JP2003524699A - 金属の解離方法または金属化合物の解離方法 - Google Patents

金属の解離方法または金属化合物の解離方法

Info

Publication number
JP2003524699A
JP2003524699A JP2000509881A JP2000509881A JP2003524699A JP 2003524699 A JP2003524699 A JP 2003524699A JP 2000509881 A JP2000509881 A JP 2000509881A JP 2000509881 A JP2000509881 A JP 2000509881A JP 2003524699 A JP2003524699 A JP 2003524699A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
supercritical fluid
ligand
complex
complexes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000509881A
Other languages
English (en)
Inventor
ジー スマート ニール
エム ワイ チェン
エイチ ハント フレッド
ユーヘ リン
Original Assignee
アイダホ リサーチ ファウンデーション インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アイダホ リサーチ ファウンデーション インコーポレイテッド filed Critical アイダホ リサーチ ファウンデーション インコーポレイテッド
Publication of JP2003524699A publication Critical patent/JP2003524699A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B3/00Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes
    • C22B3/20Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching
    • C22B3/44Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching by chemical processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • B22F9/26Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions using gaseous reductors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/30Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with decomposition of metal compounds, e.g. by pyrolysis
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/18Methods for preparing oxides or hydroxides in general by thermal decomposition of compounds, e.g. of salts or hydroxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00Compounds of tin
    • C01G19/02Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00Compounds of titanium
    • C01G23/04Oxides; Hydroxides
    • C01G23/047Titanium dioxide
    • C01G23/053Producing by wet processes, e.g. hydrolysing titanium salts
    • C01G23/0536Producing by wet processes, e.g. hydrolysing titanium salts by hydrolysing chloride-containing salts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G53/00Compounds of nickel
    • C01G53/04Oxides; Hydroxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B3/00Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes
    • C22B3/20Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching
    • C22B3/22Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching by physical processes, e.g. by filtration, by magnetic means, or by thermal decomposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B3/00Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes
    • C22B3/20Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching
    • C22B3/26Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching by liquid-liquid extraction using organic compounds
    • C22B3/306Ketones or aldehydes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/10Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/54Particles characterised by their aspect ratio, i.e. the ratio of sizes in the longest to the shortest dimension
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20Recycling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/54Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Treatments For Attaching Organic Compounds To Fibrous Goods (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 金属−リガンド錯体を、臨界超過流体中において、加熱および/または還元剤もしくは酸化剤により処理することにより金属−リガンド錯体を解離する方法である。一旦金属−リガンド錯体が解離されると、得られる金属および/または金属酸化物は、実質的に均一なサイズの微細な粒子を形成する。好ましい実施態様において、溶媒は臨界超過二酸化炭素であり、リガンドはヘキサフロロアセチルアセトンまたはジブチルジアセテートなどのβ−ジケトンである。他の好ましい実施態様において、金属−リガンド錯体の金属は銅、銀、金、タングステン、チタン、タンタル、錫、またはそれらの混合物である。好ましい実施態様において、還元剤は水素である。本方法は、金属−リガンド錯体を解離するのに有効な方法を提供し、そして炭化水素溶媒不純物を含まない容易に集められる金属粒子を製造する。リガンドおよび臨界超過流体は再生することができ、経済的で有効な方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、臨界超過流体中に含まれている(典型的には溶解または懸濁されて
いる)金属またはメタロイド(非金属)化合物から金属またはメタロイド(非金
属)を解離する方法または装置に関する。
【0002】 解離により、金属、メタロイド、金属酸化物またはメタロイド酸化物の実質的
に均一な微細粒子を形成し、そして、また、金属−またはメタロイド−リガンド
錯体からなる化合物から再使用のためのリガンドを再生する。
【0003】
【従来の技術】
溶媒抽出は、化学的方法であり、それにより2種以上の非混和流体、または流
体と固体が混合されて、1種の流体または固体に溶解または懸濁された化学種が
他の流体に移される。金属およびメタロイド化合物は、適当な溶媒により抽出す
ることにより、水溶性および固体媒体から分離することができる。この抽出工程
は、しかしながら、通常、時間と労力がかかる。更に、通常の溶媒抽出は、しば
しば、毒性がある有機化合物を使用するので、使用済み溶媒の取り扱いおよび廃
棄に関する環境問題を生ずる。
【0004】 最近、金属およびメタロイドを液体および固体媒体から回収するための従来の
溶媒抽出に対して、臨界超過流体抽出が脚光を浴びている。たとえば、本願に引
用文として導入するワイなど(Wai et al.)による米国特許第5,356,53
8号には、キレート化剤を含有する臨界超過流体に材料を曝すことにより固体ま
たは液体材料から金属およびメタロイド化合物を抽出する方法が開示されている
。特に、この公報には、臨界超過二酸化炭素およびジチオカルバメートリガンド
を使用した媒体から金属イオンを抽出することが教示されている。臨界超過流体
抽出の別の観点を記載しているワイなどによる他の特許出願:流体抽出、出願番
号08/253,000、1994年6月2日出願;流体抽出、出願番号08/
458,759、1995年6月2日出願;金属酸化物からの直接金属抽出、1
995年11月3日出願、現在、米国特許第5,606,724号;および流体
抽出、出願番号08/692,894、1996年7月26日出願もまた、本願
に引用文として導入される。
【0005】 β−ジケトン、ジチオカルバメート、トリアルキル−およびトリアリールホス
フェートおよびクラウンエーテルは、金属化合物のキレート化および臨界超過流
体抽出に使用されている。キレート化剤、またはリガンドがひとたび金属に結合
すると、得られた材料は金属−リガンド錯体と呼ばれる。多くの工業的製法にお
いて、その後に臨界超過流体から金属−リガンド錯体を除去することは必要であ
る。ワイなどによる米国特許第5,356,538号には、圧力を減少させるこ
とにより臨界超過流体から金属−リガンド錯体を除去することが教示されており
、それは臨界超過流体の膨張および散逸ならびに金属−リガンド錯体の析出を引
き起こす。
【0006】 ワイなどの方法は、抽出技術を進歩させるものではあるが、ワイなどの方法の
一つの欠点は、もとのままの金属−リガンド錯体が臨界超過流体から回収される
ことである。ワイなどの逆抽出金属キレートのための方法および装置と名称が付
された米国特許出願第08/692,894号、1996年7月26日出願、そ
して、本願に引用文として導入される、には、抽出後に金属−リガンド錯体から
金属を分離する方法が教示されている。この方法は、酸性溶液による臨界超過流
体の逆抽出を含んでいる。金属は、錯体から酸性溶液中に放出され、一方、リガ
ンドは臨界超過流体中に残る。この方法は、リガンドのリサイクルが要求される
工業的製法に適用された場合には有用であるが、この方法は非常に有害で環境汚
染物質である苛性酸を使用する。更に、この方法では、酸溶液から金属を分離す
るための付加的な工程を経ることが必要である。
【0007】 シーバースなど(Sievers et al., 以下、シーバース)による米国特許第5,
639,441号には、臨界超過流体を使用して微細粒子を形成する方法が開示
されている。シーバースは、所望の物質の粒子を形成する方法および装置を開示
する。シーバースの方法は、流体、特に水に物質を溶解して溶液を形成し、次い
で、溶液を臨界超過流体と混合して不混和性システムを形成する。次いで、典型
的には非常に素早く、噴霧器として大気圧にシステムをガス抜きすることなどに
より、圧力を減少させる。これは、空中に浮遊した分散物またはエアゾールを生
じさせ、微細な粒子を形成する。
【0008】 臨界超過流体の圧力を減少させることにより、臨界超過流体から所望の物質を
フィルムに付着させる方法が記載されている。シーバースなどによる米国特許第
4,970,093号は、所望の材料またはその前駆体を臨界超過流体に溶解し
、臨界超過流体を急速に膨張させ、次いで、得られた蒸気中で化学反応を引き起
こすことにより、所望の材料のフィルムを製造する方法を教示する。それ故、こ
の方法は、臨界超過流体を膨張させ、そして、気化させた後に生ずる化学反応を
含んでいる。
【0009】 また、銅−リガンド錯体などのいくつかの金属−リガンド錯体が、ケロシンな
どの有機溶媒の存在下において、水素を添加することにより解離できることが知
られている。この反応は、金属−リガンド錯体をその金属およびリガンド成分に
解離するための代わりの手段である。この製法は、しかしながら、幾つかの欠点
を有しており、(1)高温でのかなりのリガンドの崩壊が、反応が生じるために
必要であり、(2)有機溶媒中への水素の低溶解性などを含む。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、臨界超過流体に含まれる金属またはメタロイド化合物から金属およ
び/またはメタロイドを解離させる方法を提供する。解離は、典型的には、化合
物の金属またはメタロイドの酸化状態を変化させるか、および/または金属また
はメタロイド化合物を加熱することにより引き起こされる。金属またはメタロイ
ド化合物がひとたび解離すると、得られる金属、メタロイド、金属酸化物および
/またはメタロイド酸化物製造物は、臨界超過流体に不溶である。その結果、金
属、メタロイド、金属酸化物および/またはメタロイド酸化物粒子が形成される
【0011】 適当な条件下において、本発明方法により形成された粒子は、実質的にそのサ
イズが均一である。粒子のサイズは、解離反応を引き起こすために使用される条
件により決定される。抽出/解離方法は、金属またはメタロイド化合物から金属
および/またはメタロイドを解離させ、そして実質的に均一で微細な金属、メタ
ロイド、金属酸化物および/またはメタロイド酸化物粒子を製造するための有効
でコストが有利な方法である。
【0012】 本発明により臨界超過流体抽出法を用いて媒体から抽出し、次いで、解離でき
る金属および/またはメタロイド化合物は、還元または酸化により、および/ま
たは加熱により解離できるものが含まれる。好ましい実施態様において、金属化
合物の金属は銅であり、そして臨界超過流体は臨界超過二酸化炭素である。
【0013】 本発明の目的は、媒体から金属および/またはメタロイド化合物を抽出し、そ
のような化合物から、環境的に無害で、抽出工程中に他の材料と結合したものか
ら金属および/またはメタロイドを効率的に分離する方法を用いて、金属および
/またはメタロイドを解離するための方法を提供することである。
【0014】 本発明の他の目的は、抽出方法において他の化合物を含まない、微細で、実質
的に均一で、好ましくは結晶質の金属および/またはメタロイド粒子を製造する
ことである。
【0015】 本発明の更に他の目的は、金属および/またはメタロイド錯体から金属および
/またはメタロイドを解離し、抽出方法において他の化合物を含まない、微細で
、実質的に均一で、好ましくは結晶質の金属および/またはメタロイド粒子を製
造するための方法を提供し、そして、金属および/またはメタロイドリガンド錯
体を生成するために再使用するに適した形態の金属および/またはメタロイドか
ら解離したリガンドを得ることである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
I.発明の一般的議論 以下のパラグラフは、本発明の実施に含まれる最も好ましい金属およびメタロ
イドの議論;発明の実施のために最も好ましい臨界超過流体およびリガンドの選
択;臨界超過流体抽出を使用する金属およびメタロイド化合物の抽出;ならびに
基体化合物からの金属およびメタロイドを解離するための臨界超過流体中に含ま
れる金属およびメタロイド化合物の処理、を含む本発明のさまざまな側面につい
て議論する。実施例は、また、この方法のいくつかの特定の実施態様を説明する
ために提供される。
【0017】 金属およびメタロイドは、化学反応、特に還元または酸化を用いて、および/
または加熱により、金属および/またはメタロイド化合物から解離してもよい。
還元または酸化、および/または加熱は、臨界超過流体中で生じ、臨界超過流体
にほとんど溶解しない金属、メタロイド、金属酸化物および/またはメタロイド
酸化物を放出する。引き続き圧力を減少させることにより、または他の方法によ
り臨界超過流体を除去することにより、有機溶媒から遊離している、実質的に均
一で微細な金属、メタロイド、金属酸化物および/またはメタロイド酸化物粒子
を容易に集めることができる。
【0018】 II.金属およびメタロイド化合物 本発明は、金属またはメタロイドからなる多くの異なるタイプの材料から多く
の異なる金属およびメタロイドを解離するのに適したものであり、すべてのその
ような材料は、集合的に「金属化合物」と呼ばれる。金属化合物としては、それ
らに限定されないが、配位化合物;キレート化合物;リガンドに結合した金属お
よび/またはメタロイドを有する他の錯体;有機金属化合物;金属およびメタロ
イドハロゲン化物;などが挙げられる。本発明は、金属−および/またはメタロ
イド−リガンド錯体の形成、臨界超過流体中での錯体の抽出、および、次いで、
臨界超過流体中の錯体から金属および/またはメタロイドの解離に特に有用であ
る。
【0019】 「金属化合物」は、また、所望の結果に関する本発明の目的のために定義する
ことができる。すなわち、「金属化合物」は、金属またはメタロイド粒子が、臨
界超過流体中への抽出により、次いで、金属またはメタロイドの酸化状態を変化
させることによりそれらの化合物から金属またはメタロイドを解離させることに
より、および/または化合物を加熱することにより、そのような化合物から製造
することができるかどうかに関して、定義することができる。
【0020】 A.金属 金属は、一般に、溶液中において陽イオンを形成し、そして、水と共に、酸で
はなく水酸化物を形成する酸化物を生ずる元素である。金属としては、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、遷移金属、およびメタロイドが含まれる。アルカリ金
属としては、周期律表Ia族の元素であり、ナトリウム、カリウム、ルビジウム
、セシウムおよびフランシウムが挙げられる。アルカリ土類金属としては、バリ
ウム、カルシウム、ストロンチウムおよびマグネシウムが挙げられる。遷移金属
としては、元素番号21〜29(スカンジウムから銅)、39〜47(イットリ
ウムから銀)、57〜79(ランタンから金)、および89(アクチニウム)か
らのすべての公知の元素が挙げられる。 メタロイドは、金属的および非金属的性質を共に兼ね備えた元素である。メタ
ロイドの例としては、砒素、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、アンチモン、ポロ
ニウム、セレンおよびテルルが挙げられる。
【0021】 B.配位化合物 配位化合物は、一般に、金属、特に金属イオンと、リガンドまたは錯生成剤(
典型的には、ここではリガンドと言及する)と呼ばれる非金属イオンまたは分子
との結合により形成される。リガンドは、荷電のある化合物であってもよく、例
えば、Clのようなハロゲンイオン、または水もしくはアンモニアなどの分子
である。リガンドは、典型的には、金属と、特に金属がイオン化した場合に、供
与できるかまたは共有できる電子対を有する。金属はルイス酸(電子受容体)と
して機能し、そしてリガンドまたは錯生成剤はルイス塩基(電子供与体)として
機能する。金属およびリガンドの間における結合の性質は、典型的には、共有で
はなく、静電的でもなく、両者の間の中間的なものにより近い。
【0022】 キレートは、中央の金属原子、典型的には、金属イオンが、同一のリガンドで
2またはそれ以上の非金属原子により配位結合により結合された配位化合物をい
う。金属またはメタロイドに対する結合のための二つの基を提供するリガンドは
、ビデンデートと呼ばれ、三つの基は、トリデンテートなどと呼ばれる。本発明
において使用するのに特に有用と考えられる特定のリガンドの、非限定的なリス
トを以下に記載する。
【0023】 C.有機金属 ここで使用されている「有機金属」は、炭素原子に直接結合した金属からなる
有機化合物を意味すると定義される。有機金属化合物の例としては、これらに限
定されないが、ジエチル亜鉛またはジエチルニッケル;メチルマグネシウムアイ
オダイドなどのグリニャール化合物;ブチルリチウム、テトラエチル鉛、トリエ
チルアルミニウム、テトラブチルチタン、およびナトリウムメチラートなどの金
属アルキル;銅フタロシアニンなどのフタロシアニン;およびメタロセンが挙げ
られる。
【0024】 D.金属ハロゲン化物 金属ハロゲン化物もまた、本発明の解離工程の前駆体として機能することがで
きる。そのようなハロゲン化物の例としては、これらに限定されないが、タング
ステンヘキサフロリド(WF)およびチタントリクロリド(TiCl)が挙
げられる。
【0025】 III.リガンド 臨界超過流体に可溶または懸濁可能にさせるキレート金属にとって有用なリガ
ンドの一部のリストは、表1および表1に続く議論の中に記載する。このリスト
は、説明のみの目的である。現在知られているまたは今後発見される、金属キレ
ートを形成するのに有用な他のキレートもまた、使用することができる。
【0026】
【表1】
【0027】 本発明を限定することなく、本発明の方法を実施するために特に適したリガン
ドの例としては、β−ジケトン、ハロゲン化β−ジケトン、トリアルキルホスフ
ィンオキシド、トリアリールホスフィンオキシド、アルキルアリールホスフィン
オキシド、カルボン酸、ハロゲン化カルボン酸、トリアルキルホスフェート、ト
リアリールホスフェート、アルキルアリールホスフェート、クラウンエーテル、
ハロゲン化クラウンエーテル、ジチオカルバメート、ホスフィンスルフィド、ホ
スホロチオール酸、チオホスフィン酸、およびそれらの混合物が挙げられる。
【0028】 A.β−ジケトン 本発明を実施するために使用されるβ−ジケトンは、一般に、以下の式:
【化4】 式1 式中、RおよびRは、典型的には、独立に、低級アルキル基、ハロゲン化低
級アルキル基およびテノイル基からなる群より選ばれたものである。ここで使用
されている「低級アルキル」は、約1〜約10の炭素原子を有する化合物を言い
、直鎖および分岐化合物の双方を含み、ならびにすべての異性体および立体異性
体を含むものである。ここで更に述べられているフッ素化エチル基などの「ハロ
ゲン化低級アルキル基」は、アルキル基に存在する少なくとも一つの水素原子が
、ハロゲン原子で置換されたものを意味する。「ハロゲン化低級アルキル基」は
、また、すべての、または何らかの数の水素原子がハロゲンで置換されている化
合物をもいう。
【0029】 更に具体的には、式1のRおよびRは、独立に、メチル、フッ素化メチル
、トリフロロメチル、エチル、フッ素化エチル、ペンタフロロエチル、プロピル
、フッ素化プロピル、ヘプタフロロプロピル、ブチル、フッ素化ブチルおよびノ
ナフロロブチルからなる群より選ばれたものである。適当なβ−ジケトンの具体
例としては、限定されないが、アセチルアセトン、ジブチルジアセテート、トリ
フロロアセチルアセトン、ヘキサフロロアセチルアセトン、テノイルトリフロロ
アセチルアセトンおよびヘプタフロロブタノイルピバロイルメタンが挙げられる
。特に好ましいβ−ジケトンとしては、ヘキサフロロアセチルアセトンおよびジ
ブチルジアセテートが挙げられる。
【0030】 好ましい実施態様において、ハロゲン化されたリガンドは、そのようなリガン
ドから形成された金属−リガンド錯体の臨界超過流体に対する溶解性を増大させ
るために使用される。特に好ましい態様において、リガンドはフッ素化物である
。臨界超過二酸化炭素中へのいくつかのハロゲン化金属−リガンド錯体、そして
特に、フッ素化金属−リガンド錯体の溶解性は、対応する非ハロゲン化金属−リ
ガンド錯体に比較して2〜3桁の倍率で増大した。例示の目的だけのため、かつ
、本発明を限定するのではなく、適当なフッ素化リガンドを以下に示す。
【化5】 ヘキサフロロアセチルアセトン
【0031】 B.ホスフィン酸 本発明の方法を実施するために有用であると一般に考えられるホスフィン酸リ
ガンドは、以下の式2を満足するものである。
【化6】 式2 式中、RおよびRは、独立に、低級アルキル、ハロゲン化低級アルキル、ア
リール、ハロゲン化アリールおよびテノイルからなる群より選ばれたものである
【0032】 C.カルボン酸 本発明の方法を実施するために有用であると一般に考えられるカルボン酸は、
以下の式3を満足するものである。
【化7】 式3 式中、Rは、一般に、低級アルキル、ハロゲン化低級アルキル、アリール、ハ
ロゲン化アリール、ハロゲン化アリールおよびテノイルからなる群より選ばれた
ものである。
【0033】 D.ホスフェート 本発明の方法を実施するために有用であると一般に考えられるホスフェートは、
以下の式4を満足するものである。
【化8】 式4 式中、R〜Rは、独立に、低級アルキル基およびアリール基からなる群より
選ばれたものである。
【0034】 E.クラウンエーテル 本発明の方法を実施するために有用であると一般に考えられるクラウンエーテ
ルは、以下の式5を満足するものである。
【化9】 式5 式中、Xは、式:ジベンゾ[13+3m]−クラウン−[4+m]−エーテルの
ジベンゾクラウンエーテルであり、mは0〜約5の整数であり、nは0〜6の整
数であり、そしてRは、Hまたは炭素原子数1〜約18の親油性ヒドロカルビ
ル基であり、アルキル、シクロアルキル、アルケニルおよびアリール基からなる
群より選ばれたものである。
【0035】 より好ましい実施態様において、クラウンエーテルは、式6により示される:
【化10】 式6 式中、Xは、OHまたはNHOHであり;R10は、アルキル、ハロゲン化アル
キル、フェニルまたはハロゲン化フェニルであり;R11は、アルキルまたはハ
ロゲン化アルキルであり;R12は、Hまたはハロゲンであり;そしてR13
、Hまたはハロゲンである。
【0036】 F.ジチオカルバメート 本発明の方法を実施するために有用であると一般に考えられるジチオカルバメ
ートは、以下の式7を満足するものである。
【化11】 式7 式中、R14およびR15は、アルキルまたは芳香族基であり、そして、式中、
14およびR15は、一もしくはそれ以上のハロゲン原子を含んでいてもよい
【0037】 IV.臨界超過流体 本発明において使用される適当な流体および/または臨界超過流体は、限定さ
れず、二酸化炭素、窒素、酸化窒素、メタン、エチレン、プロパンおよびプロピ
レンが挙げられる。二酸化炭素は、その穏やかな化学的定数(Tc=31℃,P
c73気圧)およびその不活性(すなわち、非爆発性であり、たとえ抽出が臨界
超過条件下に行われたとしても、抽出において完全に安全である)により、臨界
未満および臨界超過流体抽出に特に好ましい流体である。二酸化炭素は、また豊
富に供給され、かつ、比較的安価であるので、好ましい溶媒である。
【0038】 図1は二酸化炭素の相図である。図1は、臨界未満二酸化炭素または臨界超過
二酸化炭素のいずれかを製造するのに必要な条件を示す。三重点(Tp)より上
のすべての条件は、臨界超過二酸化炭素溶媒を製造し、そしてそのような条件の
ほとんどは、本発明を実施するのに有効である。
【0039】 一方、液体COも本発明の方法を実施するために適当である。室温において
、二酸化炭素は5.1気圧以上で液体となる。圧力に応じて、液体二酸化炭素は
、臨界超過二酸化炭素と同等もしくは若干大きい密度を有しており、従って、液
体二酸化炭素の溶媒和力は臨界超過二酸化炭素のそれと同等である。このことは
、液体二酸化炭素が、上記した金属およびメタロイド化合物を溶解または懸濁、
好ましくは溶解することができるであろうことを意味する。しかしながら、液体
二酸化炭素は、臨界超過二酸化炭素の「気体のような」性質を有していない。そ
れゆえ、液体二酸化炭素は粘度が高く、分散性が小さく、そしてその結果として
、臨界超過二酸化炭素と比較して貫通力が小さい。
【0040】 本発明の流体溶媒は、単独で使用してもよく、また、複数の混合溶媒もしくは
臨界超過流体溶媒として、組み合わせて使用してもよい。適当な流体の例、なら
びにそれらの臨界温度および圧力を表2に示した。
【0041】
【表2】
【0042】 さらに、その溶媒特性を改良するために、臨界超過流体を含む、流体に改質剤
を添加してもよい。もっとも有効な改質剤は、水および低級アルキルアルコール
およびエステルなどの低〜中沸点のアルコールおよびエステルである。典型的な
改質剤は、水、メタノール、エタノール、酢酸エチルなどからなる群より選ばれ
るものである。改質剤は、典型的には、約0.1重量%〜20.0重量%の間の
割合で流体に添加される。ここで使用を意図した改質剤は、もっとも典型的には
、開示した操作条件下において臨界超過流体ではない。むしろ、改質剤を、臨界
超過流体溶媒を含む、流体溶媒中に単純に溶解することにより、そのような流体
の溶媒性能を改良する。
【0043】 一つの実施態様において、選ばれた増強剤は、記載された割合で、前もってま
たは臨界超過流体を抽出容器へ供給すると同時に、またはそれと共に同時に、臨
界超過流体と合わされる。一方、臨界超過流体は、増強剤なしで抽出容器へ供給
される。増強剤は、ついで、抽出容器に導入され、臨界超過流体と合わせられる
【0044】 V.臨界超過流体での抽出中の金属−リガンド錯体の生成 上記したように、本発明は金属化合物を生成することを含む。一つの実施態様
において、金属−リガンド錯体は抽出工程において生成される。金属−リガンド
錯体を生成するためのこの方法におけるより特別の実施態様において、金属を処
理するシステムが提供される。金属は容器中に置かれ、その中を流体、または臨
界超過流体、およびリガンドが通過する。リガンドは金属と結合して金属−リガ
ンド錯体を形成し、これは、流体または臨界超過流体に可溶であるか、またはそ
の中に懸濁可能である。金属−リガンド錯体を含有する流体または臨界超過流体
は、ついで、容器から取り除かれる。
【0045】 流体または臨界超過流体は、金属を含有する材料に連続的に通すことができ、
あるいは不連続のバッチ工程において材料にさらすことができる。一つの実施態
様において、臨界超過流体をリガンドに流し、金属含有材料を流体にさらす前に
、リガンドを流体中に溶解する。好ましくは、臨界超過流体は、少なくとも1種
のリガンドと溶媒改質剤を含有する。
【0046】 VI.臨界超過流体中での金属化合物の処理 臨界超過流体中の金属化合物を溶解しまたは不均化する処理は、臨界超過流体
中で化学反応、特に還元および酸化反応、を開始することにより行われる。その
ような化学反応を開始することにより、金属化合物は、臨界超過流体中で解離ま
たは不均化される。好ましい実施態様において、臨界超過流体の容積は、化学反
応およびそれに続く粒子形成の間、実質的に一定に維持される。
【0047】 A.加熱 ある金属を加熱するか、または酸素または他の酸化剤の存在下に熱エネルギー
にさらした場合、金属は酸化され、そして化合物は解離して金属または金属酸化
物およびリガンドを形成する。
【0048】 ある酸化−還元反応は、温度を雰囲気よりも上げた場合、実質的により効率的
になる。その結果、解離を誘起するために、システムを加熱することは有益であ
る。
【0049】 かくして、一つの実施態様において、臨界超過流体中に含有される金属化合物
は、解離を誘起するために加熱される。他の実施態様において、流体は基体に適
用される。好ましい実施態様において、基体は、基体上に粒子の形成を誘起する
ために加熱される。本発明を限定するものではないが、適当な基体の一つの例は
、シリコンウエハーである。他の好ましい実施態様において、臨界超過流体の圧
力は、加熱工程の後に減少され、かくして臨界超過流体を解離し、そして実質的
に純粋な金属または金属酸化物粒子を基体上に付着させる。
【0050】 B.金属の酸化状態の変化 金属化合物の金属の酸化状態は、還元剤または酸化剤を用いて変化させること
ができる。金属などの化学化合物の還元は、一またはそれ以上の電子がそのよう
な化合物に供与された場合に生ずる。酸化は還元の逆である、すなわち、一また
はそれ以上の電子の化学化合物からの除去である。かくして、還元剤および酸化
剤は、元素または分子から電子を供与(還元剤)するかまたは受容(酸化剤)す
る化学試薬である。例えば、反応において: 2H + O ―――> 2HO Hは還元剤である、なぜなら、それぞれのHはひとつの電子をOに移す。同
様に、Oは酸化剤である、なぜなら、それぞれのOはHから電子を除去する。
【0051】 元素の酸化状態は、以下のいくつかの法則により決定できる。 結合していない、または遊離の元素において、それぞれの原子は酸化状態0とさ
れる。 単純なイオン(すなわち、ひとつの原子のみを含有する帯電した化合物)におい
て、酸化状態は、イオンの電荷に等しい。 酸素を含有する化合物において、それぞれの酸素原子の酸化状態は、通常2であ
る。 水素を含有する化合物において、水素の酸化状態は、+1である。 すべての酸化状態は、電荷の保存に合致しなければならない。 上記した化学反応において、HおよびOの酸化状態は変化されている。Hの酸
化状態は0から+1に増加し、そしてOの酸化状態は−2に減少した。
【0052】 限定されないが、本発明を実施するための適当な酸化剤の例は、酸素である。
水素は、適当な還元剤の例である。本方法の好ましい実施態様は、金属化合物を
含有する臨界超過流体を通して、水素または酸素などの還元または酸化ガスを溶
解させることを含む。かくして、還元または酸化ガスは、金属化合物を含有する
臨界超過流体を通して流される。一方、金属化合物は、不連続なバッチ工程にお
いて、流体中の還元または酸化剤にさらしてもよい。更に他の実施態様において
、臨界超過流体は、それ自体、還元または酸化剤として機能する。
【0053】 C.リガンドのリサイクル 金属−リガンド錯体に対する特別な言及に関し、金属−リガンド錯体を解離し
た後、リガンドは新たな金属−リガンド錯体を形成するためにリサイクルするこ
とができる。リサイクルするリガンドは、有用である、なぜなら、それは、一回
限りの使用後にそれらを放棄するよりも、リガンドを再使用することにより操作
コストを低減するからである。
【0054】 VII.金属および金属酸化物粒子 臨界超過流体中のいくつかの金属化合物が解離する場合、形成された金属また
は金属酸化物の反応生成物は、臨界超過流体中に不溶であり、そして金属または
金属酸化物粒子が形成される。異なるサイズの粒子が、反応条件を変えることに
より生成できる。粒子のサイズを変えるために、例えば、温度および圧力などの
条件を変えてもよい。本発明は一つの操作の理論に限定されることがなく、現在
、好ましい理論は、それらの条件が結晶の核形成および得られる結晶の成長に影
響するものである。かくして、ひとたび粒子を製造する条件が決定されたならば
、粒子サイズは、そのような反応条件を適当に変更することにより予め定めるこ
とができる。現在、可能な粒子サイズの絶対的範囲は、不明である。
【0055】 粒子析出の時間的スケールは、サイズの均一性および製造された粒子の絶対的
サイズに影響する。本発明を限定する意図はないが、現在、非常に短い時間、例
えば、2〜3分より短い時間では、均一で、別々の結晶性粒子の製造には不十分
であると信じられている。臨界超過流体、金属化合物または化合物、およびいか
なる還元剤または酸化剤がさらされる反応条件は、反応容器により一定に制御さ
れる。それゆえ、特定の粒子形成反応のために好ましい条件は、たとえば、臨界
超過流体の除去または加熱源の除去が起こるまで維持される。
【0056】 結晶形成のための最大時間期間はないようである。最大反応時間は、効率およ
び費用の問題により商業的製法のために決定されがちである。別々で、実質的に
均一な粒子を製造するための典型的な時間範囲は、約3秒〜約2時間である。本
発明の方法による粒子形成のための好ましい時間範囲は、約15分〜約45分で
ある。
【0057】 本方法により製造された粒子は、「実質的に均一」である。「実質的に均一」
な粒子は、平均直径から低い標準偏差を有するものである。好ましい実施態様に
おいて、金属または金属酸化物粒子は良好に結晶化されている。
【0058】 VIII.装置 図2は、本発明の方法を実施するために使用するのに適した装置10を開示す
る。図2について、装置10は、臨界超過流体の出所(ソース)12、シリンジ
ポンプ14、金属および/またはメタロイド化合物を含有する容器16、T−バ
ルブ18、還元剤または酸化剤の出所(ソース)20、オーブン22、反応容器
24および基体26を含む。
【0059】 本発明において使用されている装置10は以下のとおりである。シリンジポン
プ14は、金属化合物を含有する容器16を通してソース12から臨界超過流体
をポンプで汲み出すために使用される。T−バルブ18は、いずれの試薬を使用
するとしても、ソース20からの還元剤または酸化剤、および金属および/また
はメタロイド化合物を含有する臨界超過流体からなる混合物の生成を制御するた
めに使用される。混合物がひとたび反応容器24に入ると、混合物の温度は、オ
ーブン22の温度を変えることにより制御される。例えば、温度を上げると、所
望の化学反応を誘起し、そして得られた金属粒子は基体26上に集められる。圧
力は、直後に、臨界超過流体を除去するために制流子28を用いて減少される。
【0060】 異なる実施態様において、オーブン22は反応を加熱するために使用されない
代わりに、金属化合物を含有する臨界超過流体は、制流子28を通して反応容器
24から、そして基体30上に放出される。基体30は加熱することができ、そ
して、現在、基体30を加熱するための好ましい方法は、電極32からの電流に
より抵抗的に加熱することである。
【0061】 他の実施態様において、そして図3を参照すると、反応容器40は、断熱在4
の頂部に基体42を有している。基体は、電極46から電流をかけることにより
、抵抗的に加熱することができる。熱電対48を温度を監視するために反応容器
40中へ挿入する。反応容器40の蓋50は、ボルト54などの締結具により容
器基材に締結できる。蓋はまた、典型的には、テフロンガスケット56などのガ
スケットを用いて封止される。臨界超過流体が反応容器40の内部58中に置か
れた場合、基体を加熱することができ、それにより化学反応を生じさせ、そして
加熱した基体42上に金属粒子を形成させる。
【0062】 IX.金属化合物を解離および不均化して粒子を製造するための実施例 以下の実施例は、本発明のある実施態様を示すためにのみ提供される。本発明
は、実施例中で記載された特別の実施例にのみ限定されるものではない。例えば
、ひとつの実施例は、フッ素化リガンドの使用について記載するが、本発明はフ
ッ素化化合物のみを使用することに限定されるものではない。他のハロゲン化リ
ガンドを含め、非フッ素化リガンドもまた、十分に実施可能である。
【0063】 実施例1 この実施例は、金属の酸化状態を変えることにより、臨界超過流体中の金属−
リガンド錯体から金属を解離することによる、金属粒子の製造を記載する。より
具体的には、この実施例は、臨界超過CO中で水素により銅ジ−ヘキサフロロ
アセチルアセトン[Cu(HFA)]を還元することを記載する。方法は、図
2に示したような実験室的に製造した臨界超過流体反応システムにより行われた
。液体COは、250mLのISCOシリンジポンプを用いて反応システムに
加えた。臨界超過流体反応器は、前駆体のための容器、水素をシステム中に導入
するためのT−バルブ、温度制御オーブン中に置かれた反応容器、および制流子
に接続された出口バルブからなる。基体は、臨界超過相中で製造された、濃縮さ
れた金属粒子を集めるために、反応容器中に入れられる。制流子(50〜100
ミクロンの溶融シリカの管)は、反応後、システムを減圧している間、圧力低下
を制御するために使用される。これらの工程により形成された粉末は、走査型電
子顕微鏡により分析される。
【0064】 銅ジ−ヘキサフロロアセチルアセトン、フッ化銅/β−ジケトン錯体は、臨界
超過CO(170℃および120atmにおいて>0.1モル分率)に対し、
高い溶解性を有する。上昇した温度において水素ガスの存在下において、銅ジ−
ヘキサフロロアセチルアセトンは、臨界超過CO中において、金属銅およびヘ
キサフロロアセチルアセトン(HFA)に還元される。HFAは臨界超過CO 中に非常によく溶解するので、それは流体相中に残るのに対し、銅粒子は基体上
に析出する。
【0065】 80psiのHガスを含有する1470psiの臨界超過COを、3.5
mlのセルに入れる。0.1780gの銅ジ−ヘキサフロロアセチルアセトンを
その中に溶解する。
【0066】 図4は、約265℃の温度で約30分間の期間、臨界超過CO中において、
Cu(HFA)の本来的な還元により、製造された銅粒子を示す。それらの条
件下において、銅の還元は、数分間で起こる。250℃以下では、還元工程は効
率的ではない。切り子面の微結晶銅粒子が、図4に示したようなこの技術を用い
て製造される。興味のある観察は、平均直径が約1ミクロンであり、図4に示し
たように、粒子サイズがかなり均一であることである。
【0067】 ひとたび、還元反応が完結すると、臨界超過CO中において、銅から解離し
たHFAリガンドは、さらに金属を抽出するためにリサイクルされ、その結果、
臨界超過流体中において、新たな金属−リガンド錯体を形成する。一方、リガン
ドは、リガンドを担持する臨界超過流体を反応から除去することにより集めるこ
とができる。ついで、圧力を減少させることにより、COを解離し、そしてリ
ガンドを集めることができる。さらに、還元した金属は、圧力を減少することに
より、溶媒炭化水素不純物を含むことなく、容易に集めることができる。
【0068】 実施例1の方法は、また、例えば、銀、金またはタングステンなどの他の金属
からなる粒子の製造にも使用することができる。例えば、もし、タングステン粒
子が所望の場合には、タングステンおよびリガンドからなる金属−リガンド錯体
を開始原料として使用すべきである。
【0069】 実施例2 ジブチル錫ジアセテート(DBTDA)を大気圧下において加熱した場合、そ
れは220℃付近でSnOに変換される。DBTDAは臨界超過CO中に非
常によく溶解する。
【0070】 実験は、250℃に加熱した基体上に、飽和したDBTDAを含有する臨界超
過CO流体(200atm,50℃)をスプレーすることにより行った。基体
上に臨界超過COをスプレーした場合、加熱した基体の温度は、展開するCO ガスの高速度により、下がる。基体上に析出した粒子は、図5に示したように
非晶質である。図5に示した非晶質粒子は、粒子を形成するための化学反応の前
または間に臨界超過流体の急速な展開(例えば、スプレーによる)を含む方法の
典型的な製造物である。
【0071】 実施例1に示したように、方法は、図2に示したような実験室的に製造した臨
界超過流体反応システムにより行われた。液体COは、250mLのISCO
シリンジポンプを用いて反応システムに加えた。臨界超過流体反応器は、前駆体
のための容器、酸素をシステム中に導入するためのT−バルブ、温度制御オーブ
ン中に置かれた反応容器、および制流子に接続された出口バルブからなる。基体
は、臨界超過相中で製造された、濃縮された金属または金属酸化物粒子を集める
ために、反応容器中に入れられる。制流子(50〜100ミクロンの溶融シリカ
の管)は、反応後、システムを減圧している間、圧力低下を制御するために使用
される。制流子は、また、溶解したDBTDAを加熱した基体上にスプレーして
SnO粒子を作るための装置として使用される。DBTDAは、反応器中で、
約40℃で臨界超過CO中に溶解され、そして250℃に加熱した基体上にス
プレーされる。これらの工程により形成された粉末は、走査型電子顕微鏡により
分析される。
【0072】 実施例3 この実施例は、臨界超過流体中において、金属−リガンド錯体を酸化すること
により、金属粒子を製造する方法を記載する。この方法は、実施例1に記載した
ものと実質的に同一であるが、酸素などの酸化剤を水素で置換することを含み、
そして適当な金属−リガンド錯体を使用する。方法は、図2に示したような実験
室的に製造した臨界超過流体反応システムにより行われたであろう。液体CO は、250mLのISCOシリンジポンプを用いて反応システムに加えたであろ
う。臨界超過流体反応器は、前駆体のための容器、酸素をシステム中に導入する
ためのT−バルブ、温度制御オーブン中に置かれた反応容器、および制流子に接
続された出口バルブからなるであろう。基体は、臨界超過相中で製造された、濃
縮された金属または金属酸化物粒子を集めるために、反応容器中に入れられるで
あろう。制流子(50〜100ミクロンの溶融シリカの管)は、反応後、システ
ムを減圧している間、圧力低下を制御するために使用されたであろう。これらの
工程により形成された粉末は、走査型電子顕微鏡により分析されたであろう。
【0073】 上昇した温度において酸素ガスの存在下において、ジブチル錫ジアセテートは
、臨界超過CO中において、SnOおよびジブチルジアセテートに変換され
る。ジブチルジアセテートは臨界超過CO中に非常によく溶解するので、それ
は流体相中に残るのに対し、SnO粒子は基体上に析出または付着する。圧力
をかけた空気を酸素源として使用できる。80psiの空気を含有する1470
psiの臨界超過二酸化炭素を、3.5mlのセルに入れ、0.1780gのジ
ブチル錫ジアセテートをその中に溶解するであろう。臨界超過CO中における
ジブチル錫ジアセテートの本来的な熱分解が、約250℃ぐらいまで温度を上げ
、そしてこの温度を、約30分間程度の、所望の反応が達成されるに十分な時間
の間、維持することにより、引き起こされたであろう。それらの条件下において
、錫の酸化は数分間で起きるであろう。250℃以下において、酸化工程は、商
業的な方法としては、十分に効率的ではないであろう。切り子面の微結晶SnO 粒子が、この技術を用いて製造されたであろう。
【0074】 ひとたび、反応が完結すると、臨界超過CO中のジブチルジアセテートリガ
ンドは、さらに金属を抽出するためにリサイクルされ、その結果、臨界超過流体
中において、新たな金属−リガンド錯体を形成する。一方、リガンドは、リガン
ドを担持する臨界超過流体を反応から除去することにより集めることができる。
ついで、圧力を減少させることにより、COを解離し、そしてリガンドを集め
ることができる。さらに、酸化した金属は、単純に臨界超過相の圧力を減少する
ことにより、溶媒炭化水素不純物を含むことなく、容易に集めることができる。
【0075】 実施例3の方法は、また、例えば、チタンおよびタンタルなどの他の金属から
なる粒子の製造にも使用することができる。例えば、もし、二酸化チタン粒子が
所望の場合には、二酸化チタンおよびリガンドに解離するように酸化できる金属
−リガンド錯体を使用すべきである。
【0076】 実施例4 この実施例は、臨界超過流体中において、有機金属化合物を還元することによ
り、金属粒子を製造する方法を記載する。この方法は、実施例1に記載したもの
と実質的に同一であるが、実施例1に記載した金属−リガンド錯体を有機金属化
合物に置換することを含む。方法は、図2に示したような実験室的に製造した臨
界超過流体反応システムにより行われたであろう。液体COは、シリンジポン
プを用いて反応システムに加えたであろう。臨界超過流体反応器は、有機金属前
駆体のための容器、水素をシステム中に導入するためのT−バルブ、温度制御オ
ーブン中に置かれた反応容器、および制流子に接続された出口バルブからなるで
あろう。基体は、臨界超過相中で製造された、金属またはメタロイド粒子を集め
るために、反応容器中に入れられたであろう。制流子(50〜100ミクロンの
溶融シリカの管)は、反応後、システムを減圧している間、圧力低下を制御する
ために使用されたであろう。これらの工程により形成された粉末は、走査型電子
顕微鏡により分析されたであろう。
【0077】 上記した装置を用いて導入することができる、水素ガスの存在下において、有
機金属化合物、ニッケルシクロペンタジエン[Ni(C]は、臨界超
過CO中において、Niおよびシクロペンタジエンに還元される。金属ニッケ
ル粒子は基体上に析出または付着する。臨界超過CO中におけるニッケルの本
来的な還元が、約250℃ぐらいまで温度を上げ、そしてこの温度を、約30分
間程度の、所望の反応が達成されるに十分な期間、維持することにより、引き起
こされた。
【0078】 ひとたび、反応が完結すると、還元された金属は、単純に圧力を減少すること
により、溶媒炭化水素不純物を含むことなく、容易に集めることができる。従っ
て、この実施例4に記載された方法は、他の金属またはメタロイドからなる粒子
を製造するのにも、また、使用できる。さらに、有機金属化合物は、また、もし
例えば、有機金属化合物から酸化金属、酸化メタロイド、金属酸化物またはメタ
ロイド酸化物を製造することを望む場合には、酸化性化合物により処理してもよ
いということが実現されるべきである。
【0079】 実施例5 この実施例は、臨界超過流体中において、金属ハロゲン化物を還元することに
より、金属粒子を製造する方法を記載する。この方法は、実施例1に記載したも
のと実質的に同一であるが、実施例1に記載した金属−リガンド錯体を金属ハロ
ゲン化物に置換することを含む。方法は、図2に示したような実験室的に製造し
た臨界超過流体反応システムにより行われたであろう。液体COは、シリンジ
ポンプを用いて反応システムに加えたであろう。臨界超過流体反応器は、前駆体
のための容器、水素または酸素をシステム中に導入するためのT−バルブ、温度
制御オーブン中に置かれた反応容器、および制流子に接続された出口バルブから
なるであろう。基体は、臨界超過相中で製造された、金属またはメタロイド粒子
を集めるために、反応容器中に入れられたであろう。制流子(50〜100ミク
ロンの溶融シリカの管)は、反応後、システムを減圧している間、圧力低下を制
御するために使用されたであろう。これらの工程により形成された粉末は、走査
型電子顕微鏡により分析されたであろう。
【0080】 上記した装置を用いて導入することができる、水素ガスの存在下において、有
機金属化合物、タングステンヘキサフロリド[WF]は、臨界超過CO中に
おいて、タングステン(W)およびフッ化水素(HF)に還元できる。金属タン
グステン粒子は基体上に析出または付着する。臨界超過CO中におけるWの本
来的な還元が、約250℃ぐらいまで温度を上げ、そしてこの温度を、約30分
間程度の、製法が実施されるに十分な期間、維持することにより、さらに容易に
できた。
【0081】 ひとたび、反応が完結すると、還元されたW金属は、単純に圧力を減少するこ
とにより、溶媒炭化水素不純物を含むことなく、容易に集めることができる。従
って、この実施例5に記載された方法は、他の金属ハロゲン化物またはメタロイ
ドハロゲン化物から粒子を製造するのにも、また、使用できる。
【0082】 さらに、金属ハロゲン化物は、また、もし、例えば、金属酸化物が所望である
場合には、酸化性化合物により処理してもよいということが実現されるべきであ
る。例えば、チタンテトラクロリド(TiCl)を酸化することにより、水の
存在下において、二酸化チタンが形成される。
【0083】 実施例6 この実施例は、臨界超過流体中において、金属カルボニル錯体を還元すること
により、金属粒子を製造する方法を記載する。この方法は、実施例1に記載した
ものと実質的に同一であるが、実施例1に記載した金属−リガンド錯体を金属カ
ルボニル錯体に置換することを含む。方法は、図2に示したような実験室的に製
造した臨界超過流体反応システムにより行われたであろう。液体COは、シリ
ンジポンプを用いて反応システムに加えたであろう。臨界超過流体反応器は、前
駆体のための容器、温度制御オーブン中に置かれた反応容器、および制流子に接
続された出口バルブからなるであろう。基体は、臨界超過相中で製造された、金
属粒子を集めるために、反応容器中に入れられたであろう。制流子(50〜10
0ミクロンの溶融シリカの管)は、反応後、システムを減圧している間、圧力低
下を制御するために使用されたであろう。これらの工程により形成された粉末は
、走査型電子顕微鏡により分析されたであろう。
【0084】 タングステンヘキサカルボニル[W(CO)]は、熱分解することにより金
属タングステンを形成する。熱分解による解離に引き続いて、金属タングステン
粒子は基体上に析出または付着する。臨界超過CO中におけるWの本来的な解
離は、温度を十分な熱分解温度まで上げ、そして、その後、この温度を、金属タ
ングステンを製造するに十分な期間、維持することにより容易にできる。
【0085】 ひとたび、還元反応が完結すると、W金属は、単純に圧力を減少することによ
り、溶媒炭化水素不純物を含むことなく、容易に集めることができる。従って、
この実施例6に記載された方法は、他の金属カルボニル錯体から粒子を製造する
のにも、また、使用できる。
【0086】 実施例7 この実施例は、金属またはメタロイドと結合したアルコールリガンドをさらに
含有する金属−リガンド錯体を加熱することにより、金属粒子を製造する方法を
記載する。このシステムにおいては、不均化反応が生ずる(すなわち、単一の化
合物が酸化剤および還元剤の両方として機能するもの)。不均化反応は、図2に
示したような実験室的に製造した臨界超過流体反応システムにより行われたであ
ろう。液体COは、シリンジポンプを用いて反応システムに加えたであろう。
臨界超過流体反応器は、前駆体のための容器、水素または酸素をシステム中に導
入するためのT−バルブ、温度制御オーブン中に置かれた反応容器、および制流
子に接続された出口バルブからなるであろう。基体は、臨界超過相中で製造され
た、金属またはメタロイド粒子を集めるために、反応容器中に入れられたであろ
う。制流子(50〜100ミクロンの溶融シリカの管)は、反応後、システムを
減圧している間、圧力低下を制御するために使用されたであろう。これらの工程
により形成された粉末は、走査型電子顕微鏡により分析されたであろう。
【0087】 銅ジ−ヘキサフロロアセチルアセトンプロピルアルコール[Cu(HFA)OH]は、熱的に誘起される不均化反応を起こし、金属銅およびアセト
ンを形成する。不均化に引き続いて、金属銅の粒子は基体上に析出または付着す
る。臨界超過CO中におけるCu(HFA)OHの本来的な不均化
は、温度を十分に上げ、そしてこの温度を、金属銅が製造されるに十分な期間、
維持することにより、容易にできる。
【0088】 ひとたび、不均化反応が完結すると、還元された金属銅は、単純に圧力を減少
することにより、溶媒炭化水素不純物を含むことなく、容易に集めることができ
る。従って、この実施例7に記載された方法は、また、不均化により他の金属化
合物から粒子を製造するのにも使用できる。
【0089】 幾つかの好ましい実施態様において、本発明の原理を説明し、記載したが、当
業者であれば、発明はそのような原理から離れることなく、組み合わせおよび細
部を変更することができるということが明らかであろう。我々は、請求項の精神
および範囲内にあるすべての改変を請求する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、二酸化炭素の相図である。
【図2】 図2は、本発明により金属−リガンド錯体を解離するためのシステム
の一実施態様を説明する模式図である。
【図3】 図3は、本発明の方法の実際の実施態様に使用される反応容器の一実
施態様を説明する模式図である。
【図4】 図4は、本発明の方法により臨界超過二酸化炭素中で銅ヘキサフロロ
アセチルアセトンを還元により製造した銅粒子の走査型電子写真(SEM)であ
る。
【図5】 図5は、本発明の方法によりジブチル錫ジアセテートを加熱した基体
上にスプレーすることにより製造した酸化錫粒子のSEMである。
【手続補正書】
【提出日】平成12年4月20日(2000.4.20)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【化1】 (式中、RおよびRは、独立に、低級アルキル、フッ素化低級アルキル、テ
ノイル、フッ素化テノイル、メチル、トリフロロメチル、エチル、フッ素化エチ
ル、プロピル、フッ素化プロピル、ブチル、およびフッ素化ブチル基からなる群
より選ばれたものである。) で示されるβ−ジケトンからなる群より選ばれたものである請求項15記載の方
法。
【化2】 (式中、R〜Rは、独立に、低級アルキル基およびアリール基からなる群よ
り選ばれたものである。) で示されるものであり、そしてトリアルキルホスフィンオキシド、トリアリール
ホスフィンオキシドおよびアルキルアリールホスフィンオキシドが式:
【化3】 (式中、R〜Rは、独立に、低級アルキル基およびアリール基からなる群よ
り選ばれたものである。) で示されるものである請求項15記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S D,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG ,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AT ,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA, CH,CN,CU,CZ,DE,DK,EE,ES,F I,GB,GE,GH,HU,IL,IS,JP,KE ,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS, LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,MW,M X,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE ,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT, UA,UG,UZ,VN,YU,ZW (72)発明者 チェン エム ワイ アメリカ合衆国 アイダホ州 83843 モ スクワ リッジ ロード 472 (72)発明者 フレッド エイチ ハント アメリカ合衆国 アイダホ州 83843 モ スクワ ノース クリーヴランド 923 ビー (72)発明者 リン ユーヘ アメリカ合衆国 アイダホ州 83843 モ スクワ サウス クリーヴランド 405 ナンバー 5 Fターム(参考) 4K001 AA01 AA04 AA09 AA24 AA25 AA27 AA29 BA24 CA15 CA16 DB19 HA09 JA01

Claims (54)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも1種の金属からなる金属化合物を含有する臨界超過流体
    を提供し、次いで、 金属化合物を含有する臨界超過流体を処理し、臨界超過流体中の化合物から金属
    を解離し、そして金属または金属酸化物粒子を形成することを特徴とする金属化
    合物から金属を解離する方法。
  2. 【請求項2】金属化合物が配位化合物、キレート、有機金属、金属ハロゲン化物
    およびそれらの混合物からなる群より選択されたものである請求項1記載の方法
  3. 【請求項3】金属化合物が金属−リガンド錯体からなる請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】錯体を含有する臨界超過流体の処理が金属の酸化状態を変化させる
    ことにより金属−リガンド錯体から金属を解離させることからなる請求項3記載
    の方法。
  5. 【請求項5】錯体を含有する臨界超過流体の処理が金属−リガンド錯体を加熱す
    ることからなる請求項3記載の方法。
  6. 【請求項6】リガンドが、金属−リガンド錯体を含有する臨界超過流体の処理に
    続いて、付加的な金属−リガンド錯体の製造にリサイクルされる請求項3記載の
    方法。
  7. 【請求項7】臨界超過流体が二酸化炭素である請求項1記載の方法。
  8. 【請求項8】金属の酸化状態の変化が還元剤により錯体の金属を還元することか
    らなる請求項4記載の方法。
  9. 【請求項9】還元剤が水素ガスであり、そして錯体を含有する臨界超過流体の処
    理が、水素ガスを、錯体を含有する臨界超過流体に供給することからなる請求項
    8記載の方法。
  10. 【請求項10】臨界超過流体が錯体の金属の酸化状態を変化させることが可能な
    ものであり、そして金属の酸化状態が臨界超過流体により変化される請求項3記
    載の方法。
  11. 【請求項11】金属の酸化状態の変化が、酸化剤で錯体を処理することからなる
    請求項4記載の方法。
  12. 【請求項12】金属が遷移金属からなる群より選ばれたものである請求項1記載
    の方法。
  13. 【請求項13】金属が銅、銀、金、タングステン、チタン、錫、タンタル、およ
    びそれらの混合物からなる群より選ばれたものである請求項1記載の方法。
  14. 【請求項14】金属が銅である請求項1記載の方法。
  15. 【請求項15】リガンドがクラウンエーテル、ハロゲン化クラウンエーテル、ト
    リアルキルホスフェート、トリアリールホスフェート、アルキルアリールホスフ
    ェート、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアリールホスフィンオキシド、
    アルキルアリールホスフィンオキシド、ジケトン、ハロゲン化ジケトン、ジチオ
    カルバメート、カルボン酸、ハロゲン化カルボン酸、ホスフィンスルフィド、ホ
    スホロチオール酸、チオホスフィン酸、およびそれらの混合物からなる群より選
    ばれたものである請求項3記載の方法。
  16. 【請求項16】ジケトンが式: 【化1】 (式中、RおよびRは、独立に、低級アルキル、フッ素化低級アルキル、テ
    ノイル、フッ素化テノイル、メチル、トリフロロメチル、エチル、フッ素化エチ
    ル、プロピル、フッ素化プロピル、ブチル、およびフッ素化ブチル基からなる群
    より選ばれたものである。) で示されるβ−ジケトンからなる群より選ばれたものである請求項15記載の方
    法。
  17. 【請求項17】ジケトンがアセチルアセトン、トリフロロアセチルアセトン、ヘ
    キサフロロアセチルアセトン、テノイルトリフロロアセチルアセトン、ヘプタフ
    ロロブタノイルピバロイルメタン、およびそれらの混合物からなる群より選ばれ
    たものである請求項15記載の方法。
  18. 【請求項18】ジケトンがヘキサフロロアセチルアセトン、ジブチルジアセテー
    ト、およびそれらの混合物からなる群より選ばれたものである請求項15記載の
    方法。
  19. 【請求項19】トリアルキル−、トリアリール−、またはアルキル−アリールホ
    スフェートが式: 【化2】 (式中、R〜Rは、独立に、低級アルキル基およびアリール基からなる群よ
    り選ばれたものである。) で示されるものであり、そしてトリアルキルホスフィンオキシド、トリアリール
    ホスフィンオキシドおよびアルキルアリールホスフィンオキシドが式: 【化3】 (式中、R〜Rは、独立に、低級アルキル基およびアリール基からなる群よ
    り選ばれたものである。) で示されるものである請求項15記載の方法。
  20. 【請求項20】R〜Rが独立にブチルおよびオクチルからなる群より選ばれ
    たものであり、そしてR〜Rが独立にブチル、オクチルおよびフェニルから
    なる群より選ばれたものである請求項19記載の方法。
  21. 【請求項21】錯体が臨界超過流体に可溶なものである請求項3記載の方法。
  22. 【請求項22】錯体が臨界超過流体に懸濁されたものである請求項3記載の方法
  23. 【請求項23】臨界超過流体が水、低級アルキルアルコール、低級アルキルエー
    テル、リン酸エステル、およびそれらの混合物からなる群より選ばれた改質溶媒
    を更に含有するものである請求項1記載の方法。
  24. 【請求項24】粒子が所定のサイズを有するものである請求項1記載の方法。
  25. 【請求項25】粒径が実質的に均一である請求項1記載の方法。
  26. 【請求項26】金属−リガンド錯体がジブチル錫ジアセテートである請求項3記
    載の方法。
  27. 【請求項27】更に、処理の前、間、または後に、金属−リガンド錯体を含有す
    る臨界超過流体を基体に適用し、金属または金属酸化物粒子を基体に付着させる
    ことからなる請求項3記載の方法。
  28. 【請求項28】基体を加熱する請求項27記載の方法。
  29. 【請求項29】請求項1記載の方法により製造された金属および/または金属酸
    化物製品。
  30. 【請求項30】金属−リガンド錯体または金属−リガンド錯体の混合物を形成し
    、ここで、一または複数の錯体は、少なくとも1種の金属および少なくとも1種
    のリガンドからなり; 一または複数の金属−リガンド錯体を臨界超過流体に溶解または懸濁し;そして
    、 一または複数の錯体を含有する臨界超過流体を処理することにより臨界超過流体
    中の一または複数の錯体から一または複数のリガンドを解離し、それにより金属
    または金属酸化物粒子を形成することを特徴とする複数の金属−リガンド錯体を
    解離する方法。
  31. 【請求項31】一または複数の錯体の金属が銅、銀、金、タングステン、チタン
    、錫、タンタル、およびそれらの混合物からなる群より選ばれたものであり、そ
    して一または複数の金属−リガンド錯体が臨界超過二酸化炭素に可溶なものであ
    る請求項30記載の方法。
  32. 【請求項32】銅およびβ−ジケトンからなる群より選ばれるリガンドからなる
    金属−リガンド錯体を含有する臨界超過二酸化炭素を提供し、ここで臨界超過二
    酸化炭素は、第一の容積を占める錯体を含有するものであり;そして、 実質的に第一の容積の錯体を含有する臨界超過流体を維持しながら金属を第一の
    酸化状態からより低い酸化状態へ還元し、それにより錯体からリガンドを解離し
    、かつ、臨界超過流体中に実質的に均一な銅または酸化銅粒子を形成することを
    特徴とする複数の金属−リガンド錯体を解離する方法。
  33. 【請求項33】金属−リガンド錯体または複数の金属−リガンド錯体の混合物を
    含有する臨界超過流体を提供し、ここで一または複数の錯体は少なくとも1種の
    金属および少なくとも1種のリガンドからなり; 臨界超過流体を実質的に同一の容積に維持しながら、一または複数の錯体を含有
    する臨界超過流体を処理することにより臨界超過流体中の金属からリガンドを解
    離し、かつ、金属または金属酸化物粒子を形成することを特徴とする複数の金属
    −リガンド錯体を解離する方法。
  34. 【請求項34】一または複数の錯体を含有する臨界超過流体の処理が、金属の酸
    化状態を変化させることにより一または複数の金属−リガンド錯体から金属を解
    離させる請求項33記載の方法。
  35. 【請求項35】一または複数の錯体を含有する臨界超過流体の処理が、一または
    複数の金属−リガンド錯体を加熱する請求項33記載の方法。
  36. 【請求項36】リガンドが、金属−リガンド錯体を含有する臨界超過流体の処理
    に続いて、付加的な金属−リガンド錯体の製造にリサイクルされる請求項33記
    載の方法。
  37. 【請求項37】臨界超過流体が二酸化炭素である請求項33記載の方法。
  38. 【請求項38】金属の酸化状態の変化が還元剤により一または複数の錯体の金属
    を還元することからなる請求項34記載の方法。
  39. 【請求項39】還元剤が水素ガスであり、そして錯体を含有する臨界超過流体の
    処理が、水素ガスを、錯体を含有する臨界超過流体に供給することからなる請求
    項38記載の方法。
  40. 【請求項40】金属の酸化状態の変化が、酸化剤で錯体を処理することからなる
    請求項34記載の方法。
  41. 【請求項41】金属が銅、銀、金、タングステン、チタン、錫、タンタル、およ
    びそれらの混合物からなる群より選ばれたものである請求項33記載の方法。
  42. 【請求項42】金属が銅である請求項33記載の方法。
  43. 【請求項43】リガンドがクラウンエーテル、ハロゲン化クラウンエーテル、ト
    リアルキルホスフェート、トリアリールホスフェート、アルキルアリールホスフ
    ェート、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアリールホスフィンオキシド、
    アルキルアリールホスフィンオキシド、ジケトン、ハロゲン化ジケトン、ジチオ
    カルバメート、カルボン酸、ハロゲン化カルボン酸、ホスフィンスルフィド、ホ
    スホロチオール酸、チオホスフィン酸、およびそれらの混合物からなる群より選
    ばれたものである請求項33記載の方法。
  44. 【請求項44】ジケトンがヘキサフロロアセチルアセトン、ジブチルジアセテー
    ト、およびそれらの混合物からなる群より選ばれたものである請求項43記載の
    方法。
  45. 【請求項45】臨界超過流体が水、低級アルキルアルコール、低級アルキルエー
    テル、リン酸エステル、およびそれらの混合物からなる群より選ばれた改質溶媒
    を更に含有するものである請求項33記載の方法。
  46. 【請求項46】粒子が所定のサイズを有するものである請求項33記載の方法。
  47. 【請求項47】粒径が実質的に均一である請求項33記載の方法。
  48. 【請求項48】金属−リガンド錯体がジブチル錫ジアセテートである請求項34
    記載の方法。
  49. 【請求項49】更に、処理の間、または後に、金属−リガンド錯体を含有する臨
    界超過流体を基体に適用し、金属または金属酸化物粒子を基体に付着させること
    からなる請求項33記載の方法。
  50. 【請求項50】基体を加熱する請求項49記載の方法。
  51. 【請求項51】請求項33記載の方法により製造された金属および/または金属
    酸化物製品。
  52. 【請求項52】臨界超過流体中に、金属−リガンド錯体または金属−リガンド錯
    体の混合物を形成し、ここで、一または複数の錯体は、少なくとも1種の金属お
    よび少なくとも1種のリガンドからなり;そして、 一または複数の錯体を含有する臨界超過流体を処理することにより臨界超過流体
    中の金属からリガンドを解離し、かつ、金属または金属酸化物粒子を形成するこ
    とを特徴とする複数の金属−リガンド錯体を解離する方法。
  53. 【請求項53】金属−リガンド錯体または金属−リガンド錯体の混合物を含有す
    る臨界超過流体を提供し、ここで、一または複数の錯体は、金属およびリガンド
    からなり;そして、 一または複数の錯体を含有する臨界超過流体を処理することにより臨界超過流体
    中の一または複数の錯体からリガンドを解離し、ここで、処理は、実質的に均一
    な金属または金属酸化物粒子を形成するに有効な時間行うことを特徴とする複数
    の金属−リガンド錯体を解離する方法。
  54. 【請求項54】金属−リガンド錯体が臨界超過流体を処理する工程において不均
    化される請求項53記載の方法。
JP2000509881A 1997-08-20 1997-10-06 金属の解離方法または金属化合物の解離方法 Pending JP2003524699A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US5674997P 1997-08-20 1997-08-20
US60/056,749 1997-08-20
US6214097P 1997-10-03 1997-10-03
US60/062,140 1997-10-03
PCT/US1997/018083 WO1999009223A1 (en) 1997-08-20 1997-10-06 Method for dissociating metals or dissociating metal compounds

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003524699A true JP2003524699A (ja) 2003-08-19

Family

ID=26735668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000509881A Pending JP2003524699A (ja) 1997-08-20 1997-10-06 金属の解離方法または金属化合物の解離方法

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6132491A (ja)
EP (1) EP1019553B1 (ja)
JP (1) JP2003524699A (ja)
KR (1) KR20010023080A (ja)
CN (1) CN1262710A (ja)
AT (1) ATE241707T1 (ja)
AU (1) AU4978797A (ja)
CA (1) CA2297678A1 (ja)
DE (1) DE69722465T2 (ja)
ES (1) ES2202591T3 (ja)
WO (1) WO1999009223A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012144387A (ja) * 2011-01-07 2012-08-02 Denso Corp 成膜方法及び成膜装置

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2153203C2 (ru) * 1998-05-22 2000-07-20 Научно-производственное объединение "Радиевый институт им.В.Г.Хлопина" Способ удаления неорганических, в том числе радиоактивных, загрязнений с поверхностей твердых тел
KR100845541B1 (ko) * 1999-11-02 2008-07-10 유니버시티 오브 매사츄세츠 패턴 기판 및 무패턴 기판 상에 금속 및 금속 합금 필름형성용 화학적 유체 석출
DE10059167A1 (de) * 2000-11-29 2002-06-06 Bsh Bosch Siemens Hausgeraete Backofen
US7087100B2 (en) * 2001-01-31 2006-08-08 General Electric Company Preparation of nanosized copper and copper compounds
US7128840B2 (en) 2002-03-26 2006-10-31 Idaho Research Foundation, Inc. Ultrasound enhanced process for extracting metal species in supercritical fluids
US7390441B2 (en) * 2002-05-23 2008-06-24 Columbian Chemicals Company Sulfonated conducting polymer-grafted carbon material for fuel cell applications
US7195834B2 (en) * 2002-05-23 2007-03-27 Columbian Chemicals Company Metallized conducting polymer-grafted carbon material and method for making
BR0311226A (pt) 2002-05-23 2008-01-29 Columbian Chem material de carbono enxertado com polìmero condutor sulfonado para aplicações em células de combustìvel
US7241334B2 (en) * 2002-05-23 2007-07-10 Columbian Chemicals Company Sulfonated carbonaceous materials
US7459103B2 (en) 2002-05-23 2008-12-02 Columbian Chemicals Company Conducting polymer-grafted carbon material for fuel cell applications
KR20050012748A (ko) * 2002-05-23 2005-02-02 콜롬비안케미컬스컴파니 연료 전지 용도를 위한 전도성 중합체-그라프트된 탄소 물질
US20040118812A1 (en) * 2002-08-09 2004-06-24 Watkins James J. Etch method using supercritical fluids
EP1673802A1 (en) * 2003-10-14 2006-06-28 EKC Technology, INC. REMOVAL OF POST ETCH RESIDUES AND COPPER CONTAMINATION FROM LOW-K DIELECTRICS USING SUPERCRITICAL CO sb 2 /sb WITH DIKETONE ADDITIVES
US20080220244A1 (en) * 2004-01-21 2008-09-11 Chien M Wai Supercritical Fluids in the Formation and Modification of Nanostructures and Nanocomposites
US6948238B2 (en) * 2004-01-26 2005-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for dissociating metals from metal compounds
US6958308B2 (en) * 2004-03-16 2005-10-25 Columbian Chemicals Company Deposition of dispersed metal particles onto substrates using supercritical fluids
FR2871794B1 (fr) * 2004-06-18 2007-07-20 Centre Nat Rech Scient Cnrse Procede de traitement d'effluents aqueux comprenant des sels metalliques de type nitrates ou nitrites
US20080115627A1 (en) * 2004-08-20 2008-05-22 Wang Joanna S Metal Extraction In Liquid Or Supercritical-Fluid Solvents
US20060068987A1 (en) * 2004-09-24 2006-03-30 Srinivas Bollepalli Carbon supported catalyst having reduced water retention
US10526299B2 (en) 2004-12-22 2020-01-07 Chemtor, Lp Fiber conduit reactor with a heat exchange medium inlet and a heat exchange medium outlet
US9168469B2 (en) 2004-12-22 2015-10-27 Chemtor, Lp Method and system for production of a chemical commodity using a fiber conduit reactor
EP1851172B1 (en) 2005-01-18 2014-04-09 Idaho Research Foundation, Inc. Method and system for recovering metal from metal-containing materials
US8178165B2 (en) * 2005-01-21 2012-05-15 The Regents Of The University Of California Method for fabricating a long-range ordered periodic array of nano-features, and articles comprising same
US8241708B2 (en) * 2005-03-09 2012-08-14 Micron Technology, Inc. Formation of insulator oxide films with acid or base catalyzed hydrolysis of alkoxides in supercritical carbon dioxide
US20080038169A1 (en) * 2006-08-09 2008-02-14 International Business Machines Corporation Method for treating heavy metals from an effluent containing chelating agents (edta, cdta, or citrate)
KR101455305B1 (ko) 2006-11-15 2014-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 회수 방법
CA2924459C (en) 2012-09-18 2021-04-06 Chemtor, Lp Use of a fiber conduit contactor for metal and/or metalloid extraction
US20150375302A1 (en) * 2013-02-27 2015-12-31 University Of Calcutta Metal nanoparticles and methods for their preparation and use
US9597775B2 (en) 2013-10-30 2017-03-21 Us Synthetic Corporation Methods of at least partially removing at least one interstitial constituent from a polycrystalline diamond body using a removing agent including a supercritical fluid component
FR3025115B1 (fr) * 2014-09-03 2018-12-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede d'extraction selectif de platinoides, a partir d'un support les contenant, avec un milieu d'extraction comprenant un fluide supercritique et un ligand organique.
US10167202B2 (en) 2016-02-23 2019-01-01 King Abdullah University Of Science And Technology Enhanced metal recovery through oxidation in liquid and/or supercritical carbon dioxide
CN106119571B (zh) * 2016-06-29 2017-12-22 昆明理工大学 一种用二氧化碳气体强化锌氨溶液中锌萃取的方法
US20210140010A1 (en) * 2019-05-21 2021-05-13 Seth G.P. Babcock Devices, methods, and systems for combined ore reduction and metals stripping
CN110950799B (zh) * 2019-12-10 2023-02-24 黑龙江省科学院石油化学研究院 一种10-羟基苯并喹啉及金属离子的回收、纯化方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4970093A (en) * 1990-04-12 1990-11-13 University Of Colorado Foundation Chemical deposition methods using supercritical fluid solutions
FI87895C (fi) * 1990-06-05 1993-03-10 Outokumpu Oy Foerfarande foer framstaellning av metallpulver
US5770085A (en) * 1991-06-12 1998-06-23 Idaho Research Foundation, Inc. Extraction of metals and/or metalloids from acidic media using supercritical fluids and salts
US5730874A (en) * 1991-06-12 1998-03-24 Idaho Research Foundation, Inc. Extraction of metals using supercritical fluid and chelate forming legand
US5356538A (en) * 1991-06-12 1994-10-18 Idaho Research Foundation, Inc. Supercritical fluid extraction
US5639441A (en) * 1992-03-06 1997-06-17 Board Of Regents Of University Of Colorado Methods for fine particle formation
AU7205294A (en) * 1994-06-09 1996-01-04 Idaho Research Foundation Inc., The Fluid extraction of metals and/or metalloids
US5606724A (en) * 1995-11-03 1997-02-25 Idaho Research Foundation, Inc. Extracting metals directly from metal oxides
US5792357A (en) * 1996-07-26 1998-08-11 Idaho Research Foundation, Inc. Method and apparatus for back-extracting metal chelates
US5789027A (en) * 1996-11-12 1998-08-04 University Of Massachusetts Method of chemically depositing material onto a substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012144387A (ja) * 2011-01-07 2012-08-02 Denso Corp 成膜方法及び成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
CA2297678A1 (en) 1999-02-25
US6132491A (en) 2000-10-17
DE69722465T2 (de) 2004-05-06
KR20010023080A (ko) 2001-03-26
WO1999009223A1 (en) 1999-02-25
CN1262710A (zh) 2000-08-09
ATE241707T1 (de) 2003-06-15
EP1019553B1 (en) 2003-05-28
ES2202591T3 (es) 2004-04-01
EP1019553A1 (en) 2000-07-19
AU4978797A (en) 1999-03-08
DE69722465D1 (de) 2003-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003524699A (ja) 金属の解離方法または金属化合物の解離方法
AU2017202621B2 (en) Process for pure carbon production, compositions, and methods thereof
Thurier et al. Platinum OMCVD processes and precursor chemistry
US5885321A (en) Preparation of fine aluminum powders by solution methods
Ye et al. Making nanomaterials in supercritical fluids: a review
JP4162366B2 (ja) Cvd薄膜形成プロセス及びcvd薄膜製造装置
TWI725247B (zh) 高純度五氯化鎢及其製造方法
Hoke et al. Low-temperature vapour deposition of high-purity iridium coatings from cyclooctadiene complexes of iridium. Synthesis of a novel liquid iridium chemical vapour deposition precursor
US20030207552A1 (en) Raw material compounds for use in cvd, and chemical vapor deposition for producing iridium or iridium compound thin films
Shyu et al. Iron sulfide films via Fe2 (CO) 6 (μ-S2) as a MOCVD single source precursor
JPH06104869B2 (ja) 化学的方法
JP3943156B2 (ja) エロゾル分解による酸化第一銅粉体の製造方法
JP4438266B2 (ja) ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム錯体の合成方法、使用済の該錯体の精製方法及び該錯体の再利用方法
CN108373150A (zh) 一种缺陷石墨烯的制备方法
JP2003221215A (ja) カーボンナノチューブの製造方法
JPH02200706A (ja) 金属微粉末の製造法
JPS63270430A (ja) ガリウム含有物の真空熱分解方法
JPH0559413A (ja) 金属の製造法
JPS6256506A (ja) 金属タンタル粉末の製造方法
WO2023107562A1 (en) Low pressure process for synthesis of pt(pf3)4 involving a soluble intermediate and storage of obtained pt(pf3)4
JPH07223811A (ja) 分離回収方法
JP2003342622A (ja) 高濃度金微粒子の製造方法
CN1329957A (zh) 纳米微粉制备方法