JP2018067408A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018067408A5 JP2018067408A5 JP2016204174A JP2016204174A JP2018067408A5 JP 2018067408 A5 JP2018067408 A5 JP 2018067408A5 JP 2016204174 A JP2016204174 A JP 2016204174A JP 2016204174 A JP2016204174 A JP 2016204174A JP 2018067408 A5 JP2018067408 A5 JP 2018067408A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid electrode
- beam irradiation
- grid
- offset
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 7
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 3
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 2
Claims (10)
- プラズマからイオンビームを引き出して照射するイオンビーム照射装置であって、
ビーム照射方向に重ねて配置され、それぞれが複数の円形のアパーチャを有する複数の板状のグリッド電極と、
それぞれの前記グリッド電極へ電圧を印加する電源部と、
前記電源部によりそれぞれの前記グリッド電極へ印加される電圧を制御する制御部と、
を備え、
前記複数のグリッド電極は、プラズマからビーム照射方向に向けて1番目及び2番目に配置される第1グリッド電極及び第2グリッド電極、並びに、前記第2グリッド電極よりもビーム照射方向の下流側に配置された第3グリッド電極及び第4グリッド電極を順に有し、
前記第1グリッド電極の複数の円形のアパーチャ及び前記第2グリッド電極の複数の円形のアパーチャの中心軸は、ビーム照射方向に沿って同軸であり、
前記第3グリッド電極の複数の円形のアパーチャの中心軸は、前記第1グリッド電極及び前記第2グリッド電極の複数の円形のアパーチャの中心軸に対してビーム照射方向と直交する方向にそれぞれオフセットしている、
イオンビーム照射装置。 - 前記制御部は、前記複数のグリッド電極のうち、前記第3グリッド電極よりもビーム照射方向の上流側であって前記第3グリッド電極に最も近い前記グリッド電極と、前記第3グリッド電極との間に第1電位差を与えることにより、前記複数の円形のアパーチャから照射される複数のイオンビームを前記第3グリッド電極のオフセット方向又はオフセット方向の逆方向に傾斜させる、請求項1に記載のイオンビーム照射装置。
- 前記制御部は、複数のイオンビームを前記第3グリッド電極のオフセット方向又はオフセット方向の逆方向に傾斜させる際の傾斜目標角度が大きいほど前記第1電位差を大きく制御する請求項2に記載のイオンビーム照射装置。
- 前記第4グリッド電極よりもビーム照射方向の下流側に配置された第5グリッド電極をさらに備え、
前記第4グリッド電極の複数の円形のアパーチャの中心軸は、前記第1グリッド電極及び前記第2グリッド電極の複数の円形のアパーチャの中心軸に対してビーム照射方向と直交する方向であって、前記第3グリッド電極の複数の円形のアパーチャの中心軸のオフセット方向と交差する方向にそれぞれオフセットしている、請求項1に記載のイオンビーム照射装置。 - 前記制御部は、前記複数のグリッド電極のうち、前記第4グリッド電極よりもビーム照射方向の上流側であって前記第4グリッド電極に最も近い前記グリッド電極と、前記第4グリッド電極との間に第2電位差を与えることにより、前記複数の円形のアパーチャから照射される複数のイオンビームを前記第4グリッド電極のオフセット方向又はオフセット方向の逆方向に傾斜させる、請求項4に記載のイオンビーム照射装置。
- 前記制御部は、複数のイオンビームを前記第4グリッド電極のオフセット方向又はオフセット方向の逆方向に傾斜させる際の傾斜目標角度が大きいほど前記第2電位差を大きく制御する請求項5に記載のイオンビーム照射装置。
- 前記制御部は、イオンビームを前記第4グリッド電極の複数の円形のアパーチャの中心軸のオフセット方向に傾ける場合には、前記第2電位差を負とし、イオンビームを前記第4グリッド電極の複数の円形のアパーチャの中心軸のオフセット方向の逆方向に傾ける場合には、前記第2電位差を正とする、請求項5に記載のイオンビーム照射装置。
- 請求項1に記載のイオンビーム照射装置と、
前記イオンビーム照射装置のビーム照射方向に配置され、基板を保持する載置面を有する載置台と、
を備える基板処理装置。 - 前記グリッド電極における複数の円形のアパーチャが形成される領域は、前記載置台の前記載置面の面積よりも小さく、一方向に長い四角形である請求項8に記載の基板処理装置。
- プラズマからイオンビームを引き出して照射するイオンビーム照射装置であって、
ビーム照射方向に重ねて配置され、それぞれが複数のアパーチャを有する複数の板状のグリッド電極と、
それぞれの前記グリッド電極へ電圧を印加する電源部と、
前記電源部によりそれぞれの前記グリッド電極へ印加される電圧を制御する制御部と、
を備え、
前記複数のグリッド電極は、プラズマからビーム照射方向に向けて1番目及び2番目に配置される第1グリッド電極及び第2グリッド電極、並びに、前記第2グリッド電極よりもビーム照射方向の下流側に配置された第3グリッド電極及び第4グリッド電極を順に有し、
前記第1グリッド電極のアパーチャ及び前記第2グリッド電極のアパーチャの中心軸は、ビーム照射方向に沿って同軸であり、
前記第3グリッド電極のアパーチャの中心軸は、前記第1グリッド電極及び前記第2グリッド電極のアパーチャの中心軸に対してビーム照射方向と直交する方向にそれぞれオフセットしており、
前記制御部は、前記複数のグリッド電極のうち、前記第3グリッド電極よりもビーム照射方向の上流側であって前記第3グリッド電極に最も近い前記グリッド電極と、前記第3グリッド電極との間に第1電位差を与えることにより、前記複数のアパーチャから照射される複数のイオンビームを前記第3グリッド電極のオフセット方向又はオフセット方向の逆方向に傾斜させ、
前記制御部は、イオンビームを前記第3グリッド電極のアパーチャの中心軸のオフセット方向に傾ける場合には、前記第1電位差を負とし、イオンビームを前記第3グリッド電極のアパーチャの中心軸のオフセット方向の逆方向に傾ける場合には、前記第1電位差を正とする、イオンビーム照射装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016204174A JP6721486B2 (ja) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | イオンビーム照射装置及び基板処理装置 |
US15/785,500 US10204766B2 (en) | 2016-10-18 | 2017-10-17 | Ion beam irradiation apparatus and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016204174A JP6721486B2 (ja) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | イオンビーム照射装置及び基板処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018067408A JP2018067408A (ja) | 2018-04-26 |
JP2018067408A5 true JP2018067408A5 (ja) | 2019-12-05 |
JP6721486B2 JP6721486B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=61904690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016204174A Active JP6721486B2 (ja) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | イオンビーム照射装置及び基板処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10204766B2 (ja) |
JP (1) | JP6721486B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210132599A (ko) * | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 대전 입자 소스 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2858776B2 (ja) * | 1989-03-08 | 1999-02-17 | 日本原子力研究所 | ビーム照射装置 |
US5218218A (en) * | 1990-02-01 | 1993-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US5218210A (en) * | 1992-02-18 | 1993-06-08 | Eaton Corporation | Broad beam flux density control |
US5365070A (en) * | 1992-04-29 | 1994-11-15 | The Regents Of The University Of California | Negative ion beam injection apparatus with magnetic shield and electron removal means |
JP3509343B2 (ja) * | 1995-10-30 | 2004-03-22 | 日新電機株式会社 | イオン源 |
JP2003503819A (ja) * | 1999-06-23 | 2003-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオンビーム発生装置 |
JP4443816B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2010-03-31 | シャープ株式会社 | イオンドーピング装置及びイオンドーピング装置用多孔電極 |
JP5663717B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2015-02-04 | カール ツァイス マイクロスコピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy Gmbh | 荷電粒子システム |
JP2007173069A (ja) | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Japan Atomic Energy Agency | 超低エネルギーイオン源用電極 |
JP2009217980A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン源の電圧決定方法 |
US8294117B2 (en) * | 2009-09-18 | 2012-10-23 | Mapper Lithography Ip B.V. | Multiple beam charged particle optical system |
JP5041260B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2012-10-03 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
US8309937B2 (en) * | 2010-10-05 | 2012-11-13 | Veeco Instruments, Inc. | Grid providing beamlet steering |
-
2016
- 2016-10-18 JP JP2016204174A patent/JP6721486B2/ja active Active
-
2017
- 2017-10-17 US US15/785,500 patent/US10204766B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020507678A5 (ja) | ||
JP2017510932A5 (ja) | 基板に供給されるイオンビームを制御する処理装置及び方法 | |
JP7227373B2 (ja) | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 | |
RU2015131158A (ru) | Устройство и способ получения распределенных рентгеновских лучей | |
JP2014135297A5 (ja) | デュアルビームシステム及びその制御方法 | |
JP2012178437A5 (ja) | ||
JP2017143244A5 (ja) | ||
JP2010520465A5 (ja) | ||
JP4642789B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
TW200639931A (en) | Non-uniform ion implantation apparatus and method thereof | |
JP2016520951A5 (ja) | ||
JP2018517229A (ja) | 傾斜イオンビームのためのマルチアパーチャ引き出しシステム | |
JP2013004680A5 (ja) | ||
JP2018067408A5 (ja) | ||
RU2015137676A (ru) | Способ и устройство для направления пучка нейтральных частиц | |
TW201730911A (zh) | 離子佈植系統與製程 | |
JP2016027604A5 (ja) | ||
US9627170B2 (en) | Electrode for use in ion implantation apparatus and ion implantation apparatus | |
US9480140B2 (en) | Material modification by neutral beam source with selected collision angle | |
JP5965412B2 (ja) | イオンビームスパッタリングのための装置及び方法 | |
JP6721486B2 (ja) | イオンビーム照射装置及び基板処理装置 | |
WO2014174592A1 (ja) | 粒子線治療装置およびその運転方法 | |
RU2510735C2 (ru) | Устройство для ионного распыления мишени и/или обработки поверхности объекта и способ его применения | |
TWI501286B (zh) | 離子佈植機 | |
WO2017188132A1 (ja) | イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法 |