JP2004026680A - ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜 - Google Patents

ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜 Download PDF

Info

Publication number
JP2004026680A
JP2004026680A JP2002182395A JP2002182395A JP2004026680A JP 2004026680 A JP2004026680 A JP 2004026680A JP 2002182395 A JP2002182395 A JP 2002182395A JP 2002182395 A JP2002182395 A JP 2002182395A JP 2004026680 A JP2004026680 A JP 2004026680A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ruthenium
compound
complex
sodium
potassium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002182395A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2004026680A5 (https=
Inventor
Hideyuki Hirakoso
平社　英之
Masayuki Ishikawa
石川　雅之
Akio Yanagisawa
柳澤　明男
Katsumi Ogi
小木　勝実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2002182395A priority Critical patent/JP2004026680A/ja
Priority to PCT/JP2003/000074 priority patent/WO2003057706A1/ja
Priority to KR10-2004-7010539A priority patent/KR20040072701A/ko
Priority to US10/499,822 priority patent/US7045645B2/en
Publication of JP2004026680A publication Critical patent/JP2004026680A/ja
Publication of JP2004026680A5 publication Critical patent/JP2004026680A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
JP2002182395A 2002-01-08 2002-06-24 ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜 Pending JP2004026680A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002182395A JP2004026680A (ja) 2002-06-24 2002-06-24 ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
PCT/JP2003/000074 WO2003057706A1 (fr) 2002-01-08 2003-01-08 Composes a base de ruthenium, leur procede de preparation, et films minces contenant du ruthenium fabriques a partir de tels composes
KR10-2004-7010539A KR20040072701A (ko) 2002-01-08 2003-01-08 루테늄 화합물 및 그 제조 방법 그리고 그 화합물에 의해얻어진 루테늄 함유 박막
US10/499,822 US7045645B2 (en) 2002-01-08 2003-01-08 Ruthenium compounds, process for their preparation, and ruthenium-containing thin films made by using the compounds

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002182395A JP2004026680A (ja) 2002-06-24 2002-06-24 ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004026680A true JP2004026680A (ja) 2004-01-29
JP2004026680A5 JP2004026680A5 (https=) 2005-04-07

Family

ID=31178911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002182395A Pending JP2004026680A (ja) 2002-01-08 2002-06-24 ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004026680A (https=)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020083895A (ja) * 2018-11-28 2020-06-04 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー 気相堆積のための低ハロゲン化物ランタン前駆体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020083895A (ja) * 2018-11-28 2020-06-04 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー 気相堆積のための低ハロゲン化物ランタン前駆体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101244972B1 (ko) 막 형성용 전구체 및 루테늄 함유 막 형성 방법
KR101483318B1 (ko) 기판상에 루테늄계 막을 형성하는 방법
JP4759126B2 (ja) 化学気相蒸着用の有機金属化合物及び化学気相蒸着用の有機金属化合物の製造方法並びに貴金属薄膜及び貴金属化合物薄膜の化学気相蒸着方法
JP2000212744A (ja) ルテニウム系薄膜
JPH0927602A (ja) キャパシタおよび高容量キャパシタの製造方法
JP3224450B2 (ja) 酸化ルテニウムの成膜方法
JP5260148B2 (ja) ストロンチウム含有薄膜の形成方法
KR100852234B1 (ko) 금속 산화막의 형성 방법, 이를 이용한 게이트 구조물의제조 방법 및 커패시터의 제조 방법
JPH0641631B2 (ja) 酸化タンタル膜の化学気相成長法および化学気相成長装置
JP3611640B2 (ja) 第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物
JP2004026680A (ja) ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
JP2003282449A (ja) 気化器及び半導体製造装置の洗浄方法
JP4770145B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2006225381A (ja) Ｔｉ前駆体、その製造方法、該Ｔｉ前駆体を利用したＴｉ−含有薄膜の製造方法及び該Ｔｉ−含有薄膜
JP4051532B2 (ja) 有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物の製造方法及び該方法により得られた有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
JP2004018466A (ja) ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
JP4438266B2 (ja) ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム錯体の合成方法、使用済の該錯体の精製方法及び該錯体の再利用方法
US7045645B2 (en) Ruthenium compounds, process for their preparation, and ruthenium-containing thin films made by using the compounds
US20110224453A1 (en) Ruthenium compound, method of producing the same, method of producing ruthenium-containing thin film using the same, and ruthenium-containing thin film
JP2004300152A (ja) 有機金属化合物の製造方法並びに該化合物により得られた金属含有薄膜
JP2004018467A (ja) ルテニウム化合物及びその製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
JP2004292332A (ja) ルテニウム化合物の製造方法並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
JP2009007270A (ja) ルテニウム化合物の製造方法および薄膜の製造方法
JP2005206874A (ja) イリジウム含有膜形成材料及びイリジウム含有膜の製造方法
JP2005187356A (ja) 有機金属化合物及びその溶液原料並びに該化合物を用いた金属含有膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040513

A621 Written request for application examination

Effective date: 20050318

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081118

A02 Decision of refusal

Effective date: 20091027

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02