JP2003508712A - セラミックシースドエレメントグロープラグ - Google Patents
セラミックシースドエレメントグロープラグInfo
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Classifications
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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Abstract
Description
シースドエレメントグロープラグ(Gluehstiftkerze)に関する。外部設置された
セラミックヒータ付シースドエレメントグロープラグが、ドイツ連邦共和国特許
出願第4028859号公報から公知である。更に、例えば、ドイツ連邦共和国
特許公開第2937884号公報から、金属製シースドエレメントグロープラグ
が公知であり、このプラグでは、金属製グローコイルがサーモエレメントと溶接
されている。ここでは、シースドエレメントグロープラグの作動中、サーモ電圧
の検出により、各シリンダ内の温度が測定される。しかし、セラミック加熱部材
付のシースドエレメントグロープラグ内に、金属製グローコイルは設けられてい
ない。
のシースドエレメントグロープラグが公知であり、この接続要素は、シースドエ
レメントグロープラグとコンタクト要素を介して電気的に接続される。このコン
タクト要素は、図1から分かるように、バネとして構成されている。
ープラグの有する利点は、グローピンの温度が測定可能である点にある。第1に
、セラミックシースドエレメントグロープラグの中に、付加的な装置コストなし
にグローピンの温度を、グローピンの外側の選択領域内で直接測定することがで
きる。温度の測定は、グローピン全体の体積に較べて小さな、選択領域内で行わ
れ、そうすることによって、その大きな体積に亘る温度分布によって生起する誤
差を、温度測定時に小さくすることができる。更に有利には、本発明のシースド
エレメントグロープラグでは、導電層の横断面を変えずに、このグローピンの選
択された領域内に加熱電力を集中することができ、その結果、加熱電力を集中す
る必要がある領域内の表面は一定のままにしておき、従って、交換作用面は一定
のままである。有利には、更に、その種のセラミック温度測定シースドエレメン
トグロープラグの製造をコスト上有利に構成することができる。
記載のセラミックグロープラグの有利な実施例及び改善が可能である。殊に、シ
ースドエレメントグロープラグの種々異なる領域用に使用されるセラミック材料
を適切に選択することによって、ヒータの機械的な安定性に影響が及ぼされない
ようにすることができる。制御装置によって、測定された温度値を処理すること
によって、グローピンの選択された領域内の温度を制御することができる。更に
有利には、本発明のシースドエレメントグロープラグは、加熱関数を充足する受
動作動状態で、温度センサとして利用するとよい。各シリンダ内の燃焼が正常に
行われているかどうか検出することができる。有利には、この情報に基づいて、
燃焼にとって重要なパラメータを制御することができる。
ロープラグが、従来技術に比して有する利点は、比較的大きな線路横断面に基づ
き、コンタクト部材の材料を熱的に破壊せずに、比較的高い電流を伝送すること
ができる。コンタクト部材の大きな表面積により、良好な熱伝導性が可能である
ので、更に有利となる。弾性バネ部材により、種々異なった熱膨張係数に基づい
て、周囲を囲んでいる構成部品の、熱に起因するずれを補償することができる。
シースドエレメントグロープラグの有利な実施及び改善が可能である。その際有
利には、コンタクト部材をグラファイト又は導電セラミック粉末として構成する
とよい。と言うのは、これらの材料は耐食性があるからである。更に有利には、
材料の主要部分だけをグラファイト又は導電セラミック又は金属粉末として設け
ると有利である。と言うのは、近似的に同じ特性で、高価な材料を節約すること
ができるからである。更に有利には、本発明のコンタクト部材を有するシースド
エレメントグロープラグを、後述の形式により形成するとよい。と言うのは、プ
ラグケーシング内にある構成要素を、短絡を阻止するように装置構成することが
できる。更に、構成部品をプレスして、一方では、構成部品が緩まないようにす
ることができ、他方では、弾性要素の過度に大きな対向力によって(例えば、コ
ンタクト部材による)、構成部品が破壊されないようにすることができる。
を示す図、 図4は、本発明のセラミックシースドエレメントグロープラグ内のリード部内に
生起する抵抗を示す図、 図5は、本発明のシースドエレメントグロープラグの長手方向断面図 である。
断面図が略示されている。シースドエレメントグロープラグ1の燃焼室とは反対
側で、丸形プラグ2を介して電気的に接触接続されており、この丸形プラグ2は
、パッキン3を介してプラグケーシング4から切り離されていて、円筒状リード
部5と接続されている。プラグケーシング4内の円筒状リード部5の固定は、金
属製リング7及び電気的に絶縁されたセラミック被覆部8を介して行われる。円
筒状リード部5は、コンタクトピン10及び適切なコンタクト要素12を介して
、セラミックグローピン14と接続されており、その際、円筒状リード部5は、
コンタクトピン10と共に1つの構成部品に統合してもよく、コンタクト要素1
2は、有利には、コンタクトバネ又は導電粉末パッキング又は有利にはグラファ
イト製の弾性バネ成分を有する導電タブレットとして構成されている。グロープ
ラグの内部は、密閉パッキン15を用いて燃焼室に対してシーリングされている
。密閉パッキン15は、導電炭化物−化合物製である。しかし、密閉パッキン1
5は、しかし、金属、炭化物と金属との混合物又はセラミックと金属との混合物
から形成することができる。グローピン14は、セラミック加熱層18とセラミ
ックリード部層20及び21とから形成されており、その際、両リード層20,
21は、加熱層18によって接続されていて、加熱層18と共に導電層を形成し
ている。リード部層20,21は、任意の形状を有しており、加熱層18も任意
の形状を有している。有利には、導電層は、U字形に構成されている。リード部
層20及び21は、同様にセラミック金属製の絶縁層22を介して切り離されて
いる。図1に示されている実施例では、グローピン14は、リード層20及び2
1並びに加熱層18が外側でグローピン14に設けられているように構成されて
いる。しかし、少なくともリード層20及び21を、グローピン内部に位置して
いて、更に外側からセラミック絶縁層によって被覆されている。プラグケーシン
グ内に、セラミックグローピンが、図示していないガラス層によって、シースド
エレメントグロープラグ4,8,12,15の残りの構成部品から絶縁されてい
る。コンタクト要素12とリード部層20との間の電気的な接触接続のために、
ガラス層が位置24で中断されている。このガラス層は、同様に、リード部層2
1とプラグケーシング4との間の密閉パッキン15を介しての電気的接触接続の
ために、位置26で同様に中断されている。この実施例では、有利な実施例とし
て、加熱層18がグローピンの先端に配置されている。しかし、この加熱層を導
電層の他の個所に配置してもよい。加熱層18は、最も大きな加熱作用が達成さ
れる位置に設ける必要がある。
ように、グローピンの先端に加熱層18が設けられている実施例が示されている
。更に、リード部層20,21及び絶縁層22が示されている。この側面図には
、リード部層20及び21及び加熱層18からなる導電層が、U字形形状を有し
ている実施例が示されている。
クティブ作動状態と呼ばれ、その際、この加熱は、内燃機関のスタート時、グロ
ー後期間(有利には3分以上に亘る)、並びに、内燃機関の作動中、燃焼室の温
度が強く低下し過ぎた場合に、中間グロー期間中行われる。
対的な電気抵抗がリード部層20,21の絶対的な電気抵抗よりも大きいように
選択される。(以下、「抵抗」という名称で、形容詞を付けなくても、絶対的な
電気抵抗のことを示すものとする。)各導電層間の横軸電流を回避するために、
絶縁層の抵抗が、加熱層18及びリード部層20,21の抵抗よりも明らかに大
きいように選定されている。
が略示されている。この装置は、先ずエンジン制御装置30であり、この装置は
、コンピュータ及びメモリユニットを有している。エンジン制御装置30には、
シースドエレメントグロープラグのエンジン依存パラメータが記憶されている。
これは、例えば、エンジンの負荷及び回転数に依存する抵抗−温度特性領域にす
るとよい。エンジン制御装置のメモリは、1つ又は複数の温度基準値を正確な燃
焼用に有している。エンジン制御装置は、燃焼に作用するパラメータ、燃料噴射
時間、燃料噴射開始時間及び燃料噴射終了時間を制御することができる。この制
御装置32は、エンジン制御装置によって設定された電圧を調整する。この電圧
は、シースドエレメントグロープラグ用に使用される全電圧を示す。制御装置3
2は、更に、電流測定装置を有しており、この電流測定装置により、グローピン
を流れる電流強度が測定される。更に、制御装置32は、メモリ及びコンピュー
タユニットを有している。エンジン制御装置30及び制御装置32は、装置内に
統合してもよい。
いる。値R20を有する、この抵抗41は、セラミックリード部層20の抵抗で
ある。値R1の抵抗43は、加熱層の抵抗を有する。値R21の抵抗45は、セ
ラミックリード部層21の抵抗を有している。この抵抗に、更に、それ以外のリ
ード及び帰路が付加されるが、しかし、全て、抵抗R20及びR21に較べて小
さいので考慮しない。この抵抗は、図4に示していない。抵抗41,43及び4
5は、直列接続されている。図4を用いて行う考察のために、場合によっては生
起する横軸電流は無視する必要がある。従って、全抵抗Rは、抵抗R20,R1
及びR21の和から得られる。その際、抵抗R1は、最も大きな被加数を形成す
る。
所望の温度を用いて、制御装置32によって制御される実効電圧が設定される。
抵抗41,43及び45の温度依存性に基づいて、シースドエレメントグロープ
ラグを流れる電流I、つまり、抵抗Rを流れる電流Iが調整され、この電流は、
制御装置32で測定される。その際、全抵抗R=R20+R1+R21の温度依
存性は、主として、抵抗R1の温度依存性から形成される。と言うのは、この抵
抗は、最も大きな値を有しているからである。抵抗R20,R1及びR21の温
度依存性は、シースドエレメントグロープラグの全作動領域に亘って、室温と約
1400℃の温度との間でほぼ一定である。燃焼室の温度は、シースドエレメン
トグロープラグの作動領域内である。
て温度に換算され、この温度は、抵抗R20及びR21に較べて明らかに高い抵
抗R1に基づいて、主として加熱層18の温度から得られる。この温度は、エン
ジン制御装置30にフィードバックされ、その際、検出された温度に基づいて、
シースドエレメントグロープラグ用の実効電圧が設定される。
上に送出することもできる。更に、検出された温度を用いて、例えば、1つ又は
複数の、エンジン制御装置30内に記憶された基準温度を考慮して、燃焼の質に
ついてシリンダ固有に推定することができる。正確でない燃焼の場合、制御装置
によって、燃焼過程を制御して、再度正確な燃焼を行うように、シリンダ固有に
対策を講じることができる。その際、例えば、燃料噴射時間、燃料噴射開始時間
又は燃料噴射圧を変えることができる。
、事後グロー時間後、シースドエレメントグロープラグが最早能動作動状態でな
い場合、燃焼室の温度が測定される。ここでは、相応の比較的低い実効電圧が設
定され、能動作動状態と同様にして、抵抗Rを介して調整される電流Iが測定さ
れ、それから、燃焼室の温度に相応する加熱領域の温度が推定される。能動作動
状態の場合と同様に、燃焼室の温度が、エンジン制御装置内に記憶された、正確
な燃焼用の1つ又は複数の基準値と比較される。燃焼室の温度が正確な燃焼に相
応しない場合、シースドエレメントグロープラグの能動作動状態で説明したのと
同様に、再度正確な燃焼となるように、例えば、燃料噴射時間、燃料噴射開始時
間及び燃料噴射圧を変える手段が作動される。
長さ、Aは、横断面積を示す。その際、温度依存性は、 ρ(T)=ρ0(T0)*(1+α(T)*(T−T0)) から得られる。
特定の抵抗を示し、α(T)は、温度依存の温度係数を示す。
達成するために、加熱層18の特定の抵抗を、加熱層のρ0が、リード部層のρ 0 よりも大きいように選定するとよい。しかし、加熱層18の温度係数αを、シ
ースドエレメントグロープラグの作動領域内で、リード部層20,21の温度係
数αよりも大きくするとよい。ρ0も、加熱層18用のαも、シースドエレメン
トグロープラグの作動領域で、リード部層20,21用よりも大きく選定すると
よい。
20,21のρ0が、加熱層18のρ0よりも少なくとも10倍小さいように選
定されている。加熱層18及びリード部層20,21の温度係数αは、ほぼ等し
い。従って、シースドエレメントグロープラグの全作動領域内で20ケルビンの
温度測定の精度が達成される。
22の特定の抵抗は、加熱層18の特定の抵抗よりも少なくとも10倍大きい。
oSi2,Si3N4及びY2O3の少なくとも2つを含むセラミック結合組織
製である。この結合組織は、1段又は複数段の焼結処理によって得られる。その
際、層の特殊な抵抗は、有利には、MoSi2含有量及び/又はMoSi2の粒
子量によって特定され、有利には、リード部層20,21のMoSi2含有量は
、加熱層18のMoSi2含有量よりも高く、その際、加熱層18は、絶縁層2
2よりも高いMoSi2含有量を有している。
剤に種々異なる成分を有する複合−プレカーサー(前駆物質)−セラミック製で
ある。その際、この材料のマトリックス(媒質)は、ポリシロキサン、ポリシル
セキオキサン、ポリシラン又はポリシラザンからなり、ホウ素又はアルミニウム
でドーピングすることができ、熱分解によって形成される。充填物質を、個別層
毎に、化合物Al2O3、MoSi2及びSiCの少なくとも1つが形成する。
上述の結合組織と同様に、有利には、MoSi2含有量及び/又はMoSi2の
粒子量が、層の特有の抵抗を決める。有利には、リード部層20,21のMoS
i2含有量は、加熱層18のMoSi2含有量よりも大きく調整されており、そ
の際、加熱層18は、絶縁層22よりも高いMoSi2含有量を有している。
解処理の間生起する個別リード部層、加熱層、絶縁層の収縮が等しいように選定
され、その結果、グローピンにひび割れが形成されない。
プラグ1の長手方向断面略図を用いて図示されている。その際、図1〜図4で使
用した同じ参照番号は、同じ構成部品を示し、ここでは更にもう一度説明しない
。図1と同様に、図5に示されたシースドエレメントグロープラグは、丸形プラ
グ2を有しており、この丸形プラグは、円筒状リード部5と電気的に接触接続さ
れている。円筒状リード部5は、コンタクトピン10及びコンタクト要素12を
介してセラミックグローピン14と電気的に接続されている。円筒状リード部5
、コンタクトピン10、コンタクト要素12及びセラミックグローピン14は、
順次連続して、この列順序で(図5に示されているように)、燃焼室の方向に設
けられている。セラミックグローピン14は、図5に示された有利な実施例では
、燃焼室とは反対側の端にピン11を有している。このピン11を、グローピン
14の、燃焼室とは反対側の端の方向への延長部が、セラミックリード部層20
,21及び絶縁層22を円筒状に引き出すことによって形成し、その際、ピン1
1は、燃焼室の方向で続く、グローピン14の部分よりも小さなバンド部13の
外径を有している。更に、グローピン14が燃焼室側の端で加熱層18を有して
いるようにする必要はない。有利な実施例では、両リード部層20及び21は、
単にグローピンの、単に燃焼室側の端に、加熱要素18を介して接続されるよう
にして接続される。
子要素を一緒に形成する。接続端子要素の燃焼室側の端には、フランジが設けら
れており、このフランジは、ピン11と一緒にシースドエレメントグロープラグ
の軸の方向にコンタクト要素12を限定している。
イト又は金属粉末又は導電セラミック粉末として形成されている。別の有利な実
施例では、タブレットは、少なくとも、グラファイト又は金属粉末又は導電セラ
ミック粉末製の主成分から形成されている。導電粉末としてコンタクト要素12
を形成することにより、コンタクト要素12を弾性接触接続するようにでき、そ
れにより、熱的に破壊せずに高い電流が流れるようにすることができる。粉末の
大きな表面積により、熱伝導性が良好となる。同じ理由から、伝導性が良好な場
合に接触接続抵抗を小さくすることができる。グラファイト及びセラミック導電
材料は、更に耐食性である。導電粉末製タブレットの弾性バネ成分により、種々
異なった熱膨張係数による構成部品の熱的な移動をタブレットが補償することが
できるようになる。
おり、このスパン被覆部は、ここでは、図1に示されているセラミック被覆部8
の代わりに、自立的な構成部品として設けられている。スパン被覆部9は、セラ
ミック被覆部8と同様に、絶縁構成部品として設けられており、有利な実施例で
は、セラミック材料製である。シースドエレメントグロープラグの製造の際、導
電粉末製のタブレットは、燃焼室とは反対側の端面の接続端子部材のフランジ、
燃焼室側の端面のグローピン14のピン11、及び、スパン被覆部9間に固定し
て圧入されている。これら固定の各構成部品間のクランプ(Einspannu
ng)、殊に、スパン被覆部9の、セラミック被覆部8への固定ストッパ、即ち
、限定されたプレス高さは、取り囲んでいるスパン被覆部9が、コンタクト要素
12のプレス力に基づく過度に大きな内部圧力形成によって裂けないようにされ
る。導電粉末製のタブレットのクランプによって達成される弾性バネ成分の軸方
向の予緊張力により、シースドエレメントグロープラグの振動負荷時の熱膨張、
座り特性及び振動応力を補償することができるようになる。
レメントグロープラグは、以下のようにして製造される。先ず、セラミックグロ
ーピン14の燃焼室側の尖頭部の密閉パッキン15は、セラミックグローピン1
4を介して案内されていて、結合部として、プラグケーシング4内に燃焼室とは
反対側の端から挿入される。続いて、コンタクト要素12,スパン被覆部9、接
続端子要素5,10、セラミック被覆部8及び金属製リング7は、保持要素内に
設けられており、その後、場合によって、燃焼室とは反対側の端からプラグケー
シング4内に挿入される。それから、金属製リング7の、燃焼室とは反対側の端
に作用する軸方向の力(プラグケーシング内の構成部品をプレスする)を用いて
、殊に、導電粉末製のコンタクト要素12及び密閉パッキン15がプレスされる
。その際、コンタクト要素12には、接続端子要素5,10のコンタクトピン1
0が完全にスパン被覆部9内に圧入して、セラミック被覆部8の端面がスパン被
覆部9の端面上に載置される迄力が加えられる。導電粉末製のタブレットを圧入
することにより、更に、タブレットの弾性バネ成分が予緊張される。続いて、半
径方向外側にプラグケーシング4に加わる力を用いて、金属リング7がかしめら
れる。その後、パッキン3及び丸形プラグ2が取り付けられ、同様に、半径方向
外側からプラグケーシング4に加わる力を用いてかしめられる。
図。
る抵抗を示す図。
Claims (13)
- 【請求項1】 導電性セラミック導体層並びに電気絶縁性セラミック絶縁層
を有するセラミック加熱装置を有するシースドエレメントグロープラグにおいて
、 導体層は、加熱層(18)と接続されたリード部層(20,21)から形成され
ており、その際、前記加熱層(18)の材料の特定の電気抵抗は、シースドエレ
メントグロープラグの作動の温度領域内で温度に依存しており、前記リード部層
(20,21)の材料の特定の電気抵抗よりも大きく、並びに、絶縁層(22)
の特定の電気抵抗よりも小さい ことを特徴とするシースドエレメントグロープラグ。 - 【請求項2】 加熱層(18)の特定の電気抵抗は、室温で、リード部層(
20,21)の室温での特定の電気抵抗よりも大きい請求項1記載のシースドエ
レメントグロープラグ。 - 【請求項3】 シースドエレメントグロープラグの全作動領域に亘って、リ
ード部層(20,21)の温度係数は、加熱層(18)の温度係数よりも小さい
請求項1記載のシースドエレメントグロープラグ。 - 【請求項4】 室温での特定の電気抵抗及びリード部層(20,21)の温
度係数は、加熱部材(18)の室温での特定の電気抵抗及び温度係数よりも小さ
い請求項1記載のシースドエレメントグロープラグ。 - 【請求項5】 室温での加熱層の材料の特定の電気抵抗は、室温でのリード
部層(20,21)の特定の電気抵抗の比較的大きな抵抗よりも少なくとも10
倍大きい請求項1記載のシースドエレメントグロープラグ。 - 【請求項6】 加熱層は、グローピンの尖頭部に設けられている請求項1か
ら5迄の何れか1記載のシースドエレメントグロープラグ。 - 【請求項7】 加熱層(18)、リード部層(20,21)、及び、絶縁層
(22)は、セラミック結合組織から形成されており、該セラミック結合組織は
、化合物Al2O3,MoSi2,Si3N4及びY2O3の少なくとも2つか
ら得られる請求項1から6迄の何れか1記載のシースドエレメントグロープラグ
。 - 【請求項8】 加熱層(18)、リード部層(20,21)、及び、絶縁層
(22)は、複合−プレカーサー(前駆物質)−セラミック製であり、その際、
マトリックス材料は、ポリシロキサン、ポリシルセキオキサン(Polysilsequiox
anen)、ポリシラン又はポリシラザン(Polysilazanen)を含み、ホウ素又はア
ルミニウムでドーピングすることができ、熱分解によって形成され、その際、充
填剤は、化合物Al2O3,MoSi2,SiCの少なくとも1つから成る請求
項1から6迄の何れか1記載のシースドエレメントグロープラグ。 - 【請求項9】 加熱層(18)の温度は、当該加熱層(18)の抵抗R1を
用いて測定される請求項1から8迄の何れか1記載のシースドエレメントグロー
プラグ。 - 【請求項10】 求められた温度値は、エンジン制御装置(30)に更に送
出され、該エンジン制御装置(30)は、前記温度値を基準値と比較し、制御装
置(32)によってシースドエレメントグロープラグ用の電圧を再調整する請求
項9記載のシースドエレメントグロープラグ。 - 【請求項11】 求められた温度値は、エンジン制御装置(30)に更に送
出され、該エンジン制御装置(30)は、前記温度値を正確な燃焼用の1つ又は
複数の基準値と比較し、燃焼にとって重要な量を再調整する請求項9記載のシー
スドエレメントグロープラグ。 - 【請求項12】 温度測定し、正確な燃焼用の1つ又は複数の基準値と比較
して、シースドエレメントグロープラグの受動作動中燃焼にとって重要な量を再
調整する請求項9記載のシースドエレメントグロープラグ。 - 【請求項13】 燃焼にとって重要なパラメータは、燃料噴射期間、燃料噴
射開始時点及び燃料噴射圧である請求項11又は12記載のシースドエレメント
グロープラグ。
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