JP2004002411A - 新規酸発生剤及びこれを含有した薄膜組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の酸発生剤は、相対的に低い温度の熱により酸を発生させ、組成物内の一部成分が揮発され組成比が変化されることを防ぎ、組成物の成分比制御及び目的とする特性を持つ薄膜の製造を容易とする。
【解決手段】熱により化合物が分解され強酸を発生させる化合物（以下“酸発生剤”という）及びこれを含有した薄膜組成物に関し、下記一般式Ｉで表される化合物及びこれを含む薄膜組成物を提供する。
［一般式Ｉ］

一般式ＩにおいてＸはアルキル基またはアリール基（ａｒｙｌ　ｇｒｏｕｐ）であり、Ｒは水素原子、ヒドロキシ、アルコキシまたはアルキル基である。
【選択図】　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱により化合物が分解され強酸を発生させる化合物（以下“酸発生剤”という）及びこれを含有した薄膜組成物（Ｎｅｗ　ａｃｉｄ　ｇｅｎｅｒａｔｏｒ　ａｎｄ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ｔｈｅ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）に関する。より詳しくは、酸発生剤から発生された酸により架橋反応が進行され、激烈な条件でも薄膜を維持することができる組成物に関する。
【０００２】
【関連技術】
最近、産業社会の急速な発展により薄膜に対する関心度が高まっている。超微細半導体工程から一般生活家電及び家具に至るまで、薄膜技術を用いて製品を製作している。例えば、半導体製造工程においては下部層による光の反射を防ぐために反射防止膜を使用する。この膜を使用しない場合、超微細パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）でパターンの変形が起こる。つまり、ＡｒＦエキシマレーザーに基盤が露出された時、ＡｒＦエキシマレーザーが放出した１９３ｎｍの光が基盤により反射されるので、パターンの変形が起こるのである。このような変形を防ぎ、基盤との接着力を向上させるための手段として、有機物質の薄膜組成物を半導体の製造工程で使用する。又、ＬＣＤ製造工程ではカラーフィルター（Ｃｏｌｏｒ　Ｆｉｌｔｅｒ）の上部を保護するために薄膜技術を使用しており、一般的な生活家電や家具においても表面を保護するための手段として、上部に薄膜を使用している。
【０００３】
薄膜を製造する技術は、使用する触媒に応じて大きく２種に分類することができる。その第一方法としては、ラジカル開始剤を使用して薄膜を製造する技術である。この場合、主に使用されるレジンはアクリレート系であり、反応に参与する機能基は主に反応していないアクリレートである。また別の製造技術としては、カチオン触媒を使用して薄膜を製造する技術である。この場合、主に使用するレジンはエポキシ基が含まれているアクリレートである。エポキシ基は強酸により架橋反応が非常に容易に進行される機能基である。
【０００４】
ラジカル開始剤を用いて薄膜を製造する技術は、空気中の酸素を遮断しなければならないという煩わしさのある反面、カチオン触媒を用いて薄膜を製造する技術は、酸素を遮断しなくてもいいという長所がある。
カチオン触媒は、化合物の特性に応じて光により酸が発生される化合物と熱により酸が発生される化合物に分けられる。光により酸が発生される化合物には、オニウム塩系であるヨードニウム塩（ｉｏｄｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、スルホニウム塩（ｓｕｌｆｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩、そしてイミド類等がある。熱により酸が発生される化合物には、２次−アルキル−ｐ−トルエンスルホネートがある。
【０００５】
熱や酸により酸が発生される酸発生剤は、その用途に応じて適切な安定性と熱により分解される性質を共に持つべきである。熱や保管期間に応じて酸発生剤が容易に分解されると、商品としての価値を失うことになる。又、　熱的にあまりにも安定である場合、その反応性が劣り商品としての価値も劣る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような必要性を勘案して提案されたものであって、長期保管及び目的とする温度以下で安定した新規酸発生剤を提供することをその目的とする。
本発明のまた別の目的は、上記の新規酸発生剤を含有した薄膜組成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記のような目的は、下記一般式Ｉで表される新規酸発生剤により達成される。
［一般式Ｉ］

上記の一般式ＩにおいてＸはアルキル基またはアリール基（ａｒｙｌ　ｇｒｏｕｐ）であり、Ｒは水素原子、ヒドロキシ、アルコキシまたはアルキル基である。
【０００８】
以下では、一般式Ｉで表される新規酸発生剤の中から下記の構造式Ｉの酸発生剤を例として挙げて、一般式Ｉの酸発生剤の一般的な性質に関して説明する。構造式Ｉの酸発生剤は、一般式ＩにおいてＸがトルエン基である化合物である。
［構造式Ｉ］

【０００９】
上記の構造式Ｉで表される新規酸発生剤に熱または酸を加えると、約１１０℃で分解反応が起こることになり、その分解メカニズムは下記反応式Ｉの通りである。
［反応式Ｉ］

反応式Ｉに対して説明すると、構造式Ｉの化合物は熱または酸によりオレフィンとトルエンスルホン酸に分解される。この際に発生されたトルエンスルホン酸は、薄膜組成物で強酸としての役割を果たすことになる。図１は、ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）によって、新規な酸発生剤である上記構造式Ｉの構造を確認したものである。
【００１０】
反面、従来から使用されている一般的な２次−アルキル−ｐ−トルエンスルホネート（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ−ａｌｋｙｌ−ｐ−ｔｏｌｕｅｎｅ　ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）は、その分解温度がこれよりずっと高い約１５０℃である。このように分解温度が高い場合には、薄膜組成物にある揮発性化合物が容易に揮発される短所がある。
一方、上記の酸発生剤を含んでなる薄膜組成物の主要成分を考察してみると、酸により架橋反応が進行され得る機能基を持った化合物（以下“架橋剤”という）、酸発生剤、レジン、若干の添加剤、そしてこれらを溶解する溶媒からなっている。
【００１１】
架橋剤
　架橋剤は、酸や光またはラジカル開始剤により反応して、化合物本来の性質から変形されることを意味する。例えば、次の一般式ＩＩまたは一般式ＩＩＩで表される化合物が挙げられる。
［一般式ＩＩ］

［一般式ＩＩＩ］

［一般式ＩＶ］

【００１２】
上記の一般式ＩＩで、Ｒ_１とＲ_２はすべてアルキル基であり、ｍ／（ｍ＋ｎ）は０．３〜０．８の範囲である。
上記の一般式ＩＩＩで、Ｒ_３とＲ_４はすべて水素原子またはアルキル基であり、Ｒ_５は水素原子、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、エポキシアルキル基、アルコキシアルキル基またはヒドロキシ基である。そして、ｍ′／（ｍ′＋ｎ′）は０．２〜１．０の範囲である。
上記の一般式ＩＶで、Ｒ_６とＲ_８はすべて水素原子またはメチル基であり、Ｒ_７は水素原子、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、エポキシアルキル基、アルコキシアルキル基またはヒドロキシ基であり、Ｒ_９とＲ_１０はアルキル基である。そして、ｍ″／（ｍ″＋　ｎ″）は０．２〜１．０の範囲である。
【００１３】
一般式ＩＩの化合物はアクロレイン（ａｃｒｏｌｅｉｎ）ポリマーを、部分的にアルコールを用いてアセタール化（ａｃｅｔａｌｉｚａｔｉｏｎ）させたレジンである。この化合物は、酸触媒下でアルコール類やフェノール類と架橋反応をして、分子量の大きい化合物を生成させる。
一般式ＩＩＩの化合物は、一般的なラジカル反応で容易に合成することができる。この化合物は、テトラヒドロフルフリル基（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒｆｕｒｙｌ　ｇｒｏｕｐ）により架橋反応が進行される。この機能基は、強酸触媒の存在下で環（ｒｉｎｇ）が開環され架橋反応が進行される。単独でも進行されるが、アルコール類やフェノール類のような化合物とも架橋反応が進行される。
一般式ＩＶの化合物は、アクロレインポリマーが一般溶媒に溶けない短所を補完するために、別のモノマーとの共重合でその短所を改善したものである。このポリマーとこの中間体は、一般溶媒に非常によく溶ける長所がある。
【００１４】
酸発生剤
　酸発生剤は、化合物の特性に応じて、光により酸が発生される化合物と熱により酸が発生される化合物に分けられる。光により酸が発生される化合物には、オニウム塩系であるヨードニウム塩（ｉｏｄｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、スルホニウム塩（ｓｕｌｆｏｎｉｕｍｓａｌｔｓ）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩、そしてイミド類等がある。また別の種類である熱により酸が発生される化合物は２次−アルキル−ｐ−トルエンスルホネートがある。　薄膜の種類に応じて、光により酸が発生される酸発生剤を使用したり、熱により酸が発生される酸発生剤を使用したりする。熱により変形が起こり得る場合には、光により酸が発生される化合物を使用する方が好ましい。しかし、オニウム塩の場合、価格が高いという短所がある。場合によっては、組成物に対する溶解度が劣るオニウム塩もある。
【００１５】
一方、本発明による下記一般式Ｉで表される新規酸発生剤は、適切な安定性と熱による反応性を万遍なく備えた化合物である。
［一般式Ｉ］

上記の一般式Ｉで、Ｒは水素原子、ヒドロキシ、アルコキシまたはアルキル基である。
【００１６】
この化合物の特徴は、殆どすべての有機溶媒に対する溶解度が優秀であり製造が容易であって、薄膜製造の際に費用が節減されるという効果がある。また、別の長所としては、ノルボルネン（ｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ）化合物の特徴で熱により酸が発生される温度が、他の２次−アルキル基（例えば、シクロヘキシル基、イソプロピル基、そしてシクロペンチル基等）より低いことである。一般的な２次−アルキル基が１５０℃前後であることに比べて、ノルボルナニル基（ｎｏｒｂｏｒｎａｎｙｌ　ｇｒｏｕｐ）は１１０℃前後で酸を発生させる。温度範囲が重要な理由は、１３０℃以上で酸を発生させる場合、低分子添加剤のような化合物が揮発され、薄膜の物性を低下させる主なる原因となるためである。
【００１７】
一方、上記のような酸発生剤はオレフィンまたはエポキシ化合物と、アルキルスルホン酸またはアリールスルホン酸（ａｒｙｌ　ｓｕｌｆｏｎｉｃ　ａｃｉｄ）を反応させて製造され、より詳細な製造方法は合成例で扱う。酸発生剤の合成に関して簡単に説明すると、下記反応式の通りである。

【００１８】
ノルボルネンとトルエンスルホン酸との反応は非常に遅く進行されるので、温度を７０℃前後に上昇させなければならない。しかし、エポキシド化合物との反応は、０℃前後でも非常に速く進行される。２つの化合物共に反応が終わった後、一般有機溶媒を使用して簡単に再結晶して使用することができる。
上記のような、本発明の酸発生剤だけでも薄膜の製造が十分可能であるが、薄膜の物性または別の用途として使用するために、オニウム塩系であるヨードニウム塩（ｉｏｄｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、スルホニウム塩（ｓｕｌｆｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩、そしてイミド類等を若干添加する場合もある。
【００１９】
レジン及び添加剤
　架橋剤自体がレジンから形成されている場合には、用途に応じては別途のレジンを使用する必要がない。しかし、要求される物性を最適化するためには、別途のレジンを必要とする場合もある。例えば、半導体の製造工程に使用される下肢反射防止膜（ｂｏｔｔｏｍ　ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｃｏａｔｉｎｇ）のような場合には、特定領域のＵＶが吸収できるレジンや化合物を使用しなければならない。例えば、１９３ｎｍのＵＶを吸収するためには、芳香族機能基を導入したレジンや化合物を使用しなければならず、２４８ｎｍのＵＶを吸収するためには、アントラセンのような機能基を導入したレジンや化合物を使用しなければならない。１９３ｎｍのＵＶを吸収するレジンを、例えば、ポリヒドロキシスチレン（ｐｏｌｙｈｙｄｒｏｘｙｓｔｙｒｅｎｅ）、ポリアクリレートまたはポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）等が挙げられる。
【００２０】
添加剤としては、薄膜の強度を調節するための可塑剤、架橋反応が効果的に進行されるためのポリヒドロキシ化合物またはエポキシ化合物、薄膜を均一にして溶液を均一に混合するための界面活性剤、そして半導体製造工程の反射防止膜として本組成物が使用される場合には、光により酸が発生されるオニウム系であるヨードニウム塩（ｉｏｄｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、スルホニウム塩（ｓｕｌｆｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔｓ）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩、そしてイミド類等を添加することができる。
【００２１】
薄膜組成物が均一であり平坦な塗布膜を得るためには、適当な蒸発速度と粘性を持った溶媒に溶解させて使用しなければならない。このような物性を持った溶媒としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、メチル２−ヒドロキシプロピオネート、エチル２−ヒドロキシプロピオネート、２−ヘプタノン、エチルラクテートまたはγ−ブチロラクトン等があり、場合によってはこれらの中、２種以上の混合溶媒を使用する。溶媒の使用量は溶媒の物性、つまり揮発性、粘度などに応じて適当量を使用して均一に形成できるように調節する。
【００２２】
【実施例】
以下、下記の合成例及び実施例を通じて本発明をさらに具体的に説明する。しかし、本発明がこれらの合成例と実施例により限定されるものではない。
【００２３】
［合成例１］　構造式Ｉで表される酸発生剤の合成
［構造式Ｉ］

ノルボルネン１００ｇとトルエンスルホン酸１００ｇを１リットルフラスコに入れた後、５００ｍｌのクロロホルムを入れて溶解させた。この溶液を７０℃に昇温して５時間攪拌した。５時間が経過してから溶液を常温に下げた後、Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液で洗浄した。洗浄された有機層を蒸留水で２回以上洗浄した後、溶媒を完全に除去した。溶媒が除去された反応混合物を過量のヘキサンに溶かした後、−１０℃まで冷却すると白色固体が徐々に生成されるが、この固体を濾過してから乾燥して構造式Ｉの化合物１３０ｇを得た。
【００２４】
［合成例２］　構造式ＩＩで表される重合体の合成
［構造式ＩＩ］

アクロレイン（ａｃｒｏｌｅｉｎ）５０ｇとエチレアセテート１００ｍｌを２５０ｍｌのフラスコに入れた後、ＡＩＢＮ　６ｇを入れて溶かした。この溶液を７０℃まで昇温して１２時間攪拌させ、この反応混合物を常温まで冷却させた後、生成された固体成分を濾過して乾燥した。乾燥された固体成分を５００ｍｌのフラスコに入れた後、２００ｍｌのメタノールと０．２ｇの硫酸を入れて６０℃で１５時間攪拌させた。この溶液を常温まで冷却させた後、０．５ｍｌのトリエチルアミンで中和させた。中和された溶液を過量の蒸留水に徐々に滴下させると白色固体が生成され、この固体成分を濾過して乾燥させて、ｍ値が０．６前後である構造式ＩＩの重合体５８ｇを得た。
【００２５】
［合成例３］　構造式ＩＩＩで表される重合体の合成
［構造式ＩＩＩ］

テトラヒドロフルフリルメタクリレート（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒｆｕｒｙｌ　ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）１６ｇとアクロレイン５ｇを６０ｍｌイソプロピルアルコールに溶かした後、ＡＩＢＮ　０．８ｇを入れて７０℃まで昇温させた。この温度で８時間攪拌した後、常温まで冷却して過量の蒸留水に徐々に滴下させた。この際に生成された固体成分を乾燥させて、ｍ′値が０．７前後である構造式ＩＩＩの重合体１８ｇを得た。
【００２６】
［合成例４］　構造式ＩＶで表される重合体の合成
［構造式ＩＶ］

メチルアクリレーと１００ｇとアクロレイン１００ｇ、そしてＡＩＢＮ　１０ｇをジオキサン４００ｇに溶かした後、反応温度を７０℃まで昇温させた。この温度で１５時間攪拌した後、未反応モノマーと溶媒であるジオキサン真空蒸留で除去した。この反応基にメタノール４００ｇと硫酸１ｇを入れた後、同温度で８時間反応させた。この反応物を常温まで冷却させた後、過量の蒸留水に徐々に滴下させた。この際に生成された固体成分を乾燥させて、ｍ′値が０．４前後である構造式ＩＶの重合体２１０ｇを得た。
【００２７】
［合成例５］　構造式Ｖで表される重合体の合成
［構造式Ｖ］

テトラヒドロフルフリルメタクリレート（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒｆｕｒｙｌ　ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）５０ｍｌとメチルメタクリレート３３ｇをアセトン１００ｍｌに溶かした後、ＡＩＢＮ　６ｇを入れた後、６５℃まで昇温させた。この温度で６時間攪拌させた後、常温まで冷却して３００ｍｌのアセトンをさらに入れて溶かした後、過量の蒸留水に徐々に滴下させた。この際に生成された固体成分を乾燥して、ｍ′値が０．６前後である構造式Ｖの重合体７６ｇを得た。
【００２８】
［実施例１］
合成例２で得られた重合体０．６ｇ、合成例１で得られた酸発生剤０．１ｇ、そしてポリヒドロキシスチレン（ｐｏｌｙｈｙｄｒｏｘｙｓｔｙｒｅｎｅ）０．４ｇをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート４５ｇに溶解した後、０．２ｕｍ膜フィルターで濾過して薄膜組成物を調製した。得られた組成物を基盤上に回転塗布して、１９０℃で９０秒間加熱して薄膜（１９３ｎｍの光が反射されることを防いでくれる反射防止膜）を形成させた。形成された薄膜上にＡｒＦレジストを回転塗布して、１１０℃で９０秒間加熱して多層薄膜を形成した。この基盤をＡｒＦエキシマレーザー露光装置を用いて露光させた後、１３０℃で９０秒間熱処理した。基盤を冷却させた後、２．３８重量％のテトラアンモニウムヒドロキシド水溶液で４０秒間現像、洗浄、乾燥してレジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンの接着性は非常に良好であり、０．１３ｕｍの解像度で垂直性が非常に優秀なパターンプロファイルを得た。
【００２９】
［比較例１］
薄膜組成物を使用していない基盤上にＡｒＦレジストを回転塗布して、１１０℃で９０秒間加熱して薄膜を形成した。この基盤をＡｒＦエキシマレーザー露光装置を用いて露光させた後、１３０℃で９０秒間熱処理した。基盤を冷却させた後、２．３８重量％のテトラアンモニウムヒドロキシド水溶液で４０秒間現像、洗浄、乾燥してレジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンは０．１５ｕｍ以下のパターンでは、接着性が劣りパターンが離脱される現象が観察された。そして、０．１８ｕｍの解像度ではパターンプロファイルの横面が均一ではない現象が観察された。
【００３０】
［実施例２］
実施例１において、合成例２で得られた重合体の代わりに、合成例３で得られた重合体０．６を使用したほかには、実施例１と同様な方法で実施した。その結果、レジストパターンの接着性は非常に良好であり、０．１３ｕｍの解像度で垂直性が非常に優秀なパターンプロファイルを得た。
【００３１】
［実施例３］
実施例１において、合成例２で得られた重合体の代わりに、合成例４で得られた重合体０．６を使用したほかには、実施例１と同様な方法で実施した。その結果、レジストパターンの接着性は非常に良好であり、０．１２ｕｍの解像度で垂直性が非常に優秀なパターンプロファイルを得た。
【００３２】
［実施例４］
実施例１において、合成例２で得られた重合体０．６ｇの代わりに、合成例５で得られた重合体０．６を使用したほかには、実施例１と同様な方法で実施した。その結果、レジストパターンの接着性は非常に良好であり、０．１１ｕｍの解像度で垂直性が非常に優秀なパターンプロファイルを得た。
【００３３】
［実施例５］
実施例４において、界面活性剤（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ　ｅｔｈｅｒ　ｔｙｐｅ）５０ｐｐｍを追加的に使用したほかには、実施例４と同様な方法で実施した。その結果、レジストパターンの接着性は非常に良好であり、０．１１ｕｍの解像度で垂直性が非常に優秀なパターンプロファイルを得た。
【００３４】
［実施例６］
合成例５で得られた重合体２ｇと合成例１で得られた酸発生剤０．００１ｇをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート５０ｇに溶解した後、０．２ｕｍの膜フィルターで濾過して薄膜組成物を調製した。得られた組成物は、ガラス基盤上に回転塗布して１９０℃で９０秒間加熱して薄膜を形成した。形成された薄膜は非常に均一であり、一般有機溶媒には溶けない被膜を形成した。
【００３５】
［実施例７］
実施例６において、グリセロール０．２を追加的に使用したほかには、実施例６と同様な方法で実施した。その結果形成された薄膜は非常に均一であり、一般有機溶媒には溶けない被膜を形成した。
【００３６】
【発明の効果】
上記のような本発明の酸発生剤は、相対的に低い温度の熱により酸を発生させるので、組成物内の一部成分が揮発され組成比が変化されることが防止できる。従って、組成物の成分比制御及び目的とする特性を持つ薄膜の製造が容易になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】新規な酸発生剤のＮＭＲ結果である。

Claims (8)

1. 下記一般式Ｉで表される化合物。
   ［一般式　Ｉ］
   

   

   一般式ＩにおいてＸはアルキル基またはアリール基（ａｒｙｌ　ｇｒｏｕｐ）であり、Ｒは水素原子、ヒドロキシ、アルコキシまたはアルキル基である。
2. オレフィン化合物またはエポキシ化合物と、アルキルスルホン酸またはアリールスルホン酸（ａｒｙｌ　ｓｕｌｆｏｎｉｃ　ａｃｉｄ）を反応させて請求項１記載の化合物を製造する方法。
3. 請求項１記載の化合物、架橋剤、レジン、添加剤及び溶剤を含む薄膜組成物。
4. 上記のレジンは、ポリヒドロキシスチレン、ポリスチレン及びポリアクリレート類の中から少なくとも１種が選ばれることを特徴とする、請求項３記載の薄膜組成物。
5. 請求項１記載の化合物、架橋剤、添加剤及び溶剤を含む薄膜組成物。
6. 上記の架橋剤は、下記一般式ＩＩで表される重合体を含むことを特徴とする、請求項３または５記載の薄膜組成物。
   ［一般式ＩＩ］
   

   

   上記の一般式ＩＩおいてＲ_１とＲ_２はすべてアルキルであり、ｍ／（ｍ＋ｎ）は０．３〜０．８の範囲である。
7. 上記の架橋剤は、下記一般式ＩＩＩで表される重合体を含むことを特徴とする、請求項３または５記載の薄膜組成物。
   ［一般式ＩＩＩ］
   

   

   上記の一般式ＩＩＩにおいてＲ_３とＲ_４はすべて水素原子またはアルキル基であり、Ｒ_５は水素原子、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、エポキシアルキル基、アルコキシアルキル基またはヒドロキシ基である。そして、ｍ／（ｍ＋ｎ）は０．２〜１．０の範囲である。
8. 上記の架橋剤は、下記一般式ＩＶで表される重合体を含むことを特徴とする、請求項３または５記載の薄膜組成物。
   ［一般式ＩＶ］
   

   

   上記の一般式ＩＶにおいてＲ_６とＲ_８はすべて水素原子またはメチル基であり、Ｒ_７は水素原子、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、エポキシアルキル基、アルコキシアルキル基またはヒドロキシ基であり、Ｒ_９とＲ_１０はアルキル基である。そして、ｍ″／（ｍ″＋　ｎ″）は０．２〜１．０の範囲である。

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