JP2004002929A - Silver alloy, sputtering target, reflector for reflection lcd, reflection wiring electrode, thin film, manufacturing method therefor, optical recording medium, electro magnetic wave shield, metal material for electronic part, wiring material, electronic part, electronic appliance, processing method of metal film, electron optical part, laminate, and glass of building material - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silver alloy having characteristics of superior corrosion resistance, high reflectance, low electric resistance and superior heat resistance, and to provide a sputtering target. <P>SOLUTION: The silver alloy superior in corrosion resistance includes Ag as a main component, and at least one element selected from the group composed of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge and Sn. The content of at least one each element described above is preferably 0.1 atom% or more but 8.0 atom% or less. The sputtering target is comprised of the silver alloy. The sputtering target can be used for manufacturing a reflector for a reflection LCD or a reflection wiring electrode, which controls the yellowing of reflected light. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【００４０】
従来の配線材料における電気的な抵抗率を表１に示す。
この表１に示されている配線材料のうち、このようなゲート絶縁膜を形成することが可能な配線材料としては、Ａｌ、Ｔａがあり、特にＴａの場合には、ピンホール等の欠陥が少なく、歩留りの高い酸化絶縁膜を形成することができる。しかしながらＴａにあっては、電気的に抵抗率が高いことにより、このような陽極酸化法による場合には、電気的に抵抗率の低いＡｌを用いた２層配線による電極構造とする必要があり、結局製造プロセスを増加させることとなっていた。なおこの２層配線による場合、結局、配線パターンの電気的な抵抗率は、Ａｌにより決まる抵抗率となる。
【００４１】
前述のディスプレイデバイスへの応用以外にも、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＡＳＩＣ等の半導体デバイスにおいては、高集積化のため配線の幅が狭くなり、またチップサイズの大型化、多層配線等の複雑化に伴い配線パターンの配線長が増大する傾向にあり、これによりこれらの半導体デバイスにあっても、電気的に低抵抗率で安定かつ加工性に優れた配線材料が望まれている。
【００４２】
すなわち、このような配線幅の減少、配線長の増大は、配線における抵抗の増大を招き、この抵抗の増大により配線における電圧降下が増大して素子の駆動電圧が低下するようになり、また消費電力が増大し、さらには配線による信号伝達に遅延が発生するようになる。
【００４３】
また、このような半導体デバイス以外の、例えばプリント配線基板、チップコンデンサ、リレー等の電子部品にあっては、配線材料、電極材料、接点材料にＣｕ、Ａｇなどが用いられているが、これらの材料についても耐候性が実用上未だ不十分な問題があり、またリサイクルが困難な問題があった。
【００４４】
また、従来から、建材ガラス用熱線反射膜にはＡｌ又はＡｌ合金、或いはＡｇ及びＡｇ−Ｐｄに代表されるＡｇ合金等の様々な材料が使用されている。また、膜の積層によって高い反射率に加えて機能性を向上させる等の検討がなされている。それを実現した製品が既に大変多くの分野や多種多様な方面に用いられてきている。
【００４５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の金属材料では、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗、優れた耐熱性を有する材料に対する開発が必ずしも十分ではなかった。
【００４６】
また、従来の反射型液晶表示パネルでは、反射型ＬＣＤ用反射板の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することがあり、それにより、反射特性が劣化し、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化の問題があった。
【００４７】
また、ＡｌあるいはＡｌ合金により形成した薄膜では、光学記録媒体の用途によってはいまだ充分な反射率が得られているとはいえない。また、耐候性や、薄膜を形成した場合の反射率、透過率について十分な特性を有する合金材料の開発は未だなされていない。
【００４８】
また、前記従来のエラストマー材料を用いた電磁波遮蔽体では、複雑な形状への折り曲げ追随性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等にも問題があり、ＥＭＣ素材として全く採用（適用）されない等の問題があった。
【００４９】
また、前記従来のプラストマー材料基板を用いた電磁波遮蔽体では、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等が十分に満たされてなく、ＥＭＣ素材として全く採用（適用）されない等の問題があった。
【００５０】
また、従来の電子機器、電子部品では、電気的な低抵抗率が十分でなく、加工性に優れた配線材料、電極材料、接点材料が開発されていなかった。
【００５１】
また、建材ガラス用赤外線及び熱線を反射する反射膜としては、ＡｇやＡｌ若しくはこれらのうちいずれかの元素を主成分とする合金材料から形成された反射膜が幅広く知られている。しかし、これらの反射膜は耐熱性に対して決して優れているとは言えない。
【００５２】
例えばＡｇやＡｌは熱に対しての耐熱性が高くなく、特定温度では表面部が拡散し易いために、例えば液晶表示素子用の反射板を製作する場合には、製作プロセス中での温度雰囲気が制限される。更に、建材ガラス用の赤外線及び熱線反射膜に至っては、大気中で夏季に高温に曝されると、反射膜自体が化学的に変異（変色）してしまう等、熱に対しての品質の安定性に問題があった。
【００５３】
また、反射率が高い材料としては、ＡｇやＡｌ以外にＡｕが知られているが、Ａｕは価格的に大変高価であるため、建材窓ガラス用反射膜に用いるにはコスト的な面から実用性が乏しいと判断されている。
【００５４】
また、反射率が高く、コスト的な面からも大変安価で、実用性が高いとされるＡｌについては、ＰＭＭＡ、シリコーン樹脂等の樹脂基板等を用いた場合に、樹脂基板から析出されるガス成分に対して化学反応を起こす虞れがある。このことから、ガスの放出作用が低い材料からなる基板にのみ有効となって、基板材料が制限されてしまうばかりか、樹脂とのコンタクトを図る場合には材料の化学的な安定性が懸念されてしまう等の不安、課題が残る。
【００５５】
また、４００〜４０００ｎｍの可視及び赤外域と称される光学波長領域中で、Ａｇは数多くの金属元素中で最も光学反射率が高いために、高反射率を特徴とする膜としては優れた特性を保持しているものと検討されている。しかし、熱に対しての自己拡散エネルギーが活発であるために、熱が加えられた場合に経時変化が生じるという問題がある。そのため、一時的であっても１００℃前後の熱が加えられた場合には表面部に拡散現象が起こり、Ａｇ本来が保有する光沢を失って白濁化してしまう。換言すれば、反射率が高いというＡｇ本来の特性が大幅に低減してしまう。
【００５６】
また、ガラスや樹脂製の基板上に反射膜を形成した際には、Ａｇは大気中に放置されると、大気中の湿気（主として水分）を吸収して黄色化してしまうため、反射率が高いというＡｇ本来の特性が損なわれてしまう等の問題が生じる。従って、高反射率であるという本来の特性を保持することができず、耐候性に対しても決して優れているとは言えない。
【００５７】
本発明は前記諸問題を考慮してなされたものであり、その目的は、優れた耐食性を有する銀合金を提供することにある。また、本発明の他の目的は、高い反射率を有する銀合金を提供することにある。また、本発明の他の目的は、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金を提供することにある。また、本発明の他の目的は、優れた耐熱性を有する銀合金を提供することにある。
【００５８】
また、本発明の他の目的は、反射光の黄色化を抑制したスパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法を提供することにある。
【００５９】
また、本発明の他の目的は、Ａｇと比較した場合に高反射率を維持し、耐候性を改善した光学記録媒体を提供することにある。
【００６０】
また、本発明の他の目的は、半透明反射膜の耐候性が改善され、より高い信頼性が得られる光学記録媒体を提供することにある。
【００６１】
また、本発明の他の目的は、柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるといった耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しかも、エラストマー材料基板との接合性（密着性）がより一層効果的に強化され、より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供することにある。
【００６２】
また、本発明の他の目的は、電磁波遮蔽性と赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるといった耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しかも、プラストマー材料基板との接合性（密着性）がより一層効果的に強化され、より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供することにある。
【００６３】
また、本発明の他の目的は、従来に比して電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた電子部品用金属材料、配線材料、銀合金を使用した電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品を提供することにある。
【００６４】
また、本発明の他の目的は、Ａｇ自体の保有する高い光学特性が保持され、更にはＡｇの材料的な安定性が格段に改善されるとともに、信頼性の高い高耐熱性反射膜を用いた積層体及び建材ガラスを提供することにある。
【００６５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、チタン（以下、Ｔｉ）、ジルコニウム（以下、Ｚｒ）、ハフニウム（以下、Ｈｆ）、バナジウム（以下、Ｖ）、ニオブ（以下、Ｎｂ）、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、鉄（以下、Ｆｅ）、ルテニウム（以下、Ｒｕ）、コバルト（以下、Ｃｏ）、ロジウム（以下、Ｒｈ）、イリジウム（以下、Ｉｒ）、ニッケル（以下、Ｎｉ）、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、亜鉛（以下、Ｚｎ）、Ａｌ、ガリウム（以下、Ｇａ）、インジウム（以下、Ｉｎ）、Ｓｉ、ゲルマニウム（以下、Ｇｅ）及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００６６】
本発明に係る銀合金は、高反射率の特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００６７】
本発明に係る銀合金は、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００６８】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００６９】
また、本発明に係る銀合金において、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【００７０】
本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００７１】
本発明に係る銀合金は、高反射率の特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００７２】
本発明に係る銀合金は、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００７３】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００７４】
また、本発明に係る銀合金において、前記１種類の元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【００７５】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００７６】
本発明に係る銀合金は、高反射率の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００７７】
本発明に係る銀合金は、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００７８】
本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００７９】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００８０】
上記銀合金によれば、亜鉛を３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有させることにより、優れた耐熱性を有する銀合金とすることができる。
【００８１】
また、耐熱性に特に優れた銀合金は、銀を主成分とし亜鉛を３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有するものである。
【００８２】
本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上含有し、更にパラジウムを０．２ａｔ％以上含有することを特徴とする。
【００８３】
上記銀合金によれば、銅を０．１ａｔ％以上含有させ、パラジウムを０．２ａｔ％以上含有させることにより、優れた耐食性を有する銀合金とすることができる。
【００８４】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性及び耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．２ａｔ％以上含有することを特徴とする。
また、耐熱性に特に優れた銀合金にするためには、銅の含有量を０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下とすることが好ましい。
【００８５】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、前記銀合金からなることを特徴とする。
【００８６】
また、本発明に係るスパッタリングターゲットは、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板又は反射配線電極を製造するものであることも可能である。
【００８７】
本発明に係る反射型ＬＣＤ用反射板においては、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板であって、前記銀合金からなることを特徴とする。
【００８８】
前記反射型ＬＣＤ用反射板によれば、前述した銀合金からなるため、反射型ＬＣＤ用反射板の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することを抑制できる。従って、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化を抑制することができる。
【００８９】
本発明に係る反射配線電極は、反射光を高反射率化し且つ反射光の黄色化を抑制した反射配線電極であって、前記銀合金からなることを特徴とする。
【００９０】
本発明に係る薄膜は、銀合金からなることを特徴とする。
【００９１】
本発明に係る薄膜の製造方法は、前記スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を製造することを特徴とする。
【００９２】
また、本発明に係る光学記録媒体は、前記薄膜を有することを特徴とする。
前記光学記録媒体によれば、Ａｇの耐水素性、耐酸素性やＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉの脱酸素効果（酸化防止）、塩化、硫化防止の相互作用により、塩素、水素、酸素、硫黄という大気中あるいは特殊環境中で接触する非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される際に要求される環境や雰囲気下での高い耐候性の向上を図ることができる。
【００９３】
本発明に係る光学記録媒体は、半透明反射膜を有する情報層と反射膜を有する情報層が合わせて２層以上積層され、共通の方向からの光照射によって、情報の記録若しくは再生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体であって、前記半透明反射膜が前述した銀合金の薄膜からなることを特徴とする。
【００９４】
前記光学記録媒体によれば、半透明反射膜を前述した銀合金の薄膜からなるもので形成している。これにより、高温高湿の雰囲気においても透過率の増加といった光学特性が変化することを防止でき、さらに、塩水に浸漬された場合においても膜が白濁化することを防止できる。
【００９５】
本発明に係る電磁波遮蔽体は、エラストマー材料からなる基板と、この基板上に形成された電磁波遮蔽膜と、を備えた電磁波遮蔽体であって、前記電磁波遮蔽膜が前記銀合金からなることを特徴とする。
【００９６】
前記電磁波遮蔽体によれば、前記銀合金からなる電磁波遮蔽膜を、エラストマー材料からなる基板の表面に形成することにより、可撓性に優れた遮蔽体とすることができる。この電磁波遮蔽体は柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善できる。
【００９７】
なお、電磁波遮蔽膜の厚さは、複雑な形状への折り曲げ追随性を考慮すると、例えば１０〜５００ｎｍ程度が好ましい。また、エラストマー材料としては、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム又はＥＰＤＭ（エチレン・プロピレンとジエンとのゴム状三元共重合体）等を用いることも可能である。
【００９８】
本発明に係る電磁波遮蔽体は、プラストマー材料からなる基板と、この基板上に形成された電磁波遮蔽膜と、を備えた電磁波遮蔽体であって、前記電磁波遮蔽膜が前記銀合金からなることを特徴とする。
【００９９】
前記電磁波遮蔽体によれば、前記銀合金からなる電磁波遮蔽膜を、プラストマー材料からなる基板の表面に形成することにより、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備えた電磁波遮蔽体を形成し、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善できる。
【０１００】
なお、電磁波遮蔽膜の厚さは、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を考慮すると、例えば５ｎｍ〜３０ｎｍ程度が好ましい。また、プラストマー材料としては、特に限定されるものではないが、例としてプラスチックフィルムやエンジニアリングプラスチック等が挙げられ、主な種類として、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、或いはポリブチレンテレフタレート、変性ポリフェニレンエーテル等を用いることも可能である。
【０１０１】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体においては、前記電磁波遮蔽膜が１の膜又は複数の膜からなることも可能である。これにより、温度や化学的に安定であり、様々な用途に適用できる。
【０１０２】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体において、前記電磁波遮蔽膜は、前記銀合金からなるスパッタリングターゲット材料を用いたスパッタリング法により基板上に成膜して形成されたものであることも可能である。
【０１０３】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体においては、前記電磁波遮蔽膜上に形成された、耐食性及び耐候性に優れた保護膜をさらに含むことも可能である。また、前記電磁波遮蔽膜上に形成された、耐摩耗性に優れた保護膜をさらに含むことも可能である。
【０１０４】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体においては、前記基板と前記電磁波遮蔽膜との間に配置された、密着性を助長する下地膜をさらに含むことも可能である。これにより、エラストマー材料基板あるいはプラストマー材料基板との接合性（密着性）をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０１０５】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体においては、前記下地膜が、インジウム・錫酸化物（以下、ＩＴＯ）、酸化イリジウム（以下、ＩｒＯ_２）、酸化亜鉛（以下、ＺｎＯ）、二酸化ケイ素（以下、ＳｉＯ_２）、酸化チタン（以下、ＴｉＯ_２）、五酸化タンタル（以下、Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化ジルコニウム（以下、ＺｒＯ_２）、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌからなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものであることが好ましい。
【０１０６】
本発明に係る電子部品用金属材料は、前記銀合金からなることを特徴とする。この電子部品用金属材料は、従来に比して電気的に低抵抗率で、耐熱性、耐候性に優れ、安定かつ加工性に優れている。
【０１０７】
また、このような銀合金にあっては、純Ａｇの優れた熱伝導性を維持し、さらにスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、メッキ法等の従来の成膜プロセスに適応でき、さらにはウエットエッチング手法及びドライエッチング手法で容易にパターンニング加工することができ、また高温にあっても安定な状態を維持することができる。従って、従来に比して電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた電子部品用金属材料を得ることができる。
【０１０８】
本発明に係る配線材料は、前記銀合金からなることを特徴とする。
また、前記電子部品用金属材料を電極材料として用いることも可能である。
また、前記電子部品用金属材料を接点材料として用いることも可能である。
【０１０９】
本発明に係る電子部品は、前記銀合金により形成された配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを有することを特徴とする。
【０１１０】
本発明に係る電子部品は、前記配線パターン、電極及び接点それぞれは、溶液によるエッチングにより形成されものであることも可能である。
【０１１１】
本発明に係る電子部品は、前記配線パターン、電極及び接点それぞれは、ガス雰囲気中でのエッチングにより形成されたものであることも可能である。
【０１１２】
また、本発明に係る電子部品は、前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、３００℃以上７５０℃以下の温度範囲により加熱処理されて形成されたものであることも可能である。
【０１１３】
また、本発明に係る電子部品においては、前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、酸化インジウム（以下、Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化錫（以下、ＳｎＯ_２）、窒化チタン（以下、ＴｉＮ）、ＳｉＯ_２、窒化シリコン（以下、Ｓｉ_３Ｎ_４）、ＴｉＯ_２、酸化ニオブ（以下、Ｎｂ_２Ｏ_５）の何れか１種類もしくは複数で混合されて形成された下地の上に形成されたものであることも可能である。
【０１１４】
また、本発明に係る電子部品においては、前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、ガラス又はプラストマー材料基板上に直接形成されたものであることも可能である。
【０１１５】
本発明に係る電子機器は、前記電子部品を用いて構成されることを特徴とする。
【０１１６】
本発明に係る金属膜の加工方法は、前記銀合金からなる金属膜を、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする。
【０１１７】
前記金属膜の加工方法によれば、このような銀合金にあっては、例えば、燐酸系のエッチング液であるＨ_３ＰＯ_４＋ＨＮＯ_３＋ＣＨ_３ＣＯＯＨ等によってもエッチング加工することができ、これにより、従来のパターンニングの手法に加えて、この種の金属膜に適用して好適なパターンニングの手法を得ることができる。
【０１１８】
又、前記金属膜の加工方法によれば、このような銀合金にあっては、例えば、塩素を含むガス雰囲気中でのドライエッチングが可能で、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４等の塩素を含むガス雰囲気中でのＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）、プラズマエッチングなどによる処理が可能である。これにより、従来のパターンニングの手法に加えてこの種の金属膜に適用して好適なパターンニングの手法を得ることができる。
【０１１９】
本発明に係る金属膜の加工方法は、前記銀合金からなる金属膜を３００℃以上７５０℃以下の温度範囲で加熱処理することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする。
【０１２０】
前記金属膜の加工方法によれば、金属膜の加工方法に適用して、例えば蒸着、ＣＶＤ等によりこの合金の組成による堆積層等を形成した後において、これらを合金化することができ、また高温における安定性に優れることにより、各種成膜法により成膜した後の高温度のプロセスにおいても、安定な状態を維持でき、これらにより高温プロセスが必要な各種デバイスに適用して安定かつ加工性に優れた配線パターン等を得ることができる。
【０１２１】
本発明に係る金属膜の加工方法は、前記銀合金からなる金属膜を、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｉｎ、ＳｎＯ_２、ＩＴＯ、ＴｉＮ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４の何れかによる下地の上に形成することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする。
【０１２２】
前記金属膜の加工方法によれば、金属膜の加工方法に適用して、この種の合金からなる配線パターン、電極又は接点を、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、ＩｎＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＮ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５の何れか１種類もしくは複数で混合されて形成された下地の上に形成して、従来の加工プロセスを適用して充分な密着性を確保し、電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた配線パターン等を得ることができる。
【０１２３】
本発明に係る金属膜の加工方法は、前記銀合金からなる金属膜をガラス又はプラストマー材料基板上に直接形成することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする。
【０１２４】
前記金属膜の加工方法によれば、金属材料の加工方法に適用して、これらの合金からなる配線パターン、電極又は接点を、ガラス又はプラストマー材料基板上に直接形成すれば、この合金にあっては酸素の影響が少ないことにより、例えばＡｌのように電気的に抵抗率の増加が低減され、これにより簡易な製造プロセスにより低抵抗率の配線パターン等を簡易に作成することができる。
【０１２５】
本発明に係る電子光学部品は、前記銀合金により形成された反射膜、配線パターン及び電極のうちの少なくとも１つを有することを特徴とする。これにより、電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた、かつ反射率に優れた金属材料を反射膜、配線パターン又は電極に適用した電子光学部品を得ることができる。
【０１２６】
本発明に係る積層体は、少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１２７】
また、本発明に係る積層体において、前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１２８】
本発明に係る積層体は、少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１２９】
また、本発明に係る積層体において、前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１３０】
本発明に係る積層体は、少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３１】
本発明に係る積層体は、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３２】
また、本発明に係る積層体において、前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１３３】
本発明に係る積層体は、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３４】
また、本発明に係る積層体において、前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１３５】
本発明に係る積層体は、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３６】
また、本発明に係る積層体において、前記基板が樹脂基板又はガラス基板であることが好ましい。
また、本発明に係る積層体においては、前記基板と前記高耐熱性反射膜との間に配置された、密着性を助長する下地膜をさらに含むことも可能である。
【０１３７】
また、本発明に係る積層体においては、前記下地膜が、ＩＴＯ、ＩｒＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌからなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものであることが好ましい。
【０１３８】
本発明に係る建材ガラスは、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３９】
また、本発明に係る建材ガラスにおいて、前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１４０】
本発明に係る建材ガラスは、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１４１】
また、本発明に係る建材ガラスにおいて、前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１４２】
本発明に係る建材ガラスは、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１４３】
【発明の実施の形態】
本発明に係る第１の実施の形態による銀合金について説明する。
第１の銀合金は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性のうちの少なくとも１つの特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する合金である。
【０１４４】
なお、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１４５】
第２の銀合金は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性のうちの少なくとも１つの特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する合金である。
【０１４６】
なお、前記１種類の元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、前記１種類の元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下である。さらに好ましくは、前記１種類の元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１４７】
第３の銀合金は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性のうちの少なくとも１つの特性を有する銀合金であって、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金である。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１４８】
第４の銀合金は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性のうちの少なくとも１つの特性を有する銀合金であって、Ａｇ主成分とし、Ｉｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金である。また、より好ましくは、Ｉｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１４９】
第５の銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有する合金である。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１５０】
第６の銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金である。
【０１５１】
第７の銀合金は、優れた耐熱性及び耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金である。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１５２】
Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎを含有させるのは、塩化、硫化防止及び脱酸素効果（酸化防止）、マイグレーション防止（イオン化防止）のためであり、Ｐｄを含有させたのはＡｇに対して共晶合金を作る為に耐食性がさらに上がると考察される為である。また、前記少なくとも１種類の各元素で、例えばＣｕを含有させるのは、電気抵抗を下げること、Ａｇ合金の加工性を上げること、マイグレーション防止等を目的としている。
【０１５３】
前記第１の実施の形態による第１及び第２の銀合金によれば、後述する塩化試験において表６〜表１７に示すように塩化ナトリウム（以下、ＮａＣｌ）に対して良好な結果が得られているので、耐食性に優れた銀合金であることが確認されている。また、第３及び第４の銀合金によれば、後述する塩化試験において図１２に示すようにＮａＣｌに対して良好な結果が得られているので、耐食性に優れた銀合金であることが確認されている。
【０１５４】
また、第１及び第２の銀合金では、後述する反射率の測定において表２、表３に示すように実用上高い反射率が得られることが確認されている。また、第３及び第４の銀合金では、後述する反射率の測定において表４に示すように実用上高い反射率が得られることが確認されている。また、第１及び第２の銀合金では、後述する抵抗値の測定において表２２、表２３に示すように電気的に低抵抗化が実現できることが確認されている。また、第３及び第４の銀合金では、後述する抵抗値の測定において表２４に示すように電気的に低抵抗化が実現できることが確認されている。
【０１５５】
また、第１及び第２の銀合金では、後述する２５０℃、１時間の熱処理後の反射率測定において表２、表３に示すように実用上高い反射率が得られることが確認されている。また、第３及び第４の銀合金では、後述する２５０℃、１時間の熱処理後の反射率測定において表５に示すように実用上高い反射率が得られることが確認されている。
【０１５６】
また、第５の銀合金では、後述する耐熱性試験において表２６、表２７に示すようにアニール後の反射率の減少が少ないという耐熱性に優れているといった結果が得られているので、耐熱性に優れた銀合金であることが確認されている。
【０１５７】
また、第６の銀合金では、後述する耐食性試験（５％ＮａＣｌ浸水試験）において表１８〜表２１に示すようにＮａＣｌに対して良好な結果が得られているので、耐食性に優れた銀合金であることが確認されている。
【０１５８】
また、第７の銀合金では、後述する耐熱性試験において表２６、表２７に示すようにアニール後の反射率の減少が少ないという耐熱性に優れているといった結果が得られており、更に耐食性試験において表１８〜表２１に示すようにＮａＣｌに対して良好な結果が得られているので、耐熱性及び耐食性に優れた銀合金であることが確認されている。
【０１５９】
次に、本発明に係る第２の実施の形態について説明する。
第２の実施の形態によるスパッタリングターゲットは、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板を製造するためのものであり、また、反射光を高反射率化し（即ち反射光の反射率を向上し）且つ反射光の黄色化を抑制した反射配線電極を製造するためのものである。
【０１６０】
本実施の形態による第１のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する銀合金により構成されている。前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましく、より好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１６１】
本実施の形態による第２のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する銀合金により構成されている。前記１種類の元素の含有量は、０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましく、より好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましく、より好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１６２】
本実施の形態による第３のスパッタリングターゲットは、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金である。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１６３】
本実施の形態による第４のスパッタリングターゲットは、Ａｇ主成分とし、Ｉｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金である。また、より好ましくは、Ｉｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１６４】
本実施の形態による第５のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有する合金である。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金からなるスパッタリングターゲット中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１６５】
本実施の形態による第６のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金である。
【０１６６】
本実施の形態による第７のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金である。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金からなるスパッタリングターゲット中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１６７】
次に、前記第１〜第７のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
第１のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金、即ちＡｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１６８】
第２のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金、即ちＡｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１６９】
第３のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７０】
第４のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７１】
第５のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７２】
第６のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７３】
第７のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７４】
また、スパッタリングターゲットの他の製造方法について説明する。
スパッタリングターゲット材の製造方法としては、大気雰囲気中の溶解法、あるいは真空中での溶融法が挙げられる。
前述した銀合金を溶融法で製造する場合には、先ず、基となる母合金を作製し、これにＡｇを追加で混入して、Ａｇが規定量になるように合金に含有される金属の含有量を整えるものとする。
【０１７５】
大気中で行う場合について説明する。
先ず、アルゴン（以下、Ａｒ）雰囲気（４００〜６００Ｔｏｒｒ）中で、前述した銀合金をアーク溶解にて溶融混合することにより、母合金を作製する。
【０１７６】
次に、高周波溶融炉において、Ａｇの溶解を行う。このときのＡｇの量は、全体溶解量から母合金中のＡｇの量を差し引いた量とする。この際の溶融温度は、例えば１０００〜１５００℃として、例えば、０．１〜０．２リットルの並型黒鉛坩堝を用いる。
【０１７７】
完全に溶融した後、酸化防止材を投入し、溶融中の酸素との固溶を抑制、防止する。酸化防止材としては、ホウ砂、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸リチウム、カーボン等を用いることができる。
【０１７８】
完全に溶融した状態で、約１時間放置し、前記の母合金を添加してさらに０．５〜１時間溶融させる。この際の溶融温度は、例えば１０５０〜２０００℃とする。
【０１７９】
次に、例えばアルミナ、あるいはタルクを内面に塗布してあるＦｅの鋳型に溶融物を注湯する。Ｆｅの鋳型は、引け巣を防止するため、予め電気炉等で３００〜５００℃程度に熱しておく。
【０１８０】
鋳型内の溶融物を冷却、凝固し、インゴットを鋳型から取り出して、常温まで冷却する。次に、インゴットの最上部の押湯部を切断除去し、インゴットを圧延機により圧延し、９０ｍｍ×９０ｍｍ×８．１ｍｍの板状の合金を作製する。
【０１８１】
その後、例えば４００〜５００℃の温度で電気炉内にＡｒガスを封入した状態で、１〜１．５時間程度、熱処理し、その後さらにプレス機によりそり修正を行う。
【０１８２】
その後、製品形状にワイヤーカットし、耐水研磨紙を用いて製品全面を研磨し、表面粗度を調整し、最終的にＡｇ合金のスパッタリングターゲット材を作製することができる。
【０１８３】
以上、大気中での溶解法について説明したが、その他の溶解法を用いることも可能であり、以下、Ａｒ雰囲気中で行う溶解の場合について説明する。
先ず、Ａｒ雰囲気（４００〜６００Ｔｏｒｒ）中で、前述した銀合金をアーク溶解にて溶融混合し、母合金を作製する。
【０１８４】
次に、高周波溶融炉において、前記の母合金とＡｇの溶解を行う。このときのＡｇの量は、全体溶解量から母合金中のＡｇの量を差し引いた量とする。
母合金とＡｇを入れた坩堝を高周波溶融炉に入れ、真空引きを行う。酸素を巻き込まない程度に真空に引いた後、溶融炉をＡｒ雰囲気（１００〜６００Ｔｏｒｒ）にしてから溶融を開始する。
この際の溶融温度は、例えば、１０５０〜１４００℃とし、坩堝は、例えば、０．１〜０．２リットルの並型黒鉛坩堝を用いる。
【０１８５】
次に、例えばアルミナ、あるいはタルクを内面に塗布してあるＦｅの鋳型に溶融物を注湯する。
Ｆｅの鋳型は、引け巣を防止するため、予め電気炉等で３００〜５００℃程度に熱しておく。
【０１８６】
鋳型内の溶融物を、冷却、凝固し、インゴットを鋳型から取り出して、常温まで冷却する。
次に、インゴットの最上部の押湯部を切断除去し、インゴットを圧延機により圧延し、９０ｍｍ×９０ｍｍ×８．１ｍｍの板状の合金を作製する。
【０１８７】
その後、例えば電気炉で４００〜５００℃によりＡｒガスを封入した状態で、１〜１．５時間程度、熱処理し、その後さらにプレス機によりそり修正を行う。
【０１８８】
その後、製品形状にワイヤーカットし、耐水研磨紙を用いて製品全面を研磨し、表面粗度を調整し、最終的に本発明の銀合金のスパッタリングターゲット材を作製することができる。
【０１８９】
前述のように、本発明の銀合金のスパッタリングターゲット材を作製する場合において、Ａｇに対してＺｎ及びその他の元素Ｘを添加して溶融する場合においても、従来行われている容易な方法を適用することができ、価格的にも製法的にもメリットが大きい。
【０１９０】
次に、本発明に係る第３の実施の形態による反射型ＬＣＤ用反射板及びその製造方法について説明する。
【０１９１】
反射型ＬＣＤ用反射板は第１〜第７の薄膜のいずれかからなるものである。第１の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有する銀合金により構成されている。例えば、前記群から選ばれた少なくとも１種類の元素がＺｎとＮｉの２種類であった場合は、Ｚｎが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有すると共にＮｉが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有する銀合金である。
【０１９２】
第２の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）以下含有する銀合金により構成されている。例えば、前記群から選ばれた１種類の元素がＺｎで、前記群から選ばれた少なくとも１種類の元素がＣｕとＡｕの２種類であった場合は、Ｚｎが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有し、Ｃｕが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有し、Ａｕが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有する銀合金である。
【０１９３】
第３の薄膜は、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金により構成されている。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１９４】
第４の薄膜は、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金により構成されている。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１９５】
第５の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有する合金により構成されている。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１９６】
第６の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金により構成されている。
【０１９７】
第７の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金により構成されている。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１９８】
前記第１〜第７の薄膜は、前記スパッタリングターゲットを用いたスパッタ装置において例えばＲＦ（交流）マグネトロンスパッタリング法により形成される。従って、第１〜第７の薄膜のいずれかからなる反射型ＬＣＤ用反射板は、微視的にみても均一な特性を安定に提供することができる。
【０１９９】
前記第３の実施の形態によれば、前述した銀合金からなる第１〜第７の薄膜などによって反射型ＬＣＤ用反射板を形成している。このため、この反射型ＬＣＤ用反射板の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することを抑制できる。従って、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化を抑制することができる。また、反射光を高反射率化（即ち反射光の反射率を向上）することができ、安定的に高い反射率を確保することができる。
【０２００】
次に、本発明に係る第４の実施の形態による反射配線電極及びその製造方法について説明する。
反射配線電極は前記第１〜第７の薄膜のいずれかからなるものである。
【０２０１】
前記第１〜第７の薄膜は、前記スパッタリングターゲットを用いたスパッタ装置においてＲＦ（交流）マグネトロンスパッタリング法により成膜され、その後、エッチングにより所定形状に加工される。この薄膜からなる反射配線電極は、微視的にみても均一な特性を安定に提供することができる。また、前記第１〜第７の薄膜は、例えば、燐酸を含有するエッチング液でエッチング加工することが可能である。燐酸系のエッチング液としては、例えばＨ_３ＰＯ_４＋ＨＮＯ_３＋ＣＨ_３ＣＯＯＨを用いることが可能である。
【０２０２】
前記第４の実施の形態によれば、前述した銀合金からなる第１〜第７の薄膜などによって反射配線電極を形成している。このため、この反射配線電極の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することを抑制できる。従って、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化を抑制することができる。また、反射光を高反射率化（即ち反射光の反射率を向上）することができ、安定的に高い反射率を確保することができる。
【０２０３】
また、前記第３の実施の形態による反射型ＬＣＤ用反射板及び第４の実施の形態による反射配線電極それぞれは石英ガラス基板などの下地に対して十分な密着性を有するものである。
【０２０４】
尚、前記実施の形態では、薄膜をスパッタリング法により成膜しているが、薄膜を蒸着法、ＣＶＤ法、メッキ法などの他の成膜法により成膜することも可能である。
【０２０５】
次に、本発明に係る第５の実施の形態について説明する。
以下に示す例においては、前述したスパッタリングターゲットを用いて形成されて成る薄膜及びこの薄膜を有する光学記録媒体について、２層の情報記録層を有する構造のディスク状、いわゆる円板状の光ディスクに適用する場合について説明する。ただし、本発明は、このような光ディスクや、その形状に限定されるものではなく、光磁気ディスク、相変化ディスク、その他のカード状、シート状等の情報層に金属薄膜を有する各種の光学記録媒体に適用することができる。
【０２０６】
以下の例において作製する光学記録媒体は、図１に示すように、第１の基板１と第２の基板２とが、例えば光透過性の光硬化性樹脂２０を介して積層された２層構造の光学記録媒体とする。
【０２０７】
第１の基板１は、例えばポリカーボネート等の光透過性樹脂の射出成形により、一主面にデータ記録ピット、またはプリグルーブ等の第１の微細凹凸２１を有し、これの上に半透明膜１５を有し、第１の情報記録層１１が形成されてなるものである。
【０２０８】
また、前述した第１の基板１と積層される第２の基板２は、第１の基板１と同様に、例えばポリカーボネート等の光透過性樹脂の射出成形によって、一主面にデータ記録ピット、またはプリグルーブ等の第２の微細凹凸２２を有し、これの上に、本発明に係る銀合金を用いて形成した反射膜１６を有し、第２の情報記録層１２が形成されてなるものである。
この銀合金による反射膜１６は、例えばＲＦ（交流）マグネトロンスパッタリング法により成膜することができ、膜厚は、例えば５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に形成する。
【０２０９】
さらに、第２の情報記録層１２上には、例えばアクリル系の紫外線硬化性樹脂よりなる保護膜３０が形成されている。
【０２１０】
図１に示す２層構造の光学記録媒体において、第２の情報記録層１２に記録された情報の再生を行うときには、波長８００ｎｍの光ビームを照射して第２の情報記録層１２に焦点が結ばれるようにし、情報の再生を行うようにする。
一方、第１の情報記録層１１に記録された情報の再生を行うときには、波長６５０ｎｍの光ビームを照射して第１の情報記録層１１に焦点が結ばれるようにし、情報の再生を行うようにする。
【０２１１】
以下、本実施の形態に係る銀合金及びこれを用いて作製した薄膜、すなわち図１に示した反射膜１６について説明する。
【０２１２】
本実施の形態は、高反射率の維持、耐候性の改善、合金作製にあたっての製造容易さ、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性、簡易性の種々の問題について解決を図るべく、前述した銀合金からなるスパッタリングターゲット材、及び、これを用いて形成された薄膜と、この薄膜を有する光学記録媒体を得るものである。
【０２１３】
Ａｇは、硫黄と結合しやすく、大気中に長時間放置すると、大気と接触する界面が硫黄と反応して、硫化銀（以下、Ａｇ_２Ｓ）となり、黒色化して反射特性が劣化してしまう。また、塩素とも激しく反応してＡｇＣｌとなってしまい、白濁化して反射特性が劣化する。また、塩素との反応部が成長、拡大してしまい、白濁化した部分が広がり、さらに反射特性が劣化し、Ａｇの物理的特性を損なってしまう。
【０２１４】
しかし、一方においてＡｇは、酸素や水素に対しては比較的安定な物質であり、特に水素に対しては非常に安定であり、酸素雰囲気下での長時間放置後の酸素との結合状態や、水中に浸水させて放置した後に水素との結合状態を確認しても、これらとの反応性が安定であることがわかる。このため、対酸素や水素へのバリア性を目的とした感光材用の添加材料や、高融点ロウ材等に適用されている。
【０２１５】
本実施の形態に係る銀合金のスパッタリングターゲット材料として、Ｚｎなどを選択したのは、Ａｇは高温（１００℃以上）ではかなりの酸素を吸収してしまい、酸素と結びつき合金を作るような性質がある為、高温領域での使用する際には、それを抑制する元素が必要不可欠である。そこで、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＮｉ等は、酸化傾向が強い為、合金中の酸素と結合し酸化物となり、合金自体の酸化を防止することと、塩化、硫化を防ぐ効果がある為に耐候性に有用である。
【０２１６】
前記スパッタリングターゲット材によれば、Ａｇの耐水素性、耐酸素性やＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉ等の脱酸素効果、硫化、塩化防止の相互作用により、塩素、水素、酸素、硫黄という大気中あるいは特殊環境中で検討される非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される際に要求される環境や雰囲気下でのＡｇと比較した場合の高い耐候性の向上の実現が可能になるのである。
【０２１７】
また、前記スパッタリングターゲット材を用いて光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られること、即ち光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有することが確認されている。
【０２１８】
また、光学記録媒体の反射膜を形成するための材料として、前記スパッタリングターゲット材を用いた場合に、光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、Ａｇを単独で用いた場合に比較してさらに向上することが確認されている。
【０２１９】
次に、Ａｇに所定量のＺｎを添加したＡｇ−Ｚｎ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。
この場合、Ａｇに、Ｚｎが１．７ａｔ％〜８ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜、すなわち反射膜を形成し、光学記録媒体を作製し、波長４００ｎｍのレーザー光を照射したときの、それぞれの反射率を測定するものとし、この測定結果を表２に示す。比較例として純Ａｇの薄膜とＡｇを主成分とし、Ｐｄを０．９１ａｔ％とＣｕを１．６９ａｔ％含有したＡｇ−０．９１ａｔ％Ｐｄ‐１．６９ａｔ％Ｃｕ合金（以下、ＡＰＣ）の薄膜についての反射率を測定した。
【０２２０】
【表２】

【０２２１】
表２に示した測定結果より、ＡｇにＺｎを含有しているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
すなわち、表２に示すように、ＡｇにＺｎが１．７ａｔ％〜８ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合において、特に、Ｚｎが１．７ａｔ％、５ａｔ％それぞれの量含有した場合においては、８９．９１％（４００ｎｍ）以上の高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有するものであることがわかる。
【０２２２】
つまり、光学記録媒体の反射膜を形成するための材料として、ＡｇにＺｎが１．７ａｔ％、５ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いた場合には、反射率が同波長領域中の測定で、ＡＰＣを用いた場合に比較して良好である。さらに光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、ＡＰＣと同程度が期待できる。
【０２２３】
図３は、Ａｇ−Ｚｎ合金からなる薄膜について照射する光の波長とその光の反射率を示すグラフである。このグラフによれば、Ｚｎ含有量が１．７ａｔ％、５ａｔ％のとき、ＡＰＣよりも良好である。
【０２２４】
次に、Ａｇに所定量のＺｎとＣｕを添加したＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。
この場合、Ａｇに、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ合金スパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜、すなわち反射膜を形成し、光学記録媒体を作製し、波長４００ｎｍのレーザー光を照射したときの、それぞれの反射率を測定するものとし、この測定結果を表３に示す。比較例として純Ａｇの薄膜とＡＰＣの薄膜についての反射率を測定した。
【０２２５】
【表３】

【０２２６】
表３に示した測定結果より、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
すなわち、表３に示すように、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合において、特に、Ｚｎが０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜１．７ａｔ％それぞれの量含有した場合においては、８９％（４００ｎｍ）以上の高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有するものであることがわかる。
【０２２７】
つまり、光学記録媒体の反射膜の形成するための材料として、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜１．７ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いた場合には、反射率が同波長領域中の測定で、ＡＰＣを用いた場合に比較して良好である。さらに光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、ＡＰＣと同程度が期待できる。
【０２２８】
なお、前記においては、Ａｇ−Ｚｎ合金、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、これら以外の元素をＡｇに含有した前記スパッタリングターゲットを用いた場合についても高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を得ることができる。
また、ＡｇにＺｎが０．１ａｔ％〜８．０ａｔ％（好ましくは０．３ａｔ％〜６．０ａｔ％）、Ｃｕが０．１ａｔ％〜８．０ａｔ％（好ましくは０．３ａｔ％〜６．０ａｔ％）それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においても、実用上望ましい高い反射率が得られることも確認されている。
【０２２９】
次に、Ａｇに所定量のＰｄ、Ｃｕ、Ｚｎを添加したＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｚｎ合金、又は、Ａｇに所定量のＰｄ、Ｃｕ、Ｉｎを添加したＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｉｎ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率、５５０ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。この場合の測定結果を表４に示す。比較例としてＡｇを主成分とし、Ｐｄを０．５ａｔ％とＣｕを１．０ａｔ％含有したＡｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ‐１．０ａｔ％合金の薄膜についての反射率を測定した。
【０２３０】
【表４】

【０２３１】
表４に示した測定結果より、ＡｇにＰｄ、Ｃｕ、Ｚｎ又はＩｎを含有しているＡｇ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
【０２３２】
次に、表４に示した薄膜を２５０℃の温度で１時間熱処理を施した後の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率、５５０ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。この場合の測定結果を表５に示す。
【０２３３】
【表５】

【０２３４】
表５に示した測定結果より、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
【０２３５】
次に、本発明に係る第６の実施の形態について説明する。
まず、第６の実施の形態による光学記録媒体の構成について説明する。
図２は、第６の実施の形態による光学記録媒体の一例を示した側面図である。この例による光学記録媒体６はＤＶＤと呼ばれている高密度の光学記録媒体である。
【０２３６】
光学記録媒体６は、図面上で上方に透明な基板１４を有し、また下方に透明ないし不透明な基板１３を有している。これら基板１４及び１３は、例えばポリカーボネート等のプラストマー材料により作られている。
【０２３７】
基板１４の片面には、第１の情報層９が設けられている。この第１の情報層９は、情報ピットと半透明反射膜３とにより構成されている。この情報ピットは、例えば情報に応じて凹凸パターンが形成されている。この半透明反射膜３は、前述した銀合金の薄膜からなるものである。
【０２３８】
また、基板１３の片面には、基板１４と同様に、第２の情報層１７が設けられている。この第２の情報層１７は、情報ピットと反射膜４とにより構成されている。
【０２３９】
基板１４の第１の情報層９が形成された面と、基板１３の第２の情報層１７が形成された面とは、所定の厚さの透明接着剤５により貼り合わされている。これによって、２つの情報層９及び１７を有する、一体の光学記録媒体が形成されることになる。この結果、再生光８が入射する側には第１の情報層９が配されることになり、さらに再生光８が入射する側とは反対側には第２の情報層１７が配されることになる。
【０２４０】
次に、図２に示す光学記録媒体６についての信号の再生方法について説明する。
図２の光学記録媒体６において、第１の情報層９の信号の再生は、基板１４側から入射する再生光８を第１の情報層９に集光させることにより行う。一方、第２の情報層１７の信号の再生は、対物レンズ７の焦点位置を第２の情報層１７に移動させ、第２の情報層１７に再生光８を集光することにより行う。
【０２４１】
ここで、第２の情報層１７の信号の再生にあたっては、再生光８が第１の情報層９を透過する必要がある。このため、第１の情報層９には、いわゆる半透明反射膜が用いられる。この半透明反射膜は、入射光のうち一部の光を反射させ、また他の一部の光を透過させる性質を持っている。
【０２４２】
第１の情報層９の半透明反射膜３は、作製の容易さ等からスパッタリング法、一般には、マグネトロンスパッタリング法により形成される。また、第２の情報層１７の反射膜４は、従来の反射膜と同様に高反射率を有するＡｌ、Ａｕ、Ａｇあるいはそれらの合金により、前述のスパッタリング法により形成される。
【０２４３】
次に、第１の情報層９の半透明反射膜３について詳細に説明する。
半透明反射膜３を形成する場合、一般にその膜厚の増加とともに反射率Ｒ１（％）は高くなり、逆に透過率Ｔ１（％）は減少する。また、反射する光、及び透過する光の他に、膜に吸収される光がある。この吸収される光の割合を吸収率Ａ１という。ここで、半透明反射膜３に入射する光量を１００（％）とすると、次の式が成立する。
Ｒ１＋Ｔ１＋Ａ１＝１００（％）　（１）
【０２４４】
前述のような２つの情報層９及び１７を有する光学記録媒体において、再生が良好であるための条件としては、第１の情報層９からの戻り光量Ｓ１（％）と、第２の情報層１７からの戻り光量Ｓ２（％）とが十分に大きいことが必要である。これらの値Ｓ１及びＳ２は、それぞれの情報層９及び１７での反射率Ｒ１及びＲ２に比例する。
【０２４５】
再生専用のいわゆるＲＯＭ（ｒｅａｄｏｎｌｙｍｅｍｏｒｙ）記録媒体の場合、反射率が約１０％以上であれば再生が可能である。これは反射率が約１０％以下になると、ディスク表面と空気との界面で生じる反射光と、情報層からの反射光とを識別することが困難となり、フォーカス制御ができなくなるからである。
【０２４６】
半透明反射膜３は、再生光８の入射側に配置されるため、戻り光量Ｓ１はそのまま半透明反射膜３の反射率Ｒ１に比例した量だけの信号となる。ここで、基板１４での光の吸収は極めて小さいので、戻り光量Ｓ１＝反射率Ｒ１としてよい。
【０２４７】
一方、戻り光量Ｓ２は、光路の途中に半透明反射膜３が存在するので、その影響のため多少複雑になる。そこで、戻り光量Ｓ２に対する、半透明反射膜３の影響を計算により求めてみる。
【０２４８】
まず、半透明反射膜３に入射する光量のうち、半透明反射膜３を透過して第２の情報層１７に到達する光量の割合は、半透明反射膜３の透過率Ｔ１（＝１００−Ｒ１−Ａ１）で表される。ついで、第２の情報層１７に到達した光量のうち、第２の情報層１７の反射膜４で反射される光量の割合は、反射膜４の反射率Ｒ２で表される。また、第２の情報層１７の反射膜４で反射される光量のうち、半透明反射膜３を透過する光量の割合は、半透明反射膜３の透過率Ｔ１で表される。この第１の情報層９の半透明反射膜３を透過したものが戻り光量となる。
【０２４９】
したがって、戻り光量は（Ｔ１×Ｒ２×Ｔ１）／１００００、あるいは（１００−Ｒ１−Ａ１）^２×Ｒ２／１００００で表される。したがって、第２の情報層１７からの戻り光量Ｓ２は、次式で表すことができる。
Ｓ２＝（１００−Ｒ１−Ａ１）^２×Ｒ２／１００００　（２）
【０２５０】
ここで、Ａｇからなる半透明反射膜３を例として、上式について検討してみる。測定波長を６５０ｎｍとし、半透明反射膜３の膜厚を１０ｎｍとすると、反射率Ｒ１＝２６％となり、吸収率Ａ１＝１３％となる。また、第２の情報層１０の反射膜４の反射率Ｒ２＝８０％とすると、戻り光量Ｓ２＝３０％となる。これらのことから、戻り光量Ｓ１＝２６％、戻り光量Ｓ２＝３０％となる。これにより戻り光量Ｓ１及びＳ２ともに１０％以上となるので、十分な信号を得ることが可能となる。
【０２５１】
次に、光学記録媒体の半透明反射膜３について行った、耐候性の検討結果を説明する。
半透明反射膜３の膜厚は、従来の反射膜の膜厚と比較すると、極めて薄い領域にある。したがって、半透明反射膜３は十分な耐候性を有することが必要である。
【０２５２】
本実施の形態においては、まず、Ｚｎ等を添加したＡｇ合金のスパッタリングターゲットを前述した方法により作製した。
次に、このスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、銀合金の薄膜からなる半透明反射膜を形成し、光学記録媒体を得た。
【０２５３】
ここで、銀合金からなるスパッタリングターゲット材料として、Ｚｎなどを特に選択した理由は、前述したものと同様である。
【０２５４】
また、Ａｇは、硫黄と結合しやすいので大気中に長時間放置されると、Ａｇ_２Ｓとなり黒色化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化する。また、Ａｇは、塩素とも激しく反応してＡｇＣｌとなり白濁化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化する。しかし、Ａｇは、酸素、水素、あるいは水に対しては比較的安定な物質である。一方、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉは、脱酸素効果（酸化防止）、硫化、塩化防止等の作用があり、硫黄や塩素に対して化学的に安定な物質である。
【０２５５】
前記Ａｇ合金のスパッタリングターゲットによれば、塩素、水素、酸素、硫黄という、大気中、あるいは特殊環境中で検討される非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される際に要求される環境や雰囲気下での高い耐候性の向上の実現が可能になる。
【０２５６】
前記第６の実施の形態によれば、前述したＡｇをベース材料とした銀合金からなる薄膜を半透明反射膜３に用いることにより、耐候性を改善でき、かつ基板との接合性を強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０２５７】
次に、耐候性の試験法について説明する。ここでは塩素試験を行った。
塩素試験のサンプルは、ポリカーボネート基板上に後述のＡｇ合金を成膜したものを使用した。
塩素試験は、常温で、５％濃度の塩水にこのサンプルを一定時間浸漬した後、目視により確認したものである。
【０２５８】
表６〜表１７は、Ａｇ−Ｚｎ‐Ｘ合金、Ａｇ‐Ｉｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｓｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｎｉ‐Ｘ合金の薄膜について行った塩化試験結果を示したものである。ここで、Ｘは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を示す。比較例として純ＡｇとＡＰＣについても行った。
【０２５９】
【表６】

【０２６０】
【表７】

【０２６１】
【表８】

【０２６２】
【表９】

【０２６３】
【表１０】

【０２６４】
【表１１】

【０２６５】
【表１２】

【０２６６】
【表１３】

【０２６７】
【表１４】

【０２６８】
【表１５】

【０２６９】
【表１６】

【０２７０】
【表１７】

【０２７１】
次に、塩化試験から得られた知見について説明する。
純Ａｇの薄膜では、塩化によるものと思われる膜の白濁が認められた。
【０２７２】
これに対し、Ａｇ−Ｚｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｉｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｓｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｎｉ‐Ｘ合金薄膜では、５％ＮａＣｌ水溶液にはＡＰＣと同様、変化が見られなかった。
このように、第二元素としてＺｎ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＮｉ等を添加することにより、耐候性が改善され、より高い信頼性が得られた。
【０２７３】
次に、前述した第４〜第７の薄膜についての耐食性試験（５％ＮａＣｌ浸水試験）及びその結果について説明する。
５％ＮａＣｌ浸水試験のサンプルは、ポリカーボネート基板上に表中に示す組成（ａｔ％表示）のＡｇ合金を成膜したものを使用した。
５％ＮａＣｌ浸水試験は、常温で、５％濃度の塩水にこのサンプルを浸漬した後、３分経過後、３時間経過後、２４時間経過後に目視により確認したものである。
【０２７４】
表１８〜表２１は、表中に記載している組成（ａｔ％表示）のＡｇ合金の薄膜について行った５％ＮａＣｌ浸水試験の結果を示したものである。
【０２７５】
【表１８】

【０２７６】
【表１９】

【０２７７】
【表２０】

【０２７８】
【表２１】

【０２７９】
表１８に示すように、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金で表面の変化が無かったのはＺｎが３．６ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％含有する合金のみであった。この事からＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金では耐食性の良好な組成の範囲が非常に狭いことが確認された。これに対して、表１９に示すように、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金では、Ｐｄを添加しているため耐食性の良好なＺｎ、Ｃｕの組成範囲を広くできることが確認された。したがって、スパッタ条件等のプロセス条件によりＡｇ合金の組成にばらつきが生じた場合、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金では耐食性が悪化することが予想されるが、Ｐｄを添加することによりＡｇ合金の組成がばらついたとしても耐食性が悪化することを防止できる。よって、信頼性を向上させることができる。
【０２８０】
表２０に示すように、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金中のＰｄの含有量が０．１ａｔ％の場合、２４時間経過後に若干の白色が観察されたが、Ｐｄの含有量が０．２ａｔ％以上の場合は２４時間経過後も変化が無かった。したがって、耐食性を得るためにはＰｄの含有量を０．２ａｔ％以上とすれば良いことが確認された。
【０２８１】
表２１に示すように、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金中のＣｕの含有量を０ａｔ％〜５．０ａｔ％まで変えたサンプルで耐食性試験を行った場合、いずれのサンプルも２４時間経過後の変化が観察されなかった。したがって、この合金ではＣｕの組成が耐食性に影響しないことが確認された。
【０２８２】
尚、前記第６の実施の形態では、優れた耐食性、耐候性を有するＡｇ合金材料であることを説明し、２つの情報層を有する構造のディスク状、いわゆる円盤状の光ディスクについて説明したが、本発明はこのような光ディスクや形状に限られるものではなく、種々の製品に適用することが可能であり、例えば、単層又は３層以上の情報層を有する光ディスク、光磁気ディスク、相変化型光ディスク、その他カード状またはシート状の記録媒体等、情報層に金属薄膜を有する各種の光学記録媒体、その他、耐食性、耐候性を必要とする各種の製品に適用することが可能である。
【０２８３】
また、例えば２枚の透明基板上にそれぞれ２層以上の情報層を形成し、これら透明基板をその情報層を有する面をつき合わせ接合して形成し、両透明基板側から光照射を行うようにした構成とすることもできるなど種々の構造とすることが可能である。
【０２８４】
次に、本発明に係る第７の実施の形態による電磁波遮蔽体について説明する。
本実施の形態では、Ａｇの保有する熱に対しての自己拡散エネルギーを緩和させて、任意で少なくとも１００℃前後に加熱した場合に生じ易い表面拡散による白濁化という現象を抑制することが重要である。
【０２８５】
即ち、Ａｇは最も電磁波の遮蔽能力については優れている材料であると知られているが、例えば熱に対しての自己拡散エネルギーが活発であるという問題が生じ易い。そのため、一時的であっても１００℃前後の熱が加えられる場合には、表面部に拡散現象が起こり、Ａｇ自体が保有する光沢を失って白濁化してしまい、換言すれば、電磁波の遮蔽能力に優れたＡｇ自体の特性が低減し易いからである。
そして、Ａｇは大変熱伝導率が良く、原子単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴がある。
【０２８６】
図４は、本発明に係る第７の実施の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図である。
この電磁波遮蔽体は、少なくとも導電性を有するエラストマー材料若しくはプラストマー材料からなる基板１９を備えている。この基板１９上には密着性を助長する下地膜２３が配置されている。この密着助長下地膜２３上には電磁波遮蔽膜１８が形成されている。
【０２８７】
電磁波遮蔽膜１８は、前述した銀合金から形成されたものであり、スパッタリング法により成膜されることが好ましい。なお、電磁波遮蔽膜１８は複数の膜から構成されていても良い。
【０２８８】
基板１９がエラストマー材料の時、その材料としては、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム又はＥＰＤＭ（エチレン・プロピレンとジエンとのゴム状三元共重合体）等が挙げられる。
【０２８９】
また、基板１９がプラストマー材料の時、その材料としては、例としてプラスチックフィルムやエンジニアリングプラスチック等が挙げられ、主な種類として、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、或いはポリブチレンテレフタレート、変性ポリフェニレンエーテル等が挙げられる。
【０２９０】
密着助長下地膜２３の材料としては、酸素や各種の材質からなる基板１９に対して材料的に安定であり、前記基板と少なくとも前記銀合金からなる電磁波遮蔽膜１８との密着性を考慮すると、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＩＴＯ、ＩｒＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２等からなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものであることが好ましい。
【０２９１】
また、前述した銀合金は、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム又はＥＰＤＭ等の各種のエラストマー材料に対して化学的安定性が高く、エラストマー材料からなる基板材質に対して制限されないことも確認されている。
【０２９２】
また、前述した銀合金は、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、或いはポリブチレンテレフタレート、変性ポリフェニレンエーテル等の各種のプラストマー材料に対して化学的安定性が高く、プラストマー材料からなる基板材質に対して制限されないことも確認されている。
【０２９３】
また、各種のエラストマー材料からなる基板１９の密着助長下地膜２３としては、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２が望ましい。
その理由としては、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム又はＥＰＤＭからなる基板１９は特定の純度や材質の場合にはガスの発生が大変多いこと、金属はその発生ガスと反応が強いこと、銀合金の薄膜と密着させる接合、界面に反応不動態被膜（例えば酸化膜等）を生じる可能性が高いこと等から適切であるとは言い難いからである。
【０２９４】
また、各種のプラストマー材料からなる基板１９の密着助長下地膜２３としては、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２が望ましい。
その理由としては、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、或いはポリブチレンテレフタレート、変性ポリフェニレンエーテル等からなるプラストマー材料基板１９は、特定の純度や材質の場合により、基板の表面が平坦であるために、銀合金の薄膜を密着させるとき、状況によっては密着性が悪くなる可能性がある。
【０２９５】
前記第７の実施の形態によれば、前述した銀合金からなる薄膜を電磁波遮蔽膜１８として用いる。これにより、耐熱性を大幅に向上させることができ、しかも、Ａｇ自体の保有する電磁波遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を低下させることなく保持できる。
【０２９６】
つまり、前記電磁波遮蔽膜１８は、従来多用されていたＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ及び純Ａｇ等の材料からなる電磁波遮蔽膜では得ることができなかった電磁波遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を得られることが確認されている。また、図４に示す密着助長下地膜２３を備えた電磁波遮蔽体においても、基板１９と電磁波遮蔽膜１８との間に密着助長下地膜２３を形成しない場合と同様に高い電磁波遮蔽効果を有することが確認されている。この場合、ＩＴＯ及びＺｎＯ等の導電性酸化物を密着助長下地膜２３として用いる方が、ＳｉＯ_２を下地膜２３として用いる場合に比べて電磁波遮蔽効果が高いことも確認されている。
【０２９７】
ここで、電磁波遮蔽膜１８の膜厚としては特に限定されるものではないが、電磁波遮蔽能力等を考慮するとたとえば５〜５０００ｎｍ位が好ましい。そして、携帯電話や液晶ディスプレイの表示部等のように電磁波遮蔽能力に加えて更に透明性（透過性或いは透視性）等を考慮する場合は５〜３０ｎｍ位が好ましい。又、プリント基板やコンピューター内部に設置されている機器類等のように透明性を考慮しない場合には３０〜５０００ｎｍ位が好ましい。
【０２９８】
また、第７の実施の形態では、基板１と電磁波遮蔽膜１８との間に、両者間の密着性を助長する特定の密着助長下地膜２３を中間下地として形成している。このため、基板１９に対する電磁波遮蔽膜１８と各種の材質からなる基板との接合性をより一層効果的に強化できる。
【０２９９】
また、密着助長下地膜２３の材料としては、より低抵抗であることが望ましい。低抵抗であって、更に非磁性導電膜であることが望ましい。具体的には、ＺｎＯよりもＩＴＯの方が電磁波遮蔽効果が高いことが確認されている。このようになる理由としては、電磁波遮蔽を目的として、この銀合金の膜と基板との間に特定の中間下地膜を設けて、その多層膜自体に電界を加えた場合、この多層膜の内部に導電電流が流れ、この電気エネルギーが熱エネルギーに変換され、更に、この熱エネルギーへの変換を行う発熱機構が主とした原因となって、電磁波が吸収されて導電損失が起こるからである。また、この導電損失は導電電流が抵抗少なく流れた分に依存して効果は高いために、電磁波遮蔽膜の抵抗が低ければ低いほど優位差が顕著にでる。
【０３００】
しかし、ＡｇやＡｌ、Ｃｕについては材料の原子自体の移動、つまり、エレクトロマイグレーション現象による電気エネルギーから熱エネルギーへの変換である発熱機構が、時間の経過と共に減衰してしまうために、少なくとも特定の膜厚を設けることで減衰作用を低減してきたが、前述した銀合金においては膜自体の金属原子間移動が活発でないため、減衰作用が著しく低下するということが確認されている。
【０３０１】
また、ＩＴＯ、ＺｎＯに代表される導電性酸化物ではなく、例えば絶縁であることを特徴とするＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２等の誘電体を銀合金材料と基板との間に密着助長下地膜として介在させた場合、銀合金材料の保有する高い導電損失の効果に加え、誘電損失と呼ばれる高周波での電磁波エネルギーの吸収効果も行われて両者の相乗効果による電磁波の高遮蔽効果が得られるため、少なくとも密着助長下地膜として介在する金属酸化物としては導電性を有する材料に限定する必要はない。
【０３０２】
つまり、前述した銀合金材料により形成された電磁波遮蔽膜１８においては、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜、若しくはＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２等の金属酸化物及び金属複合酸化物を用いた密着助長下地膜２３を介在させた場合であっても、高い電磁波遮蔽効果があることが確認されている。
【０３０３】
また、密着助長下地膜２３として例えばＳｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜を用いた場合、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法のいずれでも成膜が可能である。従って、汎用的な有用性は高いといえる。
【０３０４】
また、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２等の金属酸化物薄膜においても、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法のいずれでも容易に成膜が可能である。例えばブラウン管モニターや液晶表示素子等の表面側に形成するＡＲ（反射防止）コートについては、透明性が高い密着助長下地膜２３を各種のエラストマー材料からなる基板１９上に形成し、この密着助長下地膜上に厚さ５〜３０ｎｍの電磁波遮蔽膜を形成し、その上にＡＲコートを形成することで、表示デバイス自体からの電磁波に対しての顕著な遮蔽効果を奏するものである。
【０３０５】
また、第７の実施の形態では、Ａｇ自体の材料的な安定性を格段に改善でき、しかも、積層構造として用いる場合、基板の材質を問わずに積層可能で、且つ、基板との接合性（密着性）をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０３０６】
また、電磁波遮蔽膜１８の単膜の場合と図４に示す電磁波遮蔽体の場合の両方について、優れた耐熱性及び耐候性を有することが確認されている。また、例えば近年のＥＭＣ対策材料用の電磁波遮蔽体として応用展開が広い等の有用性が高いことが確認されている。
【０３０７】
また、前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８を各種のエラストマー材料からなる基板１９の表面に形成した電磁波遮蔽体は、従来のエラストマー材料に金属粉やカーボンブラックを配合したものと比べて、１００ＭＨｚの低周波域から１ＧＨｚ域における電界強度減衰率（ｄＢ）、電波吸収能力（ｄＢ）が優れ、しかも、可撓性（ｃｍ）においても優れていることが確認されている。
【０３０８】
また、前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８を各種のプラストマー材料からなる基板１９の表面に形成した電磁波遮蔽体は、従来のプラストマー材料に金属膜を積層したものと比べて、１００ＭＨｚの低周波域から１ＧＨｚ域における電界強度減衰率（ｄＢ）、電波吸収能力（ｄＢ）が優れていることが確認されている。
【０３０９】
ノートブック型パソコンや携帯電話機等に代表される携帯型情報端末機器等に、前述した各種のエラストマー材料からなる基板１９の表面に前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８を形成した電磁波遮蔽体を適用した場合、その電磁波遮蔽体を例えば外形に沿わせて折り曲げ付設することができる必要がある。これについて、電磁波遮蔽体は、それを９０°に折り曲げても、その表面に亀裂等が全く発生しないので、複雑な形状への折り曲げ追随性（形状自在性）においても優れていることが確認されている。
【０３１０】
ノートブック型パソコンや携帯電話機等に代表される携帯型情報端末機器等に、前述した各種のプラストマー材料からなる基板１９の表面に前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８を形成した電磁波遮蔽体を適用した場合、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備えた電磁波遮蔽体を形成し、その表面に亀裂等が全く発生しないので、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性があることが確認されている。
【０３１１】
また、銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８をエラストマー材料若しくはプラストマー材料からなる基板１９の表面に成膜する場合、例えばスパッタリング法では従来に比して膜を形成する速度基準であるスパッタリングレートが高く、更に、前記銀合金材料は、その融点が９６０℃前後であるが、金属元素の中でも高い部類には属さないので、蒸着温度条件の汎用性等について従来に比して劣ることがない。従って、成膜方法としては、基板の材質によって任意に選択することが可能であるので、従来に比して顕著に成膜方法での生産についての優位性があることが分かっている。なお、成膜方法としては、ＲＦ又はＤＣ電源を用いたスパッタリング法、真空蒸着法が望ましい。
【０３１２】
また、蒸着法はスパッタリング法よりも膜の緻密性が劣るため、一般に、蒸着法で薄膜を成膜する場合では、スパッタリング法で薄膜を成膜する場合と比較して厚い膜厚を要するとされる。しかし、前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８においては電磁波遮蔽効果が低下することがないので、蒸着法でもスパッタリング法でも同じ膜厚で同様の電磁波遮蔽効果を得ることができる。
【０３１３】
図５は、本発明に係る第８の実施の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図であり、図４と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０３１４】
携帯型情報端末機器等に電磁波遮蔽体を適用した場合、その携帯型情報端末機器に直接、人体の一部や何らかの物体が接触することが考えられる。この場合に、電磁波遮蔽体を形成する銀合金材料膜が露出する場合においては、少なくとも人体や物体の接触によって表面部が削られたり、或いは殺傷痕が残ることで導電損失効果が減少したり、特定の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力が低下する可能性が考えられる。このため、表面接触による表面部の削れや殺傷痕の発生を抑制する目的で、電磁波遮蔽膜１８の上に耐食性及び耐候性に優れ耐摩耗性に優れた保護膜２４を形成している。それにより、露出する電磁波遮蔽膜１８に何らかの接触によって発生する接触傷を防止することができる。
【０３１５】
また、保護膜２４を形成した場合でも電磁波遮蔽能力の低下の抑制、基板１９と電磁波遮蔽膜１８との間に密着助長下地膜２３を形成し、その上に保護膜２４を形成した積層構造の電磁波遮蔽体においても、電磁波遮蔽能力が低下することがないことが確認されている。
【０３１６】
前記第８の実施の形態においても第７の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０３１７】
Ａｇは大変熱伝導率が良く、原子単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴があることから、熱伝導率を鈍化させて且つ原子間での活発な移動を抑制するために、Ａｇに対してある一定の量が溶解するＺｎを１．７ａｔ％〜８ａｔ％の組成範囲で任意に振って添加して実験した。
【０３１８】
まず、スパッタリング装置にＡｇとＺｎのスパッタリングターゲットをそれぞれ装着して、特定のＲＦパワーでＡｇ、Ｚｎの放電量を制御してＡｒガスを０．１〜３．０Ｐａの間で任意に設定して、２つの材料を同時にスパッタする。つまり、同時スパッタリング法で数種類Ｚｎの添加量を振って銀合金材料膜を形成した。
【０３１９】
この時の試験試料片としては、石英基板を用いてスパッタプロセス中の基板温度は常温（２５℃前後）で、スパッタガスとしてはＡｒガスのみを用いて、到達真空度としては５×１０^−４Ｐａ真空雰囲気中で、膜厚を２０ｎｍで形成した。
【０３２０】
前記方法にて形成したＡｇを主成分として、それに数種類の材料組成でＺｎを添加した銀合金材料薄膜を、大気中でオーブンに入れ約１時間放置して抵抗値を測定した。この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。また、抵抗値の測定にあっては、４探針法により室温で測定した。その試験結果を表２２に示す。
【０３２１】
【表２２】

【０３２２】
抵抗については、アニール前でＺｎ含有量が１．７ａｔ％のものがＡＰＣと同程度である。但し、アニール後に抵抗が上昇する傾向にある。再結晶化温度が高温側にシフトしていると思われる。
【０３２３】
また、前記方法にて形成したＡｇを主成分として、それに数種類の材料組成でＺｎとＣｕを添加した銀合金材料薄膜を、大気中でオーブンに入れ約１時間放置して反射率を測定した。その試験結果を表２３に示す。
この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。また、目視にて、白濁が無きもの（光沢が保たれているもの）に関して反射率を測定した。その試験結果を表２３に示す。
【０３２４】
【表２３】

【０３２５】
反射率については、Ｃｕの添加によりアニール後に反射率が下がる効果が確認された。但し、ばらつきがある。
【０３２６】
次に、石英基板上にＡｇにＰｄ、Ｃｕ、Ｚｎを含有した銀合金の薄膜をスパッタリングにより膜厚２０ｎｍ形成し、４探針法により室温で抵抗値を測定した。次いで、この薄膜を大気中でオーブンに入れ約１時間放置して４探針法により室温で抵抗値を測定した。この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。その試験結果を表２４に示す。
【０３２７】
【表２４】

【０３２８】
以上説明したように第７及び第８の実施の形態によれば、下記の作用効果を奏する。
前記実施の形態による銀合金材料を用いて電磁波遮蔽膜を基板上に成膜した電磁波遮蔽体は、従来の金属粉やカーボンブラックを配合してなるエラストマー材料と同等の柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備えた上で、当該エラストマー材料に比べて大変安定な電磁波遮蔽効果を保持し得る。従って、長期にわたり電磁波遮蔽効果を保持するために有用な導電損失による電磁波遮蔽能力の劣化を回避する高品質な電磁波遮蔽体を得ることができる。
【０３２９】
また、前記実施の形態による銀合金材料を用いて電磁波遮蔽膜を基板上に成膜した電磁波遮蔽体は、従来のプラストマー材料に金属膜を積層したときと比較して、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備えた上で、当該プラストマー材料に比べて大変安定な電磁波遮蔽効果を保持し得る。従って、長期にわたり電磁波遮蔽効果を保持するために有用な導電損失による電磁波遮蔽能力の劣化を回避する高品質な電磁波遮蔽体を得ることができる。
【０３３０】
また、前記実施の形態による銀合金材料を用いて電磁波遮蔽膜を基板上に形成する場合では、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法のいずれの成膜方法を用いても、従来に比して安定した生産性、電磁波遮蔽効果を長期にわたり保持することができる。
【０３３１】
また、前記実施の形態による銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜を用いて電磁波遮蔽体を製作する場合に、密着助長下地膜を基板と電磁波遮蔽膜との間に配置することにより、電磁波遮蔽効果を保持しつつ、電磁波遮蔽膜の基板に対する密着性を改善でき、両者の結合の強化を図ることができる。
【０３３２】
また、前記実施の形態による電磁波遮蔽体では、電磁波遮蔽膜の表面に耐食性及び耐候性に優れた材料や耐摩耗性に優れた材料からなる保護膜を形成することにより、人体や物体の接触によって表面部が削られたり、殺傷痕が残ることで導電損失効果が減少したり、表面部の削れや殺傷痕に起因する特定の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力が低下することを抑制することができる。
【０３３３】
したがって、前記実施の形態によれば、銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜を、エラストマー材料からなる基板の表面に形成することにより、可撓性に優れた遮蔽体とすることができる。この電磁波遮蔽体は、柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備えた上で、Ａｇ自体の保有する電磁波遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を保持でき、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善できる。しかも、エラストマー材料基板との接合性においても密着助長下地膜を介在させることにより基板との接合性（密着性）をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができ、ＥＭＣ対策材料として応用展開が広く期待できる。
【０３３４】
また、前記実施の形態によれば、銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜を、プラストマー材料からなる基板の表面に形成することにより、Ａｇ自体の保有する電磁波遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を保持でき、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善できる。しかも、プラストマー材料基板との接合性においても密着助長下地膜を介在させることにより基板との接合性（密着性）をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができ、ＥＭＣ対策材料として応用展開が広く期待できる。
【０３３５】
次に、本発明に係る第９の実施の形態について説明する。
この実施の形態においては、各種電子部品の金属材料に、前述した銀合金を適用する。なおここで各種の電子部品は、透過型液晶表示パネル、反射型液晶表示パネル、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネル、プラズマディスプレイ、微小ミラーによる電子光学部品等のディスプレイ用デバイス、各種半導体デバイス、プリント配線基板、チップコンデンサ、リレー等であり、これらの配線パターンの配線材料、電極材料、高反射膜材料、接点材料等、さらにはこれらの配線等の作成に使用するスパッタリングのターゲット材にこれらの合金が適用される。
【０３３６】
前述したようにＡｇにＺｎを添加してＡｇの結晶内にＺｎ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＮｉを均質に置換、或いはその他の状態であっても均質に溶融させることにより、Ａｇ全体の耐候性を向上することができる。さらにＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた１つ又は複数の元素を添加すれば、電気的に抵抗率が低下し、又は抵抗率の増加を抑制することが可能となる。
【０３３７】
このようにして耐候性が改善されてなる銀合金にあっては、金属元素の中で最も優れた導電性、熱伝導性、高反射率を有する純Ａｇの特性が維持され、これにより耐候性や耐熱性に優れ、電気的に低抵抗率で、高熱伝導性、かつ高反射率の金属材料を得ることができる。
【０３３８】
特に配線材料に適用する場合には、前述した範囲で添加する元素の選定により、３．５μΩｃｍ以下の値を確保することができる。なお、配線材料としては、従来一般に用いられているＡｌＳｉ合金の抵抗率以下であれば実用に供することができると考えられ、実験した結果によれば、１．６μΩｃｍ以上の抵抗率であって、このＡｌＳｉ合金の抵抗率である３．５μΩｃｍ以下の抵抗率を必要に応じて確保することができる。
【０３３９】
また、このような銀合金は、いずれも溶融法にて混ざりあう合金材で形成する。従って、微視的にみても均一な特性を安定に提供することができる。また、これらの合金は、Ａｇの展延性を維持しており、膜の応力による劣化等が小さいことにより、例えば１μｍを超える厚い膜、あるいは圧延などによる板状のものであっても応力の発生が低減される。従って、従来材料であるＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕと比較して、加工性に優れ、高温で安定で、かつ信頼性を向上することが可能となる。
【０３４０】
また、Ａｇの加工方法としては、ドライエッチングにおいては、塩素系の複合ガスを用いる方法が知られており、ウエットエッチングにおいては、硝酸系のエッチング液を用いる方法が知られている。この実験の形態に係るＡｇ合金においても、これらの方法にてエッチング加工することができ、従来のＡｇ合金で蓄積された各種加工方法を適用することができる。
【０３４１】
なお、塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４等であり、これらの雰囲気中でＲＩＥ、プラズマエッチングなどによりこの実施の形態に係るＡｇ合金膜の加工が可能である。因みに、このような塩素を含むエッチングガスによるドライエッチングプロセスをＡｇによる配線パターンに適用すると、エッチングの進行によりガス中の塩素とＡｇとが反応して配線パターンの境界面にＡｇＣｌが生成され、このＡｇＣｌにより導電性、熱伝導性が損なわれるが、この実施の形態に係る銀合金膜にあっては、このような反応も何ら発生しないことを確認できた。
【０３４２】
これにより、この種の金属材料を使用した電子部品の作成工程においては、塩素系のガスの雰囲気によるエッチングにより、好適なパターンニングの手法を得ることができる。
【０３４３】
また、このような３元合金にあっては、フッ素を含み塩素を含まないガス雰囲気中でのドライエッチングが困難であり、これらのガスによっては損傷しない長所が見られる。例えば、ＣＦ_４、Ｃ_３Ｆ_８、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６等のガス雰囲気中でのＲＩＥ、プラズマエッチングなどにより、このような３元合金に何ら影響を与えることなく、例えば、Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ等の他の材料をエッチングすることができる。
【０３４４】
これらによりフッ素を含み塩素を含まないガス雰囲気中での処理により、このような３元合金以外の部位を選択的にエッチングして処理することができ、これによってもこの種の金属材料に適用して好適なパターンニングの手法を得ることができる。
【０３４５】
これに対して、現在、液晶ディスプレイ製造設備におけるウエットエッチングにおいては、燐酸を含有するエッチング液で純Ａｌ等をエッチングするようになされている。このような燐酸系のエッチング液としては、例えばＨ_３ＰＯ_４＋ＨＮＯ_３＋ＣＨ_３ＣＯＯＨがあり、従来の純Ａｇ、Ａｇを主成分とする２〜３元素にて構成される合金にあっては、このようなエッチング液によってはエッチングが困難であった。
【０３４６】
ところが、前述した銀合金にあっては、このような燐酸系の錯体を用いてエッチングできることが判った。これにより、Ａｌによる従来のエッチング設備を有効に利用してエッチング加工することができる。因みに、従来と同様に、燐酸、硝酸、酢酸の他、水、硝酸セルウム、硝酸銀等を添加することにより、エッチングレートを制御することも可能である。
【０３４７】
なお、エッチング後の洗浄等の後工程においても、純Ａｌ、Ａｌ合金等と同じ工程を使用でき、またＡｌ系をエッチング加工する場合に比して環境を汚染する可能性も低減することができる。
【０３４８】
これらによっても従来材料であるＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕに比して、加工性に優れた金属材料とすることができる。
【０３４９】
さらに、この銀合金では、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、メッキ法などの従来の成膜プロセスにより簡易かつ確実に成膜することができる。このスパッタリングにおいて、この銀合金は、Ａｌ系材料に比して約３倍の速度によりスパッタリングすることができ、スパッタリング法による薄膜形成速度が速い特徴がある。これにより成膜時間を短縮することができ、その分生産に要する時間を短縮することができる。また、主体材料であるＡｇにあっては、貴金属であり他の金属に比べて回収、リサイクルが容易である。
【０３５０】
なお、スパッタリング法、蒸着法等により成膜した場合には、加熱により合金化することが必要となり、この処理においては３００℃以上、７５０℃以下の温度範囲により加熱処理して、電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた金属膜を作成することができる。
【０３５１】
さらに、加工プロセスとして重要な下地材料に対する密着性についても、下地にＷ、Ｔａ、Ｍｏ、ＩｎＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＮ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５の何れか１種類もしくは複数で混合されて形成される材料の何れかを適用することにより、良好な密着性が確保され、これにより各種半導体デバイス等において、従来のＡｌ系の配線パターンと簡易に置き換えることができ、また良好な特性を確保することができる。
【０３５２】
Ａｌ系の場合には、例えば薄膜によりプラストマー材料、ガラス上に直接成膜すると、Ａｌが酸素と反応すること等から、抵抗値がかなり大きくなり、バルク材料における抵抗値の２〜３倍の値となる。これに対してこの銀合金の場合、酸素の影響が少なく、プラストマー材料、ガラス上に直接薄膜を形成したことによる電気的な抵抗率の増加が低減される。これにより、プラストマー材料、ガラス上に直接成膜して配線パターン等を作成して、良好な特性による配線パターン等を作成することができ、簡易な製造プロセスにより電気的に低抵抗率の配線パターン等を作成することができる。
【０３５３】
これらにより、透過型液晶表示パネルにあっては、配線パターンに適用して、大画面化、高精彩化により配線長が増大し、また配線が微細化した場合も、簡易かつ確実に駆動することができ、また信頼性を向上し、さらには消費電力を軽減することができる。
【０３５４】
また、反射型液晶表示パネルにあっては、配線パターンに適用して、透過型液晶表示パネルの場合と同様の効果を得ることができ、また高反射膜に適用して安定に高い反射率を確保することができ、明るい表示画面を形成することができる。
【０３５５】
同様に、微小ミラーによる電子光学部品等の光変調デバイスの反射膜、電極又は配線パターンに適用して、反射効率が高く、電気的に低抵抗であるため、輝度が高く、かつ、高速動作が可能なデバイスを形成することができる。
【０３５６】
また、これら液晶表示パネル、各種半導体デバイスにおいて、Ｔａを用いた陽極酸化法に適用して、例えばこの銀合金とＴａによる２層構造として、充分に小さな抵抗値とすることができる。
【０３５７】
さらに、各種半導体デバイスにおいても、配線パターンに適用して、配線長の増大、配線の微細化による電気的な抵抗値の増大を防止でき、その分消費電力を軽減することができる。また、配線による電圧降下を防止でき、さらには信号の遅延を防止でき、これらにより各種特性を向上すると共に、信頼性を向上することができる。
【０３５８】
また、プリント配線基板の配線パターン、チップ部品の電極、リレーの接点等に適用して、好適な特性を確保して高い信頼性を確保することができる。
【０３５９】
また、前述したように前記銀合金からなる薄膜の抵抗値は低いものである。なお、スパッタリング法以外の成膜方法により成膜した場合の電気的な抵抗率を検討するために、蒸着法、メッキ法、ＣＶＤ法によりそれぞれ銀合金の薄膜を作製し、前述した測定法により電気的な抵抗率を測定した。この測定結果によれば、蒸着法、メッキ法、ＣＶＤ法のいずれの方法においても、成膜法を問わずほぼ同等の膜を作成できることが判った。
【０３６０】
また、成膜直後のアニール処理を施さない状態での電気的な抵抗率についても前述したように低いものである。
【０３６１】
また、前述したように本発明の銀合金は従来材料に比べて耐ＮａＣｌに対して良好な結果が得られた。
また、前述したように本発明の銀合金は従来材料に比べて熱処理に対する安定性、長期信頼性が確認されている。
【０３６２】
また同材料は、高温多湿下においても安定であることが確認され、これにより配線材料等に適用して充分な信頼性を確保できることが判った。
【０３６３】
次に、本発明に係る第１０の実施の形態について説明する。
第１０の実施の形態による建材ガラスは、耐熱性のあるＡｇ合金材料を用いたものの一例である。
【０３６４】
第１０の実施の形態では、まずＡｇの保有する熱に対しての自己拡散エネルギーを緩和させて、任意で少なくとも１００℃以上に加熱した場合に生じ易かった表面拡散による白濁化という現象を抑制するものである。
【０３６５】
第１０の実施の形態による積層体は、基板を有し、この基板上にスパッタリング法により高耐熱性反射膜を成膜したものである。この高耐熱性反射膜は、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有するＡｇ合金材料からなるものである。
【０３６６】
なお、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０３６７】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有するＡｇ合金材料からなるものであっても良い。
【０３６８】
なお、前記１種類の元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、前記１種類の元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下である。さらに好ましくは、前記１種類の元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０３６９】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する銀合金からなる膜であっても良い。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０３７０】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇ主成分とし、Ｉｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する銀合金からなる膜であっても良い。また、より好ましくは、Ｉｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０３７１】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有する合金からなる膜であっても良い。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０３７２】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金からなる膜であっても良い。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０３７３】
高耐熱性反射膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置には、Ａｇと前記少なくとも１種類の各元素のスパッタリングターゲットをそれぞれ装着し、特定の高周波電力でＡｇ等の放電量（電力量）を制御し、Ａｒガスを０．１〜３．０Ｐａの間で任意に設定した上で２つ以上の材料を同時にスパッタする。この時、前記基板としては例えば石英基板を用いる。スパッタ・プロセス中の基板温度は常温（２５℃前後）で、スパッタガスとしてはＡｒガスのみを用い、成膜室内をＡｒ雰囲気にする前に十分に真空引きを行い、到達真空度としては３×１０^−６Ｐａ程度の高真空とする。高真空まで真空引きを行う理由としては、不純物ガス等が合金膜の粒界に依存してしまうのを抑制して、緻密な膜を形成するためである。
【０３７４】
前記第１０の実施の形態によれば、Ａｇ自体の保有する高い光学反射率に対しての高い能力を保持でき、更にはＡｇの材料的な安定性を格段に改善でき、しかも、積層されて用いられた場合には下地層やガラス基板又は樹脂基板との接合性をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０３７５】
また、上述したＡｇ合金材料からなる高耐熱性反射膜では、耐熱性の改善、白濁化現象や高い反射率の低下が起こらないことが確認されている。
【０３７６】
また、窓ガラスを始めとする建材ガラスでは、太陽光から発せられる可視光、赤外線、紫外線の内で、明かりに直接関係の高い可視光を透過して、且つ熱の元になって夏季に室内に外部から進入する赤外線を反射する目的で、ＡｇやＡｌ、若しくはそれらの内、いずれかを主成分としたＡｇ合金又はＡｌ合金からスパッタリング法にて膜を形成して、赤外反射効果を実現してきた。しかし、いずれも大気中に直接暴露された場合には熱に対して経時変化が大きいために、そのまま大気中に放置することが困難とされており、一般的にはＺｎＯやＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３複合酸化物等の耐熱保護層を形成することで反射膜の材料的な安定性を確保してきた。
【０３７７】
従来、温暖地に使用される日射遮蔽型の熱線遮蔽ガラスとしては、透明基板／誘電体／Ａｇ／誘電体の順に積層された膜構成となっており、必ずしも耐食性及び及び耐熱性に優れているとはいえない。
【０３７８】
そこで、本実施の形態による建材ガラスと従来のそれを比較するための実験を行ったので、この実験及び実験結果について説明する。
【０３７９】
まず、下記の膜構成からなる試料▲１▼〜▲４▼を作成した。
試料▲１▼は、ＴｉＯ_２／Ａｇ／Ｔｉ／ＴｉＯ_２の順に積層された膜構成を有するものである。
試料▲２▼は、ＴｉＯ_２／Ａｇ−３．７ａｔ％Ｚｎ−０．５ａｔ％Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＯ_２の順に積層された膜構成を有するものである。
試料▲３▼は、Ｔｉ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯの順に積層された膜構成を有するものである。
試料▲４▼は、Ｔｉ／ＺｎＯ／Ａｇ−３．７ａｔ％Ｚｎ−０．５ａｔ％Ｃｕ／ＺｎＯの順に積層された膜構成を有するものである。
【０３８０】
その後、試料▲１▼〜▲４▼について高温多湿試験、２５０℃アニール試験を行った。
高温多湿試験は、湿度８０％、温度７０℃以上の環境下に試料▲１▼〜▲４▼を５時間保存処理する試験である。
２５０℃アニール試験は、２５０℃の温度に５時間の大気アニール処理を行う試験である。
【０３８１】
【表２５】

【０３８２】
表２５及び図６〜図９は試験結果が示されている。
図６（ａ）は、試料▲１▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、図６（ｂ）は、試料▲２▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図７（ａ）は、試料▲３▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、図７（ｂ）は、試料▲４▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図６及び図７によれば、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金を用いた試料▲２▼、▲４▼ではＡｇを用いた試料▲１▼、▲３▼に比べて耐食性に優れているという結果が得られた。
【０３８３】
図８（ａ）は、試料▲１▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、図８（ｂ）は、試料▲２▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図９（ａ）は、試料▲３▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、図９（ｂ）は、試料▲４▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図８及び図９によれば、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金を用いた試料▲２▼、▲４▼ではＡｇを用いた試料▲１▼、▲３▼に比べて耐熱性に優れていることという結果が得られた。
【０３８４】
図１０は、Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＺｎを１．８〜７．３ａｔ％まで添加し、２５０℃で１時間のアニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図１１は、Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＩｎを０．９〜１．９ａｔ％まで添加し、２５０℃で１時間のアニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図１０によれば、Ａｇ−Ｐｄ−ＣｕにＺｎを添加することにより耐熱性が向上することを確認した。また、前述した表４、表５により耐熱性が向上するものは反射率の低下が少なかった。また、また、前述した表２４により耐熱性が向上するものは抵抗値が減少することを確認した。
【０３８５】
図１２は、Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＺｎ又はＩｎを０．９〜７．３ａｔ％まで添加し、５重量パーセント（以下、ｗｔ％）のＮａＣｌ水に浸水させた後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図１２によれば、Ａｇ−Ｐｄ−ＣｕにＺｎ又はＩｎを添加することによりさらに耐食性が向上することを確認した。
【０３８６】
図６〜図１１に示す顕微鏡写真において、斑点（ヒロック）の発生は加熱による熱膨張や応力によって起こりうる現象である。Ｚｎ元素の添加によって銀合金の粒界での空孔を減少させることにより、粒界拡散を抑制することができ、それにより、斑点（ヒロック）の発生を抑えることができると考察される。
【０３８７】
これまで耐食性及び耐熱性に富んでいるＡｇ合金としては、従来、Ａｇに１〜３ｗｔ％のＰｄを添加してなるＡｇ−Ｐｄ合金、若しくはＡｇに１〜１０ｗｔ％のＡｕを添加してなるＡｇ−Ａｕ合金が知られている。しかし、このＡｇ−Ｐｄ合金とＡｇ−Ａｕ合金のいずれの合金を用いた合金膜でも、高温高湿（多湿）環境下で耐候性試験を行った際には黒色の斑点が観察された。
【０３８８】
この黒色斑点物を光学顕微鏡で観察したところ、この黒色斑点物がＰｄのＨ２融解作用の固溶限界になり、黒色化して励起反応を起こして隆起物となっていることが確認できた。そのため、少なくとも建材ガラスとして用いる場合では、例えば雨季や冬季に室内外の温度差によって生じる水滴、或いは湿度の高い地域での長期信頼性に対しては安定性が欠けることが分かった。
【０３８９】
また、ＡｇとＡｕは完全固溶する安定な合金であることはよく知られているが、このＡｇ−Ａｕ合金は塩素をはじめとする耐ハロゲン系元素性に決して富んではいないために、耐候性試験中に空気が混入しており、空気内に含有する塩素やヨウ素と原子的に結合したことでこの様な黒色斑点が得られたことが分かった。
【０３９０】
また、Ａｇ−Ａｕの２元合金は耐熱性が高くないために、外気の温度が高かったり、太陽光から集中する熱線に対して安定性に問題があることが確認されている。
【０３９１】
そこで、本実施の形態では耐熱性が高いことが確認されている前述した高耐熱性反射膜が高温高湿（多湿）の環境下での耐候性について、安定性が少なくともＡｇ−Ａｕ合金と比較してどのような結果が得られるかを実験して見た。
【０３９２】
すると、前述したＡｇ合金材料によって形成された反射膜単層の場合でも、Ａｇ合金の下地にＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２を形成して積層体になった場合でも、Ａｇ合金単層と比較して耐候性が高いことが確認できた。
【０３９３】
この結果として、前述した高耐熱性反射膜では、それを上層として基板との間に任意で酸化物を形成した場合でも下地に依存することなく、耐熱性が高く更には反射率や耐候性を保持できることが確認された。例えば窓ガラスをはじめとする建材ガラス用の赤外線反射膜、熱線反射膜としては従来のＡｇ合金に比べて有用性が高いことが確認された。
【０３９４】
対照的に、従来から反射膜として広く用いられてきた従来のＡｌやＡｌを主成分とするＡｌ合金、更にはＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金については、いずれも樹脂基板に対して化学的に不安定であるために、樹脂基板上で高温高湿環境下に放置すると、反射膜と樹脂基板との接着界面で化学反応を起こしてしまう。
【０３９５】
そこで、前述したＡｇ合金材料の化学安定性を確認するために、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、シリコーンなどの樹脂で構成される基板上に、三元同時スパッタリング法にて１５ｎｍの厚みの膜厚を形成して、高温多湿の環境下で２４時間放置してその外観や反射特性の経時変化を観察した。
【０３９６】
様々な樹脂基板上に形成したＡｇ合金材料からなる膜の反射率を、分光光度計を用いて観察してみたが、建材ガラス等で必要とされる４００ｎｍ〜４μｍの光学波長領域中で反射率が低下しないことが確認された。
このように、本発明によって得られたＡｇ合金材料は、樹脂に対して化学的安定性が高く、従来と比して基板材質を制限しないことが分かった。
【０３９７】
従来、建材ガラス用の赤外線反射膜、及び熱線反射膜においては、Ａｇ若しくはＡｌ、更にはＡｇを主成分とするＡｇ合金材料や、Ａｌを主成分とするＡｌ合金材料は、その材料を用いて薄膜を形成する際に、基板の材質によっては密着性が大変悪いため、薄膜を形成した直後、或いは薄膜を形成して長期間放置した時に、剥離等の問題が発生することが確認されている。
そのため、密着性を向上させるために様々な密着助長膜を反射膜と基板との中間に挟むことで、従来は密着性が弱いという問題に対する解決がなされてきた。
【０３９８】
そこで、本発明のＡｇ合金材料の膜でも同様の問題が生じるかどうかを、ＰＭＭＡなどの基板上にＡｇ合金反射膜を形成した後に、反射膜にＪＩＳ規格のセロハンテープを貼り付け、特定の引っ張り力でセロハンテープを剥離して膜の剥離の有無を観察するというテープ試験を行うことで、基板とＡｇ合金反射膜との中間に密着助長層の必要性の有無を確認して見た。
【０３９９】
すると、低アルカリガラス、無アルカリガラス、硼珪酸ガラスの基板と上述したＡｇ合金反射膜とは、程度の差異こそ発見されるものの、密着性が決して良いとは言えず、部分的あるいは広域にわたって剥離現象が確認されて、ガラス基板との密着性が決して良好ではないことが確認された。
【０４００】
そこで、低アルカリガラス、無アルカリガラス、硼珪酸ガラスなどのガラス基板との密着性を助長するために、ガラス基板と上述したＡｇ合金反射膜との間に中間層（密着助長下地膜）を配置することが望ましい。ガラス基板の密着助長下地層としては、ＩＴＯ、ＩｒＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌからなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものが好ましい。また、樹脂基板との密着助長下地膜としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタンから選ばれた１種類以上あるいは少なくとも１種類以上を組み合わせて形成される材料を用いて形成される薄膜が望ましい。
その理由としては、樹脂基板は特定の純度や材質の場合には、ガスの発生が大変多いこと、また、金属はその発生ガスと反応し易いこと、また、Ａｇ合金と密着させる接合界面に反応不動態被膜（例えば酸化膜等）を生じる可能性が高いこと等から適切であるとは言い難いからである。
【０４０１】
そのために、樹脂基板上に下地層を形成する場合では、特に化学的な安定性が要求されるために、少なくとも金属に比して金属酸化物の方が還元反応を抑制し易い為に、本発明のＡｇ合金との接合界面での化学的もしくは品質的な安定性は高い為に、樹脂基板を用いて、Ａｇを主成分として三元素からなる前述したＡｇ合金膜と基板との間で中間層として下地膜を形成する場合には、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタンから選ばれた１種類以上あるいは少なくとも１種類以上を組み合わせて形成される材料を用いることが適切である。
【０４０２】
中間層として検討する金属酸化物においては、例えば反射電極層等の電気的な特性の向上を兼ね備える場合には、ＩＴＯ、ＺｒＯ_２等の導電性金属酸化物、若しくは複合酸化物を１〜１００ｎｍ程度形成することが望ましい。
選択の理由としては、密着性の向上以外の効果として、例えば絶縁性の高い中間層を挟んだ場合には、本発明のＡｇ合金と中間下地層の積層体自体の体積抵抗率が大幅に向上して、中間層によってＡｇ合金の特性が損なわれる可能性が高いためである。
【０４０３】
また、中間下地層として金属酸化物を検討する場合においては、反射率や屈折率等の光学特性の低下抑制を検討する場合においては、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２等が望ましいと考えられる。
この理由としては、ＳｉＯ_２は吸収が４００〜４０００ｎｍの光学波長領域中では大変少ない為に、吸収率の増加による反射率の低下が抑制でき、更にＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５についてはいずれも屈折率が高く吸収率が小さいために、屈折率の依存による光学特性の変異が抑制できることが確認できたためである。
【０４０４】
上記で述べた密着助長下地膜を樹脂基板に形成する場合は、スパッタ装置を用いると、前記樹脂基板を成膜室内に入れてから真空引きを行う際に、基板よりガスが発生するために、真空度が上がらず、更には樹脂基板と密着助長層との界面も不安定になり易いために、少なくとも本発明のＡｇ合金を樹脂基板上に形成する場合においては、蒸着法による膜厚形成が望ましいと考えられる。
【０４０５】
但し、建材ガラス用のガラス基板に密着助長下地膜を形成する場合は、ガラスが大型であるということと、形成する膜の緻密さや膜の厚みの面内分布が大変重要であるために、成膜室内を高真空に真空引きした後にＡｒ雰囲気で成膜を行えるスパッタリング法を用いて形成するほうが望ましいということが分かった。
【０４０６】
密着性を助長させることを目的とする中間下地膜を検討する上で重要な課題としては、容易に膜の形成が可能であるかどうかという点であるが、例えばＳｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法のいずれでも膜の製作が可能であるために、少なくともＡｇ合金を製作する方法と連動することが可能であるために、汎用的な有用性は高いと検討することができる。
【０４０７】
また、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２等の酸化物においても、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法で容易に形成することが可能であり、例えば窓ガラス等に赤外線を反射する赤外反射膜を形成する場合に、いずれの方法でも同じ反射特性を有する反射膜を形成することができた。
【０４０８】
次に、前述した第５〜第７の薄膜についての耐熱性試験及びその結果を説明する。
石英基板上にスパッタリング法により第５〜第７の薄膜を成膜したものを試験試料片として用いる。スパッタプロセス中の基板温度は常温（２５℃前後）で、スパッタガスとしてはＡｒガスのみを用いて、到達真空度としては５×１０^−４Ｐａ真空雰囲気中で、膜厚を２０ｎｍで形成した。
【０４０９】
５５０ｎｍの波長の光に対する反射率を前記試験試料片の薄膜（成膜直後のもの）で測定した。次に、この試験試料片を大気中でオーブンに入れ約１時間放置して５５０ｎｍの波長の光に対する反射率を測定した。この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。そして、成膜直後の薄膜の反射率に対して１時間加熱した後の反射率の変化率を計算した。これらの試験結果を表２６及び表２７に示す。
【０４１０】
【表２６】

【０４１１】
【表２７】

【０４１２】
表２６に示すように、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％未満含有させたＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金では、１時間加熱後に反射率の減少がほとんど無かったので耐熱性に優れていることが確認できた。したがって、耐熱性に優れたＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金中のＺｎ含有量は３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％未満であるといえる。
【０４１３】
表２７に示すように、Ｃｕを０．３ａｔ％以上含有させたＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金では、１時間加熱後に反射率の減少がほとんど無かったので耐熱性に優れていることが確認できた。したがって、耐熱性に優れたＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上であるといえる。
【０４１４】
尚、本発明は前述した実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、本発明は、スパッタリング等による薄膜生成による場合に限らず、他の薄膜生成による場合、さらには厚膜生成による場合にも広く適用することができる。
【０４１５】
（実施例１）
次に、本発明の実施例１による光学記録媒体（反射）について説明する。
Ａｇに所定量のＺｎを添加したＡｇ−Ｚｎ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。
【０４１６】
この場合、Ａｇに、Ｚｎが１．７ａｔ％〜８ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜、すなわち反射膜を形成し、光学記録媒体を作製し、波長４００ｎｍのレーザー光を照射したときの、それぞれの反射率を測定するものとし、この測定結果は前述した表２に示されている。比較例として純Ａｇの薄膜とＡＰＣの薄膜についての反射率を測定した。
【０４１７】
前述した表２に示した測定結果より、ＡｇにＺｎを含有しているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
すなわち、表２に示すように、ＡｇにＺｎが１．７ａｔ％〜８ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合において、特に、Ｚｎが１．７ａｔ％、５ａｔ％それぞれの量含有した場合においては、８９．９１％（４００ｎｍ）以上の高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有するものであることがわかる。
【０４１８】
つまり、光学記録媒体の反射膜を形成するための材料として、ＡｇにＺｎが１．７ａｔ％、５ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いた場合には、反射率が同波長領域中の測定で、ＡＰＣを用いた場合に比較して良好である。さらに光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、ＡＰＣと同程度が期待できる。
【０４１９】
（実施例２）
次に、本発明の実施例２による光学記録媒体（反射）について図３を用いて説明する。図３は、前述したようにＡｇ−Ｚｎ合金からなる薄膜について照射する光の波長とその光の反射率を示すグラフである。このグラフによれば、Ｚｎ含有量が１．７ａｔ％、５ａｔ％のとき、ＡＰＣよりも良好である。
【０４２０】
（実施例３）
次に、本発明の実施例３による光学記録媒体（反射）について説明する。
Ａｇに所定量のＺｎとＣｕを添加したＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。
【０４２１】
この場合、Ａｇに、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ合金スパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜、すなわち反射膜を形成し、光学記録媒体を作製し、波長４００ｎｍのレーザー光を照射したときの、それぞれの反射率を測定するものとし、この測定結果は前述した表３に示されている。比較例として純Ａｇの薄膜とＡＰＣの薄膜についての反射率を測定した。
【０４２２】
表３に示した測定結果より、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
すなわち、表３に示すように、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合において、特に、Ｚｎが０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜１．７ａｔ％それぞれの量含有した場合においては、８９％（４００ｎｍ）以上の高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有するものであることがわかる。
【０４２３】
つまり、光学記録媒体の反射膜の形成するための材料として、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜１．７ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いた場合には、反射率が同波長領域中の測定で、ＡＰＣを用いた場合に比較して良好である。さらに光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、ＡＰＣと同程度が期待できる。
【０４２４】
なお、前記においては、Ａｇ−Ｚｎ合金、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、これら以外の元素をＡｇに含有した前記スパッタリングターゲットを用いた場合についても高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を得ることができる。
また、ＡｇにＺｎが０．１ａｔ％〜８．０ａｔ％（好ましくは０．３ａｔ％〜６．０ａｔ％）、Ｃｕが０．１ａｔ％〜８．０ａｔ％（好ましくは０．３ａｔ％〜６．０ａｔ％）それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においても、実用上望ましい高い反射率が得られることも確認されている。
【０４２５】
（実施例４）
次に、本発明の実施例４による光学記録媒体（半透明反射）について説明する。
光学記録媒体の半透明反射膜３について行った、耐候性の検討結果を説明する。
半透明反射膜３の膜厚は、従来の反射膜の膜厚と比較すると、極めて薄い領域にある。したがって、半透明反射膜３は十分な耐候性を有することが必要である。
【０４２６】
本実施例においては、まず、Ｚｎ等を添加したＡｇ合金のスパッタリングターゲットを前述した方法により作製した。
次に、このスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、銀合金の薄膜からなる半透明反射膜を形成し、光学記録媒体を得た。
【０４２７】
ここで、銀合金からなるスパッタリングターゲット材料として、Ｚｎなどを特に選択した理由は、前述したものと同様である。
【０４２８】
また、Ａｇは、硫黄と結合しやすいので大気中に長時間放置されると、Ａｇ_２Ｓとなり黒色化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化する。また、Ａｇは、塩素とも激しく反応してＡｇＣｌとなり白濁化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化する。しかし、Ａｇは、酸素、水素、あるいは水に対しては比較的安定な物質である。一方、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉは、脱酸素効果（酸化防止）、硫化、塩化防止等の作用があり、硫黄や塩素に対して化学的に安定な物質である。
【０４２９】
前記Ａｇ合金のスパッタリングターゲットによれば、塩素、水素、酸素、硫黄という、大気中、あるいは特殊環境中で検討される非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される際に要求される環境や雰囲気下での高い耐候性の向上の実現が可能になる。
【０４３０】
前記実施例４によれば、前述したＡｇをベース材料とした銀合金からなる薄膜を半透明反射膜３に用いることにより、耐候性を改善でき、かつ基板との接合性を強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０４３１】
次に、耐候性の試験法について説明する。ここでは塩素試験を行った。
塩素試験のサンプルは、ポリカーボネート基板上に後述のＡｇ合金を成膜したものを使用した。
塩素試験は、常温で、５％濃度の塩水にこのサンプルを一定時間浸漬した後、目視により確認したものである。
【０４３２】
前述したように表６〜表１７は、Ａｇ−Ｚｎ‐Ｘ合金、Ａｇ‐Ｉｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｓｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｎｉ‐Ｘ合金の薄膜について行った塩化試験結果を示したものである。ここで、Ｘは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を示す。比較例として純ＡｇとＡＰＣについても行った。
【０４３３】
次に、塩化試験から得られた知見について説明する。
純Ａｇの薄膜では、塩化によるものと思われる膜の白濁が認められた。
【０４３４】
これに対し、Ａｇ−Ｚｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｉｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｓｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｎｉ‐Ｘ合金薄膜では、５％ＮａＣｌ水溶液にはＡＰＣと同様、変化が見られなかった。
このように、第二元素としてＺｎ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＮｉ等を添加することにより、耐候性が改善され、より高い信頼性が得られた。
【０４３５】
尚、前記実施例４では、優れた耐食性、耐候性を有するＡｇ合金材料であることを説明し、２つの情報層を有する構造のディスク状、いわゆる円盤状の光ディスクについて説明したが、本発明はこのような光ディスクや形状に限られるものではなく、種々の製品に適用することが可能であり、例えば、単層又は３層以上の情報層を有する光ディスク、光磁気ディスク、相変化型光ディスク、その他カード状またはシート状の記録媒体等、情報層に金属薄膜を有する各種の光学記録媒体、その他、耐食性、耐候性を必要とする各種の製品に適用することが可能である。
【０４３６】
また、例えば２枚の透明基板上にそれぞれ２層以上の情報層を形成し、これら透明基板をその情報層を有する面をつき合わせ接合して形成し、両透明基板側から光照射を行うようにした構成とすることもできるなど種々の構造とすることが可能である。
【０４３７】
（実施例５）
次に、本発明の実施例５による銀合金材料（抵抗）について説明する。
Ａｇは大変熱伝導率が良く、原子単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴があることから、熱伝導率を鈍化させて且つ原子間での活発な移動を抑制するために、Ａｇに対してある一定の量が溶解するＺｎを１．７ａｔ％〜８ａｔ％の組成範囲で任意に振って添加して実験した。
【０４３８】
まず、スパッタリング装置にＡｇとＺｎのスパッタリングターゲットをそれぞれ装着して、特定のＲＦパワーでＡｇ、Ｚｎの放電量を制御してＡｒガスを０．１〜３．０Ｐａの間で任意に設定して、２つの材料を同時にスパッタする。つまり、同時スパッタリング法で数種類Ｚｎの添加量を振って銀合金材料膜を形成した。
【０４３９】
この時の試験試料片としては、石英基板を用いてスパッタプロセス中の基板温度は常温（２５℃前後）で、スパッタガスとしてはＡｒガスのみを用いて、到達真空度としては５×１０^−４Ｐａ真空雰囲気中で、膜厚を２０ｎｍで形成した。
【０４４０】
前記方法にて形成したＡｇを主成分として、それに数種類の材料組成でＺｎを添加した銀合金材料薄膜を、大気中でオーブンに入れ約１時間放置して抵抗値を測定した。この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。また、抵抗値の測定にあっては、４探針法により室温で測定した。その試験結果は前述した表２２に示されている。
【０４４１】
抵抗については、アニール前でＺｎ含有量が１．７ａｔ％のものがＡＰＣと同程度である。但し、アニール後に抵抗が上昇する傾向にある。
【０４４２】
（実施例６）
次に、本発明の実施例６による銀合金材料（反射率）について説明する。
前記方法にて形成したＡｇを主成分として、それに数種類の材料組成でＺｎとＣｕを添加した銀合金材料薄膜を、大気中でオーブンに入れ約１時間放置して反射率を測定した。その試験結果は前述した表２３に示されている。
この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。また、目視にて、白濁が無きもの（光沢が保たれているもの）に関して反射率を測定した。その試験結果は前述した表２３に示されている。
【０４４３】
電気抵抗については、Ｃｕの添加によりアニール後に反射率が下がる効果が確認された。但し、ばらつきがある。
【０４４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明による銀合金によれば、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する。従って、優れた耐食性を有する銀合金を提供することができ、また、熱処理前後において高い反射率を有する銀合金を提供することができ、また、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金を提供することができる。また、優れた耐熱性を有する銀合金を提供することができる。
【０４４５】
また、本発明によれば、前記銀合金を用いるため、反射光の黄色化を抑制したスパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法を提供することができる。
【０４４６】
また、本発明によれば、Ａｇの耐水素性、耐酸素性やＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉの脱酸素効果（酸化防止）、塩化、硫化防止の相互作用により、Ａｇと比較した場合に高反射率を維持し、耐候性を改善した光学記録媒体を提供することができる。
【０４４７】
また、本発明によれば、半透明反射膜の耐候性が改善され、より高い信頼性が得られる光学記録媒体を提供することができる。
【０４４８】
また、本発明によれば、柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるといった耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しかも、エラストマー材料基板との接合性（密着性）がより一層効果的に強化され、より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供することができる。
【０４４９】
また、本発明によれば、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるといった耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しかも、プラストマー材料基板との接合性（密着性）がより一層効果的に強化され、より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供することができる。
【０４５０】
また、本発明によれば、従来に比して電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた電子部品用金属材料、配線材料、銀合金を使用した電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品を提供することができる。
【０４５１】
また、本発明の高耐熱性反射膜を用いて形成した積層体、例えば建材ガラス用熱線・赤外線反射膜においては、耐熱性が高く反射率も高く、更にアルカリ系の有機材料に対して安定で、更には樹脂基板を用いる場合、その基板からの脱ガスに対しても化学的に安定であるために、高品質な製品を形成することができる。
【０４５２】
また、本発明のＡｇ合金膜を用いて高耐熱性反射膜を形成する場合に、例えば基板と反射膜との間に、密着性及び光学特性の向上を目的として下地層を形成して積層体となった場合でも、熱に対しての安定性が劣化することが無く、更には光学特性の著しい低下がないことから、積層構造とされた場合でも品質が劣化することがない。
【０４５３】
また、本発明のＡｇ合金膜を形成する場合には、スパッタリング法及び蒸着法のいずれも場合であっても目的や用途、もしくは基板の種類に応じて安定して同じ特性を得ることがわかり、例えば膜の形成方法による品質の差異が生じない。
【０４５４】
従って、本発明によれば、Ａｇ自体の保有する高い光学特性が保持され、更にはＡｇの材料的な安定性が格段に改善されるとともに、反射膜とガラス基板又は樹脂基板の間に下地層を形成すると、高耐熱性反射膜とガラス基板又は樹脂基板との接合性がより一層効果的に強化されるので、信頼性の高い建材ガラス用反射膜等の積層体等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第５の実施の形態によるスパッタリングターゲット材を用いて形成した薄膜を有する光学記録媒体の一例であって２層構造の光学記録媒体を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る第６の実施の形態による光学記録媒体の一例を示した側面図である。
【図３】Ａｇ−Ｚｎ合金からなる薄膜について照射する光の波長とその光の反射率を示すグラフである。
【図４】本発明に係る第７の実施の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図である。
【図５】本発明に係る第８の実施の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図である。
【図６】（ａ）は、試料▲１▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、（ｂ）は、試料▲２▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図７】（ａ）は、試料▲３▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、（ｂ）は、試料▲４▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図８】（ａ）は、試料▲１▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、（ｂ）は、試料▲２▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図９】（ａ）は、試料▲３▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、（ｂ）は、試料▲４▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図１０】Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＺｎを１．８〜７．３ａｔ％まで添加し、２５０℃で１時間のアニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図１１】Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＩｎを０．９〜１．９ａｔ％まで添加し、２５０℃で１時間のアニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図１２】Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＺｎ又はＩｎを０・９〜７．３ａｔ％まで添加し、５ｗｔ％のＮａＣｌ水に浸水させた後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【符号の説明】
１…第１の基板
２…第２の基板
３…半透明反射膜
４…反射膜
５…透明接着剤
６…光学記録媒体
７…対物レンズ
８…再生光
９…第１の情報層
１０…光学記録媒体
１１…第１の情報記録層
１２…第２の情報記録層
１３，１４…基板
１５…半透明膜
１６…銀合金反射膜
１７…第２の情報層
１８…電磁波遮蔽膜
１９…基板
２０…光硬化性樹脂
２１…第１の微細凹凸
２２…第２の微細凹凸
２３…密着助長下地膜
２４，３０…保護膜[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a silver alloy, a sputtering target, a reflective plate for a reflective LCD, a reflective wiring electrode, a thin film, a method for producing the same, and an optical element having excellent corrosion resistance, high reflectance, electrically low resistance, and excellent heat resistance. The present invention relates to a recording medium, an electromagnetic wave shield, a metal material for an electronic component, a wiring material, an electronic component, an electronic device, a method of processing a metal film, an electro-optical component, a laminate, and a building material glass.
[0002]
[Prior art]
In a conventional reflective liquid crystal display panel, a high reflectivity layer that reflects light transmitted through a liquid crystal cell is required. Such a high reflectivity layer, or a wiring pattern and an electrode also serve as a high reflectivity layer. As described above, pure aluminum (hereinafter, Al), an alloy mainly containing Al, pure silver (hereinafter, Ag), an alloy mainly containing Ag, gold (hereinafter, Au) and the like are used for these components. I have.
[0003]
Conventionally, pure Al or an alloy containing Al as a main component has been used as a reflective plate for a reflective LCD, which is an optical member for reflecting light from a light source and effectively utilizing the backlight.
[0004]
However, when pure Al or an alloy containing Al as a main component is used in the above-mentioned conventional reflective liquid crystal display panel, it reacts with sulfur, oxygen, moisture, and the like in the air at the time of manufacturing or using a reflective plate for a reflective LCD. Sometimes. As a result, a problem of yellowing occurs that the reflection characteristics deteriorate, the chromaticity of the reflected light changes, and the color changes to yellow.
[0005]
Next, a conventional optical recording medium will be described.
Optical discs such as CD (Compact Disc) and DVD (Digital Versatile Disc), rewritable optical recording media such as MD (Mini Disc) and MO (Magneto Optical Disc), and rewritable optical recording media such as phase change optical discs, and optical recording of these As a material of the reflection film applied to the medium, Al or an Al alloy is generally known.
[0006]
This Al or Al alloy provides a certain or higher reflectance in a specific optical wavelength region when reproducing recorded information in the various optical recording media described above, and has excellent heat conduction characteristics. .
[0007]
In addition, it is possible to obtain a stable coating property with respect to the fine uneven grooves formed in the optical recording medium, and furthermore, when the optical recording medium product is obtained, weather resistance to non-metal elements contained in the air. It has the advantage that it has excellent properties and that there is very little change over time over a long period of time.
[0008]
However, the reflectance of a thin film formed of Al or an Al alloy is, for example, about 80% with respect to light having a wavelength of 800 nm, and depending on the use of an optical recording medium, a sufficient reflectance can still be obtained. I can't say that.
[0009]
Next, another conventional optical recording medium will be described.
An optical disk such as a DVD (Digital Versatile Disc) is formed by bonding two transparent plastomer substrates having a thickness of 0.6 mm so that an information layer composed of uneven pits formed on these substrates serves as an adhesive surface. It is produced by doing. Among read-only DVDs of several types, there is a so-called double-layer disc in which different information is stored in advance on the two substrates.
[0010]
When reproducing the two-layer disc, the reproducing light is made incident from one of the disc surfaces, so that there is an advantage that two different information layers can be accessed in a short time. The reflection film of the first information layer on the reproduction light incident side is designed to reflect a part of the incident light and transmit another part. Therefore, the reproduction light can reach the second information layer located at the back as viewed from the light incident side, and the reflected light there can again pass through the reflection film of the first information layer, and Playback is possible.
[0011]
The first information layer and the second information layer are separated from each other by a distance that does not interfere with each other's reproduced signals by an adhesive material called a transparent spacer, so that the focus position of the objective lens corresponds to each information layer. By adjusting the position, it is possible to reproduce the information of each layer with high quality. To realize such a reproducing method, the design of the reflective film of the first information layer is extremely important. This reflective film is hereinafter referred to as a semi-transparent reflective film from the viewpoint of transmitting a part of light.
[0012]
Conventionally, Au or silicon (hereinafter, referred to as Si) is generally used as a material of a translucent reflective film because it satisfies desired optical characteristics such as reflectance and transmittance and can easily form a thin film by a sputtering method or the like. Had been. In addition, there is an advantage that stable covering properties are obtained for fine uneven pits formed in the information layer and that the optical recording medium is also excellent in weather resistance.
[0013]
However, Au has a problem that the material cost is high. On the other hand, Si is a relatively inexpensive material, but has poor reliability against bending, warping, moisture absorption, and the like due to weak adhesion to a transparent adhesive or a plastomer material substrate. Further, the Si film has a problem that the film attached to the inside of the sputtering chamber is more easily peeled off than the metal, so that a large number of particles are generated in the sputtering process apparatus, and the error rate is deteriorated.
[0014]
In order to solve these problems, Ag has recently been studied as a substitute for Au or Si. However, Ag has a problem that it is easily corroded by, for example, seawater or sweat penetrating through the substrate, because of its high reactivity with chlorine, sulfur, and their compounds and ions.
[0015]
In contrast, JP-A-57-186244, JP-A-7-3363, and JP-A-9-156224 disclose a technique for improving the weather resistance by adding a predetermined impurity to Ag. Have been.
[0016]
That is, JP-A-57-186244 discloses a silver-copper alloy (hereinafter, Ag-Cu alloy) (Ag content is 40 atomic percent or more), and JP-A-7-3363 discloses a silver-magnesium alloy. Regarding (hereinafter, Ag-Mg alloy) (the content of Mg is 1 to 10 atomic% or more), Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-156224 discloses that tin (hereinafter, Sn), palladium (hereinafter, Pd), platinum ( Hereinafter, a technique is disclosed for an alloy in which Pt) is added in an amount of 0.1 to 10 atomic percent (hereinafter, at%) and oxygen (hereinafter, O) is added in an amount of 10 to 40 at%.
[0017]
However, even with these alloy materials, investigations on the weather resistance, the reflectance and the transmittance when a thin film is formed, have not always been sufficiently performed. In particular, no study has been made on a thin region used as a translucent reflective film.
[0018]
Next, a conventional electromagnetic wave shield will be described.
In the information society in recent years, as seen in the development of mobile communications such as satellite broadcasting systems and portable information terminal equipment, the electromagnetic wave environment is becoming increasingly diversified and complicated, and the advantages brought by them as well as the adverse effects It is becoming clear. For example, an external electromagnetic wave from the outside (outside) enters an electronic device or the like and causes noise harmfulness, or a leaked electromagnetic wave from a portable information terminal device represented by a notebook computer or a mobile phone. Are concerned about the possibility of adverse effects on the human body.
[0019]
EMC (ElectroMagneticCompatibility), that is, electromagnetic compatibility (sometimes called electromagnetic compatibility) is an element that solves various engineering problems caused by electromagnetic waves.
[0020]
Conventionally, metals have mostly occupied EMC materials for the purpose of shielding external electromagnetic waves and leakage electromagnetic waves from personal computers and the like (hereinafter, referred to as “the former”).
In the case of elastomer materials, attempts to obtain conductivity by blending metal powder or carbon black have been conventionally made (hereinafter, referred to as "the latter").
[0021]
However, in the former EMC material, products and elements that require EMC technology in recent years have rapidly diversified, and it has become impossible to cope with various functions that are not required only by metal. For example, various problems occur, such as the difficulty in applying to bending of complex shapes, filling of unsteady spaces, lightening, and corrosion resistance to rust, etc., in many cases. are doing.
[0022]
On the other hand, the latter elastomer material filled with metal powder has many disadvantages such as aging over time mainly due to metal oxidation and loss of mechanical properties such as elasticity and strength of the elastomer material itself, and is widely used as an EMC material. This is hard to say.
[0023]
In addition, carbon black-filled elastomer materials have been diversified into conductive rollers, rubber contacts, and the like, but are limited in the obtained conductivity, so that they are rarely used as EMC materials.
[0024]
In addition, the electromagnetic wave shielding body made of plastomer material requires not only electromagnetic wave shielding property but also infrared shielding property, transparency, invisibility, corrosion resistance, weather resistance, wear resistance, etc., in addition to electromagnetic wave shielding from the front of the display. However, merely stacking conventional conductive materials does not sufficiently satisfy the above characteristics.
[0025]
As described above, in the conventional electromagnetic wave shielding body, the elastomer material is sufficiently satisfied as an EMC material because it has problems in bending followability to a complicated shape, corrosion resistance, weather resistance, abrasion resistance, and the like. There were problems such as not being done.
[0026]
Also, in the conventional electromagnetic wave shielding body, the plastomer material has problems in electromagnetic wave shielding property, infrared ray shielding property, transparency, invisibility, corrosion resistance, weather resistance and wear resistance, etc. Problems such as not being fully satisfied.
[0027]
Next, conventional electronic devices and electronic components will be described.
In electronic devices and electronic components, copper (hereinafter, Cu), Al, molybdenum (hereinafter, Mo), tantalum (hereinafter, Ta), tungsten (hereinafter, W), and chromium (below) are used for wiring materials, electrode materials, and contact materials. , Cr) and other pure metals, aluminum-copper alloy (hereinafter, Al-Cu), aluminum-copper-silicon alloy (hereinafter, Al-Cu-Si), aluminum-palladium alloy (hereinafter, Al-Pd) , Tantalum silicide (hereinafter TaSi) ₂ ), Tungsten disilicide (WSi) ₂ ), Etc., to form a wiring pattern using a metal material made of an alloy.
[0028]
For example, in a transmissive liquid crystal display panel forming a flat panel display, generally, pure Al having excellent etching properties and low electric resistance is used as a wiring material. However, pure Al has a low melting point of 660 ° C., and when used as a wiring material for a liquid crystal display panel, has a melting point of about 300 to 400 ° C. in a chemical vapor deposition (CVD) process after forming a wiring film. Defects such as hillocks and whiskers may occur in the heat treatment step. For this reason, in the liquid crystal display panel, the generation of such defects is prevented by using Ta, Mo, Cr, W, etc., which are high-melting materials stable at high temperatures, as wiring materials instead of pure Al. Some have been done.
[0029]
Further, in a reflection type liquid crystal display panel, a high reflectance layer that reflects transmitted light of a liquid crystal cell is required, and such a high reflectance layer, or a wiring pattern and an electrode also serve as the high reflectance layer. In this way, pure Al, an alloy mainly containing Al, pure Ag, an alloy mainly containing Ag, Au, or the like is used for these members. Further, in an electronic optical component in which micromirrors are arranged side by side on a silicon chip and an image is displayed by light modulation by each mirror (hereinafter, referred to as an electronic optical component using micromirrors), a member serving as the mirror is used. Pure Al is used.
[0030]
By the way, compared to metal materials used in conventional electronic devices, if it is possible to obtain a metal material having a low electric resistance and a stable and excellent workability, it can be applied to various electronic components to improve the performance. Can simplify the manufacturing process.
[0031]
That is, in a transmissive liquid crystal display panel, Ta, Mo, Cr, W, and the like, which are used in place of pure Al for the purpose of preventing the occurrence of defects, have a defect having a higher resistivity than pure Al. As a result, in the transmission type liquid crystal display panel, there is a problem that the wiring length of the wiring pattern increases due to an increase in size and definition, and when the wiring pattern is miniaturized, it becomes difficult to drive easily and reliably. . As a result, in the transmissive liquid crystal display panel, there is no actual material suitable as a wiring material.
[0032]
In the case where a high-reflectance layer is also used for wiring and electrodes, such as a reflection-type liquid crystal display panel and an electro-optical component using a micromirror, the characteristics required for the wiring material of the transmission-type liquid-crystal display panel include Request will be weighted.
[0033]
In this case, from the viewpoint of efficiently reflecting incident light as the high reflectivity layer, pure Ag having the highest reflectivity in the visible light wavelength region is suitable for the material of the high reflectivity layer. Is not suitable as a wiring and electrode material due to poor weather resistance. As a result, even in the case of a reflective liquid crystal display panel or an electronic optical component using a micromirror, there has been no actual wiring material.
[0034]
In addition, in the reflection type liquid crystal display panel, a barrier layer is formed on the high reflection film and the wiring electrode layer or above and below the reflection film and the wiring electrode layer to improve weather resistance. However, the increase in the number of steps for forming the barrier layer complicates the manufacturing process, and there is still a problem that the reliability at high temperatures is still insufficient even if the barrier layer is formed in this way.
[0035]
Incidentally, when examining wiring materials having an electrically low resistance value, Au, Cu, and Ag are materials having an electrical resistivity lower than that of Al, but Au is difficult to obtain easily. Material. Further, Cu has poor weather resistance, poor workability by etching, and has problems that fine processing is difficult. Ag reacts sensitively to chlorides, sulfur, sulfides, etc., and has problems in fine workability and weather resistance.
[0036]
As an example in which Ag reacts sensitively, in a dry etching process using an etching gas containing chlorine, Ag reacts with chlorine in the etching gas as the etching proceeds to form silver chloride (hereinafter, referred to as silver chloride) on the boundary surface of the wiring pattern. , AgCl) are produced, and the conductivity and thermal conductivity are impaired by the AgCl.
[0037]
Further, as an example in which Ag has a problem with weather resistance, when applied to a reflective liquid crystal display panel, the possibility of reacting with oxygen at the interface due to direct contact with the transparent conductive film or with a small amount of sulfur is large. This raises a problem that the barrier layer must be formed on the underlying layer as in the case of Al, or the upper and lower barrier layers must be sandwiched to form a sandwich structure.
[0038]
In these liquid crystal display panels, a TFT (Thin Film Transistor) made of amorphous silicon or polycrystalline silicon is often used as a driving device. However, there is no suitable electrode material as viewed from the driving device side. It is.
That is, in some of these driving devices, a manufacturing process is simplified by oxidizing a metal material of an electrode and forming a gate insulating film between the electrode and the silicon active element. (That is, the anodization method).
[0039]
[Table 1]

[0040]
Table 1 shows the electrical resistivity of the conventional wiring material.
Of the wiring materials shown in Table 1, wiring materials capable of forming such a gate insulating film include Al and Ta, and in particular, in the case of Ta, a defect such as a pinhole is present. An oxide insulating film with low yield and high yield can be formed. However, since Ta has a high electrical resistivity, such an anodic oxidation method requires an electrode structure with two-layer wiring using Al having a low electrical resistivity. In the end, the manufacturing process was to be increased. In the case of the two-layer wiring, the electrical resistivity of the wiring pattern is eventually determined by Al.
[0041]
In addition to the above-described application to display devices, in semiconductor devices such as DRAMs, flash memories, CPUs, MPUs, and ASICs, the width of wiring is reduced due to high integration, and the chip size is increased, multilayer wiring, etc. The wiring length of a wiring pattern tends to increase with the increase in complexity of the semiconductor device. Therefore, even in these semiconductor devices, a wiring material that is electrically low in resistivity, stable, and excellent in workability is desired.
[0042]
That is, such a decrease in the wiring width and an increase in the wiring length cause an increase in the resistance in the wiring, and the increase in the resistance causes an increase in the voltage drop in the wiring, resulting in a decrease in the driving voltage of the element and a decrease in the consumption. The power increases, and furthermore, a delay occurs in signal transmission by wiring.
[0043]
Further, in electronic components other than such semiconductor devices, for example, printed wiring boards, chip capacitors, relays, and the like, Cu, Ag, and the like are used as wiring materials, electrode materials, and contact materials. Materials also have a problem that the weather resistance is still insufficient for practical use, and there is a problem that recycling is difficult.
[0044]
Conventionally, various materials such as Al or an Al alloy, or an Ag alloy typified by Ag and Ag-Pd have been used for the heat ray reflective film for building material glass. Further, studies have been made to improve the functionality in addition to the high reflectance by laminating the films. Products that have achieved this have already been used in a great many fields and in various fields.
[0045]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, development of a material having excellent corrosion resistance, high reflectance, low electrical resistance, and excellent heat resistance has not always been sufficient in conventional metal materials.
[0046]
Further, in the conventional reflective liquid crystal display panel, during the production or use of the reflective LCD reflective plate, it may react with sulfur, oxygen, moisture, etc. in the air, thereby deteriorating the reflection characteristics, There is a problem of yellowing that the chromaticity of the reflected light changes to yellow.
[0047]
Further, it cannot be said that a thin film formed of Al or an Al alloy still has a sufficient reflectance depending on the use of the optical recording medium. Further, there has not yet been developed an alloy material having sufficient characteristics with respect to weather resistance, reflectance and transmittance when a thin film is formed.
[0048]
In addition, the electromagnetic wave shield using the conventional elastomer material has problems in followability to bending into a complicated shape, corrosion resistance, weather resistance, abrasion resistance, and the like, and is not adopted (applied) as an EMC material at all. And so on.
[0049]
Further, in the electromagnetic wave shield using the conventional plastomer material substrate, electromagnetic wave shielding, infrared shielding, transparency, invisibility, corrosion resistance, weather resistance and wear resistance are not sufficiently satisfied, There was a problem that it was not adopted (applied) at all as an EMC material.
[0050]
Further, in conventional electronic devices and electronic parts, wiring materials, electrode materials, and contact materials that are not sufficiently low in electrical resistivity and excellent in workability have not been developed.
[0051]
As a reflection film for reflecting infrared rays and heat rays for building glass, a reflection film formed of Ag, Al, or an alloy material containing any one of these elements as a main component is widely known. However, these reflection films are not necessarily excellent in heat resistance.
[0052]
For example, Ag and Al do not have high heat resistance to heat, and the surface portion is easily diffused at a specific temperature. For example, when manufacturing a reflector for a liquid crystal display element, a temperature atmosphere during the manufacturing process is required. Is limited. Furthermore, in the case of infrared and heat ray reflective films for building material glass, when exposed to high temperatures in the summer in the air, the reflective films themselves are chemically deformed (discolored). There was a problem with stability.
[0053]
Au is known as a material having a high reflectivity other than Ag and Al. However, since Au is very expensive, it is practically used from the viewpoint of cost in order to use it as a reflective film for window glass of building materials. It is determined that sex is poor.
[0054]
In addition, for Al, which has high reflectivity, is very inexpensive in terms of cost, and has high practicality, when a resin substrate such as PMMA or silicone resin is used, gas deposited from the resin substrate is used. There is a risk of causing a chemical reaction on the components. For this reason, it is effective only for a substrate made of a material having a low gas releasing action, which limits not only the substrate material but also the chemical stability of the material when making contact with a resin. Anxiety and challenges remain.
[0055]
Further, Ag has the highest optical reflectivity among many metal elements in the optical wavelength range referred to as the visible and infrared regions of 400 to 4000 nm, and thus has excellent characteristics as a film characterized by high reflectivity. Is considered to be held. However, since self-diffusion energy for heat is active, there is a problem that a change with time occurs when heat is applied. For this reason, even if the heat is temporarily applied at about 100 ° C., a diffusion phenomenon occurs on the surface portion, and the original gloss of Ag is lost and the Ag becomes cloudy. In other words, the characteristic of Ag, which is a high reflectivity, is greatly reduced.
[0056]
Further, when a reflective film is formed on a glass or resin substrate, if Ag is left in the air, it absorbs moisture (mainly water) in the air and turns yellow, so that the reflectance is low. There are problems such as the high characteristic of Ag being impaired. Therefore, it cannot maintain the original characteristic of high reflectance, and cannot be said to be excellent in weather resistance.
[0057]
The present invention has been made in consideration of the above problems, and an object of the present invention is to provide a silver alloy having excellent corrosion resistance. Another object of the present invention is to provide a silver alloy having a high reflectance. Another object of the present invention is to provide a silver alloy having electrically low resistance characteristics. Another object of the present invention is to provide a silver alloy having excellent heat resistance.
[0058]
Further, another object of the present invention is to provide a sputtering target, a reflective plate for a reflective LCD, a reflective wiring electrode, a thin film, and a method for manufacturing the same, which suppress yellowing of reflected light.
[0059]
It is another object of the present invention to provide an optical recording medium that maintains high reflectance as compared with Ag and has improved weather resistance.
[0060]
Another object of the present invention is to provide an optical recording medium in which the weather resistance of the translucent reflective film is improved and higher reliability is obtained.
[0061]
Another object of the present invention is to provide flexibility and shape flexibility (bending followability to a complicated shape), to be widely applied mainly as an EMC countermeasure material, and even in a high-temperature and high-humidity environment. The material stability of weather resistance such as high electromagnetic wave shielding ability is continuously maintained, and the bonding property (adhesion) with the elastomer material substrate is more effectively strengthened and higher. An object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shield capable of obtaining reliability.
[0062]
Another object of the present invention is to provide electromagnetic shielding and infrared shielding properties, transparency, invisibility, corrosion resistance, weather resistance and abrasion resistance, etc. In addition, the material stability of weather resistance, such as high electromagnetic wave shielding ability is continuously maintained even in a high-temperature and high-humidity environment, is remarkably improved, and the bonding property (adhesion) with a plastomer material substrate is improved. An object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shield that is more effectively strengthened and has higher reliability.
[0063]
Further, another object of the present invention is to provide a metal material for electronic components, a wiring material, an electronic component using a silver alloy, which has a lower electrical resistivity than the conventional one, and is stable and excellent in workability. An object is to provide an apparatus, a method of processing a metal film, and an electronic optical component.
[0064]
Another object of the present invention is to use a highly heat-resistant reflective film having high reliability while maintaining the high optical properties of Ag itself, further improving the material stability of Ag. To provide a laminated body and a building material glass.
[0065]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, a silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent corrosion resistance, which contains Ag as a main component, titanium (hereinafter, Ti), zirconium (hereinafter, Zr), and hafnium (hereinafter, referred to as silver). Hf), vanadium (hereinafter, referred to as V), niobium (hereinafter, referred to as Nb), Ta, Cr, Mo, W, iron (hereinafter, referred to as Fe), ruthenium (hereinafter, referred to as Ru), cobalt (hereinafter, referred to as Co), rhodium (hereinafter, referred to as Rh), iridium (Ir), nickel (Ni), Pd, Pt, Cu, Au, zinc (Zn), Al, gallium (Ga), indium (In), Si, It contains at least one element selected from the group consisting of germanium (hereinafter, Ge) and Sn.
[0066]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having characteristics of high reflectivity, containing Ag as a main component, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, and Co. , Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge and Sn.
[0067]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having an electrically low-resistance characteristic, is mainly composed of Ag, and has Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, and Ru. , Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge and Sn. .
[0068]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent heat resistance, containing Ag as a main component, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, It contains at least one element selected from the group consisting of Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge and Sn.
[0069]
Further, in the silver alloy according to the present invention, it is preferable that the content of the at least one type of each element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less.
[0070]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent corrosion resistance, containing Ag as a main component, one kind of element selected from the group consisting of Zn, Ni, Sn and In, and Ti, Zr. , Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge It is characterized by containing one kind of element.
[0071]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having characteristics of high reflectance, containing Ag as a main component, and containing one kind of element selected from the group consisting of Zn, Ni, Sn and In; , Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge. And at least one element.
[0072]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having electrically low-resistance characteristics, and contains Ag as a main component and one kind of element selected from the group consisting of Zn, Ni, Sn and In. , Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge. It is characterized by containing at least one selected element.
[0073]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent heat resistance, containing Ag as a main component, and containing one kind of element selected from the group consisting of Zn, Ni, Sn and In; Selected from the group consisting of Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge It is characterized by containing at least one kind of element.
[0074]
Further, in the silver alloy according to the present invention, the content of the one type of element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and the content of the at least one type of each element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or more. It is preferably 0 at% or less.
[0075]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent heat resistance,
It contains silver as a main component, contains zinc or indium in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains copper in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and further contains palladium in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at%. It is characterized by containing the following.
[0076]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having high reflectance characteristics,
It contains silver as a main component, contains zinc or indium in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains copper in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and further contains palladium in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at%. It is characterized by containing the following.
[0077]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having electrically low resistance characteristics,
It contains silver as a main component, contains zinc or indium in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains copper in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and further contains palladium in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at%. It is characterized by containing the following.
[0078]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent corrosion resistance,
It contains silver as a main component, contains zinc or indium in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains copper in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and further contains palladium in a content of 0.1 at% or more and 8.0 at%. It is characterized by containing the following.
[0079]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent heat resistance,
It contains silver as a main component, contains zinc at 3.0 at% to 8.0 at%, contains copper at 0.3 at% to 1.7 at%, and further contains palladium at 0.2 at% to 3.0 at%. It is characterized by doing.
[0080]
According to the silver alloy, a zinc alloy containing 3.0 at% or more and 8.0 at% or less and zinc at a content of 0.3 at% or more and 1.7 at% or less makes the silver alloy excellent in heat resistance. Can be.
[0081]
Further, a silver alloy particularly excellent in heat resistance contains silver as a main component, contains zinc at 3.0 at% to 8.0 at%, contains copper at 0.3 at% to 0.5 at%, and further contains palladium. It contains 0.2 at% or more and 3.0 at% or less.
[0082]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent corrosion resistance,
It is characterized by containing silver as a main component, containing zinc at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, containing copper at 0.1 at% or more, and further containing palladium at 0.2 at% or more.
[0083]
According to the silver alloy, by containing 0.1 at% or more of copper and 0.2 at% or more of palladium, a silver alloy having excellent corrosion resistance can be obtained.
[0084]
The silver alloy according to the present invention is a silver alloy having excellent heat resistance and corrosion resistance,
It contains silver as a main component, contains zinc at 3.0 at% to 8.0 at%, contains copper at 0.3 at% to 1.7 at%, and further contains palladium at 0.2 at% or more. I do.
Further, in order to obtain a silver alloy having particularly excellent heat resistance, the content of copper is preferably set to 0.3 at% or more and 0.5 at% or less.
[0085]
A sputtering target according to the present invention is characterized by comprising the silver alloy.
[0086]
Further, the sputtering target according to the present invention can also be used to produce a reflective LCD reflective plate or a reflective wiring electrode that suppresses yellowing of reflected light.
[0087]
The reflective plate for a reflective LCD according to the present invention is a reflective plate for a reflective LCD in which yellowing of reflected light is suppressed, and is made of the silver alloy.
[0088]
According to the reflection type LCD reflection plate, since the reflection type LCD reflection plate is made of the above-described silver alloy, it can be suppressed from reacting with sulfur, oxygen, moisture, or the like in the air at the time of manufacturing or using the reflection type LCD reflection plate. Therefore, it is possible to suppress yellowing in which the chromaticity of the reflected light changes and the color changes to yellow.
[0089]
A reflective wiring electrode according to the present invention is a reflective wiring electrode that has high reflectance of reflected light and suppresses yellowing of reflected light, and is characterized by being made of the silver alloy.
[0090]
The thin film according to the present invention is made of a silver alloy.
[0091]
A method for producing a thin film according to the present invention is characterized in that a thin film is produced by a sputtering method using the sputtering target.
[0092]
Further, an optical recording medium according to the present invention has the above-mentioned thin film.
According to the optical recording medium, the atmosphere of chlorine, hydrogen, oxygen, and sulfur is formed by the interaction between the hydrogen resistance and oxygen resistance of Ag, the deoxidizing effect of Zn, In, Sn, and Ni (antioxidation), and the prevention of chloride and sulfidation. It is possible to improve the weather resistance in an environment or atmosphere required when the material is used for an optical recording medium by contamination with a nonmetallic element that comes into contact with the medium or in a special environment.
[0093]
The optical recording medium according to the present invention has an information layer having a translucent reflective film and an information layer having a reflective film in which two or more layers are laminated, and at least one of recording and reproducing of information is performed by light irradiation from a common direction. Wherein the translucent reflective film is made of the above-mentioned silver alloy thin film.
[0094]
According to the optical recording medium, the translucent reflective film is formed of the above-described silver alloy thin film. Thus, even in a high-temperature and high-humidity atmosphere, a change in optical characteristics such as an increase in transmittance can be prevented, and the film can be prevented from becoming cloudy even when immersed in salt water.
[0095]
The electromagnetic wave shielding body according to the present invention is a substrate made of an elastomer material, and an electromagnetic wave shielding film formed on the substrate, and an electromagnetic wave shielding body, wherein the electromagnetic wave shielding film is made of the silver alloy. Features.
[0096]
According to the electromagnetic wave shield, the electromagnetic wave shield film made of the silver alloy is formed on the surface of the substrate made of the elastomer material, so that a shield having excellent flexibility can be obtained. This electromagnetic wave shield has flexibility and shape flexibility (bending followability to complex shapes), is widely applied mainly as an EMC countermeasure material, and has a high electromagnetic wave shielding ability even in high temperature and high humidity environments. It can be continuously maintained, and the material stability of weather resistance can be remarkably improved.
[0097]
The thickness of the electromagnetic wave shielding film is preferably, for example, about 10 to 500 nm in consideration of the ability to follow a complicated shape in bending. Further, as the elastomer material, silicone rubber, natural rubber, chloroprene rubber, EPDM (rubber-like terpolymer of ethylene, propylene and diene) or the like can be used.
[0098]
An electromagnetic wave shielding body according to the present invention is an electromagnetic wave shielding body including a substrate made of a plastomer material and an electromagnetic wave shielding film formed on the substrate, wherein the electromagnetic wave shielding film is made of the silver alloy. Features.
[0099]
According to the electromagnetic wave shielding body, by forming the electromagnetic wave shielding film made of the silver alloy on the surface of a substrate made of a plastomer material, electromagnetic wave shielding properties, infrared shielding properties, transparency, invisibility, corrosion resistance, It forms an electromagnetic wave shield with weather resistance and abrasion resistance, and is widely applied mainly as an EMC countermeasure material.Also, it can continuously maintain high electromagnetic wave shielding ability even under high temperature and high humidity environment, Material stability can be significantly improved.
[0100]
The thickness of the electromagnetic wave shielding film is preferably, for example, about 5 nm to 30 nm in consideration of electromagnetic wave shielding properties, infrared ray shielding properties, transparency, invisibility, corrosion resistance, weather resistance, wear resistance, and the like. The plastomer material is not particularly limited, but examples include a plastic film and an engineering plastic, and the main types include polyamide, polycarbonate, polyacetal, or polybutylene terephthalate, and modified polyphenylene ether. It is also possible.
[0101]
Further, in the electromagnetic wave shielding body according to the present invention, the electromagnetic wave shielding film may be composed of one film or a plurality of films. Thereby, it is temperature and chemically stable and can be applied to various uses.
[0102]
Further, in the electromagnetic wave shielding body according to the present invention, the electromagnetic wave shielding film can be formed by forming a film on a substrate by a sputtering method using a sputtering target material made of the silver alloy.
[0103]
Further, the electromagnetic wave shielding body according to the present invention may further include a protective film formed on the electromagnetic wave shielding film and having excellent corrosion resistance and weather resistance. In addition, it is possible to further include a protective film having excellent wear resistance formed on the electromagnetic wave shielding film.
[0104]
Moreover, the electromagnetic wave shielding body according to the present invention may further include a base film disposed between the substrate and the electromagnetic wave shielding film, which promotes adhesion. Thereby, the bonding property (adhesion) with the elastomer material substrate or the plastomer material substrate can be more effectively enhanced, and higher reliability can be obtained.
[0105]
In the electromagnetic wave shield according to the present invention, the base film may be made of indium tin oxide (hereinafter, ITO), iridium oxide (hereinafter, IrO). ₂ ), Zinc oxide (hereinafter ZnO), silicon dioxide (hereinafter SiO) ₂ ), Titanium oxide (hereinafter TiO) ₂ ), Tantalum pentoxide (hereinafter Ta) ₂ O ₅ ), Zirconium oxide (hereinafter, ZrO) ₂ ), One or a plurality of materials selected from the group consisting of Si, Ta, Ti, Mo, Cr, and Al, or a material containing at least the one or more materials as a main component. Is preferred.
[0106]
The metal material for an electronic component according to the present invention is characterized by comprising the silver alloy. This metal material for electronic parts has a lower electrical resistivity than conventional, has excellent heat resistance and weather resistance, is stable and has excellent workability.
[0107]
In addition, such a silver alloy maintains excellent thermal conductivity of pure Ag, and can be adapted to conventional film forming processes such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, and a plating method. Patterning can be easily performed by an etching technique and a dry etching technique, and a stable state can be maintained even at a high temperature. Therefore, it is possible to obtain a metal material for electronic components which has a lower electrical resistivity than the conventional one and is stable and excellent in workability.
[0108]
The wiring material according to the present invention is characterized by comprising the silver alloy.
Further, the metal material for electronic parts can be used as an electrode material.
Further, the metal material for electronic parts can be used as a contact material.
[0109]
The electronic component according to the present invention has at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact formed of the silver alloy.
[0110]
In the electronic component according to the present invention, each of the wiring pattern, the electrode, and the contact may be formed by etching with a solution.
[0111]
In the electronic component according to the present invention, each of the wiring pattern, the electrode, and the contact may be formed by etching in a gas atmosphere.
[0112]
Further, in the electronic component according to the present invention, each of the wiring pattern, the electrode, and the contact may be formed by a heat treatment in a temperature range of 300 ° C. or more and 750 ° C. or less.
[0113]
Further, in the electronic component according to the present invention, each of the wiring pattern, the electrode and the contact is made of W, Ta, Mo, indium oxide (hereinafter referred to as In). ₂ O ₃ ), Tin oxide (hereinafter SnO) ₂ ), Titanium nitride (hereinafter, TiN), SiO ₂ , Silicon nitride (hereinafter, Si ₃ N ₄ ), TiO ₂ , Niobium oxide (hereinafter, Nb ₂ O ₅ ) May be formed on an underlayer formed by mixing any one kind or a plurality of kinds.
[0114]
Further, in the electronic component according to the present invention, each of the wiring pattern, the electrode, and the contact may be directly formed on a glass or plastomer material substrate.
[0115]
An electronic device according to the present invention is characterized by being configured using the electronic component.
[0116]
The method for processing a metal film according to the present invention is characterized in that the metal film made of the silver alloy forms at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact.
[0117]
According to the metal film processing method, in such a silver alloy, for example, a phosphoric acid-based etchant H ₃ PO ₄ + HNO ₃ + CH ₃ Etching can also be performed with COOH or the like, whereby a suitable patterning technique applicable to this type of metal film can be obtained in addition to the conventional patterning technique.
[0118]
According to the method for processing a metal film, such a silver alloy can be dry-etched in a gas atmosphere containing chlorine, for example. ₂ , CCl ₄ , BCl ₃ , SiCl ₄ It is possible to perform a process such as RIE (Reactive Ion Etching) or plasma etching in a gas atmosphere containing chlorine such as. This makes it possible to obtain a suitable patterning method applied to this type of metal film in addition to the conventional patterning method.
[0119]
In the method for processing a metal film according to the present invention, at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact is formed by performing a heat treatment on the metal film made of the silver alloy in a temperature range of 300 ° C. or more and 750 ° C. or less. It is characterized by the following.
[0120]
According to the method for processing a metal film, the method can be applied to the method for processing a metal film, for example, after forming a deposited layer or the like with the composition of the alloy by vapor deposition, CVD, or the like, and then alloy these. Excellent stability at high temperatures enables stable conditions to be maintained even in high-temperature processes after film formation by various film forming methods, which enables stable and processable application to various devices requiring high-temperature processes. In this way, it is possible to obtain an excellent wiring pattern and the like.
[0121]
In the method for processing a metal film according to the present invention, the metal film made of the silver alloy may be formed of W, Ta, Mo, In, or SnO. ₂ , ITO, TiN, SiO ₂ , Si ₃ N ₄ Wherein at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact is formed by forming the wiring pattern on an underlayer.
[0122]
According to the metal film processing method, a wiring pattern, an electrode or a contact made of an alloy of this type is applied to a metal film processing method by using W, Ta, Mo, InO. ₂ , SnO ₂ , TiN, SiO ₂ , Si ₃ N ₄ , TiO ₂ , Nb ₂ O ₅ Is formed on an underlayer formed by mixing any one or a plurality of types, and by applying a conventional processing process, sufficient adhesion is ensured. It is possible to obtain a wiring pattern and the like excellent in workability.
[0123]
The method for processing a metal film according to the present invention is characterized in that at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact is formed by directly forming a metal film made of the silver alloy on a glass or plastomer material substrate. And
[0124]
According to the method for processing a metal film, when applied to a method for processing a metal material, a wiring pattern, an electrode or a contact made of these alloys is formed directly on a glass or plastomer material substrate. Since the influence of oxygen is small, the increase in the electrical resistivity is reduced, as in the case of Al, for example, so that a wiring pattern having a low resistivity can be easily formed by a simple manufacturing process.
[0125]
An electronic optical component according to the present invention includes at least one of a reflective film, a wiring pattern, and an electrode formed of the silver alloy. As a result, it is possible to obtain an electro-optical component in which a metal material that is electrically low in resistivity, stable, excellent in workability, and excellent in reflectance is applied to the reflective film, the wiring pattern, or the electrode.
[0126]
The laminate according to the present invention is a laminate using a high heat-resistant reflective film composed of at least one layer, wherein the high heat-resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 4. There is a feature.
[0127]
Further, in the laminate according to the present invention, the silver alloy preferably has a content of at least one kind of each element of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less.
[0128]
The laminate according to the present invention is a laminate using a high heat-resistant reflective film composed of at least one layer, wherein the high heat-resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 9. There is a feature.
[0129]
Further, in the laminate according to the present invention, in the silver alloy, the content of the one type of element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and the content of the at least one type of each element is 0.1 at% or less. It is preferable that it is 1 at% or more and 8.0 at% or less.
[0130]
The laminate according to the present invention is a laminate using a highly heat-resistant reflective film composed of at least one layer, wherein the highly heat-resistant reflective film is any one of claims 11, 15, and 17. Characterized by being formed from the silver alloy described in (1).
[0131]
The laminate according to the present invention, a substrate,
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A laminate comprising:
The high heat resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 4.
[0132]
Further, in the laminate according to the present invention, the silver alloy preferably has a content of at least one kind of each element of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less.
[0133]
The laminate according to the present invention, a substrate,
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A laminate comprising:
The high heat resistant reflective film is formed of the silver alloy according to claim 9.
[0134]
Further, in the laminate according to the present invention, in the silver alloy, the content of the one type of element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and the content of the at least one type of each element is 0.1 at% or less. It is preferable that it is 1 at% or more and 8.0 at% or less.
[0135]
The laminate according to the present invention, a substrate,
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A laminate comprising:
The high heat resistant reflective film is formed of the silver alloy according to any one of claims 11, 15 and 17.
[0136]
In the laminate according to the present invention, it is preferable that the substrate is a resin substrate or a glass substrate.
In addition, the laminate according to the present invention may further include a base film disposed between the substrate and the high heat resistant reflective film to promote adhesion.
[0137]
In the laminate according to the present invention, the base film may be made of ITO, IrO ₂ , ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ , Si, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, one or more materials selected from the group consisting of, or a material containing the one or more materials at least as a main component. preferable.
[0138]
The building material glass according to the present invention, a substrate,
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A building material glass comprising a laminate having
The high heat resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 4.
[0139]
Further, in the building material glass according to the present invention, the silver alloy preferably has a content of at least one type of each element of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less.
[0140]
The building material glass according to the present invention, a substrate,
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A building material glass comprising a laminate having
The high heat resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 9.
[0141]
In the building material glass according to the present invention, the silver alloy has a content of the one type of element of 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and a content of the at least one type of each element is 0.1 at% or less. It is preferable that it is 1 at% or more and 8.0 at% or less.
[0142]
The building material glass according to the present invention, a substrate,
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A building material glass comprising a laminate having
The high heat-resistant reflective film is formed from the silver alloy according to any one of claims 11, 15, and 17.
[0143]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The silver alloy according to the first embodiment of the present invention will be described.
The first silver alloy is a silver alloy having at least one of excellent corrosion resistance, high reflectance, low electrical resistance, and excellent heat resistance. The first silver alloy contains Ag as a main component, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge and Sn An alloy containing at least one element selected from the group consisting of:
[0144]
Preferably, the content of the at least one type of each element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less. More preferably, the content of the at least one kind of each element is 0.3 at% or more and 6.0 at% or less, and still more preferably, the content of the at least one kind of each element is 0.5 at% or more. 0 at% or less.
[0145]
The second silver alloy is a silver alloy having at least one of excellent corrosion resistance, high reflectivity, electrically low resistance, and excellent heat resistance, and is mainly composed of Ag, Zn, Ni, It contains one element selected from the group consisting of Sn and In, and contains Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Pd, Pt, It is an alloy containing at least one element selected from the group consisting of Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge.
[0146]
In addition, it is preferable that the content of the one kind of element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and the content of the at least one kind of each element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less. . More preferably, the content of the one kind of element is 0.3 at% or more and 6.0 at% or less, and the content of the at least one kind of each element is 0.3 at% or more and 6.0 at% or less. More preferably, the content of the one element is 0.5 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of the at least one element is 0.5 at% or more and 5.0 at% or less.
[0147]
The third silver alloy is a silver alloy having at least one of excellent corrosion resistance, high reflectance, low electrical resistance, and excellent heat resistance. % At least 8.0 at%, Cu at 0.1 at% to 8.0 at%, and Pd at 0.1 at% to 8.0 at%. More preferably, the content of Zn is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, the content of Cu is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of Pd is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less. 0 at% or less.
[0148]
The fourth silver alloy is a silver alloy having at least one of excellent corrosion resistance, high reflectivity, low electrical resistance, and excellent heat resistance. % At least 8.0 at%, Cu at 0.1 at% to 8.0 at%, and Pd at 0.1 at% to 8.0 at%. More preferably, the content of In is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, the content of Cu is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of Pd is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less. 0 at% or less.
[0149]
The fifth silver alloy is a silver alloy having excellent heat resistance, containing Ag as a main component, containing Zn at 3.0 to 8.0 at%, and Cu at 0.3 to 1.7 at%. % Or less, and further contains Pd in an amount of 0.2 at% or more and 3.0 at% or less. The content of Cu in the silver alloy having particularly preferable heat resistance is 0.3 at% or more and 0.5 at% or less.
[0150]
The sixth silver alloy is a silver alloy having excellent corrosion resistance, containing Ag as a main component, containing Zn at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and containing Cu at 0.1 at% or more. An alloy containing 0.2 at% or more of Pd.
[0151]
The seventh silver alloy is a silver alloy having excellent heat resistance and corrosion resistance, containing Ag as a main component, containing Zn at 3.0 at% or more and 8.0 at% or less, and Cu at 0.3 at% or more and 1 at% or more. The alloy contains 0.7 at% or less and further contains 0.2 at% or more of Pd. The content of Cu in the silver alloy having particularly preferable heat resistance is 0.3 at% or more and 0.5 at% or less.
[0152]
Zn, Ni, Sn and In are contained for the purpose of preventing chloride, sulfurization and deoxygenation (antioxidation) and for preventing migration (prevention of ionization). Pd is contained in eutectic with Ag. This is because it is considered that corrosion resistance is further increased in order to make an alloy. The inclusion of, for example, Cu in each of the at least one kind of element is intended to reduce electric resistance, improve workability of the Ag alloy, prevent migration, and the like.
[0153]
According to the first and second silver alloys according to the first embodiment, good results are obtained for sodium chloride (hereinafter, NaCl) as shown in Tables 6 to 17 in a chloride test described below. Therefore, it has been confirmed that the silver alloy is excellent in corrosion resistance. Further, according to the third and fourth silver alloys, good results were obtained for NaCl in the chloride test described below, as shown in FIG. 12, so it was confirmed that the silver alloys had excellent corrosion resistance. Have been.
[0154]
Further, in the first and second silver alloys, it was confirmed that a practically high reflectance was obtained as shown in Tables 2 and 3 in the reflectance measurement described below. Further, in the third and fourth silver alloys, it was confirmed that a practically high reflectance was obtained as shown in Table 4 in the reflectance measurement described below. Further, in the first and second silver alloys, it has been confirmed that the resistance can be electrically reduced as shown in Tables 22 and 23 in the measurement of the resistance value described later. Further, in the third and fourth silver alloys, it has been confirmed that the resistance can be electrically reduced as shown in Table 24 in the measurement of the resistance value described later.
[0155]
In addition, in the first and second silver alloys, it has been confirmed that practically high reflectance can be obtained as shown in Tables 2 and 3 in reflectance measurement after heat treatment at 250 ° C. for one hour, which will be described later. . In the third and fourth silver alloys, it has been confirmed that practically high reflectance is obtained as shown in Table 5 in reflectance measurement after heat treatment at 250 ° C. for one hour, which will be described later.
[0156]
Further, in the fifth silver alloy, as shown in Tables 26 and 27, in the heat resistance test described later, the result that the reflectance after annealing was small and the heat resistance was excellent was obtained. It has been confirmed that it is a silver alloy having excellent properties.
[0157]
Further, in the sixth silver alloy, in the corrosion resistance test (5% NaCl immersion test) described later, favorable results were obtained for NaCl as shown in Tables 18 to 21, so that the silver alloy having excellent corrosion resistance was obtained. Has been confirmed.
[0158]
Further, in the seventh silver alloy, in the heat resistance test to be described later, as shown in Tables 26 and 27, a result that the decrease in reflectance after annealing was small and excellent in heat resistance was obtained. As shown in Tables 18 to 21 in the test, good results were obtained for NaCl, and it was confirmed that the silver alloy was excellent in heat resistance and corrosion resistance.
[0159]
Next, a second embodiment according to the present invention will be described.
The sputtering target according to the second embodiment is for producing a reflective LCD reflective plate that suppresses the yellowing of reflected light, and also increases the reflectance of reflected light (that is, the reflectance of reflected light). This is for manufacturing a reflective wiring electrode in which the yellowing of reflected light is suppressed.
[0160]
The first sputtering target according to the present embodiment has Ag as a main component, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, It is made of a silver alloy containing at least one element selected from the group consisting of Pt, Cu, Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge and Sn. The content of each of the at least one element is preferably from 0.1 at% to 8.0 at%, more preferably from 0.3 at% to 6.0 at%, and still more preferably from 0.5 at%. Not less than 5.0 at%.
[0161]
The second sputtering target according to this embodiment includes Ag as a main component, one element selected from the group consisting of Zn, Ni, Sn, and In, and Ti, Zr, Hf, V, Nb, Silver alloy containing at least one element selected from the group consisting of Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge It consists of. The content of the one kind of element is preferably 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, more preferably 0.3 at% or more and 6.0 at% or less, and still more preferably 0.5 at% or more. 5.0 at% or less. The content of each of the at least one element is preferably from 0.1 at% to 8.0 at%, more preferably from 0.3 at% to 6.0 at%, and still more preferably from 0.5 at%. Not less than 5.0 at%.
[0162]
The third sputtering target according to the present embodiment contains Ag as a main component, contains Zn at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.1 at% or more at 8.0 at% or less, and further contains Pd. An alloy containing 0.1 at% or more and 8.0 at% or less. More preferably, the content of Zn is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, the content of Cu is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of Pd is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less. 0 at% or less.
[0163]
The fourth sputtering target according to the present embodiment contains Ag as a main component, contains 0.1 at% or more and 8.0 at% or less of In, contains 0.1 at% or more and 8.0 at% or less of Cu, and further contains Pd. An alloy containing 0.1 at% or more and 8.0 at% or less. More preferably, the content of In is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, the content of Cu is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of Pd is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less. 0 at% or less.
[0164]
The fifth sputtering target according to the present embodiment contains Ag as a main component, contains Zn in a range of 3.0 at% to 8.0 at%, contains Cu in a range of 0.3 at% to 1.7 at%, and further contains Pd. Is 0.2 at% or more and 3.0 at% or less. Further, the content of Cu in the sputtering target made of a silver alloy having particularly preferable heat resistance is from 0.3 at% to 0.5 at%.
[0165]
The sixth sputtering target according to the present embodiment contains Ag as a main component, contains Zn at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.1 at% or more, and further contains Pd at 0.2 at%. An alloy containing the above.
[0166]
The seventh sputtering target according to the present embodiment contains Ag as a main component, contains Zn at 3.0 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.3 at% or more and 1.7 at% or less, and further contains Pd. Is 0.2 at% or more. Further, the content of Cu in the sputtering target made of a silver alloy having particularly preferable heat resistance is from 0.3 at% to 0.5 at%.
[0167]
Next, a method for manufacturing the first to seventh sputtering targets will be described.
In the case of the first sputtering target, the above-described silver alloy, that is, Ag as a main component, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, An ingot made of a silver alloy containing at least one element selected from the group consisting of Pd, Pt, Cu, Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge and Sn is produced by a casting method. Then, a sputtering target is manufactured by processing the ingot. This sputtering target appeared microscopically uniform.
[0168]
In the case of the second sputtering target, the above-described silver alloy, that is, Ag as a main component, contains one element selected from the group consisting of Zn, Ni, Sn and In, and contains Ti, Zr, Hf, V, Contains at least one element selected from the group consisting of Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge. An ingot made of a silver alloy is manufactured by a casting method. Then, a sputtering target is manufactured by processing the ingot. This sputtering target appeared microscopically uniform.
[0169]
In the case of the third sputtering target, an ingot made of the silver alloy described above is manufactured by a casting method. Then, a sputtering target is manufactured by processing the ingot. This sputtering target appeared microscopically uniform.
[0170]
In the case of the fourth sputtering target, an ingot made of the above-described silver alloy is manufactured by a casting method. Then, a sputtering target is manufactured by processing the ingot. This sputtering target appeared microscopically uniform.
[0171]
In the case of the fifth sputtering target, an ingot made of the above-described silver alloy is manufactured by a casting method. Then, a sputtering target is manufactured by processing the ingot. This sputtering target appeared microscopically uniform.
[0172]
In the case of the sixth sputtering target, an ingot made of the above-described silver alloy is manufactured by a casting method. Then, a sputtering target is manufactured by processing the ingot. This sputtering target appeared microscopically uniform.
[0173]
In the case of the seventh sputtering target, an ingot made of the above-described silver alloy is manufactured by a casting method. Then, a sputtering target is manufactured by processing the ingot. This sputtering target appeared microscopically uniform.
[0174]
Another method for manufacturing a sputtering target will be described.
Examples of the method for producing the sputtering target material include a melting method in an air atmosphere and a melting method in a vacuum.
When the above-mentioned silver alloy is produced by the melting method, first, a base mother alloy is prepared, and Ag is additionally added thereto, and the metal contained in the alloy is adjusted so that Ag becomes a specified amount. The content shall be adjusted.
[0175]
The case of performing in the atmosphere will be described.
First, a master alloy is produced by melting and mixing the above-described silver alloy by arc melting in an argon (hereinafter, Ar) atmosphere (400 to 600 Torr).
[0176]
Next, Ag is melted in a high-frequency melting furnace. The amount of Ag at this time is defined as the amount obtained by subtracting the amount of Ag in the master alloy from the total dissolved amount. The melting temperature at this time is, for example, 1000 to 1500 ° C., and for example, a 0.1 to 0.2 liter parallel graphite crucible is used.
[0177]
After complete melting, an antioxidant is introduced to suppress and prevent solid solution with oxygen during melting. As the antioxidant, borax, sodium borate, lithium borate, carbon and the like can be used.
[0178]
In a state of being completely melted, it is left for about 1 hour, and the above-mentioned mother alloy is added and further melted for 0.5 to 1 hour. The melting temperature at this time is, for example, 1050 to 2000 ° C.
[0179]
Next, the molten material is poured into a Fe mold in which, for example, alumina or talc is applied to the inner surface. The Fe mold is previously heated to about 300 to 500 ° C. in an electric furnace or the like in order to prevent shrinkage cavities.
[0180]
The melt in the mold is cooled and solidified, the ingot is removed from the mold and cooled to room temperature. Next, the uppermost feeder portion of the ingot is cut and removed, and the ingot is rolled by a rolling mill to produce a 90 mm × 90 mm × 8.1 mm plate-shaped alloy.
[0181]
Thereafter, heat treatment is performed for about 1 to 1.5 hours in a state where Ar gas is sealed in the electric furnace at a temperature of, for example, 400 to 500 ° C., and thereafter, warpage is corrected by a press machine.
[0182]
Thereafter, the product is wire-cut into a product shape, and the entire surface of the product is polished using a water-resistant abrasive paper to adjust the surface roughness. Finally, an Ag alloy sputtering target material can be produced.
[0183]
The dissolving method in the air has been described above, but other dissolving methods can also be used. Hereinafter, the case of dissolving in an Ar atmosphere will be described.
First, in an Ar atmosphere (400 to 600 Torr), the above-described silver alloy is melted and mixed by arc melting to prepare a master alloy.
[0184]
Next, the above-mentioned mother alloy and Ag are melted in a high-frequency melting furnace. The amount of Ag at this time is defined as the amount obtained by subtracting the amount of Ag in the master alloy from the total dissolved amount.
The crucible containing the mother alloy and Ag is placed in a high-frequency melting furnace and evacuated. After evacuating to a degree that does not involve oxygen, the melting furnace is set to an Ar atmosphere (100 to 600 Torr) and then melting is started.
The melting temperature at this time is, for example, 1050 to 1400 ° C., and the crucible is, for example, a 0.1 to 0.2 liter normal graphite crucible.
[0185]
Next, the molten material is poured into a Fe mold in which, for example, alumina or talc is applied to the inner surface.
The Fe mold is previously heated to about 300 to 500 ° C. in an electric furnace or the like in order to prevent shrinkage cavities.
[0186]
The melt in the mold is cooled and solidified, the ingot is removed from the mold and cooled to room temperature.
Next, the uppermost feeder portion of the ingot is cut and removed, and the ingot is rolled by a rolling mill to produce a 90 mm × 90 mm × 8.1 mm plate-shaped alloy.
[0187]
Then, for example, heat treatment is performed for about 1 to 1.5 hours in a state where Ar gas is sealed at 400 to 500 ° C. in an electric furnace, and then warpage is corrected by a press machine.
[0188]
Thereafter, the product is wire-cut into a product shape, and the entire surface of the product is polished with a water-resistant abrasive paper to adjust the surface roughness. Finally, the silver alloy sputtering target material of the present invention can be produced.
[0189]
As described above, when producing the sputtering target material of the silver alloy of the present invention, even when adding Zn and other elements X to Ag and melting it, the conventional easy method is applied. It has great advantages in terms of price and recipe.
[0190]
Next, a reflector for a reflective LCD according to a third embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described.
[0191]
The reflection type LCD reflection plate is made of any one of the first to seventh thin films. The first thin film has Ag as a main component, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, At least one element selected from the group consisting of Zn, Al, Ga, In, Si, Ge, and Sn by 0.1 at% or more and 8.0 at% or less (preferably 0.3 at% or more and 6.0 at% or less; More preferably, it is composed of a silver alloy containing 0.5 at% or more and 5.0 at% or less. For example, when at least one element selected from the group is two kinds of Zn and Ni, Zn is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less (preferably 0.3 at% or more and 6.0 at% or less). Or less, more preferably 0.5 at% or more and 5.0 at% or less, and Ni is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less (preferably 0.3 at% or more and 6.0 at% or less, more preferably 0.1 at% or less. 5 at% or more and 5.0 at% or less).
[0192]
The second thin film contains Ag as a main component and contains one element selected from the group consisting of Zn, Ni, Sn, and In in a range of 0.1 at% to 8.0 at% (preferably, 0.3 at% to 6 at%). 0.0 at% or less, more preferably 0.5 at% or more and 5.0 at% or less), and Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, At least one element selected from the group consisting of Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge is contained in a range of 0.1 at% to 8.0 at% (preferably 0.3 at% to 6.0 at%). (Hereinafter, more preferably, 0.5 at% or more and 5.0 at% or less). For example, when one element selected from the group is Zn and at least one element selected from the group is Cu and Au, Zn is 0.1 at% or more and 8.0 at%. % (Preferably 0.3 at% or more and 6.0 at% or less, more preferably 0.5 at% or more and 5.0 at% or less), and Cu is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less (preferably 0.1 at% or less). 3 at% or more and 6.0 at% or less, more preferably 0.5 at% or more and 5.0 at% or less, and Au is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less (preferably 0.3 at% or more and 6.0 at% or less). Or less, more preferably 0.5 at% or more and 5.0 at% or less).
[0193]
The third thin film contains Ag as a main component, contains Zn at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.1 at% or more at 8.0 at% or less, and further contains Pd at 0.1 at% or more and 8 at% or less. It is composed of an alloy containing 0.0 at% or less. More preferably, the content of Zn is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, the content of Cu is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of Pd is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less. 0 at% or less.
[0194]
The fourth thin film contains Ag as a main component, contains Zn at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.1 at% or more at 8.0 at% or less, and further contains Pd at 0.1 at% or more and 8 at% or less. It is composed of an alloy containing 0.0 at% or less. More preferably, the content of Zn is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, the content of Cu is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of Pd is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less. 0 at% or less.
[0195]
The fifth thin film contains Ag as a main component, contains Zn at 3.0 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.3 at% or more at 1.7 at% or less, and further contains Pd at 0.2 at% or more. It is composed of an alloy containing 3.0 at% or less. The content of Cu in the silver alloy having particularly preferable heat resistance is 0.3 at% or more and 0.5 at% or less.
[0196]
The sixth thin film is composed of an alloy containing Ag as a main component, containing Zn at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, containing Cu at 0.1 at% or more, and further containing Pd at 0.2 at% or more. Have been.
[0197]
The seventh thin film contains Ag as a main component, contains Zn at 3.0 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.3 at% or more at 1.7 at% or less, and further contains Pd at 0.2 at% or more. It is composed of the contained alloy. The content of Cu in the silver alloy having particularly preferable heat resistance is 0.3 at% or more and 0.5 at% or less.
[0198]
The first to seventh thin films are formed by, for example, an RF (AC) magnetron sputtering method in a sputtering apparatus using the sputtering target. Therefore, the reflective LCD reflector made of one of the first to seventh thin films can stably provide uniform characteristics even when viewed microscopically.
[0199]
According to the third embodiment, the reflection plate for the reflection type LCD is formed by the first to seventh thin films made of the silver alloy described above. For this reason, it is possible to suppress the reaction with sulfur, oxygen, moisture, and the like in the air at the time of manufacturing or using the reflection plate for the reflection type LCD. Therefore, it is possible to suppress yellowing in which the chromaticity of the reflected light changes and the color changes to yellow. Further, the reflectance of the reflected light can be increased (that is, the reflectance of the reflected light can be improved), and a high reflectance can be stably secured.
[0200]
Next, a reflective wiring electrode and a method of manufacturing the same according to a fourth embodiment of the present invention will be described.
The reflective wiring electrode is made of any one of the first to seventh thin films.
[0201]
The first to seventh thin films are formed by an RF (alternating current) magnetron sputtering method in a sputtering apparatus using the sputtering target, and then processed into a predetermined shape by etching. The reflective wiring electrode made of this thin film can stably provide uniform characteristics even when viewed microscopically. Further, the first to seventh thin films can be etched by, for example, an etching solution containing phosphoric acid. Examples of the phosphoric acid-based etchant include H ₃ PO ₄ + HNO ₃ + CH ₃ COOH can be used.
[0202]
According to the fourth embodiment, the reflective wiring electrodes are formed by the first to seventh thin films made of the silver alloy described above. For this reason, at the time of manufacturing or using this reflective wiring electrode, it is possible to suppress the reaction with sulfur, oxygen, moisture and the like in the atmosphere. Therefore, it is possible to suppress yellowing in which the chromaticity of the reflected light changes and the color changes to yellow. Further, the reflectance of the reflected light can be increased (that is, the reflectance of the reflected light can be improved), and a high reflectance can be stably secured.
[0203]
Further, each of the reflection plate for the reflection type LCD according to the third embodiment and the reflection wiring electrode according to the fourth embodiment has sufficient adhesion to a base such as a quartz glass substrate.
[0204]
In the above embodiment, the thin film is formed by the sputtering method, but the thin film can be formed by another film forming method such as an evaporation method, a CVD method, and a plating method.
[0205]
Next, a fifth embodiment according to the present invention will be described.
In the example shown below, a thin film formed by using the above-described sputtering target and an optical recording medium having the thin film are applied to a disk-shaped optical disk having a structure having two information recording layers, that is, a disk-shaped optical disk. Will be described. However, the present invention is not limited to such an optical disk and its shape, but may be a magneto-optical disk, a phase-change disk, or any other optical recording having a metal thin film on an information layer such as a card-like or sheet-like. Applicable to media.
[0206]
As shown in FIG. 1, an optical recording medium manufactured in the following example has a two-layer structure in which a first substrate 1 and a second substrate 2 are laminated via, for example, a light-transmitting photocurable resin 20. An optical recording medium having a structure.
[0207]
The first substrate 1 has first fine irregularities 21 such as data recording pits or pregrooves on one main surface by injection molding of a light-transmitting resin such as polycarbonate, and a semi-transparent film is formed thereon. 15 in which the first information recording layer 11 is formed.
[0208]
Similarly to the first substrate 1, the second substrate 2 laminated with the above-described first substrate 1 has data recording pits on one main surface by injection molding of a light-transmitting resin such as polycarbonate. Alternatively, the second information recording layer 12 has a second fine unevenness 22 such as a pre-groove or the like, a reflective film 16 formed thereon using the silver alloy according to the present invention, and a second information recording layer 12 formed thereon. Things.
The reflection film 16 made of the silver alloy can be formed by, for example, an RF (AC) magnetron sputtering method, and has a thickness of, for example, about 50 nm to 150 nm.
[0209]
Further, a protective film 30 made of, for example, an acrylic ultraviolet curable resin is formed on the second information recording layer 12.
[0210]
When reproducing information recorded in the second information recording layer 12 in the optical recording medium having the two-layer structure shown in FIG. 1, a light beam having a wavelength of 800 nm is irradiated to focus on the second information recording layer 12. So that they can be tied together and play back information.
On the other hand, when reproducing the information recorded on the first information recording layer 11, a light beam having a wavelength of 650 nm is irradiated so that the first information recording layer 11 is focused, and the information is reproduced. To
[0211]
Hereinafter, the silver alloy according to the present embodiment and a thin film manufactured using the silver alloy, that is, the reflective film 16 illustrated in FIG. 1 will be described.
[0212]
This embodiment is intended to solve various problems of maintenance of high reflectance, improvement of weather resistance, ease of production in producing an alloy, stability in a sputtering process when used as a sputtering target, and simplicity. An object of the present invention is to obtain a sputtering target material made of the above-described silver alloy, a thin film formed using the sputtering target material, and an optical recording medium having the thin film.
[0213]
Ag is easily bonded to sulfur, and when left in the air for a long time, the interface in contact with the air reacts with the sulfur to form silver sulfide (hereinafter, Ag). ₂ S), resulting in blackening and deterioration of the reflection characteristics. Further, it reacts violently with chlorine to form AgCl, which becomes cloudy and deteriorates reflection characteristics. In addition, the reaction part with chlorine grows and expands, the clouded part expands, the reflection characteristics are further deteriorated, and the physical characteristics of Ag are impaired.
[0214]
However, on the other hand, Ag is a relatively stable substance with respect to oxygen and hydrogen, particularly very stable with respect to hydrogen, and has a state of bonding with oxygen after being left for a long time in an oxygen atmosphere. Even if the state of bonding with hydrogen is confirmed after being immersed in water and allowed to stand, the reactivity with hydrogen is found to be stable. For this reason, it is applied to an additive material for a photosensitive material for the purpose of barrier properties against oxygen and hydrogen, a high melting point brazing material, and the like.
[0215]
The reason why Zn or the like was selected as the sputtering target material for the silver alloy according to the present embodiment is that Ag absorbs considerable oxygen at high temperatures (100 ° C. or higher) and forms an alloy with oxygen. For this reason, when used in a high temperature region, an element for suppressing it is indispensable. Therefore, Zn, Sn, In, Ni, and the like have a strong tendency to oxidize, so that they combine with oxygen in the alloy to form an oxide, which has an effect of preventing oxidation of the alloy itself and an effect of preventing chloride and sulfuration, and thus has weather resistance. Useful for sex.
[0216]
According to the sputtering target material, due to the hydrogen resistance and oxygen resistance of Ag, the deoxidizing effect of Zn, In, Sn and Ni, and the interaction of sulfurization and prevention of chloride, chlorine, hydrogen, oxygen and sulfur in the atmosphere or special atmosphere. This makes it possible to realize a higher improvement in weather resistance as compared with Ag in an environment or atmosphere required for use in an optical recording medium due to contamination by a nonmetal element studied in the environment.
[0219]
Further, when a thin film of an optical recording medium is formed using the sputtering target material, it is confirmed that a practically desirable high reflectance is obtained, that is, the optical recording medium has excellent characteristics as a reflective film. I have.
[0218]
Further, when the sputtering target material is used as a material for forming the reflection film of the optical recording medium, the weather resistance which is important as the reflection film of the optical recording medium is compared with the case where Ag is used alone. Has been confirmed to be further improved.
[0219]
Next, a thin film for an optical recording medium, that is, a reflective film is formed using an Ag-Zn alloy in which a predetermined amount of Zn is added to Ag, and the reflectance with respect to a laser beam having a wavelength of 400 nm when an optical recording medium is manufactured. It was measured.
In this case, a thin film of an optical recording medium, that is, a reflective film is formed using a sputtering target material of an Ag—Zn alloy in which Ag is contained in an amount of 1.7 at% to 8 at%, respectively. Were prepared, and the respective reflectances when the laser light having a wavelength of 400 nm was irradiated were measured. The measurement results are shown in Table 2. As a comparative example, a thin film of a pure Ag and a thin film of an Ag-0.91 at% Pd-1.69 at% Cu alloy (hereinafter, APC) containing Ag as a main component and containing 0.91 at% of Pd and 1.69 at% of Cu. Was measured for reflectance.
[0220]
[Table 2]

[0221]
From the measurement results shown in Table 2, when a thin film of an optical recording medium is formed using a sputtering target material of an Ag-Zn alloy containing Zn in Ag, a practically desirable high reflectance is obtained. You can see that.
That is, as shown in Table 2, when a thin film of an optical recording medium is formed using a sputtering target material of an Ag—Zn alloy in which Ag contains 1.7 to 8 at% of Zn, particularly Zn is used. In the case where the content is 1.7 at% and 5 at%, respectively, a high reflectance of 89.91% (400 nm) or more can be obtained, and the film has excellent characteristics as a reflective film of an optical recording medium. Understand.
[0222]
That is, when a sputtering target material of an Ag-Zn alloy containing 1.7 at% and 5 at% of Zn in Ag is used as a material for forming a reflective film of an optical recording medium, the reflectance is the same. The measurement in the wavelength region is better than the case where APC is used. Furthermore, about the weather resistance which is important as a reflection film of an optical recording medium, the same degree as APC can be expected.
[0223]
FIG. 3 is a graph showing the wavelength of light applied to a thin film made of an Ag—Zn alloy and the reflectance of the light. According to this graph, when the Zn content is 1.7 at% and 5 at%, it is better than APC.
[0224]
Next, a 400 nm wavelength laser beam when a thin film for an optical recording medium, that is, a reflective film is formed with an Ag-Zn-Cu alloy in which predetermined amounts of Zn and Cu are added to Ag to produce an optical recording medium. Was measured.
In this case, a thin film of an optical recording medium, that is, a reflection film is formed using an Ag alloy sputtering target material in which Ag contains Zn, In, Sn, and Ni in amounts of 0.5 at% to 5.0 at%, respectively. Then, an optical recording medium was prepared, and each reflectance when a laser beam having a wavelength of 400 nm was irradiated was measured. The measurement results are shown in Table 3. As comparative examples, the reflectivity of a thin film of pure Ag and a thin film of APC were measured.
[0225]
[Table 3]

[0226]
From the measurement results shown in Table 3, a sputtering target of an Ag-Zn-Cu alloy in which Ag contains 0.5 at% to 5.0 at% and Cu contains 0.5 at% to 5.0 at%, respectively. It can be seen that when a thin film of an optical recording medium is formed using a material, a practically desirable high reflectance is obtained.
That is, as shown in Table 3, a sputtering target of an Ag-Zn-Cu alloy in which Ag contains 0.5 at% to 5.0 at% and Cu contains 0.5 at% to 5.0 at%, respectively. In the case where a thin film of an optical recording medium is formed using a material, particularly when Zn is contained at 0.5 at% to 4.0 at% and Cu is contained at 0.5 at% to 1.7 at%, respectively, A high reflectivity of 89% (400 nm) or more is obtained, and it can be seen that the film has excellent characteristics as a reflective film of an optical recording medium.
[0227]
That is, Ag-Zn-Cu containing 0.5 at% to 4.0 at% of Zn and 0.5 at% to 1.7 at% of Cu as a material for forming a reflective film of an optical recording medium. When an alloy sputtering target material is used, the reflectance in the measurement in the same wavelength region is better than that in the case where APC is used. Furthermore, about the weather resistance which is important as a reflection film of an optical recording medium, the same degree as APC can be expected.
[0228]
In the above description, the Ag-Zn alloy and the Ag-Zn-Cu alloy have been described. However, the present invention is not limited to this example, and the above-mentioned sputtering target containing an element other than these elements in Ag is used. Also in this case, a high reflectance can be obtained, and excellent characteristics can be obtained as a reflection film of an optical recording medium.
In addition, 0.1 at% to 8.0 at% (preferably 0.3 at% to 6.0 at%) of Zn and 0.1 at% to 8.0 at% (preferably 0.3 at% to 6.0 at%) of Cu are contained in Ag. (0 at%) Even when a thin film of an optical recording medium is formed using a sputtering target material of an Ag-Zn-Cu alloy containing each amount, it has been confirmed that a practically desirable high reflectance can be obtained. I have.
[0229]
Next, an Ag-Pd-Cu-Zn alloy obtained by adding a predetermined amount of Pd, Cu, and Zn to Ag, or an Ag-Pd-Cu-In alloy obtained by adding a predetermined amount of Pd, Cu, and In to Ag, When a thin film for an optical recording medium, that is, a reflective film was formed to produce an optical recording medium, the reflectance for a laser beam having a wavelength of 400 nm and the reflectance for a laser beam having a wavelength of 550 nm were measured. Table 4 shows the measurement results in this case. As a comparative example, the reflectance of a thin film of an Ag-0.5 at% Pd-1.0 at% alloy containing Ag as a main component, 0.5 at% of Pd and 1.0 at% of Cu was measured.
[0230]
[Table 4]

[0231]
From the measurement results shown in Table 4, when a thin film of an optical recording medium is formed by using a sputtering target material of Ag alloy containing Pd, Cu, Zn or In in Ag, practically desirable high reflection is obtained. It can be seen that the rate is obtained.
[0232]
Next, after the thin film shown in Table 4 was subjected to a heat treatment at a temperature of 250 ° C. for 1 hour, the reflectance for a laser beam having a wavelength of 400 nm and the reflectance for a laser beam having a wavelength of 550 nm were measured. Table 5 shows the measurement results in this case.
[0233]
[Table 5]

[0234]
The measurement results shown in Table 5 show that a practically desirable high reflectance is obtained.
[0235]
Next, a sixth embodiment according to the present invention will be described.
First, the configuration of the optical recording medium according to the sixth embodiment will be described.
FIG. 2 is a side view showing an example of the optical recording medium according to the sixth embodiment. The optical recording medium 6 according to this example is a high-density optical recording medium called a DVD.
[0236]
The optical recording medium 6 has a transparent substrate 14 in the upper part of the drawing and a transparent or opaque substrate 13 in the lower part. These substrates 14 and 13 are made of a plastomer material such as polycarbonate.
[0237]
The first information layer 9 is provided on one side of the substrate 14. The first information layer 9 includes information pits and the translucent reflection film 3. In the information pits, for example, an uneven pattern is formed according to the information. The translucent reflective film 3 is made of the above-described silver alloy thin film.
[0238]
On one side of the substrate 13, similarly to the substrate 14, a second information layer 17 is provided. This second information layer 17 is composed of information pits and the reflection film 4.
[0239]
The surface of the substrate 14 on which the first information layer 9 is formed and the surface of the substrate 13 on which the second information layer 17 is formed are bonded with a transparent adhesive 5 having a predetermined thickness. Thus, an integrated optical recording medium having two information layers 9 and 17 is formed. As a result, the first information layer 9 is arranged on the side on which the reproduction light 8 is incident, and the second information layer 17 is arranged on the side opposite to the side on which the reproduction light 8 is incident. Will be.
[0240]
Next, a method of reproducing a signal from the optical recording medium 6 shown in FIG. 2 will be described.
In the optical recording medium 6 of FIG. 2, the reproduction of the signal of the first information layer 9 is performed by condensing the reproduction light 8 incident from the substrate 14 side on the first information layer 9. On the other hand, the reproduction of the signal of the second information layer 17 is performed by moving the focal position of the objective lens 7 to the second information layer 17 and condensing the reproduction light 8 on the second information layer 17.
[0241]
Here, when reproducing the signal of the second information layer 17, the reproduction light 8 needs to pass through the first information layer 9. Therefore, a so-called translucent reflective film is used for the first information layer 9. This translucent reflective film has a property of reflecting some light of incident light and transmitting other light.
[0242]
The translucent reflective film 3 of the first information layer 9 is formed by a sputtering method, generally a magnetron sputtering method, for ease of manufacture and the like. The reflection film 4 of the second information layer 17 is formed of Al, Au, Ag, or an alloy thereof having high reflectivity similarly to the conventional reflection film by the above-described sputtering method.
[0243]
Next, the translucent reflective film 3 of the first information layer 9 will be described in detail.
When the translucent reflective film 3 is formed, the reflectance R1 (%) generally increases as the film thickness increases, while the transmittance T1 (%) decreases. In addition to reflected light and transmitted light, there is light absorbed by the film. The ratio of the absorbed light is referred to as an absorption rate A1. Here, assuming that the amount of light incident on the translucent reflective film 3 is 100 (%), the following equation is established.
R1 + T1 + A1 = 100 (%) (1)
[0244]
In the optical recording medium having the two information layers 9 and 17 as described above, the conditions for good reproduction include a return light amount S1 (%) from the first information layer 9 and a second information layer. It is necessary that the return light amount S2 (%) from the pixel 17 is sufficiently large. These values S1 and S2 are proportional to the reflectivities R1 and R2 at the information layers 9 and 17, respectively.
[0245]
In the case of a so-called read-only memory (ROM) recording medium for reproduction only, reproduction is possible if the reflectance is about 10% or more. This is because, if the reflectance is about 10% or less, it becomes difficult to distinguish the reflected light generated at the interface between the disk surface and the air from the reflected light from the information layer, and focus control cannot be performed.
[0246]
Since the translucent reflective film 3 is arranged on the incident side of the reproduction light 8, the return light amount S1 becomes a signal of an amount proportional to the reflectance R1 of the translucent reflective film 3 as it is. Here, since the light absorption by the substrate 14 is extremely small, the return light amount S1 may be set to the reflectance R1.
[0247]
On the other hand, the return light amount S2 is somewhat complicated due to the influence of the translucent reflection film 3 in the middle of the optical path. Therefore, the effect of the translucent reflective film 3 on the return light amount S2 will be obtained by calculation.
[0248]
First, of the amount of light incident on the translucent reflective film 3, the ratio of the amount of light that passes through the translucent reflective film 3 and reaches the second information layer 17 is determined by the transmittance T1 of the translucent reflective film 3 (= 100− R1-A1). Next, of the amount of light reaching the second information layer 17, the ratio of the amount of light reflected by the reflection film 4 of the second information layer 17 is represented by the reflectance R2 of the reflection film 4. The ratio of the amount of light transmitted through the translucent reflective film 3 to the amount of light reflected by the reflective film 4 of the second information layer 17 is represented by the transmittance T1 of the translucent reflective film 3. The light transmitted through the translucent reflective film 3 of the first information layer 9 is the return light amount.
[0249]
Therefore, the return light amount is (T1 × R2 × T1) / 10000 or (100−R1−A1). ² × R2 / 10000. Therefore, the return light amount S2 from the second information layer 17 can be expressed by the following equation.
S2 = (100-R1-A1) ² × R2 / 10000 (2)
[0250]
Here, the above equation will be examined using the translucent reflective film 3 made of Ag as an example. Assuming that the measurement wavelength is 650 nm and the thickness of the translucent reflective film 3 is 10 nm, the reflectance R1 = 26% and the absorption A1 = 13%. If the reflectance R2 of the reflection film 4 of the second information layer 10 is 80%, the return light amount S2 is 30%. From these, the return light amount S1 = 26% and the return light amount S2 = 30%. As a result, the return light amounts S1 and S2 are both 10% or more, so that a sufficient signal can be obtained.
[0251]
Next, the results of a study on the weather resistance performed on the translucent reflective film 3 of the optical recording medium will be described.
The thickness of the translucent reflective film 3 is in an extremely thin region as compared with the thickness of the conventional reflective film. Therefore, the translucent reflective film 3 needs to have sufficient weather resistance.
[0252]
In the present embodiment, first, a sputtering target of an Ag alloy to which Zn or the like is added was manufactured by the above-described method.
Next, using this sputtering target, a translucent reflective film composed of a silver alloy thin film was formed by a sputtering method to obtain an optical recording medium.
[0253]
Here, the reason why Zn or the like is particularly selected as the sputtering target material made of a silver alloy is the same as that described above.
[0254]
Further, Ag is easily bonded to sulfur, so if left in the air for a long time, Ag ₂ It becomes S and turns black. As a result, the optical characteristics of the Ag thin film deteriorate. Ag also reacts violently with chlorine to become AgCl and becomes cloudy. As a result, the optical characteristics of the Ag thin film deteriorate. However, Ag is a substance that is relatively stable to oxygen, hydrogen, or water. On the other hand, Zn, In, Sn, and Ni have a deoxidizing effect (antioxidation), an effect of preventing sulfuration, chloride, and the like, and are chemically stable substances against sulfur and chlorine.
[0255]
According to the Ag alloy sputtering target, chlorine, hydrogen, oxygen, sulfur, the atmosphere required in the air or a non-metallic element studied in a special environment or the environment required when employed in an optical recording medium, It is possible to realize high weather resistance under an atmosphere.
[0256]
According to the sixth embodiment, by using a thin film made of the above-described silver alloy based on Ag as the translucent reflective film 3, the weather resistance can be improved, and the bondability with the substrate can be enhanced. , Higher reliability can be obtained.
[0257]
Next, a test method for weather resistance will be described. Here, a chlorine test was performed.
As a sample of the chlorine test, a sample obtained by forming an Ag alloy described later on a polycarbonate substrate was used.
In the chlorine test, this sample was immersed in a 5% -concentration saline solution for a certain period of time at room temperature, and then visually confirmed.
[0258]
Tables 6 to 17 show the results of a chloride test performed on thin films of the Ag-Zn-X alloy, the Ag-In-X alloy, the Ag-Sn-X alloy, and the Ag-Ni-X alloy. Here, X is Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and At least one element selected from the group consisting of Ge is shown. As comparative examples, pure Ag and APC were also performed.
[0259]
[Table 6]

[0260]
[Table 7]

[0261]
[Table 8]

[0262]
[Table 9]

[0263]
[Table 10]

[0264]
[Table 11]

[0265]
[Table 12]

[0266]
[Table 13]

[0267]
[Table 14]

[0268]
[Table 15]

[0269]
[Table 16]

[0270]
[Table 17]

[0271]
Next, the knowledge obtained from the salification test will be described.
In the case of the thin film of pure Ag, cloudiness of the film which was considered to be due to salinization was observed.
[0272]
On the other hand, in the Ag-Zn-X alloy, the Ag-In-X alloy, the Ag-Sn-X alloy, and the Ag-Ni-X alloy thin film, no change was observed in the 5% NaCl aqueous solution like APC. .
As described above, by adding Zn, Sn, In, Ni, and the like as the second element, the weather resistance was improved, and higher reliability was obtained.
[0273]
Next, the corrosion resistance test (5% NaCl immersion test) and the results of the fourth to seventh thin films described above will be described.
As a sample of the 5% NaCl immersion test, a sample in which an Ag alloy having a composition (at% indicated) shown in the table was formed on a polycarbonate substrate was used.
In the 5% NaCl immersion test, the sample was immersed in a 5% -concentration saline at room temperature, and then visually confirmed after 3 minutes, 3 hours, and 24 hours.
[0274]
Tables 18 to 21 show the results of a 5% NaCl immersion test performed on Ag alloy thin films having the compositions (at% indicated) described in the tables.
[0275]
[Table 18]

[0276]
[Table 19]

[0277]
[Table 20]

[0278]
[Table 21]

[0279]
As shown in Table 18, only the alloy containing 3.6 at% of Zn and 0.5 at% of Cu had no surface change in the Ag-Zn-Cu alloy. From this, it was confirmed that the range of the composition having good corrosion resistance was very narrow in the Ag-Zn-Cu alloy. On the other hand, as shown in Table 19, it was confirmed that in the Ag-Zn-Cu-Pd alloy, since Pd was added, the composition range of Zn and Cu having good corrosion resistance could be widened. Therefore, when the composition of the Ag alloy varies due to process conditions such as sputtering conditions, the corrosion resistance of the Ag-Zn-Cu alloy is expected to deteriorate, but the addition of Pd causes the composition of the Ag alloy to vary. Even if it does, deterioration of corrosion resistance can be prevented. Therefore, reliability can be improved.
[0280]
As shown in Table 20, when the content of Pd in the Ag-Zn-Cu-Pd alloy was 0.1 at%, a slight white color was observed after 24 hours, but the content of Pd was 0.2 at%. %, There was no change even after 24 hours. Therefore, it was confirmed that the content of Pd should be 0.2 at% or more in order to obtain corrosion resistance.
[0281]
As shown in Table 21, when the corrosion resistance test was performed on the samples in which the content of Cu in the Ag-Zn-Cu-Pd alloy was changed from 0 at% to 5.0 at%, all the samples after 24 hours passed. No change was observed. Therefore, in this alloy, it was confirmed that the composition of Cu did not affect the corrosion resistance.
[0282]
In the sixth embodiment, an Ag alloy material having excellent corrosion resistance and weather resistance has been described, and a disk-shaped optical disk having a structure having two information layers, that is, a disk-shaped optical disk has been described. The present invention is not limited to such optical discs and shapes, and can be applied to various products. For example, an optical disc having a single layer or three or more information layers, a magneto-optical disc, a phase change type The present invention can be applied to various optical recording media having a metal thin film in an information layer, such as an optical disc, other card-shaped or sheet-shaped recording media, and various other products requiring corrosion resistance and weather resistance.
[0283]
Further, for example, two or more information layers are formed on two transparent substrates, respectively, and these transparent substrates are formed by joining and bonding the surfaces having the information layers, and light is irradiated from both transparent substrates. It is possible to adopt various structures such as a configuration having the above configuration.
[0284]
Next, an electromagnetic wave shield according to a seventh embodiment of the present invention will be described.
In the present embodiment, it is important to reduce the self-diffusion energy for the heat possessed by Ag, and to suppress the phenomenon of clouding due to surface diffusion that is likely to occur when heated to at least about 100 ° C. is there.
[0285]
That is, Ag is known to be the material having the best electromagnetic wave shielding ability. However, for example, a problem that self-diffusion energy to heat is active tends to occur. Therefore, when heat of about 100 ° C. is applied even temporarily, a diffusion phenomenon occurs on the surface, and the Ag itself loses its luster and becomes cloudy. In other words, the electromagnetic wave shielding ability This is because the characteristics of Ag itself, which is excellent in the above, are easily reduced.
Ag has a very good thermal conductivity and has a characteristic that it easily absorbs and saturates heat in atomic units.
[0286]
FIG. 4 is a sectional view showing an electromagnetic wave shield according to a seventh embodiment of the present invention.
This electromagnetic wave shield includes a substrate 19 made of at least a conductive elastomer material or plastomer material. On this substrate 19, a base film 23 for promoting adhesion is arranged. The electromagnetic wave shielding film 18 is formed on the adhesion promoting base film 23.
[0287]
The electromagnetic wave shielding film 18 is formed of the above-described silver alloy, and is preferably formed by a sputtering method. The electromagnetic wave shielding film 18 may be composed of a plurality of films.
[0288]
When the substrate 19 is an elastomer material, examples of the material include silicone rubber, natural rubber, chloroprene rubber, and EPDM (rubber-like terpolymer of ethylene, propylene and diene).
[0289]
When the substrate 19 is a plastomer material, examples of the material include a plastic film and an engineering plastic, and the main types include polyamide, polycarbonate, polyacetal, or polybutylene terephthalate, and modified polyphenylene ether. .
[0290]
The material of the adhesion promoting base film 23 is materially stable with respect to the substrate 19 made of oxygen or various materials, and considering the adhesion between the substrate and at least the electromagnetic wave shielding film 18 made of the silver alloy, Si, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, ITO, IrO ₂ , ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ It is preferably formed using one or more materials selected from the group consisting of the above, or a material containing at least the one or more materials as a main component.
[0291]
It has also been confirmed that the silver alloy described above has high chemical stability with respect to various elastomer materials such as silicone rubber, natural rubber, chloroprene rubber, and EPDM, and is not limited to the substrate material made of the elastomer material. I have.
[0292]
In addition, the silver alloy described above has high chemical stability against various plastomer materials such as polyamide, polycarbonate, polyacetal, or polybutylene terephthalate, and modified polyphenylene ether, and is not limited to a substrate material made of a plastomer material. Has also been confirmed.
[0293]
Further, as the adhesion promoting base film 23 of the substrate 19 made of various elastomer materials, Si, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, ITO, ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ Is desirable.
The reason is that the substrate 19 made of silicone rubber, natural rubber, chloroprene rubber or EPDM generates a large amount of gas in the case of a specific purity or material, the metal reacts strongly with the generated gas, the silver alloy This is because it is difficult to say that it is appropriate because it has a high possibility of causing a bonding to be brought into close contact with the thin film of the above and a reaction passivation film (for example, an oxide film) at the interface.
[0294]
Further, as the adhesion-promoting base film 23 of the substrate 19 made of various plastomer materials, Si, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, ITO, ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ Is desirable.
The reason for this is that the plastomer material substrate 19 made of polyamide, polycarbonate, polyacetal, or polybutylene terephthalate, modified polyphenylene ether, or the like has a specific purity or material, and the surface of the substrate is flat. When a thin film is adhered, adhesion may be deteriorated in some situations.
[0295]
According to the seventh embodiment, the thin film made of the silver alloy described above is used as the electromagnetic wave shielding film 18. Thereby, the heat resistance can be greatly improved, and the high shielding ability of the Ag itself against the electromagnetic wave shielding effect can be maintained without lowering.
[0296]
In other words, the electromagnetic wave shielding film 18 can obtain a high shielding ability with respect to an electromagnetic wave shielding effect that cannot be obtained by an electromagnetic wave shielding film made of a material such as Au, Al, Cu, and pure Ag which has been widely used in the related art. That has been confirmed. Also, the electromagnetic wave shield provided with the adhesion promoting base film 23 shown in FIG. 4 has a high electromagnetic wave shielding effect similarly to the case where the adhesion promotion base film 23 is not formed between the substrate 19 and the electromagnetic wave shielding film 18. Has been confirmed. In this case, it is preferable to use a conductive oxide such as ITO and ZnO as the adhesion-promoting base film 23, ₂ It has also been confirmed that the electromagnetic wave shielding effect is higher than when using as the under film 23.
[0297]
Here, the thickness of the electromagnetic wave shielding film 18 is not particularly limited, but is preferably, for example, about 5 to 5000 nm in consideration of the electromagnetic wave shielding ability and the like. Then, when transparency (transparency or transparency) is taken into consideration in addition to the electromagnetic wave shielding ability as in a display portion of a mobile phone or a liquid crystal display, the thickness is preferably about 5 to 30 nm. Further, when transparency is not taken into consideration, such as in a printed circuit board or a device installed inside a computer, it is preferably about 30 to 5000 nm.
[0298]
Further, in the seventh embodiment, a specific adhesion promoting base film 23 for promoting adhesion between the substrate 1 and the electromagnetic wave shielding film 18 is formed as an intermediate base. For this reason, the bondability between the electromagnetic wave shielding film 18 and the substrate made of various materials with respect to the substrate 19 can be further effectively enhanced.
[0299]
Further, it is desirable that the material of the adhesion promoting base film 23 has a lower resistance. It is desirable that the material has low resistance and is a nonmagnetic conductive film. Specifically, it has been confirmed that ITO has a higher electromagnetic wave shielding effect than ZnO. The reason for this is that when a specific intermediate base film is provided between the silver alloy film and the substrate for the purpose of shielding electromagnetic waves and an electric field is applied to the multilayer film itself, the internal This is because a conductive current flows through the device, and this electric energy is converted into heat energy, and further, a heat generation mechanism that converts the heat energy into heat energy is mainly responsible for absorbing electromagnetic waves and causing conductive loss. In addition, since the conduction loss has a high effect depending on the amount of the conduction current flowing with a small resistance, the lower the resistance of the electromagnetic wave shielding film, the more significant the difference becomes.
[0300]
However, for Ag, Al, and Cu, the movement of atoms of the material itself, that is, a heat generation mechanism that is a conversion from electric energy to heat energy due to the electromigration phenomenon is attenuated with time, so that at least a specific Although the damping effect has been reduced by providing a film thickness, it has been confirmed that in the silver alloy described above, the film itself does not actively move between metal atoms, so that the damping effect is significantly reduced.
[0301]
Further, it is not a conductive oxide typified by ITO or ZnO, but is, for example, an insulating material characterized by SiO 2 ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ When a dielectric such as is interposed between the silver alloy material and the substrate as an adhesion-promoting underlayer, in addition to the effect of the high conduction loss possessed by the silver alloy material, the effect of absorbing electromagnetic wave energy at high frequencies called dielectric loss Is performed, and a high shielding effect of electromagnetic waves is obtained by a synergistic effect of the two. Therefore, it is not necessary to limit at least the metal oxide interposed as the adhesion promoting base film to a conductive material.
[0302]
That is, in the electromagnetic wave shielding film 18 formed of the above-described silver alloy material, a metal film of Si, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, or the like, or ITO, ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ It has been confirmed that a high electromagnetic wave shielding effect can be obtained even when the adhesion promoting base film 23 using a metal oxide and a metal composite oxide such as those described above is interposed.
[0303]
When a metal film such as Si, Ta, Ti, Mo, Cr, or Al is used as the adhesion-promoting base film 23, the film can be formed by any of an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, and an ion plating method. is there. Therefore, it can be said that general utility is high.
[0304]
In addition, ITO, ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ And the like, a film can be easily formed by any of the vapor deposition method, the sputtering method, the CVD method, and the ion plating method. For example, for an AR (anti-reflection) coat formed on the surface side of a cathode ray tube monitor, a liquid crystal display element, or the like, a highly transparent adhesion promoting base film 23 is formed on a substrate 19 made of various elastomer materials, and the adhesion promoting base film 23 is formed. By forming an electromagnetic wave shielding film having a thickness of 5 to 30 nm on the ground film and forming an AR coat thereon, a remarkable shielding effect against electromagnetic waves from the display device itself is exhibited.
[0305]
Further, in the seventh embodiment, the material stability of Ag itself can be remarkably improved, and when used as a laminated structure, it can be laminated irrespective of the material of the substrate. (Adhesion) can be more effectively strengthened, and higher reliability can be obtained.
[0306]
Further, it has been confirmed that both the case of the single electromagnetic wave shielding film 18 and the case of the electromagnetic wave shielding body shown in FIG. 4 have excellent heat resistance and weather resistance. In addition, it has been confirmed that, for example, it is highly useful as an electromagnetic wave shielding body for recent EMC countermeasure materials, such as a wide range of applications.
[0307]
In addition, the electromagnetic wave shielding body in which the electromagnetic wave shielding film 18 made of the silver alloy material described above is formed on the surface of the substrate 19 made of various elastomer materials, compared with a conventional elastomer material in which metal powder or carbon black is blended, It has been confirmed that the electric field intensity attenuation rate (dB) and the radio wave absorption capacity (dB) in the low frequency range from 100 MHz to 1 GHz range are excellent, and the flexibility (cm) is also excellent.
[0308]
In addition, the electromagnetic wave shielding body in which the electromagnetic wave shielding film 18 made of the silver alloy material described above is formed on the surface of the substrate 19 made of various plastomer materials has a lower frequency of 100 MHz as compared with a conventional plastomer material in which a metal film is laminated. It has been confirmed that the electric field intensity attenuation rate (dB) and the radio wave absorption capacity (dB) in the frequency range from the frequency range to the 1 GHz range are excellent.
[0309]
An electromagnetic wave shielding body in which an electromagnetic wave shielding film 18 made of the above-mentioned silver alloy material is formed on a surface of a substrate 19 made of the above-mentioned various elastomer materials on a portable information terminal device or the like represented by a notebook personal computer or a mobile phone. Is applied, it is necessary that the electromagnetic wave shield can be bent and provided along the outer shape, for example. Regarding this, it has been confirmed that the electromagnetic wave shield is excellent in bending followability (shape flexibility) to a complicated shape because no crack or the like is generated on the surface even when the electromagnetic wave shield is bent at 90 °. ing.
[0310]
An electromagnetic wave shield formed by forming an electromagnetic wave shielding film 18 made of the above-described silver alloy material on a surface of a substrate 19 made of the above various plastomer materials, for a portable information terminal device represented by a notebook personal computer or a mobile phone. When applied, forms an electromagnetic wave shield with electromagnetic wave shielding, infrared shielding, transparency, invisibility, corrosion resistance, weather resistance, wear resistance, etc., and no cracks etc. occur on its surface Therefore, it has been confirmed that high electromagnetic wave shielding ability can be continuously maintained even in a high-temperature and high-humidity environment, and that there is material stability of weather resistance.
[0311]
In the case where the electromagnetic wave shielding film 18 made of a silver alloy material is formed on the surface of the substrate 19 made of an elastomer material or a plastomer material, for example, a sputtering rate, which is a rate reference for forming a film, is higher in the sputtering method than in the conventional method. Further, the silver alloy material has a melting point of about 960 ° C., but does not belong to a high class among metal elements, so that the versatility of deposition temperature conditions and the like are not inferior to those of the conventional one. Therefore, since the film formation method can be arbitrarily selected depending on the material of the substrate, it has been found that there is a remarkable superiority in the production by the film formation method as compared with the related art. Note that as a film formation method, a sputtering method using an RF or DC power supply and a vacuum evaporation method are preferable.
[0312]
In addition, since the vapor deposition method is inferior to the sputtering method in film density, it is generally said that when a thin film is formed by a vapor deposition method, a thicker film is required as compared with the case where a thin film is formed by a sputtering method. You. However, in the electromagnetic wave shielding film 18 made of the silver alloy material described above, the electromagnetic wave shielding effect does not decrease, so that the same electromagnetic wave shielding effect can be obtained with the same film thickness by the vapor deposition method or the sputtering method.
[0313]
FIG. 5 is a sectional view showing an electromagnetic wave shield according to an eighth embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
[0314]
When an electromagnetic wave shield is applied to a portable information terminal device or the like, it is conceivable that a part of a human body or some object directly contacts the portable information terminal device. In this case, when the silver alloy material film forming the electromagnetic wave shield is exposed, at least the surface portion is shaved by contact with a human body or an object, or the conductive loss effect is reduced by leaving a scar, It is conceivable that the shielding ability for a specific electromagnetic wave shielding effect may be reduced. For this reason, a protective film 24 having excellent corrosion resistance and weather resistance and excellent wear resistance is formed on the electromagnetic wave shielding film 18 for the purpose of suppressing generation of abrasion and damage to the surface portion due to surface contact. Thereby, a contact flaw caused by any contact with the exposed electromagnetic wave shielding film 18 can be prevented.
[0315]
In addition, even when the protective film 24 is formed, the lowering of the electromagnetic wave shielding ability is suppressed, and the adhesion promoting base film 23 is formed between the substrate 19 and the electromagnetic wave shielding film 18, and the protective film 24 is formed thereon. It has been confirmed that the electromagnetic wave shielding body does not decrease its electromagnetic wave shielding ability.
[0316]
The same effects as in the seventh embodiment can be obtained in the eighth embodiment.
[0317]
Ag has a very good thermal conductivity and has a characteristic that it is easy to absorb and saturate heat in atomic units. Therefore, in order to slow down the thermal conductivity and suppress active movement between atoms, Ag An experiment was conducted in which a certain amount of dissolved Zn was arbitrarily shaken and added in a composition range of 1.7 at% to 8 at%.
[0318]
First, a sputtering target of Ag and Zn is attached to a sputtering apparatus, and the discharge amount of Ag and Zn is controlled with a specific RF power, and Ar gas is arbitrarily set between 0.1 and 3.0 Pa. And two materials are sputtered simultaneously. That is, silver alloy material films were formed by varying the amounts of several kinds of Zn added by the simultaneous sputtering method.
[0319]
At this time, the test sample was a quartz substrate, the substrate temperature during the sputtering process was room temperature (about 25 ° C.), only Ar gas was used as the sputtering gas, and the ultimate vacuum was 5 × 10 5 ^-4 The film was formed to a thickness of 20 nm in a Pa vacuum atmosphere.
[0320]
A silver alloy material thin film having Ag formed as a main component and containing Zn in several kinds of material compositions was placed in an oven in the air for about 1 hour, and the resistance value was measured. At this time, a resistance heating method was adopted as a heating method of the oven, and the heating temperature was set to 250 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. The resistance value was measured at room temperature by a four-probe method. Table 22 shows the test results.
[0321]
[Table 22]

[0322]
Regarding the resistance, the one with a Zn content of 1.7 at% before annealing is about the same as the APC. However, the resistance tends to increase after annealing. It seems that the recrystallization temperature has shifted to the higher temperature side.
[0323]
Further, a silver alloy material thin film containing Ag formed as a main component and containing Zn and Cu in several kinds of material compositions was placed in an oven in the air for about 1 hour, and the reflectance was measured. Table 23 shows the test results.
At this time, a resistance heating method was adopted as a heating method of the oven, and the heating temperature was set to 250 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. In addition, the reflectance was visually measured with respect to the sample having no white turbidity (the sample whose gloss was maintained). Table 23 shows the test results.
[0324]
[Table 23]

[0325]
Regarding the reflectance, it was confirmed that the addition of Cu reduced the reflectance after annealing. However, there is variation.
[0326]
Next, a silver alloy thin film containing Pd, Cu, and Zn on Ag was formed to a thickness of 20 nm on a quartz substrate by sputtering, and the resistance was measured at room temperature by a four-probe method. Next, the thin film was placed in an oven in the air and left for about 1 hour, and the resistance was measured at room temperature by a four probe method. At this time, a resistance heating method was adopted as a heating method of the oven, and the heating temperature was set to 250 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. Table 24 shows the test results.
[0327]
[Table 24]

[0328]
As described above, according to the seventh and eighth embodiments, the following operation and effect can be obtained.
The electromagnetic wave shielding body in which the electromagnetic wave shielding film is formed on the substrate using the silver alloy material according to the above-described embodiment has the same flexibility and shape flexibility as an elastomer material containing conventional metal powder or carbon black ( (E.g., bending followability to a complicated shape), and can maintain an extremely stable electromagnetic wave shielding effect as compared with the elastomer material. Therefore, it is possible to obtain a high-quality electromagnetic wave shield that avoids deterioration of the electromagnetic wave shielding ability due to conductive loss useful for maintaining the electromagnetic wave shielding effect for a long time.
[0329]
In addition, the electromagnetic wave shielding body in which the electromagnetic wave shielding film is formed on the substrate using the silver alloy material according to the above-described embodiment has an electromagnetic wave shielding property and an infrared shielding property as compared with a case where a metal film is laminated on a conventional plastomer material. In addition to having the properties, transparency, invisibility, corrosion resistance, weather resistance, abrasion resistance, etc., it can maintain a very stable electromagnetic wave shielding effect as compared with the plastomer material. Therefore, it is possible to obtain a high-quality electromagnetic wave shield that avoids deterioration of the electromagnetic wave shielding ability due to conductive loss useful for maintaining the electromagnetic wave shielding effect for a long time.
[0330]
In the case where an electromagnetic wave shielding film is formed on a substrate using the silver alloy material according to the above-described embodiment, the sputtering method, the vapor deposition method, and the CVD method are more stable than conventional methods. The improved productivity and electromagnetic wave shielding effect can be maintained for a long time.
[0331]
When an electromagnetic wave shielding body is manufactured using the electromagnetic wave shielding film made of the silver alloy material according to the above-described embodiment, the electromagnetic wave shielding effect is improved by disposing the adhesion promoting base film between the substrate and the electromagnetic wave shielding film. While holding, the adhesion of the electromagnetic wave shielding film to the substrate can be improved, and the coupling between them can be strengthened.
[0332]
Further, in the electromagnetic wave shielding body according to the above-described embodiment, by forming a protective film made of a material having excellent corrosion resistance and weather resistance and a material having excellent wear resistance on the surface of the electromagnetic wave shielding film, a human body or an object can be contacted. It is possible to suppress a reduction in the conductive loss effect due to the shaving of the surface portion or the remaining of a killing mark, and a decrease in the shielding ability against a specific electromagnetic wave shielding effect caused by the shaving or the killing mark of the surface portion.
[0333]
Therefore, according to the embodiment, by forming the electromagnetic wave shielding film made of the silver alloy material on the surface of the substrate made of the elastomer material, it is possible to provide a shielding body having excellent flexibility. This electromagnetic wave shielding body has flexibility and shape flexibility (bending followability to a complicated shape), can maintain a high shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect possessed by Ag itself, and has a high temperature. High electromagnetic wave shielding ability can be continuously maintained even in a high humidity environment, and the material stability of weather resistance can be remarkably improved. In addition, the adhesion to the elastomer material substrate can be more effectively enhanced by interposing the adhesion-promoting base film, whereby the adhesion to the substrate can be more effectively improved, and higher reliability can be obtained. Application development can be widely expected as a material.
[0334]
Further, according to the embodiment, the electromagnetic wave shielding film made of the silver alloy material is formed on the surface of the substrate made of the plastomer material, thereby maintaining a high shielding ability against the electromagnetic wave shielding effect of Ag itself. In addition, high electromagnetic wave shielding ability can be continuously maintained even in a high temperature and high humidity environment, and the material stability of weather resistance can be remarkably improved. In addition, in the bonding property with the plastomer material substrate, the bonding property (adhesion) with the substrate can be further effectively enhanced by interposing the adhesion promoting base film, and higher reliability can be obtained. Application development can be widely expected as a material.
[0335]
Next, a ninth embodiment according to the present invention will be described.
In this embodiment, the above-described silver alloy is applied to a metal material of various electronic components. Here, various electronic components include a transmission type liquid crystal display panel, a reflection type liquid crystal display panel, an organic EL (Electro Luminescence) panel, a plasma display, a display device such as an electronic optical component using a micromirror, various semiconductor devices, a printed wiring board. , Chip capacitors, relays, etc., and these alloys are applied to the wiring materials, electrode materials, high-reflection film materials, contact materials, etc. of these wiring patterns, and also to the sputtering target materials used to create these wirings, etc. Is done.
[0336]
As described above, Zn is added to Ag to uniformly replace Zn, Sn, In, and Ni in the Ag crystal, or even in other states, to uniformly fuse to improve the weather resistance of the entire Ag. can do. Further selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge. If one or more elements are added, the resistivity can be reduced electrically or the increase in resistivity can be suppressed.
[0337]
In a silver alloy having improved weather resistance in this way, the characteristics of pure Ag having the highest conductivity, thermal conductivity, and high reflectivity among the metal elements are maintained, thereby improving the weather resistance. It is possible to obtain a metal material having excellent heat resistance, high electrical conductivity, high thermal conductivity, and high reflectivity.
[0338]
In particular, when applied to a wiring material, a value of 3.5 μΩcm or less can be ensured by selecting an element to be added within the above range. In addition, it is considered that the wiring material can be used practically if the resistivity is equal to or less than the AlSi alloy generally used conventionally. According to the experimental result, the resistivity is 1.6 μΩcm or more. If necessary, a resistivity of 3.5 μΩcm or less, which is the resistivity of the AlSi alloy, can be secured.
[0339]
In addition, such silver alloys are all formed of alloy materials mixed by a melting method. Therefore, even when viewed microscopically, uniform characteristics can be stably provided. In addition, these alloys maintain the extensibility of Ag, and the deterioration of the film due to the stress is small. Is reduced. Therefore, compared to the conventional materials of Al, Mo, Cr, Ti, Ta, and Cu, the workability is excellent, the stability is high at high temperature, and the reliability can be improved.
[0340]
As a method of processing Ag, a method using a chlorine-based composite gas is known in dry etching, and a method using a nitric acid-based etchant is known in wet etching. The Ag alloy according to this embodiment can also be etched by these methods, and various processing methods accumulated with the conventional Ag alloy can be applied.
[0341]
The gas containing chlorine is, for example, Cl. ₂ , CCl ₄ , BCl ₃ , SiCl ₄ The Ag alloy film according to this embodiment can be processed by RIE, plasma etching, or the like in these atmospheres. By the way, when such a dry etching process using an etching gas containing chlorine is applied to a wiring pattern made of Ag, chlorine in the gas reacts with Ag due to the progress of etching to generate AgCl on the boundary surface of the wiring pattern. Although the conductivity and heat conductivity are impaired by AgCl, it was confirmed that no such reaction occurred in the silver alloy film according to this embodiment.
[0342]
Thus, in the process of producing an electronic component using this kind of metal material, a suitable patterning technique can be obtained by etching in a chlorine-based gas atmosphere.
[0343]
Further, in such a ternary alloy, dry etching in a gas atmosphere containing fluorine and containing no chlorine is difficult, and there is an advantage that the ternary alloy is not damaged by these gases. For example, CF ₄ , C ₃ F ₈ , C ₄ F ₈ , SF ₆ RIE, plasma etching and the like in a gas atmosphere such as Si, polycrystalline Si, amorphous Si, SiO ₂ , Si ₃ N ₄ , Mo, W, Ta, Ti, Pt, and other materials can be etched.
[0344]
Thus, by performing the treatment in a gas atmosphere containing fluorine and containing no chlorine, it is possible to selectively etch and treat a portion other than such a ternary alloy, which is also applicable to this kind of metal material. Thus, a suitable patterning technique can be obtained.
[0345]
On the other hand, at present, in wet etching in a liquid crystal display manufacturing facility, pure Al or the like is etched with an etching solution containing phosphoric acid. Examples of such a phosphoric acid-based etchant include H ₃ PO ₄ + HNO ₃ + CH ₃ In the case of COOH and conventional alloys composed of pure Ag and two or three elements containing Ag as a main component, it was difficult to perform etching with such an etchant.
[0346]
However, it has been found that the above silver alloy can be etched using such a phosphoric acid-based complex. Thereby, the etching can be performed by effectively using the conventional etching equipment using Al. Incidentally, similarly to the conventional case, it is also possible to control the etching rate by adding water, cell nitrate, silver nitrate or the like in addition to phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.
[0347]
Note that, in a post-process such as cleaning after etching, the same process as pure Al or Al alloy can be used, and the possibility of polluting the environment can be reduced as compared with the case where an Al-based etching process is performed. .
[0348]
These also make it possible to obtain a metal material having excellent workability as compared with conventional materials such as Al, Mo, Cr, Ti, Ta and Cu.
[0349]
Further, with this silver alloy, a film can be easily and reliably formed by a conventional film forming process such as a sputtering method, an evaporation method, a CVD method, and a plating method. In this sputtering, the silver alloy can be sputtered at a rate about three times as high as that of an Al-based material, and is characterized in that a thin film formation rate by a sputtering method is high. As a result, the film formation time can be reduced, and the time required for production can be reduced accordingly. Ag, which is the main material, is a noble metal and is easier to collect and recycle than other metals.
[0350]
Note that when a film is formed by a sputtering method, an evaporation method, or the like, it is necessary to form an alloy by heating. A metal film having a stable resistivity and excellent workability can be formed.
[0351]
Further, regarding the adhesion to the underlying material which is important as a processing process, the underlying material is made of W, Ta, Mo, InO. ₂ , SnO ₂ , TiN, SiO ₂ , Si ₃ N ₄ , TiO ₂ , Nb ₂ O ₅ By applying any one of these materials or any of a plurality of materials formed by mixing a plurality of such materials, good adhesion is ensured, and thus, in various semiconductor devices and the like, a conventional Al-based wiring pattern can be easily formed. It can be replaced and good characteristics can be secured.
[0352]
In the case of an Al-based material, for example, when a film is formed directly on a plastomer material or glass with a thin film, the resistance value becomes considerably large because Al reacts with oxygen and the like. It becomes. On the other hand, in the case of this silver alloy, the influence of oxygen is small, and the increase in electrical resistivity due to the formation of a thin film directly on the plastomer material or glass is reduced. As a result, a wiring pattern or the like can be formed by forming a film directly on a plastomer material or glass, and a wiring pattern or the like having good characteristics can be formed. Etc. can be created.
[0353]
As a result, the transmission type liquid crystal display panel can be easily and reliably driven by applying it to the wiring pattern, increasing the wiring length by increasing the screen size and increasing the definition, and even when the wiring becomes finer. And reliability can be improved, and power consumption can be reduced.
[0354]
In addition, in the case of a reflective liquid crystal display panel, the same effect as in the case of a transmissive liquid crystal display panel can be obtained by applying the present invention to a wiring pattern. As a result, a bright display screen can be formed.
[0355]
Similarly, it is applied to a reflection film, an electrode or a wiring pattern of a light modulation device such as an electronic optical component by a micromirror, and has a high reflection efficiency and an electrically low resistance, so that a high luminance and a high speed operation can be achieved. Possible devices can be formed.
[0356]
Further, in these liquid crystal display panels and various semiconductor devices, a sufficiently small resistance value can be obtained by applying the anodic oxidation method using Ta, for example, as a two-layer structure of this silver alloy and Ta.
[0357]
Further, also in various semiconductor devices, when applied to a wiring pattern, it is possible to prevent an increase in wiring length and an increase in electrical resistance due to miniaturization of wiring, thereby reducing power consumption. Further, a voltage drop due to wiring can be prevented, and furthermore, a signal delay can be prevented, whereby various characteristics can be improved and reliability can be improved.
[0358]
In addition, the present invention can be applied to a wiring pattern of a printed wiring board, an electrode of a chip component, a contact point of a relay, and the like, so that suitable characteristics can be secured and high reliability can be secured.
[0359]
Further, as described above, the resistance value of the thin film made of the silver alloy is low. In order to examine the electrical resistivity when a film was formed by a film forming method other than the sputtering method, a silver alloy thin film was formed by a vapor deposition method, a plating method, and a CVD method, respectively, and the electric resistance was measured by the measurement method described above. The specific resistivity was measured. According to the measurement results, it was found that substantially the same film could be formed by any of the vapor deposition method, the plating method, and the CVD method regardless of the film forming method.
[0360]
In addition, the electrical resistivity immediately after the film formation without annealing is also low as described above.
[0361]
Further, as described above, the silver alloy of the present invention obtained better results with respect to NaCl resistance than the conventional material.
Further, as described above, the silver alloy of the present invention has been confirmed to be more stable to heat treatment and longer-term reliability than conventional materials.
[0362]
Further, it was confirmed that this material was stable even under high temperature and high humidity, and thus it was found that sufficient reliability could be ensured when applied to wiring materials and the like.
[0363]
Next, a tenth embodiment according to the present invention will be described.
The building material glass according to the tenth embodiment is an example using a heat-resistant Ag alloy material.
[0364]
In the tenth embodiment, the self-diffusion energy with respect to the heat possessed by Ag is first relaxed, and the phenomenon of clouding due to surface diffusion, which is likely to occur when heated to at least 100 ° C. or more, is suppressed. Things.
[0365]
The laminate according to the tenth embodiment has a substrate on which a high heat-resistant reflective film is formed by a sputtering method. This highly heat-resistant reflective film contains Ag as a main component, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, It is made of an Ag alloy material containing at least one element selected from the group consisting of Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge and Sn.
[0366]
Preferably, the content of the at least one type of each element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less. More preferably, the content of the at least one kind of each element is 0.3 at% or more and 6.0 at% or less, and still more preferably, the content of the at least one kind of each element is 0.5 at% or more. 0 at% or less.
[0367]
Further, the high heat-resistant reflective film contains Ag as a main component, and contains one kind of element selected from the group consisting of Zn, Ni, Sn and In, and includes Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, From an Ag alloy material containing at least one element selected from the group consisting of Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and Ge It may be.
[0368]
In addition, it is preferable that the content of the one kind of element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and the content of the at least one kind of each element is 0.1 at% or more and 8.0 at% or less. . More preferably, the content of the one kind of element is 0.3 at% or more and 6.0 at% or less, and the content of the at least one kind of each element is 0.3 at% or more and 6.0 at% or less. More preferably, the content of the one element is 0.5 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of the at least one element is 0.5 at% or more and 5.0 at% or less.
[0369]
Further, the high heat-resistant reflection film contains Ag as a main component, contains Zn at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.1 at% or more and 8.0 at% or less, and further contains Pd at 0.1 at% or less. A film made of a silver alloy containing 1 at% or more and 8.0 at% or less may be used. More preferably, the content of Zn is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, the content of Cu is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of Pd is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less. 0 at% or less.
[0370]
Further, the high heat-resistant reflective film contains Ag as a main component, contains 0.1 at% or more and 8.0 at% or less of In, contains 0.1 at% or more and 8.0 at% or less of Cu, and further contains 0.1 at% or less of Pd. A film made of a silver alloy containing 1 at% or more and 8.0 at% or less may be used. More preferably, the content of In is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, the content of Cu is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less, and the content of Pd is 0.1 at% or more and 5.0 at% or less. 0 at% or less.
[0371]
Further, the high heat-resistant reflection film contains Ag as a main component, contains Zn at 3.0 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.3 at% or more and 1.7 at% or less, and further contains Pd at 0 at%. It may be a film made of an alloy containing at least 2 at% and at most 3.0 at%. The content of Cu in the silver alloy having particularly preferable heat resistance is 0.3 at% or more and 0.5 at% or less.
[0372]
Further, the high heat-resistant reflection film contains Ag as a main component, contains Zn at 3.0 at% or more and 8.0 at% or less, contains Cu at 0.3 at% or more and 1.7 at% or less, and further contains Pd at 0 at%. A film made of an alloy containing at least 2 at% may be used. The content of Cu in the silver alloy having particularly preferable heat resistance is 0.3 at% or more and 0.5 at% or less.
[0373]
Ag and a sputtering target of each of the at least one element are mounted on a sputtering apparatus used for forming the high heat-resistant reflective film, and a discharge amount (power amount) of Ag or the like is controlled with a specific high-frequency power. Then, after arbitrarily setting the Ar gas within a range of 0.1 to 3.0 Pa, two or more materials are simultaneously sputtered. At this time, for example, a quartz substrate is used as the substrate. The substrate temperature during the sputtering process is room temperature (about 25 ° C.), only Ar gas is used as a sputtering gas, and a sufficient evacuation is performed before the film formation chamber is brought into an Ar atmosphere. 10 ^-6 A high vacuum of about Pa is used. The reason why the evacuation is performed to a high vacuum is to suppress the impurity gas and the like from depending on the grain boundaries of the alloy film and form a dense film.
[0374]
According to the tenth embodiment, it is possible to maintain a high ability with respect to the high optical reflectance possessed by Ag itself, to further improve the material stability of Ag, and to further improve the material stability of Ag. When used, the bondability with the underlayer, the glass substrate, or the resin substrate can be more effectively enhanced, and higher reliability can be obtained.
[0375]
In addition, it has been confirmed that in the high heat-resistant reflective film made of the Ag alloy material described above, improvement in heat resistance, opacity phenomenon and high decrease in reflectance do not occur.
[0376]
In the case of window glass and other building material glass, visible light, infrared light, and ultraviolet light emitted from sunlight transmit visible light, which is directly related to light, and generate indoor heat in the summer. A film is formed by sputtering from Ag or Al, or an Ag alloy or Al alloy containing any of them as a main component, for the purpose of reflecting infrared light that enters from the outside to achieve an infrared reflection effect I've been. However, when exposed directly to the atmosphere, it is considered difficult to leave them directly in the atmosphere because of a large change with time with respect to heat. In general, ZnO or ZnO-Al ₂ O ₃ The material stability of the reflective film has been ensured by forming a heat-resistant protective layer such as a composite oxide.
[0377]
Conventionally, a solar-shielding heat ray shielding glass used in a warm region has a film configuration in which a transparent substrate / dielectric / Ag / dielectric is laminated in this order, and is always excellent in corrosion resistance and heat resistance. Not really.
[0378]
Therefore, an experiment was performed to compare the building material glass according to the present embodiment with the conventional one, and the experiment and the experimental result will be described.
[0379]
First, samples (1) to (4) having the following film configurations were prepared.
Sample (1) was made of TiO ₂ / Ag / Ti / TiO ₂ In this order.
Sample (2) was made of TiO ₂ /Ag-3.7at%Zn-0.5at%Cu/Ti/TiO ₂ In this order.
Sample (3) has a film configuration laminated in the order of Ti / ZnO / Ag / ZnO.
Sample (4) has a film configuration in which Ti / ZnO / Ag-3.7 at% Zn-0.5 at% Cu / ZnO are stacked in this order.
[0380]
Thereafter, the samples (1) to (4) were subjected to a high-temperature and high-humidity test and a 250 ° C. annealing test.
The high-temperature and high-humidity test is a test in which samples (1) to (4) are preserved for 5 hours in an environment with a humidity of 80% and a temperature of 70 ° C. or higher.
The 250 ° C. annealing test is a test in which air annealing is performed at a temperature of 250 ° C. for 5 hours.
[0381]
[Table 25]

[0382]
Table 25 and FIGS. 6 to 9 show the test results.
FIG. 6A is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing the high-temperature and high-humidity test on the sample (1), and FIG. 6B is the result of performing the high-temperature and high-humidity test on the sample (2). 4 is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after the test.
FIG. 7 (a) is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing the high-temperature and high-humidity test on the sample (3), and FIG. 7 (b) is the result of performing the high-temperature and high-humidity test on the sample (4). 4 is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after the test.
According to FIGS. 6 and 7, the results that the samples (2) and (4) using the Ag—Zn—Cu alloy are more excellent in the corrosion resistance than the samples (1) and (3) using Ag. Obtained.
[0383]
FIG. 8A is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing the 250 ° C. annealing test on the sample (1), and FIG. 8B is a photograph showing the 250 ° C. annealing test on the sample (2). 7 is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing.
FIG. 9 (a) is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing the 250 ° C. annealing test on the sample (3), and FIG. 9 (b) is a photograph showing the 250 ° C. annealing test on the sample (4). 7 is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing.
According to FIGS. 8 and 9, the samples (2) and (4) using the Ag—Zn—Cu alloy have better heat resistance than the samples (1) and (3) using Ag. The result was obtained.
[0384]
FIG. 10 is a microscopic observation of the sample surface after adding Zn to 1.8-7.3 at% to Ag-0.5 at% Pd-1.0 at% Cu and performing an annealing test at 250 ° C. for 1 hour. 4 is a photograph showing a result of the experiment.
FIG. 11 is a microscopic observation of the sample surface after adding In to 0.9 to 1.9 at% to Ag-0.5 at% Pd-1.0 at% Cu and performing an annealing test at 250 ° C. for 1 hour. 4 is a photograph showing a result of the experiment.
According to FIG. 10, it was confirmed that the heat resistance was improved by adding Zn to Ag-Pd-Cu. Further, those having improved heat resistance according to Tables 4 and 5 described above showed little decrease in reflectance. Also, from Table 24, it was confirmed that those having improved heat resistance had reduced resistance values.
[0385]
FIG. 12 shows that Zn or In was added to Ag-0.5 at% Pd-1.0 at% Cu to 0.9 to 7.3 at% and immersed in 5 weight percent (hereinafter, wt%) NaCl water. It is a photograph which shows the result of having observed the sample surface after a microscope.
According to FIG. 12, it was confirmed that the corrosion resistance was further improved by adding Zn or In to Ag-Pd-Cu.
[0386]
In the micrographs shown in FIGS. 6 to 11, generation of spots (hillocks) is a phenomenon that can occur due to thermal expansion or stress due to heating. It is considered that by reducing the number of vacancies at the grain boundaries of the silver alloy by adding Zn element, grain boundary diffusion can be suppressed, and thereby the occurrence of spots (hillocks) can be suppressed.
[0387]
Conventionally, as an Ag alloy which has been excellent in corrosion resistance and heat resistance, an Ag-Pd alloy obtained by adding 1 to 3 wt% of Pd to Ag or an Ag obtained by adding 1 to 10 wt% of Au to Ag is conventionally used. -Au alloys are known. However, black spots were observed in the alloy film using either the Ag-Pd alloy or the Ag-Au alloy when the weather resistance test was performed in a high-temperature, high-humidity (humid) environment.
[0388]
Observation of the black spots with an optical microscope confirmed that the black spots reached the solid solution limit of the H2 melting action of Pd, turned black and caused an excitation reaction to become protrusions. For this reason, it has been found that at least when used as a building material glass, stability is lacking with respect to long-term reliability in, for example, water droplets generated due to a temperature difference between indoor and outdoor areas in a rainy season or a winter season or in a high humidity area.
[0389]
It is well known that Ag and Au are completely stable solid alloys. However, since this Ag-Au alloy is not rich in chlorine and other halogen-based elemental properties, it is difficult to improve the weather resistance. It was found that air was mixed during the test, and that such black spots were obtained by atomic bonding with chlorine and iodine contained in the air.
[0390]
Further, it has been confirmed that a binary alloy of Ag-Au has a problem in stability against a high temperature of the outside air and a heat ray concentrated from sunlight because the binary alloy does not have high heat resistance.
[0391]
In view of this, in the present embodiment, the above-mentioned highly heat-resistant reflective film, which has been confirmed to have high heat resistance, has stability at least as high as that of an Ag-Au alloy in terms of weather resistance in a high-temperature, high-humidity (humid) environment. And experimented to see what results could be obtained.
[0392]
Then, even in the case of the reflection film single layer formed of the Ag alloy material described above, ITO, ZnO, SiO ₂ Was formed, it was confirmed that the weather resistance was higher than that of the Ag alloy single layer.
[0393]
As a result, even if an oxide is arbitrarily formed between the substrate and the high heat-resistant reflective film described above, the heat resistance is high and the reflectivity and weather resistance are further improved without depending on the base even when an oxide is formed between the film and the substrate. It was confirmed that it could be retained. For example, it was confirmed that the infrared reflective film and the heat ray reflective film for window glass and other building glass materials are more useful than conventional Ag alloys.
[0394]
In contrast, conventional Al and Al alloys containing Al as a main component, and Ag and Ag-Pd alloy, which have been widely used as reflective films, are chemically unstable with respect to the resin substrate. Therefore, when left in a high-temperature and high-humidity environment on a resin substrate, a chemical reaction occurs at the bonding interface between the reflective film and the resin substrate.
[0395]
Therefore, in order to confirm the chemical stability of the Ag alloy material described above, a film having a thickness of 15 nm was formed on a substrate composed of a resin such as PMMA, PET, PC, or silicone by a ternary simultaneous sputtering method. Then, it was allowed to stand for 24 hours in a high-temperature and high-humidity environment, and its appearance and reflection characteristics were observed over time.
[0396]
The reflectance of films made of Ag alloy materials formed on various resin substrates was observed using a spectrophotometer. The reflectance in the optical wavelength region of 400 nm to 4 μm required for building material glass and the like was measured. Was not reduced.
As described above, it was found that the Ag alloy material obtained by the present invention has high chemical stability with respect to the resin and does not limit the material of the substrate as compared with the related art.
[0397]
Conventionally, in the infrared reflective film for building material glass and the heat ray reflective film, Ag or Al, furthermore, an Ag alloy material mainly composed of Ag or an Al alloy material mainly composed of Al uses the material. When forming a thin film, it has been confirmed that a problem such as peeling occurs immediately after forming the thin film or when the thin film is formed and left for a long period of time because the adhesion is very poor depending on the material of the substrate. .
Therefore, in order to improve the adhesion, various adhesion promoting films are interposed between the reflection film and the substrate, so that the problem of weak adhesion has conventionally been solved.
[0398]
Therefore, it was examined whether the same problem occurs with the Ag alloy material film of the present invention, after forming an Ag alloy reflective film on a substrate such as PMMA, affixing a JIS standard cellophane tape to the reflective film, and applying a specific tensile strength. By performing a tape test in which the cellophane tape was peeled off with a force and the presence or absence of peeling of the film was observed, the necessity of the adhesion promoting layer between the substrate and the Ag alloy reflective film was confirmed and checked.
[0399]
Then, although the degree of difference is found between the substrate of low alkali glass, non-alkali glass, and borosilicate glass and the above-described Ag alloy reflective film, the adhesion is not always good, and the substrate is partially or widely separated. The phenomenon was confirmed, and it was confirmed that the adhesion to the glass substrate was never good.
[0400]
Therefore, an intermediate layer (adhesion promoting base film) is disposed between the glass substrate and the above-described Ag alloy reflection film in order to promote adhesion to a glass substrate such as low alkali glass, non-alkali glass, and borosilicate glass. It is desirable to do. ITO, IrO can be used as a base layer for promoting adhesion of a glass substrate. ₂ , ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ , Si, Ta, Ti, Mo, Cr, Al, one or a plurality of materials selected from the group consisting of, or a material containing the one or a plurality of materials at least as a main component is preferable. In addition, as a base film for promoting adhesion to a resin substrate, ITO, ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ , Nb ₂ O ₅ A thin film formed using a material formed of one or more selected from silicon nitride, tantalum nitride, and titanium nitride or a combination of at least one or more thereof is desirable.
The reason is that, when the resin substrate is of a specific purity or material, a large amount of gas is generated, the metal easily reacts with the generated gas, and the metal substrate reacts with the bonding interface to be in close contact with the Ag alloy. This is because it is difficult to say that it is appropriate because a passivation film (for example, an oxide film or the like) is likely to be formed.
[0401]
Therefore, when an underlayer is formed on a resin substrate, chemical stability is particularly required, and at least a metal oxide is more likely to suppress a reduction reaction than a metal. Since the chemical or quality stability at the bonding interface with the Ag alloy of the present invention is high, using a resin substrate, the intermediate between the above-described Ag alloy film composed of three elements containing Ag as a main component and the substrate is used. When a base film is formed as a layer, ITO, ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ , Nb ₂ O ₅ It is appropriate to use a material formed by combining at least one kind selected from silicon nitride, tantalum nitride, and titanium nitride or at least one kind.
[0402]
In the case of a metal oxide to be considered as an intermediate layer, for example, in the case of improving the electrical characteristics of a reflective electrode layer or the like, ITO, ZrO ₂ It is desirable to form a conductive metal oxide or a composite oxide of about 1 to 100 nm.
The reason for the selection is that, as an effect other than the improvement of the adhesion, for example, when an intermediate layer having a high insulating property is interposed, the volume resistivity of the laminate of the Ag alloy of the present invention and the intermediate base layer itself is significantly improved This is because the properties of the Ag alloy are likely to be impaired by the intermediate layer.
[0403]
Further, when examining metal oxides as the intermediate underlayer, when examining suppression of deterioration of optical characteristics such as reflectance and refractive index, SiO 2 is used. ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ Etc. are considered to be desirable.
The reason for this is that SiO ₂ Has a very low absorption in the optical wavelength range of 400 to 4000 nm, so that a decrease in reflectance due to an increase in absorption can be suppressed. ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ , Nb ₂ O ₅ This is because it was confirmed that the variation in optical characteristics due to the dependence of the refractive index could be suppressed because the refractive index was high and the absorption was small.
[0404]
In the case where the adhesion promoting base film described above is formed on a resin substrate, when a sputtering apparatus is used, a gas is generated from the substrate when the resin substrate is put into a film formation chamber and then evacuated, Since the degree of vacuum does not increase and the interface between the resin substrate and the adhesion promoting layer is also likely to be unstable, at least when the Ag alloy of the present invention is formed on the resin substrate, it is necessary to form a film by vapor deposition. Deemed desirable.
[0405]
However, when an adhesion-promoting base film is formed on a glass substrate for building material glass, the size of the glass is large, and the denseness of the film to be formed and the in-plane distribution of the film thickness are very important. It has been found that it is preferable to form the film using a sputtering method in which a film can be formed in an Ar atmosphere after evacuation of the film chamber to a high vacuum.
[0406]
An important issue when studying an intermediate base film for the purpose of promoting adhesion is whether or not the film can be easily formed. For example, Si, Ta, Ti, Mo, Since a metal film such as Cr and Al can be manufactured by any of the vapor deposition method, the sputtering method, the CVD method, and the ion plating method, it can be interlocked with at least the method of manufacturing an Ag alloy. Therefore, general utility can be considered high.
[0407]
In addition, ITO, ZnO, SiO ₂ , TiO ₂ , Ta ₂ O ₅ , ZrO ₂ Oxide, etc., can be easily formed by a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method. For example, when forming an infrared reflective film that reflects infrared light on a window glass or the like, any method can be used. However, a reflection film having the same reflection characteristics could be formed.
[0408]
Next, a description will be given of a heat resistance test and results of the fifth to seventh thin films described above.
What formed the 5th-7th thin film by the sputtering method on a quartz substrate is used as a test sample piece. The substrate temperature during the sputtering process is room temperature (around 25 ° C.), only Ar gas is used as the sputtering gas, and the ultimate vacuum degree is 5 × 10 ^-4 The film was formed to a thickness of 20 nm in a Pa vacuum atmosphere.
[0409]
The reflectance to light having a wavelength of 550 nm was measured on a thin film of the test sample (as it was immediately after film formation). Next, the test sample was placed in an oven in the atmosphere for about 1 hour, and the reflectance to light having a wavelength of 550 nm was measured. At this time, a resistance heating method was adopted as a heating method of the oven, and the heating temperature was set to 250 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. Then, the rate of change in reflectance after heating for 1 hour with respect to the reflectance of the thin film immediately after film formation was calculated. Tables 26 and 27 show the test results.
[0410]
[Table 26]

[0411]
[Table 27]

[0412]
As shown in Table 26, the Ag—Zn—Cu—Pd alloy containing Zn at least 3.0 at% and less than 8.0 at% exhibited excellent heat resistance because there was almost no decrease in reflectance after heating for 1 hour. Was confirmed. Therefore, it can be said that the Zn content in the Ag-Zn-Cu-Pd alloy excellent in heat resistance is 3.0 at% or more and less than 8.0 at%.
[0413]
As shown in Table 27, it can be confirmed that the Ag-Zn-Cu-Pd alloy containing 0.3 at% or more of Cu has almost no decrease in reflectance after heating for 1 hour, and thus has excellent heat resistance. Was. Therefore, it can be said that the content of Cu in the Ag-Zn-Cu-Pd alloy excellent in heat resistance is 0.3 at% or more.
[0414]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be implemented with various modifications. For example, the present invention can be widely applied to not only a case where a thin film is formed by sputtering or the like but also a case where another thin film is formed and a case where a thick film is formed.
[0415]
(Example 1)
Next, an optical recording medium (reflection) according to Embodiment 1 of the present invention will be described.
When a thin film for an optical recording medium, that is, a reflective film was formed using an Ag-Zn alloy in which a predetermined amount of Zn was added to Ag to prepare an optical recording medium, the reflectance to a laser beam having a wavelength of 400 nm was measured.
[0416]
In this case, a thin film of an optical recording medium, that is, a reflective film is formed using a sputtering target material of an Ag—Zn alloy in which Ag is contained in an amount of 1.7 at% to 8 at%, respectively. Are prepared, and the respective reflectances when the laser light having a wavelength of 400 nm is irradiated are measured. The measurement results are shown in Table 2 described above. As comparative examples, the reflectivity of a thin film of pure Ag and a thin film of APC were measured.
[0417]
From the measurement results shown in Table 2 above, when a thin film of an optical recording medium is formed using a sputtering target material of an Ag-Zn alloy containing Zn in Ag, a high reflectivity which is practically desirable is obtained. It can be seen that it can be obtained.
That is, as shown in Table 2, when a thin film of an optical recording medium is formed using a sputtering target material of an Ag—Zn alloy in which Ag contains 1.7 to 8 at% of Zn, particularly Zn is used. In the case where the content is 1.7 at% and 5 at%, respectively, a high reflectance of 89.91% (400 nm) or more can be obtained, and the film has excellent characteristics as a reflective film of an optical recording medium. Understand.
[0418]
That is, when a sputtering target material of an Ag-Zn alloy containing 1.7 at% and 5 at% of Zn in Ag is used as a material for forming a reflective film of an optical recording medium, the reflectance is the same. The measurement in the wavelength region is better than the case where APC is used. Furthermore, about the weather resistance which is important as a reflection film of an optical recording medium, the same degree as APC can be expected.
[0419]
(Example 2)
Next, an optical recording medium (reflection) according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a graph showing the wavelength of light applied to a thin film made of an Ag—Zn alloy and the reflectance of the light as described above. According to this graph, when the Zn content is 1.7 at% and 5 at%, it is better than APC.
[0420]
(Example 3)
Next, an optical recording medium (reflection) according to Embodiment 3 of the present invention will be described.
Reflectivity for laser light of 400 nm wavelength when an optical recording medium is manufactured by forming a thin film for an optical recording medium, that is, a reflective film, using an Ag-Zn-Cu alloy in which predetermined amounts of Zn and Cu are added to Ag. Was measured.
[0421]
In this case, a thin film of an optical recording medium, that is, a reflection film is formed using an Ag alloy sputtering target material in which Ag contains Zn, In, Sn, and Ni in amounts of 0.5 at% to 5.0 at%, respectively. Then, an optical recording medium was prepared, and each reflectance when a laser beam having a wavelength of 400 nm was irradiated was measured. The measurement results are shown in Table 3 described above. As comparative examples, the reflectivity of a thin film of pure Ag and a thin film of APC were measured.
[0422]
From the measurement results shown in Table 3, a sputtering target of an Ag-Zn-Cu alloy in which Ag contains 0.5 at% to 5.0 at% and Cu contains 0.5 at% to 5.0 at%, respectively. It can be seen that when a thin film of an optical recording medium is formed using a material, a practically desirable high reflectance is obtained.
That is, as shown in Table 3, a sputtering target of an Ag-Zn-Cu alloy in which Ag contains 0.5 at% to 5.0 at% and Cu contains 0.5 at% to 5.0 at%, respectively. In the case where a thin film of an optical recording medium is formed using a material, particularly when Zn is contained at 0.5 at% to 4.0 at% and Cu is contained at 0.5 at% to 1.7 at%, respectively, A high reflectivity of 89% (400 nm) or more is obtained, and it can be seen that the film has excellent characteristics as a reflective film of an optical recording medium.
[0423]
That is, Ag-Zn-Cu containing 0.5 at% to 4.0 at% of Zn and 0.5 at% to 1.7 at% of Cu as a material for forming a reflective film of an optical recording medium. When an alloy sputtering target material is used, the reflectance in the measurement in the same wavelength region is better than that in the case where APC is used. Furthermore, about the weather resistance which is important as a reflection film of an optical recording medium, the same degree as APC can be expected.
[0424]
In the above description, the Ag-Zn alloy and the Ag-Zn-Cu alloy have been described. However, the present invention is not limited to this example, and the above-mentioned sputtering target containing an element other than these elements in Ag is used. Also in this case, a high reflectance can be obtained, and excellent characteristics can be obtained as a reflection film of an optical recording medium.
In addition, 0.1 at% to 8.0 at% (preferably 0.3 at% to 6.0 at%) of Zn and 0.1 at% to 8.0 at% (preferably 0.3 at% to 6.0 at%) of Cu are contained in Ag. (0 at%) Even when a thin film of an optical recording medium is formed using a sputtering target material of an Ag-Zn-Cu alloy containing each amount, it has been confirmed that a practically desirable high reflectance can be obtained. I have.
[0425]
(Example 4)
Next, an optical recording medium (semi-transparent reflection) according to Embodiment 4 of the present invention will be described.
The results of a study on the weather resistance performed on the translucent reflective film 3 of the optical recording medium will be described.
The thickness of the translucent reflective film 3 is in an extremely thin region as compared with the thickness of the conventional reflective film. Therefore, the translucent reflective film 3 needs to have sufficient weather resistance.
[0426]
In this example, first, a sputtering target of an Ag alloy to which Zn or the like was added was produced by the method described above.
Next, using this sputtering target, a translucent reflective film composed of a silver alloy thin film was formed by a sputtering method to obtain an optical recording medium.
[0427]
Here, the reason why Zn or the like is particularly selected as the sputtering target material made of a silver alloy is the same as that described above.
[0428]
Further, Ag is easily bonded to sulfur, so if left in the air for a long time, Ag ₂ It becomes S and turns black. As a result, the optical characteristics of the Ag thin film deteriorate. Ag also reacts violently with chlorine to become AgCl and becomes cloudy. As a result, the optical characteristics of the Ag thin film deteriorate. However, Ag is a substance that is relatively stable to oxygen, hydrogen, or water. On the other hand, Zn, In, Sn, and Ni have a deoxidizing effect (antioxidation), an effect of preventing sulfuration, chloride, and the like, and are chemically stable substances against sulfur and chlorine.
[0429]
According to the Ag alloy sputtering target, chlorine, hydrogen, oxygen, sulfur, the atmosphere required in the air or a non-metallic element studied in a special environment or the environment required when employed in an optical recording medium, It is possible to realize high weather resistance under an atmosphere.
[0430]
According to the fourth embodiment, by using the thin film made of the silver alloy based on Ag as described above for the translucent reflective film 3, the weather resistance can be improved, and the bonding property with the substrate can be enhanced. Reliability can be obtained.
[0431]
Next, a test method for weather resistance will be described. Here, a chlorine test was performed.
As a sample of the chlorine test, a sample obtained by forming an Ag alloy described later on a polycarbonate substrate was used.
In the chlorine test, this sample was immersed in a 5% -concentration saline solution for a certain period of time at room temperature, and then visually confirmed.
[0432]
As described above, Tables 6 to 17 show the results of the chloride test performed on Ag-Zn-X alloy, Ag-In-X alloy, Ag-Sn-X alloy, and Ag-Ni-X alloy thin films. It is. Here, X is Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, Al, Ga, Si and At least one element selected from the group consisting of Ge is shown. As comparative examples, pure Ag and APC were also performed.
[0433]
Next, the knowledge obtained from the salification test will be described.
In the case of the thin film of pure Ag, cloudiness of the film which was considered to be due to salinization was observed.
[0434]
On the other hand, in the Ag-Zn-X alloy, the Ag-In-X alloy, the Ag-Sn-X alloy, and the Ag-Ni-X alloy thin film, no change was observed in the 5% NaCl aqueous solution like APC. .
As described above, by adding Zn, Sn, In, Ni, and the like as the second element, the weather resistance was improved, and higher reliability was obtained.
[0435]
In the fourth embodiment, an Ag alloy material having excellent corrosion resistance and weather resistance was described, and a disk-shaped optical disk having a structure having two information layers, that is, a disk-shaped optical disk was described. The present invention is not limited to such optical discs and shapes, but can be applied to various products. For example, an optical disc having a single layer or three or more information layers, a magneto-optical disc, a phase change optical disc, and others The present invention can be applied to various optical recording media having a metal thin film in an information layer, such as a card-shaped or sheet-shaped recording medium, and various other products requiring corrosion resistance and weather resistance.
[0436]
Further, for example, two or more information layers are formed on two transparent substrates, respectively, and these transparent substrates are formed by joining and bonding the surfaces having the information layers, and light is irradiated from both transparent substrates. It is possible to adopt various structures such as a configuration having the above configuration.
[0437]
(Example 5)
Next, a silver alloy material (resistance) according to Embodiment 5 of the present invention will be described.
Ag has a very good thermal conductivity and has a characteristic that it is easy to absorb and saturate heat in atomic units. Therefore, in order to slow down the thermal conductivity and suppress active movement between atoms, Ag An experiment was conducted in which a certain amount of dissolved Zn was arbitrarily shaken and added in a composition range of 1.7 at% to 8 at%.
[0438]
First, a sputtering target of Ag and Zn is attached to a sputtering apparatus, and the discharge amount of Ag and Zn is controlled with a specific RF power, and Ar gas is arbitrarily set between 0.1 and 3.0 Pa. And two materials are sputtered simultaneously. That is, silver alloy material films were formed by varying the amounts of several kinds of Zn added by the simultaneous sputtering method.
[0439]
At this time, the test sample was a quartz substrate, the substrate temperature during the sputtering process was room temperature (about 25 ° C.), only Ar gas was used as the sputtering gas, and the ultimate vacuum was 5 × 10 5 ^-4 The film was formed to a thickness of 20 nm in a Pa vacuum atmosphere.
[0440]
A silver alloy material thin film having Ag formed as a main component and containing Zn in several kinds of material compositions was placed in an oven in the air for about 1 hour, and the resistance value was measured. At this time, a resistance heating method was adopted as a heating method of the oven, and the heating temperature was set to 250 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. The resistance value was measured at room temperature by a four-probe method. The test results are shown in Table 22 above.
[0441]
Regarding the resistance, the one with a Zn content of 1.7 at% before annealing is about the same as the APC. However, the resistance tends to increase after annealing.
[0442]
(Example 6)
Next, a silver alloy material (reflectance) according to Embodiment 6 of the present invention will be described.
A silver alloy thin film containing Ag formed as a main component and containing Zn and Cu in several kinds of material compositions was placed in an oven in the air for about 1 hour, and the reflectance was measured. The test results are shown in Table 23 above.
At this time, a resistance heating method was adopted as a heating method of the oven, and the heating temperature was set to 250 ° C. and the heating rate was set to 20 ° C./min. In addition, the reflectance was visually measured with respect to the sample having no white turbidity (the sample whose gloss was maintained). The test results are shown in Table 23 above.
[0443]
Regarding the electric resistance, the effect of lowering the reflectance after annealing was confirmed by the addition of Cu. However, there is variation.
[0444]
【The invention's effect】
As described above, according to the silver alloy of the present invention, Ag is a main component, and Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Contains at least one element selected from the group consisting of Pd, Pt, Cu, Au, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge, and Sn. Therefore, a silver alloy having excellent corrosion resistance can be provided, a silver alloy having high reflectance before and after heat treatment can be provided, and a silver alloy having electrically low resistance characteristics can be provided. can do. Further, a silver alloy having excellent heat resistance can be provided.
[0445]
Further, according to the present invention, since the silver alloy is used, it is possible to provide a sputtering target, a reflective plate for a reflective LCD, a reflective wiring electrode, a thin film, and a method of manufacturing the same, which suppress yellowing of reflected light.
[0446]
Further, according to the present invention, due to the hydrogen resistance and oxygen resistance of Ag, the deoxidizing effect (antioxidation) of Zn, In, Sn and Ni, and the interaction of chloride and sulfidation, high reflectivity as compared with Ag. And an optical recording medium with improved weather resistance can be provided.
[0447]
Further, according to the present invention, it is possible to provide an optical recording medium in which the weather resistance of the translucent reflective film is improved and higher reliability is obtained.
[0448]
Further, according to the present invention, it has flexibility and shape flexibility (bending followability to a complex shape), is widely applied mainly as an EMC countermeasure material, and has a high electromagnetic wave even under a high temperature and high humidity environment. The material stability of the weather resistance, such as the ability to keep the shielding performance continuously, is remarkably improved, and the bonding property (adhesion) with the elastomer material substrate is more effectively enhanced, and the reliability is higher. Can be provided.
[0449]
Further, according to the present invention, it has electromagnetic wave shielding properties, infrared shielding properties, transparency, invisibility, corrosion resistance, weather resistance and abrasion resistance, etc., and is widely applied mainly as an EMC countermeasure material, The material stability of weather resistance has been remarkably improved, such as high electromagnetic wave shielding ability is continuously maintained even in a high-temperature and high-humidity environment, and the bonding property (adhesion) with a plastomer material substrate is further improved. It is possible to provide an electromagnetic wave shield that is effectively strengthened and has higher reliability.
[0450]
Further, according to the present invention, a metal material for electronic components, which has a lower electrical resistivity than conventional and is stable and excellent in workability, a wiring material, an electronic component using a silver alloy, an electronic device, A method for processing a metal film and an electronic optical component can be provided.
[0451]
In addition, a laminate formed using the high heat-resistant reflective film of the present invention, for example, a heat ray / infrared reflective film for building glass, has a high heat resistance and a high reflectance, and is stable with respect to an alkaline organic material. Further, when a resin substrate is used, a high-quality product can be formed because it is chemically stable against degassing from the substrate.
[0452]
In the case where a highly heat-resistant reflective film is formed using the Ag alloy film of the present invention, for example, an underlayer is formed between a substrate and the reflective film for the purpose of improving adhesion and optical characteristics. In the case of, the stability to heat does not deteriorate, and further, there is no remarkable decrease in the optical characteristics. Therefore, the quality does not deteriorate even in the case of a laminated structure.
[0453]
Further, when the Ag alloy film of the present invention is formed, it can be seen that the same characteristics can be stably obtained depending on the purpose or application, or the type of the substrate, regardless of the case of both the sputtering method and the vapor deposition method. For example, there is no difference in quality due to the film forming method.
[0454]
Therefore, according to the present invention, the high optical characteristics possessed by Ag itself are retained, the material stability of Ag is remarkably improved, and an underlayer is formed between the reflection film and the glass substrate or the resin substrate. Is formed, the bonding between the highly heat-resistant reflective film and the glass substrate or the resin substrate is more effectively strengthened, so that a highly reliable laminate such as a reflective film for building material glass can be provided. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an optical recording medium having a thin film formed using a sputtering target material according to a fifth embodiment of the present invention and having a two-layer structure.
FIG. 2 is a side view showing an example of an optical recording medium according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a graph showing the wavelength of light applied to a thin film made of an Ag—Zn alloy and the reflectance of the light.
FIG. 4 is a sectional view showing an electromagnetic wave shield according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view showing an electromagnetic wave shield according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 6 (a) is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing a high-temperature and high-humidity test on sample (1), and (b) is a result of performing a high-temperature and high-humidity test on sample (2). 4 is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after the test.
FIG. 7 (a) is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing a high-temperature and high-humidity test on sample (3), and (b) is a result of performing a high-temperature and high-humidity test on sample (4). 4 is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after the test.
FIG. 8 (a) is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing a 250 ° C. annealing test on sample (1), and FIG. 8 (b) is a photograph showing a 250 ° C. annealing test on sample (2). 5 is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing the above.
FIG. 9 (a) is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing a 250 ° C. annealing test on sample (3), and FIG. 9 (b) is a photograph showing a 250 ° C. annealing test on sample (4). 5 is a photograph showing the result of microscopic observation of the sample surface after performing the above.
FIG. 10 shows a microscopic observation of a sample surface after adding Zn to 1.8 to 7.3 at% to Ag-0.5 at% Pd-1.0 at% Cu and performing an annealing test at 250 ° C. for 1 hour. 4 is a photograph showing a result of the experiment.
FIG. 11 shows a microscopic observation of a sample surface after adding In to 0.9 to 1.9 at% to Ag-0.5 at% Pd-1.0 at% Cu and performing an annealing test at 250 ° C. for 1 hour. 4 is a photograph showing a result of the experiment.
FIG. 12 shows a microscope observation of a sample surface after adding Zn or In to 0.9 to 7.3 at% to Ag-0.5 at% Pd-1.0 at% Cu and immersing in 5 wt% NaCl water. 4 is a photograph showing the result of the measurement.
[Explanation of symbols]
1. First substrate
2. Second substrate
3. Translucent reflective film
4: Reflective film
5 ... Transparent adhesive
6. Optical recording medium
7 Objective lens
8 Reproduction light
9: First information layer
10. Optical recording medium
11 first information recording layer
12: second information recording layer
13,14 ... substrate
15 ... Translucent film
16 ... Silver alloy reflective film
17: Second information layer
18 ... Electromagnetic wave shielding film
19 ... Substrate
20 ... Photocurable resin
21: First fine irregularities
22: second fine irregularities
23: Adhesion promoting base film
24, 30 ... Protective film

Claims (66)

A silver alloy having excellent corrosion resistance,
With silver as the main component,
Titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, copper, gold, zinc, aluminum, gallium, indium, silicon, germanium and A silver alloy containing at least one element selected from the group consisting of tin. A silver alloy having high reflectivity characteristics,
With silver as the main component,
Titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, copper, gold, zinc, aluminum, gallium, indium, silicon, germanium and A silver alloy containing at least one element selected from the group consisting of tin. A silver alloy having electrically low resistance properties,
With silver as the main component,
Titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, copper, gold, zinc, aluminum, gallium, indium, silicon, germanium and A silver alloy containing at least one element selected from the group consisting of tin. A silver alloy having excellent heat resistance,
With silver as the main component,
Titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, copper, gold, zinc, aluminum, gallium, indium, silicon, germanium and A silver alloy containing at least one element selected from the group consisting of tin. The silver alloy according to any one of claims 1 to 4, wherein the content of at least one type of each element is 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less. A silver alloy having excellent corrosion resistance,
With silver as the main component,
Containing one element selected from the group consisting of zinc, nickel, tin and indium,
Selected from the group consisting of titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, iridium, palladium, platinum, copper, gold, aluminum, gallium, silicon, and germanium A silver alloy comprising at least one element. A silver alloy having high reflectivity characteristics,
With silver as the main component,
Containing one element selected from the group consisting of zinc, nickel, tin and indium,
Selected from the group consisting of titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, iridium, palladium, platinum, copper, gold, aluminum, gallium, silicon, and germanium A silver alloy comprising at least one element. A silver alloy having electrically low resistance properties,
With silver as the main component,
Containing one element selected from the group consisting of zinc, nickel, tin and indium,
Selected from the group consisting of titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, iridium, palladium, platinum, copper, gold, aluminum, gallium, silicon, and germanium A silver alloy comprising at least one element. A silver alloy having excellent heat resistance,
With silver as the main component,
Containing one element selected from the group consisting of zinc, nickel, tin and indium,
Selected from the group consisting of titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, iridium, palladium, platinum, copper, gold, aluminum, gallium, silicon, and germanium A silver alloy comprising at least one element. The silver alloy according to any one of claims 6 to 9, wherein the content of the one type of element is 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, and the content of the at least one type of each element is 10% or less. A silver alloy having an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less. A silver alloy having excellent heat resistance,
It contains silver as a main component, contains zinc or indium in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, contains copper in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, and further contains 0.1 atomic percent of palladium. A silver alloy containing at least 8.0 atomic percent or less. A silver alloy having high reflectivity characteristics,
It contains silver as a main component, contains zinc or indium in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, contains copper in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, and further contains 0.1 atomic percent of palladium. A silver alloy containing at least 8.0 atomic percent or less. A silver alloy having electrically low resistance properties,
It contains silver as a main component, contains zinc or indium in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, contains copper in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, and further contains 0.1 atomic percent of palladium. A silver alloy containing at least 8.0 atomic percent or less. A silver alloy having excellent corrosion resistance,
It contains silver as a main component, contains zinc or indium in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, contains copper in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, and further contains 0.1 atomic percent of palladium. A silver alloy containing at least 8.0 atomic percent or less. A silver alloy having excellent heat resistance,
It contains silver as a main component, contains zinc in a range of 3.0 to 8.0 atomic percent, copper in a range of 0.3 to 1.7 atomic percent, and further contains palladium in a range of 0.2 to 3 atomic percent. A silver alloy containing up to 0.0 atomic percent. A silver alloy having excellent corrosion resistance,
It is characterized by containing silver as a main component, containing zinc in an amount of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, containing copper in an amount of 0.1 atomic percent or more, and further containing palladium in an amount of 0.2 atomic percent or more. Silver alloy. A silver alloy having excellent heat resistance and corrosion resistance,
Contains silver as a main component, contains zinc in a range of 3.0 to 8.0 atomic percent, contains copper in a range of 0.3 to 1.7 atomic percent, and further contains palladium in a range of 0.2 atomic percent or more. A silver alloy characterized in that: A sputtering target comprising the silver alloy according to any one of claims 1 to 17. 20. The sputtering target according to claim 18, wherein the sputtering target is for producing a reflective LCD reflective plate or a reflective wiring electrode in which yellowing of reflected light is suppressed. A reflective plate for a reflective LCD, which suppresses yellowing of reflected light, comprising a silver alloy according to any one of claims 1 to 17. A reflective wiring electrode having a high reflectance of reflected light and suppressing yellowing of reflected light, the reflective wiring electrode being made of the silver alloy according to any one of claims 1 to 17. A thin film comprising the silver alloy according to any one of claims 1 to 17. A method for producing a thin film, comprising: producing a thin film by a sputtering method using the sputtering target according to claim 18. An optical recording medium comprising the thin film according to claim 22. An optical recording medium in which two or more layers of an information layer having a translucent reflective film and an information layer having a reflective film are stacked and at least one of information recording and reproduction is performed by light irradiation from a common direction. 23. An optical recording medium, wherein the translucent reflection film comprises the thin film according to claim 22. An electromagnetic wave shielding body comprising a substrate made of an elastomer material and an electromagnetic wave shielding film formed on the substrate, wherein the electromagnetic wave shielding film is made of the silver alloy according to any one of claims 1 to 17. An electromagnetic wave shield characterized in that: A substrate made of a plastomer material and an electromagnetic wave shielding film formed on the substrate, wherein the electromagnetic wave shielding film is made of the silver alloy according to any one of claims 1 to 17. An electromagnetic wave shield characterized in that: The electromagnetic wave shielding body according to claim 26, wherein the electromagnetic wave shielding film is formed of one film or a plurality of films. The said electromagnetic wave shielding film was formed by film-forming on a board | substrate by the sputtering method using the sputtering target material which consists of silver alloy of Claim 18, The one of Claims 26-28 characterized by the above-mentioned. Item 7. The electromagnetic wave shield according to Item 1. The electromagnetic wave shield according to any one of claims 26 to 29, further comprising a protective film formed on the electromagnetic wave shield film and having excellent corrosion resistance, weather resistance, and wear resistance. . 31. The electromagnetic wave shield according to claim 26, further comprising a base film disposed between the substrate and the electromagnetic wave shield film to promote adhesion. The underlayer is indium tin oxide, iridium oxide, zinc oxide, silicon dioxide, titanium oxide, tantalum pentoxide, zirconium oxide, silicon, tantalum, titanium, molybdenum, chromium, one selected from the group consisting of aluminum or 32. The electromagnetic wave shield according to claim 31, wherein the electromagnetic wave shield is formed using a plurality of materials or a material containing at least one of the one or more materials. A metal material for electronic parts, comprising the silver alloy according to any one of claims 1 to 17. A wiring material comprising the silver alloy according to any one of claims 1 to 17. A metal material for electronic components, wherein the metal material for electronic components according to claim 33 is used as an electrode material. A metal material for electronic components, wherein the metal material for electronic components according to claim 33 is used as a contact material. An electronic component having at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact formed of the silver alloy according to claim 1. The electronic component according to claim 37, wherein each of the wiring pattern, the electrode, and the contact is formed by etching with a solution. 35. The electronic component according to claim 34, wherein each of the wiring pattern, the electrode, and the contact is formed by etching in a gas atmosphere. The electronic component according to claim 37, wherein each of the wiring pattern, the electrode, and the contact is formed by performing a heat treatment in a temperature range of 300C to 750C. Each of the wiring patterns, electrodes, and contacts was formed by mixing one or more of tungsten, tantalum, molybdenum, indium oxide, tin oxide, titanium nitride, silicon dioxide, silicon nitride, titanium oxide, and niobium oxide. The electronic component according to claim 37, wherein the electronic component is formed on a base. 37. The electronic component according to claim 36, wherein each of the wiring pattern, the electrode, and the contact is directly formed on a substrate made of glass or a plastomer material. An electronic apparatus comprising the electronic component according to any one of claims 37 to 42. A method for processing a metal film, comprising forming at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact using the metal film made of the silver alloy according to any one of claims 1 to 17. A metal film made of the silver alloy according to any one of claims 1 to 17 is subjected to a heat treatment in a temperature range of 300 ° C or more and 750 ° C or less to form at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact. A method of processing a metal film. The metal film made of the silver alloy according to any one of claims 1 to 17 is formed on a base made of any of tungsten, tantalum, molybdenum, indium tin oxide, titanium nitride, silicon dioxide, and silicon nitride. Thereby forming at least one of a wiring pattern, an electrode and a contact. 18. Forming at least one of a wiring pattern, an electrode, and a contact by directly forming a metal film made of the silver alloy according to any one of claims 1 to 17 on a glass or plastomer material substrate. A method for processing a metal film, comprising: An electro-optical component comprising at least one of a reflective film, a wiring pattern, and an electrode formed of the silver alloy according to claim 1. A laminate using a highly heat-resistant reflective film composed of at least one layer, wherein the highly heat-resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 4. . 50. The laminate according to claim 49, wherein the silver alloy has a content of at least one kind of each element of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less. A laminate using a highly heat-resistant reflective film composed of at least one layer, wherein the highly heat-resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 9. . In the silver alloy, the content of the one element is 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, and the content of the at least one element is 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent. 53. The laminate of claim 51, wherein the laminate is less than or equal to percent. A laminate using a high heat-resistant reflective film composed of at least one layer, wherein the high heat-resistant reflective film is formed from the silver alloy according to any one of claims 11, 15, and 17. A laminate characterized in that: Board and
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A laminate comprising:
A laminate, wherein the high heat resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 4. 55. The laminate according to claim 54, wherein the silver alloy has a content of at least one type of each element of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less. Board and
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A laminate comprising:
A laminate, wherein the highly heat-resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 9. In the silver alloy, the content of the one element is 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, and the content of the at least one element is 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent. 57. The laminate of claim 56, wherein the laminate is less than or equal to percent. Board and
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A laminate comprising:
A laminate, wherein the high heat-resistant reflective film is formed from the silver alloy according to any one of claims 11, 15, and 17. The laminate according to any one of claims 54 to 58, wherein the substrate is a resin substrate or a glass substrate. 60. The laminate according to any one of claims 54 to 59, further comprising a base film disposed between the substrate and the high heat resistant reflective film to promote adhesion. The underlayer is indium tin oxide, iridium oxide, zinc oxide, silicon dioxide, titanium oxide, tantalum pentoxide, zirconium oxide, silicon, tantalum, titanium, molybdenum, chromium, one selected from the group consisting of aluminum or 61. The laminate according to claim 60, wherein the laminate is formed using a plurality of materials or a material including at least one of the one or more materials. Board and
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A building material glass comprising a laminate having
A building material glass, wherein the high heat resistant reflective film is formed from the silver alloy according to claim 4. 63. The building material glass according to claim 62, wherein the silver alloy has a content of at least one type of each element of 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less. Board and
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A building material glass comprising a laminate having
A building material glass, wherein the high heat resistant reflection film is formed from the silver alloy according to claim 9. In the silver alloy, the content of the one element is 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent or less, and the content of the at least one element is 0.1 atomic percent or more and 8.0 atomic percent. 65. The building glass of claim 64, wherein the percentage is less than or equal to percent. Board and
A highly heat-resistant reflective film formed on the substrate,
A building material glass comprising a laminate having
The building material glass, wherein the high heat-resistant reflection film is formed from the silver alloy according to any one of claims 11, 15, and 17.

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