JP2006073851A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザ装置に搭載される半導体レーザ素子10は、同一基板11上にpn接合を有してなる2つの発光部20、21を備え、これらはAlGaAs系赤外レーザを発振する第1の発光部20と、AlGaInP系赤色レーザを発振する第2の発光部21とからなり、分離溝19から第1の発光部20までの距離よりも、分離溝19から第2の発光部21までの距離を長くする構成とする。
【選択図】 図1
Description
12 基板
19 分離溝
20、21 発光部
31 絶縁層
Claims (5)
- 同一基板上にpn接合を有してなる複数の発光部を備え、それぞれの発光部が分離溝又は絶縁層で分離された半導体レーザ装置において、
前記分離溝又は絶縁層からそれぞれの発光部までの距離が異なることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記発光部からの発振波長がそれぞれ異なり、静電耐圧の低い素子順に前記距離を長くすることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記複数の発光部は、AlGaAs系赤外レーザを発振する第1の発光部と、AlGaInP系赤色レーザを発振する第2の発光部とからなり、
前記分離溝又は絶縁層から第1の発光部までの距離よりも、前記分離溝又は絶縁層から第2の発光部までの距離を長くすることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記複数の発光部を有する半導体レーザを、GaAs基板の(100)面から[011]方向に傾斜してなる基板上に成長したことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の半導体レーザ装置。
- 同一基板上にpn接合を有してなる2つの発光部を備え、それぞれの発光部が分離溝又は絶縁層で分離された半導体レーザ装置において、
前記発光部の1つがAlGaInP系赤色レーザを発振する発光部であり、該発光部を前記基板の(100)面から[011]方向側に形成することを特徴とする半導体レーザ装置。
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