JP2004006548A - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板主面に半導体膜を積層して発光領域に形成されるレーザダイオードからビームを出射する半導体レーザ素子において、前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成し、この溝部分にレーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成する。
また、前記半導体レーザ素子の製造方法において、前記半導体膜を積層する工程と、前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成する工程と、前記溝部分に絶縁膜と金属膜とを順次積層しパターニングする工程とによって、レーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成する。
上述した本発明によれば、レーザダイオードと並列に接続される耐圧素子によって半導体レーザ素子の静電破壊耐圧を向上させることが可能になる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法に関し、特に、半導体レーザ素子の静電破壊耐圧向上に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザは、半導体基板に形成した活性層中にて励起状態の電子と正孔とが放射再結合する誘導放射を整然と起こすことにより、振動数や位相が揃ったコヒーレントな光が得られるため、直進性や干渉性が高く、情報処理或いは光通信等の広い分野で用いられている。
【0003】
図1は従来の半導体レーザ素子を示す縦断面図及びその等価回路図であり、半導体レーザ素子は、GaAs等を用いたn型半導体基板1に、AlGaInP等を用いたn型クラッド層2、GaInP/AlInP等を用いたMQW(Multi Quantum Well)活性層3、AlGaInP等を用いたp型クラッド層4、GaAs等を用いたp型キャップ層5を順次積層し、発光領域となる領域の両側のクラッド層4がAlInP等を用いたn型ブロック層6によって狭窄されたリッジ部となり、このリッジ部でクラッド層4がGaAs等を用いたp型キャップ層5に接続する埋め込みリッジ構造となっている。
【0004】
ここで、ブロック層6の下部に位置する活性層3及びクラッド層4に不純物を導入することによって実導波路構造とし、しきい値電流の低減及びスロープ効率の向上を図ることができる。
【0005】
また、キャップ層5上にはTi,Pt等を含む金を用い活性層に電圧を印加するアノード電極7が、半導体基板1裏面にはGe,Ni,Ti,Pt等を含む金を用いた半導体基板1と導通するカソード電極8が形成されている。
【0006】
このような半導体レーザは、例えば記録媒体である光ディスク装置のピックアップに使われており、光ディスク装置では記録する情報量を増加させるためにトラック間隔及びピット間隔が縮小されているためレーザ光のスポット径を縮小することが求められている。
【0007】
このようなスポット径の小さなビームでは、ビーム形状が通常の楕円形状の場合には隣接するトラック或いはピットの影響を受けてしまうので、ビーム形状を円形状にすることが求められている。ビームを円形状にすることによって、他の分野例えば光通信分野では光ファイバとのカップリング効率が向上し、レーザ光の有効使用効率が向上するという利点がある。
【0008】
このビーム形状を円形状とするために、半導体レーザ素子から出射する楕円形状の発光ビームをシリンドリカルレンズによって円形状にする方法もあるが、光学系を簡略化して装置の小型化・軽量化及び低コスト化を図るためには、半導体レーザ素子から出射する発光ビーム自体を円形状にすることが望ましい。
【0009】
そこで、積層方向に長軸を有する楕円形状となっている発光ビーム自体を円形状にするために、発光ビームの短軸方向即ち前記半導体レーザ素子のリッジ部の幅を狭くする必要がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ビームを円形状にするためにリッジ部の幅を更に狭くした場合には、リッジ部の電流密度が増大するため静電破壊耐圧が低下し、特に、前述した実導波構造の半導体レーザ素子では発光領域の幅が狭くなっているために静電破壊耐圧が更に低下する。
【0011】
また、半導体レーザ素子のコストダウンのために短キャビティ両端面高反射率コーティングが施されているものでは、このコーティング材と半導体レーザ素子との膨張率の違いから端面に歪みが生じるが、短キャビティではこうした歪の影響を緩和するのに十分なチップ長を確保しにくくなることから静電破壊耐圧が低下する。
【0012】
これらの静電破壊耐圧の低下によって、レーザ素子の静電破壊レベルが低下し、寿命試験中に誘導サージによる劣化が生じ、顧客工程で不良が発生するという問題がある。こうした不良を防止するためには、静電破壊レベルを向上させる必要があり、このために窓構造を採用し発光端面を素子の端面から離すことも考えられるが、窓構造の導入によって工程が複雑になる或いはドーパントの拡散等の問題があり望ましい方法ではない。
【0013】
本発明の課題は、これらの問題を解決し、半導体レーザ素子の静電破壊耐圧を向上させることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半導体基板主面に半導体膜を積層して発光領域に形成されるレーザダイオードからビームを出射する半導体レーザ素子において、前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成し、この溝部分にレーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成する。
【0015】
また、前記半導体レーザ素子の製造方法において、前記半導体膜を積層する工程と、前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成する工程と、前記溝部分に絶縁膜と金属膜とを順次積層しパターニングする工程とによって、レーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成する。
【0016】
上述した本発明によれば、レーザダイオードと並列に接続される耐圧素子によって半導体レーザ素子の静電破壊耐圧を向上させることが可能になる。
【0017】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0018】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
図2は、本発明の一実施の形態である埋め込みリッジ構造の半導体レーザ素子を示す縦断面図及び等価回路図である。
本実施の形態の半導体レーザ素子は、GaAs等を用いたn型半導体基板1に、AlGaInP等を用いたn型クラッド層2、GaInP/AlInP等を用いたMQW活性層3、AlGaInP等を用いたp型クラッド層4、GaAs等を用いたp型キャップ層5を順次積層し、発光領域となる領域の両側に位置するp型クラッド層4がAlInP等を用いたn型ブロック層6によって狭窄されたリッジ部となり、このリッジ部でクラッド層4がGaAs等を用いたp型キャップ層5に接続する埋め込みリッジ構造のレーザダイオードが形成されている。
【0019】
半導体基板1主面のキャップ層4上にはTi,Pt等を含む金を用い活性層に電圧を印加するアノード電極7が、半導体基板1裏面にGe,Ni,Ti,Pt等を含む金を用いた半導体基板1と導通するカソード電極8が形成されている。
【0020】
本実施の形態のレーザ素子では、発光領域となるリッジ部の両側に位置する非発光領域に、例えばレジストマスクを用いたエッチングにより半導体基板1に達する溝を形成し、全面にCVDによる絶縁膜9を形成し、この絶縁膜9に発光領域のキャップ層5を露出させるエッチングを行なった後に、全面に金属膜を形成し、この金属膜によって、発光領域にアノード電極7を形成し、前記溝部分に金属膜の電極10をアノード電極7と一体に形成する。
【0021】
この電極10と絶縁膜9と半導体基板1とによって前記レーザダイオードと並列に接続された容量素子を構成する。そしてこの容量素子が耐圧素子となり、過大な電流が流れる際には電流の一部が並列に接続された容量素子に吸収されるために半導体レーザ素子の静電破壊耐圧が向上する。
【0022】
図3に示すのは本実施の形態の変形例であり、この例では耐圧素子としてショットキーダイオードを形成する。即ち、前述した絶縁膜9に発光領域のキャップ層5を露出させるエッチングを行なう際に、併せて溝部分の半導体基板1を露出させた後に、全面に金属膜を形成して、リッジ部にアノード電極7を形成し、前記溝部分に半導体基板1と接する金属膜の電極10をアノード電極7と一体に形成する。
【0023】
この半導体基板1と電極10とによってレーザダイオードと並列に接続されたショットキーダイオードを構成し、過大な電流が流れる際には並列に接続されたショットキーダイオードがブレークダウンして電流の一部がバイパスされるために半導体レーザ素子の静電破壊耐圧が向上する。
【0024】
(実施の形態2)
図4は、本発明の他の実施の形態である半導体レーザ素子を示す縦断面図である。前述した実施の形態では電極10とアノード電極7とが一体となっており、本実施の形態では、電極10がアノード電極7とは分離されているが、他の構成については前述した実施の形態と同様である。
【0025】
即ち、発光領域となるリッジ部の両側に位置する非発光領域に、例えばレジストマスクを用いたエッチングにより半導体基板1に達する溝を形成し、全面にCVDによる絶縁膜9を形成し、この絶縁膜9にリッジ部のキャップ層5を露出させるエッチングを行なった後に、全面に金属膜を形成し、発光領域にアノード電極7を形成し、前記溝部分に金属膜の電極10をアノード電極7と分離して形成する。
【0026】
この電極10と絶縁膜9と半導体基板1とによってレーザダイオードと並列に接続された容量素子を構成する。そしてこの容量素子が耐圧素子となり、過大な電流が流れる際には電流の一部が並列に接続された容量素子に吸収されるために半導体レーザ素子の静電破壊耐圧が向上する。
【0027】
本実施の形態では、電極10とアノード電極7とを分離してあるので、例えば図4中に破線にて囲った部分に示すようにレーザダイオードに抵抗を直列に接続する外部抵抗回路等を接続することが可能となり、使用条件等に合せた適宜の回路を接続することによって多様な静電破壊対策を講じることができる。
【0028】
また、図5に示すように、リッジ部のキャップ層5を絶縁膜9によって覆いアノード電極7をなくして、電極10を溝部分の近傍でキャップ層5に接触させる構成として、キャップ層5の内部抵抗を利用してレーザダイオードに対し直列に抵抗を接続する構成とすることができる。
【0029】
この抵抗の抵抗値は、キャップ層5の厚さ、キャリア濃度或いは発光領域であるリッジ部から電極10までの距離によって制御され、例えばキャップ層の厚さが3μmで発光中心から電極10までの距離が70μm程度であれば1Ω〜10Ω程度の抵抗値とすることができる。
【0030】
図5に示す構成では、電極10としては、発光領域を除いて形成したが、絶縁膜9によって発光領域のキャップ層5と絶縁されていれば、発光領域を覆うように形成しても同様の効果を得ることができる。
【0031】
更に、本実施の形態の耐圧素子としては前述した容量素子に替えてショットキーダイオードを形成してもよい。
【0032】
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0033】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)本発明によれば、半導体レーザ素子の耐圧を向上させることができるという効果がある。
(2)本発明によれば、上記効果(1)により、リッジ部の幅を狭くして円形状のビームとすることが容易であるという効果がある。
(3)本発明によれば、上記効果(1)により、製品の信頼性が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の半導体レーザ素子を示す縦断面図及び等価回路図である。
【図2】本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子を示す縦断面図及び等価回路図である。
【図3】本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子の変形例を示す縦断面図及び等価回路図である。
【図4】本発明の他の実施の形態である半導体レーザ素子を示す縦断面図及び等価回路図である。
【図5】本発明の他の実施の形態である半導体レーザ素子の変形例を示す縦断面図及び等価回路図である。
【符号の説明】
1…半導体基板、2…クラッド層、3…活性層、4…クラッド層、5…キャップ層、6…ブロック層、7…アノード電極、8…カソード電極、9…絶縁膜、10…電極。
Claims (5)
- 半導体基板主面に半導体膜を積層して発光領域に形成されるレーザダイオードからビームを出射する半導体レーザ素子において、
前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成し、この溝部分にレーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成することを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記半導体レーザ素子から出射する発光ビームが円形状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記耐圧素子が容量素子であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記耐圧素子がショットキーダイオードであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザ素子。
- 半導体基板主面に半導体膜を積層して発光領域に形成されるレーザダイオードからビームを出射する半導体レーザ素子の製造方法において、
前記半導体膜を積層する工程と、
前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成する工程と、
前記溝部分に絶縁膜と金属膜とを順次積層しパターニングする工程とによって、レーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
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