JP2003533866A - 局所接続・導電ラインを形成する方法及びその構造体 - Google Patents
局所接続・導電ラインを形成する方法及びその構造体Info
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- Y10S257/90—MOSFET type gate sidewall insulating spacer
Abstract
Description
び導電ラインを形成する方法に関する。
回路内に組み込まれるメモリセル及び他の回路サイズの縮小化への努力は、現在
もゴールに向かって続けられている。電気回路の実装方法には、絶縁されたデバ
イス同士を特別な電気路を通して相互に接続することが含まれる。シリコン又は
他の半導体材料を集積回路に組み込むとき、半導体基板内に組み込まれる導電性
デバイスは、互いに絶縁される必要がある。そのような絶縁は、典型的には、ト
レンチ及びレフィルフィールド絶縁領域、またはLOCOS成長フィールド酸化
膜の何れかによって行なわれる。
る。幾つかのラインは、半導体基板の広い領域上を全面的に走る。その他のライ
ンはより短く、そして集積回路の非常に小さい部分と関連付けられる。本発明は
、それに限られる訳ではないが、局部接続を含む方法及び構造の改良に主に鑑み
てなされたものである。
び導電ラインを形成する方法を含むものである。本発明の一態様において、集積
回路を形成する方法は、半導体基板上に対向する側壁を有した導電ラインを形成
することを含む。絶縁層が、基板及びライン上に堆積される。ラインの少なくと
も一方の側壁の少なくとも一部分に沿ってラインの近傍の絶縁層はエッチングさ
れる。エッチングの後、絶縁スペーサ形成層が基板及びライン上に堆積され、そ
して、少なくとも一方の側壁の前記部分に沿って絶縁側壁スペーサを形成するた
めに、異方性エッチングが行なわれる。
つのトランジスタゲートを形成することを含む。局所接続層は、少なくとも一つ
のトランジスタゲート上に横たわり、そしてある一つのゲートの少なくとも一つ
のソース/ドレイン領域を、他のトランジスタゲートの近傍の半導体基板材料に
接続するために堆積される。一つの態様として、導電性増強不純物が、少なくと
も二つの注入工程によって局所接続層内に注入される。二つの工程のうちの一方
の工程は、もう一方の工程よりも層内により深いピークインプラント場所を提供
するものである。導電性増強不純物は、局所接続層からその下の半導体基板内に
拡散される。一つの態様として、導電性増強不純物は、局所接続層を通してその
下の半導体基板材料内に注入される。
上に形成される。トレンチが、フィールド絶縁材料内に所望のライン形状となる
ようにエッチングされる。導電性材料が、トレンチの少なくとも一部分を充填し
、その中に導電ラインを形成するように堆積される。
る半導体基板を含むものである。導電ラインは、フィールド絶縁材料内に形成さ
れるトレンチ内に受容される。
して特許請求されている。
の半導体ウェーハが、参照番号10として示されている。半導体ウェーハ10は
、バルク単結晶シリコン基板12を含む。本明細書において、用語「半導体基板
」は、半導体ウェーハ(単独物質又はその上に他の物質を含む集合物質)や、半
導体物質層(単独物質又は他の物質を含む集合物質)等のバルク半導体物質を含
むが、これらに限定されるものではなく、半導体物質からなるあらゆる構造を意
味するものとして定義される。用語「基板」は、上述の半導体基板を含むがこれ
に限定されないあらゆる支持構造体を意味するものである。
電性ドープト半導体層16が、ゲート絶縁層14上に形成される。導電性ドープ
トポリシリコンが一つの例である。絶縁キャップ層18が、半導体層16上に形
成される。この場合も、材料例は二酸化シリコンである。高融点金属シリサイド
等の介在導電層を、層16と層18との間に勿論設けてもよい。エッチングスト
ップ層20が、絶縁キャップ層18の上に形成される。その好ましい材料例は、
ポリシリコンである。
22,24,26となるように、パターン化及びエッチングされる。ライン22
は対向する側壁27,28を、ライン24は対向する側壁29,30を、ライン
26は対向する側壁31,32をそれぞれ有する。ライン22,24,26は、
他の導電ラインであることも考えられるが、電界効果トランジスタのゲートの形
状として図示されている。トランジスタのための図示された注入領域33を提供
するために、LDD不純物注入が実施されることが好ましい。領域33のための
不純物濃度の例は、2×1013イオン/cm2である。これに代えて、LDD
不純物注入は、ソース/ドレイン領域が形成された後に行なうこともできる(ま
た、組合せによることもできる)。LDD領域を後の工程で形成すると、そのよ
うな注入によって見られるDtを減少させることができる。
6上に堆積されている。絶縁層34の厚さは、エッチングストップ層、キャップ
層及び半導体層が組み合わされたものの厚さよりも厚くなり、且つ隣り合ったゲ
ートライン間に延びた図示の断面領域を充填するように、トランジスタゲートラ
イン間に受け入れられるような厚さに選定されることが好ましい。絶縁層34の
好ましい材料例は、テトラエチルオーソシリケイト及びボロフォスフォシリケイ
トグラスの分解によって堆積されるアンドープト二酸化シリコンを含む。
ような平坦化は、ゲート22,24,26のエッチングストップ層20を研摩の
ためのエッチングストップとして用いる化学・機械研摩法によって実施されるこ
とが好ましい。
を参照する。絶縁層34は、基板12の近傍で、その中にコンタクト用開口38
,39,40を有効的に形成すると共に、好ましくは半導体基板12の材料を外
側に露出させるために、エッチングされる。以下の説明の目的で、半導体基板1
2の露出された部分を、位置42,43,44で示すものとする。図示のエッチ
ングは、向かい合った側壁28と29の少なくとも一部分に沿って、ライン22
,24の近くの絶縁層34をエッチングする一例を構成する。そのような部分は
、図示された側壁の多くの部分を含み、そして図示の通り、半導体基板までの前
記側壁の全体を構成することが好ましい。
壁31,32のそれぞれの少なくとも一部分に沿って実施される。さらに、ライ
ン22,24に関しては、絶縁層34のそのようなエッチングは、側壁28,2
9の部分に沿っては実施されるが、これらに対向する側壁27,30に沿っては
実施されない。さらに、そのような絶縁層34のエッチングは、トランジスタゲ
ートの少なくとも一つの導電材料を露出させる。具体的には、図示されている実
施例では、図示トランジスタゲートの側壁28,29,31,32の導電材料1
6を露出させる。さらに、ゲートライン22,24に関しては、絶縁材料は側壁
27,30の上に残留又は受容されるようにエッチングされるが、側壁28,2
9の上には残留又は受容されない。
縁材料によって被覆される。その被覆は、好ましくは、基板12、ライン22,
24,26及び平坦化且つエッチングされた絶縁材料34の上に、絶縁層46を
、コンタクト用開口の少なくとも幾つかを完全に充填するよりも薄い厚さに堆積
することである。そのような層は好ましくはスペーサ形成層である。二酸化シリ
コン及び窒化シリコンが二つの例である。
、絶縁側壁スペーサ47,48,49,50,52が形成される。そのようにす
ることにより、一例として、図示された絶縁側壁スペーサが構成される。一実施
例では、絶縁層34は側壁の少なくとも一つと側壁スペーサの一つとの間に受容
される。ライン24に関連して図示した例では、側壁30とスペーサ49との間
に絶縁層34が受容される。さらに、この例であるライン24に関しては、絶縁
材料34は側壁30と側壁スペーサ49との間には受容されているが、対向する
側壁29とその上に形成される他方のスペーサ48との間には受容されていない
。さらに、図示された断面図では、絶縁側壁スペーサ48,49,50,52は
、ライン24,26の対向する各側壁上のそれぞれ上に形成される。なお、図示
の断面図では、一つの絶縁スペーサ47だけが、ライン22の一方の側壁上に形
成されている。さらに、ライン24の側壁30と絶縁スペーサ49との間に受容
される絶縁材料34は、側壁49の横方向の最大厚よりも大きいか又は同等(図
面では大きいものとして図示されている)な横方向最大厚さを有する。ソース/
ドレインへの注入は、必要により、処理工程上この時点で行なってもよい。
的には基板12の接続位置42,43,44の上に横たわり、そしてそれらの間
の電気的接続を達成するように堆積された状態を示す図8を参照する。局所接続
層56のための好適な材料例は、ポリシリコンである。ライン22,24の絶縁
スペーサ相互間の間隔と、ライン24,26の絶縁スペーサ相互間の間隔との違
いにより、局所接続層56は、コンタクト用開口領域38を完全に充填し、そし
て、コンタクト用開口領域39,40を完全に充填するという状態よりは少ない
状態で充填する。
性にドープトされても、及び/又は、堆積の後に、別途の導電性増強不純物の注
入により導電性にドープトしても構わない。さらに、そのようなその後の注入は
、例えば、最終的に層56から形成される導電性接続によって導電性に接続され
ているn型及びp型の双方の基板領域である層56の一部分のみに提供されるよ
うにマスクされても構わない。最も好ましくは、接続層56は、最終的には導電
性ドープト半導体材料からなる。n型及びp型双方の不純物材料である場合には
、高融点金属シリサイド等のもう一つの導電性ストラップ層が、p型とn型金属
が結合する所に形成される固有的な寄生ダイオードの形成を避け又は抑制するた
めに、層56の上に形成されることが理想的である。さらに、n型とp型が組み
合わされた処理では、複数の局所接続層が設けられそしてパターン化され、その
とき、介在絶縁層、スペーサ又はエッチングストップ層が用いられる。さらに、
層56の堆積に先立ち、導電性不純物拡散障壁層が設けられても構わない。
参照しながら次に説明する。それは、ピーク注入位置又は深い位置58,60に
よって代表される二つの好ましい注入で表わされる。それは、層56に対して注
入位置58より深いピーク注入位置60を提供する二つの異なる注入工程によっ
て達成されることが好ましい。例えば、コンタクト用開口38,39内の層56
内では、層56の各部分は、ピーク注入位置60が層56内でピーク注入位置5
8より深いものとして示されている。さらに、注入60のためのピーク注入位置
又は深さは、ライン22,24,26の導電性ドープト材料16内に達するほど
には深くならないように選択されることが好ましい。さらに、コンタクト用開口
位置39,40では、図示された注入60を形成するための注入は、局所接続層
56を通して、そしてその下の半導体基板材料12内まで実施される。層56内
に提供された導電性増強不純物の拡散は、最終的には、局所接続層56から位置
42,43,44内でその下の半導体基板材料12内に生じる。これにより、図
示されたトランジスタラインのソース/ドレイン領域への導電性増強不純物のド
ーピングの大部分が行なわれる。プロセッサの希望及び拡散の程度によって、そ
のようなソース/ドレイン領域は、半導体基板12内に主に存在してもよく、ま
たは、層56内に起立したソース/ドレイン領域として存在してもよい。
スペーサとして機能する。さらに、接合容量が減少する。
ングによって)図示された導電ライン24,26,28の少なくとも一部分上に
横たわり、そして基板材料位置42,43,44を電気的に接続する局所接続ラ
イン57へと形成される。
。図10は、バルク単結晶シリコン基板12からなる半導体ウェーハ片10aを
示す。半導体基板12は、フィールド絶縁領域64と活性エリア領域62を形成
するように既にパターン化されている。図示の実施例では、フィールド絶縁領域
64の材料66は、LOCOS工程によって形成された二酸化シリコンである。
それは、他の材料で又他の絶縁手法で構成してもよい。例えば、基板12にトレ
ンチをエッチングし、そしてPECVDを含むCVD法によって酸化物を堆積す
るトレンチ・レフィルの手法がある。
ェーハ片10の延長部分である。具体的には、図10に示す延長部分は、上述し
た図4の第1実施例の右側遠く離れた部分から始まったものである。したがって
、絶縁層34は、堆積され且つ既に平坦化されたものとして示されている。
エッチングされ、そして絶縁層34内に受容されている。トレンチ68は、対向
する絶縁側壁77と底部79を有する。図示実施例のトレンチ68は、絶縁材料
66の端部まで延び、ここでは領域62の活性エリア基板材料12の近くまで延
在している。トレンチ開口68の例示的好ましい深さは、ゲートスタック22,
24,26の導電材料及び絶縁材料が組み合わさった厚さよりも、10%〜20
%深いことである。
も一部充填し、活性エリア領域62の基板材料12と電気的に接続している。図
示の通り、材料72は、トレンチ68を過剰充填するように堆積されることが好
ましい。トレンチ68の幅は、導電性材料層72の厚さの2倍よりも小さくなる
ように選択されることが好ましい。トレンチ68の幅をそのように小さくするこ
とにより、その深さが広い範囲で堆積される層72の厚さよりも潜在的に大きく
なることにもかかわらず、導電性材料72でトレンチを完全に充填することを容
易にする。
8内に受容されるライン片76を含む図示の局所接続ライン75を形成するため
に既にエッチングされている。絶縁層34の外側表面上から絶縁材料72を完全
に除去することを確実にするために、図示のように、多少のオーバーエッチング
が行なわれることが好ましい。理想的には、トレンチ68の形状は、絶縁材料6
6に対して形成される導電ラインの全体外観及び形状を画定するように選択され
且つ利用される。さらに、ライン75の導電材料は、トレンチの側壁77及び底
部79の材料66に接触することが好ましい。
す。この実施例のものは、LOCOS酸化物66とは対照的なトレンチ絶縁酸化
物66bを用いたものである。例示的好適なトレンチ充填ライン68bがそこに
は示されている。
ある。
の概略断面図である。
。
略図である。
略図である。
おける他の実施例の半導体ウェーハ片の概略断面図である。
、前記側壁に対してほぼ垂直な部分を有していることを特徴とする集積回路。
Claims (63)
- 【請求項1】 集積回路を製造する方法であって、該方法は、 半導体基板上に対向する側壁を有した導電ラインを形成する過程と、 前記基板及びライン上に絶縁層を堆積する過程と、 前記ラインの少なくとも一方の側壁の少なくとも一部分に沿った前記ライン近
傍の前記絶縁層をエッチングする過程と、 前記エッチングの後、前記基板及びライン上に絶縁スペーサ形成層を堆積し、
そして、前記少なくとも一方の側壁の前記一部分に沿って、絶縁側壁スペーサを
形成するために、前記絶縁スペーサ形成層を異方性エッチングする過程と、 からなることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法において、前記絶縁層をエッチングする
過程は、対向するそれぞれのライン側壁の少なくとも一部分に沿って実施され、
前記異方性エッチング過程は、対向するそれぞれのライン側壁上に絶縁側壁スペ
ーサを形成することを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の方法において、前記絶縁層をエッチングする
過程は、一方の側壁の一部分に沿って実施され、それに対向する側壁に沿っては
実施されないことを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項4】 請求項1記載の方法において、前記一部分は前記一方の側壁
の殆どの部分を占めることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項5】 請求項1記載の方法において、前記一部分は前記少なくとも
一方の側壁のほぼ全体を占めることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項6】 請求項1記載の方法において、前記絶縁層のエッチング過程
は、前記半導体基板の材料を外側に露出させることを特徴とする集積回路製造方
法。 - 【請求項7】 請求項1記載の方法において、前記導電ラインはトランジス
タゲートを有するように形成されることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項8】 請求項1記載の方法であった、該方法は絶縁層のエッチング
に先立って前記絶縁層を平坦化する過程を有することを特徴とする集積回路製造
方法。 - 【請求項9】 請求項1記載の方法であって、該方法は、 前記堆積の前に、前記半導体基板上にフィールド絶縁材料領域と活性エリア領
域を形成する過程と、 前記フィールド絶縁材料と前記絶縁層の中に、所望の局所接続ライン形状とな
るようにトレンチをエッチングする過程と、 前記トレンチを少なくとも一部充填すると共に、前記活性エリア領域の一つに
電気的に接続する局所接続層を前記基板上に形成する過程と、 からなることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項10】 集積回路を製造する方法であって、該方法は、 半導体基板上にそれぞれ対向する側壁を有した一対のトランジスタゲートを形
成する過程であって、一方の前記トランジスタゲートの一方の側壁は他方の前記
トランジスタゲートの一方の側壁に対向する、トランジスタゲート形成過程と、 前記基板の上と、対をなすトランジスタゲートの間に延びる領域を充填するよ
うに対をなすトランジスタゲートの間に絶縁層を堆積する過程と、 対をなすトランジスタゲートの間の半導体基板の近くまで、前記絶縁層内にコ
ンタクト用開口をエッチングする過程と、 前記コンタクト用開口内に、該開口を完全には充填しない程度まで、絶縁スペ
ーサ形成層を堆積する過程と、 前記対をなすトランジスタゲートの各一方の側壁上に一対の絶縁側壁スペーサ
を形成するために、前記スペーサ形成層を異方性エッチングする過程と、 からなることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項11】 請求項10記載の方法において、前記コンタクト用開口エ
ッチング過程は、半導体基板の材料を露出させることを特徴とする集積回路製造
方法。 - 【請求項12】 請求項10記載の方法において、前記コンタクト用開口エ
ッチング過程は、前記対をなすトランジスタゲートの少なくとも一方の導電性材
料を露出させることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項13】 請求項10記載の方法において、前記コンタクト用開口エ
ッチング過程は、前記対をなすトランジスタゲートのそれぞれの導電性材料を露
出させることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項14】 請求項10記載の方法において、前記コンタクト用開口エ
ッチング過程は、前記対をなすトランジスタゲートの少なくとも一方の少なくと
も一方の側壁の導電性材料を露出させることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項15】 請求項10記載の方法であって、該方法は、前記絶縁層を
エッチングするのに先立って、前記絶縁層を平坦化する過程を有することを特徴
とする集積回路製造方法。 - 【請求項16】 請求項10記載の方法であって、該方法は、 前記堆積の前に、前記半導体基板上にフィールド絶縁材料領域と活性エリア領
域を形成する過程と、 前記フィールド絶縁材料と前記絶縁層の中に、所望の局所接続ライン形状とな
るようにトレンチをエッチングする過程と、 前記トレンチを少なくとも一部充填すると共に、前記活性エリア領域の一つに
電気的に接続する局所接続層を前記基板上に形成する過程と、 からなることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項17】 集積回路を製造する方法であって、該方法は、 半導体基板上にそれぞれ対向する側壁を有した一対のトランジスタゲートを形
成する過程であって、一方の前記トランジスタゲートの一方の側壁は他方の前記
トランジスタゲートの一方の側壁に対向する、トランジスタゲート形成過程と、 前記基板の上と、対をなすトランジスタゲートの間に延びる領域を充填するよ
うに対をなすトランジスタゲートの間に絶縁層を堆積する過程と、 対をなすトランジスタゲートの間の半導体基板の近くまで、前記絶縁層内にコ
ンタクト用開口をエッチングする過程であって、該エッチング過程は、前記対を
なすトランジスタゲートの各一方の側壁の少なくとも一方の導電性材料を露出さ
せるエッチング過程と、 前記エッチングの後、前記各一方の側壁の少なくとも一方を絶縁材料で被覆す
る過程と、 前記開口内に、半導体基板の材料と電気的に接続される電気的に導電性の材料
を形成する過程と、 からなることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項18】 請求項17記載の方法において、前記コンタクト用開口エ
ッチング過程は、前記対をなす各トランジスタゲートの一方の側壁のそれぞれの
導電性材料を露出させることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項19】 請求項17記載の方法において、前記被覆過程は絶縁層の
堆積であることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項20】 請求項17記載の方法において、前記被覆過程は絶縁層の
堆積と、これに続くその異方性エッチングであることを特徴とする集積回路製造
方法。 - 【請求項21】 請求項17記載の方法であって、該方法は、コンタクト用
開口のエッチングに先立って、前記絶縁層を平坦化する過程を有することを特徴
とする集積回路製造方法。 - 【請求項22】 請求項17記載の方法であって、該方法は、 前記堆積の前に、前記半導体基板上にフィールド絶縁材料領域と活性エリア領
域を形成する過程と、 前記フィールド絶縁材料と前記絶縁層の中に、所望の局所接続ライン形状とな
るようにトレンチをエッチングする過程と、 前記トレンチを少なくとも一部充填すると共に、前記活性エリア領域の一つに
電気的に接続する局所接続層を前記基板上に形成する過程と、 からなることを特徴とする集積回路製造方法。 - 【請求項23】 局所接続を形成する方法であって、該方法は、 半導体基板上にそれぞれ対向する側壁を有する一対のトランジスタゲートを形
成する過程と、 前記基板の上と、前記対をなすトランジスタゲートの間とに絶縁層を堆積する
過程と、 前記対をなすトランジスタゲート間の基板の近傍まで、前記絶縁層内に第1コ
ンタクト用開口と、前記対をなすトランジスタゲートの一方の対向する側の近く
の基板の近傍まで前記絶縁層を貫通するもう一つのコンタクト用開口とをエッチ
ングする過程と、 一方のトランジスタゲートの対向する側壁上に絶縁側壁スペーサを形成する過
程であって、前記絶縁層は前記側壁の少なくとも一つと前記側壁スペーサの一つ
との間に受容される側壁スペーサ形成過程と、 一方のトランジスタゲート上に横たわると共に、前記対をなすトランジスタゲ
ートの間の半導体基板材料と、一方のトランジスタゲートの対向する側の近くの
半導体基板材料に電気的に接続するように、局所接続層を形成する過程と、 からなることを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項24】 請求項23記載の方法であって、前記絶縁層は他方の側壁
と他方の側壁スペーサの間には受容されていないことを特徴とする局所接続形成
方法。 - 【請求項25】 請求項23記載の方法において、前記エッチング過程は、
前記第1及びもう一つのコンタクト用開口内の半導体基板の材料を露出させるこ
とを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項26】 請求項23記載の方法であって、該方法は、前記絶縁層を
エッチングする前に、前記絶縁層を平坦化する過程を有することを特徴とする局
所接続形成方法。 - 【請求項27】 請求項23記載の方法において、前記一方の側壁と前記一
方の側壁スペーサとの間に受容される前記絶縁層は、前記一方の側壁スペーサの
横方向最大厚みよりも厚いか又は同等の横方向最大厚みを有することを特徴とす
る局所接続形成方法。 - 【請求項28】 請求項23記載の方法において、前記局所接続層はポリシ
リコンからなることを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項29】 請求項23記載の方法であって、該方法は、 前記堆積過程の前に、前記半導体基板の上に、フィールド絶縁領域と活性エリ
ア領域を形成する過程と、 前記フィールド絶縁領域と前記絶縁層の中に、所望の局所接続ライン形状とな
るように、トレンチをエッチングする過程と、 前記トレンチを少なくとも一部分充填し、前記活性エリア領域の一つと電気的
に接続する局所接続層を形成する過程と、 を有することを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項30】 導電ラインを形成する方法であって、該方法は、 半導体基板上に受容された導電材料を、対向する側壁を有したラインに形成す
る過程と、 前記ライン上に絶縁材料を堆積し、そしてそれを、前記側壁の一方の上には受
容され、他方の上には受容されないようにエッチングする過程と、 前記ライン上と前記エッチングされた絶縁材料の上に絶縁スペーサ形成層を堆
積する過程と、 前記対向するライン側壁上に一対の絶縁スペーサを形成するように前記絶縁ス
ペーサ形成層を異方性エッチングする過程であって、前記絶縁材料はその上に形
成された前記一方の側壁と前記一方の絶縁スペーサとの間に受容されるが、その
上に形成された他方の側壁と他方の絶縁スペーサとの間には受容されないように
行なわれる異方性エッチング過程と、 からなることを特徴とする導電ライン形成方法。 - 【請求項31】 請求項30記載の方法であって、該方法は、前記絶縁層を
エッチングする前に、前記絶縁層を平坦化する過程を有することを特徴とする導
電ライン形成方法。 - 【請求項32】 請求項30記載の方法において、前記一方の側壁と前記一
方の側壁スペーサとの間に受容される前記絶縁層は、前記一方の側壁スペーサの
横方向最大厚みよりも厚いか又は同等の横方向最大厚みを有することを特徴とす
る導電ライン形成方法。 - 【請求項33】 導電ラインを形成する方法であって、該方法は、 半導体基板上に受容された導電材料を、対向する側壁を有したラインに形成す
る過程と、 前記ライン上に絶縁材料を堆積する過程と、 前記絶縁材料を平坦化する過程と、 前記ライン上と前記平坦化された絶縁材料の上に絶縁スペーサ形成層を堆積す
る過程と、 前記対向するライン側壁上に一対の絶縁スペーサを形成するように前記絶縁ス
ペーサ形成層を異方性エッチングする過程であって、前記絶縁材料はその上に形
成された前記側壁の少なくとも一つと前記一方の絶縁スペーサとの間に受容され
るように行なわれる異方性エッチング過程と、 からなることを特徴とする導電ライン形成方法。 - 【請求項34】 請求項33記載の方法において、前記一方の側壁と前記一
方の側壁スペーサとの間に受容される前記絶縁層は、前記一方の側壁スペーサの
横方向最大厚みよりも厚いか又は同等の横方向最大厚みを有することを特徴とす
る導電ライン形成方法。 - 【請求項35】 局所接続を形成する方法であって、該方法は、 半導体基板上に少なくとも二つのトランジスタゲートを形成する過程と、 前記トランジスタゲートの少なくとも一つの上に横たわり、前記ゲートの一つ
の少なくとも一つのソース/ドレイン領域と前記トランジスタゲートの他の近傍
の半導体基板材料とを接続する局所接続層を堆積する過程と、 前記局所接続層に少なくとも二つの注入段階により導電性増強不純物を注入す
る過程であって、前記二つの注入過程の内の一方は、前記層の中に他方よりも深
いピーク注入場所を提供する不純物注入過程と、 前記局所接続層からその下の半導体基板材料内に導電性増強不純物を拡散する
過程と、 からなることを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項36】 請求項35記載の方法であって、該方法は、前記局所接続
層のある一部分に対して前記一方の注入を、前記層を通して且つその下の前記半
導体基板材料の中にピーク注入場所を持つように導電的にする過程を有すること
を特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項37】 局所接続を形成する方法であって、該方法は、 半導体基板上に少なくとも二つのトランジスタゲートを形成する過程と、 前記トランジスタゲートの少なくとも一つの上に横たわり、前記ゲートの一つ
の少なくとも一つのソース/ドレイン領域と前記トランジスタゲートの他の近傍
の半導体基板材料とを接続する局所接続層を堆積する過程と、 前記局所接続層を通してその下の半導体基板材料内に導電性増強不純物を注入
する過程と、 からなることを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項38】 請求項37記載の方法であって、該方法は更に、前記注入
過程とは異なる他の注入過程として、前記局所接続層の中にあるピーク濃度場所
に導電性増強不純物を注入する過程を有することを特徴とする局所接続形成方法
。 - 【請求項39】 集積回路を製造する方法であって、該方法は、 半導体基板上にゲート絶縁層を形成する過程と、 前記ゲート絶縁層上に導電性ドープト半導体層を形成する過程と、 前記半導体層上に絶縁キャップ層を形成する過程と、 前記絶縁キャップ層上にエッチングストップ層を形成する過程と、 複数のトランジスタゲートラインとするために、前記エッチングストップ層、
前記キャップ層及び前記半導体層をパターンニング及びエッチングする過程と、 前記基板及び前記トランジスタゲートライン上に、エッチングされた前記エッ
チングストップ層、前記キャップ層及び前記半導体層を組合わせた厚さよりも厚
くなるように酸化物層を堆積する過程と、 前記エッチングストップ層をエッチングストップとして用いて前記堆積された
酸化物層を化学機械研磨する過程と、 前記複数のゲートラインとは異なる近傍の少なくとも二つの別の場所において
前記半導体基板の材料を露出させるように、研摩された前記酸化物層をパターン
ニング及びエッチングする過程と、 前記場所と電気接続となるように、前記複数のゲートライン上に局所接続層を
堆積する過程と、 前記複数のゲートラインの少なくとも二つの上に横たわる局所接続ラインとな
るように前記局所接続層をエッチングする過程と、 からなることを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項40】 導電ライン形成方法であって、該方法は、 半導体基板上にフィールド絶縁材料領域と活性エリア領域を形成する過程と、 前記フィールド絶縁材料の中に、所望のライン形状となるように、トレンチを
エッチングする過程と、 前記トレンチを少なくとも一部分充填し、且つその中に導電ラインを形成する
ために、導電性材料を堆積する過程と、 からなることを特徴とする導電ライン形成方法。 - 【請求項41】 請求項40記載の方法であって、該方法は、LOCOS酸
化物を有するように前記フィールド絶縁材料を形成する過程を有することを特徴
とする導電ライン形成方法。 - 【請求項42】 請求項40記載の方法であって、該方法は、前記活性エリ
ア及びフィールド絶縁領域上に絶縁層を堆積し、前記エッチング過程の前に前記
絶縁層を平坦化する過程を有することを特徴とする導電ライン形成方法。 - 【請求項43】 請求項40記載の方法であって、該方法は、前記活性エリ
ア及びフィールド絶縁領域上に絶縁層を堆積し、前記エッチング過程の前に前記
絶縁層を平坦化する過程を有し、前記エッチング過程は前記トレンチが平坦化さ
れた前記絶縁層内に受容されるようにエッチングする過程を有することを特徴と
する導電ライン形成方法。 - 【請求項44】 請求項40記載の方法であって、該方法は、エッチングさ
れた基板トレンチ内に形成されるCVD酸化物を有するように前記フィールド絶
縁材料を形成する過程を有することを特徴とする導電ライン形成方法。 - 【請求項45】 請求項40記載の方法において、前記導電性材料は最初に
前記トレンチを過剰充填するように堆積され、その最初の堆積の後、前記トレン
チを前記導電性材料で一部分だけが充填された状態とするために、前記導電性材
料の一部を除去する過程を有することを特徴とする導電ライン形成方法。 - 【請求項46】 局所接続を形成する方法であって、該方法は、 半導体基板に対して形成されたフィールド絶縁材料の中に、活性エリア基板材
料の近傍の絶縁材料の端部まで延在するトレンチをエッチングする過程と、 前記基板上に、前記トレンチを少なくとも部分的に充填し、前記活性エリア基
板材料と電気的に接続する局所接続材料層を形成する過程と、 からなることを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項47】 請求項46記載の方法であって、該方法は、LOCOS酸
化物を有するように前記フィールド絶縁材料を形成する過程を有することを特徴
とする局所接続形成方法。 - 【請求項48】 請求項46記載の方法であって、該方法は、エッチングさ
れた基板トレンチ内に形成されるCVD酸化物を有するように前記フィールド絶
縁材料を形成する過程を有することを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項49】 請求項46記載の方法において、前記導電性材料は最初に
前記トレンチを過剰充填するように堆積され、その最初の堆積の後、前記トレン
チを前記導電性材料で一部分だけが充填された状態とするために、前記導電性材
料の一部を除去する過程を有することを特徴とする局所接続形成方法。 - 【請求項50】 フィールド絶縁材料領域と活性エリア領域とを有する半導
体基板と、 前記フィールド絶縁材料の中に形成されたトレンチ内に受容される導電ライン
と、 からなることを特徴とする集積回路。 - 【請求項51】 請求項50記載の集積回路において、前記フィールド絶縁
材料はLOCOS酸化物からなることを特徴とする集積回路。 - 【請求項52】 請求項50記載の集積回路において、前記フィールド絶縁
材料は、エッチングされた基板トレンチ内に形成されるCVD酸化物からなるこ
とを特徴とする集積回路。 - 【請求項53】 請求項50記載の集積回路において、前記トレンチ内の前
記導電ラインは、前記フィールド絶縁材料内に形成されるトレンチの形状によっ
て画定されることを特徴とする集積回路。 - 【請求項54】 請求項53記載の集積回路において、前記フィールド絶縁
材料はLOCOS酸化物からなることを特徴とする集積回路。 - 【請求項55】 請求項53記載の集積回路において、前記フィールド絶縁
材料はエッチングされた基板トレンチ内に形成されるCVD酸化物からなること
を特徴とする集積回路。 - 【請求項56】 請求項50記載の集積回路において、前記トレンチはフィ
ールド絶縁材料からなる対向した絶縁側壁を有し、前記ラインの導電性材料は前
記トレンチ側壁と接触していることを特徴とする集積回路。 - 【請求項57】 フィールド絶縁材料領域と活性エリア領域とを有する半導
体基板と、 前記活性エリア領域と電気的に接続し、該活性エリア領域上から前記フィール
ド絶縁材料の中に形成されたトレンチまで延在する局所接続ラインと、 からなることを特徴とする集積回路。 - 【請求項58】 請求項57記載の集積回路において、前記フィールド絶縁
材料はLOCOS酸化物からなることを特徴とする集積回路。 - 【請求項59】 請求項57記載の集積回路において、前記フィールド絶縁
材料は、エッチングされた基板トレンチ内に形成されるCVD酸化物からなるこ
とを特徴とする集積回路。 - 【請求項60】 請求項57記載の集積回路において、前記トレンチ内の前
記導電ラインは、前記フィールド絶縁材料内に形成されるトレンチの形状によっ
て画定されることを特徴とする集積回路。 - 【請求項61】 請求項60記載の集積回路において、前記絶縁材料はLO
COS酸化物からなることを特徴とする集積回路。 - 【請求項62】 請求項60記載の集積回路において、前記フィールド絶縁
材料は、エッチングされた基板トレンチ内に形成されるCVD酸化物からなるこ
とを特徴とする集積回路。 - 【請求項63】 請求項60記載の集積回路において、前記トレンチはフィ
ールド絶縁材料からなる対向した絶縁側壁を有し、前記局所接続ラインの導電性
材料は前記トレンチ側壁と接触していることを特徴とする集積回路。
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