KR20040073142A - Ag ALLOY FILM FOR REFLECTING PLATE OF TFT-LCD - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 박막 트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD, thin film transistor drive liquid crystal display apparatus)에 관한 것으로, 특히, 반사형 박막 트랜지스터 액정표시장치의 반사판의 반사막에 사용될 수 있는, 반사도 및 에칭 특성이 우수한 박막용 합금에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor drive liquid crystal display apparatus (TFT-LCD), and in particular, has excellent reflectivity and etching characteristics, which can be used in a reflective film of a reflective plate of a reflective thin film transistor liquid crystal display apparatus. It relates to an alloy for thin films.
LCD는 기존의 음극선관(CRT)에 비하여, 소형화, 경량화, 및 낮은 전력소비율 등의 장점 때문에 그 사용량이 증가되고 있는 추세이다. LCD는 광원의 종류에 따라 투과형 LCD와 반사형 LCD로 분류된다. 투과형 LCD는 백 라이트(back light)에서 방사되는 빛을 이용하여 고투과율의 투명전극(일반적으로, In, Sn의 산화물 박막)을 통해 디스플레이하는 방식의 LCD이고, 반사형 LCD는 투명전극 대신에 높은 반사율을 갖는 금속박막을 공통전극으로 사용하여 외부로부터 입사되는 빛을 반사시켜 디스플레이하는 방식의 LCD이다.Compared to the conventional cathode ray tube (CRT), LCDs are increasing in use due to advantages such as small size, light weight, and low power consumption. LCDs are classified into transmissive LCDs and reflective LCDs according to the type of light source. The transmissive LCD is a type of LCD that displays light through high-transparent transparent electrodes (generally, In and Sn oxide thin films) by using light emitted from a back light. It is a type of LCD that reflects and displays light incident from the outside by using a metal thin film having a reflectance as a common electrode.
반사형 LCD는 백 라이트를 광원으로 사용하지 않기 때문에 투과형 LCD보다 가볍고 얇으며 소비 전력이 작다는 장점이 있어 노트북 컴퓨터, 휴대용 텔레비전 등에 그 응용이 점차 확대되고 있는 추세이다. 그러나 이러한 반사형 LCD는 외부로부터 입사되는 빛을 반사시켜 디스플레이하기 때문에 투과형 LCD보다 휘도가 낮다는 단점이 있다. 반사형 LCD의 이와 같은 단점은 반사판의 반사율을 향상시키면 해결될 수 있는데, 이 경우, 반사형 LCD에 사용되는 반사판은 입사되는 빛을 반사하는 역할을 하기 때문에 반사율도 높아야 할 뿐만 아니라 전극의 역할도 해야 되기 때문에 에칭 특성도 우수하여야 한다.Reflective LCDs are lighter, thinner, and consume less power than transmissive LCDs because they do not use backlight as a light source, and their applications are gradually expanding to notebook computers and portable televisions. However, the reflective LCD has a lower luminance than the transmissive LCD because the reflective LCD displays the light incident from the outside. This disadvantage of the reflective LCD can be solved by improving the reflectance of the reflector. In this case, the reflector used in the reflective LCD reflects the incident light, so that the reflector must not only have high reflectance but also the role of the electrode. Since it should be, the etching characteristics should be excellent.
우수한 반사율과 에칭 특성을 동시에 갖는 반사막에 관한 예로, 미국특허 제6,317,185호는 Al-Nd계 반사막에 대하여 개시하고 있다. 그러나, Al-Nd계 반사막은 종전의 Al 반사막이 갖는 단점, 즉 사용시간의 경과에 따라 Al 원자가 이동되어 힐락(hillock)을 형성하고 결국 단락되는 electromigration 현상을 현저하게 개선하였으나, 반사막의 반사도가 90% 전후로 낮아서 휘도는 여전히 높지 못한 문제점이 있다.As an example of a reflective film having excellent reflectance and etching characteristics, US Patent No. 6,317, 185 discloses an Al-Nd reflector. However, the Al-Nd reflector has a significant improvement in the disadvantages of the conventional Al reflector, namely the electromigration phenomenon in which Al atoms move and form hillocks and eventually short-circuits as the use time elapses. There is a problem that the brightness is still not high because it is low around%.
반사막의 형성 방법을 달리하여 상기 단점을 보완한 다른 예로서, 반사판의 표면에 콘벡스(Convex)를 형성하는 방법(미국특허공보 제5220444호)과 다층구조형 반사막을 형성하는 방법(대한민국 공개특허공보 제2000-0013416호) 등이 있다. 그러나, 전자의 경우, 콘벡스를 형성하기 위하여 별도의 마스크를 사용해야 하기 때문에 생산 공정이 길어지고 복잡해져 경제적이지 못하다. 또한 후자의 경우, 반사막으로 다층 박막을 사용해야 하기 때문에 생산 공정이 길어지고 생산원가도 높아지는 단점이 있다.As another example to compensate for the above disadvantages by changing the method of forming the reflective film, a method of forming a convex (Convex) (US Patent No. 5220444) and a method of forming a multi-layered reflective film (Republic of Korea) 2000-0013416). However, in the former case, since a separate mask must be used to form a convex, the production process is lengthy and complicated, which is not economical. In addition, in the latter case, since the multilayer thin film must be used as the reflective film, the production process is long and the production cost is high.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반사형 박막 트랜지스터 액정표시장치의 반사판의 반사막에 사용될 수 있는, 반사도 및 에칭 특성이 우수한 새로운 조성의 합금을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an alloy of a new composition having excellent reflectivity and etching characteristics, which can be used in a reflective film of a reflecting plate of a reflective thin film transistor liquid crystal display device.
도 1은 반사형 LCD 반사판의 구조를 도시한 개략도.1 is a schematic diagram showing the structure of a reflective LCD reflector.
도 2는 본 발명에 따른 실시예 1, 4와 비교예 1의 반사도 스펙트럼을 도시한 그래프.2 is a graph showing reflectance spectra of Examples 1 and 4 and Comparative Example 1 according to the present invention;
도 3은 본 발명의 실시예 3에 따른 LCD 반사판의 에칭 결과를 나타내는 조직 사진.3 is a texture photograph showing an etching result of an LCD reflector according to a third embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예 6에 따른 LCD 반사판의 에칭 결과를 나타내는 조직 사진.4 is a texture photograph showing the etching result of the LCD reflector according to the sixth embodiment of the present invention.
도 5는 비교예 2에 따른 LCD 반사판의 에칭 결과를 나타내는 조직사진.Figure 5 is a tissue photograph showing the etching result of the LCD reflector according to Comparative Example 2.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **** Description of symbols for the main parts of the drawing **
1. 유리기판 2: 게이트라인1. Glass substrate 2: Gate line
3. 게이트 절연막 4. 반도체막3. Gate insulating film 4. Semiconductor film
5: 소스막 및 드레인막 6: 보호막5: source film and drain film 6: protective film
7: 반사막7: reflective film
본 발명자들은 종래의 이러한 단점을 해결할 수 있는 방법으로 새로운 조성의 반사판의 반사막용 합금을 개발하던 중, Ag가 높은 반사율을 가지고 있으나 에칭 특성이 불량하다는 점에 착안하여 Ag에 다른 첨가원소를 첨가하여 반사율과 에칭특성이 동시에 향상될 수 있는 합금 박막을 개발하게 되었다. 그 과정에서 Ag에 합금 원소로서 In과 Si를 첨가하였을 때 반사율뿐만 아니라 에칭 특성도 우수하다는 것을 발견하였다.The inventors of the present invention, while developing the alloy for the reflective film of the reflector of a new composition in a way to solve the conventional disadvantages, by adding another additional element to Ag in consideration of the fact that Ag has a high reflectance but poor etching characteristics The alloy thin film is developed to improve the reflectance and the etching characteristics at the same time. In the process, when In and Si were added to Ag as an alloying element, it was found that not only the reflectance but also the etching characteristics were excellent.
본 발명은 전술한 발견에 기초하여 구성되어 있는 것으로, 본 발명에 따른 Ag 합금이 요지로 하는 것은 이하의 (1), (2)와 같다.This invention is comprised based on the above-mentioned discovery, and what makes the summary of the Ag alloy concerning this invention is as follows (1) and (2).
(1) 반사형 박막 트랜지스터 액정표시장치의 반사판에 사용되는 반사막용 Ag 합금으로서, 0.1~5wt% Si를 포함하고, 잔부가 Ag 및 불가피한 불순물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ag 합금.(1) Reflective thin film transistor An Ag alloy for a reflective film used in a reflecting plate of a liquid crystal display device, the Ag alloy comprising 0.1 to 5 wt% Si, the balance being made of Ag and unavoidable impurities.
(2) 반사형 박막 트랜지스터 액정표시장치의 반사판에 사용되는 반사막용 Ag 합금으로서, 0.1~5wt% In을 포함하고, 잔부가 Ag 및 불가피한 불순물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ag 합금.(2) Reflective thin film transistor An Ag alloy for a reflective film used for a reflecting plate of a liquid crystal display device, the Ag alloy containing 0.1 to 5 wt% In, the balance being made of Ag and unavoidable impurities.
다음으로, 본 발명에 따른 Ag 합금에서 Si와 In의 함유량을 한정한 이유를 설명한다.Next, the reason for limiting the content of Si and In in the Ag alloy according to the present invention will be described.
Si와 In의 함유량이 0.1wt% 미만이면, 이들 합금원소의 첨가효과를 기대할 수 없어 박막의 에칭 특성이 향상되지 않기 때문이며, 반대로 Si와 In의 함유량이 5wt%를 초과하면, 반사도가 Ag보다 상대적으로 낮은 Si와 In으로 인하여 박막 전체의 반사도가 열화되기 때문이다.If the content of Si and In is less than 0.1 wt%, the effect of adding these alloying elements cannot be expected and the etching properties of the thin film are not improved. On the contrary, if the content of Si and In exceeds 5 wt%, the reflectance is higher than that of Ag. This is because the reflectivity of the entire thin film is degraded due to low Si and In.
Ag에 In과 Si가 첨가되었을 때 우수한 에칭 특성이 나타난 이유는, 이들 원소가 첨가됨에 따라 박막으로 성막되는 과정에서 이들 첨가원소가 핵성장을 위한핵의 역할을 하여 박막의 입도가 작아지고, Ag에 비하여 에칭특성이 우수한 In과 Si가 박막 내 입계나 박막의 표면에 편석되기 때문인 것으로 생각된다.When In and Si were added to Ag, the excellent etching characteristics appeared because, as these elements were added, these additional elements acted as nuclei for nuclear growth, resulting in a small particle size. It is considered that In and Si, which have superior etching characteristics, are segregated on the grain boundaries in the thin film or on the surface of the thin film.
이하, 첨부된 도면과 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 본 발명의 내용을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the content of the present invention through the accompanying drawings and preferred embodiments of the present invention will be described in detail.
[실시예 1]Example 1
진공유도로를 사용하여 진공주조법으로 0.1wt% Si을 포함한 Ag 합금을 용해, 주조하여 잉코트를 만든 후, 선반과 연마기를 사용하여 이 Ag 합금 잉코트를 직경 200mm, 두께 6mm인 타겟으로 제조하였다.Ag alloy containing 0.1 wt% Si was melted and cast by vacuum casting using vacuum induction method, and then the Ag alloy incoat was manufactured to target 200mm in diameter and 6mm thick using lathe and grinding machine. .
이 타겟을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 코닝그라스 7059유리 위에 두께 0.2㎛의 Ag-Si 합금박막을 성막하였다. 구체적으로는, 타겟트를 타겟트 홀더에 코닝그라스 7059유리를 기판 홀더에 각각 장착한 후, 기계적 펌프와 확산 펌프를 사용하여 진공도 5 x 10-6Torr 이하로 배기한 다음, 순도 99.999%인 고순도 Ar을 1 X 10-3Torr까지 주입하였다. 그 다음, DC 전력(1.2A x 400V)을 인가하여 스퍼터 증착하였다.Using this target, an Ag-Si alloy thin film having a thickness of 0.2 µm was formed on Corning Glass 7059 glass by DC magnetron sputtering. Specifically, the target was mounted on the target holder, and Corninggrass 7059 glass was mounted on the substrate holder, respectively, and then exhausted using a mechanical pump and a diffusion pump to a vacuum of 5 x 10 -6 Torr or lower, and then a high purity of 99.999%. Ar was injected up to 1 × 10 −3 Torr. Then, sputter deposition was applied by applying DC power (1.2A x 400V).
이와 같이 증착된 Ag-Si 박막의 반사도를 Perkin Elmar사의 Lambda35 UV/VIS 분광기를 사용하여 측정하여 그 결과를 표 1에 나타내고, 이 때 얻어진 스펙트럼을 도 2에 도시하였다. 또한 이 Ag-Si 박막의 에칭특성은 박막 표면에 포토레지스트를 국부적으로 도포하고, 인산+초산+질산+증류수(55 : 5 : 10 : 30 wt%)로 만든 에칭액에서 식각처리한 후 경계면을 현미경으로 관찰하여 평가하고, 그 결과를 표 1에나타냈다.The reflectivity of the Ag-Si thin film deposited as described above was measured using a Lambda35 UV / VIS spectrometer manufactured by Perkin Elmar, and the results are shown in Table 1, and the spectra obtained at this time are shown in FIG. In addition, the etching characteristics of the Ag-Si thin film were applied by locally applying a photoresist on the surface of the thin film and etching in an etching solution made of phosphoric acid + acetic acid + nitric acid + distilled water (55: 5: 10: 30 wt%). It observed and evaluated, and the result was shown in Table 1.
[실시예 2]Example 2
실시예 1과 동일한 방법으로 2wt% Si를 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛인 Ag-Si 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 2wt% Si was produced in the same manner as in Example 1, and an Ag-Si alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using this target.
이와 같이 증착된 Ag-Si 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타냈다.The reflectivity and etching characteristics of the Ag-Si thin film deposited as described above were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.
[실시예 3]Example 3
실시예 1과 동일한 방법으로 5wt% Si을 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2의 Ag-Si 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 5 wt% Si was produced in the same manner as in Example 1, and an Ag-Si alloy thin film having a thickness of 0.2 was formed using this target.
이와 같이 증착된 Ag-Si 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타내고, 이 때 얻어진 현미경 조직을 도 3에 도시하였다.The reflectivity and etching characteristics of the thus-deposited Ag-Si thin film were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1, and the microscopic structure obtained at this time is shown in FIG.
[실시예 4]Example 4
실시예 1과 동일한 방법으로 0.1wt% In을 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛의 Ag-In 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 0.1 wt% In was prepared in the same manner as in Example 1, and an Ag-In alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using the target.
이와 같이 증착된 Ag-In 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타내고, 이 때 얻어진 스펙트럼을 도 2에 도시하였다.The reflectivity and etching characteristics of the thus-deposited Ag-In thin film were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1, and the spectra obtained at this time are shown in FIG.
[실시예 5]Example 5
실시예 1과 동일한 방법으로 1.5wt% In을 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛의 Ag-In 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 1.5 wt% In was prepared in the same manner as in Example 1, and an Ag-In alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using the target.
이와 같이 증착된 Ag-In 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타냈다.The reflectivity and etching characteristics of the Ag-In thin film thus deposited were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.
[실시예 6]Example 6
실시예 1과 동일한 방법으로 5wt% In을 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛의 Ag-In 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 5 wt% In was prepared in the same manner as in Example 1, and an Ag-In alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using the target.
이와 같이 증착된 Ag-In 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타내고, 이 때 얻어진 현미경 조직을 도 4에 도시하였다.The reflectivity and etching characteristics of the thus-deposited Ag-In thin film were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1, and the microstructures obtained at this time are shown in FIG.
[비교예 1]Comparative Example 1
실시예 1과 동일한 방법으로 5wt% Nd를 포함하는 Al 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛의 Al-Nd 합금 박막을 성막하였다.An Al alloy target containing 5 wt% Nd was produced in the same manner as in Example 1, and an Al-Nd alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using the target.
이와 같이 증착된 Al-Nd 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타내고, 이 때 얻어진 스펙트럼을 도 2에 도시하였다.The reflectivity and etching characteristics of the Al-Nd thin film thus deposited were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1, and the spectra obtained at this time are shown in FIG.
[비교예 2]Comparative Example 2
실시예 1과 동일한 방법으로 Ag 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛의 Ag 박막을 성막하였다.An Ag target was produced in the same manner as in Example 1, and an Ag thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using this target.
이와 같이 증착된 Ag 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타내고, 이 때 얻어진 현미경 조직사진을 도 5에 도시하였다.The reflectivity and etching characteristics of the thus-deposited Ag thin film were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1, and the microscopic tissue photograph obtained at this time is shown in FIG. 5.
[비교예 3]Comparative Example 3
실시예 1과 동일한 방법으로 0.05wt% Si를 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛인 Ag-Si 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 0.05 wt% Si was produced in the same manner as in Example 1, and an Ag-Si alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using this target.
이와 같이 증착된 Ag-Si 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타냈다.The reflectivity and etching characteristics of the Ag-Si thin film deposited as described above were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.
[비교예 4][Comparative Example 4]
실시예 1과 동일한 방법으로 10wt% Si를 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛인 Ag-Si 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 10 wt% Si was produced in the same manner as in Example 1, and an Ag-Si alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using this target.
이와 같이 증착된 Ag-Si 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타냈다.The reflectivity and etching characteristics of the Ag-Si thin film deposited as described above were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.
[비교예 5][Comparative Example 5]
실시예 1과 동일한 방법으로 0.05wt% In을 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛인 Ag-In 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 0.05 wt% In was prepared in the same manner as in Example 1, and an Ag-In alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using this target.
이와 같이 증착된 Ag-Si 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타냈다.The reflectivity and etching characteristics of the Ag-Si thin film deposited as described above were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.
[비교예 6]Comparative Example 6
실시예 1과 동일한 방법으로 10wt% In를 포함하는 Ag 합금 타겟을 제조하고, 이 타겟을 사용하여 두께 0.2 ㎛인 Ag-In 합금 박막을 성막하였다.An Ag alloy target containing 10 wt% In was prepared in the same manner as in Example 1, and an Ag-In alloy thin film having a thickness of 0.2 μm was formed using this target.
이와 같이 증착된 Ag-Si 박막의 반사도 및 에칭 특성을 실시예 1과 동일한방법으로 평가하여 그 결과를 표 1에 나타냈다.The reflectivity and etching characteristics of the Ag-Si thin film deposited as described above were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.
<표 1>TABLE 1
( ○: 양호, ◎: 아주 양호, X: 불량 )(○: good, ◎: very good, X: poor)
이상의 실험 결과에 따르면, 본 발명에 따른 0.1~5wt% Si을 포함한 Ag 합금 박막과 0.1~5wt% In을 포함한 Ag 합금 박막은 종래의 Al-Nd 합금박막(비교예 1)보다 의 반사도 및 에칭특성이 크게 향상되어 있음을 알 수 있다.According to the above experimental results, the Ag alloy thin film containing 0.1-5wt% Si and the Ag alloy thin film containing 0.1-5wt% In of the reflectivity and etching characteristics of the conventional Al-Nd alloy thin film (Comparative Example 1) It can be seen that this is greatly improved.
또한, 본 발명에 따른 Ag-Si 또는 Ag-In 합금 박막은 순수한 Ag 박막(비교예 2)보다 반사도가 우수하며, 이와 동시에 에칭특성도 향상된다.In addition, the Ag-Si or Ag-In alloy thin film according to the present invention has better reflectivity than pure Ag thin film (Comparative Example 2), and at the same time, the etching characteristics are also improved.
또한, Si와 In의 함량이 0.1wt% 미만이거나(비교예 3, 5), 5wt% 초과하는 경우(비교예 4, 6)에 있어서는 반사도와 에칭특성이 동시에 향상되는 것을 기대하기 어렵다.In addition, when the content of Si and In is less than 0.1 wt% (Comparative Examples 3 and 5) or more than 5 wt% (Comparative Examples 4 and 6), it is difficult to expect that the reflectivity and the etching characteristics are simultaneously improved.
본 발명에 따른 반사형 LCD의 반사판에 사용되는 반사막용 Ag 합금은, 높은반사도를 가짐으로써 LCD의 휘도를 높일 수 있을 뿐만 아니라, 단층막으로 사용되어 생산공정을 줄일 수 있다. 또한, 상기 반사막용 Ag 합금은 우수한 에칭 특성을 가짐으로써 반사형 LCD의 반사판을 에칭방법으로 패턴화하는 공정에서 유리하게 적용될 수 있다.The Ag alloy for reflective film used in the reflective plate of the reflective LCD according to the present invention can not only increase the luminance of the LCD by having a high reflectivity, but also can be used as a single layer film to reduce the production process. In addition, since the Ag alloy for the reflective film has excellent etching characteristics, it can be advantageously applied in the process of patterning the reflective plate of the reflective LCD by the etching method.
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