JP6713536B2 - 金属めっき法 - Google Patents

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    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells

Description

発明の分野
本発明は、基材を電気化学的に処理するための方法、すなわち基材への金属めっきに関する。さらに本発明は、基材ホルダ受け装置および電気化学的処理装置に関する。
発明の背景
多くの電気化学的プロセス、特に金属めっきでは、電解質流を使用して基材に金属イオンを運ぶことによって基材を処理する。典型的には、電解質中のイオンにより電荷を運んで基材を電気的に接続させることによって、このプロセスに電子を供給する。電解質流の化学的、水力学的および幾何学的特性によって基材に運ばれるイオンの量が決まり、特に基材の特定の領域に運ばれるイオンの量が決まる。典型的なプロセスでは、この基材上の特定の箇所に到達するイオンの量によって、処理の強度が決まる。
多くの電気化学的プロセスでは、均一な処理が求められる。これを達成するためには、基材の各点に同量のイオンを運ぶことが望ましい。通常は、少なくとも1つのノズルを用い、このノズルに電解質を通して電解質を基材へと向かわせる。これによって、ノズルを向ける、したがって電解質流を向かわせる基材の各点での処理強度が高まる。金属めっきプロセスでは、これによってこうした各点でのコーティング厚が増してコーティングが不均一となる。さらに、電解質流は均一ではない。したがって、このことからも不均一性が生じる。
従来技術では、電解質流を基材へと向かわせる少なくとも1つのノズルによって生じる濃縮効果に関して電解質流を距離全体にわたって均一化することを目的として、アノードと基材との間に最大限の距離をおくように選択される場合が多い。これによって有用な結果が生じるが、しかしこれには改善の余地がある。この目的を達成するため、従来技術ではノズルに対して基材を移動させるプロセスが知られており、これは基材の処理を均一化するために行われる。こうした移動は、基材の固定点の周囲での基材全体の円状の移動として行われる。
この公知の方法の欠点の1つとして、コーティング厚が依然として非常に不均一であるため、こうした固定点の領域の周囲で円状の移動が行われるという点が挙げられる。
発明の目的
したがって従来技術に鑑み、本発明の目的は、より均一な結果が得られる、改良された電気化学的プロセスを提供することにあった。
発明の概要
本発明の主題は、請求項1に記載の、基材を電気化学的に処理するための方法である。
本発明によれば、第1の経路に沿った第1の移動が行われる。この移動は、基材表面に沿って行われる。この第1の移動に加えて、この第1の経路に沿って、第2の移動が第2の経路に沿って行われる。このようにして基材と電解質流との全体的な相対的移動が行われ、この相対的移動は、基材表面に沿ったこの第1の経路と第2の経路とを合わせて得られる経路によって決まる。要するに、第1の移動に第2の移動を加えた結果、電解質流と基材表面との間での相対的移動が生じる。この第1の移動と第2の移動とを別々の移動ユニットで行ってもよいが、第1の経路と第2の経路とを制御した状態で合わせるためには、電気制御可能な単一の移動ユニットを用いることが好ましい。こうした第1の移動と第2の移動との足し合わせは、幾何学的に行われる。これを同時に行うことも可能ではあるが、必ずしも同時に行わねばならないわけではない。第1の移動も第2の移動も、基材と電解質流との間での相対的移動である。
電解質流と基材との間でのこうした相対的移動の利点の1つとして、はるかにより分散した様式でめっきを生じさせうるという点が挙げられ、これによってコーティング厚がより均一になる。このことは、第1の経路の移動および第2の経路の移動を、得られる経路が重なり合うようにして行った場合に起こりうるが、しかし、得られる経路が重なり合わない場合にも起こりうる。なぜならば、得られる理論上の経路であって、該経路に沿って基材ホルダと電解質流との間で相対的移動が行われるところの経路よりも、局所的に集中した電解質流の処理範囲の方が広いためである。したがって、得られる経路が重なり合わなくとも、処理範囲は重なり合うことができる。
本発明の理解をより深めるため、以下の発明の詳細な説明を付属の図面と併せて考察して参照する。
図1に、第1の移動の第1の経路と第2の移動の第2の経路とを合わせて得られる経路の概略図を示す。 図2に、2行×2列の配列の形態の停止点のパターンの概略図を示す。 図3に、3行×3列の配列の形態の停止点のパターンの概略図を示す。 図4に、4行×4列の配列の形態の停止点のパターンの概略図を示す。 図5に、5行×5列の配列の形態の停止点のパターンの概略図を示す。 図6に、6行×6列の配列の形態の停止点のパターンの概略図を示す。 図7に、平坦な材料にめっき処理を施すための装置の基材ホルダ受け装置を示す。 図8に、電気化学的処理装置の概略図を示す。 図9Aは、従来技術による方法を用いた実験の結果であって、めっきを行ったコーティングの厚さを基材全体にわたって示したものである。 図9Bは、図9Aと同一の結果を等高線表示で示したものである。 図10Aは、本発明による方法を用いた実験の結果であって、めっきを行ったコーティングの厚さを基材全体にわたって示したものである。 図10Bは、図10Aと同一の結果を等高線表示で示したものである。
発明の詳細な説明
局所的に集中した複数の電解質流を用いて上記の方法を実施することが好ましい。その場合、上記の方法により、基材表面上のある1つの専用部分を、局所的に集中した複数の電解質流のうちの1つを用いて処理することが好ましい。好ましくは、基材表面上の専用部分は、基材表面の大部分にわたっており、より好ましくは基材表面全体にわたっており、その際、基材表面上で各専用部分の間に間隙が存在しないことが好ましい。基材表面の複数の専用部分の処理を、局所的に集中した複数の電解質流を用いて同時に行うことが好ましい。局所的に集中した複数の電解質流は、例えば、局所的に集中した電解質流の数と一致する数のノズルによって生成可能である。国際公開第2014/095356号(WO 2014/095356)には、第1の装置要素としてノズルプレートが開示されており、ここに本特許出願明細書の一部を構成するものとしてその内容を援用する。好ましくは、金属、好ましくは銅を基材に垂直にめっきするための装置であって、前記装置は、互いに平行に垂直に配置された少なくとも第1の装置要素と第2の装置要素とを備え、第1の装置要素は、複数の貫通導管を備えた少なくとも第1のアノード要素と、複数の貫通導管を備えた少なくとも第1のキャリア要素とを備え、前記少なくとも第1のアノード要素と前記少なくとも第1のキャリア要素とは、互いに堅固に接続されており;第2の装置要素は、処理すべき少なくとも第1の基材を受けることができるように適合された少なくとも第1の基材ホルダを備え、前記少なくとも第1の基材ホルダは、処理すべき少なくとも第1の基材を受けた後にその外側フレーム部に沿って該基材を少なくとも部分的に取り囲み、前記少なくとも第1の装置要素の第1のアノード要素と第2の装置要素の少なくとも第1の基材ホルダとの間の距離は、2〜15mmの範囲であり;前記第1の装置要素の第1のキャリア要素の複数の貫通導管は、キャリア要素表面上の垂線に対して10°〜60°の角度の直線の形態で第1のキャリア要素を貫通する装置が開示される。
局所的に集中した電解質流によって基材全体を覆うことができるようなノズルの配置が好ましい。ノズルの配置が、基材の輪郭と一致する輪郭を有することが好ましい。基材表面での電解質流の流速が、基材の中央部から境界部に向かって高まることが好ましい。これを達成するために、基材の境界部近傍に適用するノズル密度を比較的低くすることができる。
第1の経路の周縁が、基材表面の専用部分の形態と一致することが好ましい。基材の専用部分の形態としては、表面を該形態によって完全に覆うことができるようなものが好ましく、例えば長方形、正方形、六角形または三角形の形態であることが好ましい。基材表面を形状の異なる専用部分で覆うことも可能であるが、異なる専用部分が一緒になって表面全体を覆うことも可能である。この例は、数学やタイル面でよく知られている。
第1の経路が、第2の経路の形態とは異なる形態を有することが好ましい。このようにして第1の経路を基材の輪郭に適合させることができ、一方で、均一性を良好にすべく、ある第2の経路をこれ以外の1つまたは複数の第2の経路と良好に重なり合うように適合させることができる。例えば、これは第2の経路の形態および大きさに関係する。
本方法を、電気化学的処理装置において用いることが好ましい。かかる電気化学的処理装置では、電解質流を生じさせるノズルと基材との間の距離は、好ましくは10mm〜25mmであり、最も好ましくは17.5±2.5mmである。これは、一般的な電気化学的処理装置よりもはるかに短い距離である。1つの基材につき多数の小さなノズルを備えることが好ましく、例えば、基材の少なくとも一部または基材全体にわたって10cmあたり約1つのノズルを備えることが好ましい。これに加えてまたはこれに代えて、ノズルと基材との間の距離を、隣り合う2つのノズルの間の距離の1/3〜3倍とすることができる。各ノズルが、基材に向いたそれらの端部で約1mmの直径を有することが好ましい。こうした条件によって、典型的にはノズルと基材との間の距離がこれよりもはるかに長い一般的な電解処理と比較して、基材における処理強度が、はるかにより不均一でかつほぼ点状の分布を示すようになる。基材におけるノズルからの流れの打撃点では、それまでに何も使用されていなかったため電解質の元の成分の濃度は最大であり、その結果、基材表面のうちの流れの打撃を直接受けない他の部分とは異なる処理条件が生じる。さらに、成分濃度以外の処理条件によって非連続的な効果が生じることもある。例えば、基材表面上のほぼ点状の打撃範囲におけるある1つのノズルからの流速および/または流れの圧力分布が不均一である場合があるため、さらなる措置を施さなければ、この点でのコーティング厚は不均一となる。こうした効果も、本方法によって均一化される。
基材は、ノズルからの電解質流で覆われる範囲より小さくてもよい。したがって、より汎用性の高い方法および装置をそれぞれ提供することができる。
ノズルを、斜めにして基材に向けることが好ましい。電解質を、寸法が約400×600mmまたは約500×500mmである典型的な基材へと向かわせ、30〜40l/分の体積流量で流すことが好ましい。電解質流を、水平の流れ方向で基材へと向かわせることが好ましい。流速は、好ましくは20〜35m/sである。電解質をノズルに通して押し出すのに、約800ミリバールの圧力を用いることが好ましい。
好ましくは、本方法を実施できるように構成された装置において、基材を、向かい合う2つの面から処理することができる。その場合、基材の両面を処理するには、第1の移動を1回行いかつ第2の移動を1回行えば十分である。その場合、対応する電解質流を基材の向かい合う各面へと向かわせることが好ましい。基材の向かい合う各面に到達するようにするため、各電解質流は異なる方向を有し、好ましくは逆向きの方向を有する。各電解質流が互いに一定の位置を有することが好ましい。
電解質流が連続的であることが好ましい。少なくとも1つの貫通導管を備えたアノードを使用して基材ホルダ内の基材を処理することが好ましい。基材ホルダが、基材をその周縁で取り囲むことが好ましい。ノズルから基材表面までの電解質流の長さが、基材表面の比較的大きな寸法よりも短いことが好ましく、電解質流の長さが、基材表面の比較的大きな寸法の1/10よりも短いことがより好ましい。このように、アノードと基材表面の専用部分との間の距離を可能な限り短くすることで、処理プロセスを行う位置の精度が有利にも高くなる。このことも、コーティング厚の均一性向上の一助となりうる。
本方法の一実施形態では、第1の経路に沿って第2の移動を2回以上行う。このようにして、第2の移動を第1の移動よりも多い回数分実行する。こうして、第1の移動によって処理すべき範囲と、第2の移動による処理の詳細とを定めることができる。
さらなる実施形態では、第2の移動を1回目に実行する際の第2の経路は、第2の移動を2回目に実行する際の第2の経路と重なり、その際、第2の経路がすべて、少なくとも1つの他の第2の経路と重なることが好ましい。
こうした電解質流と基材との間での相対的移動の利点の1つに、基材表面上の単一の箇所に対して、第2の移動を様々に実行することによって衝撃を与えることができるため、この箇所を第1の移動の際に2回以上処理することができるという点が挙げられる。このことは、基材上の多数の箇所について該当しうる。このようにしてコーティング厚の均一性を良好にすることができるとともに、表面を良好に確実に完全に覆うことができる。ある処理領域内で得られる経路の一部が、これに隣接する処理領域内で得られる経路の他の部分と交差する結果、基材表面の多数の処理領域が互いに重なり合うことが好ましく、その際、この処理領域は、単一の処理箇所を複数含む。このことは、各処理領域が重なり合わずに互いに境界を接していることよりも好ましい。このように各処理領域が重なり合わずに互いに境界を接している場合には常に、各処理領域間に間隙が生じるリスクがある。
第1の経路によって覆われる距離が、第1の経路の1回の実行に伴って第2の経路を複数回実行することによって覆われる距離よりも短いことが好ましい。その場合、得られる経路の大部分は、第2の移動を複数回実行することによって生じる。得られる経路の大半または得られる経路のほぼすべてを単一の箇所で実行し、この箇所で、得られる経路の様々な部分同士が交差することが好ましい。第2の移動を、第1の移動よりも多くの回数分実行しかつ/または互いにそれら自体の大きさよりも短い距離で実行することが好ましいため、これらは互いに何度も交差する。上記の措置によって、コーティング厚の均一性が向上する。第2の移動を実行することによって覆われる距離が、第1の移動を1回実行する際にこの第1の移動によって覆われる距離の少なくとも5倍の長さであることが好ましい。
さらなる実施形態では、第1の移動は非連続的であり、第1の移動を停止させた際に第2の移動を行う。
非連続的とは、第1の経路に沿った第1の移動の進行に際して、第1の移動が速度を有する時と、それ以外の、第1の移動を停止させる時、すなわち第1の移動が速度を有しない時とが存在することを意味する。
第2の移動を停止させていない時の第2の移動の平均速度が、第1の移動を停止させていない時の第1の移動の平均速度よりも高いことが好ましい。
さらなる実施形態では、第1の経路は、第1の移動を停止させる停止点を含み、その場合、これらの停止点で第2の移動を行い、その際、これらの停止点を幾何学的パターン状に配置することが好ましい。
これらのパターンは、配列状のラスタであることができるが、これらのパターンがこれ以外の基本的な幾何学的形状を有することも可能であり、例えば多角形要素で覆われた範囲内の辺上にある点や、例えば2つ以上の異なる幾何学的要素を含むより複雑なモザイク状の幾何学的形状を有することも可能であり、またさらにはこれは不規則な基本パターンであってもよい。重要な点は、基材表面が最終的に均一に処理されるように第2の移動を行うことが可能な位置に、これらの停止点を配置することである。この目的を達成するために、第2の移動の形状および大きさを、第1の移動のパターンの形状および停止点に適合させることができる。各停止点間に規則的な間隔を有するパターンを使用することが好ましい。特にこの場合、すべての実行において同一の第2の移動を常に用いることが好ましいが、複数の異なる第2の移動を特別な種類のパターンに適合させることも可能である。
隣り合う2つの停止点の間の距離が、これら2つの停止点を結ぶ方向における隣り合う2つのノズルの距離よりも短いかまたはそれと等しいことが好ましい。その場合、基材表面のうちの、パターンによって覆われる専用部分は、以下の通りとなるように2つのノズルの間に収まり、すなわち、各ノズルが、基材表面のこれらの各専用部分の間で生じうる重なり合いを除いて基材表面のその専用部分を処理できるように、2つのノズルの間に収まる。
また、第1の移動が複数の停止点から構成される基本パターンを有し、この経路に沿ってさらなる停止を行い、これらの停止が、この基本パターンの各停止点の間に位置することも可能である。このようにして本特許出願明細書に記載の方法を用いた処理の改良が可能であり、これによってコーティング厚の均一性がより良好となる。このことは、重なり合いの量がより多くなることと、処理プロセスがより分散されることによって理解でき、これは実験によっても実証された。このことの利点の1つとして、同一の基本パターンを用いてより良好な結果が得られるという点が挙げられる。例えば、基本パターンの2つの停止点の中間に追加の停止点を1つ加えることができる。しかし、基本パターンの2つの停止点の間でおよび/またはそれらの間の他の位置で、追加の停止点を複数使用することも可能である。
第1の移動を、2つの停止点の間で直線的な移動として行うことが好ましい。これは、第1の移動を行うための単純かつ予想し易い様式である。
第1の移動を1回実行する間に、この第1の移動におけるラスタ点に複数回到達することのないようにするのが好ましい。このようにして、停止点が位置する範囲が一様に覆われる。これにより、均一性が向上する。
第2の移動を行うために第1の移動を停止させることはせずに第1の移動と第2の移動とを同時に行う場合にも、このパターンを使用することができる。その場合、このパターンの停止点は、例えば次の第2の移動の始点として機能しうる。
さらなる実施形態では、幾何学的パターンは、行および列を有する配列を含み、各停止点は、行と列との交点に配置され、好ましくは行の数は、2を上回り、好ましくは3、4、5または6であり、好ましくは列の数は、2を上回り、好ましくは3、4、5または6であり、好ましくは列の数と行の数とは同一であり、その結果、停止点の数は、4、9、16、25または36であり、ラスタは、正方形の形状のラスタである。
ラスタの形態が基材の専用部分の形態と一致することが好ましく、したがって、これを正方形の形状とすることができる。各停止点が、かかる種類のラスタである場合に、実験によって良好な結果が認められた。ラスタが各停止点の間で一定の距離を有することが好ましい。
さらなる実施形態では、第1の移動は、パターンの境界部には存在しない停止点で始まる。
基材表面のある専用部分の境界部範囲では、コーティング厚がより不均一になり易い。なぜなら、これに隣接する専用部分を同一の電解質流で覆うことはしないためである。その一方で、めっきプロセスの初期は、このプロセスにおける後の時点ほどにはまだ安定していない場合があるため、このめっきプロセスの開始時点では不均一性が生じ易い。コーティング厚の均一性を可能な限り向上させるためには、本段落で上述したこれら2つの要因によって起こりうる2つの不均一性が加わらないようにすることが有利である。
さらなる実施形態では、第1の移動のパターンの外輪郭は、処理すべき基材表面の外輪郭と類似する。
輪郭とは、本文脈では、基材の外側境界部を意味する。本方法が、角のある、特に長方形の基材に用いられることが好ましい。その場合、パターンも長方形の形状とすることができる。その場合、長方形の基材の縁部は、パターンの縁部での処理と対応する第2の移動とによって十分に覆われる。輪郭およびパターンのそれぞれの、これ以外の角のあるまたは丸みのある形態についても、同様のことが該当する。
さらなる実施形態では、第2の移動の経路は閉曲線であり、好ましくは円形状の曲線、楕円形状の曲線、長方形状の曲線もしくは正方形状の曲線またはそれ以外では多角形状の曲線であり、好ましくはこの閉曲線の最大寸法は、2〜80mmであり、好ましくは20〜40mmである。
有利にも、閉曲線の場合には、ある1回の実行の終点を次回の実行の始点として用いることができる。したがって、これを容易に繰り返すことができる。
この閉曲線を、第1の移動の各停止時に1回実施することが好ましい。第2の移動をすべて同一の速度で行うことが好ましい。また、第1の移動をすべて同一の速度で行うことが好ましい。第1の移動の速度と第2の移動の速度とは、同一であってもよい。
本発明のさらなる実施形態では、第1の移動と第2の移動とは、実質的に同一平面内での基材の平行移動である。本文脈における「実質的に同一平面内での基材の平行移動」という語句は好ましくは、基材を、第1の移動の開始点で該基材の表面を通る平面に沿って移動させることを意味し、この移動時に移動する基材の対応する表面において生じるこの平面からのずれは、5mm未満であり、より好ましくは3mm未満であり、さらにより好ましくは1mm未満である。
さらなる実施形態によれば、第1の移動の経路および第2の移動の経路はそれぞれ少なくとも、実質的にまっすぐな線かまたは曲線を含み、この曲線は閉曲線であって、円形状の曲線または楕円形状の曲線から選択され、実質的にまっすぐな線によって、少なくとも5mm、例えば5mmの長さが提供され、より好ましくは少なくとも1cm、例えば1cmの長さが提供され、さらにより好ましくは少なくとも3cm、例えば3cmの長さが提供される。本文脈における「実質的にまっすぐな線」という語句は、仮想直線からのずれが10%未満である線を指し、より好ましくは仮想直線からのずれが7%未満である線を指し、さらにより好ましくは仮想直線からのずれが5%未満である線を指す。かかるパーセンテージは、前述の実質的にまっすぐな線の長さに関して、前述の線と前述の仮想直線との間の最大距離に基づいて算出したものであり、その際、この仮想直線は、かかる最大距離が可能な限り短くなるように配置される。当然ながら、実質的にまっすぐな線と仮想直線との間のかかる距離は、この仮想直線に対して垂直に測定される。
さらなる実施形態では、少なくとも1つの停止点対、より好ましくは少なくとも2つの停止点対、さらにより好ましくは少なくとも3つの停止点対、最も好ましくは少なくとも4つの停止点対の間での第1の移動の経路は、実質的にまっすぐな線からなる。本文脈における「停止点対」という語句は、第1の移動の、引き続く2つの停止点を指す。
さらなる実施形態によれば、引き続く2つの点の間での第1の移動の経路は、実質的にまっすぐな線を含み、好ましくはこれからなり、第2の移動の経路は、らせん形状の曲線、円形状の曲線または楕円形状の曲線、より好ましくは円形状の曲線または楕円形状の曲線、さらにより好ましくは円形状の曲線を含み、好ましくはこれからなる。
さらなる実施形態では、第1および第2の移動をすべて行った後に、ノズルと基材との相対的位置は、第1および第2の移動の開始時と同一であるか、または近傍の相対的位置である。
この特徴の利点の1つとして、第1および第2の移動を行うプロセスを、同様にかつ基材表面上の同一の箇所で繰り返すことができるという点が挙げられる。基材表面上の同一の箇所で第1および第2の移動の実行を2サイクル以上行うことが好ましい。
さらなる実施形態では、第1および第2の移動を、所定の期間の開始時に始めることによって行い、この所定の期間の終了とともに最後の移動が終わり、この第1および第2の移動の実行を繰り返し、この実行は、期間の満了時に第1の経路に沿った第1および第2のすべての移動の実行が終了した際に終わる。
また、対称的な点でめっきサイクルを終えることも可能であり、その際、まだ第1の経路沿いにあるすべての停止点に到達したわけではないが、このプロセスですでに到達したこれらの停止点がパターン全体にわたって規則的に分布しており、これらの停止点は好ましくは、終了対称点に関して対称である。このプロセスですでに到達したこれらの停止点は、処理が済んだ領域と相関関係にあるため、このプロセスを、開始対称点である停止点で始めることが好ましく、この開始対称点から始めて終了対称点で終えることができ、それによって、各処理領域がこの終了対称点に関して対称となる。この開始対称点とこの終了対称点とが、同一の停止点であるかまたは隣り合う停止点であることが好ましい。
あるいは、一定期間内にめっきプロセスを行うために、第1および/または第2の移動の速度を適合させることも可能である。その場合、サイクルの実行が始まる前に速度を算出することが好ましい。移動を行う典型的な期間を、約300秒間とすることができる。
さらなる実施形態では、第1および第2の移動は、基材上のある点であって、基材上の処理すべき範囲が該点、すなわち該開始対称点に関して対称である点で始まる。かかる開始対称点から始めた場合、基材表面全体が均一に覆われる可能性が高まる。
これらの移動を、終了対称点で終えることができ、ここで、被検査物のうちのすでに処理が済んだ範囲は、この終了対称点に関して対称である。その場合、生成物のコーティングが特に均一な状態で処理が終了される。
さらなる実施形態では、基材ホルダの所定の位置での前記基材ホルダのクランプ方向への前記基材ホルダのクランプ操作と、前記基材ホルダの解放操作とを行うための基材ホルダ受け装置であって、前記基材ホルダ受け装置は、前記基材ホルダを機械的に位置決めしかつ電気的に接触させるための少なくとも1つの基材ホルダ接続装置を備え、前記基材ホルダ接続装置は、該基材ホルダ接続装置に対する前記基材ホルダの位置決めを位置決め方向で行うための独立した基材ホルダ位置決め装置と、前記基材ホルダを電気的に接触させるための独立した基材ホルダ接触装置とを備える基材ホルダ受け装置を用いて本方法を行う。
本発明の他の態様では、基材ホルダの所定の位置での前記基材ホルダのクランプ方向への前記基材ホルダのクランプ操作と、前記基材ホルダの解放操作とを行うための基材ホルダ受け装置であって、前記基材ホルダ受け装置は、前記基材ホルダを機械的に位置決めしかつ電気的に接触させるための少なくとも1つの基材ホルダ接続装置を備え、前記基材ホルダ接続装置は、該基材ホルダ接続装置に対する前記基材ホルダの位置決めを位置決め方向で行うための独立した基材ホルダ位置決め装置と、前記基材ホルダを電気的に接触させるための独立した基材ホルダ接触装置とを備える基材ホルダ受け装置であって、該基材ホルダ受け装置は、先行する請求項のいずれかに記載の方法のいずれか1つを実施するために使用されかつ/またはかかる方法を実施できるように構成されていることを特徴とする基材ホルダ受け装置が提案される。
かかる基材ホルダ受け装置は、上記の方法の実施に特に適している。ノズルと基材との間の距離が上記で提案したように短いことから、受け位置の許容誤差や基材の固定が不安定であることによって生じるうる不均一性を最小限に抑えるためには、高精度の受け装置を設けることが好ましい。
本発明のさらなる態様では、電解質流体中でカソードとして機能する基材を処理するための電気化学的処理装置であって、前記電気化学的処理装置は、アノードと上記の基材ホルダ受け装置とを備え、前記アノードの活性表面は、運転時に前記基材に向けられ、前記アノードから前記基材までの距離は、25mm未満であり、好ましくは17.5mm未満である電気化学的処理装置が提案される。
かかる電気化学的処理装置は、基材とアノードとの間の距離が短いことによって、非常に効率的かつ迅速な処理を達成できるという利点を有する。
上述の基材ホルダ受け装置は、同一出願人による先行する欧州特許出願公開第15179883.2号明細書(EP 15179883.2)に記載されている。当該出願は、基材ホルダ受け装置および電気化学的処理装置に関して本特許出願に援用されるものとする。
本発明による方法を用いて、いくつかの実験を行った。結果を、以下の頁の以下の表に示す。重要な結果を、%を単位とするNU(non−uniformity、不均一性)なる名称の列に示すが、ここでNUを次の通り定める:
Figure 0006713536
すべての実験について、同一のめっき装置設定を用いた。調整可能なパラメーターのみを変更した。同一の基材の両面にめっきを施すことができる装置を用いてこれらの実験を行い、その際、これらの面を、面Aおよび面Bと呼ぶ。点の数(pt)とは、第1の経路における停止点の数を意味する。
ピッチとは、第1の移動の各停止の間の距離を意味し、これは第2の移動の位置のずれと一致する。2つのピッチが示されている場合には、異なるピッチを用いて実験を2回行って、異なるNU結果を得た。
表:本発明の方法による実験および公知の従来技術による一比較例
Figure 0006713536
Figure 0006713536
図1に、第1の移動の第1の経路1と、第2の移動の第2の経路2とを合わせて得られる経路12の概略図を示す。第1の移動は、点線で描かれている第1の経路1に沿って行われる。第1の経路1は、その実行時に9つの停止点SP1〜SP9にわたって延びる。停止点SP1〜SP9は、それらの番号順に第1の経路と交差する。したがって、第1の移動のパターン10は、停止点SP1〜SP9によって構成されている。図1において、停止点SP1〜SP9は、3行×3列で配置される。第1の経路1の実行は、停止点SP1で始まる。他の停止点SP2〜SP9の中央に停止点SP1が配置される。そして第1の経路1は、停止点SP2〜SP9へと進む。これらの停止点SP2〜SP9は、パターン10の周縁に配置される。また、停止点SP1から始め、次いで停止点SP9、SP8、SP7(以下略)へとこの順序でSP2に到達するまで継続することも可能である。最後のステップとして、この経路はまた停止点SP1へと戻り、その結果、第1の経路1について閉ループが確立される。停止点SP1〜SP9のいずれも、列または行の方向でそれらと隣り合うものと同一の距離を有する。第1の経路1によって、停止点SP1〜SP9は、複数のまっすぐな経路区間により接続される。
各停止点SP1〜SP9で、第1の移動を停止させる。その後、この移動を、複数存在する第2の経路2のうちの1つであって、特定の停止点SP1〜SP9と対応するもので継続させる。停止点SP1〜SP9はそれぞれ、ある1つの第2の経路2と対応する。9つ存在する第2の経路2はすべて、同一の形態、すなわち円の形態と同一の大きさとを有するが、これらはいずれも、固有の参照符号で示されてはいない。複数存在するこれらの第2の経路2はそれぞれ、それと隣り合うものと重なり、さらにはその2つ隣のものとも重なる。第2の経路2の半径は、停止点SP1〜SP9のうち列または行の方向で隣り合う2つのものの間の距離よりも大きい。
したがって、得られる経路12は、第1の経路1のまっすぐな複数の区間を通ってから、今度は第2の経路2の円を進む。基材をさらに処理するため、得られる経路12の実行を任意の回数だけ繰り返すことができる。
図2〜図6に、停止点SPの考えうるさらなるパターン10を示す。これらのパターン10は、様々な第1の経路(図2〜図6には図示せず)において使用可能である。これらのパターンは、正方形状の輪郭を有する。これらの停止点は、列の線と行の線との交点に配置される。列および行とは、それらの間にある空間ではなく線で定められるものとする。停止点SPを通りかつ各停止点SPに到達する第1の経路の画定には、多くの可能性が考えられる。図2〜図6は、停止点SPの列の数および行の数が異なる。停止点のない線は基本格子を示し、この基本格子に、停止点SPの配列、したがってそれらの列および行が配置される。
図7に、平坦な材料を湿式化学的または電気化学的に処理するための装置の基材ホルダ受け装置100を示す。この基材受け装置100は、基材ホルダ(図7には図示せず)を受けることができるように構成された基材ホルダクランプ装置20と、基材ホルダ移動装置とを備える。この基材受け装置100は、2つの基材ホルダ接続装置21の間で基材ホルダを受けることができるように構成されている。この基材ホルダに、基材を取り付けることができる。基材は、本発明による方法によって処理すべき基材表面を含む。基材ホルダは、基材に電流を供給できるように構成されており、基材は、処理プロセスにおいてカソードとして機能する。
基材移動装置30は、機械基部(図7には図示せず)に、直接的に固定されていても間接的に固定されていてもよい。また、アノードをこの機械基部に固定することもでき、また他の様式で基材受け装置100に機械的に接続することもできる。この基材移動装置は、基材をアノード(図7には図示せず)に対してアノード表面に平行な方向で相対的に移動させることができるように構成されている。このアノード表面は平坦であることが好ましく、処理時に基材に向けられる。処理時に、基材の処理表面がアノード表面に対して実質的に平行となるように位置決めを行う。基材ホルダを基材受け装置100に接続するため、基材ホルダクランプ装置20は、基材ホルダ接続装置21を2つ備え、これらの間に基材ホルダを配置することができる。これらの基材ホルダ接続装置21はそれぞれ、基材ホルダクランプアーム22の端部に配置される。これらの基材ホルダ接続装置21はそれぞれさらに、クランプ装置フレーム部26の突出部によって支持され、それらはそれぞれ、アーム22のうちの1つと平行である。これらの各基材ホルダ接続装置21には、運転時に給電ケーブル23によって電流を供給することができる。各基材ホルダ接続装置21に接続された給電ケーブル23によって、該給電ケーブル23の基材ホルダ接続装置21に同一の電位が供給される。これらの基材ホルダ接続装置21の間には、フレームブリッジ部25が配置される。基材ホルダ接続装置21は、基材ホルダ位置決め装置を備え、この基材ホルダ位置決め装置は、基材ホルダを基材ホルダ接続装置21に対して相対的に位置決めできるように構成されている。この基材ホルダ位置決め装置と、基材受け装置100と、基材ホルダ受け装置100とアノードとの間での相対的な機械的接続経路とは、基材の処理表面が平坦なアノード表面に対して実質的に平行となるように位置決めできるように構成されている。さらに、基材ホルダ接続装置21は、基材ホルダ接触装置を備え、この基材ホルダ接触装置は、基材ホルダに電流を供給できるように構成されている。この電流は、基材ホルダを通って基材へと流れる。
図8に、電気化学的処理装置5の概略図を示す。この電気化学的処理装置5は機械フレーム部4を備え、この機械フレーム部4はアノードホルダ42を備え、このアノードホルダ42によってアノード421が保持される。さらに、機械フレーム部4は基材ホルダ受け装置100を備え、この基材ホルダ受け装置100は、基材ホルダクランプ装置と基材ホルダ移動装置30とを備える。基材ホルダクランプ装置20によって基材ホルダ11がクランプされ、この基材ホルダ11によって基材111が保持される。基材111およびアノード421は、電解質511に浸漬される。この電解質511は、電解質槽51内に収容されており、電解質液面高さ512まで溜められている。このようにして、基材111を処理すべく、アノード421から基材111へと電流を流すことができる。特に、基材111にめっきが施される。
図9Aおよび図9Bに、上記表中の実験222(比較例)として示した、金属めっきを施した基材の金属コーティング厚の測定結果を示す。図9Aでは、測定結果を数字で表し、図9Bでは、最も太い線が平均厚さを表す。これよりも細い他の線であって小さな「+」または「−」を付したものは、基材上の金属の平均めっき厚さからの偏差を表し、この偏差が大きいほど、描かれている各線が太くなる。したがって、かかる画像上で比較的太い線を多く検出できるほど、基材表面にめっきされた金属の厚さ分布がより不規則となる。関連する基材表面上の49点でコーティング厚を測定した。ここでは、従来技術による第1の経路として、単純な円を使用した。第2の経路は実行しなかった。基材は、円形の周縁を有する。
その結果、不均一性を測定したところ、19.2であった。平均厚の分布線は、稜線および谷の形態を有し、基材の中央から4本の光線が出ている星の形状である。他の線も明らかに検出可能であり、ここから、これは非常に不規則なパターンであるという結論が得られる。
図10Aおよび図10Bに、上記表中の実験224(本発明による例)として示した、金属めっきを施した基材の金属コーティング厚の測定結果を示す。図10Aでは、測定結果を数字で表し、図10Bでは、最も太い線が平均厚さを表す。これよりも細い他の線であって小さな「+」または「−」を付したものは、基材上の金属の平均めっき厚さからの偏差を表し、この偏差が大きいほど、描かれている各線が太くなる。関連する基材表面上の49点でコーティング厚を測定した。ここでは、本発明により、複数の停止点のパターンを通る第1の経路を用いた。第2の経路を、円として実行した。基材も、円形の周縁を有する。
その結果、不均一性を測定したところ、8.9であった。平均厚の分布線は主に、ごくわずかな勾配の形態を有する。他の線はこれよりもはるかに薄く、ここから、これは図9Aおよび図9Bよりもはるかに規則的なパターンであるという結論が得られる。
参照符号
1 第1の経路
2 第2の経路
4 機械フレーム部
5 電気化学的処理装置
10 パターン
11 基材ホルダ
12 得られる経路
20 基材ホルダクランプ装置
21 基材ホルダ接続装置
22 アーム
23 ケーブル
25 フレームブリッジ部
26 クランプ装置フレーム部
30 基材移動装置
42 アノードホルダ
51 電解質槽
100 基材ホルダ受け装置
111 基材
421 アノード
511 電解質
512 電解質液面高さ
SP、SP1〜SP9 停止点

Claims (12)

  1. アノード(421)および電解質(511)を用いて基材(111)に金属めっきを施すための方法であって、複数の各電解質ノズルから、局所的に集中した電解質流を基材表面のうちの処理すべき部分へと向かわせ、めっきを行う時に前記基材(111)と前記電解質流との間で相対的移動を行う方法であって、
    第1の移動を第1の経路(1)に沿って行い、
    少なくとも前記第1の経路(1)の一部に沿って、第2の移動を第2の経路(2)に沿って行い、
    前記第1および第2の移動はそれぞれ、前記電解質流と前記基材との間での相対的移動であり、
    前記第1の移動は非連続的であり、前記第1の移動を停止させた際に前記第2の移動を行うことを特徴とする方法。
  2. 第2の移動を、前記第1の経路(1)に沿って2回以上行うことを特徴とする、請求項1記載の方法。
  3. 前記第2の移動を1回目に実行する際の前記第2の経路(2)は、前記第2の移動を2回目に実行する際の前記第2の経路(2)と重なることを特徴とする、請求項2記載の方法。
  4. 前記第1の経路(1)は、前記第1の移動を停止させる停止点(SP、SP1〜SP9)を含み、前記停止点(SP、SP1〜SP9)で前記第2の移動を行うことを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 前記停止点(SP、SP1〜SP9)を行および列の状態で配置し、その結果、幾何学的パターン(10)は、行および列を有する配列となることを特徴とする、請求項4記載の方法。
  6. 前記第2の移動の前記第2の経路(2)は、閉曲線であることを特徴とする、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  7. 第1および第2の移動をすべて行った後で、前記電解質流と前記基材(111)との相対的終了位置は、前記第1および第2の移動の相対的開始位置と同一であるか、または前記相対的終了位置は、前記相対的開始位置の近傍の位置であることを特徴とする、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  8. 前記第1および第2の移動を、所定の期間の開始時に始めることによって行い、前記所定の期間の終了とともに最後の移動が終わり、前記第1および第2の移動の実行を繰り返し、前記実行は、期間の満了時に前記第1の経路(1)に沿った前記第1および第2のすべての移動の実行が終了した際に終わることを特徴とする、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  9. 前記第1の経路は、前記第2の経路の形態とは異なる形態を有することを特徴とする、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  10. 請求項1からまでのいずれか1項記載の方法であって、前記方法を、基材ホルダ(11)の所定の位置での前記基材ホルダのクランプ方向(SHCD)への前記基材ホルダ(11)のクランプ操作と、前記基材ホルダ(11)の解放操作とを行うための基材ホルダ受け装置(100)を用いて行い、前記基材ホルダ受け装置(100)は、前記基材ホルダ(11)を機械的に位置決めしかつ電気的に接触させるための少なくとも1つの基材ホルダ接続装置(21)を備え、前記基材ホルダ接続装置(21)は、該基材ホルダ接続装置(21)に対する前記基材ホルダ(11)の位置決めを位置決め方向で行うための独立した基材ホルダ位置決め装置(211)と、前記基材ホルダ(11)を電気的に接触させるための独立した基材ホルダ接触装置(212)とを備えることを特徴とする方法。
  11. 基材ホルダ(11)の所定の位置での前記基材ホルダのクランプ方向(SHCD)への前記基材ホルダ(11)のクランプ操作と、前記基材ホルダ(11)の解放操作とを行うための基材ホルダ受け装置(100)であって、前記基材ホルダ受け装置(100)は、前記基材ホルダ(11)を機械的に位置決めしかつ電気的に接触させるための少なくとも1つの基材ホルダ接続装置(21)を備え、前記基材ホルダ接続装置(21)は、該基材ホルダ接続装置(21)に対する前記基材ホルダ(11)の位置決めを位置決め方向で行うための独立した基材ホルダ位置決め装置(211)と、前記基材ホルダ(11)を電気的に接触させるための独立した基材ホルダ接触装置(212)とを備える基材ホルダ受け装置(100)であって、該基材ホルダ受け装置(100)は、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法のいずれか1つを実施できるように構成されていることを特徴とする、基材ホルダ受け装置(100)。
  12. 電解質流体(511)中でカソードとして機能する基材(111)を処理するための電気化学的処理装置(5)であって、前記電気化学的処理装置(5)は、アノード(421)と請求項11記載の基材ホルダ受け装置(100)とを備え、前記アノード(421)の活性表面は、運転時に前記基材(111)に向けられ、前記アノード(421)から前記基材(111)までの距離は、25mm未満である、電気化学的処理装置(5)。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6995544B2 (ja) * 2017-09-20 2022-01-14 上村工業株式会社 表面処理装置および表面処理方法
PT3758049T (pt) 2019-06-26 2022-03-21 Atotech Deutschland Gmbh & Co Kg Dispositivo e método para mover um objeto para uma estação de processamento, sistema de transporte e aparelho de processamento
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Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07113159B2 (ja) * 1988-08-29 1995-12-06 日本電装株式会社 めっき装置
US5421987A (en) * 1993-08-30 1995-06-06 Tzanavaras; George Precision high rate electroplating cell and method
US5522975A (en) * 1995-05-16 1996-06-04 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture
JP3523197B2 (ja) * 1998-02-12 2004-04-26 エーシーエム リサーチ,インコーポレイティド メッキ設備及び方法
US6280581B1 (en) * 1998-12-29 2001-08-28 David Cheng Method and apparatus for electroplating films on semiconductor wafers
JP2001049494A (ja) * 1999-08-11 2001-02-20 Ebara Corp めっき装置
AU2002367224A1 (en) * 2001-12-24 2003-07-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Apparatus and method for electroplating a wafer surface
JP2008019496A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電解めっき装置および電解めっき方法
DE102007026633B4 (de) * 2007-06-06 2009-04-02 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmiger Ware
FR2933425B1 (fr) * 2008-07-01 2010-09-10 Alchimer Procede de preparation d'un film isolant electrique et application pour la metallisation de vias traversants
KR101470610B1 (ko) * 2012-11-15 2014-12-24 (주)비엠씨 증착원 이동형 증착 장치
EP2746432A1 (en) 2012-12-20 2014-06-25 Atotech Deutschland GmbH Device for vertical galvanic metal deposition on a substrate
US9399827B2 (en) * 2013-04-29 2016-07-26 Applied Materials, Inc. Microelectronic substrate electro processing system
EP2813601A1 (en) * 2013-06-14 2014-12-17 ATOTECH Deutschland GmbH Device for moving a substrate holder during a vertical gal-vanic metal deposition, and a method for vertical galvanic metal deposition using such a device
JP6813490B2 (ja) * 2015-08-05 2021-01-13 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH 基板保持器受入れ装置

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