JP2013197951A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像装置は、複数の光電変換素子により生成された電荷を転送する複数の転送トランジスタ(202a,202b)と、複数の転送トランジスタにより転送された電荷を保持する複数のフローティングディフュージョン(207a,207b)と、複数のフローティングディフュージョンの電荷に基づく信号を増幅する増幅部(203a,203b)と、複数のフローティングディフュージョンをリセット電圧にリセットするためのリセットトランジスタ(204a,204b)と、複数のフローティングディフュージョンを相互に接続又は非接続するための接続トランジスタ(206a)とを有し、接続トランジスタのゲートのハイレベル電圧からフローティングディフュージョンのリセット電圧を減算した電圧が、接続トランジスタの閾値電圧より高い。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の第1の実施形態の固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。固体撮像装置は、画素アレイA、画素定電流源102、垂直走査回路103、信号増幅部104、信号保持部105、制御部106、スイッチ107、水平走査回路108、出力アンプ109、水平出力線217,218及びリセット部111を有する。制御部106は、信号増幅部104及び信号保持部105を制御する。リセット部111は、水平出力線217及び218の電位をリセットする。画素アレイAは、複数の画素101が複数行及び複数列を構成するように2次元行列状に配列されている。なお、図1では、3行3列の画素101で画素アレイAが構成されているが、これは説明を簡単化することを意図したものであり、画素アレイAの構成を限定することを意図したものではない。画素101は、入射光を電気信号に変換し、電気信号を列信号線110に出力する。画素定電流源102及び信号増幅部104は、列単位で、列信号線1102を介して、画素101に接続される。垂直走査回路103は、行単位で、選択した画素101の信号を列信号線110に読み出す。信号増幅部104は、列単位で、画素101から読み出された列信号線110の信号を増幅する。信号保持部105は、列単位で、信号増幅部104によって増幅された信号を保持する。水平走査回路108は、列毎のスイッチ107を制御し、列毎の信号保持部105に保持された信号を順次、水平出力線217及び218に出力する。水平出力線217には基準電圧(ダークレベル)が出力され、水平出力線218には光信号電圧が出力される。出力アンプ109は、水平出力線218の光信号電圧から水平出力線217の基準電圧を減算し、画素信号を出力する。
本発明の第2の実施形態の固体撮像装置は、第1の実施形態の固体撮像装置に対して、同じ構成を有するが、各トランジスタのバイアス条件だけが異なる。図3を参照しながら、時刻t1から時刻t2までの期間の各トランジスタのバイアス条件について説明する。第1の実施形態では、リセットトランジスタ204a及び204bのゲートハイ電圧をFD接続トランジスタ206aのゲートハイ電圧に比べて下げることで、FDリセット電圧を下げ、FD接続トランジスタ206aをオンさせた。これに対し、本実施形態では、リセット電圧SVDDを下げることで、同様の効果を得る。例えば、リセット電圧SVDDを4.5V、リセットトランジスタ204a及び204bのゲートハイ電圧を5.0V、リセットトランジスタの閾値電圧Vthを0.3Vとする。この場合、リセットトランジスタ204a及び204bはオンするので、FD207a及び207bはリセット電圧SVDDの4.5Vにリセットされる。そのとき、FD接続トランジスタ206aのゲートハイ電圧が5.0Vで、FD接続トランジスタ206aの閾値電圧が0.3Vであるとする。その場合、「FD接続トランジスタのゲートハイ電圧(5.0V)」−「FDリセット電圧(4.5V)」>「FD接続トランジスタの閾値電圧(0.3V)」の式を満たすことができる。すなわち、リセットトランジスタ204a及び204bのドレイン電圧は、リセット電圧SVDD(4.5V)であり、FD接続トランジスタ206aのゲートのハイレベル電圧(5.0V)よりも低くなる。これにより、上記の式を満たし、FD接続トランジスタ206aをオンできる。それにより、基準電圧VNの読み出しと光信号電圧VSの読み出しが可能となり、出力アンプ109の差分演算により正しい画素信号を得ることができる。
図4は、本発明の第3の実施形態の固体撮像装置の画素101の構成例を示す回路図である。以下、図4の画素が図2の画素101a及び101bと異なる点を説明する。本実施形態では、各FDに対して、フォトダイオード及び転送トランジスタの組みが2組設けられる。第1のフォトダイオード201a1は転送トランジスタ202a1を介してFD207aに接続され、第2のフォトダイオード201a2は転送トランジスタ202a2を介してFD207aに接続される。第3のフォトダイオード201b1は転送トランジスタ202b1を介してFD207bに接続され、第4のフォトダイオード201b2は転送トランジスタ202b2を介してFD207bに接続される。FD接続トランジスタ206aは、FD207a及びFD207bを接続可能である。
Claims (5)
- 光電変換により電荷を生成する複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子に対応して設けられ、前記複数の光電変換素子により生成された電荷をそれぞれ転送する複数の転送トランジスタと、
前記複数の転送トランジスタにより転送された電荷をそれぞれ保持する複数のフローティングディフュージョンと、
前記複数のフローティングディフュージョンの電荷に基づく信号を増幅する増幅部と、
前記複数のフローティングディフュージョンをリセット電圧にリセットするためのリセットトランジスタと、
前記複数のフローティングディフュージョンを相互に接続又は非接続するための接続トランジスタとを有し、
前記接続トランジスタのゲートのハイレベル電圧から前記フローティングディフュージョンのリセット電圧を減算した電圧が、前記接続トランジスタの閾値電圧より高いことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記リセットトランジスタのゲートのハイレベル電圧は、前記接続トランジスタのゲートのハイレベル電圧よりも低いことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記リセットトランジスタのドレイン電圧は、前記接続トランジスタのゲートのハイレベル電圧よりも低いことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 1個の前記フローティングディフュージョンに対して、前記転送トランジスタ及び前記光電変換素子の組みが複数組み設けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記接続トランジスタをオンにすることにより、前記複数のフローティングディフュージョンが相互に接続され、前記複数の光電変換素子の電荷が加算されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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2012
- 2012-03-21 JP JP2012063764A patent/JP2013197951A/ja active Pending
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