JP2004023135A - 電流−電圧変換回路および固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インピーダンス変換器111をゲート接地MOSトランジスタQ3と定電流源I3、I4とで構成し、定電流源I3をMOSトランジスタQ3のドレインと電源(Vdd)の間に接続し、定電流源I4をMOSトランジスタQ3のソースとグランド(GND)の間に接続し、電流入力をMOSトランジスタQ3のソースとし、電流出力をMOSトランジスタQ3のドレインとした。そして、定電流源I3、I4を構成するトランジスタには、相互コンダクタンスがMOSトランジスタQ3のそれに比べ十分低いトランジスタを使用する。カレントミラーを使用していないため、トランジスタ2つ分の大きなノイズ電流が付加されず、ノイズパワーを抑制できる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換回路に関し、例えば固体撮像素子から出力される画素信号の電流−電圧変換を行う回路に有効な構成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、従来から普及しているCCD型イメージセンサの他に、増幅型固体撮像素子(CMOS型イメージセンサ)の開発が活発になされている。
これらのイメージセンサは、いずれも光電変換手段(フォトダイオード;PD)を設けた複数の単位画素が撮像領域内に2次元配列のアレイ状に配置されたものである。
そして、CCD型イメージセンサでは、各単位画素に入射した光をフォトダイオードによって光電変換して信号電荷を生成し、この信号電荷を垂直CCD転送レジスタおよび水平CCD転送レジスタを介して出力部に設けたフローティングデフュージョン(FD)部に転送する。そして、このFD部の電位変動をMOSトランジスタによって検出し、これを電気信号に変換、増幅することにより、撮像信号として出力する。
【0003】
一方、CMOS型イメージセンサでは、各単位画素内にFD部や転送、増幅等の各種MOSトランジスタを有し、各単位画素に入射した光をフォトダイオードによって光電変換して信号電荷を生成し、この信号電荷を転送トランジスタによってFD部に転送し、このFD部の電位変動を増幅トランジスタによって検出し、これを電気信号に変換、増幅することにより、各画素毎の信号を信号線より出力する。
【0004】
ところで、この種のCMOS型イメージセンサにおいて、各画素からの画素信号を取り出す場合に電圧信号として取り出す方式が一般的であるが、電流信号で取り出す方式のものが開発されている(例えば、「ITE Technical Report Vol.24, No.27, pp.1−4, Mar., 2000」参照)。
図2は、このような電流信号取り出し方式を使用したCMOS型イメージセンサの構成例を示す等価回路図であり、1つの画素から素子チップの出力端子までの構成例を示している。
このCMOS型イメージセンサは、画素内にフォトダイオードPDと5つのMOSトランジスタM1〜M5を設けたものである。
【0005】
フォトダイオードPDは、受光した光の受光量に対応した信号電荷を生成し、蓄積する光電変換手段であり、このフォトダイオードPDによって生成、蓄積された信号電荷は、転送トランジスタM2の動作によってFD(フローティングデフュージョン)部に転送される。
また、転送選択トランジスタM1は、列選択信号及び行選択信号に基づいて転送トランジスタM2を選択的に駆動させるものである。また、リセットトランジスタM3は、リセット信号に基づいてFD部の電圧を定期的にリセットするものである。
また、増幅トランジスタM4は、FD部がゲートに接続され、このFD部の電圧に応じた電流信号を出力するものである。また、選択トランジスタM5は、列選択信号に基づいて増幅トランジスタM4からの電流信号を画素外に出力するものである。
【0006】
そして、このような構成の画素の後段には、各画素列毎にIV変換回路10およびCDS回路20等が設けられている。
IV変換回路10は、上述のような構成の画素から出力される電流信号を画素行選択用のトランジスタM6を通して入力し、これを電圧信号に変換するものである。
CDS回路20は、IV変換回路10から出力された電圧信号の画素信号についてCDS(相関二重サンプリング)処理を行うものである。なお、CDS回路20では、CDS処理して画素信号をさらにゲインコントロールやA/D変換を施されて出力端子Outputに出力される。
【0007】
図3は、上述したIV変換回路10の構成例を示す等価回路図である。
このIV変換回路10は、インピーダンス変換器11とオペアンプ部12とで構成されている。
インピーダンス変換器11は、電源VddとGNDの間に並列に2つの定電流源I1、I2とトランジスタQ1、Q2の直流回路を接続してカレントミラーを構成したものである。そして、トランジスタQ1、Q2の共通接続されたゲートに入力端子11Aが接続され、定電流源I2とトランジスタQ2の接続点から出力端子11Bが引き出されている。
また、オペアンプ部12は、オペアンプ12Aの−入力端子にインピーダンス変換器11の出力が接続され、オペアンプ12Aの+入力端子に基準電圧が供給されている。また、オペアンプ12Aの出力端子は、IV変換回路10の出力端子に接続されるとともに、帰還抵抗Rを介して−入力端子に接続されている。
【0008】
このような構成において、インピーダンス変換器11の入力は、ダイオード接続のトランジスタQ1により、低インピーダンス入力となっている。このため増幅トランジスタM4のゲート電圧の変化(信号)が増幅トランジスタM4のgm(相互コンダクタンス)により電流信号iiに変換され、インピーダンス変換器11に流入する。
一方、インピーダンス変換器11のカレントミラーの作用により、入力電流信号iiは出力電流ioとして高出力インピーダンスで出力される。
なお、付け加えるならば、トランジスタQ1、Q2のパターン(W/L)を等しくすれば、ii=ioとなるのは自明である。また、定電流源I1を必要とする理由は、トランジスタQ1のgmをトランジスタM4のgmに比べ十分高くして、インピーダンス変換器11の入力インピーダンスを低く押さえるためである。一方、定電流源I2の作用は、オペアンプ12Aへのオフセット電流を低減させる効果を持つ。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のIV変換回路では、電流ノイズが大きいという課題がある。
ここで、トランジスタM4、Q1、Q2のgmをgmM4、gmQ1、gmQ2とし、定電流源I1、I2がgmI1、gmI2なるトランジスタで構成されているとする。さらに仮定として、
gmQ1=gmQ2
gmQ1>>gmM1
が成り立つものとすると、出力電流ioに含まれるノイズパワーPnは、
Pn=(8/3)kT(gmM4+gmQ1+gmQ2+gmI1+gmI2) となる。
【0010】
また、定電流源I1、I2を注意深く設計(例えば低gmのトランジスタを使用)するならば、出力電流ioに含まれるノイズパワーPnは、トランジスタQ1、Q2によるノイズ成分
(8/3)kT(gmQ1+gmQ2)
が支配することになる。
先に述べたように、インピーダンス変換器11の低入力インピーダンスのためgmQ1を低く設計できず、このインピーダンス変換器11がノイズを多く発生させる要因となる。
【0011】
そこで本発明の目的は、上記従来例の構成によるインピーダンス変換器を改良し、ノイズの少ない電流−電圧変換回路および固体撮像素子を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するため、入力電流のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器と、前記インピーダンス変換器からの出力電流を電圧出力に変換するオペアンプ部とを有する電流−電圧変換回路において、前記インピーダンス変換器は、第1の基準電位と第2の基準電位との間に第1の定電流源、ゲート接地トランジスタ、および第2の定電流源を直列接続し、前記第1の定電流源とゲート接地トランジスタとの接続点に前記入力電流の入力端子を設け、前記ゲート接地トランジスタと第2の定電流源との接続点に前記オペアンプ部への出力端子を設けたことを特徴とする。
【0013】
また本発明は、複数の画素で得られる画素信号を電流信号として出力する撮像画素部と、前記撮像画素部から出力される電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換回路と、前記電流−電圧変換回路によって電圧信号に変換された画素信号を信号処理する信号処理回路とを有する固体撮像素子において、前記電流−電圧変換回路は、入力電流のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器と、前記インピーダンス変換器からの出力電流を電圧出力に変換するオペアンプ部とを有し、前記インピーダンス変換器は、第1の基準電位と第2の基準電位との間に第1の定電流源、ゲート接地トランジスタ、および第2の定電流源を直列接続し、前記第1の定電流源とゲート接地トランジスタとの接続点に前記入力電流の入力端子を設け、前記ゲート接地トランジスタと第2の定電流源との接続点に前記オペアンプ部への出力端子を設けたことを特徴とする。
【0014】
本発明の電流−電圧変換回路では、入力電流のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器が第1の定電流源、ゲート接地トランジスタ、および第2の定電流源を直列接続した構成を有し、カレントミラー回路を用いずにインピーダンス変換を行うことから、トランジスタの相互コンダクタンスによって支配的な影響を受けるノイズパワーを1つのゲート接地トランジスタを用いる構成によって減少でき、電流−電圧変換に伴うノイズを有効に抑制することが可能である。
【0015】
また、本発明の固体撮像素子では、撮像画素部から出力される電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換回路において、入力電流のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器が第1の定電流源、ゲート接地トランジスタ、および第2の定電流源を直列接続した構成を有し、カレントミラー回路を用いずにインピーダンス変換を行うことから、トランジスタの相互コンダクタンスによって支配的な影響を受けるノイズパワーを1つのゲート接地トランジスタを用いる構成によって減少でき、電流−電圧変換に伴うノイズを有効に抑制することが可能であることから、ノイズの少ない撮像信号を出力することが可能である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による電流−電圧変換回路路および固体撮像素の実施の形態例について説明する。
図1は、本発明の実施の形態による電流−電圧変換回路の構成を示す等価回路図である。
本実施の形態による電流−電圧変換回路は、例えば図2に示した増幅型固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)の出力段に設けられるIV変換回路に適用したものであり、電流入出力型のインピーダンス変換器111と電流入力型のオペアンプ部112から構成されている。
【0017】
そして、インピーダンス変換器111は、電源Vdd(第1の基準電位)とグランドGND(第2の基準電位)の間に、定電流源I3(第1の定電流源)、MOSトランジスタQ3(ゲート接地トランジスタ)、定電流源I4(第2の定電流源)を直列に接続しており、MOSトランジスタQ3は、ゲートが直流電圧源Vsを介してグランドGNDに接続されたゲート接地型回路となっている。
また、MOSトランジスタQ3と定電流源I4との間に入力端子111Aが設けられ、定電流源I4とMOSトランジスタQ3との間に出力端子111Bが設けられている。なお、定電流源I3、I4は、それぞれMOSトランジスタ(図示せず)を用いた一般的な定電流回路であり、これら定電流源I3、I4のトランジスタは中間のMOSトランジスタQ3に比べ十分低い相互コンダクタンスを有するものとする。
一方、オペアンプ部112は、図3に示した従来例と同様の構成を有し、オペアンプ112Aの−入力端子にインピーダンス変換器111の出力が接続され、オペアンプ112Aの+入力端子に基準電圧が供給されている。また、オペアンプ112Aの出力端子は、IV変換回路の出力端子に接続されるとともに、帰還抵抗Rを介して−入力端子に接続されている。
【0018】
以下、本実施の形態例によるIV変換回路における動作を図3に示す従来例と対比して説明する。
上述したように、本実施の形態例によるIV変換回路は、インピーダンス変換器111をゲート接地MOSトランジスタQ3と定電流源I3、I4とで構成し、定電流源I3をMOSトランジスタQ3のドレインと電源(Vdd)の間に接続し、定電流源I4をMOSトランジスタQ3のソースとグランド(GND)の間に接続し、電流入力(入力端子111A)をMOSトランジスタQ3のソースとし、電流出力(出力端子111B)をMOSトランジスタQ3のドレインとしたものである。
そして、この構成で重要な点は、定電流源I3、I4を構成するトランジスタに、相互コンダクタンスがMOSトランジスタQ3のそれに比べ十分低いトランジスタを使用することにある。
【0019】
図3に示す従来例でノイズが大きい原因は、まず第一に低入力インピーダンスを実現するためのダイオード接続のトランジスタQ1のgmが高く、このため大きなノイズ電流が発生する点である。
また、第二に、トランジスタQ1、Q2でカレントミラーを構成しているため、出力電流ioを入力電流iiと同程度にするためには、トランジスタQ2のgmもトランジスタQ1と同程度に高く設計する必要が生じ、出力電流ioにトランジスタQ2の大きなノイズ電流が加わることとなる点である。
【0020】
図1に示す本実施の形態例による回路は、この点を改良したものである。
まず、本実施の形態例による回路では、低入力インピーダンスを実現するために、ゲート接地のトランジスタQ3を使用している。そして、低入力インピーダンスを実現するためには、やはりトランジスタQ3のgmを高く設定する必要があり、この点は図3に示す従来例を同様であるが、本実施の形態例による回路では、カレントミラーを使用していないため、図3のトランジスタQ2のような大きなノイズ電流が付加されることはない。
【0021】
したがって、本実施の形態による回路では、出力電流ioに含まれる電流ノイズのパワーPnは、
Pn=(8/3)kT(gmM4+gmQ3+gmI3+gmI4)
となる。
ただし、gmQ3はトランジスタQ3の相互コンダクタンスであり、gmI3、gmI4は電流源I3、I4を構成するトランジスタの相互コンダクタンスであるものとする。
【0022】
また、従来例と同様に、
gmQ3>>gmM1
が成り立つものとし、電流源I3、I4に低gmのトランジスタを使用するならば、出力電流ioに含まれるノイズパワーPnはトランジスタQ3によるノイズ成分
(8/3)kTgmQ3
が支配することになる。
この結果、本実施の形態例による回路では、上記従来例に比べて、およそ3dBの電流ノイズを低減することが可能である。
【0023】
なお、以上の説明では、電流−電圧変換回路の単体の構成について説明したが、これを図2に示すような電流出力型の撮像画素部を有するCMOSイメージセンサ等の固体撮像素子に設けられるIV変換回路に適用することにより、この種の固体撮像素子における撮像信号の低ノイズ化を図ることが可能である。したがって、このような電流−電圧変換回路を用いた固体撮像素子についても本発明に含まれるものである。
また、固体撮像素子の構成としては、図2に示す各画素に5つのトランジスタを設けたものに限らず、例えば画素毎に3つのトランジスタを設けたものや、4つのトランジスタを設けたものについても同様に適用できるものである。
また、本発明は、このような固体撮像素子用の電流−電圧変換回路に限定されるものではなく、種々の回路に搭載される電流−電圧変換回路に広く適用することが可能である。
【0024】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の電流−電圧変換回路によれば、入力電流のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器が第1の定電流源、ゲート接地トランジスタ、および第2の定電流源を直列接続した構成を有し、カレントミラー回路を用いずにインピーダンス変換を行うことから、トランジスタの相互コンダクタンスによって支配的な影響を受けるノイズパワーを1つのゲート接地トランジスタを用いる構成によって減少でき、電流−電圧変換に伴うノイズを有効に抑制することができる効果がある。
【0025】
また、本発明の固体撮像素子によれば、撮像画素部から出力される電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換回路において、入力電流のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器が第1の定電流源、ゲート接地トランジスタ、および第2の定電流源を直列接続した構成を有し、カレントミラー回路を用いずにインピーダンス変換を行うことから、トランジスタの相互コンダクタンスによって支配的な影響を受けるノイズパワーを1つのゲート接地トランジスタを用いる構成によって減少でき、電流−電圧変換に伴うノイズを有効に抑制することができるので、ノイズの少ない撮像信号を出力するできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態例による電流−電圧変換回路の構成を示す等価回路図である。
【図2】撮像画素部からの画素信号に電流出力方式を用いた固体撮像素子の一例を示す等価回路図である。
【図3】従来例による電流−電圧変換回路の構成を示す等価回路図である。
【符号の説明】
111……インピーダンス変換器、111A……入力端子、111B……出力端子、112……オペアンプ部、112A……オペアンプ、Q3……MOSトランジスタ、I3、I4……定電流源。
Claims (6)
- 入力電流のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器と、前記インピーダンス変換器からの出力電流を電圧出力に変換するオペアンプ部とを有する電流−電圧変換回路において、
前記インピーダンス変換器は、第1の基準電位と第2の基準電位との間に第1の定電流源、ゲート接地トランジスタ、および第2の定電流源を直列接続し、前記第1の定電流源とゲート接地トランジスタとの接続点に前記入力電流の入力端子を設け、前記ゲート接地トランジスタと第2の定電流源との接続点に前記オペアンプ部への出力端子を設けた、
ことを特徴とする電流−電圧変換回路。 - 前記インピーダンス変換器の第1の定電流源および第2の定電流源を構成するトランジスタが、前記ゲート接地トランジスタの相互コンダクタンスに比較して十分低い相互コンダクタンスを有していることを特徴とする請求項1記載の電流−電圧変換回路。
- 前記第1の基準電位は電源電位、前記第2の基準電位はグランド電位であり、前記ゲート接地トランジスタは、ドレインが第1の定電流源が接続され、ソースが第1の定電流源が接続されたPチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1記載の電流−電圧変換回路。
- 複数の画素で得られる画素信号を電流信号として出力する撮像画素部と、前記撮像画素部から出力される電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換回路と、前記電流−電圧変換回路によって電圧信号に変換された画素信号を信号処理する信号処理回路とを有する固体撮像素子において、
前記電流−電圧変換回路は、入力電流のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器と、前記インピーダンス変換器からの出力電流を電圧出力に変換するオペアンプ部とを有し、
前記インピーダンス変換器は、第1の基準電位と第2の基準電位との間に第1の定電流源、ゲート接地トランジスタ、および第2の定電流源を直列接続し、前記第1の定電流源とゲート接地トランジスタとの接続点に前記入力電流の入力端子を設け、前記ゲート接地トランジスタと第2の定電流源との接続点に前記オペアンプ部への出力端子を設けた、
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記インピーダンス変換器の第1の定電流源および第2の定電流源を構成するトランジスタが、前記ゲート接地トランジスタの相互コンダクタンスに比較して十分低い相互コンダクタンスを有していることを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。
- 前記撮像画素部の各画素毎に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子で生成した信号電荷をフローティングデフュージョン部に転送する転送トランジスタと、前記フローティングデフュージョン部の電圧変動に応じた電流信号を出力信号線に出力する増幅トランジスタと、前記フローティングデフュージョン部をリセットするリセットトランジスタとを有することを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。
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