JP2001330248A - セラミックヒータ又はグロープラグの特性測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セラミックヒータを通電加熱しつつその絶縁
抵抗を測定するセラミックヒータ又はグロープラグの特
性測定方法を提供すること。 【解決手段】 予め、セラミックヒータ２の先端部２Ａ
を導電性の金属膜で被覆する。セラミックヒータ２の両
端子部６Ａ，７Ａ間に、電流計２１、スイッチ２２を介
して定電圧電源２３を接続する。定電圧電源２３から電
流を流してセラミックヒータ２を加熱しながら、先端部
２Ａを含む領域を見込むようにセットした赤外線放射温
度計２４によって、先端部２Ａのうち表面温度Ｔｓが最
も高くなる部分の温度を測定し、温度変換器２５に表示
する。また同様に、セラミックヒータ２の先端部２Ａに
接触された絶縁抵抗計２６の一方の端子であるプローブ
２７の先端部２７Ａと、セラミックヒータ２の端子部７
Ａに接続された他方の端子との間の基体抵抗値Ｒｉを測
定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、燃料の着火・燃焼
を促進し、また、燃料燃焼時に発生するイオンを検出す
るように制御されるグロープラグ、又は、グロープラグ
に用いられるセラミックヒータの特性を測定する特性測
定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、燃費向上のため、熱効率の良いデ
ィーゼルエンジンの乗用車への搭載が増加しており、ユ
ーザから、より一層の燃費向上の他、ガソリンエンジン
に比して劣っていた振動や騒音、始動性などの改善が求
められている。一方、環境保護の観点から排出ガスのク
リーン化も求められている。これらの要求に対応するた
め、エンジンにおける燃料噴射のタイミングや噴射量を
制御すべく、燃料燃焼時に発生するイオンを検知し、こ
の結果を用いたフィードバック制御が提案されている。
なお、イオンの検出は、具体的には、グロープラグとエ
ンジンの燃焼室内壁との間に電圧を印加し、イオンの存
在によって流れるイオン電流を検出する方法が提案され
ている。

【０００３】ところで、グロープラグにはエンジンの燃
焼室内に露出する露出部にセラミックヒータが用いられ
ているものがある。セラミックヒータが用いられたグロ
ープラグで上記の方法を使用してイオン電流を検出する
ためには、発熱体を覆っているセラミック基体部分にあ
る程度の導電性が必要であり、そのために例えば、発熱
体に通電することによって発生した熱によって窒化珪素
の温度を上昇させ、絶縁抵抗を低下させることが行われ
る。そして、この状態でグロープラグとエンジンの燃焼
室内壁との間に電圧を印加すると、このセラミック基体
とエンジン燃焼室内のイオンを介して、イオン電流を検
出することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなセラミック基体の絶縁抵抗値は、発熱体とセラミ
ック基体との熱膨張係数を合わせるために添加した導電
セラミックの素材や添加量によって異なり、また、セラ
ミック基体の温度によって変化する。イオン電流を的確
に検出するためには、イオン電流測定の為の回路の特性
を適正にする必要がある。このためには、グロープラグ
あるいはセラミックヒータの温度と絶縁抵抗値との関係
が既知であることが好ましい。そこで、セラミックヒー
タに通電して加熱しつつ、各温度におけるセラミック基
体の絶縁抵抗を測定する必要があった。

【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、セラミックヒータを通電加熱しつつその
絶縁抵抗を測定するセラミックヒータ又はグロープラグ
の特性測定方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】しかして
その解決手段は、グロープラグに用いられ、通電により
発熱する通電発熱体がセラミック基体で覆われているセ
ラミックヒータの特性測定方法であって、上記セラミッ
クヒータの表面に絶縁抵抗計の一方の端子であるプロー
ブを当接させた状態で、上記通電発熱体へ通電して上記
セラミックヒータを加熱する加熱ステップと、上記プロ
ーブと絶縁抵抗計の他方の端子に接続する通電発熱体と
の間でセラミック基体の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測
定ステップと、上記セラミックヒータの表面温度を測定
する表面温度測定ステップと、を備えるセラミックヒー
タの特性測定方法である。

【０００７】本発明のセラミックヒータの特性測定方法
によれば、加熱ステップでセラミックヒータを加熱しな
がら、絶縁抵抗測定ステップでセラミックヒータの表面
と通電発熱体との間の絶縁抵抗を測定する。さらに、表
面温度測定ステップでセラミックヒータの表面温度を測
定する。セラミック基体の絶縁抵抗に比べて通電発熱体
の抵抗は無視できるので、絶縁抵抗測定ステップではセ
ラミック基体の絶縁抵抗値が測定される。従って、セラ
ミックヒータの温度を変化させながら、セラミック基体
の絶縁抵抗とセラミックヒータの表面温度を測定でき
る。

【０００８】さらに、セラミックヒータの特性測定方法
であって、前記セラミックヒータの表面のうち、少なく
とも前記プローブの当接部分に金属膜を有するセラミッ
クヒータの特性測定方法とすると良い。

【０００９】セラミックヒータの表面に絶縁抵抗計のプ
ローブを当接させるに際し、両者が密着できるとは限ら
ない。そのため、ヒータ表面へのプローブの当接のさせ
方によっては、接触面積が小さくなって正確な絶縁抵抗
値が測定できなくなる等、測定にばらつきが生じるおそ
れがある。これに対し、本発明のセラミックヒータの特
性測定方法では、少なくともプローブの当接部分のセラ
ミックヒータ表面に金属膜を有するので、金属膜の良好
な導電性により接触面積が小さくても絶縁抵抗測定のた
めの微小電流をプローブへ確実に流すことができる。プ
ローブが金属膜と接触していれば、プローブの当接のさ
せ方に影響されることなく絶縁抵抗を測定できるので、
測定が容易でばらつきの少ない測定が可能となる。

【００１０】また、他の解決手段は、通電により発熱す
る通電発熱体がセラミック基体で覆われているセラミッ
クヒータを有するグロープラグの特性測定方法であっ
て、上記セラミックヒータの表面に絶縁抵抗計の一方の
端子であるプローブを当接させた状態で、上記通電発熱
体へ通電して上記セラミックヒータを加熱する加熱ステ
ップと、上記プローブと絶縁抵抗計の他方の端子に接続
する通電発熱体との間でセラミック基体の絶縁抵抗を測
定する絶縁抵抗測定ステップと、上記セラミックヒータ
の表面温度を測定する表面温度測定ステップと、を備え
るグロープラグの特性測定方法である。

【００１１】セラミックヒータがグロープラグに組み込
まれた状態でも、エンジンの燃焼室内に露出するための
露出部分を有する。そこで、この露出部分に絶縁抵抗計
のプローブを当接させることで、グロープラグについて
も同様に絶縁抵抗値を測定することができる。即ち、こ
のグロープラグの特性測定方法によれば、加熱ステップ
でセラミックヒータを加熱しながら、絶縁抵抗測定ステ
ップでセラミックヒータの表面と通電発熱体との間の絶
縁抵抗を測定する。さらに、表面温度測定ステップでセ
ラミックヒータの表面温度を測定する。セラミック基体
の絶縁抵抗に比べて通電発熱体及びグロープラグの導電
路の抵抗は無視できるので、絶縁抵抗測定ステップでは
セラミック基体の絶縁抵抗値が測定される。従って、セ
ラミックヒータの温度を変化させながら、セラミック基
体の絶縁抵抗とセラミックヒータの表面温度を測定でき
る。

【００１２】さらに、グロープラグの特性測定方法であ
って、前記セラミックヒータの表面のうち、少なくとも
前記プローブの当接部分に金属膜を有するグロープラグ
の特性測定方法とすると良い。

【００１３】セラミックヒータの表面に絶縁抵抗計のプ
ローブを当接させるに際し、両者の表面が滑らかで密着
できるとは限らない。そのため、ヒータ表面へのプロー
ブの当接のさせ方によっては、接触面積が小さくなって
正確な絶縁抵抗値が測定できなくなる等、測定にばらつ
きが生じるおそれがある。これに対し、本発明のグロー
プラグの特性測定方法では、少なくともプローブの当接
部分のセラミックヒータ表面に金属膜を有するので、金
属膜の良好な導電性により接触面積が小さくても絶縁抵
抗測定のための微小電流をプローブへ確実に流すことが
できる。プローブが金属膜と接触していれば、プローブ
の当接させ方に影響されることなく絶縁抵抗を測定でき
るので、測定が容易でばらつきの少ない測定が可能とな
る。なお、金属膜とグロープラグのハウジングとの絶縁
のため、グロープラグの外筒の先端と金属膜との間に隙
間を設けるようにするのが好ましい。具体的には、５０
０〜１０００Ｖ程度で絶縁抵抗を測定することを考慮
し、１ｍｍ以上、好ましくは１．５ｍｍ以上の隙間とす
るのが好ましい。さらに好ましくは、２ｍｍ程度の隙間
とすると良い。

【００１４】さらに、上記のセラミックヒータ又はグロ
ープラグの特性測定方法では、プローブの少なくとも先
端部が鉄で形成されているセラミックヒータの特性測定
方法とするのが好ましい。

【００１５】絶縁抵抗測定のためにプローブの先端部を
セラミックヒータに当接させると、セラミックヒータの
熱がプローブに伝導される。セラミックヒータの熱がプ
ローブに逃げることは、プローブの当接によりセラミッ
クヒータ自身の温度が変化することになり好ましくな
い。これに対し、プローブの先端部を例えば鉄のような
電気伝導は良好であるが熱伝導は良好でない材質で形成
すると、プローブを介しての熱の逃げが少なくなるので
より正確な測定ができる。

【００１６】さらに、上記のセラミックヒータ又はグロ
ープラグの特性測定方法では、プローブの先端部はセラ
ミックヒータの径の１／１０〜１／１００の細径棒状で
あるセラミックヒータの特性測定方法とするのが好まし
い。

【００１７】プローブの先端部からの伝導による熱放散
はその接触面積にも関係する。プローブ先端部の径がセ
ラミックヒータの径に対し１／１０を越えるとその熱伝
導が無視できなくなり、セラミックヒータの温度の正確
な測定が難しくなる。また、１／１００より細くなる
と、プローブの強度が小さく取り扱いが難しくなるので
絶縁抵抗値の正確な測定が難しくなる。従って、１／１
０〜１／１００とすることで、熱放散を防ぎつつ、容易
に取り扱って測定できる。

【００１８】さらに上記のセラミックヒータ又はグロー
プラグの特性測定方法では、前記表面温度測定ステップ
は赤外線放射温度計で前記セラミックヒータの表面温度
を測定するセラミックヒータの特性測定方法とするのが
好ましい。

【００１９】赤外線放射温度計は非接触であるので、絶
縁抵抗と同時に測定しても表面温度や絶縁抵抗値の測定
結果に悪影響を及ぼさない。また、温度測定の為にセラ
ミックヒータやグロープラグに加工を施す必要もなく容
易に測定できる。また、比較的広い範囲を視野に入れる
ことが可能なものでは、セラミックヒータ全体、あるい
はグロープラグの露出部全体を視野内に捉えて、その内
の最も高温である箇所の温度を測定することができる。
また、最も高温である部分の裏側に絶縁抵抗計のプロー
ブを当てることにより、測定した表面温度とその温度に
おける絶縁抵抗値との関係をより的確に測定できる。つ
まり、前記プローブの当接部分は、前記セラミックヒー
タの表面温度が最も高くなる部分とすることが好まし
い。最も表面温度の高くなる部分は限られた場所になる
ので、測定毎の測定場所によるバラツキを小さくするこ
とができるからである。特に具体的には、Ｕ字状の前記
通電発熱体の内側先端部分に対応する表面を選択すると
良い。この部分が最も高温になるからである。

【００２０】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明のセラミッ
クヒータの特性測定方法の実施の形態について、図面を
参照しつつ説明する。図１に示すセラミックヒータ２
は、略Ｕ字状のセラミック発熱体（通電発熱体）４と、
これを覆うセラミック基体５、及びタングステンからな
る２つのリード６，７とを有する。セラミック発熱体４
の一方の端部４Ａは、リード６を経由してセラミックヒ
ータ２の後端（図中上端）に導かれ、端子部６Ａがセラ
ミックヒータ２の外面に露出している。一方、セラミッ
ク発熱体４の他方の端部４Ｂは、リード７を経由してセ
ラミックヒータ２の中央部外周に導かれ、端子部７Ａが
セラミックヒータ２の外面に露出している。

【００２１】また、セラミック基体５は、窒化珪素を主
体とし、導電セラミックである炭化チタンを若干添加し
たセラミックからなる。このセラミック基体５は、常温
では絶縁体であるが、温度が上がるにつれて抵抗が下が
り、導電性を示す。窒化珪素は温度の上昇と共に、徐々
に絶縁抵抗が低下するものであるが、このセラミック基
体５のように、窒化珪素にさらに導電性セラミックを添
加すると、その基体抵抗値（絶縁抵抗値）Ｒｉは窒化珪
素のものよりさらに低抵抗側にスライドした変化を示す
ようになる。また、セラミック発熱体４は、セラミック
基体５に用いたセラミック材とタングステンカーバイト
（ＷＣ）とからなる導電性のセラミックである。

【００２２】このセラミックヒータ２の先端部（図中下
部）２Ａの表面温度Ｔｓと、セラミック発熱体４と先端
部２Ａ表面間の基体抵抗値Ｒｉとの関係を測定する方法
を説明する。まず予め、先端部２Ａを導電性の金属膜９
で被覆する。具体的には、厚さ１μｍ程度の金層または
銀層を蒸着によって形成する。セラミック発熱体４と先
端部２Ａ表面間の基体抵抗値Ｒｉを安定して測定できる
ようにするためである。なお、セラミック発熱体４を発
熱させたとき、表面のうち最も高温となるのはＵ字状の
セラミック発熱体４のうち内側先端部４Ｃに対応した部
分であるので、この部分を含むように金属膜９を形成し
ておく。次いで、図２に示すように、セラミックヒータ
２の端子部６Ａと７Ａの間に、電流計２１、スイッチ２
２を介して定電圧電源２３を接続する。これにより定電
圧電源２３からＶｇ＝１２Ｖの一定電圧が給電され、セ
ラミック発熱体４が発熱して先端部２Ａの温度が昇温す
る。なお、定電圧電源２３としては、ＫＩＫＵＳＵＩ
製、ＰＶＳ２０−１３０を用いた。

【００２３】一方、先端部２Ａの表面温度Ｔｓを知るた
め、先端部２Ａを含む領域を見込むようにセットした赤
外線放射温度計２４によって、先端部２Ａのうち表面温
度Ｔｓが最も高くなる部分の温度を測定する。この表面
温度Ｔｓは、温度変換器２５によって表示される。な
お、赤外線放射温度計２４には、日本アビオニクス製、
ＴＶＳ−１００を用いた。

【００２４】さらに、絶縁抵抗計２６の一方の端子であ
るプローブ２７の先端部２７Ａをセラミックヒータ２の
先端部２Ａに接触させ、他方の端子を端子部７Ａ（又は
端子部６Ａ）に接触させて、両端子間の絶縁抵抗値を測
定することで基体抵抗値Ｒｉを測定する。この時、上記
のように測定された表面温度Ｔｓが最も高い部分の裏側
（セラミックヒータ２の中心軸を中心として対称となる
位置）に先端部２７Ａを接触させるようにする。つま
り、プローブ２７とは逆側からセラミックヒータ２を見
込むように赤外線放射温度計２４の視野をセットする。
これは、表面温度Ｔｓの分布はほぼ軸のまわりに対称で
あることと、プローブ２７が赤外線放射温度計２４の視
野内に入らないようにするためである。なお、表面温度
Ｔｓが最も高い部分は、前記したようにセラミック発熱
体４の内側先端部４Ｃに対応した部分である。

【００２５】こうして、絶縁抵抗計２６により、セラミ
ック発熱体４とセラミック基体５の表面との間の基体抵
抗値Ｒｉが測定できる。上記したように、先端部２Ａに
は、金層などの金属膜９が形成されているので、プロー
ブ２７の接触状態に影響されることなく安定して基体抵
抗値Ｒｉを測定することができる。なお、プローブ２７
の先端部２７Ａは、先端部２Ａの熱を逃がし難くするた
め、直径０．１ｍｍの円柱状に形成した鉄製の部材を用
いている。また、絶縁抵抗計２６には、ＡＤＶＡＮＴＥ
ＳＴ製、Ｒ８３４０（ＵＬＴＲＡ ＨＩＧＨ ＲＥＳＩ
ＳＴＡＮＣＥＭＥＴＥＲ）を用いた。

【００２６】この構成で、定電圧電源２３によってセラ
ミック発熱体４に電流を流してセラミックヒータ２を加
熱しながら、先端部２Ａの表面温度Ｔｓと基体抵抗値Ｒ
ｉを同時に測定する。これにより、先端部２Ａの表面温
度Ｔｓの変化につれてセラミック発熱体４とセラミック
基体５の表面との間の基体抵抗値Ｒｉが変化する関係を
知ることができる。

【００２７】ここで、セラミックヒータ２に用いられて
いるセラミック基体５の組成を変更したものを複数種類
製作して、その特性を測定した例を示す。まずその組成
を表１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】これらの組成のセラミック基体５を用いた
セラミックヒータ２について、上記測定を行った結果を
図３に示す。このグラフから容易に理解できるように、
いずれの組成においても、先端部２Ａの表面温度Ｔｓが
高くなるにつれて、基体抵抗値Ｒｉが低下することが判
る。しかも、ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＷＣ，ＭｏＳｉ２，Ｓｉ
Ｃなどの導電セラミックの添加量が多いほど基体抵抗値
Ｒｉが低い側にスライドするようにして低くなることが
判る。

【００３０】本実施形態のセラミックヒータ２の特性測
定方法では、定電圧電源２３でセラミックヒータ２のセ
ラミック発熱体４に通電し加熱しながら、赤外線放射温
度計２４で表面温度Ｔｓを、絶縁抵抗計２６で基体抵抗
値Ｒｉをそれぞれ同時に測定できる。従って、表面温度
Ｔｓの上昇につれて変化する基体抵抗値Ｒｉの様子をグ
ラフ化して、セラミックヒータ２の特性として得ること
ができる。こうしてセラミックヒータ２の特性を測定し
ておくことで、このセラミックヒータ２をグロープラグ
に用いた場合の、イオン電流測定の為の回路の特性を適
正に選択することができる。

【００３１】（実施形態２）次いで、本発明の第２の実
施形態について説明する。上記実施形態１では、セラミ
ックヒータ２単体の表面温度Ｔｓと基体抵抗値Ｒｉを測
定した。これに対し、本実施形態２では、組み立てられ
たグロープラグ１０を用いる点で異なるのみで、定電圧
電源２３、赤外線放射温度計２４、及び絶縁抵抗計２６
等は同様な構成であるので、異なる部分について説明し
同様な部分については説明を省略あるいは簡略化する。

【００３２】本実施形態２にかかるグロープラグ１０
を、図４に示す。グロープラグ１０は、金属製で筒状の
ハウジング１とセラミックヒータ２を有する。セラミッ
クヒータ２は、実施形態１で使用したものと同様の構造
であり、その先端部（図中下部）２Ａを外部に露出させ
るようにして、金属製の外筒３にロウ付けされ、さらに
この外筒３はハウジング１にロウ付けにより固着されて
いる。

【００３３】セラミック発熱体４の一方の端部４Ａは、
リード６を経由してセラミックヒータ２の後端（図中上
端）に導かれ、端子部６Ａとコイルバネ状のコイルリー
ド８を介して、中軸１１に接続している。この中軸１１
の先端（図中上端）には、オネジが螺刻されたターミナ
ル部１１Ｔとなっている。一方、セラミック発熱体４の
他方の端部４Ｂは、リード７を経由してセラミックヒー
タ２の中央部外周に導かれ、端子部７Ａとリード線１２
を介して、中軸１１の長手方向中央部を取り囲むターミ
ナルスリーブ１３に接続している。従って、このグロー
プラグ１０では、中軸１１（ターミナル部１１Ｔ）と、
ターミナルスリーブ１３との間に電流を流すことによ
り、セラミック発熱体４が発熱し、これに伴ってセラミ
ックヒータ２の先端部２Ａの表面温度が上昇する構造と
なっている。

【００３４】また、ターミナルスリーブ１３は、筒状の
絶縁リング１４によってハウジング１と絶縁され、ま
た、ターミナルスリーブ１３の内周に沿って配置された
筒状の絶縁スリーブ１５によって、中軸１１とも絶縁さ
れている。従って、セラミック発熱体４は、ハウジング
１とは絶縁された構造となっている。

【００３５】上記のグロープラグ１０の先端部２Ａの表
面温度Ｔｓと、セラミック発熱体４と先端部２Ａ表面間
の基体抵抗値Ｒｉとの関係を測定する方法を図５に示
す。実施形態１とは測定対象が異なるのみであり、各機
器の接続位置が変更されている他は図２と同様の構成で
ある。まず予め、先端部２Ａを金層や銀層などの導電性
の金属膜９で被覆する。具体的には、外筒３の先端３Ａ
と２ｍｍ程度の隙間をあけて金属膜９を形成する。後述
する絶縁抵抗の測定において、５００〜１０００Ｖを印
加するので、外筒３とショートしないようにするためで
ある。次いで、図５に示すように、グロープラグ１０の
ターミナル部１１Ｔとターミナルスリーブ１３の間に、
電流計２１、スイッチ２２を介して定電圧電源２３を接
続する。一方、先端部２Ａの表面温度Ｔｓを知るため、
先端部２Ａを含む領域を見込むようにセットした赤外線
放射温度計２４によって、先端部２Ａのうち表面温度Ｔ
ｓが最も高くなる部分の温度を測定する。この表面温度
Ｔｓは、温度変換器２５によって表示される。さらに、
絶縁抵抗計２６のプローブ２７の先端部２７Ａを先端部
２Ａに接触させ、ターミナルスリーブ１３との間の基体
抵抗値Ｒｉを測定する。

【００３６】上記のようにして、実施形態１のセラミッ
クヒータ２と同様にグロープラグ１０の特性の測定がで
きる。しかも、グロープラグ１０として既に組み立てら
れたものを測定するので、実際にエンジン内で使用され
る場合の特性により近い測定結果を得ることができる。

【００３７】以上において、本発明を実施形態１，２に
即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更
して適用できることはいうまでもない。例えば、上記実
施形態では、先端部２Ａに金層あるいは銀層を蒸着する
としたが、被膜を形成する方法としてはメッキ又はスパ
ッタリングによってもよい。また例えば、上記実施形態
では、先端部の表面温度Ｔｓを赤外線放射温度計２４に
よって測定するとしたが、熱電対によってもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】セラミックヒータの断面図である。

【図２】セラミックヒータのセラミック基体の表面温度
Ｔｓ、基体抵抗値Ｒｉを測定する測定方法を説明する説
明図である。

【図３】種々のセラミックヒータのセラミック基体の表
面温度Ｔｓと基体抵抗値Ｒｉの関係を示すグラフであ
る。

【図４】グロープラグの断面図である。

【図５】グロープラグのセラミック基体の表面温度Ｔ
ｓ、基体抵抗値Ｒｉを測定する測定方法を説明する説明
図である。

【符号の説明】

１ ハウジング ２ セラミックヒータ ２Ａ 先端部 ４ セラミック発熱体（通電発熱体） ５ セラミック基体 ９ 金属膜 １０ グロープラグ ２３ 定電圧電源 ２４ 赤外線放射温度計 ２５ 温度変換器 ２６ 絶縁抵抗計 ２７ プローブ ２７Ａ 先端部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】グロープラグに用いられ、通電により発熱
   する通電発熱体がセラミック基体で覆われているセラミ
   ックヒータの特性測定方法であって、 上記セラミックヒータの表面に絶縁抵抗計の一方の端子
   であるプローブを当接させた状態で、上記通電発熱体へ
   通電して上記セラミックヒータを加熱する加熱ステップ
   と、 上記プローブと絶縁抵抗計の他方の端子に接続する通電
   発熱体との間でセラミック基体の絶縁抵抗を測定する絶
   縁抵抗測定ステップと、 上記セラミックヒータの表面温度を測定する表面温度測
   定ステップと、を備えるセラミックヒータの特性測定方
   法。
2. 【請求項２】請求項１に記載のセラミックヒータの特性
   測定方法であって、 前記セラミックヒータの表面のうち、少なくとも前記プ
   ローブの当接部分に金属膜を有するセラミックヒータの
   特性測定方法。
3. 【請求項３】通電により発熱する通電発熱体がセラミッ
   ク基体で覆われているセラミックヒータを有するグロー
   プラグの特性測定方法であって、 上記セラミックヒータの表面に絶縁抵抗計の一方の端子
   であるプローブを当接させた状態で、上記通電発熱体へ
   通電して上記セラミックヒータを加熱する加熱ステップ
   と、 上記プローブと絶縁抵抗計の他方の端子に接続する通電
   発熱体との間でセラミック基体の絶縁抵抗を測定する絶
   縁抵抗測定ステップと、 上記セラミックヒータの表面温度を測定する表面温度測
   定ステップと、を備えるグロープラグの特性測定方法。
4. 【請求項４】請求項３に記載のグロープラグの特性測定
   方法であって、 前記セラミックヒータの表面のうち、少なくとも前記プ
   ローブの当接部分に金属膜を有するグロープラグの特性
   測定方法。