JP2003536267A - 改善された磁場範囲を有する磁気多層構造 - Google Patents
改善された磁場範囲を有する磁気多層構造Info
- Publication number
- JP2003536267A JP2003536267A JP2002503863A JP2002503863A JP2003536267A JP 2003536267 A JP2003536267 A JP 2003536267A JP 2002503863 A JP2002503863 A JP 2002503863A JP 2002503863 A JP2002503863 A JP 2002503863A JP 2003536267 A JP2003536267 A JP 2003536267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- layers
- magnetic
- ferromagnetic
- aaf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 66
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 13
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 129
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011093 chipboard Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
例えば、自動車用途において必要とされる、フリー強磁性層及びピン強磁性層を具え、広い磁場範囲を有する、ロバストＧＭＲ又はＴＭＲ効果タイプ多層構造を説明する。改善を、前記ピン層としての交換バイアス人工反強磁性体において奇数の隣接しない強磁性層を使用することによって得る。
Description
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果を与えるフリー強磁性層及びピン強磁性層を乗せた基
板を具える磁気抵抗装置に関し、前記ピン層は、人工反強磁性層システム（ＡＡ
Ｆ）及び交換バイアス層を具え、前記交換バイアス層が前記ＡＡＦ層システムに
隣接して、磁気的に作用する。
板を具える磁気抵抗装置に関し、前記ピン層は、人工反強磁性層システム（ＡＡ
Ｆ）及び交換バイアス層を具え、前記交換バイアス層が前記ＡＡＦ層システムに
隣接して、磁気的に作用する。
【０００２】
巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）及びスピントンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）装置のような
スピンバルブ構造は、最近広範囲に研究され、多くの開示の主題であった。ＧＭ
Ｒ装置及びＴＭＲ装置は、基礎的なビルディングブロックとして、非磁性材料の
分離層によって分離された２つの強磁性層を具える。この構造を、磁気装置の基
本ＧＭＲ又はＴＭＲスタックと呼び、又は、ＧＭＲ又はＴＭＲ構造と呼ぶ。この
ような構造は、磁気抵抗特性を有し、ＧＭＲ又はＴＭＲ効果を示す。前記分離層
は、ＧＭＲ装置に関しては非強磁性材料層であり、ＴＭＲ装置に関しては非金属
、好適には絶縁層である。前記絶縁層を覆って、前記２つの強磁性層間の磁気結
合が存在する。ＴＭＲ装置における絶縁層は、前記２つの強磁性層間の電子の量
子力学的トンネリングの有意な可能性を与える。前記２つの強磁性層のうち、一
方は、いわゆるフリー層であり、他方は、いわゆるピン層である。前記フリー層
は、好適には実際的に前記ピン層の磁化方向を変化するのに必要な磁場の強度よ
り低い強度で加えられた磁場によって変化させることができる磁化方向を有する
層である。したがって、前記ピン層は、どちらかというと固定された磁化方向を
有し、前記フリー層の磁化方向を、外部から加えられた磁場の元でかなり容易に
変化させることができる。前記フリー層の磁化の変化は、前記ＴＭＲ又はＧＭＲ
装置の抵抗を変化させる。これは、結果として、これらの装置のいわゆる磁気抵
抗効果を生じる。これらの磁気装置の特定を、異なった方法において利用するこ
とができる。例えば、ＧＭＲ効果を利用するスピンバルブ読み出し素子を、進歩
的なハードディスク薄膜ヘッドに使用することができる。また、スタンドアロー
ン又は不揮発性埋め込みメモリ装置のような磁気メモリ装置を、前記ＧＭＲ又は
ＴＭＲ素子を基礎として作ることができる。このようなメモリ装置の一例は、Ｍ
ＲＡＭ装置である。他の用途は、磁気特性に関するセンサ装置又はシステムであ
る。このようなセンサは、例えば、アンチロックブレーキングシステム（ＡＢＳ
）又は自動車用途において使用される。
スピンバルブ構造は、最近広範囲に研究され、多くの開示の主題であった。ＧＭ
Ｒ装置及びＴＭＲ装置は、基礎的なビルディングブロックとして、非磁性材料の
分離層によって分離された２つの強磁性層を具える。この構造を、磁気装置の基
本ＧＭＲ又はＴＭＲスタックと呼び、又は、ＧＭＲ又はＴＭＲ構造と呼ぶ。この
ような構造は、磁気抵抗特性を有し、ＧＭＲ又はＴＭＲ効果を示す。前記分離層
は、ＧＭＲ装置に関しては非強磁性材料層であり、ＴＭＲ装置に関しては非金属
、好適には絶縁層である。前記絶縁層を覆って、前記２つの強磁性層間の磁気結
合が存在する。ＴＭＲ装置における絶縁層は、前記２つの強磁性層間の電子の量
子力学的トンネリングの有意な可能性を与える。前記２つの強磁性層のうち、一
方は、いわゆるフリー層であり、他方は、いわゆるピン層である。前記フリー層
は、好適には実際的に前記ピン層の磁化方向を変化するのに必要な磁場の強度よ
り低い強度で加えられた磁場によって変化させることができる磁化方向を有する
層である。したがって、前記ピン層は、どちらかというと固定された磁化方向を
有し、前記フリー層の磁化方向を、外部から加えられた磁場の元でかなり容易に
変化させることができる。前記フリー層の磁化の変化は、前記ＴＭＲ又はＧＭＲ
装置の抵抗を変化させる。これは、結果として、これらの装置のいわゆる磁気抵
抗効果を生じる。これらの磁気装置の特定を、異なった方法において利用するこ
とができる。例えば、ＧＭＲ効果を利用するスピンバルブ読み出し素子を、進歩
的なハードディスク薄膜ヘッドに使用することができる。また、スタンドアロー
ン又は不揮発性埋め込みメモリ装置のような磁気メモリ装置を、前記ＧＭＲ又は
ＴＭＲ素子を基礎として作ることができる。このようなメモリ装置の一例は、Ｍ
ＲＡＭ装置である。他の用途は、磁気特性に関するセンサ装置又はシステムであ
る。このようなセンサは、例えば、アンチロックブレーキングシステム（ＡＢＳ
）又は自動車用途において使用される。
【０００３】
磁気抵抗センサは、米国特許明細書第５６８６８３７号から既知である。特定
の磁気抵抗センサは、いわゆるＧＭＲ効果を使用する。巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）
は、ある材料（例えば、磁気多層）の抵抗が（例えば、異なった層の）磁化方向
間の角度に依存するという現象である。ＧＭＲ材料システムの例は、交換バイア
ススピンバルブと人工反強磁性体（ＡＡＦ）からなる多層である。好適には、こ
れらのようなセンサ（特に、自動車及び工業用途）は、広い磁場範囲において動
作すべきである。したがって、磁気抵抗は、高い磁場まで関係すべきである。ア
ナログセンサに関して特に、出力信号が大きい磁場間隔に渡って磁場強度と無関
係である場合、有利である。
の磁気抵抗センサは、いわゆるＧＭＲ効果を使用する。巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）
は、ある材料（例えば、磁気多層）の抵抗が（例えば、異なった層の）磁化方向
間の角度に依存するという現象である。ＧＭＲ材料システムの例は、交換バイア
ススピンバルブと人工反強磁性体（ＡＡＦ）からなる多層である。好適には、こ
れらのようなセンサ（特に、自動車及び工業用途）は、広い磁場範囲において動
作すべきである。したがって、磁気抵抗は、高い磁場まで関係すべきである。ア
ナログセンサに関して特に、出力信号が大きい磁場間隔に渡って磁場強度と無関
係である場合、有利である。
【０００４】
交換バイアススピンバルブは、貧弱な熱安定性を示し、又は、小さすぎる磁場
範囲を有する。他方において、ＡＡＦは、制限された磁場までのみ安定である。
より高い磁場において、出力特性はさらにフリップするかもしれず、これは、安
全問題のため、許容し得ない。
範囲を有する。他方において、ＡＡＦは、制限された磁場までのみ安定である。
より高い磁場において、出力特性はさらにフリップするかもしれず、これは、安
全問題のため、許容し得ない。
【０００５】
本発明の目的は、ＧＭＲ又はＴＭＲ装置の実際的な適用を可能にするために、
広い磁場範囲において実際的に一定の出力信号を与える磁気抵抗装置を提供する
ことである。
広い磁場範囲において実際的に一定の出力信号を与える磁気抵抗装置を提供する
ことである。
【０００６】
上記目的は、磁気抵抗効果を与えるフリー層及びピン層を載せた基板を具え、
前記ピン層が人工反磁性層システム（ＡＡＦ）を具え、前記基板が交換バイアス
層も載せ、前記交換バイアス層が前記ＡＡＦ層システムに隣接し、前記ＡＡＦ層
システムに磁気的に作用し、前記ＡＡＦ層システムが、３以上の奇数の隣接しな
い強磁性層を有する、磁気抵抗装置によって満たされる。隣接しないことによっ
て、前記強磁性層を、互いに非磁性層によって分離する。各々の強磁性層自身は
、いくつかのサブ層、例えば、強磁性サブ層のスタックから成ってもよい。前記
ＡＡＦにおける奇数の強磁性層は、きわめて大きい磁場範囲を与える。人工反強
磁性ＡＡＦは、前記強磁性層の磁化方向が外部磁場の不在において逆平行である
交換結合のような材料及び層厚の選択を通じて有する交互の強磁性層及び非磁性
層を具える層構造である。各々の強磁性層は、強磁性層の他の組を具えることが
できる。前記ＡＡＦは、ピン層とフリー層との間の静磁場結合を減少させる。前
記ＡＡＦは、きわめて小さい正味の磁気モーメント（理論的には、理想的な場合
においてゼロ）のため、磁場において大きい剛性をも与えるが、２つの反対方向
において安定である。
前記ピン層が人工反磁性層システム（ＡＡＦ）を具え、前記基板が交換バイアス
層も載せ、前記交換バイアス層が前記ＡＡＦ層システムに隣接し、前記ＡＡＦ層
システムに磁気的に作用し、前記ＡＡＦ層システムが、３以上の奇数の隣接しな
い強磁性層を有する、磁気抵抗装置によって満たされる。隣接しないことによっ
て、前記強磁性層を、互いに非磁性層によって分離する。各々の強磁性層自身は
、いくつかのサブ層、例えば、強磁性サブ層のスタックから成ってもよい。前記
ＡＡＦにおける奇数の強磁性層は、きわめて大きい磁場範囲を与える。人工反強
磁性ＡＡＦは、前記強磁性層の磁化方向が外部磁場の不在において逆平行である
交換結合のような材料及び層厚の選択を通じて有する交互の強磁性層及び非磁性
層を具える層構造である。各々の強磁性層は、強磁性層の他の組を具えることが
できる。前記ＡＡＦは、ピン層とフリー層との間の静磁場結合を減少させる。前
記ＡＡＦは、きわめて小さい正味の磁気モーメント（理論的には、理想的な場合
においてゼロ）のため、磁場において大きい剛性をも与えるが、２つの反対方向
において安定である。
【０００７】
前記交換バイアス層は、例えば、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＯ、又
は、最も好適にはＩｒＭｎタイプの材料を具えてもよい。ＩｒＭｎのブロッキン
グ温度は、ＦｅＭｎのブロッキング温度より高く、ＮｉＭｎと違って、アニール
処理は必要ない。前記ブロッキング温度は、それより上では、反強磁性ＩｒＭｎ
タイプ層と前記ピン層との間の交換バイアスが消える（ゼロに減少する）温度で
ある。
は、最も好適にはＩｒＭｎタイプの材料を具えてもよい。ＩｒＭｎのブロッキン
グ温度は、ＦｅＭｎのブロッキング温度より高く、ＮｉＭｎと違って、アニール
処理は必要ない。前記ブロッキング温度は、それより上では、反強磁性ＩｒＭｎ
タイプ層と前記ピン層との間の交換バイアスが消える（ゼロに減少する）温度で
ある。
【０００８】
前記ＡＡＦは、Ｃｏ／非磁性金属／Ｃｏ／非磁性金属／Ｃｏシステムを具えて
もよいが、好適には、異方性を誘導することができるため、ＣｏＦｅ／非磁性金
属／ＣｏＦｅ／非磁性金属／ＣｏＦｅシステムを使用する。
もよいが、好適には、異方性を誘導することができるため、ＣｏＦｅ／非磁性金
属／ＣｏＦｅ／非磁性金属／ＣｏＦｅシステムを使用する。
【０００９】
前記ＡＡＦにおける非磁性金属を、好適には、Ｒｕとし、このＲｕは、強い結
合を与え、きわめて安定している（酸化しない、拡散しない）ように思われ、こ
れは、前記ＡＡＦスタックにおける最も薄く最も臨界的な層の限定に関してきわ
めて重要である。
合を与え、きわめて安定している（酸化しない、拡散しない）ように思われ、こ
れは、前記ＡＡＦスタックにおける最も薄く最も臨界的な層の限定に関してきわ
めて重要である。
【００１０】
拡散の除去のため、Ｎｉを好適には、Ｃｕとのすべての接触面において避ける
。好適には、ＣｏＦｅをＮｉＦｅの代わりに使用する。さらに、これは、ＧＭＲ
比を増加する。Ｃｏと比べると、ＣｏＦｅは、前記フリー層においてより低い保
磁力（と、より良好なテクスチャ）を与える。
。好適には、ＣｏＦｅをＮｉＦｅの代わりに使用する。さらに、これは、ＧＭＲ
比を増加する。Ｃｏと比べると、ＣｏＦｅは、前記フリー層においてより低い保
磁力（と、より良好なテクスチャ）を与える。
【００１１】
交換バイアス場は、慣例的なスピンバルブにおける反転におけるより大きく、
したがって、前記交換バイアス層を、好適には前記基板の近くに置く。しかしな
がら、この場合において、要求されたテクスチャを得るのにバッファ層が必要で
あってもよい。調査は、（例えば、３．５ｎｍ）Ｔａ上の（２ｎｍ）ＮｉＦｅが
好適であることを示した。
したがって、前記交換バイアス層を、好適には前記基板の近くに置く。しかしな
がら、この場合において、要求されたテクスチャを得るのにバッファ層が必要で
あってもよい。調査は、（例えば、３．５ｎｍ）Ｔａ上の（２ｎｍ）ＮｉＦｅが
好適であることを示した。
【００１２】
本発明による磁気抵抗装置を、例えば、位置検知、アナログ角度検知又は回転
速度検知用センサ、又は、読み出しヘッドにおいて使用してもよい。本発明によ
る磁気抵抗装置を、データ格納装置において、例えば、好適には、半導体基板上
に集積されているＭＲＡＭ構造のような磁気メモリ構造の一部として使用しても
よい。
速度検知用センサ、又は、読み出しヘッドにおいて使用してもよい。本発明によ
る磁気抵抗装置を、データ格納装置において、例えば、好適には、半導体基板上
に集積されているＭＲＡＭ構造のような磁気メモリ構造の一部として使用しても
よい。
【００１３】
上述したように、提案した交換バイアスＡＡＦを、データ格納システムにおい
て使用してもよい。本発明の一実施形態は、データ格納システム全体の１個の半
導体（シリコン）チップへの集積を含み、前記チップは、該チップ上に成長又は
堆積されている多層構成を有する。前記多層構成を、前記チップを形成するプロ
セスのフロントエンド又はバックエンドにおいて、前記チップ上に成長又は堆積
させることができる。バックエンドプロセスにおいて、前記チップの一部を平面
にし、前記多層構成をその上に堆積又は成長させる。前記多層構成の信号を、信
号処理ロジックを含む前記チップの一部に伝送するために、ボンディング又はビ
ア構造による適切な接続を行う。フロントエンドプロセスにおいて、前記多層構
成を、半導体（シリコン）上に直接集積する。
て使用してもよい。本発明の一実施形態は、データ格納システム全体の１個の半
導体（シリコン）チップへの集積を含み、前記チップは、該チップ上に成長又は
堆積されている多層構成を有する。前記多層構成を、前記チップを形成するプロ
セスのフロントエンド又はバックエンドにおいて、前記チップ上に成長又は堆積
させることができる。バックエンドプロセスにおいて、前記チップの一部を平面
にし、前記多層構成をその上に堆積又は成長させる。前記多層構成の信号を、信
号処理ロジックを含む前記チップの一部に伝送するために、ボンディング又はビ
ア構造による適切な接続を行う。フロントエンドプロセスにおいて、前記多層構
成を、半導体（シリコン）上に直接集積する。
【００１４】
本発明のデータ格納システムの層を、分子ビームエピタキシ又はＭＯＣＶＤ、
又はスパッタ堆積、又は当業者には既知の何らかのこのような堆積技術によって
堆積することができる。
又はスパッタ堆積、又は当業者には既知の何らかのこのような堆積技術によって
堆積することができる。
【００１５】
本発明のデータ格納システムを、磁気メモリ素子又は磁気メモリ装置とするこ
とができ、埋め込み不揮発性磁気メモリ素子を有するＭＲＡＭ又はＡＳＩＣ、又
はチップカード、又は他のこのようなデータ格納システムのような、メモリ機能
を有するコンピュータ又は集積回路とすることもできる。本発明のデータ格納シ
ステムの構造の組を、前記システムの基本ＧＭＲ又はＴＭＲスタック上にさらに
構築する多層構成において形成することができる。このような構成、又は他の構
成におけるように、前記構成の組を、半導体基板上に集積されたＭＲＡＭ構造の
一部とすることができる。前記構造の組を、半導体基板上に集積された不揮発性
磁気メモリ構造とすることもできる。前記ＭＲＡＭデータ格納システムは、ＣＭ
ＯＳキャパシタに置き換わり、慣例的な半導体チップ環境において埋め込まれる
磁気トンネル接合又はＧＭＲスピンバルブを基礎とすることができる。代表的な
ＭＲＡＭセルユニットは、電子がトンネルすることができる薄い非磁性絶縁体に
よって分離された磁性材料の層から成る（基本ＴＭＲスタック）。前記磁性層に
おける磁気配向を、磁場を加えることによって別々に制御することができる。前
記磁場を、電流パルスを前記ＭＲＡＭセルの次の、又はこれに組み込まれた薄い
ワイアに通すことによって形成する。前記磁性層が同じ向きを有する場合、電流
は、これらの間をトンネルし、前記向きが異なる場合より容易に前記絶縁体を通
過する。したがって、前記セルを、バイナリ０及び１を表す２つの状態間で切り
替えることができる。例として、Ｃｏ／Ａｌ酸化物／ＮｉＦｅトンネル接合のト
ンネル特性は、平行状態に比べて反平行磁気配向に関して、有意により大きい抵
抗を示す。前記２つの状態間のしきい値は、前記磁性層の保磁電界（Ｈｃ（Ｃｏ
）＝１．６ｋＡ／ｍ及びＨｃ（ＮｉＦｅ）＝０．３５ｋＡ／ｍ）によって結成さ
れ、前記材料及び厚さの選択によって調節することができる。本例において、す
べての層を、マグネトロンスパッタリングによって堆積することができる。前記
Ａｌ酸化物層を、純粋Ｏ２中で、１００ミリバール圧において、６０−１８０秒
間、プラズマ酸化させることができる。これらの膜のｒｍｓ粗さは、信号高さに
対して重大であり、０．３ｎｍ未満である。
とができ、埋め込み不揮発性磁気メモリ素子を有するＭＲＡＭ又はＡＳＩＣ、又
はチップカード、又は他のこのようなデータ格納システムのような、メモリ機能
を有するコンピュータ又は集積回路とすることもできる。本発明のデータ格納シ
ステムの構造の組を、前記システムの基本ＧＭＲ又はＴＭＲスタック上にさらに
構築する多層構成において形成することができる。このような構成、又は他の構
成におけるように、前記構成の組を、半導体基板上に集積されたＭＲＡＭ構造の
一部とすることができる。前記構造の組を、半導体基板上に集積された不揮発性
磁気メモリ構造とすることもできる。前記ＭＲＡＭデータ格納システムは、ＣＭ
ＯＳキャパシタに置き換わり、慣例的な半導体チップ環境において埋め込まれる
磁気トンネル接合又はＧＭＲスピンバルブを基礎とすることができる。代表的な
ＭＲＡＭセルユニットは、電子がトンネルすることができる薄い非磁性絶縁体に
よって分離された磁性材料の層から成る（基本ＴＭＲスタック）。前記磁性層に
おける磁気配向を、磁場を加えることによって別々に制御することができる。前
記磁場を、電流パルスを前記ＭＲＡＭセルの次の、又はこれに組み込まれた薄い
ワイアに通すことによって形成する。前記磁性層が同じ向きを有する場合、電流
は、これらの間をトンネルし、前記向きが異なる場合より容易に前記絶縁体を通
過する。したがって、前記セルを、バイナリ０及び１を表す２つの状態間で切り
替えることができる。例として、Ｃｏ／Ａｌ酸化物／ＮｉＦｅトンネル接合のト
ンネル特性は、平行状態に比べて反平行磁気配向に関して、有意により大きい抵
抗を示す。前記２つの状態間のしきい値は、前記磁性層の保磁電界（Ｈｃ（Ｃｏ
）＝１．６ｋＡ／ｍ及びＨｃ（ＮｉＦｅ）＝０．３５ｋＡ／ｍ）によって結成さ
れ、前記材料及び厚さの選択によって調節することができる。本例において、す
べての層を、マグネトロンスパッタリングによって堆積することができる。前記
Ａｌ酸化物層を、純粋Ｏ２中で、１００ミリバール圧において、６０−１８０秒
間、プラズマ酸化させることができる。これらの膜のｒｍｓ粗さは、信号高さに
対して重大であり、０．３ｎｍ未満である。
【００１６】
磁気格納に関して、前記磁性層の１つの方向を、反強磁性体によって固定し続
けることができる。ＭＲＡＭにおけるデータを磁気的に格納するため、データは
、前記装置が電力供給されていてもいなくても保持され、すなわち、不揮発性で
ある。ＭＲＡＭの利点は、信号高さが磁気トンネル接合のセル面積に比例しない
ため、今日のスタティックＲＡＭより速い速度と、ＤＲＡＭより高い密度とを含
む。読み出し／書き込み時間を、１０ナノ秒、今日の最速のＲＡＭメモリの約６
倍ほどに短くすることができる。さらに、比較的簡単な原理は、回路設計におけ
るより柔軟さを可能にする。
けることができる。ＭＲＡＭにおけるデータを磁気的に格納するため、データは
、前記装置が電力供給されていてもいなくても保持され、すなわち、不揮発性で
ある。ＭＲＡＭの利点は、信号高さが磁気トンネル接合のセル面積に比例しない
ため、今日のスタティックＲＡＭより速い速度と、ＤＲＡＭより高い密度とを含
む。読み出し／書き込み時間を、１０ナノ秒、今日の最速のＲＡＭメモリの約６
倍ほどに短くすることができる。さらに、比較的簡単な原理は、回路設計におけ
るより柔軟さを可能にする。
【００１７】
本発明の他の態様による感知システムを、磁気センサ装置や、ハードディスク
用ＧＭＲ薄膜ヘッドのような磁気読み出しヘッドや、磁気特性の信号、又は、測
定値、又は、その派生物を処理する信号処理エレクトロニクスを含むなにかこの
ようなシステムとすることができる。本発明の感知システムの構造の組を、前記
システムの基本ＧＭＲ又はＴＭＲスタック上にさらに構築する多層構成において
形成することができる。したがって、前記システムの少なくとも一部は、標準的
な製造プロセスを著しく変えることなしに製造可能であり、これにより、前記シ
ステムの少なくとも一部を、低コストで形成することができる。本発明の一実施
形態において、前記感知システム全体をＡｌｓｉｍａｇ（酸化物の混合物）スラ
イダ上又は半導体（シリコン）チップ上に集積することができ、前記多層構成を
、前記チップ上に成長又は堆積する。前記多層構成を、前記チップを形成するプ
ロセスのフロントエンド又はバックエンドにおいて、前記チップ上に成長又は堆
積させることができる。前記バックエンドプロセスにおいて、前記チップの一部
を平坦化し、前記多層構成をその上に堆積又は成長させることができる。前記多
層構成の信号を、信号処理ロジックを含むチップの一部に伝送するために、ボン
ディング又はビア構造による適切な接続部を形成する。前記フロントエンドプロ
セスにおいて、前記多層構成を、前記半導体（シリコン）上に直接集積する。本
発明の感知システムを、メモリ機能及び集積された感知システムを有する集積回
路、埋め込み不揮発性磁気メモリ素子及び感知システムを有するＡＳＩＣ、感知
システムを有するチップボード、又は、何かこのような感知システムとすること
もできる。本発明の感知システムの構造の組を、前記システムの基本ＧＭＲ又は
ＴＭＲスタック上にさらに構築する多層構成において形成することができる。
用ＧＭＲ薄膜ヘッドのような磁気読み出しヘッドや、磁気特性の信号、又は、測
定値、又は、その派生物を処理する信号処理エレクトロニクスを含むなにかこの
ようなシステムとすることができる。本発明の感知システムの構造の組を、前記
システムの基本ＧＭＲ又はＴＭＲスタック上にさらに構築する多層構成において
形成することができる。したがって、前記システムの少なくとも一部は、標準的
な製造プロセスを著しく変えることなしに製造可能であり、これにより、前記シ
ステムの少なくとも一部を、低コストで形成することができる。本発明の一実施
形態において、前記感知システム全体をＡｌｓｉｍａｇ（酸化物の混合物）スラ
イダ上又は半導体（シリコン）チップ上に集積することができ、前記多層構成を
、前記チップ上に成長又は堆積する。前記多層構成を、前記チップを形成するプ
ロセスのフロントエンド又はバックエンドにおいて、前記チップ上に成長又は堆
積させることができる。前記バックエンドプロセスにおいて、前記チップの一部
を平坦化し、前記多層構成をその上に堆積又は成長させることができる。前記多
層構成の信号を、信号処理ロジックを含むチップの一部に伝送するために、ボン
ディング又はビア構造による適切な接続部を形成する。前記フロントエンドプロ
セスにおいて、前記多層構成を、前記半導体（シリコン）上に直接集積する。本
発明の感知システムを、メモリ機能及び集積された感知システムを有する集積回
路、埋め込み不揮発性磁気メモリ素子及び感知システムを有するＡＳＩＣ、感知
システムを有するチップボード、又は、何かこのような感知システムとすること
もできる。本発明の感知システムの構造の組を、前記システムの基本ＧＭＲ又は
ＴＭＲスタック上にさらに構築する多層構成において形成することができる。
【００１８】
本発明のこれら及び他の実施形態を、図面の参照と共に説明する。
【００１９】
本発明を、特定の実施形態及び特定の図面の参照と共に説明するが、本発明は
、これらに限定されず、請求項によってのみ限定される。本発明の特定の実施形
態において、基本ＧＭＲ又はＴＭＲスタックを基礎とする磁気多層構成の発明を
開示する。これらの多層構成を、当業者には既知の技術によって、本発明のシス
テムにおいて集積する。例えば、本発明の一実施形態において、感知システム又
はデータ格納システム全体を、成長又は堆積させた多層構成を有する１個の半導
体チップ上に集積させることができる。前記多層構成を、前記チップを形成する
プロセスのフロントエンド又はバックエンドにおいて、前記チップ上に成長又は
堆積させることができる。前記バックエンドプロセスにおいて、前記チップの一
部を平坦化し、前記多層構成をその上に堆積又は成長させる。前記チップの一部
を平面にし、前記多層構成をその上に堆積又は成長させる。前記多層構成の信号
を、信号処理ロジックを含む前記チップの一部に伝送するために、ボンディング
又はビア構造による適切な接続を行う。当業者には、本発明の真の精神から逸脱
することなしに、本発明の他の変形例及び同等の実施形態を考案し、実行に移す
ことができ、本発明の範囲は、添付した請求項によってのみ限定されることは明
らかであろう。
、これらに限定されず、請求項によってのみ限定される。本発明の特定の実施形
態において、基本ＧＭＲ又はＴＭＲスタックを基礎とする磁気多層構成の発明を
開示する。これらの多層構成を、当業者には既知の技術によって、本発明のシス
テムにおいて集積する。例えば、本発明の一実施形態において、感知システム又
はデータ格納システム全体を、成長又は堆積させた多層構成を有する１個の半導
体チップ上に集積させることができる。前記多層構成を、前記チップを形成する
プロセスのフロントエンド又はバックエンドにおいて、前記チップ上に成長又は
堆積させることができる。前記バックエンドプロセスにおいて、前記チップの一
部を平坦化し、前記多層構成をその上に堆積又は成長させる。前記チップの一部
を平面にし、前記多層構成をその上に堆積又は成長させる。前記多層構成の信号
を、信号処理ロジックを含む前記チップの一部に伝送するために、ボンディング
又はビア構造による適切な接続を行う。当業者には、本発明の真の精神から逸脱
することなしに、本発明の他の変形例及び同等の実施形態を考案し、実行に移す
ことができ、本発明の範囲は、添付した請求項によってのみ限定されることは明
らかであろう。
【００２０】
図１は、本発明のＧＭＲ多層スタック１の第１実施形態の図式的構成を示す。
基板２（例えば、ガラス、Ｓｉのような半導体材料、又はＡｌ２Ｏ３のようなセ
ラミック材料）において、必要ならば、その後の層の結晶学的構造又はグレイン
サイズを変化させるバッファ層２８を設ける。バッファ層２８は、使用するなら
ば、例えば、好適には、Ｔａの第１サブ層及びＮｉＦｅの第２サブ層６を具えて
もよい。バッファ層２８上に、交換バイアス層８を堆積する。前記交換バイアス
層を、例えば、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＯ、又は、最も好適にはＭ
ｒＭｎタイプの材料（例えば、１０ｎｍＩｒＭｎ）としてもよい。ＩｒＭｎによ
って、ＩｒＭｎ、又はＩｒＭｎの少なくとも１つの他の金属との合金を意味する
。交換バイアス層８の上部において、人工反強磁性（ＡＡＦ）スタック３０を設
け、このＡＡＦスタック３０は、奇数の強磁性層１０、１４、１８を具え、前記
奇数を、これらの間にある非磁性層１２、１６に関して、３以上とする。スタッ
ク３０は、例えば、第１Ｃｏ９０Ｆｅ１０層１０（例えば、４．０ｎｍ厚）と、
第１Ｒｕ層１２（例えば、０．８ｎｍ厚）と、第２Ｃｏ９０Ｆｅ１０層１４（例
えば、４．０ｎｍ厚）とを具えてもよい。スタック３０において奇数の強磁性層
を得るために、第２Ｒｕ層１６（例えば、０．８ｎｍ厚）と、第３Ｃｏ９０Ｆｅ１０ 層１８（例えば、４．０ｎｍ厚）とを加える。より多くの奇数又は偶数の強
磁性層に関して、追加のＲｕ／ＣｏＦｅ層の組み合わせを追加してもよい。ＡＡ
Ｆスタック３０上に、非磁性スペーサ層２０を堆積する。前記スペーサ層の材料
を、Ｃｕタイプ材料とすることができる。Ｃｕタイプによって、Ｃｕ（例えば、
２．５ｎｍ厚Ｃｕ）、又はＣｕの他の金属、特にＡｇとの合金を意味する。スペ
ーサ層２０の上部において、Ｎｉ８０Ｆｅ２０層２４（例えば、５ｎｍ厚）を載
せたＣｏ９０Ｆｅ１０の層２２（例えば、０．８ｎｍ厚）を設ける。保護層２６
（例えば、４ｎｍＴａ）は、前記層システムを覆う。
基板２（例えば、ガラス、Ｓｉのような半導体材料、又はＡｌ２Ｏ３のようなセ
ラミック材料）において、必要ならば、その後の層の結晶学的構造又はグレイン
サイズを変化させるバッファ層２８を設ける。バッファ層２８は、使用するなら
ば、例えば、好適には、Ｔａの第１サブ層及びＮｉＦｅの第２サブ層６を具えて
もよい。バッファ層２８上に、交換バイアス層８を堆積する。前記交換バイアス
層を、例えば、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＯ、又は、最も好適にはＭ
ｒＭｎタイプの材料（例えば、１０ｎｍＩｒＭｎ）としてもよい。ＩｒＭｎによ
って、ＩｒＭｎ、又はＩｒＭｎの少なくとも１つの他の金属との合金を意味する
。交換バイアス層８の上部において、人工反強磁性（ＡＡＦ）スタック３０を設
け、このＡＡＦスタック３０は、奇数の強磁性層１０、１４、１８を具え、前記
奇数を、これらの間にある非磁性層１２、１６に関して、３以上とする。スタッ
ク３０は、例えば、第１Ｃｏ９０Ｆｅ１０層１０（例えば、４．０ｎｍ厚）と、
第１Ｒｕ層１２（例えば、０．８ｎｍ厚）と、第２Ｃｏ９０Ｆｅ１０層１４（例
えば、４．０ｎｍ厚）とを具えてもよい。スタック３０において奇数の強磁性層
を得るために、第２Ｒｕ層１６（例えば、０．８ｎｍ厚）と、第３Ｃｏ９０Ｆｅ１０ 層１８（例えば、４．０ｎｍ厚）とを加える。より多くの奇数又は偶数の強
磁性層に関して、追加のＲｕ／ＣｏＦｅ層の組み合わせを追加してもよい。ＡＡ
Ｆスタック３０上に、非磁性スペーサ層２０を堆積する。前記スペーサ層の材料
を、Ｃｕタイプ材料とすることができる。Ｃｕタイプによって、Ｃｕ（例えば、
２．５ｎｍ厚Ｃｕ）、又はＣｕの他の金属、特にＡｇとの合金を意味する。スペ
ーサ層２０の上部において、Ｎｉ８０Ｆｅ２０層２４（例えば、５ｎｍ厚）を載
せたＣｏ９０Ｆｅ１０の層２２（例えば、０．８ｎｍ厚）を設ける。保護層２６
（例えば、４ｎｍＴａ）は、前記層システムを覆う。
【００２１】
本発明の改善された磁場範囲を示すために、図１と同様で、ＡＡＦスタック３
０における強磁性層の数が異なる標本を、奇数及び偶数の双方で準備し、これら
によって、ＡＡＦスタック３０にける強磁性材料の合計量を本質的に同じに保つ
。前記材料の厚さを、表１に示す。この表からわかるように、いくつかの場合に
おいて、前記層のスタックの外側に向かう前記強磁性層の厚さを、前記スタック
の中心に向かう層より薄く形成する。しかしながら、本発明は、外側の強磁性層
の厚さを、内側の層より薄く作ることを含む。
０における強磁性層の数が異なる標本を、奇数及び偶数の双方で準備し、これら
によって、ＡＡＦスタック３０にける強磁性材料の合計量を本質的に同じに保つ
。前記材料の厚さを、表１に示す。この表からわかるように、いくつかの場合に
おいて、前記層のスタックの外側に向かう前記強磁性層の厚さを、前記スタック
の中心に向かう層より薄く形成する。しかしながら、本発明は、外側の強磁性層
の厚さを、内側の層より薄く作ることを含む。
【表１】
【００２２】
磁気抵抗曲線を、（交換バイアス方向に関して）平行磁場において測定した。
測定値を図２において示し、これにより、個々の曲線を垂直にオフセットし、容
易に比較できるようにした。最も注目すべき結果は、３重および５重ＡＡＦスタ
ック３０の磁気抵抗が、ゼロ領域の両側において著しく平坦であることである。
これは、センサ用途に関して特に有利である。
測定値を図２において示し、これにより、個々の曲線を垂直にオフセットし、容
易に比較できるようにした。最も注目すべき結果は、３重および５重ＡＡＦスタ
ック３０の磁気抵抗が、ゼロ領域の両側において著しく平坦であることである。
これは、センサ用途に関して特に有利である。
【００２３】
この重要な結果を、ＡＡＦスタック３０における強磁性層の奇数の組み合わせ
によってのみ得ることができる。加えて、前記ＩｒＭｎ交換バイアス層とＡＡＦ
スタック３０との組み合わせは、例えば、２５０°ないし３５０°、又はより高
い温度における高い温度安定性を、交換バイアスの方向の回転なしに与える。
によってのみ得ることができる。加えて、前記ＩｒＭｎ交換バイアス層とＡＡＦ
スタック３０との組み合わせは、例えば、２５０°ないし３５０°、又はより高
い温度における高い温度安定性を、交換バイアスの方向の回転なしに与える。
【００２４】
前記フリー層を、単一のＣｏＦｅ層としてもよく、又は、複数のサブ層（例え
ば、ＣｏＦｅ＋ＮｉＦｅ；ＣｏＦｅ＋ＮｉＦｅ＋ＣｏＦｅ等）としてもよい。
ば、ＣｏＦｅ＋ＮｉＦｅ；ＣｏＦｅ＋ＮｉＦｅ＋ＣｏＦｅ等）としてもよい。
【００２５】
ＣｏＦｅの代わりに、ＣｏＮｉＦｅのＣｏを使用してもよいが、ＣｏＮｉＦｅ
を使用した場合、好適には、Ｃｕスペーサ層と接触させるべきではない。
を使用した場合、好適には、Ｃｕスペーサ層と接触させるべきではない。
【００２６】
前記ＡＡＦは、複数の強磁性層及び非磁性層を具えてもよい。各々の強磁性層
を、前記フリー層に関して説明したように構成してもよい。
を、前記フリー層に関して説明したように構成してもよい。
【００２７】
前記センサは、２つのピン強磁性層と、１つのフリー強磁性層との組み合わせ
を具えてもよい。
を具えてもよい。
【００２８】
本発明のセンサを、データ格納セルとして使用することもできる。前記フリー
層の磁化方向とピン層の磁化方向との間で成す角は、例えば、「０」又は「１」
を表す。データ内容を、前記メモリ「セル」の抵抗を測定することによって読み
出すことができる。
層の磁化方向とピン層の磁化方向との間で成す角は、例えば、「０」又は「１」
を表す。データ内容を、前記メモリ「セル」の抵抗を測定することによって読み
出すことができる。
【００２９】
上記実施形態は、フリー強磁性層及びピン強磁性層を具えるロバストＧＭＲ又
はＴＭＲ効果タイプ多層装置に関し、これは、自動車用途において必要な大きい
磁場範囲を有する。前記ＧＭＲ多層は、非対称な磁気抵抗曲線を有し、相補出力
信号を有するセンサを可能にする。さらなる改善を、前記ピン層としての交換バ
イアス人工反強磁性体と、ＩｒＭｎ交換バイアス層との組み合わせの使用を含む
手段の組み合わせによって得られ、後者を、好適には、前記層スタックの下部、
前記バッファ層の上部において配置する。
はＴＭＲ効果タイプ多層装置に関し、これは、自動車用途において必要な大きい
磁場範囲を有する。前記ＧＭＲ多層は、非対称な磁気抵抗曲線を有し、相補出力
信号を有するセンサを可能にする。さらなる改善を、前記ピン層としての交換バ
イアス人工反強磁性体と、ＩｒＭｎ交換バイアス層との組み合わせの使用を含む
手段の組み合わせによって得られ、後者を、好適には、前記層スタックの下部、
前記バッファ層の上部において配置する。
【００３０】
説明した材料システムを、ＧＭＲセンサにおいて、特に、自動車及び工業用途
に関して広く使用することができる。特定の用途は、ディジタル位置センサ（例
えば、クランクシャフト位置に関する）と、アナログ角度センサ（例えば、バル
ブ位置、ペダル位置、ステアリングホイール位置）である。本発明のセンサは、
非対称磁気抵抗曲線を有するため、相補出力信号を有するセンサが可能である。
相補出力信号を供給するセンサ素子を、前記ピン層（の磁化方向）を前記フリー
層に対して＋９０°とした第１フリー／ピン層システムと、前記ピン層（の磁化
方向）を前記フリー層に対して−９０°とした第２フリー／ピン層システムとを
作ることによって形成することができる。前記ピン層の方向付けを、前記層を、
所望の方向を有する磁場中で過熱及び冷却することによって達成することができ
る。このような方法は、１９９９年９月１２−１５日、オランダ、ハーグにおけ
る固体トランスにおける１３回ヨーロッパ会議での、Ｋ．Ｍ．レンセンによる「
ロバスト巨大磁気抵抗センサ」において説明された。
に関して広く使用することができる。特定の用途は、ディジタル位置センサ（例
えば、クランクシャフト位置に関する）と、アナログ角度センサ（例えば、バル
ブ位置、ペダル位置、ステアリングホイール位置）である。本発明のセンサは、
非対称磁気抵抗曲線を有するため、相補出力信号を有するセンサが可能である。
相補出力信号を供給するセンサ素子を、前記ピン層（の磁化方向）を前記フリー
層に対して＋９０°とした第１フリー／ピン層システムと、前記ピン層（の磁化
方向）を前記フリー層に対して−９０°とした第２フリー／ピン層システムとを
作ることによって形成することができる。前記ピン層の方向付けを、前記層を、
所望の方向を有する磁場中で過熱及び冷却することによって達成することができ
る。このような方法は、１９９９年９月１２−１５日、オランダ、ハーグにおけ
る固体トランスにおける１３回ヨーロッパ会議での、Ｋ．Ｍ．レンセンによる「
ロバスト巨大磁気抵抗センサ」において説明された。
【００３１】
図３に示す本発明によるデータ格納システムは、フレーム３２と、フレーム３
２において回転可能に取り付けられ、格納媒体を載せるスピンドル３４と、特に
、光磁気ディスクのようなディスク状情報キャリヤ３６とを含む。情報キャリヤ
３６を、統合されたキャリヤ、又は、取り外し可能なキャリヤとしてもよい。前
記システムは、レーザ光源と、本発明による磁気抵抗装置を具える読み出しヘッ
ド４０を有するスライダを載せるスイングアーム３８も含む。スピンドル３４及
びアーム３８を駆動する駆動装置を設ける。動作状態において、読み出しヘッド
４０は、回転情報キャリヤ３６において存在する情報を感知し、前記ヘッドを、
情報キャリヤ３６と向かい合わせて配置し、キャリヤ３６に関して実際的に反径
方向に動かす。本発明による図示したシステムを、カード又はテープから情報を
読み出すシステムとしてもよい。
２において回転可能に取り付けられ、格納媒体を載せるスピンドル３４と、特に
、光磁気ディスクのようなディスク状情報キャリヤ３６とを含む。情報キャリヤ
３６を、統合されたキャリヤ、又は、取り外し可能なキャリヤとしてもよい。前
記システムは、レーザ光源と、本発明による磁気抵抗装置を具える読み出しヘッ
ド４０を有するスライダを載せるスイングアーム３８も含む。スピンドル３４及
びアーム３８を駆動する駆動装置を設ける。動作状態において、読み出しヘッド
４０は、回転情報キャリヤ３６において存在する情報を感知し、前記ヘッドを、
情報キャリヤ３６と向かい合わせて配置し、キャリヤ３６に関して実際的に反径
方向に動かす。本発明による図示したシステムを、カード又はテープから情報を
読み出すシステムとしてもよい。
【００３２】
図４に示す本発明による磁気メモリは、メモリ素子４２と、特定のメモリ素子
を選択するワードライン４４及びビットライン４６とを含む。各々のメモリ素子
４２は、ＡＡＦ層システム３０を含む。あるビットライン４６におけるメモリ素
子４２は、低抵抗率を有する非磁性金属４８、例えばＣｕによって互いに分離す
る。
を選択するワードライン４４及びビットライン４６とを含む。各々のメモリ素子
４２は、ＡＡＦ層システム３０を含む。あるビットライン４６におけるメモリ素
子４２は、低抵抗率を有する非磁性金属４８、例えばＣｕによって互いに分離す
る。
【００３３】
本発明を、好適実施形態の参照と共に示し、説明したが、当業者は、形状及び
細部における種々の変更又は変形を、添付した請求項において規定した本発明の
範囲及び精神から逸脱することなしに行えることを理解するであろう。
細部における種々の変更又は変形を、添付した請求項において規定した本発明の
範囲及び精神から逸脱することなしに行えることを理解するであろう。
【図１】 本発明による磁気抵抗装置の第１実施形態の図式的な断面を示す。
【図２】 奇数及び偶数の強磁性層を有する図１による装置の磁気抵抗曲線を示
す。
す。
【図３】 本発明による磁気抵抗装置を含むデータ格納システムの図式的な上面
図を示す。
図を示す。
【図４】 本発明による磁気抵抗装置を含む磁気メモリを示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 27/105 Ｈ０１Ｌ 27/10 ４４７
(72)発明者 アントニウス エー テー カイパー
オランダ国 5656 アーアー アインドー
フェン プロフ ホルストラーン ６
Ｆターム(参考） 5D034 BA04 CA08
5E049 AA04 AC05 BA06 BA12 CB02
DB12
5F083 FZ10 JA37 JA38 JA39 ZA15
Claims (10)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果を与えるフリー強磁性層及びピン強磁性層を乗せた
基板を具え、前記ピン層が、人工反強磁性層システム（ＡＡＦ）及び交換バイア
ス層を具え、前記交換バイアス層が、前記ＡＡＦ層システムに隣接して、磁気的
に作用する磁気抵抗装置において、前記ＡＡＦ層システムが、３以上の奇数の隣
接しない強磁性層を有することを特徴とする磁気抵抗装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗装置において、前記ＡＡＦ層システム
が、３つのＣｏＦｅ層と、２つの中間非磁性層とを含むことを特徴とする磁気抵
抗装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気抵抗装置において、前記フリー強磁性層及
びピン強磁性層を、Ｃｕタイプ層によって分離し、両側における前記Ｃｕタイプ
層を、Ｃｏ又はＣｏＦｅ層と接触させたことを特徴とする磁気抵抗装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載の磁気抵抗装置において、前記ＡＡＦの中
間層の各々を、Ｒｕ層としたことを特徴とする磁気抵抗装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気抵抗装置において
、前記交換バイアス層を、前記基板と前記ＡＡＦ層システムとの間に配置したこ
とを特徴とする磁気抵抗装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の磁気抵抗装置において
、前記奇数の隣接しない強磁性層が、層のスタックを形成することを特徴とする
磁気抵抗装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の磁気抵抗装置において、少なくとも２つの強磁
性層が、前記スタックの外側を向き、前記スタックの中心を向く強磁性層より薄
いことを特徴とする磁気抵抗装置。 - 【請求項８】 請求項６に記載の磁気抵抗装置において、少なくとも２つの強磁
性層が、前記スタックの外側を向き、前記スタックの中心を向く強磁性層より厚
いことを特徴とする磁気抵抗装置。 - 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれか１項に記載の磁気抵抗装置を含むデ
ータ格納システム。 - 【請求項１０】 請求項１ないし８のいずれか１項に記載の磁気抵抗装置を含む
磁気メモリ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00202153.3 | 2000-06-21 | ||
| EP00202153 | 2000-06-21 | ||
| PCT/EP2001/006648 WO2001099099A2 (en) | 2000-06-21 | 2001-06-12 | Magnetic multilayer structure with improved magnetic field range |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003536267A true JP2003536267A (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=8171663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002503863A Pending JP2003536267A (ja) | 2000-06-21 | 2001-06-12 | 改善された磁場範囲を有する磁気多層構造 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6891366B2 (ja) |
| EP (1) | EP1282902B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003536267A (ja) |
| KR (1) | KR20030009286A (ja) |
| CN (1) | CN1319083C (ja) |
| AT (1) | ATE441192T1 (ja) |
| DE (1) | DE60139682D1 (ja) |
| TW (1) | TW579502B (ja) |
| WO (1) | WO2001099099A2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005098953A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nec Corporation | 磁化方向制御方法、及びそれを応用したｍｒａｍ |
| JP2007081280A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
| JP2012185044A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
| WO2015146593A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法ならびに電流センサ |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677631B1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-01-13 | Micron Technology, Inc. | MRAM memory elements and method for manufacture of MRAM memory elements |
| US7042032B2 (en) * | 2003-03-27 | 2006-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Magnetoresistive (MR) magnetic data storage device with sidewall spacer layer isolation |
| US6900489B2 (en) | 2003-04-29 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Reducing the effects of néel coupling in MRAM structures |
| DE602004011995T2 (de) * | 2003-12-23 | 2009-04-09 | Nxp B.V. | Hochempfindlicher magnetischer eingebauter stromsensor |
| US7268980B2 (en) | 2004-02-11 | 2007-09-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic head having self-pinned CPP sensor with multilayer pinned layer |
| US8310866B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-11-13 | Qimonda Ag | MRAM device structure employing thermally-assisted write operations and thermally-unassisted self-referencing operations |
| WO2011103437A1 (en) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | A high gmr structure with low drive fields |
| EP2538235B1 (de) * | 2011-06-24 | 2013-07-31 | Christian-Albrechts-Universität zu Kiel | Magnetostriktives Schichtsystem |
| CN103235274B (zh) * | 2013-04-19 | 2015-12-23 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于反铁磁自旋转向现象的传感器 |
| US20170059669A1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Qualcomm Incorporated | Magnetic field enhancing backing plate for mram wafer testing |
| US11022661B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-06-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
| US10620279B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-04-14 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
| US11193989B2 (en) | 2018-07-27 | 2021-12-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance assembly having a TMR element disposed over or under a GMR element |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08279115A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-22 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子用多層膜および磁性層の磁化の調整方法 |
| JP2000057535A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Read Rite Smi Kk | スピンバルブ型磁気ヘッド |
| JP2001156357A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子 |
| JP2001216613A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Alps Electric Co Ltd | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及び浮上式磁気ヘッド並びにスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704061A1 (en) | 1994-04-15 | 1996-04-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A magnetic field sensor, an instrument comprising such a sensor and a method of manufacturing such a sensor |
| SG46731A1 (en) * | 1995-06-30 | 1998-02-20 | Ibm | Spin valve magnetoresistive sensor with antiparallel pinned layer and improved exchange bias layer and magnetic recording system using the senor |
| US6166891A (en) * | 1997-06-30 | 2000-12-26 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive sensor for high temperature environment using iridium manganese |
| JP2925542B1 (ja) * | 1998-03-12 | 1999-07-28 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド |
| US6191926B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-02-20 | Seagate Technology Llc | Spin valve magnetoresistive sensor using permanent magnet biased artificial antiferromagnet layer |
| JP3560821B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2004-09-02 | アルプス電気株式会社 | 巨大磁気抵抗効果素子を備えたエンコーダ |
| JP3703348B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2005-10-05 | アルプス電気株式会社 | スピンバルブ型薄膜素子とそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド |
| JP3766565B2 (ja) * | 1999-05-31 | 2006-04-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド |
| US6275363B1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-08-14 | International Business Machines Corporation | Read head with dual tunnel junction sensor |
| US6219209B1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Spin valve head with multiple antiparallel coupling layers |
| US6507187B1 (en) * | 1999-08-24 | 2003-01-14 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Ultra-sensitive magnetoresistive displacement sensing device |
| US6611405B1 (en) * | 1999-09-16 | 2003-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element and magnetic memory device |
| US6271997B1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-08-07 | International Business Machines Corporation | Read head spin valve sensor with triple antiparallel coupled free layer structure |
| US6639762B2 (en) * | 2000-01-24 | 2003-10-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin valve thin-film magnetic device having free magnetic layer in ferrimagnetic state and manufacturing method therefor |
| US6211090B1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-04-03 | Motorola, Inc. | Method of fabricating flux concentrating layer for use with magnetoresistive random access memories |
-
2001
- 2001-06-12 KR KR1020027002196A patent/KR20030009286A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-06-12 AT AT01960306T patent/ATE441192T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-06-12 DE DE60139682T patent/DE60139682D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-12 WO PCT/EP2001/006648 patent/WO2001099099A2/en active Application Filing
- 2001-06-12 JP JP2002503863A patent/JP2003536267A/ja active Pending
- 2001-06-12 EP EP01960306A patent/EP1282902B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-12 CN CNB018017061A patent/CN1319083C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-19 US US09/884,219 patent/US6891366B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-17 TW TW090120266A patent/TW579502B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08279115A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-22 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子用多層膜および磁性層の磁化の調整方法 |
| JP2000057535A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Read Rite Smi Kk | スピンバルブ型磁気ヘッド |
| JP2001156357A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子 |
| JP2001216613A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Alps Electric Co Ltd | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及び浮上式磁気ヘッド並びにスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005098953A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nec Corporation | 磁化方向制御方法、及びそれを応用したｍｒａｍ |
| US7414881B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-08-19 | Nec Corporation | Magnetization direction control method and application thereof to MRAM |
| JP4877506B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2012-02-15 | 日本電気株式会社 | 磁化方向制御方法、及びそれを応用したｍｒａｍ |
| JP2007081280A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
| JP2012185044A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
| WO2015146593A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法ならびに電流センサ |
| JPWO2015146593A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-04-13 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法ならびに電流センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE441192T1 (de) | 2009-09-15 |
| WO2001099099A3 (en) | 2002-11-07 |
| KR20030009286A (ko) | 2003-01-29 |
| EP1282902B1 (en) | 2009-08-26 |
| CN1319083C (zh) | 2007-05-30 |
| TW579502B (en) | 2004-03-11 |
| CN1460272A (zh) | 2003-12-03 |
| WO2001099099A2 (en) | 2001-12-27 |
| US20020030489A1 (en) | 2002-03-14 |
| DE60139682D1 (de) | 2009-10-08 |
| EP1282902A2 (en) | 2003-02-12 |
| US6891366B2 (en) | 2005-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2786601B2 (ja) | 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム | |
| US5159513A (en) | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect | |
| CN114730569B (zh) | 含不同堆叠传感器的二维磁记录读取头结构及磁盘驱动器 | |
| US6278592B1 (en) | GMR spin valve having a bilayer TaN/NiFeCr seedlayer to improve GMR response and exchange pinning field | |
| JP3004005B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子及び読取りセンサ | |
| US6639291B1 (en) | Spin dependent tunneling barriers doped with magnetic particles | |
| US6747301B1 (en) | Spin dependent tunneling barriers formed with a magnetic alloy | |
| US6052263A (en) | Low moment/high coercivity pinned layer for magnetic tunnel junction sensors | |
| US6127045A (en) | Magnetic tunnel junction device with optimized ferromagnetic layer | |
| KR100278420B1 (ko) | 개선된 반평행-고정형 스핀 밸브 센서 | |
| US20040109264A1 (en) | Self-pinned in-stack bias structure for magnetoresistive read heads | |
| JP2003198004A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| US6891366B2 (en) | Magneto-resistive device with a magnetic multilayer structure | |
| US20070217088A1 (en) | Method and apparatus for providing magnetostriction control in a freelayer of a magnetic memory device | |
| WO2003025906A1 (en) | Corrosion resistive gmr and mtj sensors | |
| JP2003158313A (ja) | スピンバルブ・センサにおいてキャップ層及びギャップ層として使用するためのインサイチュ酸化膜及びそれの製造方法 | |
| JP2003526913A (ja) | バイアス磁性層構造を有する磁気素子 | |
| JP2003526911A (ja) | 結合層を備える磁気装置並びにそのような装置を製造及び作動させる方法 | |
| JP2009140952A (ja) | Ｃｐｐ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに記憶装置 | |
| US6456469B1 (en) | Buffer layer of a spin valve structure | |
| JP2004538591A (ja) | ナノ酸化物交換結合自由層を有するｇｍｒ磁気変換器 | |
| JP2002514770A (ja) | 磁気多重層センサ及びこれを用いたホィートストンブリッジ | |
| US6621667B1 (en) | Giant magnetoresistive sensor with a multilayer cap layer | |
| JP3276264B2 (ja) | 磁気抵抗効果多層膜およびその製造方法 | |
| JP3697369B2 (ja) | 磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080609 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080609 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080902 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110519 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111018 |