JP6001887B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
前記カラム領域の基板電位を前記画素内の基板電位と分離し、前記負荷トランジスタの基板電位を出力電位又は電源電位に設定して前記負荷トランジスタの基板端子とソース端子とを接続するとともに、前記増幅トランジスタの基板電位を接地電位に設定して前記増幅トランジスタの基板端子とソース端子とを接続し、
前記増幅トランジスタ及び前記負荷トランジスタは、nMOSトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのドレイン端子は、前記選択トランジスタ及び前記垂直信号線を介して前記負荷トランジスタのソース端子に接続され、
前記負荷トランジスタのソース端子及び基板端子は出力端子に接続され、ドレイン端子は電源に接続されていることを特徴とする。
前記カラム領域の基板電位を前記画素内の基板電位と分離し、前記負荷トランジスタの基板電位を出力電位又は電源電位に設定して前記負荷トランジスタの基板端子とソース端子とを接続するとともに、前記増幅トランジスタの基板電位を接地電位に設定して前記増幅トランジスタの基板端子とソース端子とを接続し、
前記増幅トランジスタはnMOSトランジスタ、前記負荷トランジスタはpMOSトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのドレイン端子は、前記選択トランジスタ及び前記垂直信号線を介して前記負荷トランジスタのドレイン端子に接続され、
前記負荷トランジスタのソース端子及び基板端子は電源に接続され、ドレイン端子とゲート端子は出力端子に接続された構成であってもよい。
図3は、本発明の実施形態1に係る固体撮像装置の一例を示した全体構成図である。図3において、実施形態1に係る固体撮像装置は、画素10と、垂直シフトレジスタ20と、転送線21と、垂直アドレス線22と、リセット線23と、カラム領域30と、垂直信号線40と、信号処理回路50と、水平選択トランジスタ60と、水平信号線61と、水平シフトレジスタ70と、画像処理回路80とを有する。
図3に示す実施形態1に係る固体撮像装置において、増幅トランジスタM6の入力電圧Vinは、フォトダイオードPDに蓄積された電荷を、転送トランジスタM1をオンしてフローティングディフュージョンFDに読み出すと、リセットトランジスタM2により設定されるリセット電圧VRSTから減少する方向に変化する。したがって、リセット電圧VRSTを(8)式の右辺より小さくなるように設定すれば、出力バッファ回路を構成するトランジスタM6、M8は常に飽和領域で動作することになる。
図6は、本発明の実施形態2に係る固体撮像装置の一例の全体構成を示した図である。図6において、実施形態2に係る固体撮像装置は、画素10と、垂直シフトレジスタ20と、転送線21と、垂直アドレス線22と、リセット線23と、カラム領域31と、垂直信号線40と、信号処理回路50と、水平選択トランジスタ60と、水平信号線61と、水平シフトレジスタ70と、画像処理80とを備える。
但し、(9)式において、VDDは電源電圧、Vinは入力電圧、Vth6は増幅トランジスタM6の閾値電圧、−Vth9(<0)は負荷トランジスタM9の閾値電圧、β6は増幅トランジスタM6の利得値、β9は負荷トランジスタM9の利得値である。ここで、pMOSトランジスタの閾値電圧は負であることから、Vth9自体は正となるように、(−Vth9)を負荷トランジスタM9の閾値としている。
ここで、増幅トランジスタM6、負荷トランジスタM9は飽和領域で動作する必要があるが、負荷トランジスタM9はダイオード接続のため常に飽和領域で動作するため、増幅トランジスタM6が、先に示した(6)式の条件を満たせばよい。
図6に示す実施形態2に係る固体撮像装置において、増幅トランジスタM6の入力電圧は、フォトダイオードPDに蓄積された電荷を、転送トランジスタM1をオンにしてフローティングディフュージョンFDに読み出すと、リセットトランジスタM2により設定されるリセット電圧VRSTから減少する方向に変化する。従って、リセット電圧VRSTを(11)式の右辺より小さくなるように設定すれば、出力バッファ回路を構成するトランジスタM6、M9は、常に飽和領域で動作することになる。
11 基板
20 垂直シフトレジスタ
21 転送線
22 垂直アドレス線
23 リセット線
30、31 カラム領域
40 垂直信号線
50 信号処理回路
60 水平選択トランジスタ
61 水平信号線
70 水平シフトレジスタ
80 画像処理回路
Claims (4)
- 画素内に配置され、フローティングディフュージョンからゲートに入力される電圧を増幅する増幅トランジスタと、画素外のカラム領域に配置され、前記増幅トランジスタに選択トランジスタ及び垂直信号線を介して接続された負荷トランジスタとを有する出力バッファ回路を備えた固体撮像装置であって、
前記カラム領域の基板電位を前記画素内の基板電位と分離し、前記負荷トランジスタの基板電位を出力電位又は電源電位に設定して前記負荷トランジスタの基板端子とソース端子とを接続するとともに、前記増幅トランジスタの基板電位を接地電位に設定して前記増幅トランジスタの基板端子とソース端子とを接続し、
前記増幅トランジスタ及び前記負荷トランジスタは、nMOSトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのドレイン端子は、前記選択トランジスタ及び前記垂直信号線を介して前記負荷トランジスタのソース端子に接続され、
前記負荷トランジスタのソース端子及び基板端子は出力端子に接続され、ドレイン端子は電源に接続されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 画素内に配置され、フローティングディフュージョンからゲートに入力される電圧を増幅する増幅トランジスタと、画素外のカラム領域に配置され、前記増幅トランジスタに選択トランジスタ及び垂直信号線を介して接続された負荷トランジスタとを有する出力バッファ回路を備えた固体撮像装置であって、
前記カラム領域の基板電位を前記画素内の基板電位と分離し、前記負荷トランジスタの基板電位を出力電位又は電源電位に設定して前記負荷トランジスタの基板端子とソース端子とを接続するとともに、前記増幅トランジスタの基板電位を接地電位に設定して前記増幅トランジスタの基板端子とソース端子とを接続し、
前記増幅トランジスタはnMOSトランジスタ、前記負荷トランジスタはpMOSトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのドレイン端子は、前記選択トランジスタ及び前記垂直信号線を介して前記負荷トランジスタのドレイン端子に接続され、
前記負荷トランジスタのソース端子及び基板端子は電源に接続され、ドレイン端子とゲート端子は出力端子に接続されたことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記カラム領域の基板電位は、ディープNウェルにより、前記画素内の基板電位と分離されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
- 前記出力バッファ回路は、ソース接地増幅回路であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
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