか
ったゲル分を濾紙で濾し取り、質量測定してゲル分率を
算出した。 ○放出ガスの定性、定量分析:パージ&トラップ−ガス
クロマトグラフ質量分析法にて、加熱条件は100℃、
30分間とし、パージガスとしてはHeを使用した。定
量は標準物質としてn−デカンを使用した。
【0049】実施例5、実施例6、実施例7、比較例4
及び比較例5の測定結果を表3に示す。尚、比較例4及
び比較例5については、架橋成形体が得られなかったた
め、ゲル分率のみを測定した結果を示す。
【0050】また、比較のために実施例1の生ゴムを用
い、加熱処理することなく、実施例5と同様にして架橋
成形体を作製し、その放出ガス量を測定した。測定結果
を表3に参考例として示した。
【0051】
【表3】
【0052】表3に示すように、生ゴムに本発明に従う
特定の加熱処理を施すことにより、架橋成形体の放出ガ
ス量を低減できることがわかる。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属成分の含有量並びに放出ガス量が極めて少なく、半
導体製造装置、半導体搬送装置、食品製造装置、食品移
送器用、食品貯蔵器用、医療部品等のクリーン環境用部
材の原料として好適なテトラフルオロエチレン-プロピ
レン系共重合体が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 均 静岡県浜松市新都田1−8−1 (72)発明者 村上 淳 静岡県浜松市新都田1−8−1 (72)発明者 斉藤 正幸 千葉県市原市五井海岸10 旭硝子株式会社 内 (72)発明者 三輪 哲哉 千葉県市原市五井海岸10 旭硝子株式会社 内 Fターム(参考) 4J100 AA03Q AC26P CA04 EA07 GC35 JA28 JA46

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属成分の含有量が、金属元素に基づく
    量で5,000ppm以下であることを特徴とする、テトラ
    フルオロエチレン-プロピレン系共重合体。
  2. 【請求項2】 ふっ素ゴム中の鉄または鉄化合物の含有
    量が、鉄元素に基づく量で500ppm以下である、請求
    項1記載のテトラフルオロエチレン-プロピレン系共重合
    体。
  3. 【請求項3】 ふっ素ゴム中のアルカリ金属またはアル
    カリ金属化合物の含有量が、アルカリ金属元素に基づく
    量で500ppm以下である、請求項1または2に記載の共
    重合体。
  4. 【請求項4】 テトラフルオロエチレン-プロピレン系
    共重合体のラテックスを無機非金属塩類または酸の溶液
    と接触せしめ、該ラテックスからテトラフルオロエチレ
    ン-プロピレン系共重合体を析出させることを特徴とす
    る、テトラフルオロエチレン-プロピレン系共重合体の
    製造方法。
  5. 【請求項5】 ラテックスからの析出物を、250〜4
    00℃に15分間〜50時間加熱することを特徴とす
    る、請求項4記載のテトラフルオロエチレン-プロピレ
    ン系共重合体の製造方法。
  6. 【請求項6】 無機非金属塩類がアンモニウム塩である
    ことを特徴とする、請求項4または5記載のテトラフル
    オロエチレン-プロピレン系共重合体の製造方法。
  7. 【請求項7】 テトラフルオロエチレン-プロピレン系
    共重合体のラテックスを、カルボン酸、アルコール、ケ
    トン、エステル、塩素化炭化水素、カチオン系変性ポリ
    アクリルアミドより選択される一以上の有機物と接触せ
    しめ、該ラテックスからテトラフルオロエチレン-プロ
    ピレン系共重合体を析出させることを特徴とする、テト
    ラフルオロエチレン-プロピレン系共重合体の製造方
    法。
  8. 【請求項8】 ラテックスからの析出物を、250〜4
    00℃に15分間〜50時間加熱することを特徴とす
    る、請求項7記載のテトラフルオロエチレン−プロピレ
    ン系共重合体の製造方法。
  9. 【請求項9】 有機物が、酢酸、メチルエチルケトン、
    酢酸エチルのいずれかであることを特徴とする、請求項
    7または8記載の製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項4〜9のいずれか1項に記載の
    製造方法により得られることを特徴とする、テトラフル
    オロエチレン-プロピレン系共重合体。
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