JP2003527488A

JP2003527488A - 電気メッキ装置及びその方法

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Publication number: JP2003527488A
Application number: JP2001567824A
Authority: JP
Inventors: ジョン・マイケル・ロウ
Original assignee: ティーディーエーオー・リミテッド
Priority date: 2000-03-13
Filing date: 2001-03-13
Publication date: 2003-09-16
Also published as: RU2244047C2; AU775148B2; CN1426495A; GB0005886D0; CN1283847C; US6495018B1; EP1272692A1; WO2001068949A1; KR20030036143A; CA2403122A1; MXPA02008975A; BR0109302A; AU4080501A

Abstract

(57)【要約】内部壁（２）と邪魔棒（３）とによってその間に形成された単一輸送チャンネル。電解質（５）が、チャンネル（１）の内部を吸い上げられ、-10ボルトに保持されたカソードである基板（４）上に向けられる。チャンネル（１）の内壁（２）の上部は、電解液（５）が基板とアノード（６）の上部水平面との間になるようにアノードを形成する。基板（４）への衝突後に、電解液（５）を収集しかつ除去するのを補助するために、第２の邪魔板（７）を備える。電解液（５）と基板（４）との間の接触は、電解液がチャンネル（１）を通る際に、旋回運動する電解液を備えることによって最適化される。アノード（６）は固体導電性棒（１０）であるが、代替として、固体ロッド（１１）又は管（１２）から成ってもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

本発明は、電気メッキ装置及び電気メッキ方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】

電気メッキに関する主要な問題は、特に高堆積率で行ったときの、堆積の不均
一性の問題である。

【０００３】他の主要な問題は、全領域について電気的に接続するようにメッキしなければ
ならないことである。

【０００４】既存の方法を用いて均一なメッキ堆積を行うためには、均一抵抗の媒体で分離
された２つの平行な同軸の等電位の導電面を形成することが必要である。２つの
面の間に電位差があると、２つの面間で面に直交する方向に均一密度で電流が流
れることである（図１参照）。２つの面を分離する媒体が、堆積される材料の相
当量の適したイオンを含む適した組成の電解液ならば、材料の均一な堆積がより
大きな負の電位の面に形成される。堆積量は材料の種類と全電荷とに依存する。

【０００５】実際は、２つの面の表面粗さ及び電解液の均一性の欠如のために、上述の状態
は生じない。また、ターゲット（標的）面の表面のうちのいくつか又は全てに対
して、面の真の平行性と負の（ターゲットの）面の導電表面の生じ得る不規則な
パターンと電解液の流れの制限とに関連した実際の困難が、電解液内での電流密
度の均一性の欠如に加わることになる。これにより、ターゲット表面上に材料を
不規則に堆積される。

【０００６】図２は、ターゲットの（負の）表面の不規則性に起因した、電流の流れの乱れ
、すなわち、電流密度分布を示している。正の表面の不規則性及び電解液抵抗の
変動に起因した乱れは図示していない。

【０００７】図３は、一様でない電流密度分布に起因したターゲット表面における不規則性
を強調して示している。一様でない電流密度と表面不規則性との間の相互作用が
、互いに進行的であるように見える。

【０００８】ターゲット表面での電流発散（発散棒）の使用を含むこのような効果を相殺す
る複数の技術が用いられてきた。このような技術は部分的にだけ成功しているが
、固有の非効率性を有する。ーゲット表面がメッキされるが電気的に接続されて
いない領域を有する状況を扱う実際の技術は、もしあったしてもあまりない。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

本発明は、電解液をターゲットに指向させる手段と、ターゲットの選択領域に
おいてイオンの減少量及び／又は減少速度を制御する手段とを有する電気メッキ
装置を備える。

【００１０】電気メッキ装置は、ターゲットの一部の領域又は全領域における電流をモニタ
ーする手段を備えてもよい。

【００１１】電気メッキは、各領域での材料の堆積を独立に変えられるように各領域に電流
を調整する手段を備えてもよい。

【００１２】指向させる手段（指向手段）は中空の細長ボディを備え、（例えば、ポンピン
グによって、又は、他の圧力手段によって、又は、流れを誘起する他の方法によ
って）そのボディの内部にそって電解液が通過し、出口を通って出ていき、ボデ
ィの一部に対して負の電圧を維持された基板であるターゲットへ指向し、ここで
、ターゲットはカソードを形成し、ボディの一部はアノードを形成する。ボディ
の他の一部は、単一の要素、又は、複数の電気的に孤立した要素あるいはロッド
とから成ってもよい。特に好適な実施形態では、指向手段は、管の内部に沿った
かつターゲットへの電解液の流れのために複数の中空の管を備える。

【００１３】電気メッキ装置は以下の一又は二以上の以下の特徴を含んでもよい：・制御手段が、ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに付与される電流を
調節する手段を備える。・制御手段が、ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに付与される電流の
大きさ及び／又は継続時間を調節する手段を備える。・制御手段が、ターゲットの一領域に流れる電流を測定する手段と、測定手段の
出力に依存してその領域に付与される電流を制御する手段とを備える。・ターゲット上に均一厚さの減少層を備えるように作動可能な手段を備える。・異なる領域が所定の膜厚低減されてターゲット上に減少層を備えるように作動
可能な制御手段を備える。・選択された領域に均一減少厚さでターゲットを備えるように作動可能な制御手
段を備える。・制御手段が、各領域でのイオン減少速度が独立して変わるように、各領域への
電流を制御する手段を備える。・制御手段が、ターゲットの全領域での電流をモニターする手段を備える。・指向手段が中空細長のボディを備え、そのボディの内部に沿って電解液が通過
する。・単一要素アノード。・複数の平行な固体ロッドから成るアノード。・複数の平行な管から成るアノードを備え、その管を電解液が通る。・ターゲットの接触部の近傍において電解液の旋回を生じされる手段。・旋回形成手段が、渦巻きが形成され又は強調（強化）されるようにボディ及び
／又は出口の成形部を備える。・アノードの前縁における歯。

【００１４】電気メッキ装置が、ターゲットに接触する領域において電解液に動きを入れ、
それによって、電解液とターゲットとの間への入射を強調する手段を備える。一
の実施形態では、ボディ及び出口の形状は、通常アノードの前縁に歯を含めるこ
とによって旋回が形成され又は強調されるように形成される。

【００１５】本発明は、電解液をターゲットへ指向させる段階と、ターゲットの選択領域に
おけるイオンの減少量及び／又は減少速度を制御する段階とを備えた電気メッキ
法を含む。

【００１６】この方法は、ターゲットの一部又は全ての領域において電流をモニターする段
階を備えてもよい。

【００１７】この方法は、各領域についての材料堆積速度が独立に変えられるように、各領
域への電流を調節する寸断を備えてもよい。

【００１８】この方法は、ターゲットに接触する領域において電解液を動きを付与し、それ
によって、イオンの有用性を最大にするために、電解液とターゲットとの間への
入射を強調する段階を備えてもよい。一実施形態では、ボディ及び出口の形状は
、通常アノードの前縁に歯を含めることによって旋回が形成され又は強調される
ように形成される。

【００１９】本発明は、デジタルコンピュータの内部メモリに直接ロードすることができる
コンピュータプログラム製品であって、該製品がコンピュータ上で走らされてい
るときに、本発明による方法の段階を実施するためにソフトウェアコード部を備
えたコンピュータプログラム製品を提供する。

【００２０】本発明は、コンピュータ使用可能な媒体に格納されたコンピュータプログラム
製品であって：コンピュータに、ターゲットの選択領域における材料の減少量及び／又は減少
速度を制御させるためにコンピュータ読取可能なプログラム手段を備えたコンピ
ュータプログラム製品を提供する。

【００２１】本発明は、本発明で規定されたコンピュータプログラムの電子配信も提供する
。

【００２２】

【発明の実施の形態】

本発明をより容易に理解するために、添付図面を参照して実施例を介して発明
の詳細な説明を行う。

【００２３】均一な電気メッキ堆積には、ターゲットの各単位面積へ同量の電流が流れるこ
とが必要である。単位面積が小さいほど、堆積前の仕上げの関数として表面の分
解能は良好に仕上がる。ターゲットの各単位面積の表面で適切なイオンの有効量
は、選択された堆積率を維持するのに十分でなければならない。

【００２４】図４には、これらの要求を実現し初期の不規則性を補正する方法を示している
。簡潔さのために、電極の唯一つの行と列とだけ示しており、これらのうち、所
定の不規則性の状況を補正するのに活性なものだけを示している。

【００２５】実際、カソードの対面をカソードに接触させる方法は、カソード材料を支持す
るのに用いられる非導電性基材あるいは基板があるという状況においてだけ実用
的である。

【００２６】図５に、非導電性基板がある状況を扱う方法を示している。透明基板４におけ
るパターンがアノード及び電解溶液全体に広がっている図５には、それはカソー
ドとなる。矢印Ｄは、基板材料の流れの方向を示している。負の電極１６（ある
いは、カソードコネクターとして知られる）は通常、1mmピッチ上で0.5mm幅であ
り、プリント基板１７に取り付けられている。

【００２７】図４及び図５には、ターゲット表面の各単位面積が、独立の電極によって、よ
り負の大きな電位に接続している。各電極における電流は、各単位面積が同じ電
荷を受けるように通常の電子的手段によって制御される。

【００２８】水圧的、拡散的、及び他のバリア層が、好適には設定電流密度が要するものよ
りはるかに大きな割合で適当なイオンがターゲットに存在するのを妨げないよう
に、電解液の供給はアノードとターゲット表面との間の流れを引き起こす。

【００２９】電解液構成、電流密度、及び、ターゲットの表面がメカニズムを介して通る速
度と共に、装置の配置が、減少率を規定する主要な因子である。

【００３０】図５を参照して示した本発明の実施形態では、内部壁２と邪魔板３によってそ
れらの間に形成された単一輸送チャンネル１を備える。チャンネル１は、100mm
高さ、1m幅（すなわち、基板４の幅を超えて延びる）、200mmの両端長（すなわ
ち、基板４の長さに沿って延びる）の寸法を有する。2.5ボルト程度のカソード
−アノード間電位差が用いられてきたが、電解液５はチャンネル１の内部へ吸い
上げられ、アノードに対して-10ボルトに維持されたカソードである基板４へ指
向される。チャンネル１の内部壁２の上部は、電解液が基板とアノード６の上部
水平面との間になるようにアノードを形成する。基板４への衝突後に、時には再
使用のために、電解液５を収集しかつ除去するのを補助するために、第２の邪魔
板７を備える。

【００３１】電解液５と基板４との間の接触は、電解液がチャンネル１を通る際に、旋回運
動する電解液を備え、それによって、流れが基板に衝突する際に渦巻きの形成を
強化して減少率を増大することによって最適化される。

【００３２】図５で示した装置は、従来の電気メッキ技術において最大と考えられてきたも
のより２桁大きな電流密度を用いることによって線形的な堆積を証明した。

【００３３】アノード６の基板４への近接と、それによる通常1mm又は2mmの短い電流経路と
、基板表面での適当なイオンの有用性とによって、電解液５を介して長めの電流
経路を有するシステムと比較して、基板表面の単位面積当たりの極めて均一な電
流を得ることができる。隣接する負の電極間の距離に対する、負の電極から電解
液への距離が、図４及び図５で示した構成に対する異なる電流制御の分解能を規
定する。

【００３４】図５を参照して示した本発明の実施形態は、1m幅、100mm高さ及び20mm両端長
さの寸法の固体導電棒１０であるアノード６を備える。図６の実施形態では、ア
ノードは多くの（12本だけ図示）直径3mmで高さ30mmの固体導電棒から成り、そ
れらの固体導電棒は、高速でかつ正確なイオンの衝突と材料堆積と所要の電流制
御特性の維持とを最大にするために、互いに平行でかつ周縁間距離が約1mmで二
次元グリッド構造で配置され、又は、互いに幾何学的に配置されている。

【００３５】図７の実施形態では、アノードは、外径3mm、内径1mmでかつ高さ30mmの多くの
毛細輸送管１２から成り、これらの毛細輸送管１２は互いに平行でかつ1mの基板
の幅にわたって二次元グリッド構造で配置され、また、管１２は周縁間距離1mm
である。電解液５は、（図５の）棒１０あるいは（図６の）ロッド１１をすぎて
、又は、（図７の）管１２の管内において吸い込まれ、カソードを形成する基板
４のターゲット表面に向けられる。棒１０，ロッド１１あるいは管１２は、カソ
ードに対して+10ボルトに維持されたアノードを形成する。例えば、再使用のた
めに基板４に衝突した後、電解液５を収集及び除去するのを補助するために、邪
魔板７がチャンネル１の出口に備えられる。

【００３６】さらに詳細に述べると、図６は、アノードがプラスチックで包まれた多くの独
立ロッド１１から成る電気メッキ装置を示しており、各ロッドには、負の電極に
対して前述されたように、モニターされかつ制御されて電流が流れる。イオンの
減少が起き、それによって、各アノードセグメントからカソードへの電流経路が
軸間の距離又はアノードセグメント間の水平距離より短く、又は、短く形成され
た表面にアノードの上面が比較的近いので、異なる電流制御の領域の解像度は、
図３，図４及び図５の構成から得られるものよりはるかに改善されている。

【００３７】電流のモニタリング及び調整を図６で示した方法においてアノード要素回路で
実施してもよいので、負の電極において電流をモニタリングしかつ制御は必須で
はない。最適イオン減少解像度を達成する状況が生じ、アノード及び負の電極の
両方の電流モニタリング及び制御を用いてもよい。しかしながら、図６で示した
方法において負の電極の主要な機能は、イオン減少が生ずる負の電位の箇所の間
の電気的接続を提供することである。アノード及び電解液に対する負の電極の幾
何学的配置が、イオン減少が生ずる箇所のサイズの分解能を規定する。多数のア
ノードシステムとイオン減少及び形状を制御する関連因子とは、基板又は導電性
基板がな、かつ、負の電極がイオン減少が所望される基板又はカソードの反対側
に接触してもよい用途へ同様に適用可能である。

【００３８】図７は、図６の複合アノードシステムの発展型を示す。この場合、アノードロ
ッドは中空管の形であり、電解液は矢印Ｅの方向に堆積面への途中の間を介して
運ばれる。中空アノードの原理は、２つの棒とそれらの棒の間に流れるようにさ
れた電解液とを用いることによってより簡単に実現されてもよい（図８及び図９
参照）。基板４の表面での電解液５の流体静力学的バリア層は、基板面に平行な
方向の電解液の速度に依存する。従って、このシステムにおける電解液流れの補
正された構成により、“旋回だけ”法によって実現されたものと比較して種々の
バリア層が減少される。電解液が基板をたたくまで、基板に直交する電解液の初
期の流れによって減少が生ずる。このシステムの構成では、基板の表面での電解
液の停滞の領域の形成が抑制されなければならない。停滞の回避は、旋回の導入
によって実現されてもよい。

【００３９】図５で示したような構成を用いて異なる電流制御の最大解像度を実現するため
に、隣接する負の電極間距離に対する負の電極から電解液までの距離はできる限
り小さく形成されている。従って、図５で示した構成は、負の電極の接触点から
電解液までの距離と２組の電極間の電解液の幅とはいずれもできる限り小さく形
成されている。

【００４０】図６及び図７で示した構成にはこのような制限はない。というのは、制御され
た電流経路の長さが基板からアノードまでの距離によって規定され、それによっ
て２組の負の電極間の寸法がより大きいアノード構造の使用が可能となるからで
ある。これによって、同じ移動時間に対して、基板の移動時間がより速くなるか
、又は、イオン減少速度がより大きくなる。アノードサイズ、又は２組の負の電
極間の距離の制限は、材料が堆積される箇所の最小サイズである。

【００４１】図５，図６及び図７で示したような負の電極構造の使用が可能でない箇所に材
料を堆積することが必要な場合では、図５のアノードと同じ形状でアノードアレ
イと混合された負の電極、又は、同軸のアノード−カソードロッド／管を使用し
てもよい。いずれの場合でも、負の電極の基板との接触点は、図５，図６及び図
７の負の電極を電解液の汚れから保護するために用いられるような脱イオン水蒸
気によって、又は、他の適当な手段によって電解液から保護しなければならない
。

【００４２】図６及び図７のロッド及び管は平行に示している。しかしながら、変形態様で
は、それらは平行でなくてもよく、例えば、それらは上部がそれ以外より互いに
接近して態様で直線状あるいは曲線状であってもよく、及び／又は、それらのう
ちの一又は二以上が、電解液へ循環状あるいは旋回状の運動を伝達する渦巻き状
又はらせん状の形態であってもよい。

【００４３】各領域に関連した（正の及び／又は負の）電極における電流は、各電極に流れ
る電流を測定し、これを所望の値と比較して、所望の値まで電流を増大又は減少
することによって制御してもよい。各電極に流れる電流は、電極回路に配置され
た適当な抵抗器の電圧を測定することによって定量化してもよい。各電極に流れ
る電流は、アナログ又はデジタル技術を用いて調節してもよい。

【００４４】材料が堆積されるパターンが繰り返される場合は、時間又は各電極の距離に対
する電流のプロファイルは、最適結果のために予めプログラミングされてもよい
。電流プロファイルの各サイクルは、各繰り返しパターンと同時又はその前のマ
ーカーによって起動してもよい。

【００４５】図８に、ターゲット表面に直交する電解液流れの一部と共に簡単な中空アノー
ドシステムを示す。

【００４６】図８は、不撓性又は可撓性基板２１をメッキする電気メッキ装置２０を示す。
装置２０は中空アノード２２を備え、電解液２３は、アノードの中心を介して、
方向Ｂに移動する基板２１の一部上に指向し、側部チャンネル２４に沿って除去
される。カソード２５は歯２７を有する櫛形主要部２６の形であって、それによ
って、基板２１の全所要部上へ材料が適度に堆積するのを保証するために、電解
液２３の衝突前及び衝突後に基板２１の接続されていない領域がカソード２５に
電気的に接続されるのを保証する。

【００４７】カソード２５への接触前及び接触後に、脱イオン水を基板２０へ向けるために
、ノズル２９を有する２つのクリーナー２８を備える。

【００４８】図９は、図８の装置の変形であるが、基板２１の両側がメッキされるものであ
る。

【００４９】上述のアノードは非犠牲タイプのものであり、幾何学的完整性を維持するため
に耐食性の材料から成る。

【００５０】電解液の組成は、適当な塩の付加によって、又は、第２の犠牲アノードの使用
によって維持されてもよい。

【００５１】いずれのシステムを使用しても、アノードとカソードとの密な幾何学的関係の
ために、従来の方法と比較して、電力要求が低減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】２つの導電性面の間の理想的な電流の模式図である。

【図２】表面不規則性を有する２つの導電性面の間の実際の電流の模式図
である。

【図３】２つの導電性面の間のピークビルドアップの模式図である。

【図４】表面不規則性を有する２つの導電性面の間の電流制御溶液の模式
図である。

【図５】本発明の模式図である。

【図６】本発明の他の態様の模式図である。

【図７】本発明の他の態様の模式図である。

【図８】本発明の他の態様の模式図である。

【図９】図８の変形の模式図である。

【符号の説明】

２内部壁３邪魔棒４基板５電解液６アノード１０固体導電性棒１１固体ロッド１２管１６負の電極２０電気メッキ装置２１基板２２アノード２３電解液２４チャンネル２５カソード２６主要部２７歯

【手続補正書】【提出日】平成１４年１０月２５日（２００２．１０．２５）【手続補正１】【補正対象書類名】明細書【補正対象項目名】特許請求の範囲【補正方法】変更【補正の内容】【特許請求の範囲】【請求項１】ａ．電解液の流れをターゲットへ向ける指向手段と、ｂ．前記ターゲットの選択領域におけるイオンの減少量及び／又は減少速度を
制御する制御手段であって、ｉ．前記ターゲットの前記領域に流れる電流を測定する測定手段と、 ii．前記測定手段の出力に依存して前記領域に付与される電流を制御する手段
と、を備えた制御手段と、ｃ．前記領域の近傍において電解液の流れに旋回をもたらし、それによって、
流れが前記領域に衝突する際の渦巻きの形成を強化してイオン減少速度を増大す
る旋回形成手段と、を備えた電気メッキ装置。【請求項２】前記旋回形成手段が、渦巻きを前記電解液に形成し又は強化
するように前記装置の成形されたボディ及び／又は前記電解液の出口を備えた請
求項１に記載の装置。【請求項３】前記旋回形成手段が、アノードの前縁に歯を備えた請求項１
又は２のいずれかに記載の装置。【請求項４】制御手段が、ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに
付与される電流の大きさ及び／又は継続時間を調節する手段を備えた請求項１か
ら３のいずれか一項に記載の装置。【請求項５】異なる領域で所定の膜厚低減されてターゲット上に材料堆積
層を備えるように作動可能な制御手段を備えた請求項１から４のいずれか一項に
記載の装置。【請求項６】選択された領域に均一堆積厚さの材料堆積層を有するターゲ
ットを備えるように作動可能な制御手段を備えた請求項１から５のいずれか一項
に記載の装置。【請求項７】制御手段が、各領域でのイオン減少速度が独立に変わるよう
に、各領域へ流れる電流を制御する手段を備えた請求項１から６のいずれか一項
に記載の装置。【請求項８】制御手段が、ターゲットの全領域における電流をモニターす
る手段を備えた請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。【請求項９】指向手段が中空細長のボディを備え、該ボディはそのボディ
の内部に沿った電解液の通路である請求項１から８のいずれか一項に記載の装置
。【請求項１０】単一要素アノードを備えた請求項１から９のいずれか一項
に記載の装置。【請求項１１】複数の平行な固体ロッドから成るアノードを備えた請求項
１から１０のいずれか一項に記載の装置。【請求項１２】複数の平行な管から成るアノードを備え、その管を電解液
が通る請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。【請求項１３】ａ．電解液の流れをターゲット領域へ向ける段階と、ｂ．前記ターゲットの選択領域におけるイオンの減少量及び／又は減少速度を
制御する段階と、ｃ．前記ターゲット領域に流れる電流を測定する段階と、ｄ．前記測定段階の出力に依存して前記ターゲット領域に付与される電流を制御する段階と、ｅ．前記電解液を旋回して流れが前記領域に衝突する際の渦巻きの形成を強化
し、それによってイオン減少速度を増大する段階と、を備えた電気メッキ法。【請求項１４】ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに付与される
電流を調節する調節段階を備えた請求項１３に記載の方法。【請求項１５】ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに付与される
電流の大きさ及び／又は継続時間を調節する段階を備えた請求項１３または１４
のいずれかに記載の方法。【請求項１６】ターゲットの一領域に流れる電流を測定する段階と、測定
段階の出力に依存してその領域に付与される電流を制御する段階とを備えた請求
項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。【請求項１７】ターゲット上に均一厚さの材料堆積層を備えるようにする
制御段階を備えた請求項１３から１６のいずれか一項に記載の方法。【請求項１８】異なる領域が所定膜厚を有するように、ターゲット上の材
料堆積層を制御する制御段階を備えた請求項１３から１７のいずれか一項に記載
の方法。【請求項１９】制御段階が、選択された領域に均一堆積厚さをターゲット
に備える請求項１３から１８のいずれか一項に記載の方法。【請求項２０】制御段階が、各領域でのイオン減少速度が独立に変わるよ
うに、各領域への電流を制御する段階を備えた請求項１３から１９のいずれか一
項に記載の方法。【請求項２１】制御段階が、ターゲットの全領域での電流をモニターする
段階を備えた請求項１３から２０のいずれか一項に記載の方法。【請求項２２】単一要素アノードを備えた請求項１３から２１のいずれか
一項に記載の方法。【請求項２３】複数の平行な固体ロッド管から成るアノードを備えること
を具備した請求項１３から２２のいずれか一項に記載の方法。【請求項２４】複数の平行な管から成るアノードを備えることを具備し、
その管に沿って電解液が通る請求項１３から２３のいずれか一項に記載の方法。【請求項２５】旋回を形成する段階が、前記ターゲット領域との接触部の
近傍において電解液を旋回させ、前記流れが基板に衝突する前に渦巻きの形成を
強化することを含む請求項１３から２４のいずれか一項に記載の方法。【請求項２６】前記の渦巻きを形成し又は強化する段階が、前記流れが通
って流れる成形ボディ及び／又は出口によってもたらされる請求項１３から２５
のいずれか一項に記載の方法。【請求項２７】前記の電解質を旋回する段階が、アノードの前縁に歯を配
置することを含む請求項１３から２６のいずれか一項に記載の方法。【請求項２８】ａ．第１の壁と、第２の壁と、それらの壁の間に配置され
た第１の電極と、前記壁の間でかつ前記第１の電極の上に基板接触領域と、を含
む電解液チャンネルを備える段階と；ｂ．前記基板接触領域に隣接して第２の電極を配置する段階と；ｃ．電解液の流れを前記電解液チャンネルを通す段階と；ｄ．前記基板の一部だけが所定時に常に前記電解液に接触するように、前記第
２の電極と前記基板接触領域とにわたる基板接触領域より大きく基板を移動する
段階と；を備える請求項１３から２５のいずれか一項に記載の方法。【請求項２９】前記第１の電極がアノードであり、前記第２の電極がカソ
ードである請求項２８に記載の方法。【請求項３０】電解液の流れが前記基板接触領域を過ぎるときに、旋回運
動が電解液の流れにおいて生ずる請求項２８に記載の方法。【請求項３１】前記アノードが、該アノードの前縁上に歯を備える請求項
２８に記載の方法。【請求項３２】デジタルコンピュータの内部メモリに直接ロードすること
ができるコンピュータプログラム製品であって、該製品がコンピュータ上で走ら
されるときに、請求項１３から３１のいずれか一又は二以上の方法の段階を実施
するためにソフトウェアコード部を備えたコンピュータプログラム製品。【請求項３３】コンピュータ使用可能な媒体に格納されたコンピュータプ
ログラム製品であって：コンピュータに電解液をターゲットへ指向させるためにのコンピュータ読取可
能なプログラム手段と；コンピュータに、ターゲットの選択領域におけるイオンの減少量及び／又は減
少速度を制御させるためにコンピュータ読取可能なプログラム手段とを備えたコ
ンピュータプログラム製品。【請求項３４】請求項３２または３３のいずれかに規定されたコンピュー
タ使用可能な媒体の電子配信。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２５Ｄ 21/12 Ｃ２５Ｄ 21/12 Ｊ (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電解液をターゲットに向ける指向手段と、ターゲットの選択
領域におけるイオンの減少量及び／又は減少速度を制御する制御手段とを備えた
電気メッキ装置。
【請求項２】制御手段が、ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに
付与される電流を調節する手段を備えた請求項１に記載の装置。
【請求項３】制御手段が、ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに
付与される電流の大きさ及び／又は継続時間を調節する手段を備えた請求項１ま
たは２のいずれかに記載の装置。
【請求項４】制御手段が、ターゲットの一領域に流れる電流を測定する手
段と、測定手段の出力に依存してその領域に付与される電流を制御する手段とを
備えた請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】ターゲット上に均一厚さの材料堆積層を備えるように作動可
能な制御手段を備えた請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】異なる領域で所定の膜厚低減されてターゲット上に材料堆積
層を備えるように作動可能な制御手段を備えた請求項１から５のいずれか一項に
記載の装置。
【請求項７】選択された領域に均一堆積厚さの材料堆積層を有するターゲ
ットを備えるように作動可能な制御手段を備えた請求項１から６のいずれか一項
に記載の装置。
【請求項８】制御手段が、各領域でのイオン減少速度が独立に変わるよう
に、各領域へ流れる電流を制御する手段を備えた請求項１から７のいずれか一項
に記載の装置。
【請求項９】制御手段が、ターゲットの全領域における電流をモニターす
る手段を備えた請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】指向手段が中空細長のボディを備え、該ボディはそのボデ
ィの内部に沿った電解液の通路である請求項１から９のいずれか一項に記載の装
置。
【請求項１１】単一要素アノードを備えた請求項１から１０のいずれか一
項に記載の装置。
【請求項１２】複数の平行な固体ロッドから成るアノードを備えた請求項
１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】複数の平行な管から成るアノードを備え、その管を電解液
が通る請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】ターゲットの接触部の近傍において電解液の旋回を形成す
る手段を備えた請求項１から１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】旋回形成手段が、渦巻きが形成され又は強調されるような
形状にされたボディ及び／又は出口を備える請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】アノードの前縁に歯を備えた請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】電解液をターゲットへ指向させる段階と、ターゲットの選
択領域におけるイオンの減少量及び／又は減少速度を制御する段階とを備えた電
気メッキ法。
【請求項１８】ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに付与される
電流を調節する段階を備えた請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】ターゲットの複数の分離した領域のそれぞれに付与される
電流の大きさ及び／又は継続時間を調節する段階を備えた請求項１７または１８
のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】ターゲットの一領域に流れる電流を測定する段階と、測定
段階の出力に依存してその領域に付与される電流を制御する段階とを備えた請求
項１７から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】ターゲット上に均一厚さの材料堆積層を備えるようにする
制御段階を備えた請求項１７から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】異なる領域が所定膜厚を有するように、ターゲット上の材
料堆積層を制御する制御段階を備えた請求項１７から２１のいずれか一項に記載
の方法。
【請求項２３】制御段階が、選択された領域に均一堆積厚さをターゲット
に備える請求項１７から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】制御段階が、各領域でのイオン減少速度が独立に変わるよ
うに、各領域への電流を制御する段階を備えた請求項２０から２４のいずれか一
項に記載の方法。
【請求項２５】制御段階が、ターゲットの全領域での電流をモニターする
段階を備えた請求項１７から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】指向手段が中空細長のボディを備え、該ボディがそのボデ
ィの内部に沿った電解液の通路となる請求項１７から２４のいずれか一項に記載
の方法。
【請求項２７】単一要素アノードを備えた請求項１７から２６のいずれか
一項に記載の方法。
【請求項２８】複数の平行な固体ロッド管から成るアノードを備えた請求
項１７から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】複数の平行な管から成るアノードを備え、その管に沿って
電解液が通る請求項１７から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】ターゲットの接触部の近傍において電解液の旋回を生じさ
れる段階を備えた請求項１７から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】ボディ及び／又は出口を成形することによって、渦巻きを
形成し又は強調する段階を備えた請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】アノードの前縁に歯を備えた請求項２９又は３０のいずれ
かに記載の方法。
【請求項３３】デジタルコンピュータの内部メモリに直接ロードすること
ができるコンピュータプログラム製品であって、該製品がコンピュータ上で走ら
されるときに、請求項１７から３２のいずれか一又は二以上の方法の段階を実施
するためにソフトウェアコード部を備えたコンピュータプログラム製品。
【請求項３４】コンピュータ使用可能な媒体に格納されたコンピュータプ
ログラム製品であって：コンピュータに電解液をターゲットへ指向させるためにのコンピュータ読取可
能なプログラム手段と；コンピュータに、ターゲットの選択領域におけるイオンの減少量及び／又は減
少速度を制御させるためにコンピュータ読取可能なプログラム手段とを備えたコ
ンピュータプログラム製品。
【請求項３５】請求項３３または３４のいずれかに規定されたコンピュー
タ使用可能な媒体の電子配信。